JPH02206120A - アルミニウム系配線 - Google Patents
アルミニウム系配線Info
- Publication number
- JPH02206120A JPH02206120A JP2798989A JP2798989A JPH02206120A JP H02206120 A JPH02206120 A JP H02206120A JP 2798989 A JP2798989 A JP 2798989A JP 2798989 A JP2798989 A JP 2798989A JP H02206120 A JPH02206120 A JP H02206120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- silicon nitride
- film
- air bubbles
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のアルミニウム系配線に関する。
［従来の技術〕
従来、半導体装置集積回路のアルミニウム系（ＡＱ）配
線には保護膜としてＳ ｉ Ｏ，系ガラス及びその表面
に窒化珪素膜が形成されている。５ｉｎ２系ガラスは通
常ＣＶＤで堆積され、窒化珪素は通常プラズマＣＶＤで
堆積されている。
線には保護膜としてＳ ｉ Ｏ，系ガラス及びその表面
に窒化珪素膜が形成されている。５ｉｎ２系ガラスは通
常ＣＶＤで堆積され、窒化珪素は通常プラズマＣＶＤで
堆積されている。
上記のようなＡＱ系配線は、半導体装置集積回路をセラ
ミックパッケージに封じ込める際のように４００６Ｃ以
上の温度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線
を引き起こすという問題がある。
ミックパッケージに封じ込める際のように４００６Ｃ以
上の温度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線
を引き起こすという問題がある。
この問題はこれまでのそのメカニズムが解明されていな
いため、有効な解決策が提案されていない。
いため、有効な解決策が提案されていない。
た左えば、窒化珪素膜の内部応力を通常の圧縮から引っ
張りになるように、プラズマＣＶＤでの形成条件を変化
させるとボイドが発生しにくいが、この窒化珪素膜はひ
び割れが入りやすく実用にならない。
張りになるように、プラズマＣＶＤでの形成条件を変化
させるとボイドが発生しにくいが、この窒化珪素膜はひ
び割れが入りやすく実用にならない。
本発明の目的は上記問題点を解消した半導体装置のアル
ミニウム系配線を提供することにある。
ミニウム系配線を提供することにある。
［課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明によるアルミニウム系
配線においては、ＳｉＯ□系ガラスの保護膜中に微細な
気泡を有するものである。
配線においては、ＳｉＯ□系ガラスの保護膜中に微細な
気泡を有するものである。
ＣＶＤで堆積した保護膜のＳｉＯ□系ガラスの表面にプ
ラズマＣＶＤで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、ＳｉＯ□系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力（１０″ｄｉｎ ／ ｃｘＭ台）を受ける
ことになる。引っ張り応力を受けた５ｉｎ２系ガラスは
ＡＱ系配線に引っ張り応力を及ぼし、これが、ＡＱ系配
線にボイドを作る原因となるが、本発明のようにＳｉＯ
□系ガラ系中ラス中な気泡を設けることによって窒化珪
素膜の引っ張り応力が緩和され、ＡＱ系配線に発生する
ボイドを防止することができる。
ラズマＣＶＤで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、ＳｉＯ□系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力（１０″ｄｉｎ ／ ｃｘＭ台）を受ける
ことになる。引っ張り応力を受けた５ｉｎ２系ガラスは
ＡＱ系配線に引っ張り応力を及ぼし、これが、ＡＱ系配
線にボイドを作る原因となるが、本発明のようにＳｉＯ
□系ガラ系中ラス中な気泡を設けることによって窒化珪
素膜の引っ張り応力が緩和され、ＡＱ系配線に発生する
ボイドを防止することができる。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図はその一例である。層間絶縁膜１を上面に有する
基板２上に、ＡＱ−１％Ｓｉ膜を形成した後、フォトレ
ジスト工程とドライエツチング工程とによって配線パタ
ーン３を形成する。次に、ＣＶＤによって燐ガラス４を
１ｔｔｍ、さらにプラズマＣＶＤによって窒化珪素膜５
を０．３ＩＪｍ堆核する。その後、ウェハー表面より加
速電圧３００ＫＶ以上の電子線を１×１０”ｅ／ａ！以
上照射することによって燐ガラス４中に気泡６が形成さ
れる。
基板２上に、ＡＱ−１％Ｓｉ膜を形成した後、フォトレ
ジスト工程とドライエツチング工程とによって配線パタ
ーン３を形成する。次に、ＣＶＤによって燐ガラス４を
１ｔｔｍ、さらにプラズマＣＶＤによって窒化珪素膜５
を０．３ＩＪｍ堆核する。その後、ウェハー表面より加
速電圧３００ＫＶ以上の電子線を１×１０”ｅ／ａ！以
上照射することによって燐ガラス４中に気泡６が形成さ
れる。
上記のようなＡｆｌ系配線は、４５０°Ｃ程度の熱処理
ではボイｉ−の発生が見られなかった。
ではボイｉ−の発生が見られなかった。
以上のように本発明によれば、４００〜５００℃の温度
に晒されてもボイド発生のない半導体装置集積回路のＡ
Ｑ系配線を得ることができる効果を有する。
に晒されてもボイド発生のない半導体装置集積回路のＡ
Ｑ系配線を得ることができる効果を有する。
第１図は本発明を説明する模式図である。
Claims (1)
- （１）ＳｉＯ＿２系ガラスの保護膜中に微細な気泡を有
することを特徴とするアルミニウム系配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2798989A JPH02206120A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | アルミニウム系配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2798989A JPH02206120A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | アルミニウム系配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02206120A true JPH02206120A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12236240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2798989A Pending JPH02206120A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | アルミニウム系配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02206120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468685A (en) * | 1992-03-31 | 1995-11-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor integrated circuit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154646A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63308350A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Fujitsu Ltd | 絶縁層の形成方法 |
-
1989
- 1989-02-06 JP JP2798989A patent/JPH02206120A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154646A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63308350A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Fujitsu Ltd | 絶縁層の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468685A (en) * | 1992-03-31 | 1995-11-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor integrated circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3070450B2 (ja) | 多層配線形成法 | |
| JP3149739B2 (ja) | 多層配線形成法 | |
| JP3123449B2 (ja) | 多層配線形成法 | |
| JPH02206120A (ja) | アルミニウム系配線 | |
| JPH06103691B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH02222538A (ja) | アルミニウム系配線のカバー膜形成方法 | |
| JP2737255B2 (ja) | アルミニウム系配線の保護膜形成方法 | |
| KR0121562B1 (ko) | 반도체 장치의 비아홀 형성방법 | |
| JPH0284729A (ja) | アルミニウム系配線 | |
| JPH02222540A (ja) | Ａｌ―Ｓｉ系配線の形成方法 | |
| JPH01225338A (ja) | Ａｌ系配線の形成方法 | |
| JPH0492425A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62221120A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07112009B2 (ja) | アルミニウム系配線 | |
| JPH01305540A (ja) | Ａｌ系配線 | |
| JPH0555455A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02170431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09283515A (ja) | 酸化シリコン膜形成法 | |
| JPH04258122A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01248643A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH06112200A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61265824A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000269203A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6342408B2 (ja) | ||
| JPH04103132A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |