CN113015720A - 可用于制造有机电子器件的化合物 - Google Patents

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CN113015720A CN201980074458.2A CN201980074458A CN113015720A CN 113015720 A CN113015720 A CN 113015720A CN 201980074458 A CN201980074458 A CN 201980074458A CN 113015720 A CN113015720 A CN 113015720A
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Abstract

本发明涉及可用于制造电子器件的功能层，尤其是用于电子器件的化合物。本发明还涉及一种制备根据本发明的化合物的方法以及包含其的电子器件。

Description

可用于制造有机电子器件的化合物
本发明描述了化合物，尤其是用于电子器件中的化合物。本发明还涉及一种制备本发明的化合物的方法，并且涉及包含这些化合物的电子器件。
例如，在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中描述了使用有机半导体作为功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。所用的发光材料通常是表现出磷光的有机金属络合物。由于量子力学的原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体可实现高达四倍的能量效率和功率效率。一般而言，仍然需要改善OLED，尤其是表现出磷光的OLED也需要改善，例如在效率、工作电压和寿命方面需要改善。还已知的是包含磷光发光体、荧光发光体或表现出TADF(热活化延迟荧光)的发光体的有机电致发光器件。
有机电致发光器件的性质不仅仅由所使用的发光体决定。在此同样特别重要的是所使用的其它材料，例如主体/基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料以及电子或激子阻挡材料。这些材料的改善可引起电致发光器件的显著改善。
一般而言，在这些材料的情况下，例如用作基质材料、空穴导体材料或电子传输材料的情况下，仍然需要改善，特别是在寿命方面，以及在器件的效率和工作电压方面需要改善。此外，这些化合物应具有高的色纯度。
本发明的另一目的是提供化合物，所述化合物适用于有机电子器件中，尤其是有机电致发光器件中，作为发光体，优选作为磷光发光体、荧光发光体或表现出TADF(热活化延迟荧光)的发光体，并且当在所述器件中使用时导致良好的器件性质，以及提供相应的电子器件。
因此，本发明的一个目的是提供化合物，所述化合物适用于有机电子器件中，尤其是有机电致发光器件中并且当在所述器件中使用时导致良好的器件性质，以及提供相应的电子器件。
本发明的一个特定目的是提供导致高寿命、良好效率和低工作电压的化合物。特别地，基质材料、空穴导体材料或电子传输材料的性质也对有机电致发光器件的寿命和效率具有根本性影响。
可认为本发明解决的另一个问题是提供适用于磷光或荧光OLED，尤其是用作基质材料的化合物。更特别地，本发明解决的一个问题是提供适合红色、黄色和绿色磷光OLED的基质材料。
另外，所述化合物，尤其是在将其用作有机电致发光器件中的基质材料、空穴导体材料或电子传输材料时，应导致器件具有优异的色纯度。
此外，这些化合物应该可以非常简单的方式加工，并且尤其表现出良好的溶解性和成膜性。例如，这些化合物应表现出提高的氧化稳定性和改善的玻璃化转变温度。
可以认为所解决的另一个问题是提供非常便宜且质量恒定的具有优异性能的电子器件。
另外，应该可以使用或改装电子器件用于多种目的。更特别地，应该在广泛的温度范围内保持电子器件的性能。
已经令人预料不到地发现，下文详细描述的特定化合物解决了这些问题，并且消除了现有技术的缺点。所述化合物的使用导致有机电子器件，尤其是有机电致发光器件的非常好的性能，尤其是在寿命、效率和工作电压方面的非常好的性质。因此，本发明提供了包含这类化合物的电子器件，尤其是有机电致发光器件，以及相应的优选实施方式。
因此，本发明提供一种可用于制造电子器件的功能层的有机功能化合物，其特征在于所述化合物包含至少一个式(I)和/或(Ia)的结构单元，所述化合物优选具有提及的化学式：
Figure BDA0003062002280000031
其中虚线键表示这种基团与有机功能化合物的另一部分的连接，并且另外：
X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是不超过三个、优选不超过两个符号X是N；
R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar)2，N(R1)2，C(＝O)N(Ar)2，C(＝O)N(R1)2，Si(Ar)3，Si(R1)3，Ge(Ar)3，Ge(R1)3，B(Ar)2，B(R1)2，C(＝O)Ar，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar)2，P(＝O)(R1)2，P(Ar)2，P(R1)2，S(＝O)Ar，S(＝O)R1，S(＝O)2Ar，S(＝O)2R1，OSO2Ar，OSO2R1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、Ge(R1)2、Sn(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个R取代基也可一起形成环系；
Ar在每种情况下相同或不同，并且是具有5至60个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合到同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar基团也可以通过单键桥连基或选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、Ge(R1)2、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、O、S、S＝O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(＝O)R1的桥连基连接到一起；
R1在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R2)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar1)2，P(Ar1)2，B(Ar1)2，B(R2)2，Si(Ar1)3，Si(R2)3，Ge(Ar1)3，Ge(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有2至40个碳原子的烯基基团，其各自可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系各自可被一个或多个R2基团取代，或具有5至60个芳族环原子且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子且可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R1基团可一起形成环系；同时，一个或多个R1基团与所述化合物的另一部分可形成环系；
Ar1在每种情况下相同或不同，并且是具有5至30个芳族环原子且可被一个或多个优选非芳族的R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合到同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar1基团也可以通过单键桥连基或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥连基彼此连接；
R2在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，B(OR3)2，NO2，C(＝O)R3，CR3＝C(R3)2，C(＝O)OR3，C(＝O)N(R3)2，Si(R3)3，Ge(R3)3，P(R3)2，B(R3)2，N(R3)2，NO2，P(＝O)(R3)2，OSO2R3，OR3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其各自可被一个或多个R3基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R3C＝CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝NR3、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR3-、NR3、P(＝O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至40个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R3基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R2也可一起形成环系；
R3在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I或CN代替且其可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R3可一起形成环系。
可用于制造电子器件的功能层的化合物通常是例如在有机电子器件中，尤其是在有机电致发光器件中在阳极和阴极之间引入的有机或无机材料，例如电荷注入、电荷传输或电荷阻挡材料，但尤其是发光材料和基质材料。在此优选有机材料。
在一个优选的实施方式中，可用于制造电子器件的功能层的化合物是纯有机化合物。纯有机化合物是不与金属原子缔合的化合物，即不与金属原子形成配位化合物或不与金属原子形成共价键的化合物。在此纯有机化合物优选不包含用于磷光发光体中的任何金属原子。这些金属，例如铜、钼等，尤其是铼、钌、锇、铑、铱、钯，将在后面详细讨论。
可用于制造电子器件的功能层的化合物优选选自荧光发光体、磷光发光体、表现出TADF(热活化延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、激子阻挡材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、n型掺杂剂、p型掺杂剂、宽带隙材料、电子阻挡材料和/或空穴阻挡材料。
在一种优选的构型中，本发明的化合物可包含至少一个式(II)和/或(IIa)的结构单元，所述化合物优选具有指定的化学式：
Figure BDA0003062002280000061
其中虚线键表示所述基团与有机功能化合物的另一部分的连接，R1基团具有上文、尤其是对于式(I)和/或(IIa)给出的定义，标记v是0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，优选是0、1、2、3、4、5或6，更优选是0、1、2、3或4，且尤其优选是0或1，并且标记u是0、1、2、3、4、5、6、7或8，优选是0、1、2、3、4、5或6，更优选是0、1、2、3或4，且尤其优选是0或1。
在本发明的上下文中，相邻的碳原子是彼此直接键合的碳原子。另外，基团定义中的“相邻基团”是指这些基团键合到同一碳原子或相邻的碳原子。这些定义尤其相应地适用于术语“相邻基团”和“相邻取代基”。
在本说明书的上下文中，两个或更多个基团可一起形成环的措辞应理解为尤其是指这两个基团通过化学键彼此连接，在形式上消除了两个氢原子。这通过以下方案说明：
Figure BDA0003062002280000071
然而，另外，上述措辞还应该理解为是指，如果这两个基团中的一个是氢，则第二个基团键合到氢原子所键合的位置，从而形成环。这将通过以下方案说明：
Figure BDA0003062002280000072
在本发明的上下文中，稠合的芳基基团、稠合的芳族环系或稠合的杂芳族环系是如下基团，其中两个或更多个芳族基团沿着共同的边缘彼此稠合，即稠环化，使得例如两个碳原子属于至少两个芳族或杂芳族环，和例如在萘中的情况一样。相反，例如，在本发明的上下文中，芴不是稠合的芳基基团，因为芴中的两个芳族基团没有共同的边缘。相应的定义适用于杂芳基基团和可能含有但也不一定含有杂原子的稠合环系。
如果两个或更多个优选相邻的R、R1、R2和/或R3基团一起形成环系，则结果可以是单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。
在本发明的上下文中，芳基基团含有6至60个碳原子，优选6至40个碳原子，更优选6至30个碳原子；在本发明的上下文中，杂芳基基团含有2至60个碳原子，优选2至40个碳原子，更优选2至30个碳原子，和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和至少是5。所述杂原子优选选自N、O和/或S。在此，芳基基团或杂芳基基团应理解为是指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。
在本发明的上下文中，芳族环系在环系中含有6至60个碳原子，优选6至40个碳原子，更优选6至30个碳原子。在本发明的上下文中，杂芳族环系在环系中含有1至60个碳原子，优选1至40个碳原子，更优选1至30个碳原子，和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和至少是5。所述杂原子优选选自N、O和/或S。在本发明的上下文中，芳族或杂芳族环系应理解为是指以下体系，其不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中多个芳基或杂芳基基团也可以被非芳族单元(优选小于非H原子的10％)如碳、氮或氧原子或羰基基团间断。例如，在本发明的上下文中，诸如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、均二苯乙烯等的体系因此也应被视为芳族环系，并且其中两个或更多个芳基基团例如通过直链或环状的烷基基团或通过甲硅烷基基团间断的体系也是如此。另外，其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接键合的体系，例如联苯、三联苯、四联苯或联吡啶，同样应被视为芳族或杂芳族环系。
