JP2008052161A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現できる液晶装置を提供
する。
【解決手段】互いに対向し液晶層７を挟持する第１基板４及び第２基板５と、第１基板４
上に設けられたスイッチング素子２１と、第１基板４上に設けられたスイッチング素子２
１のドレイン電極端子３５と同じ層に設けられ、該ドレイン電極端子３５と接続された画
素電極２２と、スイッチング素子２１及び画素電極２２を覆って第１基板４上に設けられ
た絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた共通電極２４とを有する液晶装置である。画
素電極２２と共通電極２４との間に横斜め電界Ｅが形成され、この横斜め電界Ｅによって
液晶分子が基板水平面内で配向制御される。共通電極２４はベタ状態の電極であり、開口
率を高めることができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、横電界によって液晶分子の配向を制御する液晶装置及びそれを用いた電子機
器に関する。

現在、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）等といっ
た電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種情報を表示
する表示部として液晶装置が用いられている。この液晶装置として、従来、ＴＮ（Twiste
d Nematic）液晶を用いた液晶装置に代表される縦電界型の液晶装置が知られている。こ
の液晶装置では、基板に対して直角方向に電界を形成することにより液晶分子を基板に対
して直角方向に立たせる状態で液晶分子の配向制御を行い、その液晶分子の配向制御に対
応した光透過率変化を利用して表示が行われる。

上記の縦電界型の液晶装置においては、液晶分子を基板面に対して直角方向に駆動する
ため、液晶装置の表示面を見る角度により液晶分子を違う方向から見ることになり、視野
角が狭い傾向にあるという問題を有していた。この問題を解消した液晶装置として、横電
界型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

横電界型の液晶装置では、基板に対して平行方向に電界を形成することにより液晶分子
を基板面と平行な面内で回転させ、その液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用し
て表示が行われる。この横電界型の液晶装置においては、液晶装置の表示面を見る角度が
変わっても、液晶分子を見る方向は同じであるので、視野角が広くなるという長所を有し
ている。

特開２００２−１８２２３０号公報（第４〜５頁、図４）

図１０は、特許文献１に開示された従来の横電界型液晶装置、特にＦＦＳ（Fringe Fie
ld Switching）モードの液晶装置における１つの画素近傍の平面的な構成を示している。
図１１は、図１０のＺ０−Ｚ０線に従った断面構造を模式的に示している。なお、複数色
、例えばＲ(赤色)、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色によってカラー表示を行う場合は、Ｒ
，Ｇ，Ｂの３つの画素の集まりを画素と呼び、Ｒ，Ｇ，Ｂの個々の画素（すなわち、単位
画素）をサブ画素と呼ぶことがあるが、図１０に示す画素はサブ画素に相当するものであ
る。

ＦＦＳモードの液晶装置では、図１０に示すように、複数本のゲート線２０１と複数本
のデータ線２０２が平面的に見て互いに交差した状態に配置されている。そして、ゲート
線２０１とデータ線２０２との交差部にスイッチング素子であるＴＦＴ素子２０３が設け
られている。

ゲート線２０１とデータ線２０２によって囲まれた平面領域内には、画素電極２０４が
形成されている。画素電極２０４の平面形状は長方形状であり、その内部に複数の長方形
状スリット（すなわち、貫通開口）Ｓ_０が設けられている。また、画素電極２０４の下層
（すなわち、図１０の奥側）には、絶縁膜２０７（図１１参照）を挟んで画素電極２０４
に平面的に重なる位置に共通電極２０６が形成されている。共通電極２０６は、実際には
画素電極２０４と略同じ面積の長方形状に形成されることが多いが、図１０では構成を分
かり易く示すために共通電極２０６を画素電極２０４よりも少し大きく描いている。

このように、画素電極２０４及び共通電極２０６が設けられた平面領域内、すなわち、
ゲート線２０１とデータ線２０２によって囲まれた平面領域内にサブ画素Ｄが形成されて
いる。また、異なるサブ画素Ｄに属する個々の共通電極２０６同士は、ゲート線２０１と
平行に設けられた共通信号線２０５によって互いに導電接続されている。

画素電極２０４に複数のスリットＳ_０を設けたことにより、共通電極２０６と画素電極
２０４との間に電圧を印加すると、図１１に示すように、両電極間に縦方向でない横方向
（すなわち、図のＹ方向）に進む電界が発生する。また、共通電極２０６と画素電極２０
４とが絶縁膜２０７を介して積層されているため、共通電極２０６と画素電極２０４との
基板面に沿った距離がゼロであるので、画素電極２０４とスリットＳ_０との境界の近傍に
は、基板面に対して垂直な方向（すなわち、図のＺ方向）にも電界が発生する。その結果
、図１１において符号Ｅで示すように横斜め電界又は放物線電界が発生する。この横斜め
電界が発生する領域が、いわゆるフリンジフィールドと呼ばれている。

横電界型液晶装置として、ＦＦＳモード以外にＩＰＳ（In-Plain Switching）モードの
液晶装置が知られている。このＩＰＳモードの場合には共通電極と画素電極との間の基板
面に沿った距離が長く設定されているため、電界は主にそれらの電極間で基板面と平行な
横方向のみに発生し、画素電極の上方領域には電界が形成されないという現象が生じ、そ
のために開口率が低くなる傾向にあった。これに対し、ＦＦＳモードの場合には、上記の
横斜め電界の作用により、画素電極２０４の上方領域にも十分な電界を形成することが可
能となり、その結果、互いに隣接する電極２０４，２０４間に在る液晶分子はもとより、
画素電極２０４の上方に在る液晶分子をも十分に駆動することができることになり、開口
率を高めることが可能となっている。

