JP2830987B2 - 石英ガラスルツボ及びその製造方法 - Google Patents

石英ガラスルツボ及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全層厚が高純度の石英
ガラスルツボ、特に内表面層が高純度であるとともに微
小泡集合体が存在しない石英ガラスルツボ、その製造方
法およびそれを実施する製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、単結晶半導体材料の基板として用
いられるシリコン単結晶はシリコン多結晶を石英ガラス
ルツボ中に溶融し、それを種結晶に結晶成長させて製造
するといういわゆるチョクラルスキー法によって製造さ
れてきた。前記製造方法に用いられる石英ガラスルツボ
は製造方法によって幾通りかの種類があるが、実用的に
は回転可能な中空の型の内周面に沿って二酸化ケイ素粉
末を充填し、該型を回転させながら二酸化ケイ素粉末を
加熱溶融する石英ガラスルツボの製造方法で得られた半
透明石英ガラスルツボが用いられてきた。前記半透明石
英ガラスルツボは多数の気泡が分散し熱の分布を均一に
するとともに他のルツボに比べて強度が高く任意の大き
さのルツボを製造できる利点を有している。
【０００３】上記半透明石英ガラスルツボを用いてシリ
コン単結晶を成長させても、その過程において結晶化が
不安定となり結晶化率（多結晶が単結晶となる割合）が
低下するという問題点があった。その原因の１つとして
原料である二酸化ケイ素の昇華成分が凝縮、落下して形
成した微小泡集合体が熱膨張を起し内周面を部分的に剥
離し、剥離した石英小片が溶融シリコンに混入すること
等が挙げられる。前記問題点を解決するためルツボの内
表面を加熱溶融し透明層を形成したり、あるいは溶融し
た二酸化ケイ素粉末を飛散させて形成した厚い透明層を
有する石英ガラスルツボの製造方法が提案された。しか
しながら、前記製造方法の何れも微小泡集合体を充分除
去することができず、シリコン単結晶を結晶化率良く引
き上げることのできる石英ガラスルツボではなかった。
また、前記加熱溶融工程では、二酸化ケイ素およびそれ
に含まれる微量不純物の選択的蒸発・凝縮や、電極グラ
ファイトの消耗に伴う含有灰分の飛散等によって、得ら
れるルツボの内表面に汚染が起こり、高純度原料を使用
してもそれに見合った内表面を作成することができなか
った。このために、高純度原料を使用しても、結晶欠陥
抑制に充分な効果が得られなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、上記問題点が型内
の二酸化ケイ素昇華成分および濃縮された不純物を含む
高温ガス雰囲気の換気により解決することを見出し、本
発明を完成したものである。すなわち
【０００５】本発明は、内表面層中に微小泡集合体の存
在がなく、しかも高純度である石英ガラスルツボを提供
することを目的とする。
【０００６】また、本発明は、上記石英ガラスルツボを
製造するための工業的に有利な製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】さらに、本発明は、上記石英ガラスルツボ
の製造方法を実施するための装置を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、回転する二酸化ケイ素粉末充填層を加熱溶融して
得た石英ガラスルツボにおいて、含有される不純物濃度
が原料の不純物濃度に見合った濃度を維持し、銅元素、
クロム元素およびニッケル元素の各濃度が０．５ｐｐｂ
以下、鉄元素濃度が１２０ｐｐｂ以下、ナトリウム元素
濃度が２０ｐｐｂ以下であるとともに内表面層中に直径
２ｍｍを超える微小泡集合体の数が１個以下であること
を特徴とする石英ガラスルツボ、およびその製造方法並
びに製造装置に係る。
【０００９】本発明の石英ガラスルツボは、半透明の石
英ガラスルツボであって、それに含有される不純物濃度
が原料の不純物濃度に見合った濃度を維持し、不純物の
銅元素、クロム元素およびニッケル元素の各濃度が０．
５ｐｐｂ以下、鉄元素濃度が１２０ｐｐｂ以下、ナトリ
ウム元素濃度が２０ｐｐｂ以下でシリコン単結晶の成長
を安定に行うことができる石英ガラスルツボである。特
にルツボ内表面から１ｍｍ以内の深さに透明層を有し、
その透明層に２ｍｍ以上の微小泡集合体が１個以下で、
かつ高純度である石英ガラスルツボは内表面が平滑で高
品質のシリコン単結晶を結晶化率よく製造することがで
きる。
【００１０】本発明の石英ガラスルツボは、高純度化さ
れた結晶質二酸化ケイ素粉またはゾルゲル法等で合成さ
れた高純度の非晶質二酸化ケイ素粉等の二酸化ケイ素粉
末を用い、それを回転する上部開口型内に供給し、型の
内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層を形成したの
ち、内部からそれを加熱溶融すると同時に、型内の高温
ガス雰囲気を換気することにより製造される。特に透明
層を有する石英ガラスルツボは、（ｉ）上部開口型に通
気孔を設けてガス通気性にし、この通気孔を介して外周
から二酸化ケイ素粉末充填層中の気体を減圧吸引しつつ