在本发明的上下文中，环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团应理解为是指单环、双环或多环基团。
在本发明的上下文中，其中个别氢原子或CH2基团也可被上述基团取代的C1-至C20-烷基基团应理解为是指例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2.2.2]辛基、2-双环[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二碳-1-基、1,1-二甲基-正十四碳-1-基、1,1-二甲基-正十六碳-1-基、1,1-二甲基-正十八碳-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四碳-1-基、1,1-二乙基-正十六碳-1-基、1,1-二乙基-正十八碳-1-基、1-(正丙基)环己-1-基、1-(正丁基)环己-1-基、1-(正己基)环己-1-基、1-(正辛基)环己-1-基和1-(正癸基)环己-1-基基团。烯基基团应理解为是指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。炔基基团应理解为是指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。C1-至C40-烷氧基基团应理解为是指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
具有5至60个，优选5至40个芳族环原子，更优选5至30个芳族环原子且在每种情况下也可被上述基团取代且可通过任何所需位置连接到芳族或杂芳族体系的芳族或杂芳族环系，应理解为是指例如衍生自以下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苣、苝、荧蒽、苯并荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、亚三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺-或反-茚并芴、顺-或反-单苯并茚并芴、顺-或反-二苯并茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩
Figure BDA0003062002280000091
嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、
Figure BDA0003062002280000092
唑、苯并
Figure BDA0003062002280000093
唑、萘并
Figure BDA0003062002280000094
唑、蒽并
Figure BDA0003062002280000095
唑、菲并
Figure BDA0003062002280000096
唑、异
Figure BDA0003062002280000097
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩
Figure BDA0003062002280000101
嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-
Figure BDA0003062002280000102
二唑、1,2,4-
Figure BDA0003062002280000103
二唑、1,2,5-
Figure BDA0003062002280000104
二唑、1,3,4-
Figure BDA0003062002280000105
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。
在另一种构型中，优选的是以下化合物，其中有机功能化合物的式(I)、(Ia)、(II)和/或(IIa)的结构单元具有高对称性，并且基于所述基团的一个或多个连接位点，优选所述式(I)、(Ia)、(II)和/或(IIa)的结构单元被有机功能化合物的另一部分对称地取代。
进一步的情况可以是，所述有机功能化合物选自芴、茚并芴、螺二芴、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三嗪、内酰胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩(Dibenzothiophene)、二苯并噻吩(Dibenzothiene)、咪唑、苯并咪唑、苯并
Figure BDA0003062002280000106
唑、苯并噻唑、5-芳基菲啶-6-酮、9,10-脱氢菲、荧蒽、蒽、苯并蒽、茚并[1,2,3-jk]芴。
进一步的情况可以是，所述有机功能化合物包含选自以下的基团：苯基，邻-、间-或对-联苯基，三联苯基，尤其是支链三联苯基，四联苯基，尤其是支链四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，9,9'-二芳基芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基，芘基，三嗪基，咪唑基，苯并咪唑基、苯并
Figure BDA0003062002280000107
唑基，苯并噻唑基，1-、2-、3-或4-咔唑基，1-或2-萘基，蒽基，优选9-蒽基，反-和顺-茚并芴基，茚并咔唑基，吲哚并咔唑基，螺咔唑基、5-芳基-菲啶-6-酮-基，9,10-脱氢菲基，荧蒽基，甲苯基，均三甲苯基，苯氧基甲苯基，苯甲醚基、三芳基胺基，双(三芳基胺基)，三(三芳基胺基)，六甲基茚满基，四氢萘基，单环烷基，双环烷基，三环烷基，烷基，例如叔丁基、甲基、丙基，烷氧基，烷基硫基，烷基芳基，三芳基甲硅烷基，三烷基甲硅烷基，氧杂蒽基，10-芳基吩
Figure BDA0003062002280000111
嗪基，菲基和/或联三苯叉基，其各自可被一个或多个基团取代，但优选未被取代，特别优选苯基、螺二芴基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、蒽基、菲基、联三苯叉基，其中功能结构单元Aa优选包含相应的基团或可由相应的基团表示。
当式(I)、(Ia)、(II)和/或(IIa)的瞬烯结构被取代基R和/或R1取代时，这些取代基R和/或R1优选选自H，D，F，CN，N(Ar)2，N(Ar1)2，C(＝O)Ar，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar)2，P(＝O)(Ar1)2，具有1至10个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团，其各自可被一个或多个R1或R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被O代替，并且其中一个或多个氢原子可被D或F代替，具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R1或R2基团取代，但优选未被取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至25个芳族环原子且可被一个或多个R1或R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团；同时，任选地两个取代基R和/或R1优选可以与相邻的碳原子键合以形成可被一个或多个R1或R2基团取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；其中Ar或Ar1基团具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义。
更优选地，这些取代基R和/或R1选自H，D，F，CN，N(Ar)2，N(Ar1)2，具有1至8个碳原子，优选具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至8个碳原子，优选具有3或4个碳原子的支链或环状的烷基基团，或具有2至8个碳原子，优选具有2、3或4个碳原子的烯基基团，其各自可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，或者芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系具有5至24个芳族环原子，优选6至18个芳族环原子，更优选6至13个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个非芳族R1或R2基团取代，但优选未被取代；同时，优选键合到相邻碳原子的两个取代基R1或R2可任选地形成可被一个或多个R2或R3基团取代，但优选未被取代的单环或多环的脂族环系，其中Ar或Ar1可具有上文所述的定义。
更优选地，取代基R选自H和芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系具有6至18个芳族环原子，优选6至13个芳族环原子，其各自可被一个或多个非芳族R1基团取代，但优选未被取代。合适的取代基R的实例选自苯基，邻-、间-或对-联苯基，三联苯基，尤其是支链三联苯基，四联苯基，尤其是支链四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基，1-、2-、3-或4-咔唑基和茚并咔唑基，其各自可以被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。
最优选地，取代基R1选自芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系具有6至18个芳族环原子，优选6至13个芳族环原子，并且在每种情况下可被一个或多个非芳族R2基团取代，但优选未被取代。合适的取代基R1的实例选自苯基，邻-、间-或对-联苯基，三联苯基，尤其是支链三联苯基，四联苯基，尤其是支链四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基，1-、2-、3-或4-咔唑基和茚并咔唑基，其各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代。
另外的情况可以是，式(I)、(Ia)、(II)和/或(IIa)的瞬烯结构的取代基R和/或R1不形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选不形成任何稠合环系。这包括与可以键合至R1或R2基团的可能取代基R1、R2、R3形成稠合环系。
进一步的情况可以是，有机功能化合物包含至少一个符合式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)、(IIId)、(IIIe)、(IIIf)、(IIIg)和/或(IIIh)中的至少一种的基团，
Figure BDA0003062002280000131
Figure BDA0003062002280000141
其中使用的符号如下：
X在每种情况下相同或不同，并且是N或CR，优选是CR，或者如果Aa或Ab基团键合到X，则这个X原子是C，条件是一个环中不超过两个X基团是N；
W是O、S、NR、NAa、NAb、BR、BAa、BAb、C(R)2、CRAa、C(Aa)2、CRAb、C(Ab)2、CAaAb、-RC＝CR-、-RC＝CAa-、-AaC＝CAa-、-RC＝CAb-、-AbC＝CAb-、-AbC＝CAa-、SO、SO2、Ge(R)2、Ge(Aa)2、Ge(Ab)2、GeAaAb、Si(R)2、Si(Aa)2、Si(Ab)2、SiAaAb或C＝O；
m在每种情况下独立地是0、1、2、3或4，优选是0、1或2，条件是每个环的标记m的总和不大于4，优选不大于2；
o在每种情况下独立地是0、1或2，优选是0或1，条件是每个环的标记o的总和不大于2，优选不大于1；
Aa是功能结构单元，优选在每种情况下具有5至40个环原子且可被一个或多个取代基R取代的芳族或杂芳族环系；
Ab包含式(I)或(Ia)的结构和/或式(II)或(IIa)的结构，优选是式(I)或(Ia)的结构和/或式(II)或(IIa)的结构，
其中符号R具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义，条件是式(IIIa)的结构具有至少一个Ab基团。在此优选排除N-N键。
在另一种构型中，情况可以是有机功能化合物包含至少一个符合式(IVa)、(IVb)、(IVc)、(IVd)、(IVe)、(IVf)、(IVg)和/或(IVh)中的至少一种的基团，
Figure BDA0003062002280000151
Figure BDA0003062002280000161
Figure BDA0003062002280000171
其中符号Aa、Ab、W、m、o和R1具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)或(IIIa)至(IIIh)给出的定义，并且标记u是0、1、2、3、4、5、6、7或8，优选是0、1、2、3、4、5或6，更优选是0、1、2、3或4，且尤其优选是0或1，条件是式(IVa)的结构包含至少一个Ab基团。
Aa和/或Ab基团的总数优选是1至10，特别优选是1至5，且尤其优选是1、2、3或4。
优选地，在式(IIIa)至(IIIh)和(IVa)至(IVh)的结构的每一个中，标记m、o和u的总和不大于6，优选不大于4且更优选不大于2。
优选的情况可以是，在式(IIIa)至(IIIh)和(IVa)至(IVh)的结构中的功能结构单元Aa具有至少一个芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下具有5至40个环原子，其可被一个或多个取代基R1取代。
优选地，在式(IIIa)至(IIIh)和(IVa)至(IVh)的结构中的功能结构单元Aa选自芴、茚并芴、螺二芴、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三嗪、内酰胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻吩、咪唑、苯并咪唑、苯并
Figure BDA0003062002280000172
唑、苯并噻唑、5-芳基菲啶-6-酮、9,10-脱氢菲、荧蒽、蒽、苯并蒽、茚并[1,2,3-jk]芴。
进一步的情况可以是，功能结构单元Aa选自空穴传输基团、电子传输基团、主体材料基团和宽带隙基团。这些基团本身是已知的，并且在下文中描述。
在另一个实施方式中，情况可以是可用于制造电子器件的功能层的化合物包含空穴传输基团，后者优选是三芳基胺或咔唑基团。
在一个优选的实施方式中，情况可以是空穴传输基团通过一个或两个在式(I)或(Ia)中以虚线键表示的连接与至少一个瞬烯结构连接。
