DE4226047A1 - Eine interne spannungsversorgung erzeugender schaltkreis - Google Patents

Eine interne spannungsversorgung erzeugender schaltkreis

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Description

Gegenstand der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiter-Speicher­ vorrichtung, insbesondere einen Schaltkreis zur Erzeugung einer internen Spannungsversorgung, die in einer hochinte­ grierten Halbleiter-Speichervorrichtung eingesetzt ist.
Da Halbleiter-Speichervorrichtungen hochintegriert aufgebaut sind, werden zunehmend miniaturisierte Elemente, wie bei­ spielsweise ein Transistor, bei dem es sich um ein konstruk­ tives Element in einem Mikrochip handelt, eingesetzt. In ei­ nem solchen Fall wird, falls eine externe Spannungsver­ sorgung, die an bisher nicht miniaturisierte Elemente ange­ legt wurde, an ein miniaturisiertes Element, wie beispiels­ weise einem Transistor abgegeben wird, dieser durch den Streß, der durch das relativ starke elektrische Feld her­ vorgerufen wird, zerstört. Demzufolge erfordert eine Halb­ leiter-Speichervorrichtung, die hochintegriert über 16 M grade (Mega:106) integriert ist, einen Schaltkreis zur Erzeugung einer internen Stromversorgung, um das Niveau ei­ ner externen Stromversorgung auf das Niveau der Betriebs­ spannung für den Chip herabzusetzen. Zum Beispiel muß für eine Halbleiter-Speichervorrichtung mit 16 M grade eine in­ terne Spannungsversorgung von 4 Volt verwendet werden, die gewöhnlich durch Herabsetzung einer externen Spannung von 5 Volt erhalten wird. Weiterhin wird eine Halbleiter-Spei­ chervorrichtung über 16 M grade eine weiter herabgesetzte externe und interne Spannung verwenden.
Ein herkömmlicher interner Spannungsgenerator, der das Ni­ veau der externen Spannung auf ein vorgegebenes Niveau her­ absetzt, der für den Betrieb einer Halbleiter-Speichervor­ richtung verwendet wird, weist einen eine Referenzspannung erzeugenden Schaltkreis zur Erzeugung einer Referenzspan­ nung VREF, einen Komparator eines Differentialverstärkers zum Vergleich der internen Spannung mit der Referenzspannung VREF und einen Treiber (Verstärker) zur Einstellung der ex­ ternen Spannung ext. Vcc auf die interne Spannung (Spannungs­ versorgung int. Vcc) entsprechend der Steuerung des Kompara­ tors auf.
Die interne Spannung, die durch den Treiber erzeugt wird, wird zu den Speicherelementen des Chips als auch zu einem Eingang des Komparators geführt. Falls die interne Spannung herabgesetzt wird, die durch den Komperator ermittelt wird, um die Ausgangsspannung zu verringern, wird der Treiber ver­ stärkt angesteuert, um die Herabsetzung der internen Span­ nung zu kompensieren. Die Betriebscharakteristiken (Kenn­ linien) des Komparator sind gemäß dem Stand der Technik be­ kannt und auf eine detailliertere Beschreibung wird daher verzichtet. Ein solcher herkömmlicher eine interne Spannung erzeugender Schaltkreis erzeugt immer eine konstante interne Spannung, indem er eine externe Spannung erhält, die einen Wert aufweist, die ein vorgegebenes Niveau übersteigt.
Dennoch kann ein solcher herkömmlicher Schaltkreis die in­ terne Spannung nicht der externen Spannung angleichen, um den Halbleiter-Speicherchip in einem Test wie beispielsweise einem "Burn-in-Test" (fertiggestellte Halbleiter-Chips wer­ den einer Hochspannung unterworfen, die einen vorgegebenen Wert bei einer hohen Temperatur für eine lange Zeitdauer übersteigen, um so fehlerhafte Teile zu ermitteln), da sie so ausgelegt sind, daß sie stets eine vorgegebene interne Spannung entsprechend irgendeiner externen Spannung, die zu­ geführt wird, abgeben. Somit ist es nicht möglich, ohne wei­ teres die fehlerhaften Chips zu ermitteln, woraus ein be­ trächtlicher Zeitverlust und eine Verringerung der Zuverläs­ sigkeit der Halbleiter-Speichervorrichtungen resultiert.
