DE2928089A1 - Tiegel fuer halbleitertechnologische zwecke und verfahren zur herstellung des tiegels - Google Patents
Tiegel fuer halbleitertechnologische zwecke und verfahren zur herstellung des tiegelsInfo
- Publication number
- DE2928089A1 DE2928089A1 DE19792928089 DE2928089A DE2928089A1 DE 2928089 A1 DE2928089 A1 DE 2928089A1 DE 19792928089 DE19792928089 DE 19792928089 DE 2928089 A DE2928089 A DE 2928089A DE 2928089 A1 DE2928089 A1 DE 2928089A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- thickness
- inner lining
- crucible
- layer
- crucible according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
Hanau, 10. Juli 1979 ZPL-Dr.Hn/Rö
Heraeus Quarzschmelze GmbH, Hanau/Main
Patent- und Gebrauchsmusterhilfsanmeldung
"Tiegel für halbleitertechnOlogische Zwecke und Verfahren
zur Herstellung des Tiegels"
Die Erfindung betrifft einen Tiegel für halbleitertechnologische Zwecke, insbesondere zur Herstellung von Silizium-Kristallen,
der ein Siliziumdioxid-haltiges Außenteil und eine Innenauskleidung aufweist, die unverrückbar miteinander
verbunden sind, wobei die Innenauskleidung aus sythetisch hergestelltem Siliziumdioxid besteht.
Tiegel der vorcharakterisierten Art sind aus der DE-PS 962 868 bekannt. Diese Tiegel werden für das Ziehen
von Einkristallen, insbesondere von Silizium benutzt. Der Tiegel besteht aus zwei Teilen, die unverrückbar miteinander
verbunden sind. Das Außenteil des Tiegels besteht aus reinstem Quarz .
Es ist mit einer Innenauskleidung aus Siliziumdioxid versehen, das durch Rektifikation von Siliziumtetrachlorid und anschliessende
Hydrolyse mit reinstem Wasser gewonnen wird.Die bei diesem.
Prozeß entstehende gelartige Masse wird auf die Innenseite
des Außenteils aufgebracht und dort bei etwa 1200 bis 1Ϊ00 C
eingesintert. Die Innenauskleidung des so aufgebauten Tiegels ist porös, was die Gefahr in sich birgt, daß das Halbleitermaterial,
aus dem der Einkristall gezogen werden soll, sich
03 00 6 37 0 574
- I1 -
in den Poren festsetzt und den Ziehprozeß erheblich stört. Es können auch einzelne Teile der Innenauskleidung vom Außen
teil abplatzen und die Schmelze aus Halbleitermaterial verunreinigen bzw. unbrauchbar machen.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Tiegel für halbleitertechnologische
Zwecke, insbesondere für die Herstellung von Silizium-Kristallen, zu schaffen, der eine porenfreie,
glatte und widerstandsfähige Innenauskleidung aus hochreinem
Werkstoff aufweist, die in jeder gewünschten, für den jeweiligen Verwendungszweck des Tiegels ausreichenden Dicke
kostengünstig herstellbar ist.
Gelöst wird diese Aufgabe für einen Tiegel der eingangs charakterisierten Art erfindungsgemäß dadurch, daß die Innenauskleidung
aus einer Körnung aus synthetischem kristallinen Quarz als Ausgangsmaterial hergestellt ist und wenigstens
eine dünne amorphe Schicht aufweist, beginnend an der freien glatten Oberfläche der Innenauskleidung. Das Außenteil des
Tiegels ist vorzugsweise aus einer Körnung aus natürlichem Quarz hergestellt. Es enthält eine Vielzahl von kleinen Luftbläschen.
Die Dicke der Innenauskleidung liegt im Bereich von 5 bis 60°
der Gesamtwandstärke des Tiegels, vorzugsweise liegt sie im Bereich von 20 bis 30% der Gesamtwandstärke des Tiegels.
Tiegel, bei denen wenigstens 1/10 der Dicke der Innenauskleidung in amorphem Zustand vorliegt, haben sich besonders
bewährt.
030063/0574
Es hat sich ferner als zweckmäßig erwiesen, die Dicke der
Innenauskleidung im Bereich des Tiegelbodens größer auszubilden
als im sich daran anschließenden zylindrischen Bereich des Tiegels.
Tiegel gemäß der Erfindung besitzen den Vorteil, daß sich
an der glatten Oberfläche der Innenauskleidung kein schmelzflüssiges
Halbleitermaterial festsetzen kann wie bei den bekannten porösen Innenauskleidungen. Nur die Innenauskleidung
ist aus synthetischem Quarz hergestellt, nicht jedoch das Außenteil des Tiegels, für dessen Herstellung
Körnung aus natürlichem Quarz verwendet werden kann.
Die Innenauskleidung und das Außenteil sind an ihrer Grenzfläche
homogen miteinander verbunden, wodurch auch die Gefahr des Abplatzens von Teilen der Innenauskleidung auf ein vernachlässigbares
Maß vermindert ist. Infolge der relativ größen Dicke der Innenauskleidung können erfindungsgemäße
Tiegel für mehrere Halbleiter- Kristall-Produktionszyklen eingesetzt werden im Gegensatz zu bekannten nur mit dünnem
Innenüberzug versehenen Tiegeln.
Die Einzelschritte des Verfahrens zur Herstellung des
Tiegels ergeben sich aus dem darauf gerichteten Patentanspruch
sowie der Beschreibung der Figur "2. Es besitzt den Vorteil,
daß in einem einzigen Arbeitsgang der erfindungsgemäße Tiegel
herstellbar ist. Dies ist wesentlich kosten- und auch energiegünstiger
als Verfahren, bei denen der Innenüberzug auf dem Wege einer Nachbehandlung eines bereits fertiggestellten
Tiegels hergestellt wird, was arbeitsaufwendiger ist.
030063/0574
Anhand der Figuren 1 und 3 wird nachstehend die Erfindung beschrieben.
Figur 1 zeigt einen Vertikalschnitt durch einen Tiegel, Figur 2 zeigt schematisch, teilweise im Vertikalschnitt,
die Herstellung eines Tiegels, Figur 3 zeigt einen Vertikalschnitt durch einen Tiegel in
weiterer Ausgestaltung.
Mit der Bezugsz.iffer 1 ist das Außenteil des Tiegels bezeichnet, das aus einer Körnung aus natürlichem Quarz hergestellt
ist. Das Außenteil ist unverrückbar mit der Innenauskleidung
verbunden, die die amorphe Schicht 3 aufweist. Die Schicht besitzt eine Dicke, die mindestens 1/10 der Dicke der Innenauskleidung
beträgt. Die Dicke der Innenauskleidung ist in Figur 1 im Boden- und zylindrischen Teil gleich. Das Außenteil
kann eine Vielzahl kleiner Luftbläschen enthalten, ohne daß sie sich bei der Verwendung des Tiegels störend bemerkbar
machen können. Dies ist auf die amorphe Schicht 3 zurückzuführen.
Der in Figur 3 dargestellte Tiegel unterscheidet sich von dem in Figur 1 dadurch, daß die Dicke des Bodenteils 2' der
Innenauskleidung größer ist als die Dicke des zylindrischen Teils 2'· der Innenauskleidung 2.
Das Herstellverfahren eines erfindungsgemäßen Tiegels wird
unter Bezugnahme auf Figur 2 nachstehend erläutert. In eine Form 4, die wie durch Pfeil 5 angedeutet, um die Achse 6
rotiert, wird über das Rohr 7 einer Zugabevorrichtung zunächst Körnung aus natürlichem Quarz eingefüllt und auf der
Innenwand 9 der Form 4 in gleichmäßiger Schichtdicke abgelagert. Das Füllrohr 7 wird dabei wie durch Pfeil 10 angedeutet,
langsam vom Bodenteil der Form 4 in deren zylindrischen
- 7-
030063/057A
Teil verschoben. Die Rotationsgeschwindigkeit der Form k
ist so hoch zu wählen, daß die eingebrachte Körnung nicht zum Boden der Form hin absinkt, sondern durch die Zentrifugalkraft gegen die Innenfläche der Form gepreßt wird.
