JP5552247B2

JP5552247B2 - 液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP5552247B2
Application number: JP2009075840A
Authority: JP
Inventors: 卓生木下; 祐之伊藤
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2009-03-26
Filing date: 2009-03-26
Publication date: 2014-07-16
Anticipated expiration: 2029-03-26
Also published as: JP2010230781A

Description

本発明は、フリンジフィールドスイッチング（Fringe Field Switching：以下、「ＦＦ
Ｓ」という。）モードの液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、信号線と走査線と
の短絡を抑制したＦＦＳモードの液晶表示装置及びその製造方法に関する。

横電界方式の液晶表示装置として、一方の基板にのみ画素電極及び共通電極からなる一
対の電極を備えたＦＦＳモードの液晶表示装置が知られている。このＦＦＳモードの液晶
表示装置は、液晶層に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介し
て異なる層に配置したものであり、広視野角かつ高コントラストであり、さらに低電圧駆
動ができると共により高透過率であるため明るい表示が可能となるという特徴を備えてい
る。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、平面視で画素電極と共通電極との重畳面積
が大きいために、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量電極を設ける必要が
なくなるという長所も存在している。

しかし、従来より蒸着方法として、真空蒸着法やスパッタリングなどの物理蒸着法、熱
分解による有機金属化学蒸着法などにより製造されており、このようなＦＦＳモードの液
晶表示装置では、信号線がコモン配線と交差する位置に積層による段差が生じ、段差の側
面領域の膜厚が薄くなることで絶縁耐圧が低下しやすく、断線故障ないし短絡故障が時折
り見受けられた。従来のＦＦＳモードの液晶表示装置では、走査線の表面はゲート絶縁膜
で被覆されており、ゲート絶縁膜の表面には信号線が形成されており、さらに、走査線及
び信号線の交差部近傍にはスイッチング素子としての薄膜トランジスタＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor）が形成されている。そのため、製造時には、ゲート絶縁膜表面の全面に例
えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層及びｎ^＋ａ−Ｓｉ層を成膜した後、フォトリソ
グラフィー法によってＴＦＴ形成用の半導体層をパターニングしている。このとき、ａ−
Ｓｉ層及びｎ^＋ａ−Ｓｉ層に対してフォトリソグラフィー法を適用してパターニングする
前に純水による洗浄工程があるが、純水とｎ^＋ａ−Ｓｉ層との間で静電気が発生するため
、この静電気によってｎ^＋ａ−Ｓｉ層と走査線との間でスパークが発生し、ｎ^＋ａ−Ｓｉ
層と下電極との間のゲート絶縁膜に絶縁破壊が生じることがある。

半導体基板において、形成された微細な段差に金属膜を成膜するとき、段差の側面領域
と、段差の周囲の平坦部分での膜厚の比率をステップカバレッジといい、段差の周囲の平
坦部分での膜厚をＡ、段差の側面領域での膜厚をＢとするとき、ステップカバレッジはＢ
／Ａと表される。この値が１より大きいほどカバレッジ性がよく、１より小さいほど段差
の周囲の平坦部分での膜厚に比較して段差の側面領域の膜厚が薄くなり、段差の側面領域
に微細な穴やクラックが生じやすくカバレッジ性が悪い。

この状態で、ゲート絶縁膜の表面にソースレイヤーを成膜した後に信号線、ソース電極
及びドレイン電極等をパターニングすると、ソースレイヤーがゲート絶縁膜の破壊された
箇所に進入しているので、信号線と走査線とが短絡してしまい、線欠陥として表れること
がある。このような現象が生じる原因は、走査線と信号線との間に形成される段差が大き
く、しかも、走査線と信号線を被覆しているゲート絶縁膜のステップカバレッジが悪いた
め、走査線と信号線の側面を被覆しているゲート絶縁膜の厚さが薄くなってしまうためで
ある。

このような、課題を解決する方法として、下記特許文献１には、絶縁膜の静電気破壊を
防止したアクティブマトリクス基板の発明が開示されている。すなわち、下記特許文献１
に開示され得いる発明では、ゲート電極とソース電極を重ねて形成する際に、ステップカ
バレッジの影響を受けて絶縁性の弱くなっているゲート絶縁膜のテーパー部分にはソース
電極を形成せず、ソース電極とソース電極とが重なることのないような構造としている。
このような構造とすることで、絶縁性の低下したテーパー領域のゲート電極の端部のゲー
ト絶縁膜へ局所的に電界が印加されることを防ぐことができ、外部からの静電気によるゲ
ート絶縁膜の破壊を防止することができるとしている。

特開平１０−０９０７２０号公報

しかし、上記特許文献１に開示されている構造は、ＴＦＴ部分におけるゲート電極とソ
ース電極についての短絡を防止することはできるが、基板上にマトリクス状に形成された
走査線と信号線とでは、これらが交差する場所では必ずステップカバレッジの悪い段差部
が形成されてしまうため、ゲート絶縁膜の薄い部分が形成されてしまう。

また、走査線と信号線の交差部分に導電性材料層を形成することにより、走査線と交差
する部分での信号線の断線故障や信号線及び走査線間の静電気による短絡故障を抑制する
方法も考えられる。しかし、ゲート絶縁膜のステップカバレッジの悪い部分、特に信号線
と走査線が交差する四隅の部分は必ず段差が形成されてしまうこととなる。そのため、走
査線と信号線の交差する部分の間に、ただ導電性材料層を設けただけでは走査線上のゲー
ト絶縁膜の静電破壊を防ぐことはできず、走査線と信号線との短絡を抑制することは困難
である。

そこで本発明者等は、上記のような従来技術の問題点を解決すべく種々検討を重ねた結
果、走査線上に形成される導電性材料層を幅広く形成し、スパーク発生場所を信号線から
遠ざけることによって走査線と信号線間の短絡を抑制することができることを見出し、本
発明を完成するに至ったものである。すなわち、本発明の目的は、走査線と信号線間の短
絡を防ぎ、線欠陥の発生を解消し、信頼性の高い液晶表示装置を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、上記発明の効果を奏する液晶表示装置の製造方法を提供す
ることにある。

上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持した一対の基板のう
ち、一方の基板上には、平行に設けられた複数の走査線及びコモン配線と、前記走査線、
コモン配線及び前記一方の基板を被覆する第１の絶縁膜と、前記走査線及び前記コモン配
線と交差する方向に、前記第１の絶縁膜上に設けられた複数の信号線と、前記走査線及び
前記信号線の交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記第１の絶縁膜の下に形成
されているとともに前記コモン配線に接続された下電極と、前記薄膜トランジスタと、前
記信号線と、前記第１の絶縁膜との表面に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜
上に平面視で前記下電極と重畳するように形成され、スリットを有する上電極と、を備え
、前記下電極と前記上電極との間に生じる電界によって前記液晶層が駆動される表示領域
と、前記表示領域の外側に形成される非表示領域を有する液晶表示装置において、前記下
電極は、前記隣接する画素間の前記コモン配線の表面を覆っており、前記走査線と信号線
との交差部における前記走査線の表面には、前記下電極と同組成の導電性材料層が形成さ
れており、前記導電性材料層は、前記信号線の側面端部から１０μｍ以上の位置まで延設
されていることを特徴とする。

本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持した一対の基板のうち、一方の基板上には、平
行に設けられた複数の走査線及びコモン配線と、前記走査線、コモン配線及び前記一方の
基板を被覆する第１の絶縁膜と、前記走査線及び前記コモン配線と交差する方向に、前記
第１の絶縁膜上に設けられた複数の信号線と、前記走査線及び前記信号線の交差部近傍に
設けられた薄膜トランジスタと、前記第１の絶縁膜の下に形成されているとともに前記コ
モン配線に接続された下電極と、前記薄膜トランジスタと、前記信号線と、前記第１の絶
縁膜との表面に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に平面視で前記下電極と
重畳するように形成され、スリットを有する上電極とを備えている。それによって本発明
の液晶表示装置はＦＦＳモードの液晶表示装置として作動する。ここでは、下電極が共通
電極として作動し、上電極が画素電極として作動する。

そして、本発明の液晶表示装置では、走査線と信号線との交差部における走査線の表面
には、信号線及び走査線の幅よりも幅広であり、下電極と同組成の導電性材料層が形成さ
れており、この導電性材料層は、信号線の側面端部から１０μｍ以上の位置まで延設され
ている。この導電性材料層は、本来信号線が走査線と交差する位置での段差をなだらかに
して信号線の線切れが生じ難くするために形成されるものである。

このような構成を備えていると、製造工程中の洗浄作業により発生する静電気によって
、走査線上の導電性材料層との間にスパークが発生して第１の絶縁膜が絶縁破壊されて傷
が形成されたとしても、その傷は第１の絶縁膜の上層に形成される信号線とは１０μｍ以
上離間した位置に形成される。走査線の上層に形成される導電性材料層は信号線の側面端
部から１０μｍ以上の位置まで延設されていれば、走査線の線幅のバラツキや製造時のパ
ターンズレ等を考慮しても、第１の絶縁膜に形成される傷との距離を十分確保することが
でき、信号線と走査線の短絡を十分に抑制することができるようになり、線欠陥の少ない
液晶表示装置を提供することができるようになる。なお、導電性材料層が信号線の側面端
部から延設されている長さが１０μｍ未満であると、走査線と信号線との間に短絡が生じ
易くなるので好ましくない。

また、本発明の液晶表示装置では、走査線上の導電性材料層は下電極と同組成からなる
ので、下電極の形成と同時に導電性材料層を形成することができるため、特別な材料及び
新たな製造工程を設ける必要がなくなる。また、本発明の液晶表示装置では、下電極は隣
接する下電極間のコモン配線の表面を覆うようにしている。通常、下電極は複数の前記走
査線及び信号線で区画された領域毎に形成されていればよいものであるが、隣接する下電
極間のコモン配線の表面をも覆うようにすると、コモン配線と交差する部分で信号線の両
側に位置する第１の絶縁膜に段差が生じないので、この位置においても洗浄時の静電気に
よる第１の絶縁膜の絶縁破壊を抑制することができるようになる。

また、本発明の液晶表示装置においては、前記非表示領域は、ダミー画素が形成され、
前記信号線と走査線の交差部上に形成される導電性材料層は前記ダミー画素に形成されて
いることが好ましい。

ダミー画素領域は、表示領域に隣接した領域に形成され、実際の表示には寄与しない領
域である。しかし、ダミー画素が形成されていることにより、表示領域の各層の膜厚とダ
ミー画素の各層の膜厚とを同一とすることができるため、表示領域の周辺部の画素の表示
画質が非表示領域と隣接していることによる悪影響を受けることが少なくなる。また、ダ
ミー画素は、表示領域周辺に形成されているため、外部からの静電気等のストレスを吸収
することができるので、表示領域内の画素に欠陥が発生することを抑制できる。そのため
、本発明の液晶表示装置によれば、ダミー画素においても信号線とコモン配線との間の短
絡を抑制することができるから、ダミー画素が正常に機能することで表示領域内の表示画
素の欠陥の発生を抑制した信頼性の高い液晶表示装置を提供することができるようになる
。

更に、上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置の製造方法は以下の（１）〜（
９）の工程を含むことを特徴とする。
（１）透明な基板の表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチングすることによりゲー
ト電極部分を有する複数の走査線及び複数のコモン配線を互いに平行にパターニングする
工程、
（２）前記（１）の工程で得られた基板の表面全体に亘って透明導電性層を被覆した後エ
ッチングすることにより、各画素に対応する位置に前記コモン配線と電気的に接続された
下電極を形成すると共に、前記下電極間のコモン配線の表面に前記透明導電性材料層を形
成し、更に、前記走査線と以降の工程で形成予定の信号線とが交差する位置に透明導電性
材料層を、前記信号線及び前記走査線の幅よりも幅広であり、前記信号線の側面端部から
１１０μｍ以上の位置まで延設されるようにパターニングする工程、
（３）前記（２）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第１の絶縁膜を被覆する工程
、
（４）前記第１の絶縁膜の表面全体に亘って半導体層を被覆し、エッチングすることによ
りゲート電極部分に対応する位置に半導体層をパターニングする工程、
（５）前記（４）の工程で得られた基板表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチング
することにより、前記走査線及びコモン配線と交差する方向に信号線を設けるとともに、
それぞれの画素毎にドレイン電極と前記信号線に電気的に接続されたソース電極とをパタ
ーニングする工程、
（６）前記（５）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第２の絶縁膜を被覆する工程
、
（７）前記それぞれの画素のドレイン電極上に位置する前記第２の絶縁膜にコンタクトホ
ールをパターニングする程、
（８）前記（７）の工程で得られた基板の表面全体に亘って透明導電性層を被覆し、エッ
チングすることにより各画素に複数のスリットを有する上電極をパターニングするともに
、前記上電極とドレイン電極とを電気的に導通させる工程、
（９）前記（８）の工程で得られた基板とカラーフィルター基板とを対向させ、両基板間
に液晶を封入する工程。

本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、上記効果を奏する液晶表示装置を製造する
ことができる。

実施形態のＦＦＳモードの液晶表示装置の平面図である。実施形態のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板側の２画素分の概略平面図である。図１のIII−III線に沿った概略断面図である。図４Ａ〜図４Ｆは実施形態の２画素分の製造工程を順を追って示す図１のIII−III線に対応する部分の断面図である。図５Ａ〜図５Ｃは実施形態の２画素分の製造工程を順を追って示す図４に続く断面図である。図６Ａは、図２のVIA部分の信号線までを透過した拡大平面図であり、図６Ｂは、図６ＡのVIB−VIB線での断面図である。図７Ａは、実施形態における絶縁膜に傷が形成された状態の図６Ａに対応する拡大平面図であり、図７Ｂは図７ＡのVIIB−VIIB線での断面図である。図８Ａは、従来例の図６Ｂに対応する断面図であり、図８Ｂはスパーク状態を示した断面図である。図９Ａは、従来例の短絡状態を示した図６Ａに対応する平面図であり、図９Ｂは、図９ＡのIXB−IXB線での断面図である。スパークの生成距離と個数の測定結果を示したグラフである。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本
発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置としてＦＦＳモードの液晶表示装置を例
示するものであって、本発明をこのＦＦＳモードの液晶表示装置に特定することを意図す
るものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適応し得
るものである。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面においては、各
層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異な
らせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない。

本発明の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示装置１０を図１〜図７を参照して説明する
。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、図１に示すように、アレイ基板ＡＲ及びカラー
フィルター基板ＣＦと、両基板ＡＲ、ＣＦを貼り合わせるシール材２５と、アレイ基板Ａ
Ｒ、カラーフィルター基板ＣＦ及びシール材２５により囲まれた領域に液晶（図示省略）
が液晶注入口２７から注入され液晶注入口２７が封止材２８で封止された構成、いわゆる
ＣＯＧ（Chip On Glass）型の液晶表示装置である。この液晶表示装置１０においては、
シール材２５により囲まれた領域が表示領域２６を形成しており、この表示領域２６の周
囲に設けられる画像が認識されない領域が液晶表示装置１０の非表示領域２９となる。

アレイ基板ＡＲは、ガラス等で形成された矩形状の第１の透明基板１１の表面に液晶駆
動用の各種配線等が形成されたものである。このアレイ基板ＡＲはカラーフィルター基板
ＣＦよりもその長手方向の長さが長く、両基板ＡＲ、ＣＦを貼り合わせた際に外部に延在
する延在部１１ａが形成されるようになっており、この延在部１１ａには駆動信号を出力
するＩＣチップあるいはＬＳＩ等からなるドライバーＤｒが設けられている。

この実施形態のＦＦＳモードの液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲは、透明基板１１の
表面全体に亘って、フォトリソグラフィー法あるいはエッチング法等によって、複数の走
査線１２及び複数のコモン配線１３が互いに平行になるように形成する（図２、図４Ａ参
照）。なお、本発明にかかる液晶表示装置１０では、開口率を向上させると共に表示画質
を向上させるため、コモン配線１３を走査線１２の一方側に寄せて配設している。

次いで、走査線１２及びコモン配線１３を形成した透明基板１１の表面全体に亘ってＩ
ＴＯ（Indium Thin Oxide）又はＩＺＯ（Indium Zink Oxide）等からなる透明導電性層を
被覆し、同じくフォトリソグラフィー法等によって下電極１４を形成する（図４Ｂ参照）
。このとき、図２、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、導電性材料層１４ａが走査線１２と
信号線１７の交差部を覆うよう、画素領域から延在するように形成される。

このようにして下電極１４及び導電性材料層１４ａを形成した後、この表面全体に例え
ば窒化ケイ素層からなる第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１５を被覆する（図４Ｃ参照）。

次いで、ａ−Ｓｉ層及びｎ^＋ａ−Ｓｉ層を順次第１の絶縁膜１５の表面全体に亘って被
覆した後、同じくフォトリソグラフィー法等によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層及び
ｎ^＋ａ−Ｓｉ層からなる半導体層１６を形成する（図４Ｄ、図４Ｅ参照）。この半導体層
１６が形成されている位置の走査線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。

次いで、半導体層１６を形成した透明基板１１の表面全体に亘って導電性層を被覆し、
同じくフォトリソグラフィー法等によって、信号線１７及びドレイン電極Ｄを形成する（
図５Ａ参照）。この信号線１７のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも
半導体層１６の表面に部分的に重なっている。

ここで、図７〜図９を参照して本実施形態と従来例とを比較して説明する。図４Ｆに示
す工程では、半導体層１６ｂを成膜した後、純水ＷＴで洗浄する工程がある。従来例では
、走査線１２上の第１の絶縁膜１５は、図７Ａ及び図８Ａに示すように下電極と同材料で
形成した導電性材料層１４ｂがエッジ部Ｅを有しており、その上層に第１の絶縁膜１５を
形成しているため、第１の絶縁膜１５の平坦部の厚さＡ'に比べ、エッジ部Ｅに形成され
た絶縁膜の厚さＢ'が薄くなり、ステップカバレッジ（Ｂ'／Ａ'）が悪くなっている。

また、本実施形態におけるステップカバレッジ（Ｂ／Ａ）の値の算出に用いる第１の絶
縁膜の平坦部の膜厚Ａの測定箇所は、段差最上部の平坦部中央、又は段差周囲の平坦部で
あることがのぞましく、側面領域の膜厚Ｂの測定箇所は該当段差部の最薄部とすることが
のぞましく、これにより正確にステップカバレッジ（Ｂ／Ａ）の値を算出できる。

また、本実施形態における第１の絶縁膜の平坦部の膜厚Ａと、側面領域の膜厚Ｂとの比
であるステップカバレッジ（Ｂ／Ａ）の値は、１以上となるようにするとよい。そのよう
にすることで、側面領域の膜厚Ｂが平坦部の膜厚Ａと比較して十分に厚く、段差部の側面
領域にも膜を形成するための材料物質が十分留まっており、微細な穴やクラックが生じる
ことなく安定した金属膜や絶縁膜が成膜できる。このようにすることで、第１の絶縁膜に
十分な絶縁耐圧を付与することができるため、第１の絶縁膜の絶縁耐力を大きくすること
ができ、信号線とコモン配線との間の短絡をより抑制することができるので、より線欠陥
の発生が少ない液晶表示装置を提供することができる。ステップカバレッジ（Ｂ／Ａ）の
値が１未満であると、側面領域の膜厚Ｂが平坦部の膜厚Ａと比較して薄く、段差部の側面
領域にも膜を形成するための材料物質が十分留まっておらず、微細な穴やクラックが生じ
るため、下電極と信号線との間の短絡が多くなるので好ましくない。

このとき、半導体層１６は図８Ｂで示したように、走査線１２上にも成膜され、洗浄さ
れる。そのため、純水ＷＴによる洗浄中に純水とｎ^＋ａ−Ｓｉ層１６ｂとの間での摩擦に
より発生した静電気が、走査線１２上に形成された導電性材料層１４ｂとの間でスパーク
２２を起し、導電性材料層１４ｂ上に薄く形成された第１の絶縁膜１５が破壊されて傷２
３が形成される（図９Ｂ参照）。そして、この第１の絶縁膜１５に傷２３を残したまま図
５Ａに示す工程に進むと、図９Ａ、図９Ｂに示すように、ソースレイヤー形成時にソース
レイヤーが第１の絶縁膜１５の破壊された傷２３に進入するので、ソースレイヤーをエッ
チング処理して信号線１７を形成しても、信号線１７と走査線１２とが短絡２４してしま
うことが生じる。

そこで、本実施形態では、図６、図７に示すように、導電性材料層１４ａを走査線１２
と信号線１７との交差する部分に下電極１４と同材料で形成し、且つ信号線１７の側面の
端部から幅Ｘ≧１０μｍとなるように幅広に形成する。従来例では、導電性材料層１４ｂ
が、図７Ａ及び図９Ａに示すように、信号線１７から狭い幅Ｘ'<１０μｍしか離間してい
ないため、静電気により発生するスパーク２２の位置が信号線１７の近傍に生じ、スパー
ク２２により第１の絶縁膜１５に形成された傷２３も信号線１７の近傍に生じるので、走
査線１２と信号線１７とが短絡２４（図９Ｂ参照）を起すおそれがある。

しかしながら、本実施形態では、図７Ａ、図７Ｂに示すように、第１の絶縁膜１５の傷
２３が信号線１７から幅Ｘ≧１０μｍだけ離間しているので、スパーク２２が起きたとし
ても、傷２３は信号線１７から離間した位置に形成されるので、この傷２３により信号線
１７と走査線１２が短絡２４を起すのが抑制される。すなわち、本実施形態では、静電気
により第１の絶縁膜１５に傷２３が形成されたとしても、その傷２３の形成には関係なく
、信号線１７と走査線１２間での短絡を抑制することができる。

なお、導電性材料層１４ａのる幅ＸはＸ≧１０μｍの関係を満たす必要がある。この根
拠を図１０を用いて説明する。なお、図１０は、走査線の表面に透明導電性材料からなる
層を形成し、その表面に窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜を厚さ０．４μｍに形成した試
料の計５３個について、ゲート絶縁膜の表面針状プローブを走査させてスパークが発生し
た際の透明導電性材料の端部からの距離とその個数を表したものである。なお、針状プロ
ーブと走査線との間の印加電圧は１ｋＶの直流電圧であり、針状プロー部は遠位から透明
導電性材料からなる層側に向けてゲート絶縁膜の表面を走査させて測定した。図１０に示
す実験結果は、測定結果に基いて標準偏差を計算し、横軸に１μｍステップで距離を、縦
軸にその個数を並べて表したものである。図１０に示した結果から、走査線１７の表面形
成された透明導電性材料１４の側面端部からの距離は、１０μｍ以上離間していればよい
ことが分かる。

更に、本実施形態の液晶表示装置１０を完成させるために、この基板の表面全体に窒化
ケイ素層からなる第２の絶縁膜１８を被覆した後、ドレイン電極Ｄに対応する位置の第２
の絶縁膜１８にコンタクトホール１９を形成してドレイン電極Ｄの一部を露出させる（図
５Ｂ参照）。次いで、この表面全体に亘ってＩＴＯ等からなる透明導電性層を被覆し、同
じくフォトリソグラフィー法等によって、図１に示したように、走査線１２及び信号線１
７で囲まれた領域の第２の絶縁膜１８上に、互いに平行に複数のスリット２０を有する上
電極２１を形成する（図５Ｃ参照）。このスリットを形成することによりフリンジフィー
ルド効果を発生させることができる。この上電極２１はコンタクトホール１９を介してド
レイン電極Ｄと電気的に接続されているため、画素電極として機能する。

次に、この表面全体に亘り所定の配向膜（図示省略）を形成することによりアレイ基板
ＡＲが完成される。このようにして製造されたアレイ基板ＡＲと別途製造されたカラーフ
ィルター基板ＣＦとを対向させ、周囲をシール材２５で貼り合わせて両基板間ＡＲ，ＣＦ
に形成された空間に液晶を封入することにより実施形態に係るＦＦＳモードの液晶表示装
置１０が得られる。なお、カラーフィルター基板ＣＦの詳細な説明は省略したが、ガラス
等の透明基板の表面にカラーフィルター層、オーバーコート層及び配向膜がそれぞれ積層
されており、共通電極が設けられていない他は従来のＴＮ（Twisted Nematic）方式の液
晶表示装置用のものと実質的に同一の構成を備えている。

このようにして作製された実施形態のＦＦＳモードの液晶表示装置によれば、製造工程
中の洗浄時に静電気により第１の絶縁膜に傷が形成されても、その傷の位置と信号線を十
分離間することができるため、走査線と信号線との間での短絡を抑制することができ、信
頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。

なお、本実施形態における液晶表示装置の非表示領域２９にはダミー画素を形成し、走
査線の表面形成される透明導電性材料をこのダミー画素に形成するとよい。ダミー画素は
静電気によって優先的に破壊されて表示領域内の画素に静電気の影響が及ばないようにす
る機能をも備えているため、ダミー画素が正常に機能していればより表示領域の画素に静
電気の影響が及ばないようにすることができ、より信頼性の高い液晶表示装置を提供する
ことができるようになる。

１０：液晶表示装置１１：透明基板１２：走査線１３：コモン配線１４：下電極
（共通電極）１４ａ、１４ｂ：導電性材料層１５：第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）
１６：半導体層１７：信号線１８：第２の絶縁膜１９：コンタクトホール２０：
スリット２１：上電極２２：スパーク２３：傷２４：短絡部Ｅ：エッジ部（側
面の端部）ＡＲ：アレイ基板

Claims

液晶層を挟持した一対の基板のうち、一方の基板上には、
平行に設けられた複数の走査線及びコモン配線と、
前記走査線、コモン配線及び前記一方の基板を被覆する第１の絶縁膜と、
前記走査線及び前記コモン配線と交差する方向に、前記第１の絶縁膜上に設けられた複数の信号線と、
前記走査線及び前記信号線の交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、
前記第１の絶縁膜の下に形成されているとともに前記コモン配線に接続された下電極と、
前記薄膜トランジスタと、前記信号線と、前記第１の絶縁膜との表面に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に平面視で前記下電極と重畳するように形成され、スリットを有する上電極と、
を備え、
前記下電極と前記上電極との間に生じる電界によって前記液晶層が駆動される表示領域と、前記表示領域の外側に形成される非表示領域を有する液晶表示装置において、
前記下電極は、前記隣接する画素間の前記コモン配線の表面を覆っており、
前記走査線の表面のうち前記交差部近傍にのみ、前記下電極と同組成の導電性材料層が矩形状に形成されており、
前記導電性材料層の前記走査線が延設される方向と直交する方向の幅が前記走査線の幅よりも広く、前記導電性材料層の前記信号線が延設される方向と直交する方向の幅が前記信号線の幅よりも広く、前記導電性材料層の前記信号線が延設される方向と直交する方向の端部であるエッジ部が前記信号線の側面端部から１０μｍ以上の位置にあることを特徴とする液晶表示装置。
前記エッジ部が、前記走査線が延設される方向において前記信号線と当該信号線に隣り合う信号線との間にある、ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
前記非表示領域は、ダミー画素が形成され、前記信号線と走査線の交差部上に形成される導電性材料層は前記ダミー画素に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
以下の（１）〜（９）の工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
（１）透明な基板の表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチングすることによりゲート電極部分を有する複数の走査線及び複数のコモン配線を互いに平行にパターニングする工程、
（２）前記（１）の工程で得られた基板の表面全体に亘って透明導電性層を被覆した後エッチングすることにより、各画素に対応する位置に前記コモン配線と電気的に接続された下電極を形成すると共に、前記下電極間のコモン配線の表面に前記透明導電性層を形成し、更に、前記走査線と以降の工程で形成予定の信号線とが交差する交差部近傍にのみ前記透明導電性層を矩形状に形成し、前記透明導電性層の前記走査線が延設される方向と直交する方向の幅が前記走査線の幅よりも広く、前記透明導電性層の前記信号線が延設される方向と直交する方向の幅が前記信号線の幅よりも広く、前記透明導電性層の前記信号線が延設される方向と直交する方向の端部であるエッジ部が前記信号線の側面端部から１０μｍ以上の位置にあるようにパターニングする工程、
（３）前記（２）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第１の絶縁膜を被覆する工程、
（４）前記第１の絶縁膜の表面全体に亘って半導体層を被覆し、エッチングすることによりゲート電極部分に対応する位置に半導体層をパターニングする工程、
（５）前記（４）の工程で得られた基板表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチングすることにより、前記走査線及びコモン配線と交差する方向に信号線を設けるとともに、それぞれの画素毎にドレイン電極と前記信号線に電気的に接続されたソース電極とをパターニングする工程、
（６）前記（５）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第２の絶縁膜を被覆する工程、
（７）前記それぞれの画素のドレイン電極上に位置する前記第２の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、
（８）前記（７）の工程で得られた基板の表面全体に亘って透明導電性層を被覆し、エッチングすることにより各画素に複数のスリットを有する上電極をパターニングするともに、前記上電極とドレイン電極とを電気的に導通させる工程、
（９）前記（８）の工程で得られた基板とカラーフィルター基板とを対向させ、両基板間に液晶を封入する工程。
前記エッジ部は、前記走査線が延設される方向において前記信号線と当該信号線に隣り合う信号線との間にある、請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。