CN102486587A - 液晶显示器的像素结构及形成方法 - Google Patents

Abstract

一种液晶显示器的像素结构及形成方法，包括：提供基板，依次在基板形成栅极金属层、绝缘层、有源层、像素电极、源极和漏极、钝化层、公共电极。其中，所述漏极部分表面与像素电极表面直接接触，所述像素电极和公共电极均被设计成了不连续的插指状结构，并且交叠区域小。与现有技术相比，本发明不仅简化了工艺，制作像素电极、公共电极时定位更加精准，而且，由于两电极交叠区域减小，对应两电极间的存储电容小，从而优化了薄膜晶体管结构，提高了液晶显示器的开口率和透过率。

Description

液晶显示器的像素结构及形成方法

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种液晶显示器的像素结构及形成方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是一种采用液晶材料制作的显示器，具有轻薄、功耗小、显示信息量大等优点，现已广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备的显示装置。由于液晶自身不发光，也无法依赖自然光采光，因此必须采用背光源以获得稳定、清晰地显示。液晶显示装置的原理是，在电场作用下，液晶分子的排列会发生偏转，从而影响通过其的光线变化，这种光线的变化通过偏光片的作用可以表现为明暗的变化。因此，人们通过对电场的控制最终控制了光线的明暗变化，从而达到显示图像的目的。

根据液晶分子转向后的排列方式分类，常见的液晶显示器可以分为：窄视角的扭曲向列(Twisted Nematic-LCD，TN-LCD)、超扭曲向列(Super TwistedNematic-LCD，STN-LCD)、双层超扭曲向列(Double Layer STN-LCD，DSTN-LCD)；宽视角的横向电场切换方式(In-Plane Switching，IPS)、边界电场切换技术(Fringe Field Switching，FFS)和多域垂直配向技术(Multi-Domain Vertical Alignment，MVA)等。其中，目前市场上最主流的液晶显示器采用的模式是TN型，但TN型液晶显示器在视角方面有天然痼疾，即使增加一层广视角补偿膜，仍无法满足广视角的要求。为此，许多公司都研发相关的广视角技术，IPS就是其中颇具优势的一种。

横向电场切换(IPS)技术利用空间厚度、摩擦强度并有效利用横向电场驱动的改变让液晶分子做最大的平面旋转角度来增加视角。换句话说，传统LCD显示器的液晶分子一般都在垂直-平行状态间切换，多域垂直配向技术(MVA)和PVA将其改良成垂直-双向倾斜的切换方式，而横向电场切换(IPS)则将液晶分子改为水平旋转切换作为背光通过方式，即不管在何种状态下液晶分子始终都与屏幕平行，只是在加电/常规状态下分子的旋转方向有所不同。为了配合这种结构，横向电场切换(IPS)对电极进行改良，电极做到了同侧，形成平面电场，从而避免了液晶在竖直方向上的偏转，可以达到较大的视角。横向电场切换(IPS)技术像素电极与公共电极位于同一层条状排列，由于位于电极上方的液晶无法进行面内偏转，导致横向电场切换(IPS)模式面板的有效开口率和透过率较低，为改善横向电场切换(IPS)模式的开口率，出现了边界电场切换(FFS)显示模式。

如图1所示，现有的边界电场切换(FFS)显示模式液晶显示面板，包括彩膜基板10、与彩膜基板10相对设置的阵列基板30，以及夹合于彩膜基板10和阵列基板30之间的液晶层20。所述阵列基板30的内侧设置有多个像素电极(pixel ITO)、公共电极和薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)。其中每一薄膜晶体管(TFT)与像素电极连接，而公共电极设置于像素电极下方。公共电极与像素电极之间形成边缘场效应，驱动液晶层20内的液晶分子转向。在阵列基板30的表面上，设置有多条分别平行的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线相互垂直相交，将液晶显示面板分成了若干个区域，这些区域被称为像素单元。图2a显示的是只是一个像素单元。为了突出像素电极和公共电极的结构，且便于观察，图2a省略了钝化层，图示的像素电极107部分是透过公共电极109之间的缝隙所看到的，可以看出，所述公共电极109为不连续的插指状结构。在所述扫描线101和所述数据线103的交点附近，形成作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)105。所述薄膜晶体管105包含有栅极、漏极和源极，所述栅极和所述扫描线103相连，所述源极与所述数据线103相连，所述漏极和所述像素电极107相连。图2b是图2a沿AA1方向的剖面图，从图2b可以看出，所述像素电极107为连续的结构，平铺于玻璃基底111上；且所述公共电极109位于像素电极107的上方且为不连续的插指状结构，且两者中间有钝化层117相隔开；源极与所述像素电极107位于同一层；所述玻璃基底111位于所述像素电极107和所述源极线115的下方，且通过绝缘层113隔开。

