TWI285781B - LCD device - Google Patents

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1285781 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關液晶顯示裝置，特別是關於一種所謂橫 電場方式的液晶顯示裝置。 [先前技術】 所謂橫電場方式的液晶顯示裝置，是在其間介在液晶 而呈對向配置的各透明基板的一方透明基板的液晶側的各 畫素領域中形成畫素電極及對向電極，該對向電極會在與 畫素電極之間產生平行於透明基板的電場（橫電場）。 對於透過畫素電極與對向電極之間的領域的光而言， 可藉由施加上述電場之液晶的驅動來控制該量。 此類的液晶顯示裝置，即使從斜方向來觀察顯示面， 其顯示也不會有所變化，亦即爲具有所謂的廣視野角特性 佳者。 又，上述畫素電極與對向電極是由不會令光透過的導 電層所形成。 但，最近還會在除了畫素領域的周邊以外的領域的全 域中形成由透明電極所構成的對向電極，且在此對向電極 上經由絕緣膜來形成延伸於一方向且由並設於與該一方向 交叉的方向上的透明電極所構成的帶狀畫素電極。 如此構成的液晶顯示裝置，橫電場會產生於畫素電極 與對向電極之間，依然具有良好的廣視野角特性，且數値 口徑會大幅度提升。 (2) 1285781 技術例如有 SID (Society f〇r Information Display )99 DIGEST: P202〜205，或日本特開平n-2〇2356號公 報中所記載者。 【發明內容】 液晶顯示裝置’雖可藉由上述橫電場方式之液晶驅動 方式的採用來提高其視野的特性及數値口徑，但卻會有新 應對策的種種技術問題產生。 例如，試著採用所謂多領域方式的液晶顯示裝置時， 必須由顯示品質的觀點來施以種種的改良。在此，所謂的 多領域方式是設置具有上述構成的液晶顯示裝置的畫素中 液晶分子的扭轉方向會彼此呈相反的領域，而使從左右觀 察顯示領域時產生的色差抵消。 本發明是根據上述情事而硏發者，其目的是在於提升 上述所謂橫電場方式的液晶顯示裝置的顯示動作性能（液 晶分子的驅動性能），以及提高其顯示品質。 本案所揭示之新穎的液晶顯示裝置中具代表性者的槪 要，簡單而言如以下所述。 其中一例的特徵是在其間介在液晶而互相呈對向配置 的透明基板中的一方透明基板的液晶側的畫素領域中形成 有經由絕緣膜而配置的畫素電極與對向電極，在各電極間 使含平行於透明基板的成份的電場產生，並且上述畫素電 極與對向電極中的一方電極是由形成於該畫素電極的周邊 部至少與該畫素電極不重疊的領域之透明電極所構成，而 -6 - (3) 1285781 且上述絕緣膜是形成多層構造（至少形成層疊兩層的絕緣 膜之構造）。 如此構成的液晶顯示裝置，雖經由絕緣膜而配置的畫 素電極與對向電極會在其重疊的部份形成電容元件，但若 該重疊部份過大的話，則電容値會形成所需値以上。 因此’可藉由使畫素電極與對向電極間的絕緣膜形成 多層構造來使該電容元件的電容値降低至所期望的値。 又’其他例的特徵是在其間介在液晶而呈對向配置的 透明基板中的一方透明基板的液晶側的矩形狀畫素領域中 形成有經由絕緣膜而配置的畫素電極與對向電極，且在各 電極間使包含平行於透明基板的成份之電場產生，上述畫 素電極與對向電極中的一方電極是由形成於另一方的電極 的周邊部至少與該另一方的電極不重疊的領域之透明電極 所構成，上述另一方的電極爲並設於與其延伸方向垂直的 方向上之複數個的電極，是由具有改變該延伸方向的彎曲 部的第1電極，及直線延伸於畫素領域的周邊的至少一部 份的第2 4極等所構成。 如此構成的液晶顯示裝置，對畫素電極而言，除了設 置上述第1電極以外，還會在畫素領域的周邊的至少一部 份，亦即因第1電極具有彎曲部而導致橫電場難以產生的 部份（無信號區（d e a d s p a c e ))，另設置直線延伸的第 2電極，而使得該第2電極與對向電極之間也會產生橫電 場0 因此，可以抑止該無信號區的產生，進而能夠擴大實 (4) 1285781 質的畫素領域。 本發明之其他目的，特徵及效果，可根據實施形態中 所記載的內容及圖面明確得知。 【實施方式】 以下，根據實施例來詳細說明本發明之液晶顯示裝置 (實施例1 ) 〔畫素的構成〕 第1圖是表示本發明之液晶顯示裝置（面板）的畫素 領域之構成圖，由中間介在液晶而呈對向配置的透明基板 中的一方透明基板的液晶側所見之平面圖。第2圖是表示 第1圖之2 — 2線的剖面圖。第3圖是表示第1圖之3 — 3線的剖面圖。第4圖是表示第1圖之4 - 4線的剖面圖 〇 首先，在第1圖中，延伸於圖中X方向，且並設於y 方向的閘極信號線G L是例如由鉻（c r )所形成。該閘 極信號線G L會與後述之汲極信號線d L形成矩形狀的領 域，且該領域會構成畫素領域。 又’該畫素領域中形成有使和後述之晝素電極ρ χ間 產生電場之對向電極CT，該對向電極CT除了畫素領域 的周邊以外會形成於全域，是由透明導電體（例如I Τ〇 1 ( I n d i u m - T i η - Ο X i d e ))所構成。 冬 (5) 1285781 該對向電極c T會以能夠緣取其周邊全域之方式而形 成有與該對向電極c Τ連接之對向電壓信號線c L ’該對 向電壓信號線c L會與同樣的形成於圖中左右的畫素領域 (沿著閘極信號線G L而配置之各畫素領域）之對向電極 C Τ的對向電壓信號線C L 一體成形。 此情況之畫素領域的對向電壓信號線C L的相互連接 是分別在畫素領域的上部及下部進行。可極力縮小對向電 壓信號線C L與後述之汲極信號線D L的重疊部份，以及 縮小產生於其間的容量。 又，對向電壓信號線C L是由不透明的材料所形成， 例如由鉻（C r )所構成。此情況，即使後述之閘極信號 線G L與近接的對向電極C T的周邊部之間會因發生電場 (雜訊）而導致液晶的光透過率無法如期取得，該部份還 是能夠藉由對向電壓信號線C L來予以遮光，因此可以解 消顯示品質面的不良狀況。 這意味著可以解除閘極信號線G L與近接的對向電極 C T的周邊部之間’因發生電場（雜訊）而導致產生不良 的狀況。 又’如上述，對向電壓信號線c L的材料與閘極信號 線G L的材料相同，藉此將可以同—製程來形成，而使能 夠迴避製程數的增加。 在此，上述對向電壓信號線C L並非只限定於c r ， 例如亦可由A 1或含有A 1的材料所形成。 但’此情況，該對向電壓信號線C L位於對向電極 -9- (6) 1285781 C T的上層較具效果。這是爲了使構成對向電極c T的 I Τ ◦膜的選擇性蝕刻液（例如Η B r )容易溶解A 1 β 又，若至少對向電壓信號線C L之與對向電極C Τ的 接觸面上使介在Τ 1 ，C r ，Μ 〇 ，T a ，W等的高溶點 金屬，則會更有效果。這是因爲構成對向電極C 丁的 I T〇會使對向電壓信號線C L中的A 1氧化，而使產生 高阻抗層。 因此，形成由A 1或含有A 1的材料所構成的對向電 壓信號線C L的情況時，最好是第1層爲上述高熔點金屬 的多層構造。 又，在如此形成有對向電極C T，對向電壓信號線 C L及閘極信號線G L的透明基板S U B 1的上面，形成 有覆蓋彼之絕緣膜G I (例如由S i N所構成）。 該絕緣膜G I對後述之汲極信號線D L而言，是使作 爲對向電壓信號線C L及閘極信號線G L之層間絕緣膜的 機能具有：在後述之薄膜電晶體T F T的形成領域中作爲 閘極絕緣膜的機能，以及在後述之電容元件C s t g的形 成領域中作爲介電質膜的機能。 又，重疊於閘極信號線G L的一部份（圖中左下）而 形成薄膜電晶體T F T，且該部份的上述絕緣膜G I上形 成有半導體層AS (例如由a-Si所構成）。 藉由在此半導體層A S的上面形成源極電極S D 2及 汲極電極S D 1來形成以閘極信號線G L的一部份作爲閘 極電極之逆交錯構造的Μ I S型電晶體。又，該源極電極 -10- (7) 1285781 S D 2及汲極電極S D 1會與汲極信號線D L同時形成。 亦即，形成有延伸於第1圖中y方向且並設於x方向 的汲極信號線D L，該汲極信號線D L的一部份會延伸至 上述半導體層A S的表面，而藉此來構成薄膜電晶體 丁 F T的汲極電極S D 2。 又，在形成該汲極信號線D L時，源極電極S D 1會 被形成，且該源極電極S D 1會延伸至畫素領域內，而與 接觸部（供以與後述的畫素電極P X連接）一體形成。 又，如第3圖所示，在半導體層A S的上述源極電極 SD1及汲極電極SD2的界面會形成有摻雜η型雜質的 接觸層d 〇。 該接觸層d 0是在半導體層A S的表面全域形成η型 雜質摻雜層，然後在形成源極電極S D 1及汲極電極 S D 2後，以各電極作爲光罩，對自各電極露出的半導體 層A S的表面的η型雜質摻雜層進行蝕刻，而來予以形成 〇 又，本實施例中，半導體層A S並非只形成於薄膜電 晶體T F 丁的形成領域，連交叉於汲極信號線D L的閘極 信號線G L及對向電壓信號線C L的交叉部也會形成。用 以強化層間絕緣膜的機能。 又，在如此形成有薄膜電晶體T F T的透明基板的表 面上，形成有連該薄膜電晶體丁 F T也覆蓋的保護膜 P S V (例如由S i N所構成）。用以迴避與薄膜電晶體 T F T的液晶L C直接接觸。 -11 - (8) 1285781 又，在該保護膜P S V的上面，畫素電極ρχ是藉由 透明的導電膜（例如由I T〇（Indium-Tin· Oxide)所構成 )而形成。 又，畫素電極PX會重疊於上述對向電極CT的形成 領域，在此實施例中爲形成5個，分別延伸於圖中y方向 而形成等間隔的同時，其兩端分別以延伸於X方向的同材 料層而互相連接。 亦即，在此實施例中，鄰接的畫素電極P X間的間隔 L會例如被設定於1〜1 5 // m的範圍，寬度會例如被設 定於1〜1 0 // m的範圍。 此情況，各畫素電極P X的下端的同材料層會通過形 成於上述保護膜P S V的接觸孔來與上述薄膜電晶體 丁 F T的源極電極S D 1的接觸部連接，且上端的同材料 層會與上述對向電壓信號線C L重疊。 就此構成的情況而言，會在對向電極C T與各畫素電 極P X的重疊部中形成有以絕緣膜G I與保護膜p s v的 層疊體作爲介電質膜的電容元件C s t g。 該電容元件C s t g是爲了在經由薄膜電晶體TFT 而將來自汲極信號線D L的影像信號施加於畫素β ® P X 之後，即使該薄膜電晶體T F T形成〇F F狀態’該影像 信號還是能夠予以較長時間地儲存而設置者° 在此，該電容元件C s t g的容量是根據對向電極 C T與各畫素電極P X的重疊比例而成，所以有可能會® 其面積較大時導致設定成必要以上的値，但由Μ # ®胃月莫 -12- (9) 1285781 是形成絕緣膜G I與保護膜P S V的層疊構造，因此不會 有上述問題發生。 