JP5666483B2 - アザボロール配位子を有する金属錯体及び当該錯体を有する電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、式Ｉの金属錯体を含んだ電子デバイスに関する。また、本発明は、金属錯体自体、電子デバイスにおけるその使用及びその製造方法に関する。更に、本発明は、配位子及び本発明に従う金属錯体の製造用の配位子の使用を対象とする。

有機半導体が機能性材料として使用されるエレクトロルミネセンスデバイス（ＯＬＥＤ）の構造は、例えば、ＵＳ４５３９５０７、ＵＳ５１５１６２９、ＥＰ０６７６４６１及びＷＯ９８／２７１３６に記載されている。ここで使用される発光材料は、次第に、蛍光ではなく、りん光を呈する有機金属錯体になっている（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９，７５，４−６）。量子力学的理由から、有機金属化合物をりん光発光体として使用することで、エネルギー効率及び電力効率の４倍までの増加が可能である。しかしながら、一般的に、三重項発光を呈するＯＬＥＤの場合、改善の必要性がなお存在する。例えば、りん光ＯＬＥＤの物理的性質は、高品質且つ長寿命のエレクトロルミネセンスデバイスにおける三重項発光体の使用には、金属錯体の安定性、効率、動作電圧及び寿命の点で十分ではない。これは、特に、青色発光三重項発光体に当てはまる。従って、ここにおいて更なる改善が望ましい。有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて使用される他の化合物、例えば、マトリクス材料及び電荷輸送材料の場合も、改善の必要性がなお存在する。

先行技術に従うと、りん光ＯＬＥＤにおいては、通常、Ｃ及びＮを介して配位した二座配位子を含んだイリジウム化合物が三重項発光体として使用される。これらのＯＬＥＤにおける改善は、多脚型配位子を含んだ金属錯体又はクリプタートを使用することにより達成することができ、このことは、錯体がより高い熱安定性を有することを意味し、これは、より長い寿命のＯＬＥＤをもたらす（ＷＯ０４／０８１０１７、ＷＯ０５／１１３５６３、ＷＯ０６／００８０６９）。しかしながら、例えば、テレビ又はコンピュータのモニター用の高品質且つ長寿命のエレクトロルミネセンスデバイスにおいて後者を使用し得るためには、錯体における更なる改善が望ましい。

金属錯体は、有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて他の目的でも使用され、例えば、Ａｌｑ_３（トリス（ヒドロキシキノリネート））が電子輸送材料として使用されるか、又はＢＡｌｑ（例えば、Ｔ．Ｔｓｕｊｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ ２００５，１３（２），１１７−１２２）が三重項マトリクス材料、正孔ブロッキング材料又は電子輸送材料として使用される。亜鉛錯体もまた、三重項マトリクス材料として使用される（例えば、ＷＯ０９／０６２５７８、ＥＰ６５２２７３）。これらの材料の場合、高品質エレクトロルミネセンスデバイスにおける使用のためには、更なる改善がなお望ましい。

従って、本発明の目的は、金属錯体を含んだ新規な有機エレクトロルミネセンスデバイスを提供することである。金属錯体は、ここでは、発光体、マトリクス材料、正孔ブロッキング材料、電子輸送材料として又はＯＬＥＤにおいて他の目的で使用することができる。赤色、緑色及び青色りん光金属錯体の場合、特に、青色りん光金属錯体の場合、なお改善の必要がある。

驚くべきことに、以下で詳細に説明する金属キレート錯体を含んだある有機エレクトロルミネセンスデバイスは、この目的を達成し、有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて、特に、寿命、効率及び発光色について著しい改善をもたらすことが見出された。特に、これは、緑色及び青色りん光エレクトロルミネセンスデバイスに当てはまる。従って、本発明は、これらの錯体を含んだ有機エレクトロルミネセンスデバイスに関する。更に、本発明は、有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて使用され得る、とりわけ適切な金属錯体に関する。

従って、本発明は、一般式Ｉの化合物を含んだ電子デバイスを提供する。

一般式Ｉの化合物は、使用される記号及び指数に以下が適用される式ＩＩ及び／又はＩＩＩ及び／又はＩＶのＭ（Ｌ）_ｎ部分を含み：

Ｍは金属であり；
Ｙは、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、ＮＲ^３、Ｏ又はＳであり；
Ｘは、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、ＣＲ^１又はＮであり；
Ｒ^１は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ^２）_２、Ｎ（Ａｒ）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｓ（＝Ｏ）_２Ａｒ、ＣＲ^２＝Ｃ（Ｒ^２）_２、ＣＲ^２＝ＣＲ^２Ａｒ、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ^２）_３、Ｂ（ＯＲ^２）_２、Ｂ（Ｒ^２）_２、Ｂ（Ｎ（Ｒ^２）_２）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^２、１〜４０のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基、２〜４０のＣ原子を有する直鎖アルケニル若しくはアルキニル基又は３〜４０のＣ原子を有する分枝若しくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基であって、それらの各々は、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよく、１以上の非隣接ＣＨ_２基は、Ｒ^２Ｃ＝ＣＲ^２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^２）_２、Ｇｅ（Ｒ^２）_２、Ｓｎ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^２、Ｏ、Ｓ若しくはＣＯＮＲ^２により置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ若しくはＮＯ_２により置き換えられていてもよいものであるか、５〜６０の芳香環原子を有する芳香族若しくは芳香族複素環であって、各々の場合において、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよいものであるか、５〜６０の芳香環原子を有するアリールオキシ若しくはヘテロアリールオキシ基であって、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよいものであるか、或いはこれらの系の組合せであり、２以上の隣接する置換基Ｒ^１は単環又は多環の脂肪族若しくは芳香族環系を互いに形成していてもよく；
Ｒ^２は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、Ｆ又は１〜２０のＣ原子を有する脂肪族、芳香族及び／又は芳香族複素炭化水素基であって、更に、１以上のＨ原子がＦにより置き換えられていてもよいものであり；ここで、２以上の置換基Ｒ^２は、単環又は多環の脂肪族若しくは芳香族環系を互いに形成していてもよく；
Ｒ^３は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、１〜２０のＣ原子を有する脂肪族炭化水素基又は５〜３０の芳香環原子を有する芳香族若しくは芳香族複素環系であって、１以上の基Ｒ^１により置換されていてもよいものであるか；或いは、Ｒ^３は、Ｒ^３が、荷電又は非荷電の環外若しくは環内ドナー原子Ｄを介して金属Ｍに結合している配位基であり；
ここで、複数の部分配位子（part-ligand）Ｌは、互いに、或いはＬとＬ’及び／又はＬ’’とが共に、任意にＲ^３を介した連結によって多座若しくは多脚型配位子を形成していてもよく；
Ａｒは、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、５〜３０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、１以上の非芳香族基Ｒ^１により置換されていてもよいものであり；
Ｌ’、Ｌ’’は、いずれかの望まれる共配位子であり；
さらに、Ｍが配位数６の場合、ｎ＝１〜６（１，２，３，４，５，６）、ｏ＝０〜５（０，１，２，３，４，５）及びｍ＝０〜５（０，１，２，３，４，５）であり、Ｍが配位数５の場合、ｎ＝１〜５（１，２，３，４，５）、ｏ＝０〜４（０，１，２，３，４）及びｍ＝０〜４（０，１，２，３，４）であり、Ｍが配位数４の場合、ｎ＝１〜４（１，２，３，４）、ｍ＝０〜３（０，１，２，３）及びｏ＝０〜３（０，１，２，３）である。

Ｍ（Ｌ）_ｎ部分において、Ｌは、配位子を示し、これは、式ＩＩ、ＩＩＩ及びＩＶにおいて角括弧中に示される。

ここで、記号ｎ、ｍ及びｏは、金属Ｍについての配位数が、金属に応じて、合計で、この金属の通常の配位数に対応するように選択される。これは、遷移金属については、金属に応じて、通常、配位数４、５又は６、好ましくは、４又は６である。金属配位化合物は、金属及び金属の酸化状態に応じて、異なる配位数を有する、即ち、異なる数の配位子に結合することが一般的に知られている。種々の酸化状態における金属及び金属イオンの好ましい配位数は、有機金属化学又は配位化学の分野の当業者の一般的な専門知識の一部であるため、当業者にとって、金属及びその酸化状態並びに式ＩＩ、ＩＩＩ若しくはＩＶの配位子の正確な構造に応じて、適切な数の配位子Ｌ、Ｌ’及び／又はＬ’’を使用し、そのようにして、指数ｎ、ｍ及びｏの適切な選択をすることが容易である。

本発明の目的では、アリール基は、６〜４０のＣ原子を含み、本発明の目的では、ヘテロアリール基は、２〜４０のＣ原子と少なくとも１つのヘテロ原子とを含み、但し、Ｃ原子とヘテロ原子との合計が少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏ及び／又はＳから選択される。アリール基又はヘテロアリール基はここで、単純な芳香環、即ち、ベンゼン若しくは単純な芳香族複素環、例えば、ピリジン、ピリミジン、チオフェンなど、又は縮合したアリール若しくはヘテロアリール基、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリンなどのいずれかを意味すると解釈される。

本発明の目的では、環状のカルベンは、中性のＣ原子を介して結合する環状の基である。環状の基は、ここでは、飽和又は不飽和であってよい。ここで、好ましくは、Ａｒｄｕｅｎｇｏカルベン、即ち、２つの窒素原子がカルベンのＣ原子に結合しているカルベンである。本発明の目的では、５員環Ａｒｄｕｅｎｇｏカルベン環又は別の不飽和の５員環カルベンが、同様にアリール基であるとみなされる。