加熱溶融すると同時に、型内の高温ガス雰囲気を換気す
る石英ガラスルツボの製造方法、および（ｉｉ）特開平
２−１８８４８９号公報等に記載するように回転する上
部開口型内に二酸化ケイ素粉末充填層を形成し、それを
型の内部から加熱溶融し生地層とすると同時に、さらに
二酸化ケイ素粉末を少量づつ供給し溶融・飛散させつ
つ、型内の高温ガス雰囲気を換気する石英ガラスルツボ
の製造方法で製造される。前記製造方法における型内の
換気に使用する気流としては、粉塵量が０．０１ｍｇ／
ｍ３以下のものを用いる。粉塵量が前記範囲を超える
と、混入した不純物パーテクルによりルツボ内表面に微
小泡が形成されたり、あるいは汚染が発生したりする。
【００１１】上記石英ガラスルツボの製造時に採られる
換気は上部開口型を覆う蓋体に形成した穴を介して行な
われるが、穴の数は、排気と給気とが行える２個以上、
型内の高温ガス雰囲気が破壊されない数以下で選ばれ
る。穴はそれぞれ独立して設け、その形状は円形状、楕
円形状、または四角形状とし、スリット状は換気作用が
弱く好ましくない。前記穴の少なくとも１つを通って、
型内の二酸化ケイ素昇華成分および昇華・凝縮の繰返で
濃縮された不純物を含む高温ガス雰囲気が排出される一
方、それに見合う気流が他の穴から給気される。換気は
自然換気でもあるいは強制的換気でもよいが、好ましく
は強制的換気がよい。前記強制的換気には換気用ダクト
が用いられ、それを排気穴の上部に設けるか、あるいは
排気穴および給気穴の上部に夫々設けて強制的に換気す
る。給気のために設けた給気用ダクトの先端にさらに除
塵用フィルターを接続すると、外気中の不純物パーテク
ルの混入を防ぐことができ、例えルツボ製造室の雰囲気
の粉塵量が０．０１ｍｇ／ｍ３を超えていても型内の雰
囲気中の粉塵量を０．０１ｍｇ／ｍ３以下に維持するこ
とができる。
【００１２】本発明の製造方法を実施する装置を次に説
明する。本発明の石英ガラスルツボの製造装置は、図１
に示すように、上部開口型１、型の開口部を覆う２個以
上の独立した穴６、７を有する蓋体５、穴の１つから挿
入された加熱手段４、二酸化ケイ素粉末供給手段（図示
せず）および上部開口型１を回転する回転駆動機構２と
からなる。前記製造装置において、特に型１に図２に示
すように通気孔１４を設けガス通気性とするとともに、
外周に真空装置１３を設置し、二酸化ケイ素粉末充填層
の加熱溶融時に該層中の気体を減圧吸引し内表面に透明
層を形成する装置、あるいは図３に示すように第１の穴
６に加熱手段４および二酸化ケイ素粉末供給手段９を隙
間を設けて挿入し、二酸化ケイ素粉末供給手段９で二酸
化ケイ素粉末充填層を形成したのち、該二酸化ケイ素粉
末充填層を加熱溶融すると同時に、追加的二酸化ケイ素
粉末を供給し、それを溶融・飛散させ透明層８を形成す
る装置とすると、ルツボの内表面から１ｍｍ以内の深さ
に高純度で、かつ微小泡集合体のない透明層を有し内表
面が平滑な石英ガラスルツボが製造できる。前記各製造
装置に図３に示す排気用ダクト１０を排気穴の上部に設
けると換気が強制的に行われ、ルツボ内表面層の純度の
向上や微小泡集合体の減少に役立つ。
【００１３】上記各製造装置にさらに図４に示すように
排気用ダクト１０と給気用ダクト１１とを併設すると、
型内の高温ガス雰囲気の換気が強力に推進され石英ガラ
スルツボ内表面の微小泡集合体の形成や汚染が一段と少
なくなる。前記給気用ダクト１１の先に除塵用フィルタ
ー１２を接続すると、不純物パーテクルの混入を防ぐこ
とができる。
【００１４】
【実施例】以下に実施例に基づいて具体的に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１５】実施例１ 図１に示す装置を用い、回転する型１内に粒径１５０〜
３００μｍの二酸化ケイ素粉末を１２ｋｇを供給し、型
の内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層を形成し、型
を回転させながら前記二酸化ケイ素粉末充填層を内面か
ら加熱溶融するとともに、第２の穴７で型内の高温ガス
雰囲気を排気する一方、第１の穴６から気流を給気し換
気しつつ直径４６０ｍｍの半透明石英ガラスルツボを１
０個作成した。得られた石英ガラスルツボを目視検査
し、直径２ｍｍを超える微小泡集合体の個数を計測し
た。その結果を表１に示す。
【００１６】また、上記に作成した石英ガラスルツボを
用いてホウ素をドープした６インチ（１５２．４ｍｍ）
のシリコン単結晶の引上げを行った。そのときの転位の
有無を引上げ回数毎に観察した。その結果を表２に示
す。
【００１７】比較例１ 実施例１の原料と同じ二酸化ケイ素粉末を用いて蓋体に
穴のない図５に示す装置を用いて実施例１と同様な操作
で石英ガラスルツボを１０個を作成した。得られた石英
ガラスルツボについて実施例１と同様の各検査を行なっ
た。その結果を表１、２に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】上記表１、２から明らかなように、本発明
の石英ガラスルツボには微小泡集合体がほとんど含まれ
ておらず、該石英ガラスルツボを用いてシリコン単結晶
を５回引上げてもトラブルの発生が少なく、単結晶化率