Daher ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen ei­ ne interne Spannung erzeugenden Schaltkreis zu schaffen, der eine vorgegebene Quellenspannung zu einer Halbleiter-Spei­ chervorrichtung abgibt, falls die externe zugeführte Span­ nung sich innerhalb eines vorgegebenen Bereichs bewegt, oder der eine externe Spannung dann zuführt, wenn die extern zu­ geführte Spannung ihrerseits ein vorgegebenes Niveau über­ schreitet.
Gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Schaltkreis zur Erzeugung einer vorgegebenen internen Spannung, die Spei­ cherelementen eines Halbleiter-Chips zugeführt wird, einen eine Referenzspannung erzeugenden Schaltkreis zur Erzeugung einer Referenzspannung, einen Differential-Verstärker zur Aufnahme der Referenzspannung und einer vorgegebenen inter­ nen Spannung, einen Treiber-(Verstärker)-Schaltkreis zur Er­ zeugung einer internen Spannung unter der Steuerung des Dif­ ferential-Verstärkers, und einen Steuer-Schaltkreis zur Steuerung des Gatter-Signals des Treiber-Schaltkreises der­ art, daß der Treiber-Schaltkreis bewirkt, daß eine interne Spannung des Referenz- oder externen Spannungsniveaus ent­ sprechend einem ersten oder einem zweiten Zustand erzeugt wird, auf. Der erste und zweite Zustand tritt jeweils auf, wenn die extern zugeführte Spannung geringer oder größer als 6 V ist.
Beschreibung der Zeichnung
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird nachfolgend ein Ausführungsbeispiel anhand der Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 ein Blockschaltbild zur Erläuterung eines Schalt­ kreises zur Erzeugung einer internen Spannungsver­ sorgung gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 eine spezielle Ausführungsform der Fig. 1,
Fig. 3 ein Kennlinienfeld zur Veranschaulichung der Aus­ gangskennlinien des Schaltkreises nach der Fig. 2,
Fig. 4 ein schematisches Schaltbild zur Erläuterung eines herkömmlichen Schaltkreises zur Erzeugung einer in­ ternen Spannung (Spannungsversorgung), und
Fig. 5 ein Diagramm zur Verdeutlichung der Ausgangskenn­ linien des Schaltkreises nach der Fig. 4.
Einer der herkömmlichen internen Spannungsgeneratoren, der das Niveau der externen Spannung auf ein vorgegebenes Niveau herabsetzt, das für den Betrieb einer Halbleiter-Speicher­ vorrichtung verwendet wird, ist in Fig. 4 gezeigt. Der in­ terne Spannungsgenerator weist einen eine Referenzspannung erzeugenden Schaltkreis 10 zur Erzeugung einer Referenz­ spannung VREF, einen Komparator 30 eines Differentialver­ stärkers zum Vergleich der internen Spannung mit der Refe­ renzspannung VREF und einen Treiber (Verstärker) 20 zur Ein­ stellung der externen Spannung ext. Vcc auf die interne Span­ nung (Spannungsversorgung int. Vcc) entsprechend der Steuerung des Komparators 30 auf.
Die interne Spannung, die durch den Treiber 20 erzeugt wird, wird zu den (nicht dargestellten) Speicherelementen des Chips als auch zu einem Eingang des Komparators 30 geführt. Falls die interne Spannung herabgesetzt wird, die durch den Komparator ermittelt wird, um die Ausgangsspannung G1 zu verringern, wird der Treiber 20 verstärkt angesteuert, um die Herabsetzung der internen Spannung zu kompensieren. Die Betriebscharakteristiken (Kennlinien) des Komparator 30 sind gemäß dem Stand der Technik bekannt und auf eine detail­ liertere Beschreibung wird daher verzichtet. Ein solcher herkömmlicher eine interne Spannung erzeugender Schaltkreis erzeugt immer eine konstante interne Spannung, indem er eine externe Spannung erhält, die einen Wert aufweist, die ein vorgegebenes Niveau, wie es in Fig. 5 gezeigt ist, über­ steigt.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, weist ein Schaltkreis zur Er­ zeugung einer internen Spannung (Spannungsversorgung gemäß der vorliegenden Erfindung) einen externen Spannungsdetek­ tor 100 zur Ermittlung einer extern zugeführten Spannung, einen Treiber-Steuer-Schaltkreis 200, einen Komparator 300 und einen Treiber (Verstärker) 50 auf. Der externe Span­ nungsdetektor 100 versorgt den Treiber-Steuer-Schalt­ kreis 200 mit einem Signal, das dem Niveau der dem Span­ nungsversorgungsanschluß zugeführten Spannung entspricht.
Der Treiber-Steuer-Schaltkreis 200 gibt frei oder verriegelt den Ausgang des Komparators 300 in Abhängigkeit des Signals des externen Spannungsdetektors 100 und steuert den "Turn-on"-(Einschalt)-Vorgang des Treibers 50. Der Aufbau des Komparators 300 und des Treibers 50 ist nach dem Stand der Technik bekannt.
Wie die Fig. 2 zeigt, weist der externe Spannungsdetek­ tor 100 einen Pull-up-Transistor (Hochsetz-Transistor) 21, der mit einem Ende des Kanals mit dem externen Spannungsan­ schluß ext. Vcc verbunden ist, eine spannungsherabsetzende Transistoreinrichtung 22, 23 und 24, die mit den Kanälen seriell mit dem anderen Ende des Kanals des Pull-up-Tran­ sistors 21 verbunden sind, einen Pull-down-(Herabsetz)-Wi­ derstand R1, der mit den Kanälen der spannungsherabsetzenden Transistoreinrichtung 22, 23 und 24 verbunden ist und einen Differential-Verstärker-Schaltkreis 100A auf, dessen erster Eingang mit dem gemeinsamen Anschluß zwischen der spannungs­ herabsetzenden Transistoreinrichtung 22, 23 und 24 und dem Pull-down-Widerstand R1 verbunden ist und der einen zweiten Eingang aufweist, der mit einer zweiten Referenzspan­ nung VREF2 versorgt wird. Der Ausgang des Differential-Ver­ stärker-Schaltkreises 100A ist mit dem Steueranschluß des Pull-up-Transistors 21 und mit dem Eingang von zwei Inver­ tern INV1 und INV2, die in Serie geschaltet sind, verbunden.
Die Zahl der PMOS-Transistoren 22, 23 und 24 der spannungs­ herabsetzenden Transistoreinrichtung wird entsprechend der extern zugeführten Spannung ext. Vcc eingestellt und bei den zwei Invertern INV1 und INV2 handelt es sich um einen Trei­ ber-Schaltkreis zur Verstärkung des B1-Signals. Das Niveau der zweiten Referenzspannung VREF2 wird entsprechend dem vorgegebenen Wert der externen Versorgungsspannung, die durch einen eine Referenzspannung erzeugenden Schaltkreis erzeugt wird, eingestellt.
Der Treiber-Steuer-Schaltkreis 200 weist ein Übertragungs- Gatter TM1 und einen Pull-down-Transistor 25 auf. Der Kanal des Übertragungs-Gatters TM1 ist mit der Ausgangsleitung des Komparators 300 verbunden, die mit dem Steueranschluß des Treibers 50 verbunden ist. Der Ausgang des externen Span­ nungsdetektors 100 wird als Steuersignal dem Übertragungs- Gatter TM1 zugeführt. Der Pull-down-Transister 25 wird durch den Ausgang des externen Spannungsdetektors 100 gesteuert und er weist einen Kanal zwischen einem Kanal des Übertra­ gungs-Gatters TM1 und der Masse auf, von dem ein Ende mit der G1-Leitung zwischen dem Kanal des Übertragungs-Gat­ ters TM1 und dem Steueranschluß des Treibers 50 verbunden und wobei das andere Ende mit dem Masseanschluß verbunden ist. Es ist festzustellen, daß das Ausgangssignal des exter­ nen Spannungsdetektors 100 (um das Übertragungs-Gatter TM1 abzuschalten) schaltet den Pull-down-Transistor 25 ein, um die Spannung der Leitung G1 auf das Massepotential herabzu­ setzen, wobei der Treiber 50 vollständig angesteuert wird.
Nachfolgend wird die Betriebsweise des Schaltkreises nach Fig. 2 näher erläutert.
