JP3238230B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、薄型、低電圧駆動が可
能で腕時計、電卓などの表示装置として広く使用されて
いる。特にＴＮ型液晶表示方式はＴＦＴなどのアクティ
ブスイッチ素子を組み込むことによりＣＲＴ並の表示特
性をもたせることができテレビなどにも用いられるよう
になった。

【０００３】しかしながら、従来縦方向に電界をかける
ＴＮ型或いはＳＴＮ型液晶表示装置は特に視野角に問題
があった。視野角は特に中間調表示において狭く、パネ
ルの上下左右で色またはコントラストに大きな差がでて
いる。この表示装置は基板に垂直方向に電圧をかけｐ型
液晶を電界方向つまり基板に対して垂直に立たせること
により旋光性を制御する方式であり、表示不良防止のた
め立ち上がり方向を一方向にしているため液晶分子の立
ち上がり方向が決まってしまい上述したような視野角の
問題が起きるものである。

【０００４】これに対しＴＮ型液晶配向させたセルにお
いて電圧を基板に横方向つまり水平方向にかけることに
より旋光性を制御し表示する方法が提案されている。こ
の方式はツイスト配向またはパラレル配向させた液晶セ
ルにおいて同一基板上の電極間に電圧をかけることによ
り電位差を生じて、基板に対して水平方向に電界を発生
させることができる。図４６にこの様な液晶表示装置の
ツイスト状態からパラレル状態にスイッチングする例を
示す。この場合電界印加後ｐ型液晶分子は電界方向にそ
の配向を変えようとする。これにより初期にツイスト配
向を持つ場合ツイスト配向がもっていた旋光性はなくな
り、偏光板を通して液晶セルに入射した直線偏光はその
偏光面を変えることなく液晶セルより出射することにな
り、直交ニコル或いは平行ニコルの偏光板を用いること
によってスイッチングが可能となる。この様な横電場方
式では電界をかけた状態で液晶分子は基板に水平方向に
揃うことになり視野角の問題はある程度解決される。

【０００５】しかしながら、この方式においては図４７
に示す様に電界を特定の方向に集中させることが大変困
難であり、効率よく電界を集中させることができず、従
ってしきい値電圧が高いという問題点を有している。ま
た、液晶分子は図のような電気力線に沿うように配列し
基板に対し垂直方向に揃ってしまう部分が生じてしまう
ので視野角の問題はいまだ解決されていないのが現状で
ある。

【０００６】更に、本発明者らの研究の結果この方式で
は電極周辺で電極壁の影響を受け配向乱れが生じている
こと、応答速度特に立ち下がりの応答速度が遅い等の問
題点を見いだし、このことが表示特性に影響を与えてい
ることが分かった。

【０００７】また近年新しい表示方式の開発が進めら
れ、そのひとつに高分子分散型液晶表示方式がある。こ
れは光散乱を動作原理としており、基本的に液晶を高分
子マトリックス内に分散させた構造を有している。液晶
を多孔体に含侵させ電圧の有無により液晶の屈折率を変
化させ多孔体との屈折率を調整する方法（Appl.Phys.Le
tt..40(1) 22(1982)) をはじめポリビニルアルコールを
用いてネマティック液晶をマイクロカプセル化する方法
（特表昭58-501631 ）、エポキシ樹脂中に液晶分散硬化
させる方法（特表昭61-502128 ）、アクリル樹脂中に液
晶を分散硬化させる方法等が開発され、最近では低電圧
駆動・高コントラストが実現されてきている。

【０００８】しかしながら、高分子分散型液晶表示装置
は表示装置としては散乱方式を利用しているため明暗の
コントラストをとり難く直視化が困難という問題点を有
している。前記コントラストをとるために高分子分散型
液晶表示装置に偏光板を用い直視化を試みているが複屈
折効果のため視野角が狭くなるという問題点を有してい
る。またコントラストをとるために散乱能を稼ぐ必要が
ある。散乱能を稼ぐためには基板間隔を大きくしなけれ
ばならないがこの場合、基板間隔を大きくすると、しき
い値電圧が高くなってしまうという問題点がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の横方向電界制御
によるＴＮ型液晶表示方式は電界方向を集中できないた
め（１）しきい値電圧が高いという問題点、（２）充分
に広く視野角がとれないという問題点、また、（３）電
極周辺に液晶配向異常が起きるため表示特性に影響を与
えるという問題点、（４）応答速度特に立ち下がり速度
が遅いという問題点が存在した。

【００１０】また、従来の縦方向電界制御による高分子
分散型液晶表示方式は、高いコントラストをとるために
基板間隔を大きくとろうとすると（５）しきい値電圧が
高くなるという問題点が存在した。

【００１１】いずれの方式にせよ表示品位の高い表示を
得るためには、しきい値電圧が高いという問題があっ
た。

【００１２】従って、本発明は上記問題点を解決し表示
品位が高くしきい値電圧の低い液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１の発明による液晶表示装置は、第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前
記第１の基板及び前記第２の基板間に挟持された液晶材
料と、前記第１の基板上に配置され前記第１の基板に水
平な方向に凸部を有する複数の電極とを有し、隣り合う
前記電極間に電位差を加えることによって液晶配列を変
化させ表示することを特徴とするものである。

【００１４】また、第２の発明による液晶表示装置は、
第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置された第
２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板間に挟
持された液晶材料と、前記第１の基板上に配置され前記
第１の基板からの高さが異なる電極とを有し、前記高さ
の異なる電極間に電位差を加えることによって液晶配列
を変化させ表示することを特徴とするものである。

【００１５】最後に、第３の発明による液晶表示装置
は、第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置され
た第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板間
に配置された高分子マトリックスと、前記高分子マトリ
ックス中に分散された液晶材料と、前記第１の基板上に
配置された複数の電極とを有し、隣り合う前記電極間に
電位差を加えることによって液晶配列を変化させ表示す
ることを特徴とするものである。

【００１６】第１の発明の電極の形状としては、図３に
示すように逆台形状の形状であることが望ましい、この
場合電極の高さは１０００オングストローム（以下Ａと
記す）以上である事が望ましい。

【００１７】第２の発明の電極の形状としてはＡｌ、Ｉ
ＴＯ等の電極材料の高さ自体を電極間で差を付けた構造
が考えられる。この場合電極間の高さの差は５０００Ａ
以上であることが望ましい。

【００１８】また、図１に示すように電界が掛かる電極
１３、電極１４間の高さの差をＳｉＯ_X ・ＳｉＮ_X とい
った無機物または高分子等有機物で形成した絶縁層１２
により設けることもできる。更に、図２に示すように絶
縁層１２の側面に電極１３を設けることによっても電気
力線を集中させることができ縦方向の液晶配列の歪も形
成できる。

【００１９】上記絶縁層１２の高さは図１の場合３００
０Ａ以上、図４の場合５０００Ａ以上であることが望ま
しい。但し、以上の場合共通して表示電極の最高位置同
士の差は３０００Ａ以上であればよい。

【００２０】第１の発明及び第２の発明において、液晶
の配向方向はＴＮ型液晶表示のように視野角また視角方
向をもたないため基板のどの方向に配向方向を持ってき
てもよいが、好ましくは、電極を設けた基板上での配向
方向はかける電界に対し略垂直に設定するのがよく、好
ましくは数１を満たすことが望ましい。これにより、コ
ントラストの高い表示が可能となる。

【００２１】

【数１】８０°≦電界に対する配向角度＜９０° また、ツイスト角は任意で用途によりその設定値を最適
値に設定できる。

【００２２】本発明の表示装置に用いる液晶材料は、特
にツイストの弾性定数の高いネマティック液晶が望まし
い。また、ｐ型液晶とｎ型液晶の両方とも本発明の表示
装置に用いることはできるが、本発明の表示装置の特長
を生かすためｐ型液晶を用いることが望ましい。