本発明の目的では、芳香環系は、環系において６〜６０のＣ原子を含んでいる。本発明の目的では、芳香族複素環系は、環系において１〜５９のＣ原子と少なくとも１つのヘテロ原子とを含み、但し、Ｃ原子とヘテロ原子との合計は少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏ及び／又はＳから選択される。本発明の目的では、芳香族又は芳香族複素環系は、必ずアリール又はヘテロアリール基のみを含んでいるとは限らず、更に、複数のアリール又はヘテロアリール基が、非芳香族単位（好ましくは１０％未満のＨ以外の原子）、例えば、Ｃ、Ｎ又はＯ原子により連結されていてもよい系も意味していると解釈されることが意図される。従って、９，９’−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベンなどの系もまた、２以上のアリール基が、例えば、直鎖状若しくは環状のアルキル基又はシリル基によって割り込まれた系と同様に、本発明の目的では、芳香環系を意味していると解釈されることが意図される。

５〜６０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、各々の場合において、上記基Ｒ^１〜Ｒ^３により置換されていてもよく、望まれる位置を介して芳香族又は芳香族複素環系に連結していてもよいものは、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ベンズアントラセン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス−若しくはトランス−インデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントリミダゾール、ピリジンイダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン及びベンゾチアジアゾールに由来する基を意味すると解釈される。

本発明の目的では、１〜４０のＣ原子を有するアルキル基又はＣ_１−〜Ｃ_４０−アルキル基であって、更に、個々のＨ原子又はＣＨ_２基は、上述した基により置換されていてもよいものは、例えば、基メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔｅｒｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、２−メチルペンチル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル又は２，２，２−トリフルオロエチルを意味すると解釈される。本発明の目的では、アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル又はシクロオクテニルを意味すると解釈される。本発明の目的では、アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル又はオクチニルを意味すると解釈される。Ｃ_１−〜Ｃ_４０−アルコキシ基又は１〜４０のＣ原子を有するアルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ又は２−メチルブトキシを意味すると解釈される。

本発明の目的では、ドナー原子は、少なくとも１つの自由電子対を有し、それ故、金属原子又は金属イオンと結合できる原子を意味すると解釈される。ここで、ドナー原子は、中性であるか又は正電荷若しくは負電荷を有していてもよい。ドナー原子は、好ましくは、中性であるか又は負電荷を有している。中性のドナー原子の例は、芳香族複素化合物、例えば、ピリジンにおいて結合している窒素であるか若しくはイミンの形態の窒素であるか又はカルベンの形態の炭素である。アニオン性ドナー原子の例は、芳香族又は芳香族複素環基の一部である炭素、例えば、フェニル基における炭素原子であるか、又は５員環芳香族複素環基の一部である窒素、例えば、窒素を介して結合するピロールにおける窒素である。本発明の目的では、環外ドナー原子Ｄは、以下で定義される環状置換基Ｒ^３又は環状基Ｃｙ１の一部ではないが、代わりに、Ｒ^３又はＣｙ１に置換基として結合し、少なくとも１つの自由電子対を有し、故に、金属原子に結合することのできるドナー原子を意味すると解釈される。環外ドナー原子の例は、フェノレートの形態の酸素、チオレートの形態の硫黄、ニトリル、アミン、イミン、アミド若しくはイミドの形態の窒素、ホスフィン若しくはホスファイトの形態のリン又はイソニトリル若しくはアセチリドの形態の炭素である。

本発明の実施形態において、Ｍ（Ｌ）_ｎ部分は、記号及び指数が上記の意味を有する式ＩＩａ、ＩＩＩａ、ＩＶａ、ＩＩｂ、ＩＩＩｂ又はＩＶｂと一致することが好ましく：

更に、Ｄ^１は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される環内ドナー原子であり；
Ｄ^２は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^１、Ｎ（Ｒ^１）^２、ＰＲ^１、Ｐ（Ｒ^１）_２、Ｐ（Ｏ）Ｒ^１、Ｐ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＡｓＲ^１、Ａｓ（Ｒ^１）_２、Ａｓ（Ｏ）Ｒ^１、Ａｓ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＳｂＲ^１、Ｓｂ（Ｒ^１）_２、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ^１、Ｓｂ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＢｉＲ^１、Ｂｉ（Ｒ^１）_２、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ^１、Ｂｉ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＯＲ^１、ＳＲ^１、ＳｅＲ^１及びＴｅＲ^１からなる群より選択される環外ドナー基であり；
Ｘ^１は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｃ又はＮであり；
Ｃｙ１は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、５〜３０の環原子を有する芳香族若しくは芳香族複素環基又は芳香環系若しくは芳香族複素環系であって、Ｘ^１及びＤ^１は、当該芳香族若しくは芳香族複素環基又は当該芳香族若しくは芳香族複素環系において存在しないか、或いはＤ^２が環外の基として結合しているものである。

本発明の実施形態において、Ｄ^１は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｎ、Ｃ、Ｏ又はＳから選択される環内ドナー原子であることが好ましい。

本発明の更なる実施形態において、Ｄ^２は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^１、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＰＲ^１、Ｐ（Ｒ^１）_２から選択される環外ドナー原子であって、Ｒ^１は上述の意味を有するものである。

Ｄ^１が、Ｎ又はＣを表す上記式ＩＩａ、ＩＩＩａ及びＩＶａの構造は、特に好ましい。

本発明の更なる実施形態において、一般式ＩＩ、ＩＩＩ若しくはＩＶ又はＩＩａ、ＩＩＩａ若しくはＩＶｂ又はＩＩｂ、ＩＩＩｂ若しくはＩＶｂの化合物において、基Ｙの全てが同じであり、基Ｒ^３及びＣｙ１の全てが同一であり、基Ａｒの全てが同一であり、且つ基Ｘ^１の全てが同一であることが好ましい。

本発明の目的では、式ＩＩ、ＩＩＩ及びＩＶにおけるＲ^３又は式ＩＩａ、ＩＩＩａ及びＩＶａにおけるＣｙ１が、以下の構造（１）乃至（２４）から選択される電子デバイスがさらに好ましい：

Ｘは、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、ＣＲ^１又はＮであり、Ｒ^１は、上記の意味を有し、破線は、ホウ素／窒素ヘテロ環の窒素原子への結合を示し、*は、金属での配位部位を示す。

本発明の更なる実施形態において、一般式ＩＩ、ＩＩＩ及びＩＶ中のＹは、ＮＲ^３であることが好ましい。

金属Ｍは、好ましくは、遷移金属又は主族金属を意味するものと解されることが意図される。Ｍは、好ましくは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される遷移金属であることが好ましい。金属は、種々の酸化状態にあってよい。上述の金属は好ましくは、Ｚｒ（ＩＶ）、Ｈｆ（ＩＶ）、Ｍｏ（ＩＩ）、Ｍｏ（ＩＩＩ）、Ｍｏ（ＩＶ）、Ｗ（ＩＩ）、Ｗ（ＩＩＩ）、Ｗ（ＩＶ）、Ｒｅ（Ｉ）、Ｒｅ（ＩＩ）、Ｒｅ（ＩＩＩ）、Ｒｅ（ＩＶ）、Ｒｕ（ＩＩ）、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｏｓ（ＩＩ）、Ｏｓ（ＩＩＩ）、Ｏｓ（ＩＶ）、Ｒｈ（Ｉ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）、Ｉｒ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ＩＶ）、Ｐｄ（ＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｔ（ＩＶ）、Ｃｕ（Ｉ）、Ｃｕ（ＩＩ）、Ｃｕ（ＩＩＩ）、Ａｇ（Ｉ）、Ａｇ（ＩＩＩ）、Ａｕ（Ｉ）、Ａｕ（ＩＩＩ）及びＡｕ（Ｖ）の酸化状態にある。Ｉｒ（ＩＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）及びＣｕ（Ｉ）は、特に好ましい。Ｍは、更に好ましくは、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）、Ａｌ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂｉ及びＴｅから選択される主族金属である。

更に好ましい実施形態は、使用される記号及び指数が上記の意味を有し且つＺがいずれかの望まれる架橋単位を表す構造ＩＩｃ、ＩＩＩｃ及びＩＶｃである：

全く同様に、上記の構造ＩＩｂ、ＩＩＩｂ及びＩＶｂにおける複数の配位子Ｌは、基Ｚにより互いに連結され得る。

特に好ましい実施形態において、部分Ｍ（Ｌ）_ｎは、以下の構造（２５）乃至（３０）から選択され：

ピリジン環は、各々の場合において、１以上の基Ｒ^１により置換されていてもよい。ここで、指数ｎは、金属Ｍの配位数並びに更なる共配位子Ｌ’及びＬ’’の存在に応じて選択される。ここで、Ｚは、望まれる架橋単位である。しかしながら、Ｚの役割は、配位子を連結することであるため、Ｚは、錯体の電子特性の副次的な役割を果たすだけであり、Ｚの正確な構造は、重要ではない。

ｎ＝３の場合、Ｚは、好ましくは、Ｂ、Ｂ（Ｒ^１）⁻、Ｂ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｂ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ⁻、Ｂ（Ｏ）_３、（Ｒ^１）Ｂ（Ｏ）_３ ⁻、Ｂ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｂ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ⁻、Ｂ(Ｃ（Ｒ^１）_２Ｏ)_３、（Ｒ^１）Ｂ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｏ）_３ ⁻、Ｂ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｂ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３ ⁻、Ｃ（Ｒ^１）、ＣＯ⁻、ＣＮ（Ｒ^１）_２、（Ｒ^１）Ｃ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｃ（Ｏ）_３、（Ｒ^１）Ｃ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｃ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｏ）_３、（Ｒ^１）Ｃ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｃ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｓｉ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ^１）_２Ｓｉ（Ｒ^１）_２）_３、Ｓｉ（Ｒ^１）、（Ｒ^１）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｓｉ（Ｏ）_３、（Ｒ^１）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１)_２)_３、（Ｒ^１）Ｓｉ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｏ）_３、（Ｒ^１）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ^１）_２ＣＲ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｓｉ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ^１）_２Ｓｉ（Ｒ^１）_２）_３、Ｎ、ＮＯ、Ｎ（Ｒ^１）^＋、Ｎ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｎ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、Ｎ（Ｃ＝Ｏ）_３、Ｎ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、（Ｒ^１）Ｎ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）^＋、Ｐ、Ｐ（Ｒ^１）^＋、ＰＯ、ＰＳ、ＰＳｅ、ＰＴｅ、Ｐ（Ｏ）_３、ＰＯ（Ｏ）_３、Ｐ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、ＰＯ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、Ｐ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｐ（Ｒ^１）（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、ＰＯ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｐ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｐ（Ｒ^１）（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、ＰＯ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ａｓ、Ａｓ（Ｒ^１）^＋、ＡｓＯ、ＡｓＳ、ＡｓＳｅ、ＡｓＴｅ、Ａｓ（Ｏ）_３、ＡｓＯ（Ｏ）_３、Ａｓ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、ＡｓＯ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、Ａｓ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ａｓ（Ｒ^１）（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、ＡｓＯ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ａｓ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ａｓ（Ｒ^１）（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、ＡｓＯ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｓｂ、Ｓｂ(Ｒ^１)^＋、ＳｂＯ、ＳｂＳ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ、Ｓｂ（Ｏ）_３、ＳｂＯ（Ｏ）_３、Ｓｂ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、ＳｂＯ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、Ｓｂ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｓｂ（Ｒ^１）（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、ＳｂＯ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｓｂ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｓｂ（Ｒ^１）（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、ＳｂＯ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｂｉ、Ｂｉ（Ｒ^１）^＋、ＢｉＯ、ＢｉＳ、ＢｉＳｅ、ＢｉＴｅ、Ｂｉ（Ｏ）_３、ＢｉＯ（Ｏ）_３、Ｂｉ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、ＢｉＯ（ＯＣ（Ｒ^１）_２）_３、Ｂｉ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｂｉ（Ｒ^１）（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、ＢｉＯ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｂｉ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｂｉ（Ｒ^１）（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、ＢｉＯ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３、Ｓ^＋、Ｓ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、Ｓ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、Ｓｅ^＋、Ｓｅ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、Ｓｅ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、Ｔｅ^＋、Ｔｅ（Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋、Ｔｅ（Ｃ（Ｒ^１）_２Ｃ（Ｒ^１）_２）_３ ^＋又は式（３１）、（３２）、（３３）若しくは（３４）の単位を表す。

破線の結合は、各々の場合において、部分配位子Ｌ、Ｌ’及びＬ’’への結合を示し、Ｕは、出現毎に、同じであるか又は異なり、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｓ（＝Ｏ）、Ｓ（＝Ｏ）_２、ＮＲ^２、ＰＲ^２、Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^２、Ｐ（＝ＮＲ^２）、Ｃ（Ｒ^２）_２、Ｃ（＝Ｏ）、Ｃ（＝ＮＲ^２）、Ｃ（＝Ｃ（Ｒ^２）_２）、Ｓｉ（Ｒ^２）_２及びＢＲ^２からなる群より選択される。使用される他の記号は、上述の意味を有する。

Ｚが、２価の基、即ち、２つの配位子Ｌを又はＬとＬ’若しくはＬ’’とを互いに架橋する場合、Ｚは、好ましくは、ＢＲ^１、Ｂ（Ｒ^１）_２ ⁻、Ｃ（Ｒ^１）_２、Ｃ（＝Ｏ）、Ｓｉ(Ｒ^１)_２、ＮＲ^１、ＰＲ^１、Ｐ（Ｒ^１）_２ ^＋、ＰＯ（Ｒ^１）、ＰＳ（Ｒ^１）、ＡｓＲ^１、ＡｓＯ（Ｒ^１）、ＡｓＳ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又は式（３５）乃至（４３）の単位からなる群より選択され：

破線の結合は、各々の場合において、部分配位子Ｌ、Ｌ’又はＬ’’への結合を示し、使用される他の記号は、各々の場合において、上記の意味を有する。

更に、２以上の架橋単位Ｚは、分子内、特に２つの架橋単位Ｚ中に存在し得る。２以上の架橋単位Ｚが分子内に存在する場合、これらの基Ｚが同じであっても又は異なっていてもよい。従って、大環状配位子又はクリプタンドの形成は、２つの架橋単位Ｚにより可能である。

ここで、Ｌ’及び／又はＬ’’は、中性、モノアニオン性、ジアニオン性又はトリアニオン性配位子、好ましくは、中性又はモノアニオン性配位子を示すことが好ましい。Ｌ’及び／又はＬ’’は、単座、二座、三座、四座又は五座配位子であってよい。

本発明の実施形態において、電子デバイスにおける一般式Ｉの化合物は、本発明に従う配位子Ｌのみを含むことが好ましい。これらは、Ｌが単座配位子の場合、単座、二座又は三座配位子、即ち、一般式Ｉにおける四配位金属の場合においてｎ＝４、六配位金属の場合においてｎ＝６である。四配位金属の場合、一般式Ｉの化合物は、４つの単座配位子、２つの二座配位子、１つの三座配位子及び１つの単座配位子又は１つの四座配位子を含み得る。八面体錯体の場合、一般式Ｉの化合物は、６つの単座配位子、３つの二座配位子、２つの三座配位子又は１つの６座配位子を含み得る。金属における配位数が６の場合、単座、二座、三座、四座及び五座配位子の組合せが、同様に可能である。

本発明の更に好ましい実施形態において、一般式Ｉの化合物における金属Ｍは、六座配位であり、２つの二座配位子Ｌを含んでいる。従って、この実施形態において、一般式Ｉの化合物は、各々の場合において、２つの単座配位子Ｌ’及びＬ’’又は１つの２座配位子Ｌ’又はＬ’’を含んでいる。ここで、Ｌ’又はＬ’’は好ましくは、シクロメタレート化された（cyclometallated）配位子又は２つの酸素原子を介して結合する配位子、特にケトケトネート誘導体、好ましくは、アセチルアセトネート又は酸素及び窒素を介して結合する配位子、好ましくはピコリネートである。

本発明の更に好ましい実施形態において、一般式Ｉの化合物中の金属Ｍは、平面四角形の又は四面体の様式で配位し、好ましくは、二座配位子Ｌを含んでいる。従って、この実施形態において、一般式Ｉの化合物は、各々の場合において、単座配位子Ｌ’若しくはＬ’’又は二座配位子Ｌ’、好ましくは、二座配位子を含んでいる。配位子Ｌ’又はＬ’’は、好ましくは、シクロメタレート化された配位子、２つの酸素原子を介して結合する配位子、特に、ケトケトネート誘導体、好ましくは、アセチルアセトネート又は酸素及び窒素原子を介して結合する配位子、好ましくはピコリネートである。更に、単座配位子Ｌと三座配位子Ｌ’又は三座配位子Ｌと単座配位子Ｌ’との組合せも可能である。

好ましい中性の単座配位子Ｌ’及びＬ’’は、各々の場合において、出現毎に、互いに独立して、一酸化炭素、ＮＯ、イソニトリル、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルイソニトリル、シクロヘキシルイソニトリル、アダマンチルイソニトリル、フェニルイソニトリル、メシチルイソニトリル、２，６−ジメチルフェニルイソニトリル、２，６−ジイソプロピルフェニルイソニトリル、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイソニトリル、アミン、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン、ホスフィン、例えば、トリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリ−フェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ホスファイト、例えば、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、アルシン、例えば、トリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシン、スチビン、例えば、トリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビン及び窒素含有ヘテロ環、例えば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジンから選択される。

好ましいモノアニオン性の単座配位子Ｌ’及びＬ’’は、各々の場合において、出現毎に、互いに独立して、ヒドリド、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ、アルキルアセチリド、例えば、メチル−Ｃ≡Ｃ⁻、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ⁻、アリール−及びヘテロアリールアセチリド、例えば、フェニル−Ｃ≡Ｃ⁻、シアニド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族又は芳香族アルコレート、例えば、メタノレート、エタノレート、プロパノレート、イソプロパノレート、ｔｅｒｔ−ブチレート、フェノレート、脂肪族又は芳香族チオアルコレート、例えば、メタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、イソプロパンチオレート、ｔｅｒｔ−ブタンチオレート、チオフェノレート、アミド、例えば、ジメチルアミド、ジエチルアミド、ジイソプロピルアミド、モルホリド、カルボキシレート、例えば、アセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、ベンゾエート及びアニオン性窒素含有ヘテロ環、例えば、ピロリド、イミダゾリド、ピラゾリドから選択される。これらの群におけるアルキル基は、好ましくは、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキル基、特に好ましくは、Ｃ_１〜Ｃ_１０−アルキル基、特に非常に好ましくは、Ｃ_１〜Ｃ_４−アルキル基である。これらの基並びにアリール及びヘテロアリール基は上で定義した通りである。

好ましいジ−又はトリアニオン性の単座配位子Ｌ’及びＬ’’は、Ｏ^２−、Ｓ^２−、ニトレンであって、Ｒ−Ｎ＝Ｍの形態の配位をもたらし、Ｒは、一般的に、置換基を表すものであるか、又はＮ^３−である。

好ましい中性又はモノ−若しくはジアニオン性の二座若しくは多座配位子Ｌ’及びＬ’’は、各々の場合において、出現毎に、互いに独立して、ジアミン、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン、シス−若しくはトランス−ジアミノシクロヘキサン、シス−若しくはトランス−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノシクロヘキサン、イミン、例えば、２−［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（イソプロピルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル］ピリジン、ジイミン、例えば、１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（イソ−プロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（イソプロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタン、２つの窒素原子を含んだヘテロ環、例えば、２，２’−ビピリジン、ｏ−フェナントロリン、ジホスフィン、例えば、ビス（ジフェニルホスフィノメタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、１，３−ジケトンに由来する１，３−ジケトネート、例えば、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トルフルオロアセチル）メタン、３−ケトエステルに由来する３−ケトネート、例えば、エチルアセトアセテート、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、例えば、ピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、アラニン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアラニン、サリチルイミンに由来するサリチルイミネート、例えば、メチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミン、ジアルコールに由来するジアルコレート、例えば、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコール及びジチオールに由来するジチオレート、例えば、１，２−エチレンジチオール、１，３−プロピレンジチオールから選択される。

好ましい三座配位子Ｌ’及びＬ’’は、窒素含有ヘテロ環のボレート、例えば、テトラキス（１−イミダゾリル）ボレート及びテトラキス（１−ピラゾリル）ボレートである。

好ましくは、更に、モノアニオン性の二座配位子Ｌ’及びＬ’’であって、金属により、シクロメタレート化された少なくとも１つの金属−炭素結合を有する５員環を形成するものである。特に、これらは、有機エレクトロルミネセンスデバイス用のりん光金属錯体の分野において一般的に使用されている配位子、即ち、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリンなどのタイプの配位子であって、それらの各々は、１以上の基Ｒ^１により置換されていてもよいものである。そのような配位子の多様性は、りん光エレクトロルミネセンスデバイスの分野における当業者にとって既知であり、当業者は、進歩性を伴うことなく、このタイプの更なる配位子を、式Ｉの化合物のための配位子Ｌ’及びＬ’’として選択することができるであろう。特に、式（１）乃至（２４）により上述した通り、この目的のためには２つの基の組合せが一般的に適切であり、ここにおいて、一方の基は、好ましくは、中性の窒素原子又はカルベン原子を介して結合し、他方の基は、好ましくは、負に帯電した炭素原子又は負に帯電した窒素原子により結合する。次に、配位子Ｌ’又はＬ’’は、互いに結合したこれらの基により式（１）乃至（２４）の群から形成されてよく、各々の場合において、破線の結合で示された位置において、*で示された位置で金属に結合する。

同様に好ましい配位子Ｌ’又はＬ’’は、η^５−シクロペンタジエニル、η^５−ペンタメチルシクロペンタジエニル、η^６−ベンゼン又はη^７−シクロヘプタトリエニルであって、それらの各々は、１以上の基Ｒ^１により置換されていてもよい。

同様に好ましい配位子Ｌ’又はＬ’’は、１，３，５−シス−シクロヘキサン誘導体、特に式（４４）、１，１，１−トリ（メチレン）メタン誘導体、特に式（４５）及び１，１，１−三置換メタン、特に、式（４６）であり：

式中、金属Ｍへの配位は、各々の場合において示され、Ｒ^１は、上述した意味を有し、Ａは、出現毎に、同じであるか又は異なり、Ｏ⁻、Ｓ^―、ＣＯＯ⁻、Ｐ（Ｒ^１）_２又はＮ（Ｒ^１）_２である。

式Ｉの錯体は、原則として、種々のプロセスにより調製され得るが、ここで、以下に記載するプロセスが、特に適切であることがわかった。式（１）の錯体は、式Ｖ、ＶＩ又はＶＩＩの配位子及び任意の更なる配位子Ｌ’、Ｌ’’の、式（４７）の金属アルコキシド、式（４８）の金属ケトケトネート又は式（４９）の金属ハロゲン化物との反応により得られ：

Ｍ及びＲ^２は、上述した意味を有し、他の記号及び指数には以下が適用される：
Ｈａｌは、出現毎に、同じであるか又は異なり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
Ｌｉｇは、出現毎に、同じであるか又は異なり、中性又はモノアニオン性の単座配位子若しくは二座配位子、例えば、ハロゲン化物、ヒドロキシド又はエチレングリコレートであり；
ｑは、出現毎に、同じであるか又は異なり、０、１、２、３又は４であり、好ましくは、０、１又は２であり；
ｒは、出現毎に、同じであるか又は異なり、１、２、３、４、５又は６であり；
ここで、式（４８）及び（４９）の化合物は、帯電していてもよく、１以上の対イオンを含んでいてもよく；さらに、式（４７）乃至（４９）、特に、式（４９）の化合物は、水和物の形態であってもよい。

配位子の錯体類似合成（complex-analogous synthesis）は、同様に、配位子の前駆体を式（４７）、（４８）又は（４９）の金属化合物と反応させること及び更にこの方法で形成した金属化合物上の配位子の前駆体を反応させ、完成した配位子を提供することにより、可能である。これは、特に、架橋単位Ｚが錯体に導入されている四座又は六座配位子を含んだ系に有利であってもよい。

合成は、例えば、熱的、光化学的及び／又はマイクロ波照射により活性化され得る。

これらのプロセスは、高純度、好ましくは、^１Ｈ−ＮＭＲ又はＨＰＬＣ分析に従う＞９９％、特に好ましくは＞９９．９％の純度で、容易に錯体を得ることができる。

好ましい構造の例は、以下の表に示される構造（１）乃至（３６２）である。

上記式Ｉの錯体及び上記好ましい実施形態は、好ましくは、電子デバイスにおける活性成分として使用される。好ましい電子デバイスは、有機エレクトロルミネセンスデバイス（ＯＬＥＤ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄層トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機電界クエンチデバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、有機光受容体及び有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）からなる群より選択される。特に好ましくは、有機エレクトロルミネセンスデバイスである。

活性成分は、一般的には、アノードとカソードとの間に導入される有機、有機金属又は無機材料、例えば、電荷注入、電荷輸送又は電荷ブロッキング材料であるが、特には、発光材料及びマトリクス材料である。本発明に従う化合物は、以下でより詳細に記載する通り、特には、有機エレクトロルミネセンスデバイスにおける発光材料として、これらの目的についてとりわけ良好な性質を示す。従って、有機エレクトロルミネセンスデバイスは、本発明の好ましい実施形態である。

有機エレクトロルミネセンスデバイスは、好ましくは、カソード、アノード及び少なくとも１つの発光層を含み、一般式Ｉの化合物は、好ましくは、発光層における発光化合物の形態であるか、又は一般式Ｉの化合物は、発光層における発光化合物のためのマトリクス材料の形態であり、特に好ましくは、発光化合物の形態である。

有機電子デバイスは、更なる層を含んでいてもよく、これは、各々の場合において、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロッキング層、励起子ブロッキング層、電荷発生層及び／又は有機若しくは無機ｐ／ｎ接合から選択される。

例えば、励起子ブロッキング機能を有する中間層は、同様に、２つの発光層の間又は他の層の間にも導入され得る。しかしながら、これらの層の各々が、必ず存在するとは限らないことは指摘すべきである。有機エレクトロルミネセンスデバイスは、１つの発光層又は複数の発光層を含んでいてもよく、少なくとも１つの発光層は、少なくとも１つの式Ｉの化合物を含んでいる。複数の発光層が存在する場合、これらは、好ましくは、合計して複数の発光極大を３８０ｎｍ乃至７５０ｎｍに有し、全体として白色発光をもたらす、即ち、蛍光又は発光を発することのできる種々の発光化合物が発光層において使用される。特に好ましくは、三層系であり、３つの層は、青色、緑色及び橙色又は赤色発光を呈する（基本的な構造については、例えば、ＷＯ０５／０１１０１３を参照のこと）。

本発明の好ましい実施形態において、電子デバイスは、発光層において、式Ｉの化合物又は上記好ましい実施形態を発光化合物として含む。

式Ｉの化合物が、発光層において発光化合物として使用される場合、１以上のマトリクス材料と組み合わせて用いられることが好ましい。式Ｉの化合物とマトリクス材料との混合物は、全体としての発光体とマトリクス材料とを含んだ混合物に基づき、１乃至９９体積％、好ましくは２乃至９０体積％、特に好ましくは、３乃至４０体積％、特に５乃至１５体積％の式Ｉの化合物を含む。これに対応して、混合物は、全体としての発光体とマトリクス材料とを含んだ混合物に基づき、９９乃至１体積％、好ましくは、９８乃至１０体積％、特に好ましくは、９７乃至６０体積％、特に、９５乃至８５体積％のマトリクス材料を含む。