Wenn die Ablagerung der Körnung 8 beendet ist, wird ohne Unterbrechung
der Rotation der Form 4 über das Füllrohr 7 die Körnung 11 aus synthetischem kristallinen Quarz in gleicher
Weise wie die Körnung/eingefüllt und auf der Körnung 8 abgelagert. Nach Beendigung dieses Vorgangs wird unter Aufrechterhaltung
der Rotation die Heizquelle 13 wie durch Pfeil 12 angedeutet, in die Form vorgeschoben. Der Innenraum der
Form V wird mittels dieser Heizquelle so stark erhitzt, daß
seine Temperatur über dem Schmelzpunkt der Körnung 11 liegt. Dadurch werden nibht nur die einzelnen Teilchen der Körnungen
8 und 11 untereinander, sondern auch beide Körnungen an ihrer Grenzfläche homogen miteinander verbunden, was vermutlich auf die gleichartige kristalline Struktur beider Körnungen zurückzuführen ist. Die der Heizquelle zugekehrte innerste
Schicht der Körnung 11 wird außerdem in den amorphen Zustand
mit sehr glatter, freier Oberfläche überführt, sie bildet die Schicht 3 (Fig.l).
Durch die Wahl der Zufuhrgeschwindigkeit der Körnung, beispielsweise durch Änderung der Bewegungsgeschwindigkeit des
Füllrohres 7 in Pfeilrichtung 10, kann die Dicke der Schichten
der Körnungen 8 und 11 in beliebiger, gewünschter Weise variiert werden. Dies besitzt den Vorteil, daß auf einfachste
Weise u.a. die Dicke der Innenauskleidung problemlos den unterschiedlichsten Anforderungen der halbleitertechnologischen
Verfahren angepaßt werden kann.
030063/0574
Claims (1)
- Hanau, lo. Juli 1979 ZPL-Dr.Hn/RöHeraeus Quarzschmelze GmbH, Hanau/MainPatent- und Gebrauchsmusterhilfsanmeldung"Tiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung des Tiegels "Patentansprüche1. Tiegel für halbleitertechnologische Zwecke, insbesondere zur Herstellung von Silizium- Kristallen, der ein Siliziumdioxid-haltiges Außenteil und eine Innenauskleidung aufweist, die unverrückbar miteinander verbunden sind, wobei die Innenauskleidung aus synthetisch hergestellten Siliziumdioxid besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenauskleidung (2) aus einer Körnung aus synthetischem kristallinen Quarz als Ausgangsmaterial hergestellt ist und wenigstens eine dünne amorphe Schicht (3") aufweist, beginnend an der freien glatten Oberfläche der Innenauskleidung.2. Tiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Außenteil (1") aus einer Körnung aus natürlichem Quarz als Ausgangsmaterial hergestellt ist.3. Tiegel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Außenteil (1) eine Vielzahl kleiner Luftbläschen enthält.03 006 3/0 574k. Tiegel nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Innenauskleidung zwischen 5 und 60% der Gesamtwandstärke des Tiegels beträgt.5. Tiegel nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, daßdie Dicke der Innenauskleidung 20 bis 30% der Gesamtwandstärke des Tiegels beträgt.6. Tiegel nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der amorphen Schicht (3) wenigstens 1/10 der Dicke der Innenauskleidung beträgt.7. Tiegel nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Bodenteils (21) der Innenauskleidung (2) größer ist als die Dicke deren zylindrischen Teils (211).8. Verfahren zur Herstellung eines Tiegels nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in eine rotierende Form (4) zunächst Körnung aus natürlichem kristallinen Quarz eingefüllt und 'als Schicht (f) auf der Innenwand (9) der Form abgelagert, danach Körnung aus synthetischem kristallinen Quarz eingefüllt und auf der Schicht (8) als Schicht (H) abgelagert wird, daß dann unter weiterer Aufrechterhaltung der Rotation der Form (4) durch Zufuhr von Wärme beide Körnungen unverrückbar miteinander verbunden werden und die Schicht (11) wenigstens teilweise, beginnend an ihrer freien Oberfläche, in den amorphen Zustand überführt wird.9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß durch Änderung der Zufuhrgeschwindigkeit der Körnung die Dicke der Innenauskleidung und/oder des Außenteils eingestellt wird.030083/0574
