JP5466973B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、櫛歯状電極と面状電極とが絶縁膜を介して配置されるＩＰＳ方式の液晶表示パネルを備える液晶表示装置に関する。

近年、液晶表示パネルを表示デバイスとして用いた液晶表示装置の表示性能は飛躍的に向上しており、様々な用途に使用されている。特に、液晶表示パネルを用いることにより表示装置本体の薄型化及び軽量化並びに低消費電力化が可能となるので、テレビ受像器や情報処理装置のモニタ装置等の大型の表示装置から携帯情報端末等の小型の表示装置として液晶表示パネルが用いられている。

このように液晶表示パネルは従来の表示装置に比較して非常に優れた特性を有しており、医療用の画像診断装置等にも広く使用されている。医療用の画像診断装置では、Ｘ線撮影装置やＸ線断層撮影装置等で撮影されたダイナミックレンジの広い診断画像を表示装置に画像表示させ、その表示画像に基づいて読影者である医師が診断を行うことが一般的である。このために、医療用のＸ線診断装置等に使用される表示装置には、非常に高い表示輝度が要望されると共に、診断画像の読影に必要な高い階調性能を提供するための広いダイナミックレンジでの画像表示性能が要望されている。

これらの問題を解決する技術として、例えば特許文献１に記載の液晶表示装置がある。この特許文献１に記載の液晶表示装置では、２枚の液晶表示パネルを重畳して配置し、バックライト光源に近い側の液晶表示パネルに遠い側の液晶表示パネルよりも解像度の低い画像を表示させることによって、ダイナミックレンジの広い画像表示を可能とするものである。

また、特許文献２には、ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、マトリクス状に配置される各画素の第１の電極を面状に形成すると共に、絶縁膜を介して形成される第２の電極（線状電極、櫛歯電極）を櫛歯状の電極とスリットとで形成する技術が開示されている。このような構成とすることにより、特許文献２に記載の技術では、スリット端部における異常ドメイン、すなわち画素に印加される映像信号によって液晶が制御されない領域を少なくさせることにより、液晶表示装置の透過率を向上させ、輝度の高い画像表示を可能とする。

特表２００８−５２１０４９号公報 特開２００９−１２２５９５号公報

特許文献１に記載の技術では、バックライト光源から照射された光（以下、バックライト光と記す。）は、重畳配置される２枚の液晶表示パネルを透過した後に、表示面側から出射される構成となる。このために、１枚の液晶表示パネルを用いた液晶表示装置よりも表示輝度の最大値が低下してしまうことが懸念される。

一方、特許文献２に記載の技術では、スリット端部における異常ドメインの形成領域を減少させることは可能であるが、傾斜方向が異なる２つのスリットが形成される領域における異常ドメインの形成については何ら考慮されていない。

本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の透過率を低下させることなく、ダイナミックレンジを拡大させることが可能な技術を提供することにある。

（１）前記課題を解決すべく、複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とで囲まれる領域を画素の領域とする液晶表示装置であって、前記画素の領域は、平面状の面状電極と、絶縁層を介して前記面状電極に重畳して形成され、第１方向に延在する複数の線状の線状電極とを有する第１画素領域と、前記面状電極と、前記絶縁層を介して前記面状電極に重畳して形成され、第２方向に延在する複数の線状の線状電極とを有する第２画素領域とからなり、前記第１画素領域と前記第２画素領域とに挟まれた領域に形成され、前記第１方向に傾斜する辺縁部と前記第２方向に傾斜する辺縁部とを有する境界部電極と、前記境界部電極に重畳して形成されると共に、前記第１方向及び前記第２方向に傾斜する前記境界部電極の辺縁部に沿って形成される辺を有する遮光膜とを備え、前記遮光膜は、前記ドレイン線と同一の層に形成される金属薄膜からなり、前記ドレイン線と電気的に接続される液晶表示装置である。

（２）前記課題を解決すべく、複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とに囲まれた領域を画素の領域とする第１基板と、前記第１基板と対向して配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで狭持される液晶層とを有する液晶表示パネル備え、前記液晶表示パネルの背面からバックライト光が照射される液晶表示装置であって、前記画素の領域は、平面状の第１電極と、絶縁層を介して前記第１電極に重畳して形成される線状の第２電極とを有し、前記第２電極は、第１方向に延在する線状電極と、第２方向に延在する線状電極と、前記第１方向に延在する線状電極と前記第２方向に延在する線状電極との境界領域において前記第１方向と前記第２方向との線状電極が一体に形成される電極とからなり、前記第１方向と前記第２方向との線状電極が一体に形成される電極と重畳して形成される遮光膜を備え、前記遮光膜は、前記ドレイン線と同一の層に形成される金属薄膜からなり、前記ドレイン線と電気的に接続されると共に、前記第１方向と前記第２方向との線状電極が一体に形成される電極を透過するバックライト光を遮光する液晶表示装置である。

（３）前記課題を解決すべく、複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とで囲まれる領域を画素の領域とする液晶表示装置であって、前記画素の領域は、平面状の第１電極と、絶縁層を介して前記第１電極に重畳して形成される線状の電極と両端が閉じたスリットとからなる第２電極とを有し、前記スリットの端部と重畳される遮光膜を備え、前記遮光膜は、前記ドレイン線と同一の層に形成される金属薄膜からなり、前記ドレイン線と電気的に接続される液晶表示装置である。

本発明によれば、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の透過率を低下させることなく、ダイナミックレンジを拡大させることができる。

本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。

本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための図である。 本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための上面図である。 図２に示すＢ−Ｂ線における断面図である。 図２に示すＣ−Ｃ線における断面図である。 本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるパターン図である。 本発明の実施形態１の液晶表示装置における保護膜の形成前のパターン図である。 本発明の実施形態１の液晶表示装置における他の画素構成を説明するための上面図である。 本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための上面図である。 本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素パターンの拡大図である。

以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。

〈実施形態１〉
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明する。

図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、画素電極等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、カラーフィルタやブラックマトリクスが形成され、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される図示しない液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有し、この液晶表示パネルＰＮＬの光源となる図示しないバックライトユニットとを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記す。

第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が用いられるのが一般的であるが、ガラス基板に限定されることはなく、石英ガラスやプラスチック（樹脂）のような他の絶縁性基板であってもよい。例えば、石英ガラスを用いれば、プロセス温度を高くできるため、後述する薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜を緻密化できるので、信頼性を向上することができる。一方、プラスチック（樹脂）基板を用いる場合には、軽量で、耐衝撃性に優れた液晶表示装置を提供できる。

また、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。

実施形態１の液晶表示装置では第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中ｘ方向に延在しｙ方向に並設される走査線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中ｙ方向に延在しｘ方向に並設される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。

ドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域を構成し、これにより、各画素は表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。各画素は、例えば図１中丸印Ａの部分において、その拡大図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、コモン線ＣＬに接続され映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。なお、拡大図Ａ’に示す共通電極ＣＴの構成では、画素毎に独立して形成される共通電極ＣＴにコモン線ＣＬを介して共通信号を入力する構成としたが、これに限定されることはなく、ｘ方向に隣接配置される画素の共通電極ＣＴが直接に接続されるように共通電極ＣＴを形成し、ｘ方向の左右（第１基板ＳＵＢ１の端部）の一端から、又は両側からコモン線ＣＬを介して共通信号を入力する構成でもよい。

各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、第２基板ＳＵＢ２よりも大きい第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に搭載される、駆動回路が形成される半導体チップＤＲにそれぞれ接続される構成となっている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路を半導体チップＤＲで形成し第１基板ＳＵＢ１に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板ＦＰＣにテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第１基板ＳＵＢ１に接続させる構成であってもよい。

〈画素の詳細構成〉
図２は本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための上面図であり、図３は図２に示すＢ−Ｂ線における断面図であり、図４は図２に示すＣ−Ｃ線における断面図である。以下、図２〜図４に基づいて、実施形態１の液晶表示装置における画素構造を説明する。ただし、説明を簡単にするために、図２〜図４には第１基板のみを示し、周知の配向膜は省略する。また、遮光膜ＳＢの形成を含む薄膜の形成は公知のフォトリソグラフィ技術により可能となるので、その形成方法の詳細な説明は省略する。

図２に示すように、実施形態１の液晶表示装置では、ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート線ＧＬと、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン線ＤＬとで囲まれる領域が画素の領域となっている。このような構成とすることにより、実施形態１の液晶表示装置では、画素をマトリクス状に形成する構成となっている。また、実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面（対向面）には、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）の透明導電材料からなる平面状の共通電極ＣＴが形成されている。この共通電極ＣＴは、第１基板ＳＵＢ１の辺部においてコモン線ＣＬに重畳されて形成され、これによりコモン線ＣＬと電気的に接続されて形成されている。なお、実施形態１では、ゲート線ＧＬ及びドレイン線ＤＬは金属薄膜で形成される。

また、図３に示すように、ガラス基板ＳＵＢ１の表面には薄膜トランジスタＴＦＴを保護するための下地膜ＩＮが形成され、該下地膜ＩＮの上層にゲート線ＧＬやコモン線ＣＬが形成されている。これらの上層には、ゲート線ＧＬやコモン線ＣＬ等を被うようにして絶縁膜ＧＩが形成されている。この絶縁膜ＧＩは、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するものであり、それに応じて膜厚等が設定されるようになっている。

絶縁膜ＧＩの上面であって、ゲート線ＧＬの一部と重畳する個所において、例えばアモルファスシリコンからなる非晶質の半導体層ＡＳが形成されている。この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となる。なお、この半導体層ＡＳは、例えば、ＡＳ’（以下、アモルファスシリコン層と記す）で示すように、ドレイン信号線ＤＬの下層、接続部ＪＣの下層、及びソース電極ＳＴの延在部分（パッド部ＰＤを含む）の下層に形成され、段差を少なく構成できるようにしている。

そして、図中ｙ方向に伸張されるドレイン線ＤＬの一部において、薄膜トランジスタＴＦＴ側に延在する延在部（接続部）ＪＣを有し、この延在部ＪＣは半導体層ＡＳ上に形成された薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴに接続される。また、ドレイン線ＤＬは、絶縁膜ＧＩ及びアモルファスシリコン層ＡＳ’を介してゲート線ＧＬと交差する構成となっている。また、ドレイン線ＤＬ及びドレイン電極ＤＴの形成の際に同時に形成されるソース電極ＳＴが、半導体層ＡＳ上にてドレイン電極ＤＴと対向し、かつ、半導体層ＡＳ上から画素領域側に若干延在された延在部を有して形成されている。この延在部は画素電極ＰＸと接続されるパッド部ＰＤに至るようにして構成されている。このとき、図２に示すように、ドレイン電極ＤＴは、ソース電極ＳＴの先端部を囲むようにして形成された例えばＵ字状のパターンとして形成されている。これにより、薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル幅を大きく構成している。

なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート線ＧＬをゲート電極としたいわゆる逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）構造のトランジスタが構成されることになる。また、ＭＩＳ構造のトランジスタは、そのバイアスの印加によってドレイン電極ＤＴとソース電極ＳＴが入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極ＤＴ、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極ＳＴと称する。

第１基板ＳＵＢ１の表面には、薄膜トランジスタＴＦＴを被う絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴと液晶との直接の接触を回避させると共に、薄膜トランジスタＴＦＴの形成に伴う第１基板ＳＵＢ１表面を平坦化させるために設けられるようになっている。この保護膜ＰＡＳの上部表面に共通電極ＣＴが形成されて、その上層に容量素子の誘電体膜として機能する容量絶縁膜ＣＩが形成され、該容量絶縁膜ＣＩを介してその上層に画素電極ＰＸが形成されている。このとき、容量絶縁膜ＣＩ及び保護膜ＰＡＳには、パッド部ＰＤに至るコンタクトホールＣＨが形成され、該コンタクトホールＣＨを介して画素電極ＰＸと薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴとが電気的に接続される。

