JPH02222540A - Ａｌ―Ｓｉ系配線の形成方法 - Google Patents
Ａｌ―Ｓｉ系配線の形成方法Info
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- JPH02222540A JPH02222540A JP4457189A JP4457189A JPH02222540A JP H02222540 A JPH02222540 A JP H02222540A JP 4457189 A JP4457189 A JP 4457189A JP 4457189 A JP4457189 A JP 4457189A JP H02222540 A JPH02222540 A JP H02222540A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のｉＱ−Ｓｉ系配線に関する。
従来、半導体装置集積回路のＡｎ−３ｉ系配線には保護
膜としてＳｉｎ２系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が
形成されている。Ｓｉｎ、系ガラスは通常ＣＶＤで堆積
され、窒化珪素は通常プラズマＣｖＤで堆積されている
。
膜としてＳｉｎ２系ガラス及びその表面に窒化珪素膜が
形成されている。Ｓｉｎ、系ガラスは通常ＣＶＤで堆積
され、窒化珪素は通常プラズマＣｖＤで堆積されている
。
上記のようなＡｌ２−５Ｌ系配線は、長期間（延べ１０
００時間以上）１５０℃程度の温度にさらされると断線
を引き起こすという問題がある。この問題はこれまでそ
のメカニズムが解明されていないため、有効な解決策が
提案されていない０例えば、窒化珪素膜の内部応力を通
常の圧縮から引っ張りになるように、プラズマＣｖＤで
の形成条件を変化させるとボイドが発生しにくいが、こ
の窒化珪素膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
００時間以上）１５０℃程度の温度にさらされると断線
を引き起こすという問題がある。この問題はこれまでそ
のメカニズムが解明されていないため、有効な解決策が
提案されていない０例えば、窒化珪素膜の内部応力を通
常の圧縮から引っ張りになるように、プラズマＣｖＤで
の形成条件を変化させるとボイドが発生しにくいが、こ
の窒化珪素膜はひび割れが入りやすく実用にならない。
本発明の目的は前記課題を解決したＡＱ−３Ｌ系配線の
形成方法を提供することにある。
形成方法を提供することにある。
前記目的を達成するため１本発明によるＡρ−８ｉ系配
線の形成方法は、Ａｆ；ｔ−Ｓｉ系配線パターン形成後
の２５０℃以上の熱処理工程において、急速に降温しで
ＡＱ配線パターン中に析出したＳＬを微細化するもので
ある。
線の形成方法は、Ａｆ；ｔ−Ｓｉ系配線パターン形成後
の２５０℃以上の熱処理工程において、急速に降温しで
ＡＱ配線パターン中に析出したＳＬを微細化するもので
ある。
ＣＶＤで堆積した保護膜のＳｉｎ、系ガラスの表面にプ
ラズマＣＶＤで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、ＳｉＯ□系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力（１０’ｄ ｉ ｎ／ａＪ台）を受けるこ
とになる。引っ張り応力を受けたＳｉｎｓ系ガラスはＡ
ｌｌ配線に引っ張り応力を及ぼし、ＡＱ配線中に析出し
たＳｉを破壊して断線の原因となる。しかし１本発明の
ようにＡＱ−３ｉ系配線パターン形成後の２５０６Ｃ以
上の熱処理工程において、急速に降温すると５析出する
Ｓｌが微細になり、Ａｌ−３ｉ系配線に発生する断線を
防止することができる。
ラズマＣＶＤで窒化珪素膜を堆積する場合、ひび割れを
防止するために圧縮の内部応力を持つ窒化珪素膜が堆積
される。そのため、ＳｉＯ□系ガラスは窒化珪素膜から
引っ張り応力（１０’ｄ ｉ ｎ／ａＪ台）を受けるこ
とになる。引っ張り応力を受けたＳｉｎｓ系ガラスはＡ
ｌｌ配線に引っ張り応力を及ぼし、ＡＱ配線中に析出し
たＳｉを破壊して断線の原因となる。しかし１本発明の
ようにＡＱ−３ｉ系配線パターン形成後の２５０６Ｃ以
上の熱処理工程において、急速に降温すると５析出する
Ｓｌが微細になり、Ａｌ−３ｉ系配線に発生する断線を
防止することができる。
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図はその一例である。眉間絶縁膜１を有する基板２
上に、ＡＱ−１％Ｓｉ膜を形成した後、フォトレジスト
工程とドライエツチング工程とによって配線パターン３
を形成する１次いで、ＣＶＤによって燐ガラス４を１−
及びプラズマＣｖＤによって窒化珪素膜５を０．３−堆
積する。その後、４００℃でセラミックパッケージに封
じ込める際に、１００℃／秒で急速に降温することによ
って配線パターン３中のＳｉの析出６を極めて微細にす
ることができる。
上に、ＡＱ−１％Ｓｉ膜を形成した後、フォトレジスト
工程とドライエツチング工程とによって配線パターン３
を形成する１次いで、ＣＶＤによって燐ガラス４を１−
及びプラズマＣｖＤによって窒化珪素膜５を０．３−堆
積する。その後、４００℃でセラミックパッケージに封
じ込める際に、１００℃／秒で急速に降温することによ
って配線パターン３中のＳｉの析出６を極めて微細にす
ることができる。
上記のような１−Ｓｉ系配線は、１５０１Ｃ程度の長期
保管では断線が見られない。
保管では断線が見られない。
以上のように本発明によるときには１５０＠Ｃ程度の長
期保管では断線発生のない半導体装置集積回路の＾Ω−
Ｓｉ系配線が得られる。
期保管では断線発生のない半導体装置集積回路の＾Ω−
Ｓｉ系配線が得られる。
第１図は本発明を説明する模式図である。
Claims (1)
- （１）Ａｎ−Ｓｉ系配線パターン形成後の２５０℃以上
の熱処理工程において、急速に降温してＡｌ配線パター
ン中に析出したＳｉを微細化することを特徴とするＡＱ
−Ｓｉ系配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4457189A JPH02222540A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | Ａｌ―Ｓｉ系配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4457189A JPH02222540A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | Ａｌ―Ｓｉ系配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222540A true JPH02222540A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=12695191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4457189A Pending JPH02222540A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | Ａｌ―Ｓｉ系配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02222540A (ja) |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP4457189A patent/JPH02222540A/ja active Pending
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