另外，式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(IIIa)至(IIIh)和/或(IVa)至(IVh)、(IVc)、(V)的结构中的R和/或R1基团中的至少一个包含空穴传输基团，优选表示空穴传输基团。
空穴传输基团在本技术领域中是已知的，并且其优选包括三芳基胺或咔唑基团。
优选的情况可以是，空穴传输基团包含选自式(H-1)至(H-3)的基团，并且优选是选自式(H-1)至(H-3)的基团，
Figure BDA0003062002280000181
Figure BDA0003062002280000191
其中虚线键标记连接位置，并且符号定义如下：
Ar2、Ar3、Ar4在每种情况下独立地是具有6至40个碳原子的芳族环系或具有3至40个碳原子的杂芳族环系，其各自可被一个或多个R1基团取代；
p是0或1；
Z是键或C(R1)2、Si(R1)2、Ge(R1)2、C＝O、NR1、N-Ar1、BR1、PR1、PO(R1)、SO、SO2、Se、O或S，优选键或C(R1)2、N-Ar1、O或S；
其中符号Ar1和R1具有上文，尤其是对于式(I)和(Ia)给出的定义。同时，优选排除N-N键的存在。
另外的情况可以是，空穴传输基团包含选自式(H-4)至(H-26)的基团，并且优选是选自式(H-4)至(H-26)的基团，
Figure BDA0003062002280000192
Figure BDA0003062002280000201
Figure BDA0003062002280000211
其中Y1是O、S、C(R1)2、NR1或NAr1，虚线键标记连接位置，e是0、1或2，j是0、1、2或3，h在每种情况下相同或不同并且是0、1、2、3或4，p是0或1，Ar1和R1具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义，并且Ar2具有上文，尤其是对于式(H-1)、(H-2)或(H-3)给出的定义。同时，优选排除N-N键的存在。
上文详述的式(H-1)至(H-26)的空穴传输基团构成式(II)、(IIa)和(IVa)至(IVh)或这些式的优选实施方式的优选R1基团，其中在这种情况下，式(H-1)至(H-26)中详述的R1基团应被R2基团代替。
从上文的措词清楚地看出，如果标记p＝0，则不存在相应的Ar2基团并且形成键。
优选地，Ar2基团可与式(H-1)至(H-26)的Ar2基团可以键合至的芳族或杂芳族基团或氮原子形成完全共轭。
在本发明的另一个优选的实施方式中，Ar2是具有5至14个芳族或杂芳族环原子的芳族或杂芳族环系，优选具有6至12个碳原子的芳族环系，并且所述环系可以被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，其中R1可具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。更优选地，Ar2是具有6至10个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个杂芳族环原子的杂芳族环系，其各自可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，其中R1可具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。
另外优选地，式(H-1)至(H-26)中所示的符号Ar2尤其是具有5至24个环原子，优选6至13个环原子，更优选6至10个环原子的芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接地，即通过芳族或杂芳族基团的原子，键合到另一基团的相应原子上。
进一步的情况可以是，式(H-1)至(H-26)中所示的Ar2基团包含具有不超过两个稠合的芳族和/或杂芳族6-元环的芳族环系；优选地，它不包含具有稠合的6-元环的任何稠合的芳族或杂芳族环系。因此，萘基结构优于蒽结构。另外，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基结构优于萘基结构。特别优选没有稠合的结构，例如苯基、联苯基、三联苯基和/或四联苯基结构。
进一步的情况可以是，式(H-1)至(H-26)中所示的Ar2基团尤其具有不超过1个氮原子，优选不超过2个杂原子，特别优选不超过1个杂原子，并且尤其优选没有杂原子。
在本发明的另一个优选的实施方式中，Ar3和/或Ar4在每种情况下相同或不同，并且是具有6至24个芳族环原子，优选6至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，并且更优选是具有6至12个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个芳族环原子的杂芳族环系，其各自可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，其中R1可具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义。
在另一个实施方式中，情况可以是可用于制造电子器件的功能层的化合物包含含电子传输基团的基团。
在一个优选的实施方式中，情况可以是含电子传输基团的基团通过一个或两个在式(I)或(Ia)中以虚线键表示的连接与至少一个瞬烯结构连接。
另外，式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(IIIa)至(IIIh)和/或(IVa)至(IVh)的结构中的R和/或R1基团中的至少一个包含含电子传输基团的基团，优选表示含电子传输基团的基团。
电子传输基团在本技术领域中是众所周知的，并提高了化合物传输和/或传导电子的能力。
另外，可用于制造电子器件的功能层的化合物显示出令人惊奇的优点，所述化合物包含选自吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、喹唑啉、喹喔啉、喹啉、异喹啉、咪唑和/或苯并咪唑的至少一种结构，特别优选嘧啶、三嗪和喹唑啉。这些结构通常提高了化合物传输和/或传导电子的能力。
在本发明的一种优选构型中，情况可以是含电子传输基团的基团是可由式(QL)表示的基团，
Figure BDA0003062002280000241
其中L1表示键或具有5至40个，优选5至30个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，Q是电子传输基团，其中R1具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，并且虚线键标记连接位置。
在式(QL)结构中的取代基R1在式(II)、(IIa)和(IVa)至(IVh)的结构中应被取代基R2代替。
优选地，L1基团可与Q基团和式(QL)的L1基团所键合的原子、优选碳或氮原子形成完全共轭。一旦在相邻的芳族或杂芳族环之间形成直接键，就形成了芳族或杂芳族体系的完全共轭。前述共轭基团之间例如通过硫、氮或氧原子或羰基基团形成的其它单键对共轭无害。在芴体系的情况下，两个芳族环直接键合，其中9位处的sp3-杂化碳原子确实阻止了这些环的稠合，但由于在9位处的所述sp3-杂化碳原子未必一定位于电子传输Q基团与式(QL)的基团通过其键合到本发明的化合物的其它结构单元的原子之间，因此共轭是可能的。相反，在第二螺二芴结构的情况下，如果Q基团与式(QL)的L1基团所键合的芳族或杂芳族基团之间的键是通过螺二芴结构中的同一苯基基团或通过螺二芴结构中彼此直接键合并处于一个平面中的苯基基团键合，则可形成完全共轭。如果Q基团与式(QL)的L1基团所键合的芳族或杂芳族基团之间的键是通过在9位处的sp3-杂化碳原子键合的第二螺二芴结构中的不同苯基基团键合，则共轭被间断。
在本发明的另一个优选的实施方式中，L1是键或具有5至14个芳族或杂芳族环原子的芳族或杂芳族环系，优选具有6至12个碳原子的芳族环系，并且所述环系可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，其中R1可具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。更优选地，L1是具有6至10个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个杂芳族环原子的杂芳族环系，其各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，其中R2可具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。
进一步优选地，式(QL)中所示的符号L1尤其是在每种情况下相同或不同，并且是键或具有5至24个环原子，优选6至13个环原子，更优选6至10个环原子的芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接地，即通过芳族或杂芳族基团的原子，键合到另一基团的相应原子上。
另外的情况可以是，式(QL)中所示的L1基团包含具有不超过两个稠合的芳族和/或杂芳族6-元环的芳族环系，优选地不包含任何稠合的芳族或杂芳族环系。因此，萘基结构优于蒽结构。另外，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基结构优于萘基结构。
特别优选没有稠合的结构，例如苯基、联苯基、三联苯基和/或四联苯基结构。
合适的芳族或杂芳族环系L1的实例选自邻-、间-或对-苯亚基，邻-、间-或对-联苯亚基，三联苯亚基，尤其是支链三联苯亚基，四联苯亚基，尤其是支链四联苯亚基，芴亚基，螺二芴亚基，二苯并呋喃亚基，二苯并噻吩亚基和咔唑亚基，其各自可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。
进一步的情况可以是，式(QL)中所示的L1基团尤其具有不超过1个氮原子，优选不超过2个杂原子，尤其优选不超过1个杂原子，且更优选没有杂原子。
优选地，式(QL)中所示的Q基团(尤其)或电子传输基团可选自式(Q-1)、(Q-2)、(Q-4)、(Q-4)、(Q-5)、(Q-6)、(Q-7)、(Q-8)、(Q-9)和/或(Q-10)的结构，
Figure BDA0003062002280000261
其中虚线键标记连接位置，
Q'在每种情况下相同或不同并且是CR1或N，并且
Q”是NR1、O或S；
其中至少一个Q'是N，并且
R1如上文，尤其是对于式(I)或(Ia)所定义的。
式(Q-1)至(Q-10)的结构中的取代基R1在式(II)、(IIa)和(IVa)至(IVh)的结构中应被取代基R2代替。
另外，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可优选选自式(Q-11)、(Q-12)、(Q-13)、(Q-14)和/或(Q-15)的结构，
Figure BDA0003062002280000271
其中符号R1具有上文尤其对于式(I)给出的定义，X'是N或CR1，并且虚线键标记连接位置，其中X'优选是氮原子。
在另一个实施方式中，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可选自式(Q-16)、(Q-17)、(Q-18)、(Q-19)、(Q-20)、(Q-21)和/或(Q-22)的结构，
Figure BDA0003062002280000281
其中符号R1具有上文尤其对式(I)或(Ia)详述的定义，虚线键标记连接位置，并且m是0、1、2、3或4，优选是0、1或2，n是0、1、2或3，优选是0、1或2，并且o是0、1或2，优选是1或2。在此优选式(Q-16)、(Q-17)、(Q-18)和(Q-19)的结构。
在另一个实施方式中，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可选自式(Q-23)、(Q-24)和/或(Q-25)的结构，
Figure BDA0003062002280000291
其中符号R1具有上文尤其对于式(I)或(Ia)所述的定义，并且虚线键标记连接位置。
在另一个实施方式中，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可选自式(Q-26)、(Q-27)、(Q-28)、(Q-29)和/或(Q-30)的结构，
Figure BDA0003062002280000292
Figure BDA0003062002280000301
其中符号Ar1和R1具有上文尤其对于式(I)或(Ia)给出的定义，X'是N或CR1，并且虚线键标记连接位置。优选地，在式(Q-26)、(Q-27)和(Q-28)的结构中，刚好一个X'是氮原子。
优选地，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可选自式(Q-31)、(Q-32)、(Q-33)、(Q-34)、(Q-35)、(Q-36)、(Q-37)、(Q-38)、(Q-39)、(Q-40)、(Q-41)、(Q-42)、(Q-43)和/或(Q-44)的结构，
Figure BDA0003062002280000302
Figure BDA0003062002280000311
Figure BDA0003062002280000321
其中符号Ar1和R1具有上文尤其对式(I)或(Ia)所述的定义，虚线键标记连接位置，并且m是0、1、2、3或4，优选是0、1或2，n是0、1、2或3，优选是0或1，n是0、1、2或3，优选是0、1或2，并且l是1、2、3、4或5，优选是0、1或2。
式(Q-11)至(Q-44)的结构中的取代基R1在式(II)、(IIa)和(IVa)至(IVh)的结构中应被取代基R2代替。
在本发明的另一个优选的实施方式中，Ar1在每种情况下相同或不同，并且是芳族或杂芳族环系，优选具有5至24个芳族环原子，优选具有6至18个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且更优选是芳族环系，优选具有6至12个芳族环原子的芳基基团，或杂芳族环系，优选具有5至13个芳族环原子的杂芳基基团，所述基团各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，其中R2可具有上文，尤其是在式(I)中详述的定义。
优选地，符号Ar1是芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接地，即通过芳族或杂芳族基团的原子，键合到另一基团的相应原子，例如上文所示的(H-1)至(H-26)或(Q-26)至(Q-44)基团的碳或氮原子。
