JP7153458B2 - 半導体装置及び電子機器 - Google Patents
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Description
20 メモリコントローラ
21 レギュレータ
22 テスト回路
210 テスト制御部
211 トランジスタ
212 参照電圧生成回路
213、215 比較回路
214 カウンタ
216 レジスタ
Cs コンデンサ
Mc メモリ制御チップ
Claims (4)
- 所定の第1電圧を生成して第1のラインに印加するレギュレータを有する半導体装置であって、
前記第1のラインに接続されており、部品を前記半導体装置に外付けする為の外部端子と、
前記部品と前記外部端子との接続状態をテストするテスト回路と、を含み、
前記テスト回路は、
テスト開始信号を受けた場合に、前記レギュレータの動作を停止させると共に前記第1のラインを所定電位に接続することで前記部品を放電させ得るように構成されたテスト放電実行部と、
前記テスト開始信号を受けてから、前記第1のラインの電圧が前記第1電圧よりも低い所定の第2電圧より低くなるまでに掛る時間を前記部品の放電継続期間として計測し、前記放電継続期間を表す情報を含むテスト結果信号を出力する放電継続期間計測部と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記テスト放電実行部は、
前記テスト開始信号に応じて第1レベルを有するテスト実行信号を生成し、テスト終了信号を受けたときに前記テスト実行信号を前記第1レベルの状態から第2レベルの状態に遷移させるテスト制御部と、
前記テスト実行信号が前記第2レベルの状態にある間はオフ状態となり、前記テスト実行信号が前記第1レベルの状態にある間はオン状態となって前記所定電位として接地電位を前記第1のラインに印加するスイッチ素子と、を有し、
前記放電継続期間計測部は、
前記第1のラインの電圧と前記第2電圧とを比較し、前記第1のラインの電圧が前記第2電圧より低い場合にテスト終了を促す信号を前記テスト終了信号として生成する第1の比較回路と、
クロック信号を受け、前記テスト実行信号が論理レベル1である間に前記クロック信号のパルス数をカウントしてカウント値を得て、前記テスト終了信号に応じてカウント動作を停止すると共に前記カウント値を前記放電継続期間を表す情報として出力するカウンタと、を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 所定の基準放電継続期間を表す情報を記憶するレジスタと、
前記レジスタに記憶されている前記基準放電継続期間と前記放電継続期間とを比較し、前記放電継続期間が前記基準放電継続期間以上である場合には前記部品が前記外部端子に正しく接続されていることを表し、前記放電継続期間が前記基準放電継続期間未満である場合には前記部品が前記外部端子に正しく接続されていないことを表す接続状態情報を生成する第2の比較回路と、を含み、
前記第2の比較回路は、生成した前記接続状態情報を前記テスト結果信号に含ませることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - メモリコントローラと、
所定の第1電圧を生成し、前記第1電圧を第1のラインを介して前記メモリコントローラに供給するレギュレータと、
前記第1のラインに接続されており、部品を外付けする為の外部端子と、
テスト開始信号を受けた場合に、前記レギュレータの動作を停止させると共に前記第1のラインに所定電位を印加することで前記部品を放電させ得るように構成されたテスト放電実行部と、
前記テスト開始信号を受けてから、前記第1のラインの電圧が前記第1電圧よりも低い所定の第2電圧より低くなるまでに掛る時間を放電継続期間として計測する放電継続期間計測部と、
前記放電継続期間計測部で計測された前記放電継続期間を示す情報を含むテスト結果信
号を外部に出力する第2の外部端子と、を有するメモリ制御チップと、
前記メモリ制御チップの前記外部端子に外付けされている前記部品と、
前記メモリコントローラによってデータの書込及び読出しが制御されるメモリセルアレイ部と、が配置されている基板を有することを特徴とする電子機器。
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