JPH02222538A - アルミニウム系配線のカバー膜形成方法 - Google Patents
アルミニウム系配線のカバー膜形成方法Info
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- JPH02222538A JPH02222538A JP4456989A JP4456989A JPH02222538A JP H02222538 A JPH02222538 A JP H02222538A JP 4456989 A JP4456989 A JP 4456989A JP 4456989 A JP4456989 A JP 4456989A JP H02222538 A JPH02222538 A JP H02222538A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のアルミニウム系配線のカバー膜形
成方法に関する。
成方法に関する。
従来、半導体装置集積回路のＡＱ系配線には保護膜とし
てＳｕｎ、系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成さ
れている。Ｓ ｉ Ｏ，系ガラスは通常ＣＶＤで堆積さ
れ、窒化珪素は通常プラズマＣｖＤで堆積されている。
てＳｕｎ、系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が形成さ
れている。Ｓ ｉ Ｏ，系ガラスは通常ＣＶＤで堆積さ
れ、窒化珪素は通常プラズマＣｖＤで堆積されている。
上記のようなＡＱ系配線は、半導体装置集積回路をセラ
ミックパッケージに封じ込める際のように４００″Ｃ以
上の温度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線
を引き起こすという問題がある８この問題はこれまでそ
のメカニズムが解明されていないため、有効な解決策が
提案されていない。
ミックパッケージに封じ込める際のように４００″Ｃ以
上の温度に晒されると、配線中にボイドを発生し、断線
を引き起こすという問題がある８この問題はこれまでそ
のメカニズムが解明されていないため、有効な解決策が
提案されていない。
例えば、窒化珪素膜の内部応力を通常の圧縮から引っ張
りになるように、プラズマＣＶＤでの形成条件を変化さ
せるとボイドが発生しにくいが、この窒化珪素膜はひび
割れが入りやすく実用にならない。
りになるように、プラズマＣＶＤでの形成条件を変化さ
せるとボイドが発生しにくいが、この窒化珪素膜はひび
割れが入りやすく実用にならない。
本発明の目的は上記課題を解決したアルミニウム系配線
のカバー膜形成方法を提供することにある。
のカバー膜形成方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため１本発明によるアルミニウム系
配線のカバー膜形成方法においては、窒化珪素とＳｉｎ
、系ガラスとの２層カバー膜の表面に。
配線のカバー膜形成方法においては、窒化珪素とＳｉｎ
、系ガラスとの２層カバー膜の表面に。
常温で気体である元素のイオン又は中性粒子を照射する
ものである。
ものである。
ＣＶＤで堆積した保護膜のＳｕｎ、系ガラスの表面にプ
ラズマＣｖＤで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、 Ｓｉｎ、系ガラスは窒化珪素膜か
ら引っ張り応力（１０’ｄ ｉ ｎＩｃｘ１台）を受け
ることになる。引っ張り応力を受けたＳｉＯ□系ガラス
はＡΩ配線に引っ張り応力を及ぼし、 ＡＱ配線にボイ
ドを作る原因となる。しかし１本発明のようにカバー膜
に常温で気体である元素のイオン又は中性粒子を照射す
ることによって、ＳｉＯ２系ガラス内に微細な気泡を生
じせしめると、窒化珪素膜の引っ張り応力が緩和され、
ＡＱ系配線に発生するボイドを防止することができる
。
ラズマＣｖＤで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、 Ｓｉｎ、系ガラスは窒化珪素膜か
ら引っ張り応力（１０’ｄ ｉ ｎＩｃｘ１台）を受け
ることになる。引っ張り応力を受けたＳｉＯ□系ガラス
はＡΩ配線に引っ張り応力を及ぼし、 ＡＱ配線にボイ
ドを作る原因となる。しかし１本発明のようにカバー膜
に常温で気体である元素のイオン又は中性粒子を照射す
ることによって、ＳｉＯ２系ガラス内に微細な気泡を生
じせしめると、窒化珪素膜の引っ張り応力が緩和され、
ＡＱ系配線に発生するボイドを防止することができる
。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図はその一例である６図において、層間絶縁膜１を
有する基板２上に、Ａｆｌ−１％Ｓｉ膜を形成した後、
フォトレジスト工程とドライエツチング工程とによって
配線パターン３を形成したのち、ＣｖＤによって燐ガラ
ス４を１，１ｍ及びプラズマＣＶＤによって窒化珪素膜
５を０．３ｐ堆積する。その後、ウェハー表面より加速
電圧３０ＫＶのＡｒイオン６を１×１０”３″″！照射
すると、燐ガラス４の層内に微細な気泡６を形成するこ
とができる。
有する基板２上に、Ａｆｌ−１％Ｓｉ膜を形成した後、
フォトレジスト工程とドライエツチング工程とによって
配線パターン３を形成したのち、ＣｖＤによって燐ガラ
ス４を１，１ｍ及びプラズマＣＶＤによって窒化珪素膜
５を０．３ｐ堆積する。その後、ウェハー表面より加速
電圧３０ＫＶのＡｒイオン６を１×１０”３″″！照射
すると、燐ガラス４の層内に微細な気泡６を形成するこ
とができる。
上記のようなＡＱ系配線は、４５０°Ｃ程度の熱処理で
はボイドの発生が見られない。
はボイドの発生が見られない。
以上のように本発明によるときには、４００〜５００℃
の温度に晒されてもボイド発生のない半導体装置集積回
路のＡＱ系配線を得ることができる効果を有する。
の温度に晒されてもボイド発生のない半導体装置集積回
路のＡＱ系配線を得ることができる効果を有する。
第１図は本発明を説明する模式図である。
Claims (1)
- （１）窒化珪素とＳｉＯ＿２系ガラスとの２層カバー膜
の表面に、常温で気体である元素のイオン又は中性粒子
を照射することを特徴とするアルミニウム系配線のカバ
ー膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4456989A JPH02222538A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | アルミニウム系配線のカバー膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4456989A JPH02222538A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | アルミニウム系配線のカバー膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222538A true JPH02222538A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=12695134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4456989A Pending JPH02222538A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | アルミニウム系配線のカバー膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02222538A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140078A (en) * | 1974-10-01 | 1976-04-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaisochino seizohoho |
| JPS5556635A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Preparation of surface top coat in semiconductor device |
| JPS6167924A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP4456989A patent/JPH02222538A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140078A (en) * | 1974-10-01 | 1976-04-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaisochino seizohoho |
| JPS5556635A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Preparation of surface top coat in semiconductor device |
| JPS6167924A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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