有利地，式(H-1)至(H-26)或(Q-26)至(Q-44)中的Ar1是芳族环系，所述芳族环系具有6至12个芳族环原子且可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，其中R2可具有上文，尤其是对于式(I)详述的定义。
优选地，式(H-1)至(H-26)或(Q-1)至(Q-44)中的R1或R2基团不与R1或R2基团所键合的芳基基团或杂芳基基团Ar1、Ar2、Ar3和/或Ar4的环原子形成稠合环系。这包括与可以键合至R1或R2基团的可能取代基R2、R3形成稠合环系。
情况还可以是，Ar、Ar1、Ar2、Ar3和/或Ar4基团选自苯基，邻-、间-或对-联苯基，三联苯基，尤其是支链三联苯基，四联苯基，尤其是支链四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基，芘基，三嗪基，咪唑基，苯并咪唑基，苯并
Figure BDA0003062002280000331
唑基，苯并噻唑基，1-、2-、3-或4-咔唑基，茚并咔唑基，1-或2-萘基，蒽基，优选9-蒽基，菲基和/或联三苯叉基，所述基团各自可被一个或多个R1和/或R2基团取代，但优选未被取代，特别优选苯基、螺二芴、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、联三苯叉基团。
在另一种构型中，情况可以是有机功能化合物包含至少一个导致宽带隙材料的基团。表述“导致宽带隙材料的基团”表明所述化合物可用作宽带隙材料，并且因此所述化合物具有相应的基团。稍后将详细讨论宽带隙材料。
进一步的情况可以是，有机功能化合物包含至少一个导致用作主体材料的材料的基团。表述“导致用作主体材料的材料的基团”表明所述化合物可用作主体材料，并且因此所述化合物具有相应的基团。稍后将详细讨论主体材料。
在另一种构型中，情况可以是可用于制造电子器件的功能层的化合物包含具有至少2个、优选3个可任选被取代的稠环的稠合芳族或杂芳族环系。
在另一个实施方式中，情况可以是可用于制造电子器件的功能层的化合物包含至少一个具有至少两个、优选具有三个稠合芳族或杂芳族环的芳族或杂芳族环系。
在一个优选的实施方式中，情况可以是芳族或杂芳族环系通过至少两个、优选三个稠合的芳族或杂芳族环与至少一个瞬烯结构连接，其是经由一个或两个例如在式(I)或(Ia)中表示为虚线键的连接。
另外，式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(IIIa)至(IIIh)和/或(IVa)至(IVh)的结构中的R和/或R1基团中的至少一个包含，优选表示，至少一个具有至少两个、优选具有三个稠合芳族或杂芳族环的芳族或杂芳族环系。
优选的情况可以是，具有两个、优选具有三个稠合芳族或杂芳族环的芳族或杂芳族环系选自式(Ar-1)至(Ar-11)的基团，
Figure BDA0003062002280000341
Figure BDA0003062002280000351
其中X'是N或CR1，优选CR1，L1表示键或具有5至40个，优选5至30个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，其中R1具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)所述的定义，并且虚线键标记连接位置。式(Ar-1)至(Ar-11)的亚结构优选与式(I)或(II)的结构单元形成键。
进一步的情况可以是，式(Ia)或(IIa)的结构单元稠合到具有5至60个碳原子且选自式(Ar-12)至(Ar-58)的芳族或杂芳族环系，
Figure BDA0003062002280000361
Figure BDA0003062002280000371
Figure BDA0003062002280000381
Figure BDA0003062002280000391
其中X'是N或CR1，优选CR1，Y'选自O、S、C(R1)2、Si(R1)2、Ge(R1)2、NR1和NAr1，优选O、S、NAr1，更优选NAr1，U选自O、S、C(R1)2、N(R1)、B(R1)、Si(R1)2、C＝O、S＝O、SO2、P(R1)和P(＝O)R1，其中R1具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)所述的定义，并且具有至少3个环的非芳族或非杂芳族多环环系在每种情况下键合到式(Ia)和/或(IIa)的结构单元中由o确定的位置以形成环。在此优选式(Ar-2)至(Ar-54)的结构，且特别优选式(Ar-4)至(Ar-15)和(Ar-23)至(Ar-44)的结构。
在式(Ia)或(IIa)的结构中显示的由虚线键标记的双键在此可被认为是式(Ia)或(IIa)的结构单元所稠合的具有5至60个碳原子的芳族或杂芳族环系的一部分。
还优选具有式(Ar-1)至(Ar-58)的亚结构的化合物，其中每个环中不超过两个X'基团是N，优选每个环中所有X'基团都是CR1，并且优选每个环中至少一个、更优选至少两个X'基团选自C-H和C-D。
另外，优选具有式(Ar-1)至(Ar-58)的亚结构的化合物，其中不超过四个、优选不超过两个X'基团是N，并且更优选所有X'基团是CR1，其中优选不超过四个、更优选不超过三个且尤其优选不超过两个X'所表示的CR1基团不是CH基团。
最优选的情况可以是，具有两个、优选具有三个稠合芳族或杂芳族环的芳族或杂芳族环系选自式(Ar'-1)至(Ar'-11)的基团，
Figure BDA0003062002280000401
其中L1表示键或具有5至40个、优选5至30个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，其中R1具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)所述的定义，虚线键标记连接位置并且标记如下：
p是0或1；
e是0、1或2，优选是0或1；
j在每种情况下独立地是0、1、2或3，优选是0、1或2，更优选是0或1；
h在每种情况下独立地是0、1、2、3或4，优选是0、1或2，更优选是0或1；
i在每种情况下独立地是0、1或2；
m是在0至7范围内的整数，优选是0、1、2、3、4、5或6，特别优选是0、1、2、3或4，尤其优选是0、1或2。
优选在每种情况下式(Ar'-1)至(Ar'-11)的结构中的标记p、e、i、j、h和m的总和不大于3，优选不大于2，且更优选不大于1。
进一步的情况可以是，式(Ia)或(IIa)的结构单元稠合到具有5至60个碳原子且选自式(Ar'-12)至(Ar'-57)的芳族或杂芳族环系，
Figure BDA0003062002280000411
Figure BDA0003062002280000421
Figure BDA0003062002280000431
Figure BDA0003062002280000441
其中R1具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义，并且符号Y'和U具有上文，尤其是对于式(Ar-12)至(Ar-58)给出的定义，标记o是0、1或2，优选是0或1，标记n是0、1、2或3，优选是0、1或2，且标记m是0、1、2、3或4，优选是0、1或2，且标记l是0、1、2、3、4、5或6，优选是0、1或2，且式(Ia)或(IIa)的结构单元在由o确定的相应位置处键合到具有5至60个碳原子的芳族或杂芳族环系以形成环。在此优选式(Ar'-2)至(Ar'-53)的结构，且特别优选式(Ar'-4)至(Ar'-15)和(Ar'-22)至(Ar'-43)的结构。
另外，在式(Ar'-12)至(Ar'-57)的亚结构中，情况可以是标记o、n、m和l的总和不超过6，优选不超过4，且更优选不超过2。
另外，式(Ar-1)至(Ar-158)和/或(Ar'-1)至(Ar'-57)的结构可包含基团，所述基团包含空穴传输基团、优选式(H-1)至(H-26)的空穴传输基团和/或电子传输基团、优选式(QL)的含电子传输基团的基团，其中所述电子传输基团可优选由式(Q-1)至(Q-44)表示。在式(H-1)至(H-26)和/或(Q-1)至(Q-44)的结构中的取代基R1在此应被取代基R2代替。
进一步的情况可以是，有机功能化合物包含至少一个增溶基团。
优选地，增溶基团或增溶结构单元可包含，优选地构成，相对长的烷基基团(约4至20个碳原子)，尤其是支链烷基基团，或任选取代的芳基基团。优选的芳基基团包括二甲苯基、均三甲苯基、三联苯基或四联苯基基团，特别优选支链三联苯基或四联苯基基团。
进一步的情况可以是，所述化合物含有至少一个增溶结构单元或增溶基团，且含有至少一个功能结构单元或功能基团，所述功能结构单元或功能基团选自空穴传输基团、电子传输基团、导致主体材料的结构单元或基团、或具有宽带隙性质的结构单元或基团。
当X或X1是CR1时或当芳族和/或杂芳族基团被取代基R1取代时，这些取代基R1优选选自H，D，F，CN，N(Ar1)2，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2，具有1至10个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团，其各自可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被O代替，并且其中一个或多个氢原子可被D或F代替，具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至25个芳族环原子且可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团；同时，任选地，优选键合至相邻碳原子的两个取代基R1可以形成可被一个或多个R1基团取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，其中Ar1基团具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。
更优选地，这些取代基R1选自H，D，F，CN，N(Ar1)2，具有1至8个碳原子，优选具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至8个碳原子，优选具有3或4个碳原子的支链或环状的烷基基团，或具有2至8个碳原子，优选具有2、3或4个碳原子的烯基基团，其各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，或具有5至24个芳族环原子，优选6至18个芳族环原子，更优选6至13个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个非芳族R1基团取代，但优选未被取代的芳族或杂芳族环系；同时，优选与相邻碳原子键合的两个取代基R1可任选地形成可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代的单环或多环的脂族环系，其中Ar1可具有上文所述的定义。
最优选地，取代基R1选自H和芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系具有6至18个芳族环原子，优选6至13个芳族环原子，并且在每种情况下可被一个或多个非芳族R2基团取代，但优选未被取代。合适的取代基R1的实例选自苯基，邻-、间-或对-联苯基，三联苯基，尤其是支链三联苯基，四联苯基，尤其是支链四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基，1-、2-、3-或4-咔唑基和茚并咔唑基，其各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代。
进一步的情况可以是，芳族或杂芳族环系的取代基R1不与芳族或杂芳族环系的其它环原子形成稠合芳族或杂芳族环系，优选任何稠合环系。这包括与可以键合至R1基团的可能取代基R2、R3形成稠合环系。
进一步的情况可以是，有机功能化合物包含至少一个基团，优选地，在式(IIIa)至(IIIh)和/或(IVa)至(IVh)的结构中，至少一个结构单元Aa或至少一个Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和/或R1基团包含选自式(R1-1)至(R1-92)的基团，优选是选自式(R1-1)至(R1-92)的基团，
Figure BDA0003062002280000461
Figure BDA0003062002280000471
Figure BDA0003062002280000481
Figure BDA0003062002280000491
Figure BDA0003062002280000501
Figure BDA0003062002280000511
Figure BDA0003062002280000521
其中使用的符号如下：
Y1是O、S或NR2，优选是O或S；
k在每种情况下独立地是0或1；
i在每种情况下独立地是0、1或2；
j在每种情况下独立地是0、1、2或3；
h在每种情况下独立地是0、1、2、3或4；
g在每种情况下独立地是0、1、2、3、4或5；
R2可具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义；并且
虚线键标记连接位置。
在此优选式R1-1至R1-54的基团，特别优选R1-1、R1-3、R1-5、R1-6、R1-15、R1-29、R1-30、R1-31、R1-32、R1-33、R1-38、R1-39、R1-40、R1-41、R1-42、R1-43、R1-44和/或R1-45基团。
优选的情况可以是，式(R1-1)至(R1-92)的结构中的标记k、i、j、h和g的总和在每种情况下不大于3，优选不大于2，且更优选不大于1。
优选地，式(R1-1)至(R1-92)中的R2基团不与R2基团所键合的芳基基团或杂芳基基团的环原子形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选地不与所述环原子形成任何稠合的环系。这包括与可以键合至R2基团的可能取代基R3形成稠合环系。
上文详述的式(R1-1)至(R1-92)的基团是优选的式(I)的Ar基团或式(H-1)至(H-3)的Ar3、Ar4基团或这些式的优选实施方式，其中，在这种情况下，式(R1-1)至(R1-92)中所示的R2基团将被R1基团代替。上文关于式(R1-1)至(R1-92)详述的优选项是相应适用的。
优选的情况可以是，所述化合物包含至少一个选自式(L1-1)至(L1-108)的连接基团；优选地，在式(H-1)至(H-26)的结构中，Ar2基团选自式(L1-1)至(L1-108)，或电子传导基团经由选自式(L1-1)至(L1-108)的连接基团连接到其它结构单元，或者式(QL)、(Ar-1)至(Ar-11)和/或(Ar'-1)至(Ar'-11)中的L1基团是选自式(L1-1)至(L1-108)的基团，
