WO2009122936A1 - 石英ガラスルツボとその製造方法 - Google Patents

石英ガラスルツボとその製造方法 Download PDF

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忠広 佐藤
賢 佐藤
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Definitions

  • the present invention solves the above-mentioned conventional problems, and even with a large crucible, an inner surface layer can be formed uniformly, and therefore a method for producing a quartz glass crucible with a lower bubble content in the inner surface layer. And the quartz glass crucible.
  • the above synthetic quartz powder is used in which the average particle size of the synthetic quartz powder forming the surface side portion of the inner surface layer is 10 ⁇ m or less smaller than the average particle size of the synthetic quartz powder forming the inner portion of the crucible inner surface layer.
  • the quartz glass crucible of Comparative Example 1 had a low bubble content of 0.05% or less in diameter of 0.05%, but the number of bubbles larger than 0.5 mm in diameter was as large as 30.
  • the quartz glass crucible of Comparative Example 2 had as few as four bubbles larger than 0.5 mm in diameter, but had a high bubble content of 0.2% in diameter less than 0.5 mm.

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Abstract

【課題】シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボであって、内面層の均質性に優れ、内面層の気泡含有率が低い石英ガラスルツボとその製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボの製造方法において、合成石英粉によって内面層30を形成する際に、該内面層30の内側部分31を形成する第1の合成石英粉よりも小さい平均粒度を有する第2の合成石英粉によって該内面層30の表面側部分32を形成する。内面層30の内側部分31を形成する第1の合成石英粉の平均粒径に対して、該内面層30の表面側部分32を形成する第2の合成石英粉の平均粒径は10μm以上小さい。

Description

石英ガラスルツボとその製造方法
 本発明は、シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボに関し、特に口径32インチ以上の大型ルツボに好適であり、内面層の均質性に優れ、内面層の気泡含有率が低い石英ガラスルツボとその製造方法に関する。
 半導体デバイスの基板や太陽電池等に使用されるシリコン単結晶は、主にCZ法により製造される。この製造方法は、石英ガラスルツボに高純度多結晶シリコンをチャージして不活性ガス雰囲気下で溶解し、これに種結晶を浸して徐々に引上げ、シリコン融液から単結晶シリコンを引上げる方法である。
 従来、上記石英ガラスルツボは回転モールド法などによって製造されている(特許文献1,2)。この製造方法は、カーボン製の中空型(モールド)を回転させてシリカ粉末をモールドの内表面に一定厚さ堆積させ、これを加熱溶融してガラス化することによってルツボを製造する方法である。
 上記製造方法において、ルツボ内表面(内面層)はシリコン融液に接触するので、高純度の合成石英粉によって形成されている。さらに、この内面層に含まれる気泡が多いと、シリコン単結晶の引上げ時に高温下で上記気泡が膨張して剥離し、これがシリコン融液に混入して単結晶化率を低下させる原因になる。そこで、ルツボの製造工程において、モールド内表面に堆積した石英粉層を加熱して該石英粉層の表面が薄いガラス膜でシールされる際に、モールド側から石英粉層内部を吸引(真空引き)し、石英粉層内部の空気を除去して内面層の気泡を低減する方法が実施されている。
 上記製造方法によれば、石英粉層の表面を均一に溶融して良好なシールを形成することによって、真空引きの時間に応じて気泡を低減することができる。ところが、ルツボの大口径化に伴い、石英粉層の表面を均一に溶融することが難しくなり、良好なシールが形成されない場合が多くなってきた。このため、大口径ルツボでは、内面層に目視できる気泡が含まれる場合が増えている。
特開平02-055285号公報 特開平10-017391号公報
 本発明は、従来の上記問題を解決したものであり、大型ルツボであっても、内面層を均質に形成することができ、従って、内面層の気泡含有率が低い石英ガラスルツボを製造する方法と、その石英ガラスルツボを提供する。
 本発明によれば、以下に示す構成によって上記課題を解決した石英ガラスルツボの製造方法と、その石英ガラスルツボが提供される。
〔1〕シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボの製造方法において、合成石英粉によって内面層を形成する際に、該内表面層の内側部分を形成する合成石英粉よりも小さい平均粒度の合成石英粉によって該内面層の表面側部分を形成することを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。
〔2〕ルツボ内面層の内側部分を形成する合成石英粉の平均粒径に対して、該内面層の表面側部分を形成する合成石英粉の平均粒径が10μm以上小さい合成石英粉を用いる上記[1]に記載する石英ガラスルツボの製造方法。
〔3〕ルツボ内面層の表面側部分を形成する合成石英粉として、粒径200μm以下のものを90%以上含む合成石英粉を用いる上記[1]または上記[2]に記載する石英ガラスルツボの製造方法。
〔4〕ルツボ内面層の内側部分を形成する合成石英粉の平均粒径が160μm以上であり、該内面層の表面側部分を形成する合成石英粉の平均粒径が150μm以下である上記[1]~上記[3]の何れかに記載する石英ガラスルツボの製造方法。
〔5〕上記[1]~上記[4]の何れかの方法によって製造された石英ガラスルツボであって、内表面から1mm以内の内面層において、直径0.5mmより大きい気泡が10個以下であり、直径0.5mm以下の気泡の含有率が0.1vol%以下であることを特徴とするシリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボ。
〔6〕 天然石英粉によって形成された石英ガラスからなる外層と、合成石英粉によって形成された石英ガラスからなる内面層とを備え、前記内面層は、第1の合成石英粉によって形成された該内面層の内側部分と、前記第1の合成石英粉よりも小さい平均粒度を有する第2の合成石英粉によって形成された該内面層の表面側部分を含み、内表面から1mm以内の前記内面層において、直径0.5mmより大きい気泡が10個以下であり直径0.5mm以下の気泡の含有率が0.1vol%以下であることを特徴とするシリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボ。
 本発明の製造方法によれば、ルツボ内面層の表面側部分が平均粒径の小さい石英粉によって形成されているので、加熱溶融時に該表面側部分が均一に溶けやすく、石英粉層の表面に均一な薄いガラス膜ができ、良好なシール状態が形成されるため、真空ポンプによって石英粉表面に存在したガスを効率的に排出することが出来る。一方、平均粒径の小さい石英粉を用いると小さな気泡が多数形成されるが、小さな気泡を含む石英層表面の薄いガラス層は、合成石英粉と天然石英粉とが溶融して一体になるまでガラス化すると蒸発するので、内面層は気泡を殆ど含まない透明ガラス層になる。従って、大型ルツボでもルツボ内面層の気泡が大幅に少ない石英ガラスルツボを得ることができる。
モールド内表面の石英粉の積層状態を示す部分断面模式図 参考例2において、気泡含有率を示すグラフ
符号の説明
10-モールド、11-モールド内表面、20-外層部分(天然石英)、30-内面層、31-内面層の内側部分、32-内面層の表面側部分
 以下、本発明を実施形態に基づいて具体的に説明する。
 本発明による石英ガラスルツボの製造方法は、シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボの製造方法において、合成石英粉によって内面層を形成する際に、該内表面層の内側部分を形成する合成石英粉よりも小さい平均粒度の合成石英粉によって該内面層の表面側部分を形成することを特徴とするものである。
 回転モールド法によって石英ガラスルツボを製造する場合、椀状の回転自在なモールドを用い、上開きの回転するモールドの内表面に、例えば、天然石英粉を一定厚さに堆積させて外側層部分を形成し、さらにその上に合成石英粉を堆積させて内面層部分を形成し、この状態を保って、モールドの中心軸上に設けた電極によってアーク放電を行い、その高温加熱によって上記石英粉を溶融してガラス化する。
 この加熱溶融の際に、モールドに設けた多数の通気孔を通じて真空引きを行い、石英粉層の内部を減圧して空気を外部に吸引して排除し、気泡の少ないガラス層を形成する。上記ガラス化の後に放冷し、冷却後、モールドから椀状の石英ガラスルツボを取り出す。
 本発明の方法は上記製造方法において、図1に示すように、モールド10の内表面11に天然石英粉を堆積して外層20を形成した後に、該天然石英粉による外層20の上に合成石英粉を用いて内面層30を形成するときに、天然石英粉による外層20の上に平均粒径の大きい合成石英粉(第1の合成石英粉)を用いて内面層30の内側部分31を形成する。次に、該内側部分31の上に平均粒径の小さい合成石英粉(第2の合成石英粉)を用いて内面層30の表面側部分32を形成する。
 内面層30の表面側部分32を形成する第2の合成石英粉の平均粒径は、内面層30の内側部分31を形成する合成石英粉の平均粒径に対して、10μm以上小さいほうが良い。具体的には、例えば、ルツボの内面層30の内側部分31を形成する合成石英粉として平均粒径160μm以上の合成石英粉を用い、該内面層30の表面側部分32を形成する合成石英粉として平均粒径150μm以下の合成石英粉を用いる。
 また、ルツボ内面層30の内側部分31を形成する第1の合成石英粉として粒径200μm以上を20%以上含む合成石英粉を用い、一方、内面層30の表面側部分32を形成する第2の合成石英粉として、粒径200μm以下のものを90%以上含む合成石英粉を用いる。
 ちなみに、例えば、口径32インチの大型ルツボにおいて、内表面層に配置する平均粒径の小さい第2の合成石英粉の厚さは0.3~1.0mmが好ましい。
 モールド内表面に堆積した天然石英粉による外層20および合成石英粉による内面層30を加熱溶融してガラス化する際に、ルツボの内面層30の表面側部分32が平均粒径の小さい第2の合成石英粉によって形成されているので、加熱溶融時に該表面側部分32が均一に溶けやすく、合成石英粉による内面層30の表面に均一な薄いガラス膜ができ、良好なシール状態が形成される。
 平均粒径の小さい石英粉を用いると小さな気泡が多数形成されるが、小さな気泡を含む石英層表面の薄いガラス層は、合成石英粉と天然石英粉とが溶融して一体になるまでガラス化すると蒸発するので、内面層30は気泡を殆ど含まない透明ガラス層になる。
 また、合成石英粉による内面層30の表面側部分32である薄いガラス膜によって良好なシール状態が形成されるので、合成石英粉による内面層30の内部気泡は真空引きによって外部に吸引され、内面層30の気泡が大幅に少ない石英ガラスルツボを得ることができる。
 一方、平均粒径の大きい合成石英粉、例えば、平均粒径200μmの合成石英粉を用いて内面層30全体を形成すると、加熱溶融時に、合成石英粉による内面層30が不均一に溶融するので、該石英粉層の表面が凸凹になり、大きな気泡の原因になる。
 本発明の製造方法によれば、合成石英粉によって形成した内表面から1mm以内の内面層30において、直径0.5mmより大きい気泡が10個以下であり、直径0.5mm以下の気泡の含有率が0.1vol%以下である石英ガラスルツボを得ることができる。
 以下に本発明の実施例を示す。
〔参考例1〕
 平均粒径175μmの合成石英粉Aと平均粒径200μmの合成石英粉Bをおのおのルツボ内面層に使用して、口径32インチの石英ガラスルツボを上記回転モールド法により製造し、厚さ6mmの内面層に含まれる気泡を調べたところ、直径1mm以上の気泡の個数は、合成石英粉Aでは3.5個、合成石英粉Bでは6個であった。この結果に示すように、石英粉の平均粒径が大きいと、直径1mm以上の気泡数が多くなる傾向がある。
〔参考例2〕
 平均粒径128μmの合成石英粉Cと平均粒径200μmの合成石英粉Bをおのおのルツボ内面層に使用して、口径24インチの石英ガラスルツボを上記回転モールド法により製造し、厚さ6mmの内面層に含まれる直径0.5mm以下の気泡含有率を調べた。この結果を図2に示した。図2において、X軸はルツボのボトム中心からリム上端までの壁面に沿った距離(mm)であり、0~250mmの範囲はボトム部(底部)、250~350mmの範囲はコーナ部(湾曲部)、350~600mmの範囲は直胴部をそれぞれ示している。図2から明らかなように、ルツボコーナ部(湾曲部)において、合成石英粉Cの気泡含有率は合成石英粉Bの2倍程度であり、直径0.5mm以下の小さい気泡については、平均粒径の小さい合成石英粉Cの気泡含有率のほうが高い。すなわち、平均粒径が小さな石英粉をルツボの内面層の表面近傍のみならず内面層全体に使用すると、直径0.5mm以下の比較的小さな気泡の気泡含有率がルツボのコーナ部において非常に高くなる傾向がある。
〔実施例1〕
 口径32インチの石英ガラスルツボについて、ルツボ内面層の表面側部分(層厚0.5mm)を平均粒径128μmの合成石英粉によって形成し、内面層の内側部分(層厚5.5mm)を平均粒径175μmの合成石英粉によって形成した。内面層の外側は天然石英粉を用いて形成した。製造した石英ガラスルツボについて、内表面から1mmまでの層厚範囲に含まれる直径0.5mm以下の気泡の含有率を測定し、直径0.5mmより大きい気泡の個数を測定した。この結果を表1に示した。
〔比較例1〕
 口径32インチの石英ガラスルツボについて、ルツボ内面層の全体を平均粒径175μmの合成石英粉(層厚6.0mm)によって形成した。内面層の外側は天然石英粉を用いて形成した。製造した石英ガラスルツボについて、実施例1と同様の気泡含有率および気泡の個数を測定した。この結果を表1に示した。
〔比較例2〕
 口径32インチの石英ガラスルツボについて、ルツボ内面層の全体を平均粒径128μmの合成石英粉(層厚6.0mm)によって形成した。内面層の外側は天然石英粉を用いて形成した。製造した石英ガラスルツボについて、実施例1と同様の気泡含有率および気泡の個数を測定した。この結果を表1に示した。
 実施例1によれば、合成石英粉によって形成した内表面から1mm以内の範囲において、直径0.5mmより大きい気泡が10個以下であり(実施例1では4個)、直径0.5mm以下の気泡含有率が0.1vol%以下(実施例1では0.06vol%)の石英ガラスルツボを得ることができた。
 一方、比較例1の石英ガラスルツボは、直径0.5mm以下の気泡含有率は0.05%と低いが、直径0.5mmより大きい気泡の個数が30個と多くなることが分かった。また、比較例2の石英ガラスルツボは、直径0.5mmより大きい気泡の個数は4個と少ないが、直径0.5mm以下の気泡含有率は0.2%と高いことが分かった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Claims (6)

  1.  シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボの製造方法において、合成石英粉によって内面層を形成する際に、該内面層の内側部分を形成する第1の合成石英粉よりも小さい平均粒度を有する第2の合成石英粉によって該内面層の表面側部分を形成することを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。
  2.  前記第1の合成石英粉の平均粒径に対して、前記第2の合成石英粉の平均粒径が10μm以上小さい請求項1に記載する石英ガラスルツボの製造方法。
  3.  前記第2の合成石英粉は、粒径200μm以下のものを90%以上含む請求項1に記載する石英ガラスルツボの製造方法。
  4.  前記第1の合成石英粉の平均粒径が160μm以上であり、前記第2の合成石英粉の平均粒径が150μm以下である請求項1に記載する石英ガラスルツボの製造方法。
  5.  請求項1の方法によって製造された石英ガラスルツボであって、内表面から1mm以内の内面層において、直径0.5mmより大きい気泡が10個以下であり、直径0.5mm以下の気泡の含有率が0.1vol%以下であることを特徴とするシリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボ。
  6.  天然石英粉によって形成された石英ガラスからなる外層と、合成石英粉によって形成された石英ガラスからなる内面層とを備え、前記内面層は、第1の合成石英粉によって形成された該内面層の内側部分と、前記第1の合成石英粉よりも小さい平均粒度を有する第2の合成石英粉によって形成された該内面層の表面側部分を含み、内表面から1mm以内の前記内面層において、直径0.5mmより大きい気泡が10個以下であり、直径0.5mm以下の気泡の含有率が0.1vol%以下であることを特徴とするシリコン単結晶の引き上げに用いる石英ガラスルツボ。
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US12/934,837 US20110023773A1 (en) 2008-03-31 2009-03-23 Vitreous silica crucible and method of manufacturing the same
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010143818A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Heraeus Shin-Etsu America Inc 純粋且つ無気泡のるつぼ内層を有するシリカるつぼ及びその製造方法
US20120137733A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Japan Super Quartz Corporation Method and apparatus for manufacturing vitreous silica crucible
WO2019009018A1 (ja) * 2017-07-04 2019-01-10 株式会社Sumco 石英ガラスルツボ

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8713966B2 (en) * 2011-11-30 2014-05-06 Corning Incorporated Refractory vessels and methods for forming same
CN105378157B (zh) * 2013-06-29 2018-02-06 胜高股份有限公司 氧化硅玻璃坩埚的基座装填方法
CN113510824B (zh) * 2020-04-09 2022-07-05 隆基绿能科技股份有限公司 一种复合石英坩埚的制备方法及复合石英坩埚
CN114481299A (zh) * 2022-02-17 2022-05-13 内蒙古鑫晶新材料有限公司 一种石英坩埚及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01148783A (ja) * 1987-12-03 1989-06-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引き上げ用石英ルツボ
JPH0255285A (ja) 1988-08-19 1990-02-23 Nippon Kojundo Sekiei Kk 石英ルツボの製造方法
JPH07172978A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラスルツボの製造方法
JPH1017391A (ja) 1997-03-21 1998-01-20 Mitsubishi Material Quartz Kk 石英ルツボ製造装置
JPH1149597A (ja) * 1997-08-01 1999-02-23 Sumitomo Metal Ind Ltd シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2928089C3 (de) * 1979-07-12 1982-03-04 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung
US4632686A (en) * 1986-02-24 1986-12-30 Gte Products Corporation Method of manufacturing quartz glass crucibles with low bubble content
JP3764776B2 (ja) * 1996-03-18 2006-04-12 信越石英株式会社 単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法
JP4398527B2 (ja) * 1998-05-25 2010-01-13 信越石英株式会社 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ
DE19962449C2 (de) * 1999-12-22 2003-09-25 Heraeus Quarzglas Quarzglastiegel und Verfahren für seine Herstellung
JP4447738B2 (ja) * 2000-05-31 2010-04-07 信越石英株式会社 多層構造の石英ガラスルツボの製造方法
JP4789437B2 (ja) * 2004-07-16 2011-10-12 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼおよびその製造方法
KR100847500B1 (ko) * 2006-03-30 2008-07-22 코바렌트 마테리얼 가부시키가이샤 실리카 유리 도가니