が良かった。
【００２１】実施例２ 図３に示す装置を用い、回転する型１内に粒径１５０〜
３００μｍの二酸化ケイ素粉末１２ｋｇを供給して二酸
化ケイ素粉末充填層を形成し、それを加熱用炭素電極で
内面から加熱して生地層とするとともに、前記と同じ粒
径を有する二酸化ケイ素粉末１．２ｋｇを１２０ｇ／分
の供給割合で供給し、溶融・飛散させて厚さ０．８ｍｍ
の透明層を有する直径４６０ｍｍの半透明石英ガラスル
ツボを１０個作成した。前記二酸化ケイ素粉末を１．２
ｋｇ供給する間、蓋体５の第２の穴７から、排気用ダク
トを介して１４ｍ３／分の排気を行った。そのときの製
造室の雰囲気の粉塵量は、０．００５ｍｇ／ｍ３であっ
た。粉塵量の測定は、ロウ・ボリューム・エア・サンプ
ラーに、目開き径が０．８μｍのフィルタを取り付けて
行った。
【００２２】得られた透明層を有する石英ガラスルツボ
を目視検査し、直径２ｍｍを超える微小泡集合体の個数
を計測した。その結果を表３に示す。
【００２３】また、上記各１０個の石英ガラスルツボか
ら無作為に５個を選んで、その透明層と生地層からそれ
ぞれサンプルを切り出し、該サンプル中の不純物量を高
周波誘導結合プラズマ質量分析法と原子吸光法を併用し
て測定した。その結果を表４に示す。
【００２４】一方、比較のために実施例２の装置の蓋体
を穴のない蓋体として、直径４６０ｍｍの透明層を有す
る石英ガラスルツボ１０個を作成した。得られた石英ガ
ラスルツボについて上記と同様な試験を行い、それを表
３、４に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】
【表４】
【００２７】上記表３、４から明らかなように本発明の
石英ガラスルツボはその透明層および生地層に原料の不
純物量に見合った不純物量が含有されるにとどまり、し
かも微小泡集合体も１個を発見できるにすぎなかった。
他方、比較例の石英ガラスルツボの透明層には不純物が
多く濃縮され、かつ微小泡集合体も多数みられた。
【００２８】実施例３ 実施例２で作成した残りの５個を用いてリンをドープし
た６インチ（１５２．４ｍｍ）のシリコン単結晶を引き
上げを行った。その際の転位の有無を引上げ回数毎に観
察した。その結果を表５に示す。また、上記表５の３回
目の引上げによって得られたシリコン単結晶の中央部の
単位面積当りの酸化誘起積層欠陥数を調べその平均値を
求めた。その結果を表６に示す。
【００２９】一方、実施例２で比較のために作成した石
英ガラスルツボの残りの５個について上記と同様な試験
を行った。その結果を表５、６に示す。
【００３０】
【表５】
【００３１】
【表６】
【００３２】上記表５、６から明らかなように本発明の
石英ガラスルツボを用いると、シリコン単結晶を複数回
安定に、結晶化率よく引き上げることができ、しかも得
られたシリコン単結晶は高品質のものであった。
【００３３】
【発明の効果】本発明の石英ガラスルツボは、内表面層
に微小泡集合体の形成がなく、しかも不純物濃度、特に
アルカリ金属元素、カルシウム、鉄等の遷移金属濃度が
原料の不純濃度に見合った濃度を維持しにた石英ガラス
ルツボであり、それを用いたシリコン単結晶の引上げは
安定に行なわれ、しかも結晶化率がよい上に生産性が高
く高品質の単結晶が得られる。前記石英ガラスルツボ
は、回転する型内に二酸化ケイ素粉末を供給し、二酸化
ケイ素粉末充填層を形成し、それを加熱溶融すると同時
に、二酸化ケイ素粉末の昇華成分や不純物を含む高温ガ
ス雰囲気を型を覆う蓋体の穴を通して型外に排出すると
いう簡便な方法で製造できる。さらに前記製造方法を実
施するための装置は、従来の石英ガラスルツボ製造装置
の型の上部開口部を覆う蓋体に２個以上の独立した穴を
設ければよく、装置としても工業的に有利なものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す石英ガラスルツボの製造
装置の縦断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例を示す石英ガラスルツ
ボの製造装置の縦断面図である。
【図３】本発明の好ましい他の実施例を示す石英ガラス
ルツボの製造装置の縦断面図である。
【図４】図１の石英ガラスルツボ製造装置に排気用ダク
トと給気用ダクトを設けた縦断面図である。
【図５】図１の装置において蓋体に２個以上の穴のない
石英ガラスルツボの製造装置の縦断面図である。
【符号の説明】
１ 上部開口型 ２ 回転駆動機構 ３ 二酸化ケイ素粉体充填層 ４ 加熱手段 ５ 蓋体 ６ 第１の穴 ７ 第２の穴 ８ 透明層 ９ 二酸化ケイ素供給手段 １０ 排気用ダクト １１ 給気用ダクト １２ 除塵用フィルター １３ 真空装置 １４ 通気孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 博行 福井県武生市北府２丁目13番60号 信越 石英株式会社 武生工場内 (56)参考文献 特開 平１−148718（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−149333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−55190（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−160836（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C03B 20/00 C30B 15/10

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】回転する二酸化ケイ素粉末充填層を加熱溶
    融して得た石英ガラスルツボにおいて、含有される不純
    物濃度が原料の不純物濃度に見合った濃度を維持し、銅
    元素、クロム元素およびニッケル元素の各濃度が０．５
    ｐｐｂ以下、鉄元素濃度が１２０ｐｐｂ以下、ナトリウ
    ム元素濃度が２０ｐｐｂ以下であるとともに内表面層中
    に直径２ｍｍを超える微小泡集合体の数が１個以下であ
    ることを特徴とする石英ガラスルツボ。
  2. 【請求項２】ルツボの内表面から１ｍｍ以内の深さを占
    める内表面層に含有される不純物の銅元素、クロム元素
    およびニッケル元素の各濃度が０．５ｐｐｂ以下、鉄元
    素濃度が１２０ｐｐｂ以下、ナトリウム元素濃度が２０
    ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１記載の石英
    ガラスルツボ。
  3. 【請求項３】内表面層が透明層であることを特徴とする
    請求項２記載の石英ガラスルツボ。
  4. 【請求項４】回転可能な上部開口型に二酸化ケイ素粉末
    を供給し、型の内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層
    を形成したのち、内部から加熱溶融する石英ガラスルツ
    ボの製造方法において、前記型の開口部を２個以上の独
    立した穴を有する蓋体で覆うとともに型内の高温ガス雰
    囲気を前記穴を介して換気しながら加熱溶融することを
    特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。
  5. 【請求項５】回転可能なガス通気性の上部開口型に二酸
    化ケイ素粉末を供給し、型の内周面に沿って二酸化ケイ
    素粉末充填層を形成したのち、外周から減圧吸引しなが
    ら前記二酸化ケイ素粉末充填層を内部から加熱溶融して
    内表面に透明層を形成する石英ガラスルツボの製造方法
    において、前記型の開口部を２個以上の独立した穴を有
    する蓋体で覆うとともに型内の高温ガス雰囲気を前記穴
    を介して換気しながら加熱溶融することを特徴とする石
    英ガラスルツボの製造方法。
  6. 【請求項６】回転可能な上部開口型に二酸化ケイ素粉末
    を供給し、型の内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層
    を形成し、それを型の内部から加熱溶融するとともに、
    さらに二酸化ケイ素粉末を少量ずつ供給し、溶融・飛散
    させ、内表面に透明層を形成する石英ガラスルツボの製
    造方法において、前記型の開口部を２個以上の独立した
    穴を有する蓋体で覆うとともに型内の高温ガス雰囲気を
    前記穴を介して換気しながら二酸化ケイ素粉末を溶融・
    飛散させることを特徴とする石英ガラスルツボの製造方
    法。
  7. 【請求項７】換気を強制的に行うことを特徴とする請求
    項４ないし６のいずれか１記載の石英ガラスルツボの製
    造方法。
  8. 【請求項８】換気で流入する気流中の粉塵量が０．０１
    ｍｇ／ｍ３以下であることを特徴とする請求項４ないし
    ７のいずれか１記載の石英ガラスルツボの製造方法。
JP6187905A 1994-07-19 1994-07-19 石英ガラスルツボ及びその製造方法 Expired - Lifetime JP2830987B2 (ja)

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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3979666B2 (ja) * 1995-09-12 2007-09-19 コーニング インコーポレイテッド 溶融シリカガラスの製造に於ける、炉、その使用方法及び炉によって製造された光学製品
US6182237B1 (en) 1998-08-31 2001-01-30 International Business Machines Corporation System and method for detecting phase errors in asics with multiple clock frequencies
EP1094039B1 (en) * 1999-04-06 2015-04-29 Wacom Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing quartz glass crucible