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2928089A DE2928089C3 (de) | 1979-07-12 | 1979-07-12 | Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung |
GB8020525A GB2057105B (en) | 1979-07-12 | 1980-06-23 | Crucibles and to methods for making them |
FR8015552A FR2461028A1 (fr) | 1979-07-12 | 1980-07-11 | Creuset pour la technologie des semi-conducteurs et procede de production de ce creuset |
JP55094098A JPS5850955B2 (ja) | 1979-07-12 | 1980-07-11 | 半導体技術用るつぼおよびその製法 |
US06/345,515 US4528163A (en) | 1979-07-12 | 1982-02-04 | Crucible for semiconductor manufacturing purposes and a process for manufacturing the crucible |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2928089A DE2928089C3 (de) | 1979-07-12 | 1979-07-12 | Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2928089A1 true DE2928089A1 (de) | 1981-01-15 |
DE2928089B2 DE2928089B2 (de) | 1981-04-16 |
DE2928089C3 DE2928089C3 (de) | 1982-03-04 |
Family
ID=6075479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2928089A Expired DE2928089C3 (de) | 1979-07-12 | 1979-07-12 | Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4528163A (de) |
JP (1) | JPS5850955B2 (de) |
DE (1) | DE2928089C3 (de) |
FR (1) | FR2461028A1 (de) |
GB (1) | GB2057105B (de) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3302745A1 (de) * | 1983-01-27 | 1984-08-02 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur herstellung von gegenstaenden aus hochreinem synthetischem quarzglas |
JPS59213697A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶半導体引上装置 |
JPS6027676A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | GaAs単結晶製造用石英ガラスボ−ト |
DE3330910A1 (de) * | 1983-08-27 | 1985-03-07 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zum herstellen eines reaktionsgefaesses fuer kristallzuchtzwecke |
JPS61237430A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Wakomu:Kk | 半導体蒸気乾燥洗浄用石英容器 |
US4773852A (en) * | 1985-06-11 | 1988-09-27 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Pyrolytic boron nitride crucible and method for producing the same |
US4717444A (en) * | 1985-09-03 | 1988-01-05 | Hughes Aircraft Company | Method for making high-purity, essentially crack-free crystals |
DE3618610A1 (de) * | 1986-06-03 | 1987-12-10 | Concast Standard Ag | Verfahren zur verguetung hochtemperaturbestaendiger formkoerper aus amorphem, gesintertem siliziumdioxyd |
US4911896A (en) * | 1986-07-24 | 1990-03-27 | General Electric Company | Fused quartz member for use in semiconductor manufacture |
FR2616223B1 (fr) * | 1987-06-03 | 1992-04-03 | Quartz & Silice | Procede et dispositif de controle du remplissage d'un moule par une matiere refractaire pulverulente |
FR2619374B1 (fr) * | 1987-08-12 | 1989-12-01 | Quartz & Silice | Procede et dispositif d'extraction d'un objet obtenu par fusion d'une couche pulverulente |
US4935046A (en) * | 1987-12-03 | 1990-06-19 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor |
JPH068237B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1994-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH0676274B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1994-09-28 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
US5015279A (en) * | 1989-02-10 | 1991-05-14 | Quartz & Silice | Apparatus for extracting spin cast fused silica objects |
US4964902A (en) * | 1989-02-10 | 1990-10-23 | Quartz & Silice | Method of extracting spin cast fused silica |
JP2714860B2 (ja) * | 1989-07-28 | 1998-02-16 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体巣結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JP2866115B2 (ja) * | 1989-09-25 | 1999-03-08 | 東芝セラミックス株式会社 | 石英ガラス容器の製造装置 |
US5169608A (en) * | 1989-09-26 | 1992-12-08 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Inorganic article for crystal growth and liquid-phase epitaxy apparatus using the same |
JP2933404B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1999-08-16 | 信越石英 株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法 |
US5284631A (en) * | 1992-01-03 | 1994-02-08 | Nkk Corporation | Crucible for manufacturing single crystals |
US5306473A (en) * | 1992-01-31 | 1994-04-26 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Quartz glass crucible for pulling a single crystal |
JP2830987B2 (ja) * | 1994-07-19 | 1998-12-02 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP2811290B2 (ja) * | 1995-04-04 | 1998-10-15 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
JP3764776B2 (ja) * | 1996-03-18 | 2006-04-12 | 信越石英株式会社 | 単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法 |
DE19729505A1 (de) * | 1997-07-10 | 1999-01-14 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zur Herstellung von Si0¶2¶-Granulat |
US6106610A (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-22 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quartz glass crucible for producing silicone single crystal and method for producing the crucible |
JP3488383B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2004-01-19 | 信越石英株式会社 | ドライエッチング用石英ガラス部材およびそれを装着したドライエッチング装置 |
US6182237B1 (en) | 1998-08-31 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | System and method for detecting phase errors in asics with multiple clock frequencies |
DE19917288C2 (de) | 1999-04-16 | 2001-06-28 | Heraeus Quarzglas | Quarzglas-Tiegel |
US6193926B1 (en) | 1999-09-03 | 2001-02-27 | Heraeus Amersil, Inc. | Process for making molded glass and ceramic articles |
EP1088789A3 (de) * | 1999-09-28 | 2002-03-27 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Poröse Granulate aus Siliciumdioxid, deren Herstellungsverfahren und deren Verwendung bei einem Verfahren zur Herstellung von Quarzglas |
JP4447738B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-04-07 | 信越石英株式会社 | 多層構造の石英ガラスルツボの製造方法 |
US6510707B2 (en) | 2001-03-15 | 2003-01-28 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Methods for making silica crucibles |
JP3983054B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-09-26 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法 |
JP4086283B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-05-14 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
US20050120945A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-09 | General Electric Company | Quartz crucibles having reduced bubble content and method of making thereof |
WO2009122936A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
JP4986921B2 (ja) | 2008-04-30 | 2012-07-25 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | ルツボリフト装置 |
JP4879220B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-02-22 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
WO2017158656A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法 |
CN105803527B (zh) * | 2016-05-23 | 2018-12-11 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 一种全熔高效多晶硅铸锭的方法 |
JP7157932B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2022-10-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボの製造装置および製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE962868C (de) * | 1953-04-09 | 1957-04-25 | Standard Elektrik Ag | Tiegel zum Herstellen reinsten Halbleitermaterials, insbesondere von Silizium und dessen Verwendung |
FR2005160A1 (de) * | 1968-03-30 | 1969-12-05 | Heraeus Schott Quarzs |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1241971A (en) * | 1916-07-08 | 1917-10-02 | Driver Harris Co | Melting-pot or crucible. |
US1888341A (en) * | 1930-11-06 | 1932-11-22 | Gen Electric | Composite silica article |
NL37603C (de) * | 1931-12-26 | |||
GB493033A (en) * | 1938-04-30 | 1938-09-30 | Isaiah Hall | Improvements in or relating to crucibles |
NL103477C (de) * | 1956-11-28 | |||
FR1246889A (fr) * | 1959-10-15 | 1960-11-25 | Pechiney Prod Chimiques Sa | Procédé d'obtention de lingots de silicium très pur |
US3240568A (en) * | 1961-12-20 | 1966-03-15 | Monsanto Co | Process and apparatus for the production of single crystal compounds |
FR2126098B1 (de) * | 1971-02-25 | 1973-11-23 | Quartz & Silice | |