Figure BDA0003062002280000541
Figure BDA0003062002280000551
Figure BDA0003062002280000561
Figure BDA0003062002280000571
Figure BDA0003062002280000581
Figure BDA0003062002280000591
Figure BDA0003062002280000601
其中虚线键在每种情况下标记连接位置，标记k是0或1，标记l是0、1或2，标记j在每种情况下独立地是0、1、2或3；标记h在每种情况下独立地是0、1、2、3或4，标记g是0、1、2、3、4或5；符号Y2是O、S或NR1，优选是O或S；并且符号R1具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义。
优选的情况可以是，式(L1-1)至(L1-108)的结构中的标记k、l、g、h和j的总和在每种情况下至多是3，优选至多是2，且更优选至多是1。
本发明的具有式(H-1)至(H-26)的基团的优选化合物包含选自式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-108)中的一种，优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-108)中的一种，尤其优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-103)中的一种的Ar2基团。有利地，在式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-108)，优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-108)，尤其优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-103)的结构中的标记k、l、g、h和j的总和在每种情况下可不大于3，优选不大于2且更优选不大于1。
本发明的具有式(QL)的基团的优选化合物包含L1基团，所述L1基团表示键或选自式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-108)中的一种，优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-108)中的一种，尤其优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-103)中的一种。有利地，在式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-108)，优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-108)，尤其优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-103)的结构中的标记k、l、g、h和j的总和在每种情况下可不大于3，优选不大于2且更优选不大于1。
本发明的具有式(Ar-1)至(Ar-11)和/或(Ar'-1)至(Ar'-11)的基团的优选化合物包含L1基团，所述L1基团为键或选自式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-108)中的一种，优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-108)中的一种，尤其优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-103)中的一种。有利地，在式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-108)，优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-108)，尤其优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-103)的结构中的标记k、l、g、h和j的总和在每种情况下可不大于3，优选不大于2且更优选不大于1。
优选地，式(L1-1)至(L1-108)中的R2基团不与R2基团所键合的芳基基团或杂芳基基团的环原子形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选不与所述环原子形成任何稠合的环系。这包括与可以键合至R2基团的可能取代基R3形成稠合环系。
在一种优选的构型中，可用于制造电子器件的功能层的本发明的化合物选自苯基、芴、茚并芴、螺二芴、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三嗪、内酰胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咪唑、苯并咪唑、苯并
Figure BDA0003062002280000621
唑、苯并噻唑、5-芳基菲啶-6-酮、9,10-脱氢菲、荧蒽、蒽、苯并蒽、茚并[1,2,3-jk]芴。
优选地，可用于制造电子器件的功能层的化合物，优选地，包含式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(IIIa)至(IIIh)和/或(IVa)至(IVh)的结构的化合物具有不大于5000g/mol，优选不大于4000g/mol，特别优选不大于3000g/mol，尤其优选不大于2000g/mol且非常特别优选不大于1200g/mol的分子量。在一种优选的构型中，本发明的化合物由式(IIIa)至(IIIh)和/或(IVa)至(IVh)的结构定义。
另外，本发明的优选化合物的特征在于它们是可升华的。这些化合物通常具有小于约1200g/mol的摩尔质量。
当本发明的化合物被芳族或杂芳族R1或R2基团取代时，优选这些化合物不具有任何具有超过两个彼此直接稠合的芳族六元环的芳基或杂芳基基团。更优选地，取代基根本不具有任何具有彼此直接稠合的六元环的芳基或杂芳基基团。这种优选特征的原因是这类结构的三重态能量低。具有超过两个彼此直接稠合的芳族六元环但根据本发明仍然适合的稠合芳基基团是菲和联三苯叉，因为其也具有高的三重态能级。
在可作为有机电子器件中的活性化合物以用作荧光发光体或蓝色OLED材料的本发明化合物的构型的情况下，优选的化合物可含有相应的基团，例如芴、蒽和/或芘基团，所述基团可被R1或R2基团取代，或所述基团是通过(R1-1)至(R1-92)基团，优选(R1-33)至(R1-57)和(R1-76)至(R1-86)，或(L1-1)至(L1-109)，优选(L1-30)至(L1-60)和(L1-71)至(L1-91)被取代基R2相应取代而形成。
在本发明的另一个优选的实施方式中，R2，例如在式(I)的结构和所述结构或提及这些式的结构的优选实施方式中，在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，具有1至10个碳原子，优选具有1、2、3或4个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子，优选5至24个芳族环原子，更优选5至13个芳族环原子且可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代，但优选未被取代的芳族或杂芳族环系。
优选地，R2基团不与R2基团所键合的芳基基团或杂芳基基团的环原子形成稠合的芳族或杂芳族环系，并且优选不与所述环原子形成任何稠合环系。这包括与可以键合至R2基团的可能取代基R3形成稠合环系。
在本发明的另一个优选的实施方式中，R3，例如在式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(III)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构和所述结构或提及这些式的结构的优选实施方式中，在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，具有1至10个碳原子，优选具有1、2、3或4个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子，优选5至24个芳族环原子，更优选5至13个芳族环原子且可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代，但优选未被取代的芳族或杂芳族环系。
在一个优选的实施方式中，尤其优选式II的结构单元与芳族或杂芳族环系的组合，其具有以下性质：
Figure BDA0003062002280000631
Figure BDA0003062002280000641
Figure BDA0003062002280000651
在一个优选的实施方式中，尤其优选式IIa的结构单元与芳族或杂芳族环系的组合，其具有以下性质：
Figure BDA0003062002280000652
Figure BDA0003062002280000661
Figure BDA0003062002280000671
Figure BDA0003062002280000681
Figure BDA0003062002280000691
在一个优选的实施方式中，尤其优选式II的亚结构与含电子传输基团的基团的组合，根据下表所示：
Figure BDA0003062002280000701
Figure BDA0003062002280000711
Figure BDA0003062002280000721
Figure BDA0003062002280000731
Figure BDA0003062002280000741
在一个优选的实施方式中，尤其优选根据下表的具有空穴传输基团的式II的亚结构的组合：
Figure BDA0003062002280000742
Figure BDA0003062002280000751
Figure BDA0003062002280000761
Figure BDA0003062002280000771
进一步优选具有式(IIIa)至(IIIh)和(IVa)至(IVh)的结构且具有以下性质的本发明的化合物，其中W基团更优选是O、S或NR，更优选是NR：
Figure BDA0003062002280000772
进一步优选具有式(IIIa)至(IIIh)和(IVa)至(IVh)的结构且具有以下性质的本发明的化合物，其中W基团更优选是O、S或NR，更优选是NR：
Figure BDA0003062002280000781
Figure BDA0003062002280000791
Figure BDA0003062002280000801
进一步优选具有式(IIIa)至(IIIh)和(IVa)至(IVh)的结构且具有以下性质的本发明的化合物，其中W基团更优选是O、S或NR，更优选是NR：
Figure BDA0003062002280000802
Figure BDA0003062002280000811
Figure BDA0003062002280000821
进一步的情况可以是，可用于制造电子器件的功能层的化合物是金属络合物中的配体。
这些金属络合物是新的，并且具有优于已知金属络合物的预料不到的技术优点。因此，本发明还提供一种金属络合物，其包含一个或多个式(I)和/或(Ia)的结构单元或这些结构单元的优选实施方式。
因此，本发明还提供一种金属络合物，其包含至少一个通式(1)的结构：
M(L)n(L')m 式(1)
其中使用的符号和标记如下：
M为过渡金属，优选铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕，更优选铱或铂。
L在每种情况下相同或不同并且是二齿配体；
L'在每种情况下相同或不同并且是配体；
n是1、2或3，优选是2或3，更优选是2；
m是0、1、2、3或4，优选是0、1或2，更优选是0或1，尤其优选是0；
同时，两个或更多个配体L也可以通过单键或二价或三价桥连基彼此连接，或者L也可以通过单键或二价或三价桥连基与L'连接，从而形成三齿、四齿、五齿或六齿配体体系，其特征在于金属络合物含有至少一种式(2)和/或(2a)的亚结构：
Figure BDA0003062002280000822
Figure BDA0003062002280000831
其中虚线键表示所述基团与式(1)的金属络合物的另一部分的连接，并且符号X具有上文尤其对于式(I)或(Ia)所述的定义。
另外的情况可以是，金属络合物含有至少一个式(2-1)和/或(2a-1)的亚结构：
Figure BDA0003062002280000832
其中虚线键表示所述基团与式(1)的金属络合物的另一部分的连接，并且符号u、v和R1具有上文尤其对于式(I)、(Ia)、(II)或(IIa)所述的定义。
在一个优选的实施方式中，式(2)、(2a)、(2-1)或(2a-1)的亚结构的由式(2)、(2a)、(2-1)或(2a-1)中虚线键表示的连接是与芳族或杂芳族环系键合，优选与优选具有5至40个环原子的芳基或杂芳基基团键合。在此，芳族或杂芳族环系，优选具有5至40个环原子，优选5至24个环原子且尤其优选6至12个环原子的芳基或杂芳基基团，可以被一个或多个如上文关于式(2)所定义的R基团取代；然而，所述基团优选是未被取代的。同时，芳族或杂芳族环系或芳基或杂芳基基团优选是配体L的一部分，且直接与金属M配位。
另外的情况可以是，式(2)、(2a)、(2-1)和/或(2a-1)的亚结构直接与金属原子M键合。这优选可通过R或R1基团之一进行。
本发明的式(1)的金属络合物可含有一个、两个、三个或更多个上文进一步详述的式(2)、(2a)的亚结构或其优选实施方式。在一个特别的实施方式中，本发明的式(1)的金属络合物可包含恰好一个式(2)或(2a)的亚结构。优选地，式(1)的金属络合物可含有两个、更优选三个或更多个上文进一步详述的式(2)和/或(2a)的亚结构或其优选实施方式。尤其优选地，本发明的式(1)的金属络合物包含一个、两个、三个或六个式(2)和/或(2a)的亚结构或其优选实施方式。
下面描述由式(1)中的符号L确定并与M键合的二齿配体。金属络合物优选可具有一个、两个或三个二齿配体。在此二齿配体的配位原子在每种情况下可相同或不同，并且可选自C、N、P、O、S和/或B，更优选C、N和/或O，且最优选C和/或N。所述二齿配体优选具有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子或两个氮原子或两个氧原子或一个氧原子和一个氮原子作为配位原子。在这种情况下，每个配体的配位原子可相同，或者它们可不同。优选地，二齿配体中的至少一个，更优选所有二齿配体具有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子，尤其是一个碳原子和一个氮原子作为配位原子。更优选地，二齿配体中的至少两个，且最优选当M＝Ir时所有三个二齿配体具有一个碳原子和一个氮原子或两个碳原子，尤其是一个碳原子和一个氮原子作为配位原子。因此，特别优选铱络合物，其中所有三个二齿配体都是邻位金属化的，即与铱形成金属环，其中存在至少一个铱-碳键。
更优选地，金属络合物不包含任何单齿配体，并且所有二齿配体，在每种情况下相同或不同，具有至少一个碳原子作为配位原子。应当再次强调的是，二齿配体可彼此连接并且可具有其它配位位点，并且因此术语“二齿配体”是指具有至少两个配位位点的配体。在二齿配体具有恰好两个配位位点的情况下，这是明确陈述的。在这一点上，还应该注意的是，式(1)中的标记n可以是1，且标记m可同时是0，其中，在这种情况下，例如二齿配体L彼此连接且形成六齿配体体系。在这种情况下，彼此键合的三个配体也可被视为亚配体。
上文详述的式(1)或所述式的优选实施方式中的标记取决于金属的类型和配体的可能连接。对于非桥连的铱络合物(M＝Ir)，n更优选是3，且m是0。由于在优选的络合物中的铂仅是四配位的，因此对于非桥连的铂络合物(M＝Pt)，n更优选是2，且m＝0。在桥连络合物的情况下，二齿配体可被认为是亚配体，并且因此，当以这种方式考虑时，上文给出的细节是适用的。另外，根据桥连的程度，在如上文和下文所述的特别优选的实施方式中，n在每种情况下是1，特别优选形成含有铱和六齿三足配体的金属络合物或含有铂和四齿配体的金属络合物。
优选地，式(1)的金属络合物包含三个二齿配体L，所述二齿配体也可任选地连接。所述三个二齿配体可相同或不同。当二齿配体相同时，它们优选还具有相同的取代。当选择的所有三个二齿配体都相同时，在多足络合物的情况下的结果是C3-对称性铱络合物。也可有利的是，不同地选择所述三个二齿配体或选择两个相同的配体和一个不同的第三配体，以产生C1对称性金属络合物，因为这允许配体的更大可能的变化，从而可更容易地改变络合物的所需性质，例如HOMO和LUMO位置或发光颜色。此外，因此也可改善络合物的溶解性而不必连接长的脂族或芳族赋予溶解性的基团。
在本发明的一个优选的实施方式中，相同地选择三个二齿配体或者相同地选择两个二齿配体且第三个二齿配体与前两个二齿配体不同。
进一步的情况可以是，所述金属络合物具有三个二齿配体，其中选择的所有三个配体都是相同的，或者选择的二齿配体中的两个是相同的，并且第三个二齿配体与前两个二齿配体不同。
进一步的情况可以是，金属是Ir(III)并且金属络合物具有三个二齿配体，其中二齿配体中的两个分别通过一个碳原子和一个氮原子与铱配位且二齿配体中的第三个通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子或通过两个氮原子与铱配位，其中优选二齿配体中的第三个通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位。
在另一种构型中，情况可以是金属是配位到两个二齿配体的Pt。
进一步优选由金属和二齿配体形成的金属环是五元环，特别优选配位原子是C和N，C和C，N和N，或N和O。当配位原子是O时，六元金属环也可以是优选的。这在下文示意性地示出：
Figure BDA0003062002280000861
其中N是配位氮原子，C是配位碳原子，且O表示配位氧原子，并且所示碳原子是二齿配体的原子。
在本发明的一个优选的实施方式中，式(1)中所示的金属络合物的二齿配体中的至少一个，更优选二齿配体中的至少两个，最优选当M＝Ir时所有三个二齿配体在每种情况下是相同或不同的，并且选自下式(L-1)、(L-2)、(L-3)、(L-4)和/或(L-5)的结构：
Figure BDA0003062002280000862
Figure BDA0003062002280000871
其中使用的符号和标记如下：
CyC在每种情况下相同或不同，并且是取代或未取代的芳基或杂芳基基团，其具有5至14个芳族环原子且在每种情况下通过碳原子与金属配位且在每种情况下通过共价键与CyD键合；
CyD在每种情况下相同或不同，并且是取代或未取代的杂芳基基团，其具有5至14个芳族环原子且通过氮原子或通过卡宾碳原子与金属配位且通过共价键与CyC键合；
CyE在每种情况下相同或不同，并且是式(2)和/或(2a)的亚结构，其在每种情况下通过碳原子与金属配位，并且在每种情况下通过共价键与CyD键合；
同时，两个或更多个配体L也可以通过单键或二价或三价桥连基彼此连接，或者L可通过单键或二价或三价桥连基与L'连接，从而形成三齿、四齿、五齿或六齿配体体系；其中这些任选的与桥连基连接的键由虚线键指示；同时，两个或更多个任选的取代基一起可形成环系；同时，取代基也可另外与M配位；另外，任选的基团优选选自上述R基团和/或式(2)和/或(2a)的亚结构。
同时，式(L-1)和(L-2)的配体中的CyD优选通过不带电荷的氮原子或通过卡宾碳原子配位。进一步优选地，式(L-3)的配体中的两个CyD基团之一通过不带电荷的氮原子配位且两个CyD基团中的另一个通过阴离子型氮原子配位。进一步优选地，式(L-1)和(L-2)的配体中的CyC通过阴离子型碳原子配位。
当两个或更多个取代基，尤其是两个或更多个R基团，一起形成环系时，环系可以由与直接相邻的碳原子键合的取代基形成。另外，式(L-1)和(L-2)中CyC和CyD上的取代基或式(L-3)中两个CyD基团上的取代基也可以一起形成环，结果是CyC和CyD或两个CyD基团或两个CyC基团也可一起形成作为二齿配体的单个稠合的芳基或杂芳基基团。
在本发明的一个优选的实施方式中，CyC是具有6至13个芳族环原子，更优选具有6至10个芳族环原子，最优选具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，其通过碳原子与金属配位，其可被一个或多个R基团取代，并且其通过共价键与CyD键合。
CyC基团的优选实施方式是下式(CyC-1)至(CyC-20)的结构：
Figure BDA0003062002280000881
Figure BDA0003062002280000891
其中CyC在每种情况下在由#指示的位置处与CyD键合，并且在由*指示的位置处与金属配位，R具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义，并且使用的其它符号如下：
X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，其中每个环中优选不超过两个X符号是N；
W是NR、O或S；
其中配体可任选经由CyC基团通过桥连基键合，其中与桥连基连接的键可优选通过标记“o”的位置实现，其中如果标记“o”的位置构成桥头位点，则其表示碳原子。当CyC基团与桥连基键合时，所述键合优选通过上文描绘的式中标记“o”的位置实现，并且因此在这种情况下标记“o”的符号X优选是C。不含任何标记“o”的符号X的上文描绘的结构优选不与桥连基直接键合，因为与桥连基的这种键合由于空间原因是不利的。
优选地，CyC中总共不超过两个符号X是N，更优选CyC中不超过一个符号X是N，并且尤其优选所有符号X是CR，条件是，当CyC与桥连基键合时，一个符号X是C，并且所述桥连基与该碳原子键合。
特别优选的CyC基团是下式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团：
Figure BDA0003062002280000892
Figure BDA0003062002280000901
其中符号具有上文给出的定义，并且当桥连基与CyC键合时，一个R基团不存在并且所述桥连基与相应的碳原子键合。当CyC基团与桥连基键合时，所述键合优选通过上文描绘的式中标记“o”的位置实现，并且因此在这种情况下所述位置的R基团优选不存在。不含任何标记“o”的碳原子的上文描绘的结构优选不与桥连基直接键合。
(亚)配体可通过其经由桥连基彼此键合的键的位置，在不同金属的情况下可不同，其中例如式(CyC-1)至(CyC-20)和(CyC-1a)至(CyC-20a)的结构中所示的优选项适于铱。关于对于铂和类似金属的位置，实施例给出了有价值的提示，其中桥连优选通过与金属原子的配位或键合位点相邻的位置实现。
(CyC-1)至(CyC-19)基团之中的优选基团是(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基团，且特别优选(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基团。
进一步的情况可以是，CyC包含式(2)、(2a)、(2-1)和/或(2a-1)的亚结构或所述亚结构的优选实施方式，或通过被R基团的合适取代形成，其中在这种情况下式(2)或(2a)中的X基团是CR1。更优选地，在CyC基团的上文详述的实施方式中的一个R基团表示式(2)或(2a)的亚结构，使得在式(2)中由虚线键所示的键合位点直接键合到CyC基团中所示的芳族或杂芳族环系。在式(2a)中所示的构型或其优选实施方式的情况下，CyC基团通过两个键合位点直接键合到CyC基团中所示的芳族或杂芳族环系，使得由虚线键标记的式(2a)的结构中所示的双键构成芳族或杂芳族环系的一部分。
在本发明的另一个优选的实施方式中，CyD是具有5至13个芳族环原子，更优选具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团，其通过不带电荷的氮原子或通过卡宾碳原子与金属配位并且其可被一个或多个R基团取代，并且其通过共价键与CyC键合。
CyD基团的优选实施方式是下式(CyD-1)至(CyD-14)的结构：
Figure BDA0003062002280000921
其中CyD基团在每种情况下在由#指示的位置处与CyC键合，且在由*指示的位置处与金属配位，并且使用的符号如下：
X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是每个环中至多两个符号X是N；
W在每种情况下相同或不同并且是NR、O或S；
R具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义；
其中X、W和R具有上文给出的定义，并且其中经由CyD基团的配体可任选通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，其中如果标记“o”的位置构成桥头位点，则其表示碳原子。当CyD基团与桥连基键合时，所述键合优选通过上文描绘的式中标记“o”的位置实现，并且因此在这种情况下标记“o”的符号X优选是C。不含任何标记“o”的符号X的上文描绘的结构优选不与桥连基直接键合，因为与桥连基的这种键合由于空间原因是不利的。
在这种情况下，(CyD-1)至(CyD-4)、(CyD-7)至(CyD-10)、(CyD-13)和(CyD-14)基团通过不带电荷的氮原子与金属配位，(CyD-5)和(CyD-6)基团通过卡宾碳原子与金属配位，且(CyD-11)和(CyD-12)基团通过阴离子型氮原子与金属配位。
优选地，CyD中总共不超过两个符号X是N，更优选在CyD中不超过一个符号X是N，并且尤其优选所有符号X都是CR，条件是，当CyD与桥连基键合时，一个符号X是C，并且所述桥连基与该碳原子键合。
特别优选的CyD基团是下式(CyD-1a)至(CyD-14b)的基团：
Figure BDA0003062002280000931
其中使用的符号具有上文给出的定义，并且当桥连基与CyD键合时，一个R基团不存在并且所述桥连基与相应的碳原子键合。当CyD基团与桥连基键合时，所述键合优选通过上文描绘的式中标记“o”的位置实现，并且因此在这种情况下所述位置的R基团优选不存在。不含任何标记“o”的碳原子的上文描绘的结构优选不与桥连基直接键合。
(亚)配体可通过其经由桥连基彼此键合的键的位置，在不同金属的情况下可不同，其中例如式(CyD-1)至(CyD-14)和(CyD-1a)至(CyD-14b)的结构中所示的优选项适于铱。关于对于铂和类似金属的位置，实施例给出了有价值的提示，其中桥连优选通过与金属原子的配位或键合位点相邻的位置实现。
(CyD-1)至(CyD-10)基团之中的优选基团是(CyD-1)、(CyD-2)、(CyD-3)、(CyD-4)、(CyD-5)和(CyD-6)基团，尤其是(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)，并且特别优选(CyD-1a)、(CyD-2a)、(CyD-3a)、(CyD-4a)、(CyD-5a)和(CyD-6a)基团，尤其是(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)。
在本发明的一个优选的实施方式中，CyC是具有6至13个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且同时CyD是具有5至13个芳族环原子的杂芳基基团。更优选地，CyC是具有6至10个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且同时CyD是具有5至10个芳族环原子的杂芳基基团。最优选地，CyC是具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且CyD是具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团。同时，CyC和CyD可被一个或多个R基团取代。
进一步的情况可以是，CyD包含式(2)、(2a)、(2-1)和/或(2a-1)的亚结构或所述亚结构的优选实施方式，或通过被R基团的合适取代形成，其中在这种情况下式(2)或(2a)中的X基团是CR1。更优选地，在CyD基团的上文详述的实施方式中的一个R基团表示式(2)或(2a)的亚结构，使得在式(2)中由虚线键所示的键合位点直接键合到CyD基团中所示的芳族或杂芳族环系。在式(2a)中所示的构型或其优选实施方式的情况下，CyD基团通过两个键合位点直接键合到CyD基团中所示的芳族或杂芳族环系，使得由虚线键标记的式(2a)的结构中所示的双键构成芳族或杂芳族环系的一部分。
上述优选基团(CyC-1)至(CyC-20)和(CyD-1)至(CyD-14)可根据需要在式(L-1)和(L-2)的配体中彼此组合。在这种情况下，CyC或CyD基团中的至少一个可具有与桥连基的合适连接位点，其中上述式中的合适连接位点由“o”确定。尤其优选的是作为上文特别优选提到的CyC和CyD基团，即式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团和式(CyD-1a)至(CyD-14b)的基团，彼此组合。因此，其中CyC和CyD都不具有与桥连基的这种合适连接位点的组合是不优选的。
非常特别优选的是，(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基团之一且尤其是(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基团之一与(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)基团之一且尤其是与(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)基团之一组合。
上述优选的(CyD-1)至(CyD-14)基团可根据需要与式(L-4)和(L-5)的配体中的式(2)、(2a)、(2-1)和(2a-1)的基团组合。在这种情况下，CyD基团或式(2)、(2a)、(2-1)和(2a-1)的亚结构中的至少一个可具有与桥连基的合适连接位点，其中上述式中的合适连接位点由“o”确定。特别优选上文特别优选提及的CyD基团，即式(CyD-1a)至(CyD-14b)的基团，与式(2)、(2a)、(2-1)和(2a-1)的亚结构组合。
优选的配体(L-1)是下式(L-1-1)和(L-1-2)的结构，且优选的配体(L-2)是下式(L-2-1)至(L-2-3)的结构：
Figure BDA0003062002280000951
其中所用的符号具有上文给出的定义，并且配体可任选通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，其中如果标记“o”的位置构成桥头位点，则其表示碳原子。
特别优选的配体(L-1)是下式(L-1-1a)和(L-1-2b)的结构，并且特别优选的配体(L-2)是下式(L-2-1a)至(L-2-3a)的结构：
Figure BDA0003062002280000961
其中所用的符号具有上文给出的定义，并且配体可任选通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，其中如果标记“o”的位置构成桥头位点，则其表示碳原子。如果配体不是桥连的，标记为“o”的位置也可被R基团取代。
同样可行的是，式(L-3)的配体中的上述优选的CyD基团根据需要彼此组合，优选组合不带电荷的CyD基团(即，(CyD-1)至(CyD-10)、(CyD-13)或(CyD-14)基团)与阴离子型CyD基团(即，(CyD-11)或(CyD-12)基团)，其中配体可任选地通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，其中上述式中的合适连接位点通过“o”确定。
(亚)配体可通过其经由桥连基彼此键合的键的位置，在不同金属的情况下可不同，其中例如式(L-1-1)至(L-2-3)和(L-1-1a)至(L-2-3a)的结构或下文描述的这些结构的优选实施方式中所示的优选项适于铱。关于对于铂和类似金属的位置，实施例给出了有价值的提示，其中桥连优选通过与金属原子的配位或键合位点相邻的位置实现。
当两个R基团，其中在式(L-1)和(L-2)中，它们中的一个键合到CyC且另一个键合到CyD，或其中在式(L-3)中，它们中的一个键合到一个CyD基团且另一个键合到另一个CyD基团，或它们中的一个键合到一个CyD基团且另一个键合到式(2)或(2-1)的亚结构，彼此形成芳族环系，这可以产生桥连的配体，并且例如也可以产生如下配体，其整体上构成单个较大的杂芳基基团，例如苯并[h]喹啉等。式(L-1)和(L-2)中的CyC和CyD上的取代基之间或式(L-3)中的两个CyD基团上的取代基之间或式(L-4)或(L-5)中的CyD和式(2)或(2-1)的亚结构上的取代基之间的成环，优选通过根据下式(RB-1)至(RB-10)之一的基团实现：
Figure BDA0003062002280000971
其中R1具有上文给出的定义，并且虚线键指示与CyC或CyD的键合。同时，上文提到的那些基团之中的不对称基团可并入在两种选项中的每一种中；例如，在式(RB-10)的基团中，氧原子可与CyC基团键合，且羰基基团可与CyD基团键合，或者氧原子可与CyD基团键合，并且羰基基团可与CyC基团键合。
同时，当这引起成环以给出如下文例如由式(L-23)和(L-24)所示的六元环时，式(RB-7)的基团是特别优选的。
通过在不同环上的两个R基团之间成环而产生的优选配体是下文显示的式(L-5)至(L-32)的结构：
Figure BDA0003062002280000981
Figure BDA0003062002280000991
其中所用的符号具有上文给出的定义，其中配体可任选通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，其中如果标记“o”的位置构成桥头位点，则其表示碳原子。
在式(L-5)至(L-32)的配体的一个优选的实施方式中，总体上，一个符号X是N，并且其它符号X是CR，或者所有符号X都是CR，条件是当这些配体通过桥连基键合时，一个符号X是C，并且桥连基与该碳原子键合。
在本发明的另一个实施方式中，优选在基团(CyC-1)至(CyC-20)或(CyD-1)至(CyD-14)中或在配体(L-5)至(L-3)中，当作为与所述氮原子相邻的取代基键合的R基团不是氢或氘时，原子X中的一个是N。这类似地适于优选的结构(CyC-1a)至(CyC-20a)或(CyD-1a)至(CyD-14b)，其中与非配位氮原子相邻键合的取代基优选为R基团，所述R基团不是氢或氘。所述取代基R优选是选自以下的基团：CF3，OCF3，具有1至10个碳原子的烷基或烷氧基基团，尤其是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至10个碳原子的二烷基氨基基团，芳族或杂芳族环系或芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团是有空间要求的基团。进一步优选地，所述R基团也可与相邻的R基团形成环。
进一步合适的二齿配体是下式(L-33)或(L-34)的配体
Figure BDA0003062002280001001
其中R具有上文给出的定义，*表示与金属配位的位置，其中配体可任选地通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，并且所用的其它符号如下：
X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是每个环中不超过一个符号X是N，其中如果在该位置处配体键合到桥连基，则该位置的X为C。
当与配体(L-33)和(L-34)中的相邻碳原子键合的两个R基团彼此形成芳族环时，所述环与这两个相邻碳原子一起优选为下式(BR-11)的结构：
Figure BDA0003062002280001002
其中虚线键象征所述基团在所述配体内的连接，并且Y在每种情况下相同或不同并且是CR1或N，且优选不超过一个符号Y是N。
在配体(L-33)或(L-34)的一个优选的实施方式中，存在不超过一个式(BR-11)的基团。因此，所述配体优选为下式(L-35)至(L-40)的配体：
Figure BDA0003062002280001011
其中R具有上文给出的定义，*表示与金属配位的位置，其中配体可任选地通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，并且所用的其它符号如下：
X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是每个环中不超过一个X符号是N，其中如果在该位置处配体键合到桥连基，则该位置的X为C；
Y在每种情况下相同或不同，且是CR1或N，并且优选不超过一个符号Y为N，其中R1具有上文给出的定义。
在本发明的一个优选的实施方式中，在式(L-33)至(L-40)的配体中，总共0、1或2个符号X和(如果存在Y的话)Y是N。更优选地，总共0或1个符号X和(如果存在Y的话)Y是N。
在本发明的一个优选的实施方式中，在与金属配位的邻位的X基团是CR。在所述基团中，在与金属配位的邻位键合的R优选选自H、D、F和甲基。
在本发明的另一个实施方式中，如果一个原子X或(如果存在Y的话)Y是N，则优选与所述氮原子相邻键合的取代基是R基团，所述R基团不是氢或氘。所述取代基R优选是选自以下的基团：CF3，OCF3，具有1至10个碳原子的烷基或烷氧基基团，尤其是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，具有2至10个碳原子的二烷基氨基基团，芳族或杂芳族环系或芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团是有空间要求的基团。进一步优选地，所述R基团也可与相邻的R基团形成环。
其它合适的二齿配体是下式(L-41)至(L-45)的结构，其中优选这三个二齿配体中不超过一个是这些结构中的一种，
Figure BDA0003062002280001021
其中配体(L-41)至(L-43)各自通过明确显示的氮原子和带负电荷的氧原子与金属配位，且配体(L-44)和(L-45)通过两个氧原子与金属配位，R和X具有上文，尤其是对于式(I)或(Ia)给出的定义，其中配体可任选地通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，其中如果配体在该位置处与桥连基键合，则该位置的X为C，或者，在式(L-44)或(L-45)中，如果配体在该位置处不与桥连基键合，则该位置的碳原子可具有取代基R。
对于式(L-41)至(L-43)的配体，还优选X的上文列举的优选实施方式。
因此，式(L-41)至(L-43)的优选配体是下式(L-41a)至(L-43a)的配体：
Figure BDA0003062002280001031
其中所用的符号具有上文给出的定义，并且一个R基团不存在，其中配体可任选地由桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，或者在式(L-41a)、(L-42a)或(L-43a)中，如果在该位置处配体不与桥连基键合，则该位置的碳原子可具有取代基R。
更优选地，在这些式中，R是氢，其中配体可任选地通过桥连基键合，其中与桥连基的键合可优选通过标记“o”的位置实现，并且因此所述结构是下式(L-41b)至(L-43b)的那些：
Figure BDA0003062002280001032
其中使用的符号具有上文给出的定义。
进一步优选的二齿配体是下式(L-46)的结构：
Figure BDA0003062002280001033
其中X和R具有上文给出的定义，*表示与金属配位的位置，其中配体可任选地通过桥连基键合。在这种情况下，与N键合的R基团优选不是H，而是如上文对于R所详述的烷基、杂烷基、芳基或杂芳基基团。优选地，每个环中不超过两个X是N；更优选地，所有X都是CR，其中配体可通过R基团键合。
因此，式(L-46)的优选配体是下式(L-46a)的配体：
Figure BDA0003062002280001041
其中使用的符号具有上文给出的定义。
式(L-1)至(L-46)的配体或其优选的构型优选包含至少一种式(2)和/或(2a)的亚结构，其中所述亚结构优选通过被R或R1基团的合适取代形成，在这种情况下，式(2)或(2a)中的X基团是CR1。更优选地，在式(L-1)至(L-46)的配体的上文详述的实施方式中的一个R基团表示式(2)或(2a)的亚结构，使得式(2)中由虚线键所示的键合位点直接键合到芳族或杂芳族环系。在式(2a)中所示的构型或其优选实施方式的情况下，式(L-1)至(L-46)的配体通过两个键合位点直接键合到芳族或杂芳族环系，使得在式(2a)的结构中所示的由虚线键标记的双键构成芳族或杂芳族环系的一部分。
在一个优选的实施方式中，金属络合物符合以下通式
M(L)n(L')m 式(1a)
其中符号M和配体L和/或L'具有上文，尤其是对于式(1)给出的定义，且至少一些配体通过桥连基连接以形成三齿、四齿、五齿或六齿配体体系，且优选形成含铱和六齿三足配体的金属络合物，条件是所述金属络合物含有至少一个式(2)或(2a)的亚结构
Figure BDA0003062002280001051
其中符号具有上文，尤其是对于式(1)和(2)给出的定义，其中以上提及的优选项也适于这些符号。在这种情况下，配体L和L'可被认为是三个配位到金属的二齿亚配体。优选地，桥连基可以是具有5至36个芳族环原子且可被一个或多个R基团取代的芳基或杂芳基基团。通式(1a)的金属络合物可优选含有上文详述的式(2-1)和/或(2a-1)的结构。
在Pt的情况下，在式(1a)的结构中，优选形成四齿配体体系。
下面描述优选的铱和铂络合物。同样适于对于式(1)中的M所列的其它金属原子。如上所述，这些是有机金属络合物。在本发明的上下文中，有机金属络合物是具有至少一个与配体的金属-碳键的络合物。
在本发明的一个优选的实施方式中，铱或铂络合物是不带电的，即电中性的。因此，铱络合物优选含有三个二齿单阴离子配体或一个三足六齿三阴离子配体，并且铂络合物含有两个二齿单阴离子配体或一个四齿双阴离子配体。
配体与铱或铂的键可以是配位键或共价键，或者所述键的共价部分可根据配体而变。当在本申请中称配体与铱或铂配位或键合时，在本申请的上下文中，这是指配体与铱或铂的任何种类的键合，而与键的共价成分无关。
在本发明的另一个优选的实施方式中，M是铂，并且因此有机金属铂络合物包含式(2)或(2a)的亚结构。当M是铂时，所述络合物优选包含两个可彼此连接的二齿配体。在这种情况下，这些配体相同或不同，并且优选选自上文描绘的式(L-1)、(L-2)和(L-3)的配体，其中上述优选项也适于这些配体。
当M是铂并且铂络合物包含四齿配体时，这可由下式(Lig')示意性地示出：
Figure BDA0003062002280001061
其中V'选自CR2、NR、O、S和BR，优选CR2和NR，其中R具有上文给出的定义，并且L1和L2在每种情况下相同或不同，且各自是二齿配体，优选单阴离子二齿配体。由于配体具有两个二齿配体，因此总体结果是四齿配体，即通过四个配位位点与铂配位或键合的配体。
因此，用所述式(Lig')的配体形成的铂络合物可通过下式示意性地表示：
Figure BDA0003062002280001062
其中使用的符号具有上文给出的定义。
(亚)配体可通过其经由桥连基彼此键合的键的位置，在不同金属的情况下可不同，其中例如所示的优选项适于铱。关于对于铂和类似金属的位置，实施例给出了有价值的提示，其中桥连优选通过与金属原子的配位或键合位点相邻的位置实现。