ところで、特許文献１に開示された図１０の液晶装置において、複数の共通電極２０６
に導通する共通信号線２０５は、液晶装置の開口率を考慮すれば、透光性を有することが
望ましい。一方、共通信号線２０５は、液晶装置の動作を考慮すれば、低抵抗の材料で形
成されることが望ましい。しかしながら、透光性の導電材料は、一般に金属材料等に比べ
て抵抗値が高いので、共通信号線２０５を透光性の導電材料を用いて形成することは難し
かった。そのため、高い開口率と安定した動作の両方を実現できる液晶装置を得ることは
難しかった。

また、画素電極２０４と共通電極２０６とから成る、いわゆるＦＦＳ構造はゲート線２
０１、データ線２０２及び共通信号線２０５に囲まれた平面領域内に配置されているので
、画素電極２０４の面積、すなわち表示に寄与するサブ画素Ｄの面積を広くすることが難
しかった。そのため、液晶装置の開口率を高くすることが難しかった。また、ＴＦＴ素子
２０３のドレイン電極端子と画素電極２０４とを導通させるためにスルーホール等といっ
たコンタクト穴を設ける必要があり、このコンタクト穴の近傍では光漏れが生じるおそれ
があるのでこの部分は表示領域に寄与できない領域とされていた。

以上のように、特許文献１に開示された横電界型の液晶装置においては、（１）共通電
極へ信号を伝送するために所定線幅の共通信号線を基板上に形成していた。この信号線は
、低抵抗である必要があり低抵抗の金属によって形成されることが多かった。この金属は
一般に不透明であった。また、（２）共通信号線を設けた領域は電界制御領域として用い
ることができないので、仮に共通信号線をＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ
酸化物）等といった透光性材料によって形成したとしても、この共通信号線の領域を表示
に寄与する領域とすることは難しかった。また、（３）従来の横電界型の液晶装置では、
基板上に共通電極と共にスイッチング素子を形成し、それらの上に絶縁膜を形成し、その
上に画素電極を形成していた。そして、スイッチング素子と画素電極とを導通させるため
に絶縁膜の適所にコンタクト穴を設けていた。このコンタクト穴は光漏れを誘起するので
表示に寄与する領域とすることは難しかった。以上の（１）から（３）の理由により、従
来の横電界型の液晶装置は開口率が低くなる傾向にあるという問題があった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、構成を複雑にすることなく開
口率の高い明るい表示を実現できる液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係る液晶装置は、互いに対向し液晶層を挟持する第１基板及び第２基板と、前
記第１基板上に設けられたスイッチング素子と、前記第１基板上に設けられた前記スイッ
チング素子の電極端子と同じ層に設けられて該電極端子と接続された画素電極と、前記ス
イッチング素子及び前記画素電極を覆って前記第１基板上に設けられた絶縁膜と、該絶縁
膜上に設けられた共通電極とを有することを特徴とする。

この液晶装置によれば、基板に近い位置に画素電極が形成され、その上に共通電極が形
成される。このため、共通電極は複数の画素をマトリクス状に配列して成る表示領域の全
面にわたって面状に（いわゆる、ベタ状に）形成することができ、画素（或いはサブ画素
）毎に別個に独立したパターンで形成するする必要がなくなる。それ故、ＩＴＯ等といっ
た透明材料を用いて共通電極を形成した場合でも抵抗が高くなり過ぎることを防止できる
。また、基板上に共通信号線を形成する必要がなくなるので、その分だけ画素領域を大き
く形成することができる。また、スイッチング素子の電極端子に画素電極を直接に接続さ
せることができ、スルーホールを形成する必要がなくなるので、光漏れを生じさせる領域
が無くなる。以上の結果、構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現でき
る。

次に、本発明に係る液晶装置において、前記スイッチング素子と前記画素電極が同じ層
に設けられていることが望ましい。こうすれば、スイッチング素子、電極端子及び画素電
極を同じ層に設けることができるので、画素電極と共通電極との間に設けられる絶縁膜を
減らすことができる。その結果、製造コストを上げることなく開口率の高い明るい表示を
実現できる。

次に、本発明に係る液晶装置において、共通電極及び画素電極は透光性を有することが
望ましい。この構成により、開口率の向上が確保できる。

次に、本発明に係る液晶装置において、共通電極は複数の画素によって形成された表示
領域内の全面にわたって面状に設けられることが望ましい。この構成により、共通電極を
透光性材料によって形成した場合でも電気抵抗を低く抑えることができる。

次に、本発明に係る液晶装置において、共通電極は個々の画素内において複数の互いに
平行な斜めスリットを有することが望ましい。横電界型の液晶装置の中にはＩＰＳモード
及びＦＦＳモードがある。ＦＦＳモードはＩＰＳモードに比べて高い開口率を得ることが
できる。このＦＦＳモードに対して本発明を適用すれば、開口率をさらに高めることがで
きる。

次に、本発明に係る液晶装置において、スイッチング素子は２端子型スイッチング素子
や３端子型スイッチング素子とすることができる。２端子型スイッチング素子としては、
例えばＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）が考えられる。３端子型スイッチン
グ素子としては、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）が考えられ
る。なお、ＴＦＴを用いる場合には、ドレイン電極端子が前記電極端子となる。ＴＦＴを
用いる場合には、基板上にゲート線及びドレイン線をマトリクス状に形成しなければなら
ず、これらに加えてさらに共通信号線を形成するのでは画素領域が狭くならざるを得ない
。しかしながら、本発明を採用することによって基板上に共通信号線を形成しなくても済
むことになれば、開口率の向上に大きく資することになる。

次に、本発明に係る液晶装置は、第１基板上に設けられスイッチング素子に信号を伝送
する信号線を有することができ、その場合には平面視でその信号線に重なる部分の一部に
は共通電極を設けないことが望ましい。スイッチング素子としてＴＦＴを用いる場合は、
信号線としてゲート線及びドレイン線が考えられる。スイッチング素子としてＴＦＤを用
いる場合はダイオードの一方の端子に接続されるデータ線が考えられる。本発明では、表
示領域内の広い範囲に面状の共通電極を形成できることが大きな利点であるが、信号線を
覆う位置までも共通電極で覆ってしまうと、信号線と共通電極との間の容量が大きくなっ
てしまうために消費電力が上昇するおそれがある。これに対し本発明態様のように、信号
線に対応する部分には共通電極を設けないことにすれば、不要な容量を削減できる。

次に、本発明に係る液晶装置において、電圧印加時に前記画素電極と前記共通電極の間
に電界を生じさせることが望ましい。この構成で発生させる電界は横斜め方向の電界であ
る。横斜め電界とは、ＩＰＳモードにける横電界のような基板面に対して平行なだけの電
界ではなく、液晶分子を斜めに傾けながら放物線状に横方向へ配向させるような電界のこ
とである。この電界は、共通電極と画素電極との間の基板面に沿った距離が液晶層の厚さ
よりも小さい（距離がゼロの場合も含む）というＦＦＳモードの場合に得られる電界であ
る。

次に、本発明に係る液晶装置において、第１基板の液晶挟持側の面に沿って互いに隣接
する画素電極と共通電極との間の距離をＤ_０とし、液晶層の層厚をＤ_１とするとき、
Ｄ_１＞Ｄ_０
であることが望ましい。この構成は横斜め電界を形成し得る具体的な条件を規定するもの
である。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴と
する。このような電子機器としては、携帯電話機、ＰＤＡ、液晶ディスプレイ等が考えら
れる。本発明に係る液晶装置によれば、液晶装置において構成を複雑にすることなく開口
率の高い明るい表示を実現できるので、本発明に係る電子機器においても、電子機器に関
する各種の情報を明るく見易い状態で表示できる。

（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、透過型でカラー表示が可能なアクティブマトリクス方式
の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。また、本
実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素
子をスイッチング素子として用いた液晶装置に本発明を適用する。また、本実施形態にお
ける液晶装置では、動作モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードを採用す
るものとする。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また
、以下の説明で用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸
法を実際とは異なった比率で示す場合がある。

図１は、本発明に係る液晶装置の断面構造を示している。図２は、図１の矢印Ｚ１で示
す部分、すなわち１つのサブ画素近傍を拡大して示している。図３は、図２の液晶パネル
における図面下方の素子基板の平面構造を矢印Ａに従って示している。なお、図２は、図
３のＺ２−Ｚ２線に従って示す断面図である。

図１において、液晶装置１は、液晶パネル２と照明装置３とを有する。この液晶装置１
に関しては、矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関
して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。

液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互
いに貼り合わされた一対の基板４及び５を有する。基板４はスイッチング素子が形成され
る素子基板である。また、基板５はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板であ
る。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板５が配置され、観察側から見て背面に
素子基板４が配置される。

シール材６は、素子基板４とカラーフィルタ基板５との間に間隙、いわゆるセルギャッ
プＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入
口を介して素子基板４とカラーフィルタ基板５との間に電気光学物質である液晶が注入さ
れる。注入された液晶はセルギャップＧ内で液晶層７を形成する。液晶注入口は液晶の注
入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶
注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によっ
て囲まれる領域内に液晶を滴下する方法でもよい。本実施形態では、液晶として、負の誘
電率異方性を有するネマティック液晶（いわゆる、ネガ液晶）を用いることにする。なお
、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶に代えて、正の誘電率異方性を有するネマ
ティック液晶（いわゆる、ポジ液晶）を用いることもできる。

セルギャップＧの間隔、従って液晶層７の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数
のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂
部材を素子基板４又はカラーフィルタ基板５の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に
置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定
の位置に柱状に形成することもできる。

照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１１と、導光体１２とを
有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用
いることもできる。導光体１２は、例えば透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によ
って形成され、ＬＥＤ１１に対向する側面が光入射面１２ａであり、液晶パネル２に対向
する面が光出射面１２ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１２の背面には、必
要に応じて、光反射膜１３が設けられる。また、導光体１２の光出射面１２ｂには、必要
に応じて、光拡散膜１４が設けられる。

素子基板４は、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成された
第１の透光性の基板４ａを有する。この第１透光性基板４ａの外側表面には偏光板１５ａ
が貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１５ａ以外の光学要素、例えば位相差板を
付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板４ａの内側表面には、矢印Ｚ１で示
す部分の拡大図である図２及びその平面図である図３に示すように、ソース線１９が列方
向Ｙ（すなわち、図２の左右方向）に延びている。また、ゲート線２０が行方向Ｘ（すな
わち、図２の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するア
クティブ素子であるＴＦＴ素子２１がソース線１９及びゲート線２０に接続して形成され
ている。

ＴＦＴ素子２１と同じ層内に画素電極２２が形成されている。画素電極２２はスリット
を持たない長方形状で平板状の電極である。ＴＦＴ素子２１、画素電極２２、ソース線１
９及びゲート線２０の上にそれらを覆う絶縁膜である保護膜２３が形成され、その上に共
通電極２４が形成され、その上に配向膜２５ａが形成されている。共通電極２４は複数の
サブ画素Ｄによって形成される表示領域の全体にわたって面状（いわゆる、ベタ状）に形
成され、個々のサブ画素Ｄ内に複数の斜めのスリット（すなわち、貫通開口）２６を有し
ている。スリット２６を形成する部分の共通電極２４は図２の紙面垂直方向に延びる帯状
になっている。スリット２６の一端を外部へ開放する形状とすれば、複数の帯状の共通電
極２４は矢印Ａ方向から見たときに櫛歯状の形状となる。

本実施形態では、スリット２６を形成している複数の帯状の共通電極２４の下方位置に
面状の画素電極２２が設けられているので、帯状の共通電極２４と画素電極２２との間の
基板平面に沿った（すなわち、Ｙ方向に沿った）距離をＤ_０とすると、Ｄ_０＝０（ゼロ）
であり、液晶層７の層厚をＤ１とすれば、
Ｄ１＞Ｄ０ …（１）
である。

画素電極２２は必ずしも面状の電極でなければならないわけではなく、共通電極２４に
設けたスリット２６と平行なスリットを設けることによって画素電極２２も図２の紙面垂
直方向に延びる帯状に形成することができる。このように画素電極２２を帯状の共通電極
２４と平行に延びる帯状に形成した場合には、帯状の共通電極２４と帯状の画素電極２２
との間の距離Ｄ０がゼロ以外の値をとる場合がある。この場合でも、上式（１）が成立す
れば、共通電極２４と画素電極２２との間に所定の電圧を印加したときに、ＦＦＳモード
を実現する横斜め電界Ｅを両電極間に形成することができる。因みに、Ｄ１＜Ｄ０が成立
すれば、両電極間には横斜め電界Ｅではなく、横電界が形成され、ＩＰＳモードが実現さ
れる。

次に、保護膜２３は、例えば、透光性及び絶縁性を有する窒化膜（ＳｉＮ）を用いて形
成される。保護膜２３は、また、二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ_２）を用いて形成することもで
きる。配向膜２５ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成
されている。配向膜２５ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素
子基板４の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。

図１において、素子基板４側の画素電極２２は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板
４上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成されている。個々の画素電
極２２は、図３に示すように、各ソース線１９と各ゲート線２０とが交差する位置の近傍
に設けられていて、個々のＴＦＴ素子２１に接続されている。画素電極２２は、例えばＩ
ＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによっ
て形成されている。

図２において、ＴＦＴ素子２１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネ
ルエッチ型のアモルファスシリコンＴＦＴである。このＴＦＴ素子２１は、ゲート電極２
０と、ゲート絶縁膜３１と、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を用いて形成された半導
体膜３２と、リンをドープすることによって半導体膜３２の両端部に形成されたＮ^＋−Ｓ
ｉ膜３３ａ，３３ｂと、ソース電極３４と、そしてドレイン電極端子３５とを有する。な
お、ＴＦＴ素子２１はトップゲート構造とすることもできる。

ドレイン電極端子３５は接続用端子としての機能を有し、その一端がＮ^＋−Ｓｉ膜３３
ｂを介して半導体膜３２に接続している。ドレイン電極端子３５の他端には画素電極２２
の一部が積層されており、ドレイン電極端子３５と画素電極２２とが電気的に接続されて
いる。また、ソース電極端子３４は、図３に示すように、ソース線１９から分岐して形成
されている。ゲート電極２０は、ソース線１９に対して直角方向に延びるゲート線２０の
一部であって、特にソース線１９から延びたソース電極端子３４と交差する部分のことで
ある。

図２において保護膜２３上に設けられた共通電極２４は、例えばＩＴＯ等といった透光
性を有する金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形
成されている。この共通電極２４は、図１において保護膜２３の表面の全面、すなわち、
素子基板４の表面のうちシール材６で囲まれた領域の全面に設けられている。一方、保護
膜２３を挟んで設けられた複数の画素電極２２は、矢印Ａ方向から平面的に見て行方向Ｘ
及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２２と共通電極２４とは、
矢印Ａ方向から見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域
が表示のためのサブ画素Ｄを形成している。そして、図１において、複数のサブ画素Ｄが
行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又
は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像
が表示される。

共通電極２４は、図３において鎖線で示すように、画素電極２２と平面的に重なる領域
内（すなわち、サブ画素Ｄの領域内）に複数のスリット２６を有している。個々のスリッ
ト２６は、平面的に見て行方向Ｘに沿って右上がりに傾斜する略長方形状の溝であり、そ
の溝が列方向Ｙに一定の間隔を空けて配置されている。従って、Ｚ２−Ｚ２線に従う断面
である図２においては、スリット２６の部分と共通電極２４を構成する導電膜の部分とが
列方向Ｙに沿って交互に並んで配置されている。なお、斜めスリット２６の配列構成は、
図３に示す構成に限られない。例えば、図３に示す形状の個々のスリット２６の傾斜方向
を、サブ画素Ｄの中心を境として上下方向（すなわち、列方向Ｙ）で対称に配置すること
もできる。つまり、サブ画素Ｄ内の上半分では右上がりの傾斜状態とし、下半分では右下
がりの傾斜状態とすることができる。

次に、図１に戻って、素子基板４に対向するカラーフィルタ基板５は、矢印Ａ方向から
見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板５ａを有する。この第２透光性基板５ａは、
例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性
基板５ａの外側表面には偏光板１５ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１５
ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第２透光性基板５ａの内側表面には、図２にも示すように、カラーフィルタを構成する
着色膜３６が形成され、その周囲に遮光膜３７が形成されている。個々の着色膜３６は矢
印Ａ方向から見てサブ画素Ｄに対応する長方形又は正方形のドット状（すなわち、島状）
に形成されている。また、着色膜３６は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向
Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜３７はそれらの着色膜３６を囲む格子状に形
成されている。

着色膜３６の個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に設
定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜３６が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストラ
イプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜３６の光学的特性はＲ，
Ｇ，Ｂの３色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３色を通過
させる特性とすることもできる。また、４色以上によって１つの画素を構成することもで
きる。遮光膜３７は、異なる色の着色膜３６を重ねたり、あるいは所定の材料（例えば、
Ｃｒ）によって形成される。

本実施形態のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜３６を用いてカラー表示を行う
場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜３６に対応する３つのサブ画素Ｄによ
って１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は
、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。着色膜３６及び遮光膜３７の上に
オーバーコート膜３８が形成され、その上に配向膜２５ｂが形成されている。オーバーコ
ート膜３８は、カラーフィルタを保護する保護膜として機能する。配向膜２５ｂは、例え
ばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。

図１において、素子基板４側の配向膜２５ａ及びカラーフィルタ基板５側の配向膜２５
ｂに施されるラビング方向は、本実施形態のように液晶層７を負の誘電率異方性を有する
ネマティック液晶を用いて形成した場合、図３における画面垂直方向（すなわち、Ｙ方向
）である。なお、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用いて液晶層７を形成す
る場合には、ラビング配向は図３における画面水平方向（すなわち、Ｘ方向）である。ま
た、図１において素子基板４側の偏光板１５ａ及びカラーフィルタ基板５側の偏光板１５
ｂの透過軸は互いに直角であり、それらのうちの１つは、配向膜２５ａ，２５ｂのラビン
グ方向と平行である。

次に、図１において、素子基板４を構成する第１透光性基板４ａはカラーフィルタ基板
５の外側へ張り出す張出し部４１を有している。この張出し部４１の表面には、配線４２
がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４２は矢印Ａ方向から見て複数
本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに間隔を空けて並べられ
ている。また、張出し部４１の辺端には複数の外部接続用端子４３が紙面垂直方向に沿っ
て互いに間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４３が設けら
れた張出し部４１の辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。

複数の配線４２は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成
されている。これらの配線４２の一部は、素子基板４上のソース線１９（図２参照）に直
接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４２の他の一部は、シール材６
によって囲まれた領域内で素子基板４の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さ
らに折れ曲って行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線４
２は、素子基板４上のゲート線２０（図２参照）に直接に繋がって走査線として機能する
。

張出し部４１の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４
４を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ４５が実装されている。
駆動用ＩＣ４５は、ソース線１９へデータ信号を伝送し、ゲート線２０へ走査信号を伝送
する。駆動用ＩＣ４５は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣ
チップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４５を複数のＩＣチップによって構成する場合には
、それらのＩＣチップは張出し部４１上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。また
、駆動用ＩＣ４５を基板４上に実装するのではなく、液晶パネル２とは別体の回路基板上
に実装し、ＦＰＣ基板を介して液晶パネル２と駆動用ＩＣ４５とを接続しても良い。

以上のように構成された液晶装置１によれば、照明装置３をバックライトとして用いて
透過型の表示が行われる。この場合、図１の照明装置３のＬＥＤ１１が点灯し、それから
の光が導光体１２の光入射面１２ａから導光体１２へ導入され、さらに、光出射面１２ｂ
から面状の光として出射する。この出射光は、図２に符号Ｌ１で示すようにサブ画素Ｄ内
を通って液晶層７へ供給される。

以上のように液晶層７へ光が供給される間、素子基板４上の画素電極２２と共通電極２
４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、液
晶層７内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御される。具体的には、図２において、
画素電極２２と共通電極２４とが保護膜２３を挟んで積層されることにより、両電極間の
基板面に沿った（すなわちＹ方向に沿った）距離Ｄ_０がゼロであるので、液晶層の層厚Ｄ
_１との関係でＤ_１＞Ｄ_０であり、両電極間に所定の電圧が印加されると、スリット２６の
近傍で両電極間に横斜め電界Ｅが発生する。この横斜め電界Ｅは、液晶層７の厚さ方向（
すなわちＺ方向）と横方向Ｙの両方向にわたって斜めに進む電界、換言すれば放物線状の
電界である。この横斜め電界Ｅによって、液晶層７内の液晶分子の配向が基板水平面内で
制御される。

この結果、液晶層７に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光
が、カラーフィルタ基板５の偏光板１５ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１５
ｂの偏光特性によりサブ画素Ｄごとに通過を規制され、素子基板４の表面に文字、数字、
図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。

ところで、従来のＦＦＳモードの液晶装置においては、図１０に示すように、共通電極
２０６はサブ画素Ｄごとに別々に設けられ、それらの共通電極２０６を接続する共通信号
線２０５が設けられていた。この共通信号線２０５は、低抵抗であることが必要であるこ
とから透光性を有しない金属材料を用いて形成されていた。そのため、表示の開口率を高
くすることが難しかった。また、画素電極２０４と共通電極２０６から成るＦＦＳ構造は
、ゲート線２０１とデータ線２０２に囲まれた平面領域内に配置されるが、共通信号線２
０５に重なる部分は表示に寄与する領域として利用できないので、液晶装置の開口率を高
くすることが難しかった。

これに対し、本実施形態に係る液晶装置では、図２に示すように、ＴＦＴ素子２１のド
レイン電極端子３５と画素電極２２とを同一層内に設け、これらのＴＦＴ素子２１及び画
素電極２２に保護膜２３を挟んで共通電極２４を積層する構成とした。これにより、共通
電極２４は保護膜２３によって画素電極２２及びＴＦＴ素子２１と電気的に絶縁されてい
るので、表示領域Ｖ（図１参照）の全域に面状（いわゆるベタ状）に形成できる。その結
果、サブ画素ごとに共通電極を設ける従来の液晶装置のように複数の共通電極を導電接続
する共通信号線を設ける必要がなくなる。これにより、表示に寄与できる領域を広くする
ことができるので、液晶装置１の表示の開口率を高くすることができる。

また、ＴＦＴ素子２１と画素電極２２を同一層内に形成し、ドレイン電極端子３５と画
素電極２２とを直接に接触させることにしたので、画素電極２２とドレイン電極端子３５
とを導通させるためのコンタクトホールを形成する必要がなく、従来装置においてコンタ
クトホールからの光漏れに起因して発生していた表示品質の低下を解消できる。

（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の他の実施形態を図４に基づいて説明する。本実施形態に
係る液晶装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図４は本実施形態に係る液晶装置
の主要部を示しており、図１のＺ３−Ｚ３線に従った断面構造を示している。また、図５
は、図４に示す液晶パネル内の下側の基板である素子基板の平面構造を矢印Ａに従って示
している。なお、図４は、図５のＺ４−Ｚ４線に従って示す断面図である。

既述の第１実施形態では、図２に示したように、ＴＦＴ素子２１及び画素電極２２を覆
う保護膜２３の表面の全域に共通電極２４が形成されている。そして共通電極２４のうち
の画素電極２２に平面的に重なる領域であるサブ画素Ｄの領域内に複数のスリット２６を
形成している。すなわち、保護膜２３の表面のうち、スリット２６が設けられた部分以外
には共通電極２４が形成されている。

これに対し、本実施形態では、図５に示すように、スリット２６の他に、信号線として
のソース線１９に平面的に重なる部分に共通電極２４を形成しない領域を設けている。以
下、本実施形態を図２及び図３に示した実施形態と異なる点を中心に説明する。なお、本
実施形態において、第１実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付すことにして、その説明
は省略する。

本実施形態において、図４の共通電極２４以外の液晶パネル２の構成要素は、図２及び
図３で示した第１実施形態の場合と同じとすることができる。図４において、共通電極２
４に開口５１が設けられている。この開口５１は、矢印Ａ方向から平面的に見てソース線
１９に重なる位置に設けられている。個々の開口５１は、図５において平面的に示すよう
に、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域内であって、列方向Ｙ（すなわち、図５の
上下方向）に延びるソース線１９に重なる領域に形成されている。

この開口５１は、共通電極２４をその膜厚方向（すなわち、図５の紙面垂直方向）に貫
通して形成されている。つまり、この開口５１は、共通電極２４を構成するＩＴＯの膜が
設けられていない領域である。開口５１は、共通電極２４をパターニングする際、スリッ
ト２６を形成するのと同時に形成することができる。例えば、フォトエッチング処理によ
って、開口５１に対応する領域の共通電極２４を除去することによって形成できる。

なお、開口５１は、共通電極２４のうちソース線１９に平面的に重なる部分の一部に設
けられている。具体的には、行方向Ｘにおいて互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域
に、サブ画素Ｄの列方向Ｙの長さと同じ長さに形成されている。従って、開口５１は、列
方向Ｙにおいて互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域（すなわち、ゲート線２０及び
ＴＦＴ素子２１が設けられた領域）Ｒには形成されていない。このように領域Ｒにおいて
開口５１を設けない（すなわち、共通電極２４を設ける）ことにより、共通電極２４の全
域における電気的な導通を確保できる。

以上のように、ソース線１９に平面的に重なる部分の共通電極２４に開口５１を設ける
ことにより、共通電極２４とソース線１９との間の電気容量が大きくなることを防止でき
、液晶装置の消費電力が増えることを防止できる。なお、図５では開口５１の幅をソース
線１９と同じ幅に設定したが、画像表示の上で必要であるのは開口５１を通して画素電極
２２が見えてしまうほど開口５１の幅を広くしてはならないということであり、その条件
が満足できれば開口５１の幅に制限はないということである。容量削減用の開口５１の幅
は、画素電極２２に対向して共通電極２４内に設ける表示用スリット２６の形状や容量等
の設計上の要請に従って自由に設計できる。例えば、図６に示すように、開口５１の幅を
、その側辺が平面視で画素電極２２の長辺に接触するまで広げても良い。

さらに、図５及び図６に示す実施形態ではソース線１９に対応して共通電極２４内に開
口５１を設けたが、開口５１はゲート線２０に対向する部分に設けることもできる。また
、開口５１はＴＦＴ素子２１に対向する部分に設けることもできる。このようにソース線
１９に対応する部分以外にも、ゲート線２０やＴＦＴ素子２１に対応する部分に開口５１
を設けることにより、液晶装置の消費電力をより下げることができる。また、これらの場
合においても、開口５１と画素電極２２が平面視で重ならない程度に開口５１の幅を広く
すれば、液晶装置の消費電力をより下げることができる。但し、これらいずれの場合にお
いても、表示領域Ｖ（図１参照）内の全域にわたっての共通電極２４の導通が切れない程
度に開口５１を設けなければならないことはもちろんのことである。

（液晶装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を図７に基づいて説明する。本実施
形態においても、液晶装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図７は、本発明に係
る液晶装置の主要部を示しており、図１の矢印Ｚ１で示す部分、すなわち１つのサブ画素
近傍を拡大して示している。

既述の第１実施形態では、図２に示したように、チャネルエッチ型でシングルゲート構
造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子２１をスイッチング素子として用いた。このＴＦＴ
素子２１は、いわゆるボトムゲート型の素子である。これに対し、本実施形態では、図７
において、トップゲート型のポリシリコンＴＦＴ素子６１を用いたアクティブマトリクス
方式の液晶装置に本発明を適用するものである。本発明においてもＦＦＳモードの動作モ
ードを採用するものとする。

なお、ポリシリコンＴＦＴ素子は、ＴＦＴ素子の形成工程における温度条件の違いに応
じて、低温ポリシリコンＴＦＴ素子と高温ポリシリコンＴＦＴ素子とに大別できる。本実
施形態では、特に、低温ポリシリコンＴＦＴ素子を用いた場合を例示する。高温ポリシリ
コンＴＦＴ素子の場合、ＴＦＴ素子の形成を高温雰囲気下で行うため、基板として高温に
耐え得る石英ガラス基板が用いられる。これに対し、低温ポリシリコンＴＦＴ素子は、高
温ポリシリコンに比べて低い温度で形成できるので、アモルファスシリコンＴＦＴ素子と
同様に、通常のガラス又はプラスチックから成る基板を用いることができる。

以下、本実施形態を図２及び図３に示した実施形態と異なる点を中心に説明する。なお
、本実施形態において、第１実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付すことにして、その
説明は省略する。本実施形態において、図７のＴＦＴ素子６１以外の液晶装置１の構成要
素は、図２及び図３で示した第１実施形態の場合と同じとすることができる。

図７において、素子基板４を構成する第１透光性基板４ａの表面には、低温ポリシリコ
ンＴＦＴ素子６１が形成されている。このＴＦＴ素子６１は、チャネル領域の両側にソー
ス領域Ａ_ｓとドレイン領域Ａ_ｄとを有するポリシリコン半導体層６２と、ゲート絶縁膜６
３と、ゲート電極６４と、ソース電極端子６５と、ドレイン電極端子６６とを有する。ソ
ース電極端子６５は図７の紙面垂直方向に延びるソース電極線の一部分であり、ドレイン
電極端子６６は図７の紙面垂直方向に延びるドレイン電極線の一部分である。以下の説明
では、ソース電極線もソース電極端子と同様に符号６５を用いて示すことがあり、ドレイ
ン電極線もドレイン電極端子と同様に符号６６を用いて示すことがある。

ソース電極端子６５及びドレイン電極端子６６は絶縁膜６７によってゲート電極６４か
ら絶縁されている。また、絶縁膜６７の表面には画素電極２２が形成されている。そして
、ソース電極端子６５、ドレイン電極端子６６及び画素電極２２の上に保護膜２３が設け
られ、その上に共通電極２４が設けられ、その上に配向膜２５ａが設けられている。

ドレイン電極端子６６は接続用端子としての機能を有し、その一端がポリシリコン半導
体層６２のドレイン領域Ａ_ｄに接続されている。ドレイン電極端子６６の他端には画素電
極２２の一部が積層されており、こうしてドレイン電極端子６６と画素電極２２とが電気
的に接続されている。

本実施形態においても、共通電極２４は、画素電極２２と平面的に重なる領域内（すな
わち、サブ画素Ｄの領域内）に複数のスリット２６を有している。このスリット２６の形
状は、図３に示す第１実施形態の場合と同じである。すなわち、図３において鎖線で示す
ように、個々のスリット２６は、平面的に見て行方向Ｘに沿って右上がりに傾く略長方形
状の溝であり、その溝が列方向Ｙに一定の間隔を空けて配置されている。従って、図７に
おいては、スリット２６の部分と共通電極２４を構成する導電膜の部分とが列方向Ｙに交
互に並んで配置されている。

本実施形態の液晶装置では、画素電極２２と共通電極２４とが保護膜２３を挟んで積層
され、両電極間のＹ方向に沿った距離がゼロとなっているので、スリット２６において両
電極間に横斜め電界Ｅが発生する。この横斜め電界Ｅによって、液晶層７の液晶分子の配
向が基板水平面内で制御される。

本実施形態に係る液晶装置においても、ＴＦＴ素子６１のドレイン電極端子６６と画素
電極２２とを同一層内に設け、これらのＴＦＴ素子６１及び画素電極２２に保護膜２３を
挟んで共通電極２４を積層する構成を採用した。これにより、共通電極２４は保護膜２３
によって画素電極２２及びＴＦＴ素子６１から電気的に絶縁されているので、表示領域Ｖ
（図１参照）の全域にベタ状に形成できる。その結果、図１０に示した従来の構成におい
て複数の共通電極２０６間を導電接続するために用いた共通信号線２０５を本実施形態の
液晶装置では設ける必要がなくなり、表示に寄与できる領域を広くすることができ、その
ため、液晶装置の表示の開口率を高くすることができる。これにより、明るい画像表示を
行うことが可能となった。

（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定さ
れるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、ＦＦＳモードの液晶装置に本発明を適用したが、本発
明はＩＰＳモードの液晶装置にも適用できる。ここで、ＩＰＳモードは、画素電極と共通
電極との間に横斜め電界でなく横電界を形成するタイプの動作モードである。横電界は、
液晶層の層厚方向な電界がほとんどなく基板面に平行な電界だけによって形成される電界
である。この横電界は、画素電極と共通電極との間の基板平面に沿った距離を液晶層の層
厚よりも十分に大きくとることによって形成できる。

上記の各実施形態では、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴ
ＦＴ素子を用いる液晶装置に本発明を適用したが、本発明は、スイッチング素子として２
端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いる液晶装置にも
適用できる。

（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一
例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図８は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液
晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。制御回路１０２は、表示情
報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ
１０８によって構成される。そして、液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１
０４を有する。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種デ
ィスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等
を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて
、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する
。

次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ
補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を
実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆
動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したもの
である。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶装置１０１は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装
置１に関しては、図２において、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極端子３５と画素電極２２
とを同一層内に設け、これらＴＦＴ素子２１及び画素電極２２に保護膜２３を挟んで共通
電極２４を積層する構成を採用したことにより、共通電極２４を基板４ａ上の全域にわた
って面状に（いわゆるベタ状に）形成できる。その結果、従来の液晶装置において複数の
共通電極間を導電接続するために必要とされていた共通信号線を設ける必要がないので、
表示に寄与できる領域を広くすることができ、液晶装置１の表示の開口率を高くすること
ができる。また、ＴＦＴ素子２１と画素電極２２とが同一層内に形成され、ドレイン電極
端子３５と画素電極２２とが直接に接続されるので、従来の液晶装置において画素電極２
２とドレイン電極端子３５との導通をとるために用いられていたコンタクトホールが不要
となった。その結果、コンタクトホールからの光漏れに起因する表示品質の低下を防止で
きる。従って、この液晶装置を用いた本実施形態の電子機器においても、表示品質が高く
且つ開口率が高くて明るい表示を行うことができる。