【００２３】第３の発明の液晶表示装置は、基板の片方
に２種類以上の表示電極を設け電極間の電位差により高
分子液晶表示方式で表示することを特徴とするものであ
る。

【００２４】この場合、電極の高さは１００００Ａ以上
であることが望ましい。この際電極はＳｉＯ_X ・ＳｉＮ
_X といった無機物または高分子等有機物で形成した絶縁
層を設けその上または側面に導電体を設けることもでき
る。また、電極を２枚の基板を結ぶ壁として用いること
により電極自身を高分子液晶における高分子マトリック
スとして用いることができ、これにより散乱能を助長さ
せることができる。

【００２５】第３の発明の表示装置に用いる液晶材料
は、ｐ型液晶とｎ型液晶の両方とも用いることができる
が本発明の表示装置の特長を生かすためｐ型液晶を用い
ることが望ましい。

【００２６】第１、第２、第３の発明においてマトリッ
クス駆動をさせるために配線を同一基板上に設ける為に
はこの配線同士の絶縁性が重要となりＳｉＯ_X ・ＳｉＮ
_X ・メタル酸化物又は高分子等有機物で形成した絶縁層
を設けることが必須で有る。

【００２７】また、電極の形状としては、電極のある方
の基板の外に逃げていた電気力線を液晶セル中に持って
きて、電気力線の集中を図り電界強度を強くするために
電極の高さを高くとることが望ましい。また、絶縁性を
持たせた電極同士を交互に設けることが好ましい。前記
電極の電位の低い方或いは電位の高い方のどちらか一方
をすべて同電位にすることで駆動的に有利になる。基板
にＳｉＯ_X ・ＳｉＮ_X・メタル絶縁物または高分子等有
機物で形成した突起物上に導電体を設けた電極により、
より強い電界を得ることができる。壁状に突起物を形成
しその壁の側面に電極を設けることにより、電極をスペ
ーサとして利用することもできる。

【００２８】更に、本発明の液晶表示に対し、ＴＦＴな
どのアクティブスイッチ素子を各画素ごとに設けたアク
ティブマトリックス駆動方式で前記パネルを駆動させる
ことにより鮮明な表示が実現できる。

【００２９】

【作用】第１の発明は電極に突起部分を形成することに
よりその電極の突起部分において電界を集中させること
ができる。図３に電極を逆台形にした場合の電界の集中
する様子を示す。図中１１は基板、３１は電極、矢印は
電気力線を表す。ここで電極の高さは基板表面より、よ
り高く壁状に設けることにより電界を集中させることが
でき基板表面より離れているバルクの液晶分子を動かす
ことによって、よりしきい値電圧を低くする効果が望め
る。但し、電極を高くすると弊害として電極表面の影響
を受け液晶の配向が乱され易いということが鋭意検討の
結果明らかになった。そこで第１の発明は電界の集中を
図りながら配向異常が生じない例えば逆台形または鼓型
等の電極形状を提供するものである。要するに不透明な
電極に突起部分を設けると共に電極と液晶の接する配向
の乱れた部分をその突起部分で隠すことにより画面上か
らはこの配向異常が見えないようにすることができるの
である。

【００３０】第２の発明の液晶表示装置は、基板の片方
に２種類以上の高さの異なる表示電極を設けこれら電極
間の電位差により液晶の配向方向を制御するものであ
る。図４に高さの違う電極間に電界をかけた場合の液晶
分子の様子を示す。図中１１は基板、４１は電極、４２
は液晶分子である。このように、従来大きく垂直方向に
回りこんでいた電気力線の垂直成分を電位差が生じる電
極間に高さの差を設けることにより電気力線の水平成分
を多くとることができる。更に、基板付近の液晶分子を
一部立ち上がらせ、液晶配列に一部縦方向の歪みを与え
ることができる。横方向電界のみでツイスト配向方向を
変えた場合、電界をなくした時の液晶分子の本来の配向
への戻りは液晶配列の歪みが小さい分トルクが小さいの
で戻る速度が小さいが、第２の発明のように縦方向に液
晶配列の歪みを大きくすることによって立ち下がりの応
答速度を増加させることが出来る。

【００３１】次に、高分子分散型液晶装置は基板間距離
を大きくとることは散乱能を十分大きくすることとなり
実用上大きな利点がある。第３の発明の液晶表示装置は
高分子分散型方式において横電場方式を採用することに
よって基板間距離によらず電極間距離は一定となり基板
間距離を広くすることができる。従って低電圧で十分な
散乱効果を期待できる。

【００３２】

【実施例】以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。

【００３３】（実施例１）図６は本発明の第１の実施例
である液晶表示装置のセル部分の断面図である。

【００３４】先ず、図５に示すように、第１の基板であ
る透明基板１１上に１０００Ａの厚さでＩＴＯ膜を蒸着
しポジ型感光性レジストを用いてスペース幅１０μｍと
してＩＴＯ膜をライン状にパターニングする。この際Ｉ
ＴＯのパターニング時間を十分長くすることにより基板
界面付近をオーバーエッチングさせ、上部幅５μｍ、基
板接合面の幅３μｍの逆台形状の電極５１を形成する。
次に、図６に示すように、基板１１上に配向膜を塗布し
た後、電極５１のライン方向にラビング配向処理を行
う。更に第２の基板である透明基板６１を配向処理した
後、配向方向が９０°になるように前記第１及び第２の
基板同士を組み合わせスペーサとして５μｍ径のグラス
ファイバーを挟みセルにし、Δｎ＝０．１０のｐ型液晶
を注入した。偏光板方向はノーマリーブラックとし液晶
表示装置を作成した。６２は電界をかけないときの液晶
分子の向いている方向を表す。この場合液晶分子の長軸
方向は基板１１付近では紙面に対し垂直方向を向いてお
り基板６１付近では紙面に平行方向を向いた状態になっ
ている。

【００３５】この様に作成した液晶表示装置は従来の電
極の断面が長方形の横電場方式のものと比べ、しきい値
電圧は８Ｖと格段に低くなっている。更に、視野角は左
右上下６５゜（ＣＲ＞１０Ｖ）と向上した。また、隣り
合わせた電極間に±１０Ｖの電圧をかけたところ、コン
トラスト１００：１と良好な表示が得られた。

【００３６】以下の実施例では同一部分は同一番号を付
してその詳しい説明を省略した。

【００３７】（実施例２）図７は本発明の第２の実施例
である液晶表示装置のセル部分の断面図である。本実施
例においては電極材料としてアルミニウムを用いた。

【００３８】先ず、透明基板１１上に７０００Ａの厚さ
でアルミニウム膜を蒸着しポジ型感光性レジストを用い
てスペース幅５μｍとしてアルミニウムをライン状にパ
ターニングする。この際アルミニウムのパターニング時
間を十分長くすることにより基板界面付近をオーバーエ
ッチングさせ、上部幅３μｍ、基板接合面の幅２μｍの
逆台形状の電極７１を形成する。

【００３９】次に、基板１１上に配向膜を塗布した後、
電極７１のライン方向にラビング配向処理を行う。更に
もう１枚の透明基板６１を配向処理した後、配向方向が
０°になるように基板同士を組み合わせスペーサとして
６μｍ径のポリスチレンビーズを挟みセルにし、Δｎ＝
０．１０のｐ型液晶を注入した。偏光板方向はノーマリ
ーブラックとし液晶表示装置を作成した。７２は電界を
かけないときの液晶分子の向いている方向を表す。この
場合液晶分子の長軸方向は紙面に垂直方向である。

【００４０】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は６Ｖと格段に
向上した。更に、視野角も左右上下７０゜（ＣＲ≧１
０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±８Ｖの
電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好な
表示が得られた。

【００４１】（実施例３）図８は本発明の第３の実施例
である液晶表示装置のセル部分の断面図である。本実施
例においては第２の実施例において電極の高さ及び電極
ラインのスペース幅を変えたものである。また、スペー
サは柱状のものを使用した。