JP2001342026A (ja) * 2000-05-30 2001-12-11 Tosoh Quartz Corp 石英ガラスの製造方法及び製造装置
AUPR054000A0 (en) * 2000-10-04 2000-10-26 Austai Motors Designing Pty Ltd A planetary gear apparatus
US6502422B1 (en) * 2000-10-27 2003-01-07 General Electric Company Method for quartz crucible fabrication
US6546754B1 (en) 2000-10-27 2003-04-15 General Electric Company Apparatus for silica crucible manufacture
US6755049B2 (en) * 2001-03-08 2004-06-29 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Method of producing a quartz glass crucible
US20040118156A1 (en) * 2001-03-08 2004-06-24 Gabriele Korus Method of producing a quartz glass crucible
US6510707B2 (en) * 2001-03-15 2003-01-28 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Methods for making silica crucibles
JP4841764B2 (ja) * 2001-07-23 2011-12-21 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法及び装置
US20050120945A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-09 General Electric Company Quartz crucibles having reduced bubble content and method of making thereof
JPWO2005073439A1 (ja) * 2004-02-02 2007-09-13 信越半導体株式会社 シリコン単結晶及びシリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法
US7837955B2 (en) * 2006-03-08 2010-11-23 Unimin Corporation Continuous reactor system for anoxic purification
TWI408259B (zh) * 2006-09-28 2013-09-11 Shinetsu Quartz Prod 具有鋇摻雜內壁的矽玻璃坩堝
EP2172432A4 (en) * 2007-07-28 2014-04-16 Japan Super Quartz Corp METHOD FOR PRODUCING A QUARTZ GLASS TAIL AND DEVICE FOR PRODUCING THE QUARTZ GLASS TIEGEL
DE102008026890B3 (de) * 2008-06-05 2009-06-04 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Tiegels aus Quarzglas
US8272234B2 (en) * 2008-12-19 2012-09-25 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Silica crucible with pure and bubble free inner crucible layer and method of making the same
US9003832B2 (en) * 2009-11-20 2015-04-14 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Method of making a silica crucible in a controlled atmosphere
TW201202454A (en) * 2010-07-07 2012-01-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Processing apparatus for smoothing film material and evaporation deposition device with same
CN102384646A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 方强 实现内加热的坩埚、炉体及坩埚电阻炉