结合图2a和图2b得知，在薄膜晶体管(TFT)105的控制下，像素电极107和公共电极109形成的存储电容在放电情况下形成电场，由于两电极不位于同一层，所以两者形成的电场不仅可以使位于公共电极109之间的液晶分子运动，还可以使为于公共电极109之上的液晶分子运动。因此，边界电场切换(FFS)模式的液晶显示器视觉宽度大，但是由于光线需要穿过所述像素电极107和所述公共电极109，FFS模式液晶显示器仍然存在开口率、透过率低的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明解决的问题是提出了一种液晶显示器的像素结构及形成方法，提高了液晶显示器的广视角、开口率和透射率。

为解决上述问题，本发明公开一种液晶显示器像素结构的形成方法，包括：

提供基板，在所述基板上形成栅极金属层；

形成覆盖所述栅极金属层和所述基板的绝缘层；

在所述绝缘层表面形成有源层，所述有源层与所述栅极金属层相对应；

在所述绝缘层表面形成像素电极，所述像素电极具有多个间隙；

形成覆盖所述有源层的数据线金属层；

刻蚀所述数据线金属层，形成源极和漏极，所述漏极部分表面与像素电极表面直接接触；

形成覆盖所述数据线金属层和所述像素电极的钝化层；

在所述钝化层上形成具有多个缝隙的公共电极，所述公共电极位于所述像素电极上方。

可选地，所述绝缘层为G-SiNx、氮化硅、氧化硅。

可选地，所述像素电极为透明的氧化铟锡。

可选地，所述像素电极采用化学气相沉积和干刻蚀的方法形成，所述像素电极具有多个间隙，所述间隙宽2～5μm。

可选地，所述像素电极具有一端或两端闭合的不连续的插指状结构。

可选地，所述半导体层为非晶硅a-Si。

可选地，所述钝化层为透明材料氮化硅。

可选地，所述公共电极具有一端或两端闭合的不连续的插指状结构。

可选地，所述公共电极为透明的氧化铟锡。

可选地，所述公共电极与所述像素电极的交叠区域宽0～2μm。

可选地，所述像素电极的形成工艺为化学气相沉积和干刻蚀工艺，所述像素电极具有多个间隙，所述间隙宽2～5μm。

可选地，所述像素电极为透明的氧化铟锡。

可选地，所述像素电极具有一端或两端闭合的不连续的插指状结构。

可选地，所述各功能层制作的页序依次为：栅极金属层、绝缘层、有源层、像素电极、源极和漏极、钝化层、公共电极。

可选地，所述绝缘层为G-SiNx、氮化硅、氧化硅。

可选地，所述半导体层为非晶硅a-Si。

可选地，所述钝化层为透明材料氮化硅。

可选地，所述公共电极具有一端或两端闭合的不连续的插指状结构。

可选地，所述公共电极为透明的氧化铟锡。

可选地，所述公共电极与所述像素电极的交叠区域宽0～2μm。

上述方法形成的一种液晶显示器像素结构，包括：

基板；

位于所述基板之上的栅极；

位于所述栅极之上且覆盖整个基板的绝缘层；

形成在所述栅极正上方的有源层，所述有源层位于绝缘层上；

形成在所述绝缘层上的像素电极，所述像素电极存在多个间隙；

位于有源层上的源极和漏极，且漏极部分表面与像素电极表面直接接触；

覆盖在像素电极、源极、漏极和半导体层上的钝化层；

形成在钝化层上的具有多个缝隙的公共电极，所述公共电极位于所述像素电极上方。

可选地，所述基板采用玻璃基板。

可选地，所述绝缘层为G-SiNx、氮化硅、氧化硅。

可选地，所述像素电极和公共电极均为透明的氧化铟锡。

可选地，所述像素电极之间存在多个间隙，间隙宽2～5μm。

可选地，所述像素电极具有不连续的插指状结构。

可选地，所述半导体层为非晶硅a-Si。

可选地，所述钝化层为透明材料氮化硅。

可选地，所述公共电极与所述像素电极的交叠区域宽0～2μm。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：先在基板上形成不透明的栅极、有源层，有助于后续步骤形成透明的像素电极和公共电极时的精准定位；像素电极表面与漏极部分表面直接接触，省去了刻蚀接触孔，使所述像素电极与漏极电连接的步骤，简化了工艺；并且，将原本连续的像素电极设计成与普通电极一样的不连续的插指状结构，使像素电极和普通电极的交叠面积大大减小，从而优化了不透光的薄膜晶体管(TFT)结构，使得开口率得以提升；此外由于两层电极交叠面积的减小，还减少了电极对光的吸收，有效透过率也得到提升。与此同时，还具有边界电场切换技术的广视角的特点。

附图说明

图1是常规液晶显示器剖面结构示意图。

图2a、图2b是传统液晶显示器的像素结构平面图和AA1剖面图。

图3a、图3b是本发明液晶显示器的像素结构平面图和BB1剖面图。

图4是本发明液晶显示器的像素结构形成方法流程图。

图5至图12是本发明一实施例液晶显示器的像素结构形成方法流程。

图13至图16是本发明通过DIMOS软件获得的透过率模拟结果。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术部分所述，采用现有边界电场切换技术(FFS)制作的液晶显示器，仍然存在开口率、透过率低的问题。发明人研究发现，现有FFS模式的液晶显示器采用连续的像素电极存在问题。由于像素电极被设计为连续的薄膜，像素电极与公共电极有着很大的交叠面积，这就造成了存储电容过大，需要设计足够大的TFT满足电容的充放电要求，并且两者交叠面积越大，对于光的吸收也多，开口率和透过率均未能达到最佳条件。

针对上述问题，发明人提供了一种液晶显示器的像素结构及形成方法。为了突出两电极的结构，且便于观察，图3a所示为改进后的边界电场切换(FFS)模式液晶显示器的像素结构平面图，图3b是沿BB1方向的剖面图。由图3a可知，液晶显示器主要由两个区域组成，即控制区域I和显示区域II。所述控制区域I主要为薄膜晶体管(TFT)305、与周边相连的扫描线301、数据线303、及部分绝缘层313和部分玻璃基板311。显示区域II主要包括像素电极307、公共电极309、夹杂在两电极之间的钝化层317、部分绝缘层313和部分玻璃基板311。显示区域II主要通过控制区域I中的薄膜晶体管305控制。将图3a、图3b和图2a、图2b相对比发现，与传统的边界电场切换(FFS)模式液晶显示器不同，图3a、图3b中将像素电极307的结构设计成和公共电极309一样，所述像素电极307具有多个间隙，且所述像素电极307为不连续插指状结构。所述像素电极307和所述公共电极309交叠面积变小，两电极组成的存储电容变小，因此与之相对应的薄膜晶体管(TFT)305的结构可以适当减小，减少了不透光的薄膜晶体管(TFT)305占据的面积，提高开口率。此外，由于两层电极交叠面积减少，电极对光的吸收也会相应减少，从而有效增加了液晶显示器的有效透过率，实现了原有边界电场切换(FFS)模式液晶显示器显示特性的提升。

参考图4，示出了本发明薄膜晶体管像素结构制造方法流程图，包括：

执行步骤S401，提供基板，在所述基板上形成栅极金属层，刻蚀所述栅极金属层形成栅极；

执行步骤S403，形成覆盖所述栅极金属层的绝缘层；

执行步骤S405，在所述绝缘层表面形成有源层，所述有源层与所述栅极相对应；

执行步骤S407，在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极具有多个间隙；

执行步骤S409，形成覆盖所述有源层的数据线金属层；

执行步骤S411，刻蚀所述数据线金属层，形成源极和漏极，所述漏极与像素电极相连；

执行步骤S413，形成覆盖所述数据线金属层和所述像素电极的钝化层；

执行步骤S415，在所述钝化层上形成具有多个缝隙的公共电极，所述公共电极位于所述像素电极上方。

图5至图10示出了本发明薄膜晶体管像素结构形成方法的一个实施例流程，同时请参考图4所示的形成步骤。

参考图5，执行步骤S401，提供基板311，划分为控制区域I和显示区域II，在所述基板311上形成栅极金属层。在具体实施例中，可采用物理气相沉积的方法沉积栅极金属层，然后利用第一道掩膜图形化栅极金属层，形成栅极319和扫描线。所述栅极319与扫描线电连接，所述栅极319借助扫描线输入的信号来导通开关器件，即图3a中的薄膜晶体管(TFT)305。所述基板311为玻璃基板。

参考图6，实行步骤S403，形成覆盖所述栅极金属层和所述基板的绝缘层313。在具体实施例中，利用化学气相沉积的方法沉积所述绝缘层313，所述绝缘层可采用G-SiNx、氮化硅、氧化硅等作材料。用于保护栅极319。

参考图7，执行步骤S405，形成覆盖所述绝缘层321的有源层323，所述有源层323与所述栅极319相对应。在具体实施例中，利用化学气相沉积的方法在绝缘层321上沉积有源层323，所述有源层323采用的材料为非晶硅(a-Si)，形成半导体层，用于连接后续过程中形成的漏极和源极，使两者导电。

需要说明的是，在基板上先形成栅极319，然后形成覆盖所述栅极319的绝缘层321，再形成所述绝缘层321的有源层323，有助于后续形成像素电极、源极、漏极和公共电极步骤时的精准定位。具体原因为，所述基板为透明材料，而用于形成薄膜晶体管(TFT)的栅极319和有源层323为不透明材料，所述不透明的栅极319和有源层323可以作为基准在后续步骤中为形成透明材料的像素电极和公共电极进行精准定位。

参考图8，执行步骤S407，在所述绝缘层313上形成像素电极307，所述像素电极307具有多个间隙。在具体实施例中，利用化学气相沉积的方法在绝缘层313上沉积像素电极层。然后利用第二道掩膜图形化像素电极307，再采用干刻蚀法，形成像素电极307之间的多个间隙，刻蚀后形成的所述像素电极307之间的间隙宽为2～5μm，并且所述像素电极采用透明的氧化铟锡(indium tin oxides，ITO)作材料，光容易透过，用于增加液晶显示面板的透过率。

参考图9，执行步骤S409，形成覆盖所述有源层323的数据线金属层324。在具体实施例中，利用化学气相沉积的方法沉积数据线金属层324。然后在数据线金属层324上涂布光刻胶层(未图示)，这里的光刻胶层可以是本领域普遍使用的光刻胶层所形成的。然后再利用第三道掩膜，例如半灰调掩膜，对光刻胶层进行曝光显影，图形化光刻胶层，然后以图形化的光刻胶层为掩膜，采用湿法刻蚀的方法刻蚀预定形成数据线金属层324。再采用干法刻蚀的方法刻蚀有源层323至暴露像素电极307和绝缘层321。

对光刻胶层进行灰化处理，灰化数据线金属层324中心处的光刻胶层，使得该处的数据线金属层324被氧化。氧化该处的数据线金属层324，是为了在后续过程中刻蚀数据线金属层324，形成源漏极。

参考图10，执行步骤S411，刻蚀所述数据线金属层324，形成源极327和漏极315，所述源极327和漏极315均部分地与有源层重合。所述漏极315与像素电极307电连接。在具体实施例中，由于被氧化的数据线层324很难用湿法工艺来刻蚀，因此我们采用干法刻蚀工艺刻蚀氧化后的数据线金属层324。具体过程为：使用等离子体来图形化数据线金属层324，从而克服湿法工艺带来的技术问题。图形化数据线金属层324，形成漏极315、源极327和数据线(图上未示出)。所述漏极315部分表面与所述像素电极307表面直接接触，避免了传统工艺中需要刻蚀钝化层形成接触孔，使像素电极与漏极电连接，制作工艺简单。所述源极327与数据线电连接。所述源极327和漏极315通过数据线将输入的信号传送到显示区域II，控制显示区域II的明暗及色彩变化等。

参考图11，执行步骤S413，形成覆盖所述数据线金属层324和所述像素电极307的钝化层317。所述钝化层317主要是对源极307和漏极305、像素电极307、数据线、扫描线以及后续形成的公共电极进行保护和隔离，防止串扰的产生。在具体实施例中，利用化学气相沉积的方法沉积钝化层。考虑到液晶显示面板的透过率，所述钝化层采用可以透光的材料，例如氮化硅。