特に、実施形態１においては、画素電極ＰＸは例えばＩＴＯ等からなる透明導電膜を画素の領域内に面状に形成した後に、バックライト光の通過領域ＡＰに対応する部分にｙ方向と交差する複数のスリットＳＬＴが形成され、この構成により通過領域ＡＰ内において共通電極ＣＴと重畳する線状（櫛歯状）の電極を形成している。また、実施形態１では、１つの画素の領域内において、薄膜トランジスタＴＦＴに近い領域と遠い領域との２つの領域を設け、２つの領域でスリットＳＬＴの形成角度（ｙ方向に対する傾斜角度）が異なる角度となるように形成することにより、通過領域ＡＰ内における線状電極部分の傾斜角度を異なる角度としている。このような構成とすることにより、実施形態１の液晶表示装置では、スリットＳＬＴが形成される領域における透過率を周知のＴＮ方式と同等とすると共に、視角依存性を緩和させる構成としている。

また、図２に示すように、薄膜トランジスタＴＦＴに近い領域（第１画素領域）と遠い領域（第２画素領域）とが接する領域においては、画素電極ＰＸに形成するスリットＳＬＴが他端側に到達しない構成となっている。その結果、近い領域と遠い領域とに挟まれた領域に形成される電極は、線状電極とならない。すなわち、この領域では異なる傾斜角の線状電極が重なり一体となった形状の電極形状となっている。このために、この領域では画素電極ＰＸから共通電極ＣＴに至る横方向の電界が生じずに、液晶（液晶分子）が制御（駆動）されない異常ドメインとなる。その結果、この領域ではバックライト光がわずかに透過してしまい、コントラスト低下の原因となる。これに対して、実施形態１の液晶表示装置では、ドレイン線ＤＬから画素の領域へｘ方向に突出される遮光膜ＳＢが形成され、異常ドメインの領域におけるバックライト光の光漏れを大幅に抑制する構成としているので、ダイナミックレンジを拡大させることができる。

〈遮光膜の詳細構成〉
以下、図２及び図４に基づいて、遮光膜の詳細構成について説明する。図２から明らかなように、実施形態１の液晶表示装置の遮光膜ＳＢはドレイン線から延在する金属薄膜で形成され、２つの領域（上側領域と下側領域）の境界部分に形成される電極の辺縁部分の形状に沿った辺を有する形状となっている。すなわち、実施形態１の画素では、図２中の上側の領域に形成されるスリットＳＬＴは図中左側から右側にかけて右側下がりの形状となっているので、このスリットＳＬＴによって形成される線状電極も右側下がりの形状となる。一方、図２中の下側の領域に形成されるスリットＳＬＴは図中左側から右側にかけて右側上がりの形状となっているので、このスリットＳＬＴによって形成される線状電極も右側上がりの形状となる。

従って、図２中左側のドレイン線ＤＬからｘ方向（画素の透過領域ＡＰ内方向）に沿って右側（画素の透過領域ＡＰ内方向）に突出する遮光膜ＳＢは、突出量に応じてその先端部分のｙ方向幅が徐々に細くなる台形形状の遮光膜ＳＢとなる。これに対して、図２中の右側ドレイン線ＤＬからｘ方向に沿って左側（画素の透過領域ＡＰ内方向）に突出する遮光膜ＳＢは、突出量に応じてその先端部分のｙ方向幅が徐々に太くなる台形形状の遮光膜ＳＢとなる。このとき、実施形態１においては、２つの遮光膜ＳＢの面積が等しい面積となるように形成されている。このような構成とすることによって、例えば、ドット反転駆動で各画素を駆動した場合における、ドレイン線ＤＬに遮光膜ＳＢを形成することに伴う寄生容量（ソース・ドレイン間容量Ｃｄｓ、ドレイン線・共通電極間容量Ｃｄｃ）に起因する飛び込み電圧差の発生を防止することを可能としている。また、実施形態１では、ドレイン線ＤＬを形成する金属薄膜の一部を延在させて遮光膜ＳＢが形成される構成となっているので、製造工程を増加させることなく遮光膜ＳＢを形成できるという格別の効果が得られる。

このときの遮光膜ＳＢは、図４に示すように、アモルファスシリコン層ＡＳ’の上層に形成される金属薄膜のドレイン線ＤＬの一部がアモルファスシリコン層ＡＳ’と共に、ｘ方向に延在し形成されている。このように、画素電極ＰＸとなる透明導電膜と重畳して形成されることにより、図４中の下側から上側に透過するバックライト光が遮蔽領域ＳＢで遮光されることとなるので、異常ドメインに発生に伴うバックライト光の透過を遮光することが可能となる。また、異常ドメインの領域では、共通電極ＣＴと画素電極ＰＸとの間の電界による液晶の制御は出来ないので、本願発明の遮光膜ＳＢの形成に伴うバックライト光の透過量を示す透過率の低下を防止できる。

図５は本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるパターン図であり、図６は本発明の実施形態１の液晶表示装置における保護膜の形成前のパターン図である。ただし、図５及び図６においては、実施形態１の遮光膜を明確にするため、ドレイン線ＤＬのパターンと異なるハッチングで遮光膜ＳＢを示している。

図５及び図６に示すように、実施形態１では、ゲート線ＧＬがｙ方向に多数並設され、ドレイン線ＤＬがｘ方向に多数並設される構成となっており、隣接するゲート線ＧＬの間隔より隣接するドレイン線ＤＬの間隔の方が大きく形成されている。従って、実施形態１の画素においては、ドレイン線ＤＬの延在方向に２つの領域（画素領域）を設け、各領域でスリットＳＬＴすなわち線状電極の傾斜方向を異なる構成としている。このとき、画素毎に異なる方向に傾斜する線状電極が一体に形成される電極部分、すなわち電極の形状が線状電極とはならずに液晶分子を制御出来ない異常ドメインが生じることとなるが、ドレイン線ＤＬから延在して形成される遮光膜ＳＢによりバックライト光が遮蔽されることとなる。また、実施形態１の遮光膜においては、金属薄膜で遮光膜ＳＢを形成する構成となっているので、遮光膜ＳＢに入射したバックライト光の一部はバックライト側に反射される。従って、バックライト側に反射され光を再度バックライト光として第１基板ＳＵＢ１に入射させる構成とすることにより、最高輝度を向上せることができるという格別の効果を得ることができる。さらには、実施形態１の遮光膜ＳＢは、ドレイン線ＤＬの一部として形成される構成となっているので、画素電極ＰＸと遮光膜ＳＢとの形成位置のずれを小さくできるという格別の効果も得ることができる。

以上説明したように、実施形態１の液晶表示装置では、第１の傾斜方向に線状電極が形成される第１画素領域と、第２の傾斜方向に線状電極が形成される第２画素領域とから１つの画素が形成され、該画素がマトリクス状に配置され、第１画素領域の線状電極と第２画素領域の線状電極とが一体となる境界領域である線状の電極形状とならない領域を覆う遮光膜ＳＢを形成し、該遮光膜ＳＢの形状を第１及び第２の傾斜方向に伸延する線状電極の辺縁形状に沿った形状としているので、異常ドメインの発生に起因するバックライト光の透過を防止することが可能となり、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の透過率を低下させることなく、ダイナミックレンジを拡大できる。