US20120267280A1 (en) * 2011-04-25 2012-10-25 Glen Bennett Cook Vessel for molten semiconducting materials and methods of making the same
US8281620B1 (en) * 2011-04-27 2012-10-09 Japan Super Quartz Corporation Apparatus for manufacturing vitreous silica crucible
WO2012159267A1 (en) * 2011-05-25 2012-11-29 Saint-Gobain Research (Shanghai) Co., Ltd Silica crucible and method for fabricating the same
US8857214B2 (en) * 2011-11-18 2014-10-14 Sunedison Semiconductor Limited Methods for producing crucibles with a reduced amount of bubbles
US8524319B2 (en) 2011-11-18 2013-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for producing crucibles with a reduced amount of bubbles
KR101659340B1 (ko) * 2015-03-30 2016-09-26 (주) 디에스테크노 고 순도 실린더형 석영 유리의 제조 장치
KR102129454B1 (ko) * 2018-01-18 2020-07-02 이석연 잉곳 도가니의 열처리장치
JP7023130B2 (ja) 2018-02-06 2022-02-21 信越石英株式会社 カーボン電極及び石英ガラスるつぼの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2928089C3 (de) * 1979-07-12 1982-03-04 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung
DE3014311C2 (de) * 1980-04-15 1982-06-16 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegeln und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
JPS59164645A (ja) * 1983-03-11 1984-09-17 Denki Kagaku Kogyo Kk 溶融珪酸の製造方法
GB8427915D0 (en) * 1984-11-05 1984-12-12 Tsl Thermal Syndicate Plc Vitreous silica products
US4632686A (en) * 1986-02-24 1986-12-30 Gte Products Corporation Method of manufacturing quartz glass crucibles with low bubble content
US4963178A (en) * 1986-03-31 1990-10-16 Gte Products Corporation Apparatus for making quartz glass crucibles
US4713104A (en) * 1986-03-31 1987-12-15 Gte Products Corporation Quartz glass crucibles
US4911896A (en) * 1986-07-24 1990-03-27 General Electric Company Fused quartz member for use in semiconductor manufacture
JPH01148718A (ja) * 1987-12-03 1989-06-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 石英るつぼの製造方法
US4935046A (en) * 1987-12-03 1990-06-19 Shin-Etsu Handotai Company, Limited Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor
JP2559604B2 (ja) * 1987-12-15 1996-12-04 東芝セラミックス株式会社 石英ガラスルツボの製造方法
JP2615292B2 (ja) * 1987-12-17 1997-05-28 東芝セラミックス株式会社 石英ガラスルツボの製造方法
JP2933404B2 (ja) * 1990-06-25 1999-08-16 信越石英 株式会社 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法

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