参考图12，执行步骤S415，在所述钝化层317上形成公共电极309。利用化学气相沉积和刻蚀的方法，在钝化层317上形成具有多个缝隙的公共电极309。在具体实施例中，所述公共电极309的制作采用和所述像素电极307相同的方法，先采用化学气相沉积的方法，在钝化层上形成一层由氧化铟锡组成的公共电极309层，然后利用第四道掩膜图形化公共电极309层，再采用干刻蚀法，形成公共电极309，所述公共电极309具有多个缝隙，所述公共电极309为一端或两端闭合的不连续的插指状结构。所述公共电极309采用的是透明的氧化铟锡(indium tin oxides，ITO)，可以使光线透过。

上述步骤执行完成之后，采用本发明制作的液晶显示器的像素结构制作完成。

在所述像素结构中，先在基板上形成不透明的栅极319、有源层323，有助于后续行形成透明的像素电极和公共电极时的精准定位；所述像素电极307表面与漏极315部分表面直接接触，省去了刻蚀接触孔，使所述像素电极307与漏极315电连接的步骤，简化了工艺；并且，所述像素电极307具有多个间隙，由于所述像素电极307具有多个间隙，从而减小了公共电极309和像素电极307之间的交叠区域，优化了薄膜晶体管结构，开口率和透过率得到提高。

依旧参考图12，依照上述的形成方法形成的液晶显示器的像素结构，包括：

基板311；

位于所述基板311之上的栅极319；

位于所述栅极311之上且覆盖整个基板的绝缘层313；

形成在所述栅极311正上方的有源层323，所述有源层323位于绝缘层313上；

形成在所述绝缘层313上的像素电极307，所述像素电极307具有多个间隙；

位于有源层上的源极327和漏极315，且所述漏极315部分表面与像素电极307表面直接接触；

覆盖在像素电极307、源极327、漏极315和有源层327上的钝化层317；

形成在钝化层317上的具有多个缝隙的公共电极309，所述公共电极位于所述像素电极上方。

在具体实施例中，所述基板311采用玻璃基板；所述绝缘层313为G-SiNx、氮化硅、氧化硅中的一种；所述像素电极307和所述公共电极309均采用透明的氧化铟锡作材料；所述公共电极309位于所述像素电极307上方；所述像素电极307存在多个间隙和所述公共电极309均存在多个缝隙，所述像素电极307的间隙宽2～5μm，两电极交叠区域宽0～2μm；所述像素电极和所述公共电极均为一端或两端闭合的不连续的插指状结构；所述有源层为非晶硅a-Si。

图13为图2a和图2b所示的现有的边界电场切换(FFS)模式的液晶显示器通过DIMOS软件获得的透过率曲线。参考图13，边界电场切换(FFS)模式下，每个单位像素包括设在阵列基板上的两个电极，像素电极107和公共电极109以形成电场，液体层20中的液晶分子在电场作用下发生偏转。虽然公共电极109和像素电极107为透明材料氧化铟锡(ITO)制成，但光线通过时，仍然会有一定的损失，透过率降低。如图13所示，所述像素电极107和公共电极均为透明的氧化铟锡(ITO)，两电极的电压分别为5V和0V。透过率曲线131反映的是传统结构下边界电场切换(FFS)模式的液晶显示器的透过率，所述像素电极107没有间隙。从透过率曲线131可以看出，两电极的交叠区域A处的透过率远小于其他区域，综合各其他区域的透过率，得出该边界电场切换(FFS)模式的液晶显示器的透过率为26.73％。

图14为本发明第一实施例的液晶显示装置通过DIMOS软件获得的透过率曲线。如图14所示，对像素电极307的结构进行了改进，所述像素电极307之间有间隙S1，其他条件与现有技术相同，所述像素电极307和公共电极309的材料均为透明的氧化铟锡(ITO)，两电极的电压分别为5V和0V。请参考图14，所述像素电极307之间有间隙S1宽2μm，所述像素电极307和公共电极309之间交叠区域B宽1.5μm。与图13相比，所述像素电极307和公共电极309的交叠区域大大减小，相应的，透过率曲线333中透过率明显较低的区域也已变小。整个液晶显示器的透过率为27.02％。