本発明に従う適切なマトリクス材料は、例えば、ＷＯ０４／０１３０８０、ＷＯ０４／０９３２０７、ＷＯ０６／００５６２７又は未公開出願ＤＥ１０２００８０３３９４３．１に従うケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド及びスルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、例えば、ＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）、ｍＣＢＰ又はＷＯ０５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７若しくはＷＯ０８／０８６８５１に開示されるカルバゾール誘導体、例えば、ＷＯ０７／０６３７５４又はＷＯ０８／０５６７４６に従うインドロカルバゾール誘導体、例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０に従うアザカルバゾール、例えば、ＷＯ０７／１３７７２５に従う双極性マトリクス材料、例えば、ＷＯ０５／１１１１７２に従うシラン、例えば、ＷＯ０６／１１７０５２に従うアザボロール又はボロン酸エステル、例えば、未公開の出願ＤＥ１０２００８０３６９８２．９、ＷＯ０７／０６３７５４又はＷＯ０８／０５６７４６に従うトリアジン誘導体、又はＥＰ６５２２７３又はＷＯ０９／０６２５７８に従う亜鉛錯体である。本願の式Ｉの化合物は、更に、以下で詳細に説明する通り、マトリクス材料として適切である。一般に、有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて先行技術に従ってりん光発光体に使用されるマトリクス材料の全ては、本発明に従う化合物に使用されてもよい。同様に、これらのマトリクス材料の混合物を使用することもできる。

有機エレクトロルミネセンスデバイスは、別個の正孔輸送層を含まないこと、又は正孔輸送層における正孔輸送材料として金属錯体を含むことも可能であり、これは、発光層において使用される錯体と、正孔輸送層における正孔輸送材料と同一又は類似である。

本発明の更なる実施形態において、式Ｉの化合物又は上記好ましい実施形態は、発光層における発光化合物のためのマトリクス材料として使用される。

本発明の更に好ましい実施形態において、本発明に従うエレクトロルミネセンスデバイスは、マトリクス材料及び更に少なくとも２つのりん光発光体を発光において含み、２つのりん光発光体のうちの少なくとも１つは上記式（Ｉ）の化合物である。ここで、より短い波長で発光するりん光発光体は、より長い波長で発光するりん光発光体のマトリクス材料として機能する。式（Ｉ）の化合物はここで、より短い波長で発光する化合物又はより長い波長で発光する化合物であってよい。同様に、どちらのりん光化合物も、式（Ｉ）の化合物であってよい。両方の錯体が発光性であってもよい。

式Ｉの化合物又は上記好ましい実施形態が、発光層において発光化合物のためのマトリクス材料として使用される場合、それらは、好ましくは、１以上のりん光材料（三重項発光体）又は蛍光材料（一重項発光体）と組み合せて使用される。好ましい発光材料は、りん光材料である。本発明の目的では、りん光は、比較的高いスピン多重度の励起三重項状態、即ち、スピン状態＞１からの発光、特には、励起三重項状態又はＭＬＣＴ混合状態からの発光を意味すると解釈される。本発明の目的では、発光性遷移金属錯体の全て、特に、発光性のイリジウム、白金及び銅化合物の全ては、りん光材料としてみなされる。式Ｉの化合物又は上記好ましい実施形態と発光化合物との混合物は、発光体及びマトリクス材料を含む混合物全体に基づき、９９乃至１体積％、好ましくは、９８乃至１０体積％、特に好ましくは、９７乃至６０体積％、特には、９５乃至８５体積％の式Ｉの化合物又は上記好ましい実施形態を含んでいる。これに対応して、発光体及びマトリクス材料を含んだ全体としての混合物に基づき、１乃至９９体積％、好ましくは、２乃至９０体積％、特に好ましくは、３乃至４０体積％、特には、５乃至１５体積％の発光体を含んでいる。同様に、式（Ｉ）の化合物と更なる化合物を、共にマトリクス材料として使用することができる。

使用されるりん光発光体は、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金又はユーロピウムを含んだ化合物、特に、イリジウム又は白金を含んだ化合物である。

上記発光体の例は、出願ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／４１５１２、ＷＯ０２／０２７１４、ＷＯ０２／１５６４５、ＥＰ１１９１６１３、ＥＰ１１９１６１２、ＥＰ１１９１６１４、ＷＯ０５／０３３２４４又はＷＯ０９／１１８０８７により開示される。適切な発光体は、更に、上記式Ｉの化合物及び上記好ましい実施形態である。一般に、先行技術に従って、りん光ＯＬＥＤに使用され且つ有機エレクトロルミネセンスデバイスの分野における当業者に既知である全てのりん光錯体が適切であり、当業者は、進歩性を伴うことなく、更なるりん光錯体を使用することができるであろう。

本発明の更に好ましい実施形態において、式Ｉの化合物又は上記好ましい実施形態は、正孔ブロッキング層において正孔ブロッキング材料として及び／又は電子輸送層において電子輸送材料として使用される。ここで、発光層は、蛍光性又はりん光性であってよい。

更に、有機エレクトロルミネセンスデバイスが好ましく、これは、１以上の層が、昇華プロセスにより適用されることを特徴とし、ここにおいて、材料は、真空昇華ユニットにおいて、通常、１０^−５ｍｂａｒ未満、好ましくは、１０^−６ｍｂａｒ未満の初期圧力で、蒸着により適用される。しかしながら、初期圧力は、一層低い、例えば１０^−７ｍｂａｒであることも可能である。

同様に、好ましくは、有機エレクトロルミネセンスデバイスであり、これは、１以上の層がＯＶＰＤ（有機気相蒸着）プロセスにより又はキャリアガス昇華を用いて適用されることを特徴とし、ここにおいて、材料は、１０^−５ｍｂａｒ乃至１ｂａｒの圧力で適用される。このプロセスの特別な場合は、ＯＶＪＰプロセス（有機蒸着ジェット印刷）プロセスであり、ここにおいて、材料はノズルを通じて直接的に適用され、そのようにして構造化される（例えば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８，９２，０５３３０１）。

好ましくは、更に、有機エレクトロルミネセンスデバイスであり、これは、１以上の層が溶液から、例えば、スピンコーティングにより又はいずれかの望まれる印刷プロセス、例えば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、ＬＩＴＩ（光誘起熱イメージング、熱転写印刷）、インクジェット印刷又はノズル印刷により製造されることを特徴とする。この目的のために、例えば、適切な置換により得られる可溶性の化合物が必要である。

１以上の層が溶液から適用され、１以上の他の層が蒸着により適用されるハイブリッドプロセスもまた可能である。

これらのプロセスは一般的に、当業者に既知であり、当業者によって問題なく、式Ｉの化合物又は上記好ましい実施形態を含んだ本発明に従う有機エレクトロルミネセンスデバイスに適用され得る。

上記式Ｉの好ましい化合物（金属錯体）は、新規であり、従って、同様に本発明の主題である。有機電子デバイス用の上記選好性及び実施形態は、好ましくは、全体的に同様に本発明に従う化合物に適用される。

本発明の目的では、一般式Ｉの化合物が特に好ましく、

一般式Ｉの化合物は、使用される記号及び指数には以下が適用される式ＩＩ、ＩＩＩ及び／又はＩＶの部分Ｍ（Ｌ）_ｎを含んでいる。

Ｍは、金属であり；
Ｙは、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、ＮＲ^３、Ｏ又はＳであり；
Ｘは、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、ＣＲ^１又はＮであり；
Ｒ^１は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ^２）_２、Ｎ（Ａｒ）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｓ（＝Ｏ）_２Ａｒ、ＣＲ^２＝Ｃ（Ｒ^２）_２、ＣＲ^２＝ＣＲ^２Ａｒ、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ^２）_３、Ｂ（ＯＲ^２）_２、Ｂ（Ｒ^２）_２、Ｂ（Ｎ（Ｒ^２）_２）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^２、１〜４０のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ又は２〜４０のＣ原子を有する直鎖アルケニル若しくはアルキニル基若しくは３〜４０のＣ原子を有する分枝若しくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基であって、それらの各々は、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよく、１以上の非隣接ＣＨ_２基は、by Ｒ^２Ｃ＝ＣＲ^２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^２）_２、Ｇｅ（Ｒ^２）_２、Ｓｎ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^２、Ｏ、Ｓ又はＣＯＮＲ^２により置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ又はＮＯ_２により置き換えられているものであるか、５〜６０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよいものであるか、５〜６０の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基であって、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよいものであるか、或いはこれらの系の組合せであり、２以上の隣接する置換基Ｒ^１は、単環又は多環の脂肪族若しくは芳香環系を互いに形成していてもよく；
Ｒ^２は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、Ｆ又は１〜２０のＣ原子を有する脂肪族、芳香族及び／又は芳香族複素環炭化水素基であって、更に、１以上のＨ原子は、Ｆによって置き換えられていてもよいものであり；ここで、２以上の置換基Ｒ^２は、単環又は多環の脂肪族若しくは芳香環系を互いに形成していてもよく；
Ｒ^３は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、１〜２０のＣ原子を有する脂肪族炭化水素基又は５〜３０の芳香環原子を有する芳香族若しくは芳香族複素環系であって、更に、１以上のＨ原子は、Ｒ^１によって置き換えられていてもよいものであり、少なくとも１つの基Ｒ^３が、金属Ｍに結合する荷電又は非荷電の環外若しくは環内ドナー原子Ｄを含んだ配位基を示すことを特徴とし；
ここで、複数の部分配位子Ｌは、多座又は多脚型配位子を、互いに若しくはＬとＬ’及び／又はＬ’’とが共に、任意にＲ^３を介した連結によって形成してもよく；
Ａｒは、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、５〜３０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、非芳香族基Ｒ^１により置換されていてもよいものであり；
さらに、Ｍが配位数６を有する場合、ｎ＝１〜６（１，２，３，４，５，６）、ｏ＝０〜５（０，１，２，３，４，５）及びｍ＝０〜５（０，１，２，３，４，５）であり、Ｍが配位数５を有する場合、ｎ＝１〜５（１，２，３，４，５）、ｏ＝０〜４（０，１，２，３，４）及びｍ＝０〜４（０，１，２，３，４）であり、Ｍが配位数４を有する場合、ｎ＝１〜４（１，２，３，４）、ｍ＝０〜３（０，１，２，３）及びｏ＝０〜３（０，１，２，３）である。