【００４２】先ず、透明基板１１上に９０００Ａの厚さ
でアルミニウム膜を蒸着しポジ型感光性レジストを用い
てスペース幅７μｍとしてアルミニウムをライン状にパ
ターニングする。この際アルミニウムのパターニング時
間を十分長くすることにより基板界面付近をオーバーエ
ッチングさせ、上部幅３μｍ、基板接合面幅の２μｍの
逆台形状の電極８１を形成する。

【００４３】次に、基板１１上に配向膜を塗布した後、
電極８１のライン方向にラビング配向処理を行う。更に
もう１枚の透明基板６１を配向処理した後、配向方向が
０°になるように基板同士を組み合わせスペーサとして
厚さ６μｍのポリスチレンビーズを挟みセルにし、Δｎ
＝０．１０のｐ型液晶を注入した。偏光板方向はノーマ
リーブラックとし液晶表示装置を作成した。

【００４４】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４．５Ｖと格
段に向上した。更に、視野角も左右上下７０゜（ＣＲ≧
１０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖ
の電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好
な表示が得られた。

【００４５】（実施例４）図１２は本発明の第４の実施
例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。本実
施例においては電極を絶縁物であるＳｉＯ_X と導電物で
あるアルミニウムとで構成した。

【００４６】先ず、図９に示すように、透明基板１１上
に１μｍの厚さでＳｉＯ_X 膜を形成した後、感光性レジ
ストを用いてスペース幅７μｍとしてＳｉＯ_X をライン
状にパターニングする。この際ＳｉＯ_X のパターニング
時間を十分長くすることにより基板界面付近をオーバー
エッチングさせ、上部幅３μｍ、基板接合面の幅２μｍ
の逆台形状のＳｉＯ_X の突起物９１を形成する。

【００４７】次に、図１０に示すように、突起物９１を
有する基板１１上に１０００Ａの厚さでアルミニウム膜
１０１をＣＶＤ法により形成する。

【００４８】次に、図１１に示すように、基板１１に直
接ついたアルミニウム部分と突起物９１上のアルミニウ
ム部分を除去するためにＲＩＥ法等の異方性エッチング
を基板上方より行い突起物９１の側面にアルミニウム膜
１０１を残し電極１１１を形成した。

【００４９】次に、基板１１上に配向膜を塗布した後、
電極１１１のライン方向にラビング配向処理を行う。更
にもう１枚の透明基板６１を配向処理した後、配向方向
が０°になるように基板同士を組み合わせスペーサとし
て厚さ６μｍのポリスチレンビーズを挟みセルにし、Δ
ｎ＝０．１０のｐ型液晶を注入した。偏光板方向はノー
マリーブラックとし液晶表示装置を作成した。７２は電
解をかけないときの液晶分子の向いている方向を表す。

【００５０】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４．５Ｖと格
段に向上した。更に、視野角も左右上下７０゜（ＣＲ≧
１０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖ
の電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好
な表示が得られた。

【００５１】（実施例５）図１６は本発明の第５の実施
例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。本実
施例においては電極を高分子有機物である感光性ポリイ
ミドと導電物であるアルミニウムとで構成した。

【００５２】先ず、図１３に示すように、透明基板１１
上に３μｍの厚さでネガ型感光性ポリイミド膜を形成し
た後、スペース幅７μｍとしてポリイミド膜をライン状
に幅３μｍでパターニングした。この後高温焼成するこ
とによりポリイミド膜を収縮させラインの基板垂直断面
の中心部分が細い鼓型状の突起物１３１を形成した。

【００５３】次に、図１４に示すように、突起物を有す
る基板１１上に１０００Ａの厚さでアルミニウム膜１０
１をＣＶＤ法により形成する。

【００５４】次に、図１５に示すように、基板１１に直
接ついたアルミニウム部分と突起物１３１上のアルミニ
ウム部分を除去するためにＲＩＥ法等の異方性エッチン
グを基板上方より行い突起物１３１の側面にアルミニウ
ム膜１０１を残し電極１５１を形成した。

【００５５】次に、基板１１上に配向膜を塗布した後、
電極１３１のライン方向にラビング配向処理を行う。更
にもう１枚の透明基板６１を配向処理した後、配向方向
が０°になるように基板同士を組み合わせスペーサとし
て厚さ６μｍのポリスチレンビーズを挟みセルにし、Δ
ｎ＝０．１０のｐ型液晶を注入した。偏光板方向はノー
マリーブラックとし液晶表示装置を作成した。７２は電
解をかけないときの液晶分子の向かっている方向を表
す。

【００５６】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４．５Ｖと格
段に向上した。更に、視野角も左右上下７５゜（ＣＲ≧
１０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖ
の電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好
な表示が得られた。

【００５７】（実施例６）図１９は本発明の第６の実施
例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。本実
施例においては電界をかける電極間で電極の高さに差を
つけたものである。

【００５８】先ず、図１７に示すように、透明基板１１
上に５００Ａの厚さでＩＴＯ膜を蒸着した後、ポジ型感
光性レジストを用いてスペース幅１０μｍとして幅５μ
ｍのＩＴＯ膜１７１をライン状にパターニングする。

【００５９】次に、図１８に示すように、上記ＩＴＯ膜
１７１を有する基板１１上に３０００Ａのアルミニウム
膜を蒸着し、更にポジ型感光性レジストを用いて上記対
向するＩＴＯ膜１７１のいずれか一方に重なるようにパ
ターニングし、アルミニウム選択エッチングを行うこと
により１種類のＩＴＯ膜１７１（ａ）上にのみアルミニ
ウム膜１８１を残しもう一方の電極はアルミニウムをエ
ッチングしＩＴＯ膜１７１（ｂ）のみが基板表面に残る
ようにした。この様にしてスペース幅１０μｍで電極１
８２、１７１（ｂ）を作成した。この２種類の電極は基
板上に交互に配置している。

【００６０】次に、図１９に示すように、基板１１上に
配向膜を塗布した後、電極１８２、１７１（ｂ）のライ
ン方向にラビング配向処理を行った。更にもう１枚の透
明基板６１を配向処理した後、配向方向が９０°になる
ように基板同士を組み合わせスペーサとして５μｍ径の
グラスファイバーを挟みセルにし、Δｎ＝０．１０のｐ
型液晶を注入した。偏光板方向はノーマリーブラックと
し液晶表示装置を作成した。６２は電界をかけないとき
の液晶分子の向いている方向を表す。

【００６１】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は８Ｖと格段に
向上した。更に、視野角も左右上下７５゜（ＣＲ≧１
０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±１０Ｖ
の電圧をかけたところ、コントラスト１００：１と良好
な表示が得られた。また、立ち下がり応答速度を測定し
たところ、電極間に高さの差をつけないものと比較する
と１００ｍｓｅｃと格段に向上し応答速度の改善が図ら
れた。

【００６２】（実施例７）図２０は本発明の第７の実施
例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。本実
施例においては、第６の実施例において電極の幅を２μ
ｍとし、スペース幅を５μｍと変えて実施したものであ
る。

【００６３】この様な液晶表示装置は第１の実施例と同
様の効果を示し、しきい値電圧は６Ｖと格段に向上し
た。更に、視野角も視野角も左右上下７０゜（ＣＲ≧１
０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±１０Ｖ
の電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好
な表示が得られた。第６の実施例と比較してコントラス
トが向上したのは電界の集中の理由からだと考えられ、
スペース幅をより狭くするとより特性の優れた表示装置
を期待できる。また、立ち下がり応答速度を測定したと
ころ、電極間に高さの差をつけないものと比較すると８
０ｍｓｅｃと格段に向上し応答速度の改善が図られた。

【００６４】（実施例８）図２２は本発明の第８の実施
例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。本実
施例においては、高い方の電極をアルミニウム、低い方
の電極をＩＴＯで作成した。

【００６５】先ず、図２１に示すように、透明基板１１
上に５００Ａの厚さでＩＴＯ膜を蒸着した後、ポジ型感
光性レジストを用いてスペース幅３μｍとして幅３μｍ
のＩＴＯ膜２１１をライン状にパターニングする。次
に、ＩＴＯライン２１１を有する透明基板１１上に厚さ
５０００Ａのアルミニウム膜を蒸着する。更に、ポジ型
感光性レジストを用いてアルミニウムの選択エッチング
を行うことにより前記ＩＴＯ電極ライン２１１のライン
間の中央部に、スペース幅を１．５μｍとなるようにラ
イン幅３μｍのアルミニウム電極ライン２１２を形成す
る。この際アルミニウムパターニング時間を十分長くす
ることにより基板界面付近をオーバーエッチングさせ基
板接合面をライン幅２μｍの逆台形状の電極した。この
電極間に電界をかけた場合の電気力線の様子を矢印で示
す。

【００６６】次に、図２２に示すように、基板１１上に
配向膜を塗布した後、ＩＴＯ電極２１１、アルミニウム
電極２１２のライン方向にラビング配向処理を行った。
更にもう１枚の透明基板６１を配向処理した後、配向方
向が０°になるように基板同士を組み合わせスペーサと
して厚さ６μｍのポリスチレンビーズを挟みセルにし、
Δｎ＝０．１０のｐ型液晶を注入した。偏光板方向はノ
ーマリーブラックとし液晶表示装置を作成した。６２は
電界をかけないときの液晶分子の向いている方向を示
す。

【００６７】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４．５Ｖと格
段に向上した。更に、視野角も左右上下７０゜（ＣＲ≧
１０）゜と向上した。また、隣り合わせた電極間に±６
Ｖの電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良
好な表示が得られた。また、立ち下がり応答速度を測定
したところ、電極間に高さの差をつけないものと比較す
ると１００ｍｓｅｃと格段に向上し応答速度の改善が図
られた。

【００６８】（実施例９）図２５は本発明の第９の実施
例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。本実
施例においては電界をかける電極間で電極の高さに差を
つけたものである。

【００６９】先ず、図２３に示す用に、透明基板１１上
に１０００Ａの厚さでＩＴＯ膜２３１を蒸着する。この
ＩＴＯ膜２３１上にネガ型感光性ポリイミドを用いてス
ペース幅５μｍとして、幅３μｍ、高さ２μｍの絶縁層
２３２をライン状に形成する。

【００７０】次に、図２４に示す用に、基板１１上方か
らＩＴＯ２４１を異方的に蒸着することにより高い方の
電極２４２と低い方の電極２４３を形成する。この電極
間に電界をかけた場合の電気力線の様子を矢印で示す。

【００７１】次に、図２５に示す用に、基板１１上に配
向膜を塗布した後、電極２４２、２４３、のライン方向
にラビング配向処理を行った。更にもう１枚の透明基板
６１を配向処理した後、配向方向が０°になるように基
板同士を組み合わせスペーサとして６μｍ径のポリスチ
レンビーズを挟みセルにし、Δｎ＝０．１０のｐ型液晶
を注入した。偏光板方向はノーマリーブラックとし液晶
表示装置を作成した。６２は電界をかけないときの液晶
分子の向いている方向を示す。

【００７２】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は６Ｖと格段に
向上した。更に、視野角も左右上下７０゜（ＣＲ≧１
０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±８Ｖの
電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好な
表示が得られた。また、立ち下がり応答速度を測定した
ところ、電極間に高さの差をつけないものと比較すると
７０ｍｓｅｃと格段に向上し応答速度の改善が図られ
た。

【００７３】また、本実施例では基板上全ての低い方の
電極２４３が予め同電位で結ばれており、マトリックス
駆動上有利である。

【００７４】（実施例１０）図２８は本発明の第１０の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、第９の実施例において高い方の電
極の導電部をアルミニウム、絶縁部をＳｉＯ_X に変えた
ものである。

【００７５】先ず、図２６に示す用に、透明基板１１上
に５００Ａの厚さでＩＴＯ膜２３１を蒸着する。このＩ
ＴＯ膜２３１上に１μｍの厚さでＳｉＯ_X 膜を形成した
後、感光性レジストを用いてスペース幅７μｍとして、
上部幅３μｍ、高さ１μｍのＳｉＯ_X 絶縁層２６１をラ
イン状にパターニングする。この後、スパッタ法により
基板１１上方から異方的にアルミニウム膜２６２を１０
００Ａの厚さで形成する。

【００７６】次に、図２７に示す用に、光を通すため、
ＩＴＯ膜２３１上に直接ついたアルミニウム部分を除去
し高い方の電極２７１、低い方の電極２７２を形成し
た。この電極間に電界をかけた場合の電気力線の様子を
矢印で示す。

【００７７】次に、図２８に示す用に、基板１１上に配
向膜を塗布した後、電極２７１、２７２、のライン方向
にラビング配向処理を行った。更に、もう１枚の透明基
板６１を配向処理した後、配向方向が０°になるように
基板同士を組み合わせスペーサとして厚さ６μｍのポリ
スチレンビーズを挟みセルにし、Δｎ＝０．１０のｐ型
液晶を注入した。偏光板方向はノーマリーブラックとし
液晶表示装置を作成した。６２は電界をかけないときの
液晶分子の向いている方向を示す。

【００７８】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４Ｖと格段に
向上した。更に、視野角も左右上下７０゜（ＣＲ≧１
０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖの
電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好な
表示が得られた。また、立ち下がり応答速度を測定した
ところ、電極間に高さの差をつけないものと比較すると
１００ｍｓｅｃと格段に向上し応答速度の改善が図られ
た。

【００７９】また、本実施例では第９の実施例と同様、
低い方の電極２７２が予め同電位で結ばれており、マト
リックス駆動上有利である。

【００８０】（実施例１１）図３０は本発明の第１１の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、第８の実施例の高い方の電極をＳ
ｉＯ_X 絶縁層と、アルミニウム導電層によって形成した
ものである。

【００８１】先ず、図２９に示すように、透明基板１１
上に５００Ａの厚さでＩＴＯ膜を蒸着した後、ポジ型感
光性レジストを用いてスペース、幅７μｍとして幅５μ
ｍのＩＴＯ膜２１１をライン状にパターニングする。次
に、ＩＴＯライン２１１を有する透明基板１１上に厚さ
１μｍのＳｉＯ_X 膜を形成する。更に、感光性レジスト
を用いてＳｉＯ_X 選択エッチングを行うことにより、前
記ＩＴＯ電極ライン２１１の電極間の中央部に、スペー
ス幅を２μｍとなるようにライン幅３μｍのＳｉＯ_X 絶
縁層ライン２９１を形成する。次に、ＩＴＯライン２１
１、ＳｉＯ_X 絶縁膜ライン２９１を有する基板１１上に
１０００Ａの厚さでアルミ膜をＣＶＤで形成し、ＳｉＯ
_X 絶縁層２９１上に残るようにアルミニウム膜２９２を
パターニングし、電極２９３を形成した。この電極間に
電界をかけた場合の電気力線の様子を矢印で示す。

【００８２】次に、図３０に示すように、基板１１上に
配向膜を塗布した後、ＩＴＯ電極２１１、高い方の電極
２９３のライン方向にラビング配向処理を行った。更
に、もう１枚の透明基板６１を配向処理した後、配向方
向が０°になるように基板同士を組み合わせスペーサと
して厚さ６μｍのポリスチレンビーズを挟みセルにし、
Δｎ＝０．１０のｐ型液晶を注入した。偏光板方向はノ
ーマリーブラックとし液晶表示装置を作成した。６２は
電界をかけないときの液晶分子の向いている方向を示
す。

【００８３】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４．５と格段
に向上した。更に、視野角も左右上下７０゜（ＣＲ≧１
０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖの
電圧をかけたところ、コントラスト１００：１と良好な
表示が得られた。また、立ち下がり応答速度を測定した
ところ、電極間に高さの差をつけないものと比較すると
１００ｍｓｅｃと格段に向上し応答速度の改善が図られ
た。

【００８４】（実施例１２）図３２は本発明の第１２の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。

【００８５】先ず、図３１に示すように、透明基板１１
上に３μｍの厚さでネガ型感光性ポリイミド膜を形成し
た後、スペース幅７μｍとして幅３μｍのポリイミド膜
をライン状にパターニングする。この後高温焼成するこ
とにより収縮を起こし基板垂直断面が鼓型状のポリイミ
ドライン３２１を形成する。次に、ポリイミドライン３
２１を有する基板１１上に厚さ１０００ＡのＩＴＯ膜３
２２をスパッタで異方的に形成し基板に直接ついた部分
を電極３２４とし、ポリイミドライン３２１とその上部
に形成されたＩＴＯ膜３２２とで電極３２３を形成し
た。この電極間に電界をかけた場合の電気力線の様子を
矢印で示す。

【００８６】次に、図３２に示すように、基板１１上に
配向膜を塗布した後、電極３２３、３２４のライン方向
にラビング配向処理を行った。更にもう１枚の透明基板
６１を配向処理した後、配向方向が０°になるように基
板同士を組み合わせスペーサとして厚さ６μｍのポリス
チレンビーズを挟みセルにし、Δｎ＝０．１０のｐ型液
晶を注入した。偏光板方向はノーマリーブラックとし液
晶表示装置を形成した。た。６２は電界をかけないとき
の液晶分子の向いている方向を示す。

【００８７】この様に作成した液晶表示装置は第１の実
施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４Ｖと格段に
向上した。更に、視野角も左右上下７５゜（ＣＲ≧１
０）と向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖの
電圧をかけたところ、コントラスト１００：１と良好な
表示が得られた。また、立ち下がり応答速度を測定した
ところ、電極間に高さの差をつけないものと比較すると
２００ｍｓｅｃと格段に向上し応答速度の改善が図られ
た。

【００８８】（実施例１３）図３３は本発明の第１３の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、横電場方式で高分子分散型の液晶
表示装置を作成した。

【００８９】先ず、透明基板上１１に１０００Ａの厚さ
でＩＴＯ膜を蒸着した後、ポジ型感光性レジストを用い
てスペース幅１０μｍとして幅５μｍのＩＴＯ電極３３
１をライン状に形成する。

【００９０】次に、マトリックス高分子としてＥｐｏｎ
８１２のエポキシ樹脂を選び樹脂１００重量部に対し硬
化剤Ｃａｐｃｕｒｅ３−８００を１００重量部、液晶Ｅ
−７を２００重量部を混合した後２０μｍスペーサを介
し前記ＩＴＯ電極３３１を有する基板１１と、もう一枚
の基板６１とで挟む。

【００９１】次に、６０℃で３０分熱処理した後１００
℃まで昇温し、更に１０分熱処理をして高分子分散型液
晶表示装置を作成した。３３２は基板間に分散された液
晶を表す。

【００９２】この様に作成した液晶表示装置は、同じ基
板間隔で縦方向に電界をかけるタイプのものと比較する
と、しきい値電圧は１０Ｖと格段に向上した。また、隣
り合わせた電極間に±３０Ｖの電圧をかけたところ、投
射型でコントラスト１００：１と良好な表示が得られ
た。

【００９３】（実施例１４）図３４は本発明の第１４の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、実施例１３において電極にアルミ
ニウムを用い、更にその形状を逆台形状にし、高分子材
料を変えた液晶表示装置を作成した。

【００９４】先ず、透明基板１１上に７０００Ａの厚さ
でアルミニウム膜を蒸着しポジ型感光性レジストを用い
てスペース幅５μｍとしてアルミニウムをライン状にパ
ターニングする。この際アルミニウムパターニング時間
を十分長くすることにより基板界面付近をオーバーエッ
チングさせ、上部幅３μｍ、基板接合面の幅２μｍの逆
台形状の電極３４１を形成する。

【００９５】次に、マトリックス高分子としてＤｅｖｃ
ｏｎ５Ａ・Ｅｐｏｎ８１２の２種類のエポキシ樹脂を選
び硬化剤としてＣａｐｃｕｒｅ３−８００を用いてそれ
ぞれ１：１：２の割合で調整し、これを１：２で液晶Ｅ
−７に混合した後２０μｍスペーサを介し前記アルミニ
ウム電極３４１を有する基板１１ともう一枚の基板６１
とで挟む。

【００９６】次に、５０℃で２０分熱処理した後９０℃
まで昇温し、更に５分熱処理をして高分子分散型液晶表
示装置を作成した。３３２は基板間に分散された液晶を
表す。

【００９７】この様に作成した液晶表示装置は、第１３
の実施例よりも更にしきい値電圧を低くすることが可能
となり、その値は５Ｖと格段に向上した。また、隣り合
わせた電極間に±８Ｖの電圧をかけたところ、投射型で
コントラスト２００：１と良好な表示が得られた。

【００９８】（実施例１５）図３５は本発明の第１５の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、実施例１４において電極の高さ、
スペース幅を変えた液晶表示装置を作成した。

【００９９】先ず、透明基板１１上に９０００Ａの厚さ
でアルミニウム膜を蒸着しポジ型感光性レジストを用い
てスペース幅７μｍとしてアルミニウムをライン状にパ
ターニングする。この際アルミニウムパターニング時間
を十分長くすることにより基板界面付近をオーバーエッ
チングさせ、上部幅３μｍ、基板接合面の幅２μｍの逆
台形状の電極３５１を形成する。

【０１００】次に、マトリックス高分子としてポリエス
テルポリオールとヒドロキシプロピルアクリレートから
調整したポリウレタンアクリレート１００重量部に対し
液晶Ｅ−７を４００重量部と光重合開始剤２−ヒドロキ
シ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン４０
重量部を加え混合した後１０μｍスペーサを介し前記電
極３５１を有する基板１１ともう一枚の基板６１とで挟
む。

【０１０１】次に、８０℃、メタルハライドランプ３０
Ｗ／ｃｍの条件下で３分間紫外線照射した後更に９０
℃、メタルハライドランプ８０Ｗ／ｃｍの条件下で３分
間紫外線照射を行って高分子分散型液晶表示装置を作成
した。３３２は基板間に分散された液晶を表す。

【０１０２】この様に作成した液晶表示装置は、第１４
の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は６Ｖと格
段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±１０Ｖの
電圧をかけたところ、投射型でコントラスト２００：１
と良好な表示が得られた。

【０１０３】（実施例１６）図３７は本発明の第１６の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。

【０１０４】先ず、図３６に示すように、透明基板１１
上に１０μｍの厚さでＳｉＯX 膜を形成した後感光性レ
ジストを用いてスペース幅７μｍとしてＳｉＯX をライ
ン状にパターニングする。この際パターニング時間を十
分長くすることにより基板界面付近をオーバーエッチン
グさせ、上部幅３μｍ、基板接合面の幅２μｍの逆台形
状のＳｉＯX ライン３６１を形成する。

【０１０５】次に、図３７に示すように、ＳｉＯX ライ
ン３６１を有する基板１１上に１０００Ａの厚さでアル
ミニウム膜３７１をＣＶＤで等方的に形成する。次に、
基板に直接ついたアルミニウムとＳｉＯX ライン３６１
上部についたアルミニウムを除去するためＲＩＥ等によ
り選択エッチングを行い図に示すような電極３７２を形
成する。

【０１０６】次に、マトリックス高分子としてポリエス
テルポリオールとヒドロキシプロピルアクリレートから
調整したポリウレタンアクリレート１００重量部に対し
液晶Ｅ−７を４００重量部と光重合開始剤２−ヒドロキ
シ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン４０
重量部を加え混合した後５０μｍスペーサを介し前記電
極３７２を有する基板１１ともう一枚の基板６１とで挟
む。

【０１０７】次に、８０℃、メタルハライドランプ３０
Ｗ／ｃｍの条件下で３分間紫外線照射した後更に９０
℃、メタルハライドランプ８０Ｗ／ｃｍの条件下で３分
紫外線照射を行って高分子分散型液晶表示装置を作成し
た。３３２は基板間に分散された液晶を表す。

【０１０８】この様に作成した液晶表示装置は、第１４
の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は６Ｖと格
段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±１０Ｖの
電圧をかけたところ、投射型でコントラスト２００：１
と良好な表示が得られた。

【０１０９】（実施例１７）図３９は本発明の第１７の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、実施例１６において電極の絶縁部
を鼓型状のポリイミドとして液晶表示装置を作成した。

【０１１０】先ず、図３８に示すように、透明基板１１
上に３μｍの厚さでネガ型感光性ポリイミド膜を形成し
た後、スペース７μｍとして幅３μｍにポリイミドをラ
イン状にパターニングする。次に、高温焼成を行い、前
記ライン状のポリイミドを収縮させ、ラインの基板垂直
断面の中心が細い鼓型状のポリイミド３８１を形成す
る。

【０１１１】次に、図３９に示すように、前記ポリイミ
ド３８１を有する基板１１上に１０００Ａの厚さでアル
ミニウム膜をＣＶＤで等方的に形成する。次に、基板に
直接ついたアルミニウムとポリイミド３８１突起上部に
ついたアルミニウムを除去するためＲＩＥ等により選択
エッチングを行い図に示すような電極３９２を形成す
る。図中３９１はアルミニウムである。

【０１１２】次に、マトリックス高分子としてポリエス
テルポリオールとヒドロキシプロピルアクリレートから
調整したポリウレタンアクリレート１００重量部を用
い、これに対して液晶Ｅ−４４を４００重量部と光重合
開始剤２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロ
パン−１−オン２０重量部を加え混合した後、１００μ
ｍスペーサを介し前記電極３９２を有する基板１１とも
う一枚の基板６１とで挟む。

【０１１３】次に、６０℃、メタルハライドランプ３０
Ｗ／ｃｍの条件下で３分間紫外線照射をした後更に８０
℃、メタルハライドランプ８０Ｗ／ｃｍの条件下で３分
紫外線照射を行って高分子分散型液晶表示装置を作成し
た。

【０１１４】この様に作成した液晶表示装置は、第１４
の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は１０Ｖと
格段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±２０Ｖ
の電圧をかけたところ、投射型でコントラスト２００：
１と良好な表示が得られた。

【０１１５】（実施例１８）図４０は本発明の第１８の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、第６の実施例を高分子分散型にし
た液晶表示装置を作成した。

【０１１６】先ず、透明基板１１上に５００Ａの厚さで
ＩＴＯ膜を蒸着した後、ポジ型感光性レジストを用いて
スペース幅１０μｍとして幅５μｍのＩＴＯ膜４０１を
ライン状にパターニングする。

【０１１７】次に、上記ＩＴＯ膜４０１を有する基板１
１上に９０００Ａのアルミニウム膜を蒸着し、更にポジ
型感光性レジストを用いて上記対抗するＩＴＯ膜４０１
のいずれか一方に重なるようにパターニングし、アルミ
ニウムの選択エッチングを行うことにより１種類のＩＴ
Ｏ膜４０１（ａ）上にのみアルミニウム膜４０２を残し
もう一方の電極はアルミニウムをエッチングしＩＴＯ膜
４０１（ｂ）のみが基板表面に残るようにした。この様
にしてスペース幅１０μｍで電極４０３、４０１（ｂ）
を作成した。この２種類交の電極は基板上に交互に配置
している。

【０１１８】次に、マトリックス高分子としてＥｐｏｎ
８１２のエポキシ樹脂を選び樹脂１００重量部に対し硬
化剤Ｃａｐｃｕｒｅ３−８００ １００重量部 液晶Ｅ
−７２００重量部を混合した後６０μｍスペーサを介し
前記電極付きの基板ともう一枚の基板６１とで挟む。

【０１１９】次に、６０℃で３０分熱処理した後１００
℃まで昇温し、更に１０分熱処理をして高分子分散型液
晶表示装置を作成した。

【０１２０】この様に作成した液晶表示装置は、第１４
の実施例と同様の効果を示し、しきいち電圧は５Ｖと格
段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±１０Ｖの
電圧をかけたところ、投射型でコントラスト１００：１
と良好な表示が得られた。

【０１２１】（実施例１９）次に、本発明の第１９の実
施例を示す。本実施例においては、第１８の実施例にお
いて電極の高さ、ライン幅、スペース幅を変え更に樹脂
材料を変えた高分子分散型液晶表示装置を作成した。

【０１２２】先ず、透明基板に５００Ａの厚さでＩＴＯ
膜を蒸着した後、ポジ型感光性レジストを用いてスペー
ス幅２μｍとして幅５μｍのＩＴＯ膜をライン状にパタ
ーニングする。

【０１２３】次に、上記ＩＴＯ膜を有する基板上に３０
μｍのアルミニウム膜を蒸着し、更にポジ型感光性レジ
ストを用いて上記対抗するＩＴＯ膜のいずれか一方に重
なるようにパターニングし、アルミニウムの選択エッチ
ングを行うことにより１種類のＩＴＯ膜上にのみアルミ
ニウム膜を残しもう一方の電極はアルミニウムをエッチ
ングしＩＴＯ膜のみが基板表面に残るようにした。この
様にしてスペース幅５μｍ、電極ライン幅５μｍの電極
を２種類交互に形成した。

【０１２４】次に、マトリックス高分子としてＤｅｖｃ
ｏｎ５Ａ・Ｅｐｏｎ８１２の２種類のエポキシ樹脂を選
び硬化剤としてＣａｐｃｕｒｅ３−８００を用いてそれ
ぞれ１：１：２の割合で調整し１：２で液晶Ｅ−７に混
合した後５０μｍスペーサを介し前記電極付きの基板と
もう一枚の基板とで挟む。

【０１２５】次に、５０℃で２０分熱処理した後９０℃
まで昇温し更に５分熱処理をし高分子分散型液晶表示装
置を作成した。

【０１２６】この様に作成した液晶表示装置は、第１４
の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は５Ｖと格
段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±１０Ｖの
電圧をかけたところ、直視型でコントラスト５０：１と
良好な表示が得られた。

【０１２７】（実施例２０）図４１は本発明の第２０の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、第８の実施例において高分子分散
型の液晶表示装置とした。

【０１２８】先ず、透明基板１１上に５００Ａの厚さで
ＩＴＯ膜を蒸着した後、ポジ型感光性レジストを用いて
スペース幅６μｍとして幅３μｍのＩＴＯ膜４１１をラ
イン状にパターニングする。次に、ＩＴＯライン４１１
を有する透明基板１１上に厚さ５０００Ａのアルミニウ
ム膜を蒸着する。更に、ポジ型感光性レジストを用いて
アルミニウムの選択エッチングを行うことにより前記Ｉ
ＴＯ電極ライン４１１のライン間の中央部に、スペース
幅を１．５μｍとなるようにライン幅３μｍのアルミニ
ウム電極ライン４１２を形成する。この際アルミニウム
パターニング時間を十分長くすることにより基板界面付
近をオーバーエッチングさせ基板接合面をライン幅２μ
ｍの逆台形状の電極した。

【０１２９】次に、マトリックス高分子として、ポリエ
ステルポリオールとヒドロキシプロピルアクリレートか
ら調整したポリウレタンアクリレートを使用し、このポ
リウレタンアクリレート１００重量部に対し液晶Ｅ−７
を４００重量部、光重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メ
チル−１−フェニルプロパン−１−オンを４０重量部を
加え混合した後１０μｍスペーサを介し、前記電極４１
１、４１２を有する基板１１ともう一枚の基板６１とで
挟む。

【０１３０】次に、８０℃、メタルハライドランプ３０
Ｗ／ｃｍの条件下で３分間紫外線照射をし、更に９０
℃、メタルハライドランプ８０Ｗ／ｃｍの条件下で３分
間紫外線照射を行って高分子分散型液晶表示装置を作成
した。

【０１３１】この様に作成した液晶表示素子をクロスニ
コルとした偏光板２枚で挟み評価を行ったところ、第１
４の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４Ｖと
格段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖの
電圧をかけたところ、コントラスト２５０：１と良好な
表示が得られた。偏光板で挟むことにより高コントラス
トでの直視という効果を期待できる。

【０１３２】（実施例２１）図４２は本発明の第２１の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、第９の実施例において高分子分散
型の液晶表示装置とした。

【０１３３】先ず、透明基板１１上に１０００Ａの厚さ
でＩＴＯ膜４２１を蒸着する。このＩＴＯ膜４２１上に
ネガ型感光性ポリイミドを用いてスペース幅５μｍとし
て、幅３μｍ、高さ２μｍの絶縁層４２２をライン状に
形成する。

【０１３４】次に、基板上方からＩＴＯ膜４２３を異方
的に蒸着することにより高い方の電極４２４と低い方の
電極４２５を形成する。

【０１３５】次に、マトリックス高分子としてポリエス
テルポリオールとヒドロキシプロピルアクリレートから
調整したポリウレタンアクリレートを用い、このポリウ
レタンアクリレート１００重量部に対し液晶Ｅ−７を４
００重量部、光重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メチル
−１−フェニルプロパン−１−オンを４０重量部を加え
混合した後１５μｍスペーサを介し基板１１ともう一枚
の基板６１に挟む。

【０１３６】次に、８０℃、メタルハライドランプ３０
Ｗ／ｃｍの条件下で３分間紫外線照射し、更に９０℃、
メタルハライドランプ８０Ｗ／ｃｍの条件下で３分間紫
外線照射を行って高分子分散型液晶表示装置を作成し
た。

【０１３７】この様に作成した液晶表示素子をクロスニ
コルとした偏光板２枚で挟み評価を行ったところ、第１
４の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は６Ｖと
格段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±８Ｖの
電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好な
表示が得られた。第２０の実施例と同様偏光板で挟むこ
とにより高コントラストでの直視という効果を期待でき
る。

【０１３８】（実施例２２）図４３は本発明の第２２の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、第１０の実施例において高分子分
散型の液晶表示装置とした。

【０１３９】先ず、透明基板１１上に５００Ａの厚さで
ＩＴＯ膜４３１を蒸着する。このＩＴＯ膜４３１上に１
μｍの厚さでＳｉＯX 膜を形成した後、感光性レジスト
を用いてスペース幅７μｍとして、上部幅３μｍ、高さ
１μｍのＳｉＯ_X 絶縁層４３２をライン状にパターニン
グする。この後、スパッタ法により基板１１上方から異
方的にアルミニウム膜４３３を１０００Ａの厚さで形成
する。

【０１４０】次に、ＩＴＯ膜４３１上に直接ついたアル
ミニウム部分を除去し高い方の電極４３４、低い方の電
極４３５を形成した。

【０１４１】次に、マトリックス高分子としてポリエス
テルポリオールとヒドロキシプロピルアクリレートから
調整したポリウレタンアクリレートを用い、このポリウ
レタンアクリレート１００重量部に対し液晶Ｅ−４４を
４００重量部、光重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メチ
ル−１−フェニルプロパン−１−オンを２０重量部を加
え混合した後１０μｍスペーサを介し基板１１ともう一
枚の基板６１とで挟む。

【０１４２】次に、６０℃、メタルハライドランプ３０
Ｗ／ｃｍの条件下で３分間紫外線照射し、更に８０℃、
メタルハライドランプ８０Ｗ／ｃｍの条件下で３分間紫
外線照射を行って高分子分散型液晶表示装置を作成し
た。

【０１４３】この様に作成した液晶表示素子をクロスニ
コルとした偏光板２枚で挟み評価を行ったところ、第１
４の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４Ｖと
格段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖの
電圧をかけたところ、コントラスト２００：１と良好な
表示が得られた。第２０の実施例と同様偏光板で挟むこ
とにより高コントラストでの直視という効果を期待でき
る。

【０１４４】（実施例２３）図４４は本発明の第２３の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、第１１の実施例において高分子分
散型の液晶表示装置とした。

【０１４５】先ず、透明基板１１上に５００Ａの厚さで
ＩＴＯ膜を蒸着した後、ポジ型感光性レジストを用いて
スペース幅７μｍとして、幅５μｍのＩＴＯ膜４４１を
ライン状にパターニングする。次に、ＩＴＯライン４４
１を有する透明基板１１上に厚さ１０μｍのＳｉＯX 膜
を形成する。更に、感光性レジストを用いてＳｉＯ_X選
択エッチングを行うことにより、前記ＩＴＯ電極ライン
４４１の電極間の中央部に、スペース幅を２μｍとなる
ようにライン幅３μｍのＳｉＯ_X 絶縁層ライン４４２を
形成する。次に、ＩＴＯライン４４１、ＳｉＯX 絶縁膜
ライン４４２を有する基板１１上に１０００Ａの厚さで
アルミ膜をＣＶＤで形成し、ＳｉＯ_X 絶縁層４４２上に
残るようにアルミニウム膜４４３をパターニングし、電
極４４４を形成した。

【０１４６】次に、マトリックス高分子としてｎ−ブチ
ルアクリレート１００重量部アクリルオリゴマー２００
重量部を用い、これに対して液晶Ｅ−４４を４００重量
部と光重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フ
ェニルプロパン−１−オン１０重量部を加え混合した後
５０μｍスペーサを介し基板１１ともう一枚の基板６１
とで挟む。

【０１４７】次に、８０℃、メタルハライドランプ２０
Ｗ／ｃｍの条件下で５分間紫外線照射を行い、更にパネ
ル表面に無反射フィルムを張り付け高分子分散型液晶表
示装置を作成した。

【０１４８】この様に作成した液晶表示素子は、第１４
の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４Ｖと格
段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖの電
圧をかけたところ、直視型でコントラスト２００：１と
良好な表示が得られた。

【０１４９】（実施例２４）次に本発明の第２４の実施
例を示す。本実施例においては、第１７の実施例におい
て電極の高さ、ライン幅、樹脂材料を変えて液晶表示装
置を作成した。

【０１５０】先ず、透明基板上に２０μｍの厚さでネガ
型感光性ポリイミド膜を形成した後、スペース７μｍと
して幅３μｍにポリイミドをライン状にパターニングす
る。次に、高温焼成を行い、前記ライン状のポリイミド
を収縮させ、ラインの基板垂直断面の中心が細い鼓型状
のポリイミドを形成する。

【０１５１】次に、前記ポリイミドを有する基板上に１
０００Ａの厚さでアルミニウム膜をＣＶＤで等方的に形
成する。次に、基板に直接ついたアルミニウムとポリイ
ミド突起上部についたアルミニウムを除去するためＲＩ
Ｅ等により選択エッチングを行い電極形成する。

【０１５２】次に、マトリックス高分子としてｎ−ブチ
ルアクリレート１００重量部アクリルオリゴマー２００
重量部を用い、これに対して液晶Ｅ−４４を４００重量
部と光重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フ
ェニルプロパン−１−オン１０重量部を加え混合した後
５０μｍスペーサを介し基板１１ともう一枚の基板６１
とで挟む。

【０１５３】次に、８０℃、メタルハライドランプ２０
Ｗ／ｃｍの条件下で５分間紫外線照射を行い、更にパネ
ル表面に無反射フィルムを張り付け高分子分散型液晶表
示装置を作成した。

【０１５４】この様に作成した液晶表示装置は、第１４
の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４Ｖと格
段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖの電
圧をかけたところ、直視型でコントラスト２００：１と
良好な表示が得られた。

【０１５５】（実施例２５）図４５は本発明の第２４の
実施例である液晶表示装置のセル部分の断面図である。
本実施例においては、電極を基板間のギャップスペーサ
として用いた液晶表示装置を作成した。先ず、透明基板
１１上に２０μｍの厚さでネガ型感光性ポリイミド膜を
形成した後、スペース７μｍとして幅３μｍにポリイミ
ドをライン状にパターニングする。次に、高温焼成を行
い、前記ライン状のポリイミドを収縮させ、ラインの基
板垂直断面の中心が細い鼓型状のポリイミド４５１を形
成する。

【０１５６】次に、前記ポリイミド４５１を有する基板
１１上に１０００Ａの厚さでアルミニウム膜をＣＶＤで
等方的に形成する。次に、基板に直接ついたアルミニウ
ムとポリイミド４５１突起上部についたアルミニウムを
除去するためＲＩＥ等により選択エッチングを行い図に
示すような電極４５３を形成する。図中４５２はアルミ
ニウムである。

【０１５７】次に、マトリックス高分子としてｎ−ブチ
ルアクリレート１００重量部アクリルオリゴマー２００
重量部を用い、これに対して液晶Ｅ−４４を４００重量
部と光重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フ
ェニルプロパン−１−オン１０重量部を加え混合した
後、基板間隔２０μｍで基板１１ともう一枚の基板６１
とで挟む。

【０１５８】次に、８０℃、メタルハライドランプ２０
Ｗ／ｃｍの条件下で５分間紫外線照射を行い、更にパネ
ル表面に無反射フィルムを張り付け高分子分散型液晶表
示装置を作成した。

【０１５９】この様に作成した液晶表示装置は、第１４
の実施例と同様の効果を示し、しきい値電圧は４Ｖと格
段に向上した。また、隣り合わせた電極間に±６Ｖの電
圧をかけたところ、直視型でコントラスト２００：１と
良好な表示が得られた。

【０１６０】

【発明の効果】以上詳述したように、第１の発明の液晶
表示装置は、ツイスト配向させた液晶セルにおいて一方
の基板のみに特定形状の電極を設けその電極間で電位差
をつけることにより表示を行い、視野角が広く応答速度
が速くしきい値電圧が低く配向異常の少ない良好な表示
を行うことができるという実用上大きな利点がある。

【０１６１】また、第２の発明の液晶表示装置は、液晶
セルにおいて一方の基板のみに電極表面の最高位の位置
の異なる電極を設けその電極間で電位差をつけることに
より表示を行い、視野角が広く応答速度が速くしきい値
電圧が低く配向異常の少ない良好な表示を行うことがで
きるという実用上大きな利点がある。

【０１６２】また、第３の発明の液晶表示装置は、高分
子分散型液晶セルにおいて一方の基板のみに電極を設け
その電極間で電位差をつけることにより表示を行い、視
野角が広く応答速度が速くしきい値電圧が低くコントラ
ストが高い良好な表示を行うことができるという実用上
大きな利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の液晶表示装置の電極による電気力線
の様子を示す図

【図２】 本発明の液晶表示装置の電極による電気力線
の様子を示す図

【図３】 本発明の液晶表示装置の電極による電気力線
の様子を示す図

【図４】 本発明の液晶表示装置の電極による液晶分子
の配列の様子を示す図

【図５】 本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の
作成途中の断面図

【図６】 本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の
セル部分の断面図

【図７】 本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の
セル部分の断面図

【図８】 本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の
セル部分の断面図

【図９】 本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の
作成途中の断面図

【図１０】 本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図１１】 本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図１２】 本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置
のセル部分の断面図

【図１３】 本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図１４】 本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図１５】 本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図１６】 本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置
のセル部分の断面図

【図１７】 本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図１８】 本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図１９】 本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置
のセル部分の断面図

【図２０】 本発明の第７の実施例に係る液晶表示装置
のセル部分の断面図

【図２１】 本発明の第８の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図２２】 本発明の第８の実施例に係る液晶表示装置
のセル部分の断面図

【図２３】 本発明の第９の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図２４】 本発明の第９の実施例に係る液晶表示装置
の作成途中の断面図

【図２５】 本発明の第９の実施例に係る液晶表示装置
のセル部分の断面図

【図２６】 本発明の第１０の実施例に係る液晶表示装
置の作成途中の断面図

【図２７】 本発明の第１０の実施例に係る液晶表示装
置の作成途中の断面図

【図２８】 本発明の第１０の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図２９】 本発明の第１１の実施例に係る液晶表示装
置の作成途中の断面図

【図３０】 本発明の第１１の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図３１】 本発明の第１２の実施例に係る液晶表示装
置の作成途中の断面図

【図３２】 本発明の第１２の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図３３】 本発明の第１３の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図３４】 本発明の第１４の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図３５】 本発明の第１５の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図３６】 本発明の第１６の実施例に係る液晶表示装
置の作成途中の断面図

【図３７】 本発明の第１６の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図３８】 本発明の第１７の実施例に係る液晶表示装
置の作成途中の断面図

【図３９】 本発明の第１７の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図４０】 本発明の第１８の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図４１】 本発明の第２０の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図４２】 本発明の第２１の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図４３】 本発明の第２２の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図４４】 本発明の第２３の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図４５】 本発明の第２５の実施例に係る液晶表示装
置のセル部分の断面図

【図４６】 従来の横電場方式の液晶表示装置の液晶分
子の配列を表す図

【図４７】 従来の横電場方式の液晶表示装置の電気力
線を表す図

【符号の説明】

１１ 透明基板 ５１ 電極 ６１ 透明基板 ６２ 液晶分子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−218624（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−241133（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−238529（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1333

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板と、 前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板間に挟持された液晶
   材料と、前記第１の基板上に配置された複数の電極と、 を有し、前記複数の電極のうち隣り合う電極間の電位差
   により前記液晶材料の液晶配列を変化させ表示を行う横
   電場方式の液晶表示装置において、 各電極は、断面で見たときに、隣り合う電極方向に張り
   出した凸部を有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記電極は、断面で見たときに、前記第
   １の基板を下にして略逆台形状であることを特徴とする
   請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記電極は、断面で見たときに、高さ方
   向の中央部がくびれた鼓型状であることを特徴とする請
   求項１記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記液晶材料は、高分子に分散されてい
   ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 第１の基板と、 前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、 前記第１の基板及び前記第２の基板間に挟持された液晶
   材料と、 前記第１の基板上に配置された複数の電極と、 を有し、前記複数の電極のうち隣り合う電極間の電位差
   により前記液晶材料の液晶配列を変化させ表示を行う横
   電場方式の液晶表示装置において、 隣り合う電極同士は、前記第１の基板面からの高さが互
   いに異なることを特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記隣り合う電極のうち少なくとも一方
   が、断面で見たときに、隣り合う電極方向に張り出した
   凸部を有することを特徴とする請求項５記載の液晶表示
   装置。
7. 【請求項７】 前記隣り合う電極のうち少なくとも一方
   が、断面で見たときに、前記第１の基板を下にして略逆
   台形状であることを特徴とする請求項６記載の液晶表示
   装置。
8. 【請求項８】 前記隣り合う電極のうち少なくとも一方
   が、断面で見たときに、高さ方向中央部がくびれた鼓型
   状であることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装
   置。
9. 【請求項９】 前記液晶材料は、高分子に分散されてい
   ることを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。