Falls die extern zugeführte Spannung ein Niveau aufweist, das nicht ausreicht, um den F1-Netzknotenpunkt (oder B1) des externen Spannungsdetektors 100 zu erreichen, der ein hohes Potential (Niveau) aufweist (nämlich, falls die extern zuge­ führte Spannung ein Niveau unterhalb des oben vorgegebenen Wertes des Chips besitzt und demzufolge die Spannung des F1-Netzknotenpunkt unterhalb der zweiten Referenzspan­ nung VREF2 liegt), erhält der Ausgang B2 des externen Span­ nungsdetektors 100 den logischen Wert "low", so daß das Übertragungs-Gatter TM1 des Treiber-Steuer-Schaltkreises 200 eingeschaltet und der Pull-down-Transistor 25 abgeschaltet wird. Demzufolge wird das Ausgangssignal des Komparators 300 dem Steueranschluß des Treibers 50 zugeführt. In diesem Fall arbeitet der erfindungsgemäße Schaltkreis in der gleichen Weise wie der herkömmliche Schaltkreis nach der Fig. 4 und das Niveau der internen Spannungsversorgung int. Vcc ändert sich mit dem Intervall T1 der Fig. 3. Falls die extern zu­ geführte Spannung ext. Vcc weiterhin ein Niveau unterhalb des vorgegebenen Wertes aufweist, das Diagramm nach der Fig. 2 die gleichen Werte wie ein herkömmlicher Schaltkreis.
Um die spezielle Aufgabe, die in einem Burn-in-Test vorge­ geben ist, zu erfüllen, übersteigt, falls die extern zuge­ führte Spannung ein Niveau oberhalb des vorgegebenen Wertes aufweist, die Spannung des F1-Netzknotenpunktes die zweite Re­ ferenzspannung VREF2 und demzufolge geht die Spannung von B1 in den logischen Zustand "high" über (die extern zugeführte Spannung ext. Vcc, um die Spannung von B1 auf das Niveau "high" zu setzen, wird unmittelbar durch Einstellung des Wertes des Widerstandes R1 und die Zahl der PMOS-Transis­ toren 22, 23 und 24 der spannungsherabsetzenden Transistor- Einrichtung erhalten. Die Spannung von B1 des Niveaus "high" wird zugeführt, falls die Spannung von B2 das Niveau "high" aufweist, um den Treiber-Steuer-Schaltkreis 200 über die zwei Inverter INV1 und INV2 anzusteuern. Der Grund, daß die Spannung von B1 weiterhin den Zustand "high" aufweist, ist derjenige, daß der Differential-Verstärker-Schaltkreis 100A den Pull-up-Transistor 21 so ansteuert, daß er alternierend eingeschaltet oder in einer sehr kurzen Folge eingeschaltet und abgeschaltet wird.
Somit schaltet das B2-Signal mit dem Zustand "high" das Übertragungs-Gatter TM1 des Treiber-Steuer-Schaltkreises 200 ab und demzufolge den Pull-down-Transistor 25 ein. Dann wird der Ausgang G2 des Komparators 200 von dem Steueranschluß des Treibers 50 unterbrochen (abgetrennt) und die G1-Span­ nung wird über den Kanal des eingeschalteten Pull-down-Tran­ sistors 25 zur Masse hin entladen. Demzufolge wird der Trei­ ber 50 vollständig eingeschaltet, um so die interne Span­ nung int. Vcc, die das Niveau der extern zugeführten Spannung ext. Vcc besitzt, zu erzeugen. Natürlich halten die Span­ nungen von B1 und B2, sofern die extern zugeführte Spannung ein Niveau oberhalb des spezifizierten oder vorgegebenen Wertes aufweist, weiterhin das hohe Niveau aufrecht, so daß die interne Spannung so beibehalten wird, daß sie den glei­ chen Wert wie die extern zugeführte Spannung aufweist. In diesem Fall wird der Ausgang des Komparators 300 von dem Steueranschluß des Treibers 50 durch Abtrennung unterbrochen gehalten.
Somit wird nach T1, zu dem die extern zugeführte Span­ nung ext. Vcc ein Niveau oberhalb des spezifizierten Wertes des Chips aufweist, die interne Spannung int. Vcc so beibe­ halten, daß das gleiche Niveau wie die extern zugeführte Spannung. ext. Vcc (in Fig. 3 wird die Lage T1 genau in die vorwärts oder rückwärts weisende Richtung gemäß den Kenn­ linien des Chips eingestellt) aufrecht erhalten wird. Demzu­ folge kann die interne Spannung das gleiche Niveau wie die extern zugeführte Spannung aufweisen, so daß der "Burn-in-Test" in einfacher Weise durchgeführt werden kann, um fehlerhafte Chips auszusondern. Obwohl der Schaltkreis nach der Fig. 2 eine bevorzugte Ausführungsform darstellt, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungs­ form beschränkt, sondern kann in einzelnen Bauteilen im Rahmen des allgemeinen Erfindungsgedankens geändert werden.