亦即，因爲絕緣膜G I是作爲薄膜電晶體T F T的閘 極絕緣膜之用，因此膜厚不能夠增大’但由於保護膜 P S V並沒有如此的限制’因此可使該保護膜P S V與上 述絕緣膜G I同時形成預定的膜（僅就保護膜P S V的膜 厚而言，例如爲1〇〇 nm〜4// m) ’藉此來使該電容 元件C s t g的容量減低至預定的値。 又，上述保護膜P S V並非只限於S i N，例如亦可 使用合成樹脂來形成。此情況，因爲是藉由塗佈來形成， 所以即使是在增大其膜厚的情況下形成’還是可以容易地 製造。 又，在形成有畫素電極P X及對向電極C T之透明基 板的表面上會形成有連該畫素電極P X及對向電極C 丁也 覆蓋的配向膜〇R 1 1 。該配向膜〇R 1 1爲直接接觸液 晶L C之膜，用以決定該液晶L C的初期配向方向。 又，上述實施例中，雖是以透明基板來作爲畫素電極 P X，但並非一定是要透明，例如亦可爲不透明的金屬材 料（例如C r )。藉此，數値口徑雖會若干降低，但對於 液晶L C的驅動完全不會有所影響。 在上述實施例中，有關閘極信號線G L，對向電壓信 號線C L，汲極信號線D L方面雖是使用鉻（C r )，但 亦可使用其他的高熔點金屬，Μ 〇 ，W，T i ，T a或這 些金屬中的2種以上的合金，或2種以上的層疊膜。 -13- (10) 1285781 又，有關透明導電膜方面雖是使用I TO膜I Τ〇1 ，但亦可使用I Ζ〇（Indium-Zinc-Oxide)，同樣可以取 得相同的功效。 〔濾光基板〕 如此構成之透明基板稱爲丁 F T基板，該T F T基板 與其間介在液晶L C而呈對向配置的透明基板稱爲濾光基 板。 如第2圖所示，濾光基板在其液晶側面上，首先以能 夠區劃畫素領域而形成黑色矩陣BM，並且在決定該黑色 矩陣B Μ的實質畫素領域的開口部上覆蓋濾光片F I L。 又，形成有覆蓋黑色矩陣ΒΜ及濾光片F I L的塗層 膜〇C (例如由樹脂膜所構成），並且在該塗層膜上形成 有配向膜〇R I 2。 〔液晶顯示面板的全體構成〕 第5圖是表示集合各畫素領域（配置成矩陣狀）而構 成顯示領域A R之液晶顯示面板的全體構成圖。 透明基板S U B 2要稍微小於透明基板S U B 1 ，圖 中右側邊及下側邊與透明基板S U B 1對應的邊幾乎形成 一致。 如此一來，透明基板S ϋ B 1的圖中左側邊及上側邊 會形成部被透明基板S U Β 2所覆蓋的領域’該領域中會 分別形成用以供應掃描信號給各閘極信號線G L的閘極信 -14 - (11) 1285781 號端子T g ，及用以供應影像信號給各汲極信號線D L的 汲極信號端子T d。 透明基板SUB 2對透明基板SUB 1的固定’是藉 由形成於該透明基板S U B 2的周邊之密封材s L來進行 ，同時該密封材S L還具有在各透明基板SUB 1 ’ S U B 2之間封入液晶L C的功能° 第6圖是表示在各透明基板SUB 1 ，SUB 2之間 所介在的液晶L C藉由密封材S L而被封入者。 此外，在密封材S L的一部份（第5圖的中右側）形 成有一液晶封入口 I N J ，該液晶封入口 I N J會在由此 封入液晶後，藉由液晶密封劑來予以密封。 〔閘極信號端子〕 第7圖是表不用以將掃描fe號供應給各闊極伯號線 G L的閘極信號端子G T Μ的構成圖，第7 ( a )圖爲平 面圖，第7 ( b )圖爲第7 ( a )圖之B — B線的剖面圖 〇 首先，在透明基板S U B 1上形成閘極信號端子 G 丁 Μ (例如由I T〇膜I T〇1所構成）。該閘極信號 端子GTM會與對向電極CT同時形成。 在此，之所以會使用I Τ〇膜I Τ 0 1來作爲閘極信 號端子GTM，那是因爲不易發生電蝕。 又，閘極信號端子G Τ Μ是在該閘極信號線G L的端 部中，以閘極信號線G L能夠覆蓋之方式而形成。 -15- (12) 1285781 又，絕緣膜G I及保護膜P S V會覆蓋閘極信號端子 G T Μ及閘極信號線G L而依次層疊’並且藉由設置於保 言餐膜P S V及絕緣膜G I的開口來使閘極信號端子G Τ Μ 的一部份能夠裸露出。 又，上述絕緣膜G I及保護膜P S V是作爲顯示領域 A R的延伸部份而形成者。 〔汲極信號端子〕 第8圖是表示用以將影像信號供應給汲極信號線D L 的汲極信號端子DTM的構成圖’弟8 ( a )圖爲平面圖 ，第8 ( b )圖爲第8 ( a )圖之B — B線的剖面圖。 首先，形成於透明基板S U B 1上的汲極信號端子 D T Μ是由抗電蝕性的I T〇膜I T〇1所構成，該 I 丁〇膜I Τ0 1是與對向電極CT同時形成。 其次，該汲極信號端子D Τ Μ會與形成於絕緣膜G I 上的汲極信號線D L連接，但若在該絕緣膜G I中形成接 觸孔而來進行連接時會有下述不理想的情況發生。 亦即，形成於I Τ〇膜上的絕緣膜G I (由S i Ν所 構成）會在與該I T〇膜接觸的部份產生白濁，並且在該 部份形成接觸孔時，該孔會形成倒圓錐狀，有可能在接觸 汲極信號線D L時產生不良狀況。 因此，如同圖所示，使重疊於汲極信號端子D Τ Μ的 端部’而形成金屬層g 1 (例如由C r所構成），並且在 金屬層g 1上的絕緣膜G I中形成接觸孔。 -16- (13) 1285781 又，接觸孔的形成是在絕緣膜G 1上形成保護膜 P S V後進行，而來謀求製程的低減，因此會經由形成於 保護膜p s V的接觸孔，及利用與畫素電極p x同時形成 的I 丁〇膜I T〇2來進行汲極信號線D L與上述金屬線 g 1的連接。 在此，上述金屬層g 1雖是使用C r者’但亦可使用 A 1或含A 1的材料。此情況’如上述，由於在與1 丁〇 膜接觸的接觸面上會容易氧化，因此可將金屬層g 1形成 T i / A 1 / T i之上下面分別設置高熔點金屬層的三層 構造，藉此來謀求良好的接觸。 〔對向電壓信號端子〕 第9圖是表示用以將對向電壓信號供應給對向電壓信 號線C L的對向電壓信號端子C T Μ的構成圖，第9 ( a )圖爲平面圖，第9 (b)圖爲第9 (a)圖之B—B線 的剖面圖。 在此，形成於透明基板S U B 1上的對向電壓信號端 子C T Μ也是由具有抗電蝕性的I T〇膜I T〇1所構成 ，該I TO膜I T〇1會與對向電極CT同時形成。 此外，該對向電壓信號端子C T Μ是在對向電壓信號 線C L側的端部中，以對向電壓信號線C L能夠覆蓋之方 式而形成。 另外，覆蓋這些信號線，而形成於顯示領域A R的絕 緣膜G I及保護膜P S 會依次被層疊，並且藉由設置於 -17- (14) 1285781 保護膜P S V及絕緣膜G I的開口來使對向電壓信號端子 C T Μ的一部份能夠裸露出。 〔等效電路〕 第1 0圖是表示液晶顯示面板的等效電路與該液晶顯 示面板的外接電路一起顯示的圖。 在第1 0圖中，延伸於X方向，且並設於7方向的各 閘極信號線G L是藉由垂直掃描電路V來依次供給掃描信 號（電壓信號）。 在此，沿著被供給掃描信號的閘極信號線G L而配置 之各畫素領域的薄膜電晶體T F Τ會根據該掃描信號而啓 動。 然後，配合時間來從影像信號驅動電路Η供應影像信 號給汲極信號線D L，該影像信號會經由各畫素領域的薄 膜電晶體來施加於畫素電極Ρ X。 各畫素領域中，與畫素電極Ρ X —起形成的對向電極 C Τ會經由封向電壓彳g號線C L來施加對向電壓，而使其 間產生電場。 又，在各電場中會根據具有與透明基板SUB 1平行 的成份之電場來控制液晶L C的光透過率。 又’同圖中，各畫素領域所示之r，G，B符號是分 別表示紅色用濾光片，藍色用濾光片，綠色用濾光片。 〔畫素顯示的時間圖〕 -18- (15) 1285781 第1 1圖是表示供應給液晶顯示面板之各信號的時間 圖，圖中，V G是表示供應給閘極信號線G L之掃描信號 ，D是表示供應給汲極信號線D L之影像信號，V C是 表示供應給對向電壓信號線C Τ之對向電壓信號。 亦即，是表示使對向電壓信號v C的電位形成一定之 一般的線反轉（點反轉）之驅動波形圖。 〔液晶顯示面板模組〕 第1 2圖是表示在第5圖所示之液晶顯示面板上安裝 外接電路的模組構造之平面圖。 同圖中，在液晶顯示面板P N L的周邊連接有垂直掃 描電路V，影像信號驅動電路Η及電源電路基板P C Β 2 〇 垂直掃描電路V是由使用複數個薄膜載體方式而形成 的驅動I C晶片所構成，其輸出凸塊會被連接於液晶顯示 面板的閘極信號端子G Τ Μ，且輸入凸塊會被連接於可撓 性基板上的端子。 又，同樣的，影像信號驅動電路Η也是由使用複數個 薄膜載體方式而形成的驅動I C晶片所構成，其輸出凸塊 會被連接於液晶顯示面板的汲極信號端子D Τ Μ，且輸入 凸塊會被連接於可撓性基板上的端子。 又，電源電路基板P C Β 2會經由扁平纜線F C來連 接於影像信號驅動電路Η，該影像信號驅動電路Η會經由 扁平纜線F C來連接於垂直掃描電路V。 -19- (16) 1285781 又，本發明並非只限於此，亦可適用於所謂C 〇 G ( C h i ρ Ο n G U s s )方式，亦即將構成各電路的半導體晶片直 接搭載於透明基板S U B 1 ，且分別使各輸出入凸塊連接 於形成於該透明基板S U B 1的端子（或配線層）。 〔製造方法〕 第1 3及1 4圖是表示上述TFT基板的製造方法之 一實施例的過程圖。 該製造方法是經過（A)〜（F)的光學過程而完成 ，分別在第1 3圖及第1 4圖中的左側爲畫素領域，右側 爲汲極信號端子形成領域。 以下依過程順序來加以說明。 過程（A )： 首先，準備透明基板S U B 1 ，並且在其表面的全域 ’例如藉由濺鍍法來形成I T ◦膜。然後，利用光學微影 成像技術來選擇蝕刻該I T〇膜，而分別在畫素領域中形 成對向電極C T，以及在汲極信號端子形成領域中形成汲 極信號端子D T Μ。 過程（Β ): 首先，在透明基板S U Β 1的表面全域形成C r膜。 然後，利用光學微影成像技術來選擇蝕刻該C ]：膜，而分 別在畫素領域中形成閘極信號線G L及對向電壓信號線 C L，以及在汲極信號端子形成領域中形成由中間連接體 所構成的導電層g 1。 - 20 - (17) 1285781 過程（C ): 首先’在透明基板S U B 1的表面全域，例如藉由 C V D法來形成S i N膜，以及形成絕緣膜G I 。 其次，在此絕緣膜G I的表面全域，例如利用C V D 法來依次形成a - S i層，以及被摻雜η型雜質的 a — S i 層。 然後，利用光學微影成像技術來選擇蝕刻該a - S i 層，而於畫素領域中形成薄膜電晶體T F T的半導體層 AS。 過程（D ): 在透明基板S U B 1的表面全域，例如藉由濺鍍法來 形成C r膜，利用光學微影成像技術來選擇蝕刻該C r膜 ，而分別在畫素領域中形成汲極信號線D L，薄膜電晶體 T F T的源極電極S D 1及汲極電極S D 2，以及在汲極 信號端子形成領域中形成該汲極信號線D L的延伸部。 過程（E )： 在透明基板S U B 1的表面全域，例如藉由C V D法 來形成S i N膜，以及形成保護膜P S λΤ。然後，利用光 學微影成像技術來選擇蝕刻該保護膜P S V，而在畫素領 域中形成使薄膜電晶體T F Τ的汲極電極S D 2的一部份 裸露之接觸孔，同時在汲極信號端子形成領域中形成使貫 通至該保護膜P S V的下層的絕緣膜G I爲止而令上述導 電層g I的一部份裸露之接觸孔。 過程（F ): -21 - (18) 1285781 在透明基板S U B 1的表面全域，例如藉由濺鍍法來 形成I 丁〇膜I T〇2。然後，利用光學微影成像技術來 選擇蝕刻該I T 0膜，而在畫素領域中形成通過上述接觸 孔來與薄膜電晶體T F T的汲極電極S D 2連接之畫素電 極P X，同時在汲極信號端子形成領域中形成用以連接汲 極信號線DL與上述導電層g1之連接體層。 在上述的製造方法中，過程（A)與過程（B)可以 對調。亦即，形成使對向電極C T由上部來連接於閘極信 號線G L上之構成。此情況，閘極信號線G L的剖面形狀 必須要進行緩和的圓錐加工。 此外，由於對向電極C T比閘極信號線G L及對向電 壓信號線C L還要靠下部，因此閘極信號線G L的剖面形 狀不拘而可取得良好的連接。 另外，在本實施例中，雖是使用S i N膜來作爲閘極 絕緣膜G I ，但爲了能夠確實地迴避I T〇上的白濁現象 ，亦可使用S i〇2或S i〇N等含氧的絕緣膜。 〔實施例2〕 〔畫素的構成〕 第1 5圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。第1 6圖是表示第1 5圖之1 6 — 1 6線的剖 面圖。第1 7圖是表示第1 5圖之1 7 — 1 7線的剖面圖 。第1 8圖是表示第1 5圖之1 8 — 1 8線的剖面圖。 其中與實施例1之第1圖對應而賦予相同符號者是表 - 22- (19) 1285781 示同一材料。 就與實施例1的構成相異處而言，首先，由透明電極 所構成的對向電極C T是形成於絕緣膜G I上，且與汲極 信號線D L同層。 亦即，對向電極C T與閘極信號線G L形成於不同層 〇 此外，設置於與該對向電極C T的汲極信號線D L接 近的邊部之導電膜F G T會設置於與閘極信號線G L同層 ，且在與該對向電極C T不電氣性連接的狀態下形成。 因此，導電膜F G T並非如實施例1所述作爲對向電 壓信號線C L的一部份，而是具有防止在汲極信號線d L 與對向電極C T之間產生液晶的漏光之功能，亦即作爲遮 光材之用。 此構成，將具有可縮小汲極信號線D L與對向電極 C T之間隔，提高數値口徑之功能。 但，該導電膜F G T並非僅限於此，亦可與對向電極 C T形成於同層，且使一部份連接於與對向電極C 丁的汲 極信號線D L接近的邊部而形成。 又’在各畫素領域中沿著汲極信號線D L (垂直於閘 極信號線G L的方向上）而配置之各畫素領域的對向電極 C T會彼此連接而構成。 亦即，各畫素領域的對向電極C T會跨越形成有閘極 信號線G L的領域而彼此形成一體。 換言之，沿著汲極信號線D L而配置之各畫素領域的 -23- (20) 1285781 對向電極c T會沿著汲極信號線D L而形成帶狀，這些帶 狀的各對向電極C T會依汲極信號線D L的形成領域而分 斷。 又，該對向電極C T是形成於與閘極信號線G L不同 的層，可不連接於該閘極信號線G L而形成。 如此形成帶狀的對向電極C T，只要能夠從作爲畫素 領域的集合體而形成的顯示領域的外側供給對向電壓信號 ，便可不必特別形成實施例1所示那樣的對向電壓信號線 C L而能夠奏效。 因此’畫素電極P X會更接近於閘極信號線G L，或 使重疊於該閘極信號線G L上的狀態下延伸（參照第1 5 圖），藉此使能夠在該閘極信號線G L的近旁也會具有畫 素領域的機能。 這意味著只要在閘極信號線G L的近旁使該閘極信號 線G L本身具有黑色矩陣的機能即可（換言之，不需要閘 極信號線G L及覆蓋其近旁的黑色矩陣），而能夠大幅度 地提高數値口徑。 又，就上述實施例而言’其構成是在各畫素領域中使 沿著汲極信號線D L而配置的各畫素領域的對向電極c 丁 形成共通者。但’其構成亦可使沿著閘極信號線G L而配 置的各畫素領域的對向電極C T形成共通者。 此情況’對向電極C T必須以和汲極信號線d L不同 的層來構成，例如可適用於實施例1的構成。 -24- (21) 1285781 〔製造方法〕 第1 9及2 0圖是表示上述實施例所述之液晶顯示裝 釐的製造方法之一實施例的過程圖。形成與第1 3及1 4 圖對應之圖。 又，與實施例1的情況時比較下，不同點是在於對向 電極C T是形成於絕緣膜G I的上面，在此對向電極C T 上經由保護膜P S V而形成有畫素電極p X。 〔實施例3〕 第2 1圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。形成與第1 5圖對應之圖。第2 2圖是表示第 2 1圖之2 2 — 2 2線的剖面圖。 在第2 1圖中，與第1 5圖的符號相同者是表示同一 材料。在此，與第1 5圖不同的部份是首先在沿著汲極信 號線D L而配置的各畫素領域內形成有與該汲極信號線 D L幾乎平行的對向電壓信號線C L。 該對向電壓信號線C L會形成於對向電極c T的正下 方（或正上方），換言之，連接於對向電極C T而形成， 而使對向電極C T本身具有降低電氣阻抗的功能。 該對向電壓信號線C L是與汲極信號線d L同時形成 ，由與該汲極信號線D L同一材料所構成。因此，該對向 電壓信號線C L可由比構成對向電極c T之I T〇的電氣 阻抗還要小的導電層所構成。 又，該對向電壓信號線C L是以大致使畫素領域形成 - 25- (22) 1285781 2等分之方式來行走於中央。這是爲了能夠確實地規避與 存在於兩旁的汲極信號線D L產生短路而形成。 又，該對向電壓信號線C L會與延伸於圖中y方向而 · 形成的畫素電極P X之中的一個重疊。 ： 又，畫素電極P X所形成的部份是形成無法避免光透 過率的降低之部份，因此可藉由在此部份設置對向電壓信 號線C L來使畫素領域全體之光透過率的低減壓制到最小 程度。 · 在此實施例中，由於在汲極信號線D L的上面層疊有 I T〇膜I T〇1 ，因此即使該汲極信號線D L斷線而形 成，還是可以藉由I T ◦膜I T〇1來修復該斷線。 由於此I T〇膜I T〇1會與形成對向電極C 丁時同 β 時形成，因此具有可以規避製程數的增加之效果。 〔實施例4〕 第2 3圖是表示本發朋之液晶顯示裝置之其他實施例 Φ 的平面圖。第2 4圖是表示第2 3圖之2 4 — 2 4線的剖 面圖。第2 5圖是表示第2 3圖之2 5 — 2 5線的剖面圖 。第2 6圖是表示第2 3圖之2 6 — 2 6線的剖面圖。 第23圖是與第1圖形成對應之圖。圖中與第1圖的 _ 符號相同者是表不同一材料。 · 在第2 3圖中，與第1圖不同的構成是畫素電極ΡΧ 形成於絕緣膜G I上，且經由此絕緣膜G I來配置對向電 極C Τ。亦即，液晶側的畫素電極Ρ X是經由保護膜 -26- 1285781 ^ (23) pVS (及配向膜〇RI1)來配置。 此情況，往液晶L C中的電力線會利用保護膜p s V 的分壓效果而增大，且可選擇低阻抗者來作爲該液晶L C 的材料，而使能夠取得殘像少的顯示。 又，此情況，如第2 5圖所示，由於可以直接進行薄 膜電晶體T F T的源極電極S D 1與畫素電極P X的連接 ’因此可不必通過形成於保護膜等的接觸孔後再來進行連 〔實施例5〕 第2 7圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。第2 8圖是表示第2 7圖之2 8 — 2 8線的剖 面圖。第2 9圖是表示第2 7圖之2 9 — 2 9線的剖面圖 。第3 0圖是表示第2 7圖之3 0 - 3 0線的剖面圖。 第2 7圖是與第1圖形成對應之圖。圖中與第1圖的 符號相同者是表示同一材料。 在第2 7圖中與第1圖不同的構成，首先是畫素電極 P X經由絕緣層而位於下層，對向電極c T是位於上層。 如第2 8所示，在絕緣膜G I的上面形成有第1保護 膜PSV1 ，在此第1保護膜PSV1上形成有畫素電極 P X。 該畫素電極PX除了畫素領域的周邊以外’大部分的 領域形成透明電極，經由形成於第1保護膜P S v 1的下 層的薄膜電晶體丁 F T的源極電極S D 2與接觸孔而被連 -27- (24) 1285781 接。 又，連畫素電極PX也覆蓋而形成第2保護膜 PSV2 ，並且在第2保護膜PSV2的上面形成有對向 電極C T。 該對向電極C T是在重疊於上述畫素電極P X的領域 中延伸於圖中y方向且並設於X方向之複數個的帶狀電極 ，但兩端部會在除了各對向電極C T間的領域以外的全領 域中與各對向電極C T 一體形成的導電層連接。 換言之，至少在以能夠覆蓋顯示領域而形成的導電層 (I TO)中，重疊於上述畫素電極PX的領域內的導電 層中，形成延伸於圖中y方向且並設於X方向之複數個的 帶狀開口，而來形成對向電極C T。 這將除了作爲對向電極C T的導電層以外的其他導電 層，可以作爲對向電壓信號線C L之用，此情況，可大幅 度地減低導電層全體的電氣阻抗。 又，作爲對向電極C T的導電層以外的其他導電層， 可在覆蓋閘極信號線G L及汲極信號線D L的狀態下形成 〇 這意味著除了作爲對向電極C T的導電層以外的其他 導電層，可以作爲習知黑色矩陣層之用。 這將使得具有平行於透明基板（用以控制液晶的透光 率）的成份之電場（橫電場）會產生於作爲對向電極C 丁 的導電層與畫素電極p X之間，而不會在其他部份產生。 因此，如第2 8圖所示，將不必在透明基板S U B 2 -28 - (25) 1285781 側开^成黑色矩陣層，而使能夠謀求製程數的低減。 X ’此情況，液晶是使用可在未施加電場的情況下進 0 Μ 顯示者（亦即所謂的正常黑色），藉此而能夠強化 上述導電層之黑色矩陣的機能。 又’介於閘極信號線G L及汲極信號線D L間的第1 保護膜P S V 1及第2保護膜P S V 2中，例如可以塗佈 形成的樹脂膜來構成第2保護膜P S V 2，且使該樹脂膜 的厚度形成較大，而來縮小閘極信號線G L及汲極信號線 D L·在上述導電膜間所形成容量。 例如，第1保護膜PSV1是使用介電常數爲7，膜 厚爲1 0 0〜9 0 0 n m的S i N膜時，第2保護膜 PSV2最好是使用介電常數爲3〜4，膜厚爲1000 〜3 0〇〇 n m的有機膜。 又’若第2保護膜P S V 2與第1保護膜P S V 1相 較下’介電常數爲1 / 2以下，則會無關於膜厚，並且若 膜厚爲2倍以上，則會無關於介電常數，不會對實際的製 品造成影響。 〔實施例6〕 第3 1圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。第3 2圖是表示第3 1圖之3 2 — 3 2線的剖 面圖。 第3 1圖是針對實施例5再加以改良者，在此與第 2 7圖〜第3 0圖相同符號者是表示同一材料。 -29- (26) 1285781 在此，與實施例5的構成有所不同的地方，首先是畫 素電極P X形成於絕緣膜G I上，對向電極C T是形成於 第1保護膜P S V 1上（該第1保護膜P S V 1是形成於 、 該畫素電極P X上）。換言之，畫素電極P X與對向電極 ： C T是經由第1保護膜p S V 1來使形成於不同的層。 _ 另一方面，在除了畫素領域的其他領域中會形成第2 保護膜P s 2。該第2保護膜P s V 2是例如至少在顯 示領域的全域中形成該第2保護膜P S V 2後，針對相當 鲁 於畫素領域的部份進行選擇性的蝕刻，而藉此來予以形成 〇 其次，會在被殘留的第2保護膜P S V 2的表面上形 成導電層。該導電層會與對向電極CT 一體形成，且與實 · 施例5的情況相同，至少在顯示領域的全域中形成導電層 ^ 後，在重疊於畫素電極Ρ X的領域內的導電層中形成延伸 於圖中y方向且並列於X方向之複數個的帶狀開口 ’而藉 此來形成對向電極C T。 Φ 如此構成的液晶顯示裝置，會使第1保護膜P S V 1 及第2保護膜P S V 2介於閘極信號線G L或汲極信號線 D L與上述導電層之間，而使能夠縮小其間所產生的電容 ，並且只使第1保護膜P S V 1介於畫素電極P X與對向‘ 電極C T之間，而使其間的電場能夠增強於液晶L C側。 ·_ 〔上述各實施例之特性比較〕 第3 5圖是表示上述實施例1 ，實施例2，實施例3 -30- (27) 1285781 ，實施例4，實施例5及實施例5的各構成之施加電壓-透過率的特定圖表。 在此，各實施例之液晶顯示裝置爲所謂1 5型X G A " 規格者，以閘極信號線G L的寬度1 〇 // m ’汲極信號線： D L的寬度8 # m爲對象。 在第3 5圖中，爲了能夠比較，除了上述各實施例以 外，同時還顯示出TN型的丁 FT — LCD及I PS型的 丁 F T — L C D的特性。 φ 由第3 5圖可確認出，在實施例1中的數値口徑爲 6 0 %，在實施例2中的數値口徑爲7 0 %，在實施例4 中的數値口徑爲5 0 %，在實施例5，6中的數値口徑爲 8 〇 % 〇 - 在此，之所以實施例5及實施例6的數値口徑特別高 ’那是因爲不須要使用習知之黑色矩陣的構成。 又，實施例6與實施例5相較下，之所以能夠降低驅 動電壓，那是因爲在畫素領域中未形成有第2保護膜 · p S V 2 〇 上述特性主要是針對使用具有負的介電向異性的液晶 材料而作成的元件而言。另一方面，使用具有正的介電向 离性的液晶材料時，雖然各實施例之透過率的最大値會分 - 別下降0 _ 5 %，但是相反的會取得使臨界値電壓下降 ， 0 · 5 V之效果。 〔實施例7〕 -31 - (28) 1285781 第3 7圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖，是表示將上述各實施例適用於所謂多領域方式 的液晶顯示裝置的情況時。 在此，所謂的多領域方式是在產生於液晶擴展方向上 的電場（橫電場）中，在各畫素領域內形成橫電場方向不 同的領域，且使各領域的液晶分子的扭轉方向呈相反，而 藉此來抵消分別從左右來觀察顯示領域時所產生的著色差 〇 第3 6圖是與第1圖形成對應之圖，是使延伸於一方 向且並設於與該方向交叉的方向上的帶狀畫素電極P X形 成I居齒狀者’亦即對一方向傾斜角度0 (在P型的液晶中 ，使配向膜的硏磨方向與汲極信號線的方向一致時，5〜 40 °爲適當）而延伸後，使彎曲成（一 2Θ)後延伸的 情況重複之鋸齒狀。 此情況’對向電極C T是形成於除了畫素領域的周邊 以外的領域，只要使上述構成的各畫素電極P X能夠重疊 之方式而配置於該對向電極C T上，便可發揮多領域方式 的效果。 特別是在畫素電極P X的彎曲部中產生於對向電極 C T間的電場不會與在畫素電極p X的其他部份中產生於 對向電極C T間的電場完全不同。就習知技術而言，以往 會產生所謂的差別領域，亦即液晶分子的扭轉方向會無規 則地產生不透過部。 相對的，就本實施例而言，則不會在畫素電極P X的 -32- (29) 1285781 彎曲部的近旁產生光透過率下降的情況。 又，本實施例中，雖畫素電極PX是沿著第3 6圖中 y方向而形成者，但亦可使延伸於圖中X方向，設置彎曲 部，而取得多領域方式的效果。 換言之，本實施例可藉由晝素電極P X上設置彎曲部 來取得多領域方式的功效。 但，如第2 8圖所示，亦可至少將畫素電極p X形成 於除了晝素領域的周邊以外的全域，使對向電極C T延伸 於一方向，且在對向電極設置彎曲部，而來取得多領域方 式的功效。 〔實施例8〕 第3 7圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。第3 7圖是與第2 7圖形成對應之圖。又，第 3 8圖是表示第3 7圖之3 8 — 3 8線的剖面圖。第3 9 圖是表不第3 7圖之3 9 — 3 9線的剖面圖。圖中，與第 2 7圖相同符號者是表示由同樣材料所構成者。在此，與 第2 7圖之構成上的相異點是畫素電極ρχ有所不同。 此畫素電極P X會在與對向電極C T重疊的部份，在 除了其周邊部份以外的部份形成有開口。因此，延伸於一 方向的對向電極C T的中心軸會與上述畫素電極P X的開 口的中心軸大致形成一致，當對向電極C T的寬度爲W時 ，上述開口會形成較小的寬度L L。 此情況，產生於畫素電極P X與對向電極C T之間的 ‘33- (30) 1285781 電場分布，可與第2 7圖完全相同。 又，藉由上述開口的設置，將可縮小該部份畫素電極 P X與對向電極C T之間的容量。 · 如上述，畫素電極P X與對向電極C 丁之間的容量， : 雖爲了使供應給畫素電極P X的影像信號能夠較長地儲存 ’而必須具有某程度的容量，但若大到所需以上，則會因 爲信號的延遲而產生顯示的亮度不均一，因此可藉由適當 地擴大上述開口來把該容量調整至最適當的値。 鲁 在此，根據形成於上述畫素電極P X的開口而來設定 產生於該晝素電極P X與對向電極C T之間的容量値時， 對該畫素電極P X而言，若對向電極C T的位置偏移，則 _ 將會無法取得預定的容量値。 ' 此情況，例如第4 2圖所示，可使畫素電極P X的開 口之一對邊部形成鋸齒形，而分別於各邊形成具有山部（ 凸部）及谷部（凹部）的開口。 當畫素電極PX與對向電極C 丁如第4 2 ( a )所示 · 位置不偏移而配置時，這些容量的値會由這些重疊的面積 而決定。 又，如第42 (b)所示，對畫素電極PX而言，即 使對向電極C T在X方向產生位置偏移，這些重疊的面積 也會不變，容量的値亦不變。 / 這是因爲當一方邊的山部陷入時，他方邊的山部會突 出之關係所致。 如此一來，開口的圖案不會受限於上述者，例如對一 -34- (31) 1285781 方電極的位置偏移而言’只要在交叉於該位置偏移方向的 開口邊的一方的邊形成有突出於該電極側的凸部，以及在 他方的邊形成有引入該電極的凸部即可。 又，此類構成並非只限於第2 7圖的構成，亦可適用 於上述各實施例全體。例如，對向電極C T至少形成於除 了畫素領域的周邊以外的全域時，在此對向電極C T中， 亦可在與畫素電極P X重疊的部份（除了周邊的部份以外 )形成開口。又，此情況，一方的電極開口雖在周邊與另 一方的電極重疊，但並非一定要重疊。 〔實施例9〕 第4 0圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。第4 1圖是表示第4 0圖之4 1 一 4 1線的剖 面圖。 第4 0圖及第4 1圖爲實施例5 (第2 7圖〜第3 0 圖）之改良者’其特徵是使由合成樹脂膜所構成的第2保 護膜P S V 2具有作爲間隔件的功能。 在此，間隔件是用以精度良好地保持一方的透明基板 與另一方的透明基板間的間隙，使全體顯示領域的液晶層 厚能夠均一。 在此實施例中，例如會在重疊於閘極信號線G L的一 部份的領域中设置該間隔件的形成領域，且該間隔件會作 爲與第2保邊膜P S V 2 —體形成的突起部而形成。 又’設置該間隔件的地方是在各畫素領域中形成於同 -35 - (32) 1285781 一場所，藉此液晶的層厚會在顯示領域的全域形成均一。 因爲只要是同一場所，則該部份的層疊構造會形成相同。 該間隔件，例如在形成第2保護膜P S V時2時，首 先會以加算間隔件的高度來形成光感光性的合成樹脂膜， 然後選擇性地分別使強光及弱光照射於間隔件的形成領域 及間隔件的形成領域以外的領域，且經由顯像過程來予以 形成。 如此形成的各間隔件，由於可取得精度佳的同等高度 ’因此可使各透明基板間的間隙均一地保持於顯示領域的 全域。 就此例而言，雖在形成間隔件後必須要形成對向電極 ’但亦可在間隔件的頂面殘留該對向電極的材料，而形成 在所謂濾光基板側不配置電極的構成。 又，雖此實施例是針對實施例5加以改良者，但並非 只限於此實施例，亦可實施其他種種形態。 又，必須形成合成樹脂膜來作爲接近液晶的層時，除 了具有可與彼一體形成間隔件的功效以外，同時還能在形 成固定於任一方的透明電極時，使各透明基板間的間隙形 成均一。 〔實施例1 0〕 第4 3圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。第4 3圖是表示針對實施例5再加以改良之構 成者，沿著第2 7圖之2 8 — 2 8線的其他剖面圖。並且 -36- (33) 1285781 ’表示畫素領域的平面圖是與實施例5之第2 7圖形成相 同的構成。 在此，與實施例1之構成上的不同點，首先是對向電 極C T的下部，亦即用以絕緣分離畫素電極p X的第2保 護膜P S V 2是使用對向電極C T或對向電壓信號線c L 來作爲光罩而控掘加工。 藉此加工，在汲極信號線D L與對向電壓信號線C L 之間的絕緣膜P S V 2會比較厚，同樣的直接重疊對向電 極C T與畫素電極p X的領域之絕緣膜會形成較厚，對向 電極C T間的間隔部份的絕緣膜P s V 2會形成較薄。 上述加工的效果，是形成較厚的絕緣膜會使薄膜電晶 體T F T的負荷容量減低，或使汲極信號線D L的負荷容 量降低。 另一方面，形成較薄的絕緣膜PS V 2會減少畫素電 極P X與對向電極C T間之絕緣膜所產生的電壓下降，而 使能夠施加充分的電壓給液晶，以及降低液晶的臨界質電 壓。 又，由於上述第2保護膜P S V 2的加工是以對向電 極C T作爲光罩而來進行加工，因此顯示不均一的情況會 極難以發生。 以上，由實施例1〜1 0的說明可明確得知，本發明 之液晶顯示裝置的性能極佳。 〔實施例1 1〕 -37- (34) 1285781 第4 4圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的像素領域的構成圖，由中間介在液晶而呈對向配置的透 明基板中的一方透明基板的液晶側所見之平面圖。第45 圖是表示第4 4圖之4 5 — 4 5線的剖面圖。 首先’第4 4圖中，在透明基板S UB 1上延伸於圖 中X方向’且並設於y方向的閘極信號線G l是例如以鉻 (C r )所形成。該閘極信號線g L會與後述之汲極信號 線D L來形成矩形狀領域，該領域會構成畫素領域。 該畫素領域中，對向電壓信號線C L會與閘極信號線 G L —起形成（以能夠迴避與上述閘極信號線G l的連接 及與上述汲極信號線D L的重疊之方式而形成）。又，由 於對向電壓信號線C L可由和閘極信號線G L相同的材料 所形成，因此可在同一過程中設置閘極信號線G L。如第 4 4圖所示，該對向電壓信號線C L是由：在畫像領域的 中央行走於圖中y方向之帶狀的導電層C L <，及連接於 該導電層而沿著畫像領域的周邊形成之框體狀的C L 〃等 所構成。並且，藉由延伸於圖中X方向的對向電壓信號線 C L來與左右畫像領域的對向電壓信號線C L彼此連接。 在此，該對向電壓信號線C L·是用以供應封向電壓is 5虎給 對向電極c T，但亦可形成具有遮光膜之功能用。該遮光 膜功能的詳細情況如後述。 又，該畫素領域中’除了少許的周邊部以外’在中央 部的全域中形成有透明導電體，例如由1 T〇1 ( Idium_