US4010064A (en) * | 1975-05-27 | 1977-03-01 | International Business Machines Corporation | Controlling the oxygen content of Czochralski process of silicon crystals by sandblasting silica vessel |
-
1979
- 1979-07-12 DE DE2928089A patent/DE2928089C3/de not_active Expired
-
1980
- 1980-06-23 GB GB8020525A patent/GB2057105B/en not_active Expired
- 1980-07-11 JP JP55094098A patent/JPS5850955B2/ja not_active Expired
- 1980-07-11 FR FR8015552A patent/FR2461028A1/fr active Granted
-
1982
- 1982-02-04 US US06/345,515 patent/US4528163A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE962868C (de) * | 1953-04-09 | 1957-04-25 | Standard Elektrik Ag | Tiegel zum Herstellen reinsten Halbleitermaterials, insbesondere von Silizium und dessen Verwendung |
FR2005160A1 (de) * | 1968-03-30 | 1969-12-05 | Heraeus Schott Quarzs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5617996A (en) | 1981-02-20 |
JPS5850955B2 (ja) | 1983-11-14 |
DE2928089B2 (de) | 1981-04-16 |
GB2057105A (en) | 1981-03-25 |
GB2057105B (en) | 1983-04-27 |
FR2461028A1 (fr) | 1981-01-30 |
FR2461028B1 (de) | 1985-04-26 |
US4528163A (en) | 1985-07-09 |
DE2928089C3 (de) | 1982-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2928089A1 (de) | Tiegel fuer halbleitertechnologische zwecke und verfahren zur herstellung des tiegels | |
DE10231865B4 (de) | Quarzglastiegel und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Quarzglastiegels | |
DE19710672C2 (de) | Quarzglas-Tiegel zum Ziehen von Einkristall und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE60211289T2 (de) | Quarzglastiegel mit innerer Kristallisierungsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE60118375T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines quartzglastiegels | |
DE60316812T2 (de) | Quarzglastiegel zur ziehung von siliciumeinkristallen und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2311791C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur pyrolytischen Abscheidung von Kohlenstoff auf einem Substrat | |
DE944209C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern | |
DE2919080B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer optischen Faser aus Kern und Mantel | |
DE69916703T2 (de) | Tiegel aus Verbundmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10048368C5 (de) | Kohleelektrode zum Schmelzen von Quarzglas und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE10156137B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kieselglastiegels mit kristallinen Bereichen aus einem porösen Kieselglasgrünkörper | |
DE2462388A1 (de) | Stranggiessen von draehten | |
DE102007004242A1 (de) | Sintern von Quarzglas zu Formkörpern mit kristallinem SiO2 | |
DE19538020A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Silicium | |
DE3874219T2 (de) | Vorrichtung zur zuechtung von kristallen aus halbleitermaterialien. | |
DE2827303C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Glasgegenstandes und dessen Anwendung | |
DE69721957T2 (de) | Tiegel aus pyrolytischem Bornitrid zur Verwendung in der Molekularstrahlepitaxie | |
DE3908322A1 (de) | Zirkoniumdioxid-sinterkoerper, der zur bildung eines duennfilms geeignet ist, und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2016101B2 (de) | Verfahren zum ziehen eines halbleiterstabes | |
DE2254615A1 (de) | Erzeugung eutektischer koerper durch einachsig fortschreitende erstarrung | |
DE60024515T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Sintern einer porösen Glas-Vorform | |
DE3321201C2 (de) | Tiegel zum Kristallziehen | |
DE4427686A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls | |
DE2508651A1 (de) | Verfahren zur herstellung von koerpern aus einem schmelzbaren kristallinen material, insbesondere halbleitermaterial, bei dem ein ununterbrochenes band aus diesem kristallinen material hergestellt wird, und durch dieses verfahren hergestellter koerper |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |