JPH01225338A - Ａｌ系配線の形成方法 - Google Patents
Ａｌ系配線の形成方法Info
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- JPH01225338A JPH01225338A JP5216688A JP5216688A JPH01225338A JP H01225338 A JPH01225338 A JP H01225338A JP 5216688 A JP5216688 A JP 5216688A JP 5216688 A JP5216688 A JP 5216688A JP H01225338 A JPH01225338 A JP H01225338A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 abstract 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置のＡｌ系配線に関する。
（従来の技術）
従来、半導体集積回路のＡｌ系配線はＡｌ系配線パター
ンを形成した後、水素還元雰囲気中で４５０６Ｃ程度の
熱処理を施した後、燐ガラス等の保護膜を形成するとい
った工程で形成されている。
ンを形成した後、水素還元雰囲気中で４５０６Ｃ程度の
熱処理を施した後、燐ガラス等の保護膜を形成するとい
った工程で形成されている。
（発明が解決しようとする課題）
上記の工程で形成したＡｌ系配線は、半導体集積回路を
セラミックパッケージに封じ込める際のように４００°
Ｃ程度以上の温度に晒されると、配線中にボイドを発生
し断線を引き起こすという問題がある。
セラミックパッケージに封じ込める際のように４００°
Ｃ程度以上の温度に晒されると、配線中にボイドを発生
し断線を引き起こすという問題がある。
（課題を解決するための手段）
本発明はＡｌ系配線パターンの側面には保護膜があり、
上面が露出したあるいは０．１μｍ以下の膜厚の保護膜
が形成された状態で熱処理を行う工程を含むことを特徴
とするＡｌ系配線形成方法である。
上面が露出したあるいは０．１μｍ以下の膜厚の保護膜
が形成された状態で熱処理を行う工程を含むことを特徴
とするＡｌ系配線形成方法である。
（作用）
燐ガラス等の保護膜中のＡｌ系配線を４００°Ｃ以上の
温度にすると、保護膜よりＡｌ系配線の方が膨張係数が
大きいため、Ａｌ系配線は、ＩＧＰａ以上の高圧力下に
置かれる。このような高圧力下では、一般に結晶中の原
子空孔濃度は極めて少ないと考えられている。また、保
護膜からＡｌ系配線が受ける圧力は、Ａｌ系配線上面の
方が側面より小さい傾向があり、この圧力不均衡のため
にＡｌ系配線の結晶粒界が動こうとする。この際に、過
飽和の原子空孔が局所的に高密度になった部分が生成し
、一連の結晶粒界の動きが鎮静化したとき、過飽和の原
子空孔を急速に放出して、ボイドが発生する。
温度にすると、保護膜よりＡｌ系配線の方が膨張係数が
大きいため、Ａｌ系配線は、ＩＧＰａ以上の高圧力下に
置かれる。このような高圧力下では、一般に結晶中の原
子空孔濃度は極めて少ないと考えられている。また、保
護膜からＡｌ系配線が受ける圧力は、Ａｌ系配線上面の
方が側面より小さい傾向があり、この圧力不均衡のため
にＡｌ系配線の結晶粒界が動こうとする。この際に、過
飽和の原子空孔が局所的に高密度になった部分が生成し
、一連の結晶粒界の動きが鎮静化したとき、過飽和の原
子空孔を急速に放出して、ボイドが発生する。
本発明のように、予めＡＩ系配線上面が露出したあるい
は保護膜の厚さが０．１μｍ以下、即ち上面からの圧力
のないあるいは小さい状態で熱処理を行って安定状態に
しておけば、後に上面にも保護膜を形成した後で熱処理
しても、結晶粒界は動かず、過飽和の原子空孔も生成し
ないので、ボイドは発生しない。
は保護膜の厚さが０．１μｍ以下、即ち上面からの圧力
のないあるいは小さい状態で熱処理を行って安定状態に
しておけば、後に上面にも保護膜を形成した後で熱処理
しても、結晶粒界は動かず、過飽和の原子空孔も生成し
ないので、ボイドは発生しない。
（実施例）
本発明の実施例を図を用いて説明する。第１図（ａ）は
層間絶縁膜１を有する基板２上に、Ａｌ−１％Ｓｉ膜を
形成した後、フォトレジスト工程とドライエツチング工
程によって配線パターン３を形成したのち、ＣＶＤによ
って保護膜の燐ガラスをｌμｍ堆積し、ドライエツチン
グによって側面にのみ保護膜４を残した状態を示してい
る。この状態で水素還元雰囲気中、４５０℃で３０分ア
ニールを行ったのち、ＣＶＤ法で保護膜の燐ガラス５を
１１１ｍ形成しその上にプラズマＣＶＤ法で窒化珪素膜
６を０．３μｍ堆積して、第１図（ｂ）のように、配線
として完成する。
層間絶縁膜１を有する基板２上に、Ａｌ−１％Ｓｉ膜を
形成した後、フォトレジスト工程とドライエツチング工
程によって配線パターン３を形成したのち、ＣＶＤによ
って保護膜の燐ガラスをｌμｍ堆積し、ドライエツチン
グによって側面にのみ保護膜４を残した状態を示してい
る。この状態で水素還元雰囲気中、４５０℃で３０分ア
ニールを行ったのち、ＣＶＤ法で保護膜の燐ガラス５を
１１１ｍ形成しその上にプラズマＣＶＤ法で窒化珪素膜
６を０．３μｍ堆積して、第１図（ｂ）のように、配線
として完成する。
又、側面にのみ保護膜を残すのに次のような方法を用い
てもよい。まず層間絶縁膜１を有する基板２上に、Ａｌ
−１％Ｓｉ膜を形成し、次にフォトレジスト工程とドラ
イエツチング工程によって配線パターン３を形成する。
てもよい。まず層間絶縁膜１を有する基板２上に、Ａｌ
−１％Ｓｉ膜を形成し、次にフォトレジスト工程とドラ
イエツチング工程によって配線パターン３を形成する。
その後ＣＶＤによって保護膜の燐ガラスを１１１ｍ堆積
したのち、ポリイミド塗布及びドライエツチングによる
エッチバック平坦化工程によって、第２図（ａ）に示す
ように配線パターン３と保護膜４の表面を平坦にして、
水素還元雰囲気中、４５０’Ｃで３０分アニールを行っ
てもよい。この後第１図の場合と同様に燐ガラスと窒化
珪素膜６を形成し第２図（ｂ）のようになる。
したのち、ポリイミド塗布及びドライエツチングによる
エッチバック平坦化工程によって、第２図（ａ）に示す
ように配線パターン３と保護膜４の表面を平坦にして、
水素還元雰囲気中、４５０’Ｃで３０分アニールを行っ
てもよい。この後第１図の場合と同様に燐ガラスと窒化
珪素膜６を形成し第２図（ｂ）のようになる。
上記の様な工程によって形成したＡＩ系配線は、その後
の４５０°Ｃ程度の熱処理ではボイドの発生が見られな
い。
の４５０°Ｃ程度の熱処理ではボイドの発生が見られな
い。
上記２つの実施例では、ＡＩ系配線上面を完全に露出さ
せて熱処理を行っているが、厚さ０．１μｍ以下の保護
膜が残っている状態で熱処理を行っても同様の効果が得
られる。
せて熱処理を行っているが、厚さ０．１μｍ以下の保護
膜が残っている状態で熱処理を行っても同様の効果が得
られる。
また上記２つの実施例では４５０°Ｃのアニールを行な
っているが、３７０〜５５０°Ｃの範囲でアニールすれ
ばその後の熱処理でボイドが発生しない。
っているが、３７０〜５５０°Ｃの範囲でアニールすれ
ばその後の熱処理でボイドが発生しない。
（発明の効果）
４００〜５００’Ｃの温度に晒されてもボイド発生のな
い半導体装置のＡＩ系配線を形成することができる。
い半導体装置のＡＩ系配線を形成することができる。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明する斜視概略図
である。
である。
Claims (1)
- Ａｌ系配線パターンの側面には保護膜があり、上面が
露出したあるいは０．１μｍ以下の膜厚の保護膜が形成
された状態で熱処理を行う工程を含むことを特徴とする
Ａｌ系配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216688A JPH01225338A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | Ａｌ系配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216688A JPH01225338A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | Ａｌ系配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225338A true JPH01225338A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12907246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5216688A Pending JPH01225338A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | Ａｌ系配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225338A (ja) |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP5216688A patent/JPH01225338A/ja active Pending
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