Tin-Oxide )所構成的對向電極C T °又’在本實施例及 -38- (35) 1285781 後述的實施例1 2〜1 5中是以粗線來表示由設置於基板 主面側的透明導電體所構成的對向電極C T ( I T〇1 ) 的輪廓。該對向電極C T ( I T〇1 )會至少被自此離開 基板主面的其他透明導電體的膜（畫素電極P X ( I 丁〇 2 ))覆蓋一部份。在此，本實施例中雖是使用I T〇來 作爲透明導電體，但亦可使用I Z〇（（Idium-Zinc-Oxide )或藉由離子·塗膜等所取得的金屬薄膜等，是以 能夠在充分的強度下射出所射入的光之方式而形成的導電 膜（例如，至少使入射光的6 0 %透過）。 又，該對向電極C T是以其周邊部能夠直接重疊於上 述對向電壓信號線C L的框體狀導電層的內側的周邊部之 方式而形成，藉此而使得從對向電壓信號線C L所供給的 對向電壓能夠被施加於對向電極C T。又，亦會覆蓋這些 閘極信號線G L，對向電壓信號線C L及對向電極C 丁， 而於透明基板S U B 1的上面全域中形成有絕緣膜G I ( 例如由S i N所構成）。該絕緣膜G I對後述之汲極信號 線D L而言，是使作爲對向電壓信號線C L及閘極信號線 G L之層間絕緣膜的機能具有：在後述之薄膜電晶體 T F T的形成領域中作爲閘極絕緣膜的機能，以及在後述 之電容元件C s t g的形成領域中作爲介電質膜的機能。 如第4 4圖的左下方所示，在重疊於閘極信號線G L 的一部份之薄膜電晶體T F T的部份的上述絕緣膜G I上 形成有半導體層A S (例如由a - S i所構成）。 藉由在此半導體層A S的上面形成源極電極S D 2及 •39- (36) 1285781 汲極電極S D 1來形成以閘極信號線G L的一部份作爲閘 極電極之逆交錯構造的Μ I S型電晶體。又，該源極電極 S D 2及汲極電極S D 1會與汲極信號線D L同時形成。 亦即，在第4 4圖中形成有延伸於y方向且並設於X 方向的汲極信號線D L，該汲極信號線D L的一部份會延 伸至上述半導體層A S的表面，而藉此來構成薄膜電晶體 的汲極電極S D 1。 又，該汲極信號線D L形成時，會形成源極電極 S D 2，且該源極電極S D 2會連接觸部（延伸至畫素領 域內的一部份，而供以和畫素電極P X連接）也一體形成 〇 又，在半導體層A S的上述源極電極S D 2及汲極電 極S D 1的界面會形成接觸層d 〇 (例如被摻雜η型的雜 質）。 又，該接觸層d 0是在半導體層A S的表面全域中形 成η型雜質摻雜層，且在源極電極S D 2及汲極電極 S D 1形成後，以該各電極來作爲光罩，針對從各電極露 出的半導體層A S表面的η型雜質摻雜層來進行蝕刻而形 成。 又，該實施例中，半導體層A S並非只形成於薄膜電 晶體T F T的形成領域，也會形成於汲極信號線D L與閘 極信號線G L，對向電壓信號線C L交叉的交叉部。藉此 來強化作爲層間絕緣膜的機能。 又，在如此形成有薄膜電晶體T F T的透明基板 -40- (37) 1285781 s u B 1的表面上形成有連該薄膜電晶體T F T也覆蓋的 保護膜（例如由S i Ν所構成）。避免與薄膜電晶體 T F T的液晶L C直接接觸。 又，在此保護膜P SV的上面，畫素電極ρχ會藉由 透明的導電膜（例如由I T〇2 ( Indium-Tin-Oxide )所 形成。 又，該畫素電極P X的一部份會通過形成於上述保護 膜P S V的接觸孔來與上述薄膜電晶體T F T的源極電極 S D 2的延伸部連接。 該畫素電極P X是由：在畫像領域的幾乎中央行，延 伸於第4 4圖中y方向的對向電壓信號線c L /上具有彎 曲部之複數個的第1電極P X /，及分別連接第1電極 ΡΧ#的各端子之框體狀的第2電極PX〃 。換言之，第 1電極P X /是在藉由上述對向電壓信號線C L ’而區劃 的一方畫素領域側，對該對向電壓信號線C L /具有（-0 : Θ < 4 5 ° )的傾斜角度，而等間隔配置於圖中y方 向，且在另一方晝素領域側，對該對向電壓信號線C L / 具有（+ 0 : 0 < 4 5 ° )的傾斜角度，而等間隔配置於 第4 4圖中y方向，同時各畫素領域所對應的電極會彼此 在對向電壓信號線C L /上互相連接。 如此在第1電極C L /設置彎曲部是採用所謂的多領 域方式，亦即使分別具有一方的傾斜角度（一 0 )的畫素 領域與具有另一方的傾斜角度（+ Θ )的畫素領域對對向 電極C T所產生的電場方向不同，且使液晶分子的扭轉方 -41 - (38) 1285781 向形成相反’而使分別由左右來觀察顯示領域時所產生的 色差可以抵消。 又，第1電極p X /的各個彎曲部，是在對向電壓信 號線C L中，以能夠 在畫素領域的中央重疊於延伸於y方向的信號線 CL'之方式而定位。 在第1電極P X /的彎曲部的近旁部份，電場的方向 會形成隨機狀態，不施加嚴密的橫電場的不透過領域（以 下，將該領域稱爲差別領域）會發生，因此將會藉由該信 號線C L / ，來遮住該領域。 又，上述第1電極P X /以其彎曲部爲中心，電極的 展開角度爲2 0 ( < 9 0 ° )，亦即形成銳角。 此情況，在彎曲部中與對向電極C T之間較容易施加 較強的電場，使液晶分子的旋轉能夠高速進行。因此，以 彎曲部作爲起點，從周圍到畫素領域的全域’可使液晶分 子的旋轉高速化，其結果可謀求應答的高速化。 又，畫素電極PX中，第2電極PX 〃是由重疊於信 號線C L 〃的內側的周邊部的框體狀的電極P X 〃所構成 ，形成與上述第1電極PX /連接之構成。 又，第2電極PX 〃中，在延伸於第44圖中y方向 的部份與鄰接配置的汲極信號線D L之間’上述對向電壓 信號線C L 〃會延伸於圖中y方向而形成。 該對向電壓信號線C L 〃的寬度會形成較大，而使能 夠盡量縮小與汲極信號線D L間的間隙° -42- 1285781 # (39) 換言之，畫素電極ΡΧ中延伸於第4 4圖中y方向的 電極P X 〃與鄰接配置的汲極信號線D L之間的間隙會藉 由對向電壓信號線C L 〃來予以遮光。 電場會根據來自汲極信號線D L的影像信號而產生， 且該電場會終端於對向電壓信號線C L ’’側，同時使根 據液晶的光透過率的變化（根據該電場而變化）而促成的 光透過遮蔽。 如此構成的畫素電極P X會發揮以下種種的效果。 首先，使產生於對向電極C T間的電場方向不同的領 域，由於會二分割形成畫素領域，因此各畫素電極P X ( 第1電極P X <)的彎曲部會分別形成一個，其總數相當 於該第1電極ρχ/的數量。 以往，例如比分別使延伸於第4 4圖中y方向且並設 於X方向的各畫素電極重複沿著長度方向而傾斜於右側後 向左側傾斜，然後再使傾斜於右側之所謂鋸齒形狀者還要 能夠大幅度地減少該電極的彎曲部。 因此，在該電極P X /的彎曲部中可大幅度地減少差 別領域的產生。 又，對畫素電極PX除了上述第1電極PX /以外， 還新設置第2電極P X 〃 （框體狀配置於畫素領域的周邊 )，藉此在第2電極PX〃與對向電極CT之間也會產生 橫電場。 以往’上述鋸齒狀的畫素電極會在鄰接的汲極信號線 之間交互形成較小的空間及較大的空間，其中較大的空間 -43- (40) 1285781 會無法產生充分的橫電場，亦即產生所謂無信號區。 因此，若利用本實施例的構成，則可抑止上述無信號 區的產生，而使能夠擴大實質的畫素領域。 ’ 又，第2電極P X 〃具有經由薄膜電晶體T F T的源 ： 極電極S D 2來分別供應影像信號給第1電極P X /之功 肯b 。 因此，只要該功能夠充分，則第2電極P X 〃並非必 須沿著畫素領域的周邊而形成於框體狀的形狀。 · 例如，在第4 4圖的第2電極P X 〃中，在平行位於 圖中X方向者中，即使不特別地形成圖中上側（與薄膜電 晶體T F T呈相反側）者，還是可以取得充分的功效。如 此一來，在形成有畫素電極PX的透明基板SUB1的表 · 面上會形成有連該畫素電極PX也覆蓋的配向膜（第4 4 圖及第5 5圖未圖示，參照實施例1 )。該配向膜爲直接 接觸圖中y方向被施以硏磨處理的液晶L C之膜，用以決 定該液晶L C的初期配向方向。 Φ 又，上述實施例中，雖是以透明基板來作爲畫素電極 P X，但並非一定是要透明’例如亦可爲不透明的材料。 藉此，數値口徑雖會若干降低’但對於液晶L C的驅動完 全不會有所影響。 •又，如此構成的透明基板s U B 1稱爲丁 F T基板， / 經由該T F 丁基板與液晶L C而對向配置的透明基板稱爲 - 濾光基板。該濾光基板會其 '液晶側面形成有能夠區劃各畫 素領域的黑色矩陣，且決定該黑色矩陣的實質畫素領域的 -44- (41) 1285781 開口部會形成有覆蓋彼之濾光片。又，覆蓋黑色矩陣及濾 光片而形成有塗層膜（例如由樹脂膜所構成），且在該塗 層膜的上面形成有配向膜。其詳細說明如實施1例所述。 〔實施例1 2〕 第4 6圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 圖。第4 6圖是與第1圖形成對應之圖。又，第4 7圖是 表示第4 6圖之4 7 — 4 7線的剖面圖。 在此，與第4 4圖不同的構成，首先是對具有彎曲部 的畫素電極P X之該彎曲部近旁進行遮光的構件是使用與 閘極信號線G L同時形成（亦即與該信號同一材料）的導 電層C L。 由於該導電層C L是構成對向電壓信號線L C者，因 此構成透明電極的對向電極C T會重疊於該對向電壓信號 線L C的上層（亦可爲下層）而形成。 又，由於該導電層GL /是行走於畫素領域的幾乎中 央y方向而形成，因此不會有和位於兩旁的各閘極信號線 G L產生短路之虞。 〔實施例1 3〕 第4 8圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 圖。第4 8圖是與第4 4圖形成對應之圖。

在此，與第4 4圖之構成上的不同點是畫素電極PX 的部份，亦即在畫素電極的中央部設置延伸於圖中y方@ -45- 12857.81 · (42) 的第3畫素電極P X 3 ，而來取代分別連接具有彎曲部的 複數個畫素電極P X /的各端部之框體狀的第2電極 P X 〃之延伸於圖中y方向的部份。 此構成，可在畫素領域的全域形成畫素電極（不會有 無信號區）。 〔實施例1 4〕 第4 9圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 圖。第4 9圖是與第4 4圖形成對應之圖。 在此，與第4 4圖不同的構成是在畫素領域中，根據 平行於該圖中X方向的境界來二分割電場方向不同的領域 〇 因此，具有彎曲部的畫素電極PX (第1電極ρχ/ )會在一方的畫素領域中配置於對圖中X方向而言具有（ 一 0 : 0>4 5 °)的角度，在另一方的畫素領域中配置 於對圖中X方向而言具有（+ 0 : 0>45 °)的角度， 同時該境界部中具有所對應的畫素電極會彼此連接的圖案 〇 同樣的，此情況亦可縮小無信號區，以及能夠減少畫 素電極之第1電極ΡΧ /的彎曲部的數量。 又，由於此情況配向膜的初期配向方向（圖中y方向 )與各電場的方向爲最佳的設定，因此第1電極可以其彎 曲部的角度（2 0 )能夠形成鈍角之方式來予以設定。 藉此，將可減少畫素電極（第1電極）的彎曲部產生 - 46- (43) 1285781 所謂的差別領域。 因此，雖然本實施例並非形成各畫素電極的彎曲部眞 備遮光機構之構成，但爲了能夠完全防止差別領域的產生 ，亦可設置遮光機構。 又，第4 9圖中，該第2電極P X 〃位於圖中平行於 X方向者中，即使不特別形成圖中上側（薄膜電晶體 丁 F T的背面）者，還是可以取得充分的功效。 〔實施例1 5〕 第5 0圖是表示本發明之液晶顯示裝置之其他賓施例 圖。第5 0圖是與第4 4圖形成對應之圖。 在此，與第4 4圖之構成上的不同是在於對向電壓信 號線C L與對向電極C T的連接。就本實施例而言，在鬧 極信號線G L中是使用鉻（C r )系的合金，且在基板上 形成閘極信號線G L的圖案後，在由S i N X等所構成的 閘極絕緣膜G I的成膜之前形成對向電極C T ( I T〇1 )。例如，在第1 3圖中，（B )過程會在（A )過程之 前（（A )過程與（B )過程的順序顛倒）。又，形成對 向電極C T的I T〇膜會在根據黑色矩陣B Μ的開口（以 虛線來表示其輪廓）而規定的畫素中心與形成對向電壓信 號線C L的C r膜直接接觸。 在第5 0圖中會分別以粗線的箭頭來表示：爲了調變 液晶層的光透過率，而使液晶分子旋轉驅動之電場的施加 方向，及由汲極信號線（亦稱爲影像信號線，資料線）洩 -47- (44) 1285781 漏至上述畫素（圍繞於虛線B Μ框的領域）的電場方向， 以及對覆蓋電極構造的配向膜（圖中未示）進行硏磨處理 時之硏磨滾輪的行進方向（所謂硏磨方向）。 本實施例中，旋轉驅動液晶分子的電場是沿著圖的上 下方向（汲極信號線D L的延伸方向）而施加。因此，在 圖的左右方向從汲極信號線往畫素洩漏的電場（電力線） 所造成液晶分子的旋轉驅動時的影響會被減低，縱向滲開 (S m e a r )所造成的畫質劣化會被抑止。又，使液晶分子 旋轉驅動的電場方向（圖中「對液晶施加電場的方向」） ，與自汲極信號線D L洩漏至畫素的電場方向（圖中「來 自汲極線的電場方向」）所交叉的角度越大，上述縱向滲 開的產生越會被抑止。若該交叉角度較小，則必須在汲極 信號線D L與畫素之間，沿著汲極信號線D L來設置對向 電極C T或畫素電極P X，而來遮蔽從汲極信號線D L往 畫素的洩漏電場。但，本實施例中，由於排列成梳形狀的 畫素電極P X ( I T〇2 )與汲極線的交叉配置會取夠大 的角度，因此該遮蔽構造並不需要。其特徵如第5 0圖的 畫素左上及右下所示，會增大畫素本身的數値口徑（可使 藉由液晶分子的旋轉驅動而調變的光透過之面積）。 又，若利用本實施例，則由基板主面來看，根據離開 一方的透明導電體的膜I T 〇 1而形成的另一方的透明導 電體的膜I T〇2 (由剖面構造來看，亦稱爲上部I T〇 層）所構成的電極構造的設計自由度會變高。因此，可以 將沿著交叉於汲極信號線D L的延伸方向（最好是約垂直 -48- (45) 1285781 )的方向而供給的電壓信號施加於畫素電極ρ χ的方式來 設計畫素全體。 又，本實施例中，由於畫素電極P X的梳形延伸方向 · 不會垂直於汲極信號線D L，因此可將硏磨方向（沿著該 ： 方向，使在未施加電場的狀態下的液晶分子配向）設定成 垂直於汲極信號線的方向。 在上述實施例1 1〜14中，對向電極CT會形成於 中央部的全域（除了畫素領域的些微周邊以外）。 φ 但，即使對向電極CT不形成於與畫素電極PX重疊 的部份，也不會對液晶的動作造成影響。 又，上述各實施例中，雖是以形成於中央部的全域（ 除了畫素領域的少許周邊以外）的透明電極來作爲對向電 — 極C T，及以形成有彎曲部的電極來作爲畫素電極P X， 但並非只限於此，亦可以形成於中央部的全域（除了畫素 領域的少許周邊以外）的透明電極來作爲晝素電極P X， 及以形成有彎曲部的電極來作爲對向電極CT。 鲁 以上，由實施例1 1〜1 4的說明可明確得知，若利 用本發明之液晶顯示裝置，則可顯示出品質良好的畫像。 【圖式簡單說明】 > 第1圖是表示本發明之液晶顯示裝置的畫素領域之一 ， 實施例的平面圖 ， 第2圖是表示第1圖之2 — 2線的剖面圖。 第3圖是表示第1圖之3 — 3線的剖面圖。 -49- (46) 1285781 第4圖是表示第1圖之4 一 4線的剖面圖。 第5圖是表示裝入本發明之液晶顯示裝置的液晶面板 的外觀平面圖 第6圖是表示固定液晶面板的各透明基板且被封入液 晶之密封材的構成剖面圖.。 第7圖是表示本發明之液晶顯示裝置的閘極信號端子 之一實施例的構成圖。 第8圖是表示本發明之液晶顯示裝置的汲極信號端子 之一實施例的構成圖。 第9圖是表示本發明之液晶顯示裝置的對向電壓信號 端子之一實施例的構成圖。 第1 0圖是表示本發明之液晶顯示裝置之一實施例的 等效電路圖。 第1 1圖是表示本發明之液晶顯示裝置的驅動之一實 施例的時間圖。 第1 2圖是表示在本發明之液晶顯示裝置中使外部電 路連接於其液晶顯示面板時的平面圖。 第13圖是表示本發明之液晶顯示裝置的製造方法之 一*貫施例的過程圖。 第1 4圖是表示本發明之液晶顯示裝置的製造方法之 一實施例的過程圖，用以說明接續於上述第1 3圖所述過 程之過程圖。 第1 5圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 '50- (47) 1285781 第1 6圖是表不第1 5圖之 第1 7圖是表不第1 5圖之 第1 8圖是表示第1 5圖之 第1 9圖是表不本發明之液 其他實施例的過程圖。 第2 0圖是表不本發明之液 其他實施例的過程圖，用以說明 過程之過程圖。 第2 1圖是表不本發明之液 其他實施例的平面圖。 第2 2圖是表示第2 1圖之 第2 3圖是表示本發明之液 其他實施例的平面圖。 第2 4圖是表示第2 3圖之 第2 5圖是表示第2 3圖之 第2 6圖是表示第2 3圖之 第2 7圖是表不本發明之液 其他實施例的平面圖。 第2 8圖是表不第2 7圖之 第2 9圖是表不第2 7圖之 第3 0圖是表示第2 7圖之 第3 1圖是表示本發明之液 其他實施例的平面圖。 第3 2圖是表不第3 1圖之 6 — 1 6線的剖面圖。 7 — 1 7線的剖面圖。 8 — 1 8線的剖面圖。 · 顯示裝置的製造方法之 ： 顯示裝置的製造方法之 續於上述第1 9圖所述 顯示裝置的像素領域之 2 — 2 2線的剖面圖。 顯示裝置的像素領域之 · 4 一 2 4線的剖面圖。 5 一 2 5線的剖面圖。 6 一 2 6線的剖面圖。 · 顯示裝置的像素領域之 8 一 2 8線的剖面圖。 9 一 2 9線的剖面圖。 ’ 〇 — 3 〇線的剖面圖。 ·' 顯示裝置的像素領域之 2 一 3 2線的剖面圖。 -51 - 1285781 * (48) 第3 3圖是表不第3 1圖之3 3 — 3 3線的剖面圖。 第3 4圖是表示第3 1圖之3 4 — 3 4線的剖面圖。 桌3 5圖是表不上述各貫施例的液晶顯示裝置之施加 電壓一透過率的特定圖表。 ： 第3 6圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 第3 7圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 · 第3 8圖是表示第3 7圖之3 8 - 3 8線的剖面圖。 第3 9圖是表示第3 7圖之3 9 — 3 9線的剖面圖。 第4 0圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 ' 弟4 1圖是表不弟4 0圖之4 1 一 4 1線的剖面圖。 第4 2圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 第4 3圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 ® 其他實施例的平面圖。 第4 4圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 第4 5圖是表示第4 4圖之4 5 — 4 5線的剖面圖。 第4 6圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 第4 7圖是表示第4 6圖之4 7 — 4 7線的剖面圖。 第4 8圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 -52- (49) 1285781 其他實施例的平面圖。 第4 9圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 第5 0圖是表示本發明之液晶顯示裝置的像素領域之 其他實施例的平面圖。 〔符號之說明〕

G L :閘極信號線 D L :汲極信號線 P X :畫素電極 C 丁 ：對向電極 C L :對向電壓信號線 C s t g :電容元件 G I :絕緣月旲 A S :半導體層 S D 1 :源極電極 S D 2 :汲極電極 d 0 :接觸層 P S V :保護膜 L C :液晶 〇R I 1 ，〇R I 2 :配向膜 B Μ :黑色矩陣 F I L :濾光片 〇C :塗層膜 -53- (50) (50)1285781 A R :顯示領域 SUB1 ，SUB2 :透明基板 T g :閘極信號端子 S L :密封材 I N 了 ：液晶封入口 G T Μ :閘極信號端子 ΙΤ〇1 ， ΙΤ02 : 1丁〇膜 D Τ Μ :汲極信號端子 g 1 :金屬層 C Τ Μ :對向電壓信號端子 V G :掃描信號 V D :影像信號 V C :對向電壓信號 P N L :液晶顯示面板 V :垂直掃描電路 Η :影像信號驅動電路 P C Β 2 :電源電路基板 F C :扁平纜線 F G Τ :導電膜 P S V 1 :第1保護膜 -54-

Claims (1)

1285781 η~~；~~厂 (1) 公告本 拾、申請專利範圍 1 · 一種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶而 互相呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的 畫素領域中形成有經由絕緣膜而配置的畫素電極與對向電 ： 極，在各電極間使含平行於透明基板的成份的電場產生， - 並且上述畫素電極與對向電極中的一方電極是由形成於該 畫素電極的周邊部至少與該畫素電極不重疊的領域之透明 電極所構成，而且上述絕緣膜是形成多層構造。 0 2 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中具 備：根據掃描信號的供給而驅動，且藉由該驅動而供應影 像信號給畫素電極之薄膜電晶體； > 上述絕緣膜是由：構成上述薄膜電晶體的閘極絕緣膜 < 的一部份的絕緣膜及迴避與該薄膜電晶體的液晶直接接觸 的保護膜之順序層疊體所構成。 3 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上 述畫素電極與對向電極中一方的電極是至少形成於除了畫 # 素領域的周邊以外的領域，另一方的電極是由重疊於上述 一方的電極而延伸於一方向，且並設於與上述一方向交叉 的方向上的複數個電極所構成。 4 . 一種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶而 呈對向配置的各透明基板中的一方透明基板的液晶側的各 / 畫素領域中具備： - 根據來自閘極信號線的掃描信號的供給而驅動之薄膜 荀旨臼獅 · ΊΓ7 电日日體，及 -55- (2) 1285781 經由該薄膜電晶體而供給來自汲極信號線的影像信號 之畫素電極；及 在與該畫素電極間使包含沿著透明基板的面的成份的 電場產生之對向電極； 又，這些畫素電極及對向電極是介在絕緣膜而形成， 其中一方的電極是由形成於該畫素電極的周邊部至少與該 畫素電極不重疊的領域之透明電極所構成； 又，上述絕緣膜是由依次層疊： 作爲上述薄膜電晶體的閘極絕緣膜的機能用之第1絕 緣膜；及 與該第1絕緣膜一起決定畫素電極及對向電極間的容 量之第2絕緣膜；等之層疊體而構成。 5 ·如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中上 述閘極絕緣膜是由設置於對向電極上的S i〇2與設置於 上部的S i N的層疊構造所構成。 6 . —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶而 呈對向配置的各透明基板中的一方透明基板的液晶側的面 上，在互相連接的各畫素領域間形成有信號線； 在上述各畫素領域內具備電極形成領域，該電極形成 領域配置有使不同層的一對電極中的一方電極形成於另一 方電極的周邊部至少與該一方電極不重疊的領域之透明電 極； 在該電極形成領域的周邊近接上述信號線的邊部形成 有比上述透明電極的光透過性還要小的層。 - 56- (3) 1285781 7 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在沿著汲極信號線 而配置的各畫素領域中具備： 經由開關元件而施加來自該汲極信號線的影像信號之 畫素電極；及 在與畫素電極間使至少包含與液晶的擴散方向平行的 成份的電場產生之對向電極； 又，上述對向電極是形成於與畫素電極不同的層，由 形成於該畫素電極的周邊部至少與該畫素電極不重疊的領 域之透明電極所構成； 又，在鄰接於上述汲極信號線的邊部形成有比該對向 電極的光透過性還要小的材料所構成之導電層。 8 .如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中上 述畫素電極與導電層會互相連接。 9 .如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中上 述畫素電極與導電層是經由絕緣層而配置。 1 0 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的各透明基板中的一方透明基板的各畫素領 域中具備開關元件及畫素電極與對向電極； 又，來自汲極信號線的影像信號會經由上述開關元件 來施加於電極，而藉此使電場產生於該畫素電極與對向電 極之間； 又，上述對向電極是形成於與畫素電極不同的層，由 形成於該畫素電極的周邊部至少與該畫素電極不重疊的領 域之透明電極所構成； -57- (4) 1285781 又，以該對向電極爲下層，在鄰接於上述汲極信號線 的邊部，由A 1或含A 1的材料所構成的導電層會經由高 熔點金屬而重疊。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之液晶顯示裝置，其 中上述高熔點金屬層是由含Ti ，Cr ，Mo ，Ta ，w 的其中之一的金屬層所構成。 1 2 · —種液晶顯示裝置，其特徵是具備：經由絕緣 膜而形成於該絕緣膜的下層的第1透明金屬層所構成之信 號端子，及形成於該絕緣膜的上層之信號線； 上述信號端子是在其一部份重疊透明金屬層以外的第 1金屬層而形成，且經由使該第1金屬層的一部份露出之 上述絕緣膜的接觸孔來進行上述信號端子與信號線的電氣 性連接。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之液晶顯示裝置，其 中在上述絕緣膜上形成有覆蓋上述信號線的保護膜，且在 該保護膜上經由使上述第1金屬層的一部份露出的接觸孔 及使上述信號線的一部份露出的接觸孔來形成供以進行該 第1金屬層與信號線的連接之第2透明金屬層。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之液晶顯示裝置，其 中上述第1金屬層是由A 1或含A 1的材料所構成，且由 上下面各至少與第1透明金屬層及第2透明金屬層連接的 部份設有高熔點金屬層的多層構造所構成。 1 5 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板的一方透明基板的液晶側的面上 -58 - (5) 1285781 形成有：延伸於一方向而並設之第1信號線，及經由該第 1信號線與層間絕緣膜而延伸並設於與該第1信號線交叉 的方向上之第2信號線； 又，在這些信號線所圍繞的各畫素領域中具備： 經由根據來自第1信號線及第2信號線的其中之一方 的信號線之掃描信號的供給而驅動之開關元件來供給來自 另一方的信號線的影像信號之畫素電極；及 形成於與該畫素電極不同的層，且由形成於該晝素電 極的周邊部至少與該畫素電極不重疊的領域之透明的對向 電極； 並且，在上述畫素電極與對向電極之間使電場產生於 上述液晶的擴散方向上； 而且，各畫素電極的對向電極會與不同層的上述第1 信號線與第2信號線之其中任一方的信號線交叉而彼此共 通連接。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置，其 中上述共通連接的各對向電極是由各畫素領域的集合體之 顯示領域以外來供給對向電壓信號。 1 7 . —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板的液晶側的面的各畫素領域中具 備：使具有與該透明基板平行的成份的電場產生之畫素電 極，及對向電極； 又，該對向電極是形成於與畫素電極不同的層，由形 成於該畫素電極的周邊部至少與該畫素電極不重疊的領域 -59- (6) 1285781 之透明的導電層所構成，同時具備：行走於並設於一方向 之各畫素領域的幾乎中央，且重疊於上述對向電極而形成 之對向電壓信號線； 又’該對向電壓信號線是由比該對向電極的阻抗還要 小的材料所構成。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之液晶顯示裝置，其 中上述畫素電極是由延伸於一方向，且並設於與該一方向 交叉的方向上•之複數個的電極所構成，各畫素電極是重疊 於對向電極而配置； 又，上述對向電壓信號線會重疊於上述各畫素電極的 其中之一，而延伸於一方向。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之液晶顯示裝置，其 中在並設於上述一方向的各畫素領域的畫素電極中具備： 經由開關元件來供給影像信號之汲極信號線； 並且，在該汲極信號線中層疊有由與對向電極相同的 材料所構成的層。 2 0 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板的其中一方的透明基板的液晶側 的面上形成有由鄰接的各閘極信號線與鄰接的各汲極信號 線所圍繞之畫素領域； 又，在上述畫素領域中具備：配置於不同的層，且使 電場產生於上述液晶的擴散方向上之畫素電極及對向電極 又，上述畫素電極及對向電極的其中任一方的電極是 - 60- (7) 1285781 形成於與上述閘極信號線與汲極信號線不同的層’且至少 在形成於畫素領域的集合體之顯示領域的全域之透明導電 層中設有開口。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之液晶顯示裝置’其 中上述設於導電層的開口是沿著汲極信號線的延伸方向而 延伸，且並設形成於與該方向交叉的方向上。 2 2 ·如申請專利範圍第2 0項之液晶顯示裝置’其 中在形成於顯示領域的全域之透明的導電層中設置開口， 而以所形成的電極作爲對向電極，且該對向電極是形成於 比畫素電極還要靠近液晶側的層。 2 3 .如申請專利範圍第2 0項之液晶顯示裝置，其 中上述導電層是具有對向電極的功能，同時還具有對向電 壓信號線及黑色矩陣的功能。