图15至图16也是本发明第一实施例的液晶显示装置通过DIMOS软件获得的透过率曲线。如图15至16所示，对像素电极307的结构进行了改进，所述像素电极307之间有间隙S2、S3，与图14所不同的是，在图15中所述像素电极307的间隙S2宽度为3μm，在图16中所述像素电极307的间隙S3宽度为5μm，两电极交叠区域的宽度也相应发生了变化，在图15中两电极交叠区域的宽度B为1μm，在图16中两电极交叠区域的宽度0μm。所述液晶显示器的透过率曲线335和337分别为27.31％和27.64％。

通过对比图14至图15可知，随着像素电极307之间的间隙宽度的逐渐增加，两电极交叠区域逐渐减小，液晶显示装置的透过率逐渐增加，其中两电极的交叠区域为0时，透过率最高；两电极交叠的区域透过率明显低于其他区域的透过率。同时对比图13可以得知，改进后的像素电极结构确实可以增加边界电场切换(FFS)模式的液晶显示器的透过率。

应该理解，上述的具体实施例仅是示例性的，本领域技术人员可以在不背离本申请和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，做出各种修改和更正。

Claims (20)

1.一种液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上形成栅极金属层，并刻蚀形成栅极和扫描线；

形成覆盖所述栅极金属层和所述基板的绝缘层；

在所述绝缘层表面形成有源层，所述有源层与所述栅极相对应；

在所述绝缘层表面形成像素电极，所述像素电极具有多个间隙；

形成覆盖所述有源层的数据线金属层；

刻蚀所述数据线金属层，形成源极和漏极，所述漏极部分表面与像素电极表面直接接触；

形成覆盖所述数据线金属层和所述像素电极的钝化层；

在所述钝化层上形成具有多个缝隙的公共电极，所述公共电极位于所述像素电极上方。

2.如权利要求1所述液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述像素电极的形成工艺为化学气相沉积和干刻蚀工艺，所述像素电极具有多个间隙，所述间隙宽2～5μm。

3.如权利要求2所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述像素电极为透明的氧化铟锡。

4.如权利要求3所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述像素电极具有插指状结构。

5.如权利要求1所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述各功能层制作的顺序依次为：栅极金属层、绝缘层、有源层、像素电极、源极和漏极、钝化层、公共电极。

6.如权利要求1所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述绝缘层为G-SiNx、氮化硅、氧化硅。

7.如权利要求1所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述半导体层为非晶硅a-Si。

8.如权利要求1所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述钝化层为透明材料氮化硅。

9.如权利要求1所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述公共电极具有一端或两端闭合的不连续的插指状结构。

10.如权利要求9所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述公共电极为透明的氧化铟锡。

11.如权利要求1所述的液晶显示器像素结构形成方法，其特征在于，所述公共电极与所述像素电极的交叠区域宽0～2μm。

12.一种如权利要求1～11所述的任一项形成方法形成的液晶显示器像素结构，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板之上的栅极；

位于所述栅极之上且覆盖整个基板的绝缘层；

形成在所述栅极正上方的有源层，所述有源层位于绝缘层上；

形成在所述绝缘层上的像素电极，所述像素电极存在多个间隙；

位于有源层上的源极和漏极，且所述漏极与像素电极相连；

覆盖在像素电极、源极、漏极和半导体层上的钝化层；

形成在钝化层上的具有多个缝隙的公共电极，所述公共电极位于所述像素电极上方。

13.如权利要求12所述的液晶显示器像素结构，其特征在于，所述基板采用玻璃基板。

14.如权利要求12所述的液晶显示器像素结构，其特征在于，所述绝缘层为G-SiNx、氮化硅、氧化硅。

15.如权利要求12所述的液晶显示器像素结构，其特征在于，所述像素电极和公共电极均为透明的氧化铟锡。

16.如权利要求15所述的液晶显示器像素结构，其特征在于，所述像素电极之间存在多个间隙，间隙宽2～5μm。

17.如权利要求16所述的液晶显示器像素结构，其特征在于，所述像素电极具有不连续的插指状结构。

18.如权利要求12所述的液晶显示器像素结构，其特征在于，所述半导体层为非晶硅a-Si。

19.如权利要求12所述的液晶显示器像素结构，其特征在于，所述钝化层为透明材料氮化硅。

20.如权利要求12所述的液晶显示器像素结构，其特征在于，所述公共电极与所述像素电极的交叠区域宽0～2μm。

Images