ここで、特に好ましくは、Ｒ^３は、出現毎に、各々の場合において、互いに独立して、５〜３０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、更に、１以上のＨ原子がＲ^１により置き換えられていてもよく、少なくとも１つの基Ｒ^３が、金属Ｍに結合している荷電又は非荷電の環外若しくは環内ドナー原子Ｄを含んでいるものであり；複数の部分配位子Ｌ若しくはＬとＬ’及び／又はＬ’’とは、任意にＲ^３を介した連結によって多座又は多肢の配位子を形成していてもよい。Ｒ^３は、特に好ましくは、式（１）乃至（２４）の構造から選択される。

そうでなければ、有機電子デバイスについて示された選好性が適用される。

また、本発明は、更に、式Ｖ、ＶＩ又はＶＩＩの対応する遊離配位子の、上記式（４７）、（４８）又は（４９）の金属化合物との反応による式Ｉの化合物の製造方法にも関する。

本発明に従う一般式Ｉの化合物は、電子デバイス、特に有機エレクトロルミネセンスデバイスにおける発光化合物、マトリクス材料、正孔ブロッキング材料及び／又は電子輸送材料として使用され得る。

本発明は同様に、配位子Ｌにも関し、これは、本発明に従う金属錯体の合成のための有用な中間体である。

従って、本発明は、一般式Ｖ、ＶＩ又はＶＩＩの配位子Ｌであって：

Ｒ^１、Ｒ^３及びＹは、生成物の保護の下で、特に、上記の好ましい実施形態の下で示した上記の意味を有し、さらに：
Ｒ^４は、Ｈ又はハロゲンであり；
以下の化合物は除外される配位子Ｌに関する：

本発明の実施形態において、配位子Ｌは、記号及び指数は上記の意味を有する式Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、Ｖｂ、Ｖｌｂ又はＶＩＩｂと一致する：

ドナー原子Ｄ^１は好ましくは、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ及びＳから選択され、ドナー基Ｄ^２は好ましくは、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^１、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＰＲ^１及びＰ（Ｒ^１）_２である。

本発明のさらなる実施形態において、Ｙ＝ＮＲ^３である。

更に、電子デバイスについての上記好ましい実施形態が適用される。

配位子Ｌの好ましい構造Ｒ^３又はＣｙ１は、以下の構造（１）乃至（２４）であって：

Ｘは、出現毎に、各々の場合において独立して、上記の意味を有するＣＲ^１又はＮ、Ｒ^１であり、破線は、ホウ素／窒素ヘテロ環を示す構造から選択される。

特に好ましい配位子Ｌは、使用される記号及び指数が上記の意味を有する以下の構造から選択される：

配位子Ｌは、一般式Ｉの金属錯体の製造用の中間体として働く。従って、本発明は、使用される記号及び指数が上記の意味を有する一般式Ｖ、ＶＩ又はＶＩＩ：

の配位子Ｌの上記一般式Ｉの化合物の製造のための使用にも関する。

本発明の好ましい実施形態において、配位子は、上記式Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、Ｖｂ、ＶＩｂ又はＶＩＩｂと一致する。

本発明の好ましい実施形態において、Ｙ＝ＮＲ^３である。

配位子ＬのＲ^３又はＣｙ１の好ましい構造は、上記構造（１）乃至（２４）から選択される。

特に好ましい配位子Ｌは、上記構造（５０）乃至（５５）である。

本発明に従う式（Ｉ）の上記化合物、特に、反応性の遊離基、例えば、臭素、ヨウ素、ボロン酸又はボロン酸エステルにより置換されている化合物は、対応するオリゴマー、デンドリマー又はポリマーの生成のためのモノマーとして使用され得る。ここで、オリゴマー化又はポリマー化は、好ましくは、ハロゲン官能基又はボロン酸官能基を介して生じる。

従って、本発明は、式Ｉの１以上の化合物を含んだオリゴマー、ポリマー又はデンドリマーであって、式Ｉの錯体からポリマー、オリゴマー又はデンドリマーへの１以上の結合が存在するものに関する。従って、式Ｉの化合物の連結に応じて、錯体は、オリゴマー又はポリマーの側鎖を形成するか、又は主鎖に連結する。ポリマー、オリゴマー又はデンドリマーは、共役しているか、部分的に共役しているか、又は共役していなくてもよい。オリゴマー又はポリマーは、直鎖状、分枝状又は樹状であってよい。

上記と同じ選好性が、全体的に同様に、オリゴマー、デンドリマー及びポリマーにおける式Ｉの繰り返し単位に適用される。

オリゴマー又はポリマーの製造のため、本発明に従うモノマーが、更なるモノマーにより、ホモポリマー化又はコポリマー化される。式Ｉの単位が、好ましくは０．０１乃至５０ｍｏｌ％、特に好ましくは、０．１乃至２０ｍｏｌ％の程度存在するコポリマーが好ましい。ポリマー骨格を形成する適切且つ好ましいコモノマーは、フルオレン（例えば、ＥＰ８４２２０８又はＷＯ００／２２０２６に従う）、スピロビフルオレン（例えば、ＥＰ７０７０２０、ＥＰ８９４１０７又はＷＯ０６／０６１１８１に従う）、パラフェニレン（例えば、ＷＯ９２／１８５５２に従う）、カルバゾール（例えば、ＷＯ０４／０７０７７２又はＷＯ０４／１１３４６８に従う）、チオフェン（例えば、ＥＰ１０２８１３６に従う）、ジヒドロフェナントレン（例えば、ＷＯ０５／０１４６８９に従う）、シス−及びトランス−インデノフルオレン（例えば、ＷＯ０４／０４１９０１又はＷＯ０４／１１３４１２に従う）、ケトン（例えば、ＷＯ０５／０４０３０２に従う）、フェナントレン（例えば、ＷＯ０５／１０４２６４又はＷＯ０７／０１７０６６に従う）又は複数のこれらのユニットである。これらのユニットの割合は、合計で、好ましくは、少なくとも５０ｍｏｌ％の範囲にある。ポリマー、オリゴマー及びデンドリマーは、更なるユニット、例えば、正孔輸送ユニット、特にトリアリールアミンに基づくもの、及び／又は電子輸送ユニットであってもよい。

さらに、本発明に従う金属錯体は、更に官能化されていてもよく、そのようにして、拡張された金属錯体に変換される。ここで言及され得る例は、ＳＵＺＵＫＩ法によりアリールボロン酸を使用するか、又はＨＡＲＴＷＩＧ−ＢＵＣＨＷＡＬＤ法により第１級若しくは第２級アミンを使用する官能化である。

本発明に従う電子デバイス、特に有機エレクトロルミネセンスデバイスは、先行技術と比較した以下の驚くべき利点により区別される。

１．昇華の際の部分的又は完全な熱分解を経る先行技術に従う多くの金属錯体と対照的に、本発明の化合物は高い熱安定性を有する。

２．式Ｉの化合物を発光材料として含んだ有機エレクトロルミネセンスデバイスは、良好な寿命を有する。

３．有機エレクトロルミネセンスデバイスにおける使用に際して良好な色座標及び長い寿命を有する青色りん光錯体に到達できる。青色りん光デバイスはこれまで通常は不十分な色座標及び特に不十分な寿命しか到達できなかったため、これは、先行技術と比較して著しい進歩である。

４．有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて使用される本発明に従う化合物は、高い効率と急勾配の電流／電圧曲線をもたらす。

これら上記の利点は、他の電子的特性の障害を伴わない。

本発明は、以下の例により、詳細に説明され、それによって限定されることを意図しない。当業者は、進歩性を伴うことなく当該記載に従い、本発明に従う更なる錯体を製造することができ、且つそれらを有機電子デバイスにおいて使用するか、又は本発明に従うプロセスを使用することができるであろう。

例
以下の合成は、他に示さない限り、乾燥溶媒中、保護ガス環境下行われる。溶媒及び試薬は、ＡＬＤＲＩＣＨ又はＡＢＣＲから購入され得る。

前駆体１−４：対称型Ｎ，Ｎ’−置換ｏ−フェニレンジアミンの合成
以下に示す対称型Ｎ，Ｎ’−置換ｏ−フェレンジアミンは、ｏ−ジブロモベンゼン及び対応するアミンから、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２００４，４５，６８５１−６８５３と同様に調製される。

前駆体５−１２：非対称型Ｎ，Ｎ’置換ｏ−フェニレンジアミンの合成
以下に示す非対称型Ｎ，Ｎ’置換ｏ−フェニレンジアミンは、臭化物及びアミンから、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２００９，２８，５２４４−５２５２と同様に調製される。

前駆体１３−２５：２−ブロモベンゾ−１，３，２−ジアザボロールの合成
以下に示す２−ブロモベンゾ−１，３，２−ジアザボロールは、対応するＮ，Ｎ’−置換ｏ−フェニレンジアミンから、三臭化ホウ素との反応によりＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９６２，２７，４７０１−４７０２と同様に調製される。

前駆体２６−２７：２−ブロモ−１，３，２−ジアザボロールの合成
以下に示す２−ブロモ−１，３，２−ジアザボロールは、対応するジイミンからマグネシウムを使用した還元及び続く三臭化ホウ素との反応によりＳｃｉｅｎｃｅ ２００６，３１４，１１３−１１６と同様に調製される。

前駆体２８−２９：２−ブロモ−１，３，２−ジアザボロリジンの合成
以下に示す２−ブロモ−１，３，２−ジアザボロリジンは、対応するジアミンから、三臭化ホウ素／トリエチルアミン付加体との反応により、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２００５，２４，５４５５−５４６３と同様に調製される。

例１−１８：本発明に従う化合物の合成
化合物１の合成：
２−ブロモ−１，３−ジピリジン−２−イル−１，３，２−ジアザボロリジン９１０．４ｍｇ（３ｍｍｏｌ）及びナフタレン７６．７ｍｇ（０．６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液５０ｍｌを−４５℃まで冷却する。リチウム粉末２０９．２ｍｇ（３０ｍｍｏｌ）を添加し、混合物を冷却しながら２４時間攪拌し、続いてセルライトにより濾過する。濾液を三塩化トリスピリジノイリジウム５３７．４ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液２５ｍｌに滴下し、−４５℃に冷却し、冷却をやめ、混合物を室温で５時間攪拌する。揮発性の構成成分をロータリーエバポレータで除去し、残渣を暖かいヘプタン２５０ｍｌに懸濁する。セルライトにより濾過した後、揮発性の構成成分をロータリーエバポレータで除去し、残渣をトルエンから４回再結晶させる。収率：４２％（３６３．１ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）。

以下の錯体は、対応する１，３，２−ジアザボロリジンから、化合物１と同様に調製される。

以下の錯体は、対応する１，３，２−ジアザボロールから、化合物１と同様に調製される。

以下の錯体は、対応するベンゾ−１，３，２−ジアザボロールから、化合物１と同様に調製される。

化合物１６は、ジ−μ−クロロテトラキス［２−（２−ピリジニル）フェニル−Ｃ，Ｎ］ジイリジウム及び２−ブロモ−１−フェニル−３−ピリジン−２−イルベンゾ−１，３，２−ジアザボロールから、化合物１と同様に調製される。

化合物１７〜１８は、対応する２−ブロモベンゾ−１，３，２−ジアザボロール及びビス（ベンゾニトリル）白金ジクロリドから、化合物１と同様に調製される。

例１９：本発明に従う化合物１９の合成

２−ブロモ−１，３−ビス（ピリジン−２−イル）−１，３，２−ジアザボロリジン６０６．４ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ）及びナフタレン７６．６ｍｇ（０．６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液４０ｍｌを−４５℃まで冷却する。リチウム粉末１３９．２ｍｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し、混合物を冷却しながら２４時間攪拌し、続いてセルライトにより濾過する。濾液を、テトラクロロ白金酸カリウム（ＩＩ）７４６．９ｍｇ（１．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液３５ｍｍｏｌに添加し、−４５℃に冷却し、混合物を室温で４８時間攪拌する。混合物をセルライトにより濾過し、シアン化カリウム１９７．５ｍｇ（３．０ｍｍｏｌ）を溶液に添加し、混合物を２４時間攪拌し、再びセルライトにより濾過する。続いて、揮発性の構成成分がロータリーエバポレータにより除去される。残渣は、トルエンから２回再結晶される。収率：２１％（１６９．６ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）。

例２０：有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造及び特性決定
本発明に従うエレクトロルミネセンスデバイスは、例えば、ＷＯ０５／００３２５３に記載される通り製造され得る。種々のＯＬＥＤの結果がここで比較される。より良好な比較のため、その基本的構造、使用される材料、ドーピングの程度及び層の厚さは、同一である。

第１のデバイスの例は、先行技術に従う比較基準を記載し、そこにおいて、青色発光のため、発光層は、ホスト材料（又はマトリクスＭ）ビス−［１，３’；１，１’’；３’’，１’’’；３’’’，１’’’’］キンキフェニル−５’’−イルメタノン（ＤＥ１０２００８０３３９４３．１に従う、例３）及びゲスト材料（ドーパント）１０％ｆａｃ−ｔｒｉｓ［２−（２−ピリジニル）（５−シアノフェニル）］イリジウム（ＩＩＩ）（ＴＥＢ）からなる。さらに、同一の構造を有し且つ本発明に従うドーパントを含んだＯＬＥＤが記載される。以下の構造を有するＯＬＥＤは、上記一般的なプロセスと同様に製造される：
正孔注入層（ＨＩＬ） ２０ｎｍの２，２’，７，７’−テトラキス（ジ−パラ−トリルアミノ）スピロ−９，９’−ビフルオレン
正孔輸送層（ＨＴＬ） ５ｎｍのＮＰＢ（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニル−４，４’−ジアミノビフェニル）
電子ブロッキング層（ＥＢＬ） １５ｎｍのＥＢＬ（９，９−ビス−（３，５−ジフェニルアミノフェニル）フルオレン）
発光層（ＥＭＬ） ４０ｎｍのホスト材料：ビス−［１，３’；１’，１’’；３’’，１’’’；３’’’，１’’’’］キンキフェニル−５’’−イルメタノン（Ｍ）
ドーパント：体積％ドーピング；化合物表１を参照
正孔ブロッキング層（ＨＢＬ） １０ｎｍ：ビス−［１，３’；１’，１’’；３’’，１’’’；３’’’，１’’’’］キノキフェニル−５’’−イルメタノン（Ｍ）
電子伝導体（ＥＴＬ） ２０ｎｍのＡｌＱ_３（トリス（キノリナート）アルミニウム（ＩＩＩ））
カソード １ｎｍのＬｉＦ、上部に１００ｎｍのＡｌ。

明確性のため、ＥＢＬ、Ｍ及びＴＥＢの構造が以下に示される。

使用される本発明に従うドーパントは、上記化合物１〜１９である。

まだ最適化されていないＯＬＥＤとして、これらは、標準的な方法により特性決定され、この目的のため、エレクトロルミネセンススペクトル、電流電圧輝度特性線（ＩＵＬ特性線）から計算される輝度関数としての外部量子効率（％で測定される）及び寿命が決定される。

表１に見られるように、デバイスは、ドーパントＴＥＢを含んだ先行技術と比較して、測定された外部量子効率（ＥＱＥ）、電圧及び発光極大において優れた動作を示した。

Claims (13)

1. 一般式Ｉの化合物を含んだ電子デバイスであって、
   

   

   当該一般式Ｉの当該化合物は、使用される記号及び指数に以下が適用される式ＩＩａ、ＩＩＩａ、ＩＶａ、ＩＩｂ、ＩＩＩｂ又はＩＶｂの部分Ｍ（Ｌ）_ｎを含み：
   

   

   Ｍは、金属であり；
   Ｙは、各々の場合において、互いに独立して、ＮＲ^３、Ｏ又はＳであり；
   Ｘは、各々の場合において、互いに独立して、ＣＲ^１又はＮであり；
   Ｒ^１は、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ^２）_２、Ｎ（Ａｒ）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｓ（＝Ｏ）_２Ａｒ、ＣＲ^２＝Ｃ（Ｒ^２）_２、ＣＲ^２＝ＣＲ^２Ａｒ、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ^２）_３、Ｂ（ＯＲ^２）_２、Ｂ（Ｒ^２）_２、Ｂ（Ｎ（Ｒ^２）_２）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^２、１〜４０のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基、２〜４０のＣ原子を有する直鎖アルケニル若しくはアルキニル基又は３〜４０のＣ原子を有する分枝若しくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基であって、それらの各々は、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよく、１以上の非隣接ＣＨ_２基は、Ｒ^２Ｃ＝ＣＲ^２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^２）_２、Ｇｅ（Ｒ^２）_２、Ｓｎ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^２、Ｏ、Ｓ又はＣＯＮＲ^２により置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ又はＮＯ_２により置き換えられていてもよいものであるか、５〜６０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、各々の場合において、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよいものであるか、５〜６０の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基であって、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよいものであるか、或いはこれらの系の組合せであり、２以上の隣接する置換基Ｒ^１は、単環又は多環の脂肪族若しくは芳香環系を互いに形成していてもよく；
   Ｒ^２は、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、Ｆ又は１〜２０のＣ原子を有する脂肪族、芳香族及び／又は芳香族複素炭化水素基であって、更に、１以上のＨ原子はＦにより置き換えられていてもよいものであり；ここで、２以上の置換基Ｒ^２は、単環又は多環の脂肪族若しくは芳香環系を互いに形成していてもよく；
   Ａｒは、各々の場合において、互いに独立して、５〜３０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、１以上の非芳香族基Ｒ^１により置換されていてもよいものであり；
   Ｌ’，Ｌ’’は、いずれかの望まれる共配位子であり；
   更に、Ｍが配位数６を有する場合、ｎ＝１〜６（１，２，３，４，５，６）、ｏ＝０〜５（０，１，２，３，４，５）及びｍ＝０〜５（０，１，２，３，４，５）であり、Ｍが配位数５を有する場合、ｎ＝１〜５（１，２，３，４，５）、ｏ＝０〜４（０，１，２，３，４）及びｍ＝０〜４（０，１，２，３，４）であり、Ｍが配位数４を有する場合、ｎ＝１〜４（１，２，３，４）、ｍ＝０〜３（０，１，２，３）及びｏ＝０〜３（０，１，２，３）であり：
   さらに、Ｄ^１は、各々の場合において、互いに独立して、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される環内ドナー原子であり；
   Ｄ^２は、各々の場合において、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^１、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＰＲ^１、Ｐ（Ｒ^１）_２、Ｐ（Ｏ）Ｒ^１、Ｐ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＡｓＲ^１、Ａｓ（Ｒ^１）_２、Ａｓ（Ｏ）Ｒ^１、Ａｓ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＳｂＲ^１、Ｓｂ（Ｒ^１）_２、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ^１、Ｓｂ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＢｉＲ^１、Ｂｉ（Ｒ^１）_２、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ^１、Ｂｉ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＯＲ^１、ＳＲ^１、ＳｅＲ^１及びＴｅＲ^１からなる群より選択される環外ドナー基であり；
   Ｘ^１は、各々の場合において、互いに独立して、Ｃ又はＮであり；
   Ｃｙ１は、５〜３０の環原子を有する芳香族若しくは芳香族複素環基又は芳香族若しくは芳香族複素環系であって、Ｘ^１及びＤ^１は、当該芳香族若しくは芳香族複素環基又は当該芳香族若しくは芳香族複素環系中に存在し、Ｄ^２は、環外ドナー原子又は環外ドナー基として結合している電子デバイス。
2. 当該デバイスは、有機エレクトロルミネセンスデバイス（ＯＬＥＤ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄層トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機電界クエンチデバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、有機光受容体及び有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）からなる群より選択されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
3. Ｄ^１は、各々の場合において、互いに独立して、Ｎ、Ｏ又はＳであり、Ｄ^２は、各々の場合において、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^１、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＰＲ^１又はＰ（Ｒ^１）_２である請求項１または２に記載の電子デバイス。
4. Ｙは、ＮＲ^３である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
5. 当該式ＩＩａ、ＩＩＩａ、ＩＶａ、ＩＩｂ、ＩＩＩｂ及びＩＶｂ中のＣｙ１は、以下の構造（１）乃至（２４）から選択され：
   

   

   

   Ｘは、各々の場合において、互いに独立して、ＣＲ^１又はＮであり、Ｒ^１は、請求項１に示す意味を有し、破線は、ホウ素／窒素ヘテロ環の窒素原子への結合を示し、*は、基が金属に配位する位置を示す請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
6. 当該部分Ｍ（Ｌ）_ｎは、使用される記号及び指数が請求項１に示す意味を有し且つＺがいずれかの望まれる架橋単位を表す以下式ＩＩｃ、ＩＩＩｃ及び／又はＩＶｃから選択される請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
   

   
7. 当該一般式Ｉの当該化合物は、配位子Ｌのみを含んでいるか、当該一般式Ｉの当該化合物は、六配位であり、２つ若しくは３つの二座配位子Ｌ又は２つの三座配位子を含んでいるか、或いは当該一般式Ｉの当該化合物は、平面四角形又は四面体の様式で配位し、１つ若しくは２つの二座配位子Ｌ又は１つの四座配位子Ｌを含んでいる請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
8. 一般式Ｉの化合物であって、
   

   

   当該一般式Ｉの当該化合物は、記号及び指数には以下が適用される式ＩＩａ、ＩＩＩａ、ＩＶａ、ＩＩｂ、ＩＩＩｂ又はＩＶｂの部分Ｍ（Ｌ）_ｎを含んでおり：
   

   

   Ｍは、金属であり；
   Ｙは、各々の場合において、互いに独立して、ＮＲ^２、Ｏ又はＳであり；
   Ｘは、各々の場合において、互いに独立して、ＣＲ^１又はＮであり；
   Ｒ^１は、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ａｒ）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ａｒ、Ｓ（＝Ｏ）_２Ａｒ、ＣＲ^２＝Ｃ（Ｒ^２）_２、ＣＲ^２＝ＣＲ^２Ａｒ、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ^２）_３、Ｂ（ＯＲ^２）_２、Ｂ（Ｒ^２）_２、Ｂ（Ｎ（Ｒ^２）_２）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^２、１〜４０のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基、２〜４０のＣ原子を有する直鎖アルケニル若しくはアルキニル基又は３〜４０のＣ原子を有する分枝若しくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ若しくはチオアルコキシ基であって、それらの各々は、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよく、１以上の非隣接ＣＨ_２基は、Ｒ^２Ｃ＝ＣＲ^２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^２）_２、Ｇｅ（Ｒ^２）_２、Ｓｎ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ^２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^２、Ｏ、Ｓ又はＣＯＮＲ^２により置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ又はＮＯ_２により置き換えられていてもよいものであるか、５〜６０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、各々の場合において、１以上の基Ｒ^２により置換されていてもよいものであるか、５〜６０の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基であって、１以上のＲ^２により置換されていてもよいものであるか、或いはこれらの系の組合せであり、２以上の隣接する置換基Ｒ^１は、単環又は多環の脂肪族若しくは芳香族環系を互いに形成していてもよく；
   Ｒ^２は、各々の場合において、互いに独立して、Ｈ、Ｄ、Ｆ又は１〜２０のＣ原子を有する脂肪族、芳香族及び／又は芳香族複素炭化水素基であって、更に、１以上のＨ原子はＦにより置き換えられていてもよいものであり、２以上の置換基Ｒ^２は、単環又は多環の脂肪族若しくは芳香族環系を互いに形成していてもよく；
   Ａｒは、各々の場合において、互いに独立して、５〜３０の芳香環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系であって、１以上の非芳香族基Ｒ^１により置換されていてもよいものであり；
   Ｍが配位数６を有する場合、ｎ＝１〜６、ｏ＝０〜５及びｍ＝０〜５であり、Ｍが配位数５を有する場合、ｎ＝１〜５、ｏ＝０〜４及びｍ＝０〜４であり、Ｍが配位数４を有する場合、ｎ＝１〜４、ｍ＝０〜３及びｏ＝０〜３であり、
   さらに、Ｄ^１は、各々の場合において、互いに独立して、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選択される環内ドナー原子であり；
   Ｄ^２は、各々の場合において、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、ＮＲ^１、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＰＲ^１、Ｐ（Ｒ^１）_２、Ｐ（Ｏ）Ｒ^１、Ｐ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＡｓＲ^１、Ａｓ(Ｒ^１)_２、Ａｓ（Ｏ）Ｒ^１、Ａｓ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＳｂＲ^１、Ｓｂ（Ｒ^１）_２、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ^１、Ｓｂ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＢｉＲ^１、Ｂｉ（Ｒ^１）_２、Ｂｉ（Ｏ）Ｒ^１、Ｂｉ（Ｏ）（Ｒ^１）_２、ＯＲ^１、ＳＲ^１、ＳｅＲ^１及びＴｅＲ^１からなる群より選択される環外ドナー基であり；
   Ｘ^１は、各々の場合において、互いに独立して、Ｃ又はＮであり；
   Ｃｙ１は、５〜３０の環原子を有する芳香族若しくは芳香族複素環基又は芳香族複素環系であって、Ｘ^１及びＤ^１は、当該芳香族若しくは芳香族複素環基又は当該芳香族若しくは芳香族複素環系中に存在し、Ｄ^２は、環外ドナー原子又は環外ドナー基として結合している化合物。
9. Ｃｙ１は、以下の構造（１）乃至（２４）から選択され：
   

   

   

   Ｘは、各々の場合において、互いに独立して、ＣＲ^１又はＮであり、Ｒ^１は、請求項１又は８に示す意味を有し、破線は、ホウ素／窒素ヘテロ環の窒素原子への結合を示し、*は、基が金属に配位する位置を示す請求項８に記載の化合物。
10. 当該部分Ｍ（Ｌ）_ｎは、使用される記号及び指数が請求項８に示す意味を有し且つＺがいずれかの望まれる架橋単位を表す以下式ＩＩｃ、ＩＩＩｃ及びＩＶｃから選択される請求項８または９に記載の化合物。
    

    
11. 請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の当該一般式Ｉの化合物の、電子デバイスにおける発光化合物、マトリクス材料、正孔ブロッキング材料及び／又は電子輸送材料として
    の使用。
12. 記号及び指数が請求項８に示す意味を有する一般式Ｉの化合物の製造用の配位子として
    の、使用される記号が請求項８に示す意味を有する一般式Ｖ、ＶＩ又はＶＩＩの化合物の使用：
    

    

    

    更に、Ｒ ^４ は、Ｈ又はハロゲンであり；
    Ｒ ^３ は、以下の構造（１）乃至（２４）から選択され：
    

    

    

    Ｘは、各々の場合において、互いに独立して、ＣＲ ^１ 又はＮであり、Ｒ ^１ は、請求項１又は８に示す意味を有し、破線は、ホウ素／窒素ヘテロ環の窒素原子への結合を示し、*は、基が金属に配位する位置を示し、
    以下の化合物は除かれる化合物。
    

    
13. 請求項１２に記載の配位子Ｌ及び任意の更なる配位子Ｌ’、Ｌ’’と、式（４７）の金属アルコキシド、式（４８）の金属ケトケトネート又は式（４９）の金属ハロゲン化物との反応による請求項９乃至１０のいずれか１項に記載の化合物の製造方法であって、
    

    

    Ｍ及びＲ^２は、請求項１及び８に記載される意味を有し、他の記号及び指数には以下が適用され：
    Ｈａｌは、同じであるか又は異なり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり；
    Ｌｉｇは、同じであるか又は異なり、中性又はモノアニオン性の単座若しくは二座配位子であり；
    ｑは、同じであるか又は異なり、０、１、２、３又は４、好ましくは、１又は２であり；
    ｒは、同じであるか又は異なり、０、１、２、３、４又は５であり；
    ここで、式（４８）及び（４９）の化合物は、帯電していてもよく、１以上の対イオンを含んでいてもよく；さらに、式（４７）乃至（４９）、特に式（４９）の化合物は、水和物の形態であってもよい製造方法。