なお、実施形態１の液晶表示装置では、ドレイン線ＤＬから延在する遮光膜ＳＢの形状を同一形状としたが、これに限定されることはなく異なる形状であってもよい。例えば、図７に示すように、画素毎に配置される薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴに接続される側から延在して形成される遮光領域の突出量を大きくした遮光膜ＳＢ１を形成することにより、画素の中央部分に形成される電極領域の異常ドメインに起因するバックライト光の透過量もさらに低減させることができ、その結果、さらにダイナミックレンジを拡大させることができる。なお、図７では遮光膜ＳＢと遮光膜ＳＢ１とはそれぞれ隣接するドレイン線ＤＬに接続される構成となっているので、遮光膜ＳＢと遮光膜ＳＢ１とは所定の距離で離間して形成することにより、電気的に接続されない構成とする。

〈実施形態２〉
図８は本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための上面図であり、図９は本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素パターンの拡大図である。ただし、図９においても実施形態２の遮光膜を明確にするために、ドレイン線ＤＬのパターンと異なるハッチングで遮光膜ＳＢ２を示している。また、実施形態２の液晶表示装置は遮光膜ＳＢ２の構成が異なるのみで、他の構成は実施形態１の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、遮光膜ＳＢ２の構成について詳細に説明する。

図８及び図９に示すように、実施形態２の液晶表示装置においてもｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート線ＧＬと、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン線ＤＬとで囲まれる領域が画素の領域となっている。また、図８に示すように、ｘ方向に延在するゲート線ＧＬ方向に対して、ｙ方向に延在するドレイン線ＤＬの方向が長い長方形の画素形状となっている。従って、実施形態２の画素の領域においても画素の領域に面状に形成した透明導電膜に、その端部が開口されない複数のスリットＳＬＴを形成することにより、バックライト光の通過領域ＡＰ内において図示しない共通電極に重畳する線状電極を形成している。

また、各スリットＳＬＴはｘ方向の幅よりもｙ方向の幅が大きくなるように形成されている。従って、本実施形態２の液晶表示装置においても、遮光膜ＳＢ２はドレイン線ＤＬから延在して形成される。このとき、実施形態２の構成では、各スリットＳＬＴの端部に遮光膜ＳＢ２が重畳して形成されている。このような構成とするために、実施形態２の液晶表示装置では、遮光膜ＳＢ２はドレイン線ＤＬの延在方向に対して直交する方向、すなわち各画素のバックライト光の通過領域ＡＰ方向に突出されている。また、実施形態２の遮光膜ＳＢ２は、突出量に応じてｙ方向の幅が順次小さくなる略三角形の外形形状である。ただし、遮光膜ＳＢ２の形状は三角形に限定されることはなく、スリットＳＬＴと遮光膜ＳＢ２とが重畳する領域は、異常ドメインが生じる領域と一致することが好ましい。

このような構成とすることにより、実施形態２の液晶表示装置では、図示しない容量絶縁膜を介して共通電極と重畳して配置される画素電極ＰＸのスリットＳＬＴの端部に生じる異常ドメインの領域における透過率を大幅に低減させることが可能となり、ダイナミックレンジを大幅に向上させることができる。なお、実施形態２の液晶表示装置における遮光膜ＳＢ２に、実施形態１の遮光膜ＳＢを組み合わせることにより、画素電極ＰＸの形状に起因する異常ドメインの領域におけるバックライト光の透過をさらに低減できるので、液晶表示装置のダイナミックレンジをさらに向上できる。

なお、実施形態１、２の液晶表示装置では、遮光膜ＳＢ、ＳＢ１、ＳＢ２をドレイン線ＤＬと同一の層の金属薄膜を用いて形成するとともに、ドレイン線ＤＬと電気的に接続する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、ゲート線ＧＬ等の他の層の金属薄膜及び遮光性能の大きい他の薄膜、並びにブラックマトリクス等を用いて遮光膜ＳＢ、ＳＢ１、ＳＢ２を形成してもよい。さらには、遮光膜ＳＢ、ＳＢ１、ＳＢ２が電気的に絶縁されたフローティング状態であってもよいが、他の信号線と接続する等により、遮光膜ＳＢ、ＳＢ１、ＳＢ２を所定の電位とした方がよい。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。

ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＡＲ……表示領域、ＳＵＢ１……第１基板
ＳＵＢ２……第２基板、ＤＬ……ドレイン線、ＧＬ……ゲート線、ＣＬ……コモン線
ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……共通電極
ＳＬ……シール材、ＤＲ……半導体チップ、ＦＰＣ……フレキシブルプリント基板
ＰＡＳ……保護膜、ＣＩ……容量絶縁膜、ＰＤ……パッド部、ＣＨ……コンタクトホール
ＳＴ……ソース電極、ＤＴ……ドレイン電極、ＧＴ……ゲート電極、ＧＩ……絶縁膜
ＡＳ……半導体層、ＡＳ’……アモルファスシリコン層、ＪＣ……接続部
ＩＮ……下地膜、ＳＢ、ＳＢ１、ＳＢ２……遮光膜、ＳＬＴ……スリット
ＡＰ……バックライト光の通過領域

Claims (9)

1. 複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とで囲まれる領域を画素の領域とする液晶表示装置であって、
   前記画素の領域は、平面状の面状電極と、絶縁層を介して前記面状電極に重畳して形成され、第１方向に延在する複数の線状の線状電極とを有する第１画素領域と、
   前記面状電極と、前記絶縁層を介して前記面状電極に重畳して形成され、第２方向に延在する複数の線状の線状電極とを有する第２画素領域とからなり、
   前記第１画素領域と前記第２画素領域とに挟まれた領域に形成され、前記第１方向に傾斜する辺縁部と前記第２方向に傾斜する辺縁部とを有する境界部電極と、
   前記境界部電極に重畳して形成されると共に、前記第１方向及び前記第２方向に傾斜する前記境界部電極の辺縁部に沿って形成される辺を有する遮光膜とを備え、
   前記遮光膜は、前記ドレイン線と同一の層に形成される金属薄膜からなり、前記ドレイン線と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記遮光膜は、各画素の領域を囲む一対の前記ドレイン線からそれぞれ突出して形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記一対のドレイン線から突出される遮光膜は、同じ面積であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とに囲まれた領域を画素の領域とする第１基板と、前記第１基板と対向して配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで狭持される液晶層とを有する液晶表示パネル備え、前記液晶表示パネルの背面からバックライト光が照射される液晶表示装置であって、
   前記画素の領域は、平面状の第１電極と、絶縁層を介して前記第１電極に重畳して形成される線状の第２電極とを有し、
   前記第２電極は、第１方向に延在する線状電極と、第２方向に延在する線状電極と、前記第１方向に延在する線状電極と前記第２方向に延在する線状電極との境界領域において前記第１方向と前記第２方向との線状電極が一体に形成される電極とからなり、
   前記第１方向と前記第２方向との線状電極が一体に形成される電極と重畳して形成される遮光膜を備え、
   前記遮光膜は、前記ドレイン線と同一の層に形成される金属薄膜からなり、前記ドレイン線と電気的に接続されると共に、前記第１方向と前記第２方向との線状電極が一体に形成される電極を透過するバックライト光を遮光することを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記遮光膜は、画素の領域を囲む一対の前記ドレイン線からそれぞれ突出して形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記一対のドレイン線から突出される遮光膜は、同じ面積であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とで囲まれる領域を画素の領域とする液晶表示装置であって、
   前記画素の領域は、平面状の第１電極と、絶縁層を介して前記第１電極に重畳して形成される線状の電極と両端が閉じたスリットとからなる第２電極とを有し、
   前記スリットの端部と重畳される遮光膜を備え、
   前記遮光膜は、前記ドレイン線と同一の層に形成される金属薄膜からなり、前記ドレイン線と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
8. 前記遮光膜は、画素の領域を囲む一対の前記ドレイン線からそれぞれ突出して形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記一対のドレイン線から突出される遮光膜は、同じ面積であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。

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