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01148783A (ja) * 1987-12-03 1989-06-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引き上げ用石英ルツボ
JPH0255285A (ja) 1988-08-19 1990-02-23 Nippon Kojundo Sekiei Kk 石英ルツボの製造方法
JPH07172978A (ja) * 1993-12-17 1995-07-11 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラスルツボの製造方法
JPH1017391A (ja) 1997-03-21 1998-01-20 Mitsubishi Material Quartz Kk 石英ルツボ製造装置
JPH1149597A (ja) * 1997-08-01 1999-02-23 Sumitomo Metal Ind Ltd シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2264226A4 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010143818A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Heraeus Shin-Etsu America Inc 純粋且つ無気泡のるつぼ内層を有するシリカるつぼ及びその製造方法
JP2013212992A (ja) * 2008-12-19 2013-10-17 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 純粋且つ無気泡のるつぼ内層を有するシリカるつぼの製造方法
JP2013234119A (ja) * 2008-12-19 2013-11-21 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 純粋且つ無気泡のるつぼ内層を有するシリカるつぼの製造方法
JP2013237611A (ja) * 2008-12-19 2013-11-28 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 純粋且つ無気泡のるつぼ内層を有するシリカるつぼ及びその製造方法
US20120137733A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Japan Super Quartz Corporation Method and apparatus for manufacturing vitreous silica crucible
US8769988B2 (en) * 2010-12-02 2014-07-08 Japan Super Quartz Corporation Method and apparatus for manufacturing vitreous silica crucible
WO2019009018A1 (ja) * 2017-07-04 2019-01-10 株式会社Sumco 石英ガラスルツボ
KR20200015613A (ko) 2017-07-04 2020-02-12 가부시키가이샤 사무코 석영 유리 도가니
JPWO2019009018A1 (ja) * 2017-07-04 2020-06-18 株式会社Sumco 石英ガラスルツボ

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