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之液晶顯示裝置，其 中上述絕緣膜是由第1絕緣膜與第2絕緣膜之順序層疊體 所構成，第2絕緣膜與第1絕緣膜比較下，介電常數爲 1/2以下，或膜厚爲2以上。 2 5 . —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的面 上形成有由鄰接的各閘極信號線與鄰接的各汲極信號線所 圍繞之畫素領域； 又，在該晝素領域內具備：配置於不同的層，且使電 場產生於上述液晶的擴散方向上之畫素電極及對向電極； 又，在上述閘極信號線及汲極信號線中的至少一方的 -61 - (8) 1285781 信號線上，經由絕緣膜來形成導電層。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項之液晶顯示裝置，其 中上述導電層是與畫素電極及對向電極的其中任一的電極 同層，且由與該電極相同的材料所構成。 2 7 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的面 上形成有由鄰接的各閘極信號線與鄰接的各汲極信號線所 圍繞之畫素領域； 又，在該畫素領域內具備：經由第1絕緣膜而配置， 且使電場產生於上述液晶的擴散方向上之畫素電極及對向 電極； 又’在上述第1絕緣0吴上形成有：在畫素領域的部份 具有開口，而覆蓋上述閘極信號線及汲極信號線中的至少 一方之第2絕緣膜’並且在此第2絕緣膜上形成有導電層 〇 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項之液晶顯示裝置，其 中第2絕緣膜與第1絕緣膜比較下，介電常數爲q / 2以 下，或膜厚爲2以上。 2 9 ·如申請專利範圍第2 7項之液晶顯示裝置，其 中上述導電膜是與畫素電極及對向電極的其中任一方的電 極一體成形，該電極是藉由在上述導電膜（形成於畫素領 域的集合體之顯示領域的全領域）中形成開口而形成。 3 0 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的面 -62- (9) 1285781 的畫素領域中形成有使電場產生於該液晶的擴散方向上之 一對的電極； 該一對的電極是形成於不同的層，且另一方的電極是 由形成於另一方的電極的周邊部至少與一方的電極不重疊 的領域之透明電極所構成； 又，另一方的電極是由構成使產生於一方的電極間的 電場方向不同的領域之圖案所形成。 3 1 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的面 的畫素領域中形成有使電場產生於該液晶的擴散方向上之 一對的電極； 該一對的電極是形成於不同的層，且另一方的電極是 由形成於另一方的電極的周邊部至少與一方的電極不重疊 的領域之透明電極所構成； 又，另一方的電極會形成鋸齒狀，亦即對一方向傾斜 角度0而延伸後，使彎曲成（- 2 Θ )後延伸的情況重複 之鋸齒狀。 3 2 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的面 的畫素領域中形成有使電場產生於該液晶的擴散方向上之 一對的電極； 該一對的電極是形成於不同的層，同時在一對的電極 中，一方的電極是由延伸於一方向，且並設於與該方向交 叉的方向上之複數個的電極所構成； -63- (10) 1285781 另一方的電極是由透明電極所構成，該透明電極是在 與上述一方的電極重疊的領域中形成有開口 ’且至少形成 於除畫素領域的周邊以外的領域。 3 3 .如申請專利範圍第3 2項之液晶顯示裝置，其 中形成有另一方的電極的開口之周邊會重疊於一方的電極 〇 3 4 ·如申請專利軔圍弟3 2項之液晶顯不裝置，其 中另一方的電極的開口是由至少分別在平行於長度方向的 各邊重複凹凸狀的圖案所形成。 3 5 ·——種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置之各透明基板的其中一方的透明基板的液晶 側的面上層疊有複數個絕緣膜； 又，其中接近於液晶側的絕緣膜會與保持和另一方的 透明基板之間的間隙之突起體形成一體。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之液晶顯示裝置，其 中接近於液晶的.絕緣膜是由光硬化性的樹脂膜所構成。 3 7 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的各透明基板中的一方透明基板的液晶側的 各畫素領域中具備： 根據來自閘極信號線的掃描信號的供給而驅動之薄膜 m 曰 曰曰fe ，及 經由該薄膜電晶體而供給來自汲極信號線的影像信號 之畫素電極；及 在與該畫素電極間使包含沿著透明基板的面的成份的 -64- (11) 1285781 電場產生之對向電極； 又，這些畫素電極及對向電極是形成於不同的層，且 其中一方的電極是由形成於另一方的電極的周邊部至少與 該一方的電極不重疊的領域之透明電極所構成； 又，具備：謀求閘極信號線與汲極信號線的層間絕緣 之第1絕緣膜，及覆蓋上述薄膜電晶體而形成之第2絕緣 膜，及謀求畫素電極與對向電極的層間絕緣之第3絕緣膜 又，上述第3絕緣膜會與保持和另一方的透明基板之 間的間隙之突起體形成一體。 3 8 ·如申請專利範圍第3 7項之液晶顯示裝置，其 中第3絕緣膜是由光硬化性的樹脂膜所構成。 3 9 ·如申請專利範圍第3 7項之液晶顯示裝置，其 中液晶是使用具有負的介電向異性的液晶物質。 4 0 .如申請專利範圍第3 7項之液晶顯示裝置，其 中閘極信號線或汲極信號線是由至少含Μ 〇 ，C r ，T i ，T a ，W的其中之一的材料所構成。 4 1 ·如申請專利範圍第3 7項之液晶顯示裝置，其 中液晶是使用在未施加電場時進行黑色顯示之正常黑色顯 示者。 4 2 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的畫 素領域中具備：第1電極，及對第1電極經由絕緣膜而形 成下層，且在與該第1電極間使具有平行於透明基板的成 -65- (12) 1285781 份的電場產生之第2電極； 又，上述第2電極是由形成於第1電極的周邊部至少 與第1電極不重疊的領域之透明電極所構成； 又，重疊的第1電極與第2電極之間的絕緣膜厚度要 比在上述第2電極上未重疊上述第1鼇極的領域之絕緣膜 厚度來得厚。 ,4 3 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的矩 形狀畫素領域中形成有經由絕緣膜而配置的畫素電極與對 向電極，且在各電極間使包含平行於透明基板的成份之電 場產生； 又，上述畫素電極與對向電極中的一方電極是由形成 於另一方的電極的周邊部至少與該另一方的電極不重疊的 領域之透明電極所構成； 又，上述另一方的電極爲並設於與其延伸方向垂直的 方向上之複數個的電極，是由具有改變該延伸方向的彎曲 部的電極，及直線延伸於畫素領域的周邊至少一部份的電 極所構成。 4 4 ·如申請專利範圍第4 3項之液晶顯不裝置’其 中直線延伸於畫素領域的周邊的至少一部份的另一方電極 會與具有改變延伸方向的彎曲部的另一方電極連接。 4 5 ·如申請專利範圍第4 4項之液晶顯不裝置，其 中直線延伸於畫素領域的周邊的至少一部份的電極兼具供 應影像信號給具有彎曲部的電極之功能° -66- (13) 1285781 4 6 ·如申請專利範圍第4 4或4 5項之液晶顯示裝 置，其中直線延伸於畫素領域的周邊的另一方電極會形成 框體狀。 ^ 4 7 . —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液扇 ·· 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的矩 形狀畫素領域中形成有經由絕緣膜而配置的畫素電極與對 向電極，且在各電極間使包含平行於透明基板的成份之電 場產生； · 又，上述畫素電極與對向電極中的一方電極是由形成 於另一方的電極的周邊部至少與該另一方的電極不重疊的 領域之透明電極所構成； 又，上述另一方的電極爲並設於與其延伸方向垂直的 ^ 方向上之複數個的電極，是由具有改變該延伸方向的彎曲 β 部的第1電極，及行走於畫素領域的幾乎中央，且使連接 上述第1電極的第2電極等所構成。 4 8 .如申請專利範圍第4 7項之液晶顯示裝置，其 φ 中上述第1電極在使畫素領域形成二等分的境界部具有彎 曲部。 4 9 · 一種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的畫 β 素領域中形成有經由絕緣膜而配置的畫素電極與對向電極 / ，且在各電極間使包含平行於透明基板的成份之電場產生 - 又，上述畫素電極與對向電極中的一方電極是由形成 ►67- (14) 1285781 於另一方的電極的周邊部至少與該另一方的電極不重疊的 領域之透明電極所構成； 又，上述另一方的電極是由並設於與其延伸方向垂直 的方向上之複數個的電極所構成，且各電極是作爲在二分 割之畫素領域的境界部所彎曲後的圖案而形成。 5 〇 ·如申請專利範圍第4 9項之液晶顯示裝置’其 中上述畫素領域的分割是幾乎在交叉於液晶的初期配向方 向的方向上進行，且根據具有彎曲部的另一方電極的彎曲 部而成的角度是呈鈍角。 5 1 . —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的畫 素領域中形成有經由絕緣膜而配置的畫素電極與對向電極 ，且在各電極間使包含平行於透明基板的成份之電場產生 ， 又，上述畫素電極與對向電極中的一方電極是由形成 於另一方的電極的周邊部至少與該另一方的電極不重疊的 領域之透明電極所構成； 又，上述另一方的電極是具有改變其延伸方向的彎曲 部，且在該彎曲部形成有介在絕緣膜的遮光性構件。 5 2 ·如申請專利範圍第5 1項之液晶顯示裝置，其 中上述另一方的電極是由並設於與其延伸方向垂直的方向 上的複數個電極所構成，各電極的彎曲部是位於橫切畫素 領域的幾乎中央的假想線上，且遮光性的構件是沿著上述 假想線上而形成。 -68- (15) 1285781 5 3 ·如申請專利範圍第5 2項之液晶顯示裝置，其 中上述遮光性的構件是作爲對對向電極施加對向電壓信號 之對向電壓信號線的一部份。 5 4 · —種液晶顯示裝置，其特徵是在其間介在液晶 而呈對向配置的透明基板中的一方透明基板的液晶側的畫 素領域中形成有經由絕緣膜而配置的畫素電極與對向電極 ，且在各電極間使包含平行於透明基板的成份之電場產生 又，上述畫素電極與對向電極中的一方電極是由形成 於另一方的電極的周邊部至少與該另一方的電極不重疊的 領域之透明電極所構成； 又，上述另一方的電極是具有改變其延伸方向的彎曲 部，且以該彎曲部爲中心的電極角度是形成銳角。 -69-