（電子機器の第２実施形態）
図９は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに
示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設けら
れた表示体部１１２とを有する。本体部１１１には操作ボタン１１５及び送話部１１６が
設けられる。表示体部１１２には表示装置１１３及び受話部１１７が設けられる。電話通
信に関する各種表示は、表示装置１１３の表示画面１１４に表示される。表示装置１１３
の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、
又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。

表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装
置１に関しては、図２において、ＴＦＴ素子２１のドレイン電極端子３５と画素電極２２
とを同一層内に設け、これらのＴＦＴ素子２１及び画素電極２２に保護膜２３を挟んで共
通電極２４を積層する構成を採用したことにより、共通電極２４を基板４ａ上の全域にわ
たって面状に（いわゆるベタ状に）形成できる。その結果、従来の液晶装置において複数
の共通電極間を導電接続するために必要とされていた共通信号線を設ける必要がなくなり
、表示に寄与できる領域を広くすることができ、液晶装置１の表示の開口率を高くするこ
とができる。また、ＴＦＴ素子２１と画素電極２２とが同一層内に形成され、ドレイン電
極端子３５と画素電極２２とが直接に接続されるので、従来の液晶装置において画素電極
２２とドレイン電極端子３５との導通をとるために用いられていたコンタクトホールが不
要となった。その結果、コンタクトホールからの光漏れに起因する表示品質の低下を防止
できる。従って、この液晶装置を用いた本実施形態の携帯電話機においても、表示品質が
高く且つ開口率が高くて明るい表示を行うことができる。

なお、本発明を適用可能な電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、
パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテ
ープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ
、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す断面図である。 図１の矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示す断面図である。 図２の矢印Ａに従い素子基板上の１つのサブ画素及びその周辺の平面構造を示す平面図である。 本発明に係る液晶装置の他の実施形態を示す断面図である。 図４の矢印Ａに従い素子基板上の１つのサブ画素及びその周辺の平面構造を示す平面図である。 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を示す平面図である。 本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を示す断面図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。 従来の液晶装置の一例の要部を示す平面図である。 図１０のＺ０−Ｚ０線に従った断面構造を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１．液晶装置、 ２．液晶パネル、 ３．照明装置、 ４．素子基板（第１基板）、
４ａ．第１透光性基板、 ５．カラーフィルタ基板（第２基板）、
５ａ．第２透光性基板、 ６．シール材、 ７．液晶層、 １１．ＬＥＤ、
１２．導光体、 １３．光反射膜、 １４．光拡散膜、 １５ａ，１５ｂ．偏光板、
１９．ソース線、 ２０，６４．ゲート線（ゲート電極）、
２１，６１．ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、 ２２．画素電極、 ２３．保護膜、
２４．共通電極、 ２５ａ，２５ｂ．配向膜、 ２６．スリット、
３１，６３．ゲート絶縁膜、 ３２．半導体膜、 ３３ａ，３３ｂ．Ｎ^＋−Ｓｉ膜、
３４．ソース電極端子、 ３５．ドレイン電極端子、 ３６．着色膜、 ３７．遮光膜、

３８．オーバーコート膜、 ４１．張出し部、 ４２．配線、 ４３．外部接続用端子、
４４．ＡＣＦ、 ４５．駆動用ＩＣ、 ５１．開口、 ６２．ポリシリコン半導体層、
６５．ソース電極端子、 ６６．ドレイン電極端子、 ６７．絶縁膜、
１０１．液晶装置、 １０２．制御回路、 １０３．液晶パネル、 １０４．駆動回路、

１１０．携帯電話機（電子機器）、 Ｄ．サブ画素、 Ｅ．電界、 Ｇ．セルギャップ、

Ｌ１．光、 Ｖ．表示領域

Claims (10)

1. 互いに対向し液晶層を挟持する第１基板及び第２基板と、
   前記第１基板上に設けられたスイッチング素子と、
   前記第１基板上に設けられた前記スイッチング素子の電極端子と同じ層に設けられ、該
   電極端子と接続された画素電極と、
   前記スイッチング素子及び前記画素電極を覆って前記第１基板上に設けられた絶縁膜と
   、
   該絶縁膜上に設けられた共通電極と、
   を有することを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１記載の液晶装置において、前記スイッチング素子と前記画素電極が同じ層に設
   けられていることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は請求項２記載の液晶装置において、前記共通電極及び前記画素電極は透光
   性を有することを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３記載の液晶装置において、前記共通電極は複数の画素によって形成された表示
   領域内の全面にわたって面状に設けられることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項４記載の液晶装置において、前記共通電極は個々の画素内において複数の互いに
   平行な斜めスリットを有することを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記電極端子はドレ
   イン電極端子であり、前記スイッチング素子は３端子型スイッチング素子であることを特
   徴とする液晶装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記第１基板上に設
   けられ前記スイッチング素子に信号を伝送する信号線を有し、平面視で前記信号線に重な
   る部分の一部には前記共通電極を設けないことを特徴とする液晶装置。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の液晶装置において、電圧印加時に前記画
   素電極と前記共通電極の間に電界を生じさせることを特徴とする液晶装置。
9. 請求項８記載の液晶装置において、
   前記第１基板の液晶挟持側の面に沿って互いに隣接する前記画素電極と前記共通電極と
   の間の距離をＤ_０とし、前記液晶層の層厚をＤ_１とするとき、
   Ｄ_１＞Ｄ_０
   であることを特徴とする液晶装置。
10. 請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子
    機器。
    
    

Images