Claims (15)

1. Schaltkreis zur Erzeugung einer vorgegebenen internen Spannung entsprechend einer von außen zugeführten Span­ nung, um die interne Spannung Einrichtungen eines Halb­ leiterchips (Mikrochips) zuzuführen, wobei der die in­ terne Spannung erzeugende Schaltkreis einen eine Refe­ renzspannung erzeugenden Schaltkreis zur Erzeugung einer ersten Referenzspannung, einen ersten Differentialver­ stärker zur Aufnahme der ersten Referenzspannung und ei­ ne vorher festgelegte interne Spannung und einen Aus­ gangstreiber- (Verstärker-) Schaltkreis zur Erzeugung der internen Spannung unter Steuerung des ersten Dif­ ferentialverstärkers aufweist, wobei der die interne Spannung erzeugende Schaltkreis durch folgende Merkmale gekennzeichnet ist:
Einen externen, die Spannung messenden Schaltkreis zur Ermittlung der externen Spannung, um so die interne Spannung auf das Niveau der zugeführten externen Span­ nung zu bringen, wenn die externe Spannung einen vorge­ gebenen Wert überschreitet, und
einen Verstärkungs-Steuer-Schaltkreis, der zwischen dem ersten Differentialverstärker und dem Ausgangs-Verstär­ ker-Schaltkreis geschaltet ist, um die elektrische Ver­ bindung zwischen dem Ausgangssignal des ersten Diffe­ rential-Verstärkers und dem Steueranschluß des Verstär­ ker-Schaltkreises in Abhängigkeit des Ausgangssignals des die externe Spannung messenden Schaltkreises zu steuern.
2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vorgegebene Wert in den Kenndaten des betreffenden Chips vorgegeben ist.
3. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der die externe Spannung messende Schaltkreis einen Pull-up-Transistor aufweist, der einen Kanal besitzt, dessen eines Ende mit der externen Spannungsversorgung verbunden ist,
eine die Spannung herabsetzende Transistor-Einrichtung, die Kanäle besitzt, die seriell mit dem anderen Ende des Kanals des Pull-up-Transistors verbunden sind,
einen Pull-down-Widerstand, der mit den Kanälen der die Span­ nung herabsetzenden Transistor-Einrichtung verbunden ist, und
einen zweiten Differentialverstärker mit zwei entspre­ chenden Eingangsleitungen, wobei die erste Eingangslei­ tung mit einem gemeinsamen Anschluß der die Spannung herabsetzenden Transistor-Einrichtung und dem Pull-down-Widerstand verbunden ist, wobei die zweite Eingangsleitung derart verbunden ist, daß sie eine zweite Referenzspannung führt, wobei der Ausgang des zweiten Differentialverstärkers zu der Steuerelektrode des Pull-Up-Transistors und zu dem Verstärker- Steuer- Schaltkreis als Steuersignal zugeführt wird und wobei dieses einen Ausgang (Signal) des die externe Spannung messenden Schaltkreises bildet.
4. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Pull-up-Transistor ein PMOS-Transistor ist.
5. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die die Spannung herabsetzenden Transistor-Einrichtungen eine Vielzahl von PMOS-Transistoren aufweisen, die eine Diodenverbindung miteinander bilden.
6. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Verstärker-Inverter-Schaltkreis (Wandler) einen CMOS-Schaltkreis aufweist, der zwischen dem Ausgang des die externe Spannung messenden Schaltkreises und dem Verstärker-Steuer-Schaltkreis gebildet ist, so daß der Ausgang der die externe Spannung messende Schaltkreis durch den Verstärker-Inverter-Schaltkreis zu dem Ver­ stärker-Steuer-Schaltkreis übertragen wird.
7. Schaltkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang des Ausgangs-Verstärker-Schaltkreises das­ selbe Niveau wie die externe Spannung aufweist, falls sich das Ausgangssignal des die externe Spannung messen­ den Schaltkreises in dem logischen Zustand "high" über der logischen Schwellwertspannung des MOS-Elementes in dem Verstärker-Inverter-Schaltkreis befindet.
8. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker-Steuer-Schaltkreis folgende Merkmale auf­ weist:
Einen Übertragungs-Transistor dessen einer Kanal mit dem Ausgangsleitung des ersten Differential-Verstärkers ver­ bunden ist, um das Ausgangssignal des die externe Span­ nung messenden Schaltkreises als Steuersignal aufzu­ nehmen, wobei die Ausgangsleitung mit dem Steueranschluß des Ausgangs-Verstärker-Schaltkreises verbunden ist, und
ein Pull-down-Transistor, der einen Kanal aufweist, des­ sen eines Ende mit dem Kanal des Übertragungs-Transis­ tors und mit dem Steueranschluß des Ausgangs-Verstär­ ker-Schaltkreises verbunden ist, um das Ausgangssignal des die externe Spannung messenden Schaltkreises als Steuersignal aufzunehmen.
9. Schaltkreis nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Übertragungs-Transistor ein Übertragungs-Gatter mit Steuer-Gattern zum komplementären Empfang des Ausgangs­ signals des die externe Spannung messenden Schaltkreises aufweist.
10. Schaltkreis zur Umwandlung einer extern zugeführten Spannung eines ersten Niveaus in eine vorgegebene in­ terne Spannung eines zweiten Niveaus, um die interne Spannung als eine Betriebsspannung den Elementen eines Halbleiter-Speicher-Chips zuzuführen, wobei der Schalt­ kreis folgende Merkmale aufweist:
Einen Treiberschaltkreis zur Erzeugung der internen Spannung,
einen Differential-Verstärker zur Aufnahme des Ausgangs des Verstärker-Schaltkreises und einer Referenz-Span­ nung, um ein Steuersignal für den Verstärker-Schaltkreis zu bilden,
einen Meß-Schaltkreis zur Ermittlung der Änderungen der extern zugeführten Spannung, und
einen Verstärker-Steuer-Schaltkreis zur Steuerung des Steuersignals des Verstärker-Schaltkreises in Abhängig­ keit eines Ausgangssignals des Meß-Schaltkreises.
11. Schaltkreis nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker-Schaltkreis die interne Spannung des Referenz-Spannungsniveaus oder des extern zugeführten Spannungsniveaus jeweils entsprechend vorgibt, ob das Ausgangs-Spannungsniveau des Meß-Schaltkreises einen ersten oder einen zweiten Zustand aufweist, der durch das extern zugeführte Spannungsniveau festgelegt wird.
12. Schaltkreis nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Zustand jeweils das lo­ gische Spannungsniveau "low" und "high" darstellt.
13. Schaltkreis nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Verbindung zwischen dem Ausgang des Differential-Verstärkers und dem Steueranschluß des Ver­ stärker-Schaltkreises durch den Ausgang des Meß-Schalt­ kreises im ersten Zustand verbunden oder im zweiten Zu­ stand unterbrochen ist.
14. Schaltkreis mit einem eine Referenzspannung erzeugenden Schaltkreis zur Erzeugung einer Referenzspannung, einen Differential-Verstärker zur Aufnahme der Referenzspan­ nung und einer vorgegebenen internen Spannung und einen Verstärker-Schaltkreis zur Erzeugung der internen Span­ nung unter Steuerung des Differential-Verstärkers, um eine extern zugeführte Spannung eines ersten Niveaus in eine vorgegebene interne Spannung eines zweiten Niveaus zu konvertieren, um die interne Spannung Elementen eines Halbleiter-Speicher-Chips zuzuführen, wobei der Schalt­ kreis folgende Merkmale aufweist:
Einen Steuerschaltkreis zur Steuerung eines Gatter-Sig­ nals des Verstärker-Schaltkreises, derart, daß der Ver­ stärker-Schaltkreis eine interne Spannung gemäß der Re­ ferenzspannung des ersten Zustandes der extern zugeführ­ ten Spannung oder des extern zugeführten Spannungs­ niveaus in einen zweiten Zustand der extern zugeführten Spannung erzeugt.
15. Schaltkreis nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Zustand jeweils Werten ent­ spricht, wenn die extern zugeführte Spannung unter oder über einem vorgegebenen Wert in einer Spezifikation für den Chip liegt.
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