在本发明的一个优选的实施方式中，M是铱。在此情况可以是，金属是Ir(III)并且金属络合物具有三个二齿配体，其中在每种情况下二齿配体中的两个通过一个碳原子和一个氮原子与铱配位或通过两个碳原子与铱配位，并且二齿配体中的第三个通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子或通过两个氮原子与铱配位，其中优选二齿配体中的第三个通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位。
特别优选具有如下所述的三足六齿配体的铱络合物。所述三足六齿配体含有三个二齿亚配体，所述三个二齿亚配体可相同或不同并且与铱原子配位，其中所述三个二齿亚配体通过下式(3)或式(4)的桥连基连接：
Figure BDA0003062002280001071
其中虚线键构成二齿配体与所述结构的键，R、R1和R2具有上文给出的定义，并且另外：
X1在每种情况下相同或不同并且是CR或N；
A1在每种情况下相同或不同并且是C(R)2或O；
A2在每种情况下相同或不同并且是CR、P(＝O)、B或SiR，条件是当A2＝P(＝O)、B或SiR时，符号A1是O并且与所述A2键合的符号A不是-C(＝O)-NR'-或-C(＝O)-O-；
A在每种情况下相同或不同并且是-CR＝CR-、-C(＝O)-NR'-、-C(＝O)-O-或下式(5)的基团：
Figure BDA0003062002280001072
其中虚线键表示二齿配体与所述结构键合的位置，并且*表示式(5)的单元与中心环状基团连接的位置；
X2在每种情况下相同或不同并且是CR或N，或两个相邻的X2基团一起是NR、O或S，因此形成五元环，并且剩余的X2在每种情况下相同或不同并且是CR或N；或者当所述环中的一个X3基团是N时，两个相邻的X2基团一起是CR或N，从而形成五元环；条件是不超过两个相邻的X2基团是N；
X3在每种情况下是C，或者一个X3基团是N并且同一环中的其它X3基团是C；条件是当所述环中的一个X3基团是N时，两个相邻的X2基团一起是CR或N；
R'在每种情况下相同或不同，并且是H，D，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可被Si(R1)2代替，或具有5至40个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
同时，除了被式(3)或(4)的桥连基隔开之外，三个二齿亚配体还可被其它桥连基闭合以形成穴状化合物。
当两个R或R1或R2基团一起形成环系时，其可以是单环或多环的且是脂族、杂脂族、芳族或杂芳族的。在这种情况下，一起形成环系的基团可以是相邻的，这意味着这些基团与同一碳原子键合或与彼此直接键合的碳原子键合，或者它们可彼此进一步远离。
六齿三足配体的结构可通过下式(Lig)以示意形式显示：
Figure BDA0003062002280001081
其中V表示式(3)或(4)的桥连基，且L1、L2和L3在每种情况下相同或不同，且各自为二齿亚配体，优选单阴离子二齿亚配体。“二齿”是指络合物M中的特定配体通过两个配位位点与铱配位或键合。“三足”是指配体具有三个与桥连基V或式(3)或(4)的桥连基键合的亚配体。由于配体具有三个二齿亚配体，因此总体结果是六齿配体，即通过六个配位位点与铱配位或键合的配体。在本申请的上下文中，表述“二齿亚配体”是指如果不存在式(3)或(4)的桥连基，则所述单元将是二齿配体。然而，由于所述二齿配体中的氢原子的形式去除和与式(3)或(4)的桥连基的连接，因此它不是单独的配体，而是由此产生的六齿配体的一部分，并且因此使用术语“亚配体”。
因此，用所述式(Lig)的配体形成的铱络合物可通过下式示意性地表示：
Figure BDA0003062002280001091
其中V表示式(3)或(4)的桥连基，且L1、L2和L3在每种情况下相同或不同，且各自为二齿亚配体。
下文详述式(3)或(4)的桥连基的优选实施方式。式(3)的基团的合适实施方式是下式(6)至(9)的结构，并且式(4)的基团的合适实施方式是下式(10)至(14)的结构：
Figure BDA0003062002280001101
其中符号具有上文给出的定义。
对于在式(6)的三价中心苯环上、在式(8)的嘧啶环上、在式(9)的吡啶环上和在式(10)至(14)的中心(杂)脂族环上的优选R基团，以下适用：
R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，CN，具有1至10个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，其各自可被一个或多个R1基团取代，或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
R1在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，CN，具有1至10个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，其各自可被一个或多个R2基团取代，或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻的R1基团可一起形成环系；
R2在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族有机基团，其中一个或多个氢原子也可被F代替。
对于在式(6)的三价中心苯环上、在式(8)的嘧啶环上、在式(9)的吡啶环上和在式(10)至(14)的中心(杂)脂族环上的特别优选的R基团，以下适用：
R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，CN，具有1至4个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其各自可以被一个或多个R1基团取代，或具有6至12个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；
R1在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，CN，具有1至4个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其各自可被一个或多个R2基团取代，或具有6至12个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻的R1基团可一起形成环系；
R2在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F或具有1至12个碳原子的脂族或芳族烃基基团。
在本发明的一个优选的实施方式中，式(3)的基团中的所有X1基团都是CR，并且因此式(3)的中心三价环是苯。更优选地，所有X1基团都是CH。在本发明的另一个优选的实施方式中，所有X1基团都是氮原子，并且因此式(3)的中心三价环是三嗪。因此，式(3)的优选实施方式是式(6)和(7)的结构。更优选地，式(6)的结构是下式(6')的结构：
Figure BDA0003062002280001111
其中符号具有上文给出的定义。
在本发明的另一个优选的实施方式中，式(4)的基团中的所有A2基团都是CR。更优选地，所有A2基团都是CH。因此，式(4)的优选实施方式是式(10)的结构。更优选地，式(10)的结构是下式(10')或(10”)的结构：
Figure BDA0003062002280001121
其中符号具有上文给出的定义并且R优选是H。
下文描述式(5)的基团的优选实施方式。式(5)的基团可表示杂芳族五元环或芳族或杂芳族六元环。在本发明的一个优选的实施方式中，式(5)的基团在芳族或杂芳族单元中含有不超过两个杂原子，更优选不超过一个杂原子。这并不意味着与所述基团键合的任何取代基也不能含有杂原子。另外，所述定义并不意味着通过取代基形成的环不会产生稠合的芳族或杂芳族结构，例如萘、苯并咪唑等。
当式(5)中的两个X3基团都是碳原子时，式(5)的基团的优选实施方式是下式(15)至(31)的结构，并且当一个X3基团是碳原子，且在同一环中的另一个X3基团是氮原子时，式(5)的基团的优选实施方式是下式(32)至(39)的结构：
Figure BDA0003062002280001131
其中符号具有上文给出的定义。
特别优选上文描绘的式(15)至(19)的六元芳族环和杂芳族环。非常特别优选邻苯亚基，即上述式(15)的基团。
同时，相邻的R取代基也可以一起形成环系，使得可以形成稠合结构，其包括稠合芳基和杂芳基基团，例如萘、喹啉、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩。这种成环在下面以上述式(15)的基团示意性地示出，其产生下式(15a)至(15j)的基团：
Figure BDA0003062002280001141
其中符号具有上文给出的定义。
通常，稠合的基团可稠合到式(5)的单元中的任何位置，如式(15a)至(15c)中稠合的苯并基团所示。因此，在式(15d)至(15j)中稠合到式(5)的单元上的基团也可稠合到式(5)的单元中的其它位置上。
式(3)的基团可更优选地由下式(3a)至(3m)表示，并且式(4)的基团可更优选地由下式(4a)至(4m)表示：
Figure BDA0003062002280001151
Figure BDA0003062002280001161
其中符号具有上文给出的定义。优选地，X2在每种情况下相同或不同并且是CR。
在本发明的一个优选的实施方式中，式(3a)至(3m)的基团选自式(6a')至(6m')的基团，且式(4a)至(4m)的基团选自式(10a')到(10m')的基团：
Figure BDA0003062002280001171
Figure BDA0003062002280001181
Figure BDA0003062002280001191
其中符号具有上文给出的定义。优选地，X2在每种情况下相同或不同并且是CR。
式(3)的基团的一个特别优选的实施方式是下式(6a”)的基团：
Figure BDA0003062002280001192
其中符号具有上文给出的定义。
更优选地，上述式中的R基团相同或不同，并且是H、D或具有1至4个碳原子的烷基基团。最优选地，R＝H。因此非常特别优选下式(6a”')的结构：
Figure BDA0003062002280001201
其中符号具有上文给出的定义。
下面描述如可存在于上述亚配体和配体上的优选取代基，但也在式(5)的结构中的二价芳亚基或杂芳亚基上的优选取代基。
在本发明的一个优选的实施方式中，本发明的金属络合物含有两个R取代基或两个R1取代基，所述取代基与相邻的碳原子键合，并且一起形成根据下文所述的式之一的脂族环。在这种情况下，形成所述脂族环的两个R取代基可存在于式(3)或(4)或优选的实施方式的桥连基上和/或存在于一个或多个二齿配体上。通过两个R取代基一起或通过两个R1取代基一起成环而形成的脂族环优选由下式(40)至(46)之一描述：
Figure BDA0003062002280001202
其中R1和R2具有上文给出的定义，虚线键指示配体中两个碳原子的连接，并且另外：
Z1、Z3在每种情况下相同或不同并且是C(R3)2、O、S、NR3或C(＝O)；
Z2是C(R1)2、O、S、NR3或C(＝O)；
G是具有1、2或3个碳原子且可被一个或多个R2基团取代的烷亚基基团，-CR2＝CR2-或具有5至14个芳族环原子且可被一个或多个R2基团取代的邻位键合的芳亚基或杂芳亚基基团；
R3在每种情况下相同或不同，并且是H，F，具有1至10个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团，具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，其中所述烷基或烷氧基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、NR2、O、S或CONR2代替，或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至24个芳族环原子且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，与同一碳原子键合的两个R3基团可一起形成脂族或芳族环系，从而形成螺环系；另外，R3与相邻的R或R1基团可形成脂族环系；
条件是这些基团中没有两个杂原子彼此直接键合，并且没有两个C＝O基团彼此直接键合。
在本发明的一个优选的实施方式中，R3不是H。
在上文描绘的式(40)至(46)的结构和指定为优选的这些结构的其它实施方式中，在形式意义上将双键描绘在这两个碳原子之间。这是化学结构的简化，这两个碳原子并入芳族或杂芳族体系中，并且因此这两个碳原子之间的键在形式上在单键的键合水平和双键的键合水平之间。因此，不应将形式双键的绘图解释为限制所述结构；相反，本领域的技术人员将清楚的是，这是芳族键。
当本发明结构中的相邻基团形成脂族环系时，优选后者不具有任何酸性苄基质子。苄基质子应理解为是指与直接键合到配体的碳原子键合的质子。这可借助于脂族环系中的碳原子实现，所述碳原子直接键合到完全取代且不含任何键合的氢原子的芳基或杂芳基基团。因此，式(40)至(42)中不存在酸性苄基质子是借助于Z1和Z3实现，当它们是C(R3)2时，定义为使得R3不是氢。这另外还可借助于脂族环系中的碳原子实现，所述碳原子直接键合到作为双环或多环结构中的桥头的芳基或杂芳基基团。由于双环或多环的空间结构，与桥头碳原子键合的质子的酸性明显低于未在双环或多环结构内键合的碳原子上的苄基质子，并且在本发明的上下文中被视为非酸性质子。因此，式(43)至(46)中酸性苄基质子的不存在是借助于其为双环结构而实现，因此，当R1为H时，其酸性比苄基质子低得多，因为双环结构的相应阴离子不是内消旋稳定的。即使式(43)至(46)中的R1为H，因此在本申请的上下文中，这也是非酸性质子。
在式(40)至(46)的结构的一个优选的实施方式中，Z1、Z2和Z3基团中不多于一个是杂原子，尤其是O或NR3，并且其它基团是C(R3)2或C(R1)2，或者Z1和Z3在每种情况下相同或不同，并且是O或NR3且Z2为C(R1)2。在本发明的一个特别优选的实施方式中，Z1和Z3在每种情况下相同或不同，并且是C(R3)2，且Z2是C(R1)2并且更优选是C(R3)2或CH2。
因此，式(40)的优选实施方式是式(40-A)、(40-B)、(40-C)和(40-D)的结构，并且式(40-A)的一个特别优选的实施方式是式(40-E)和(40-F)的结构：
Figure BDA0003062002280001221
其中R1和R3具有上文给出的定义，并且Z1、Z2和Z3在每种情况下相同或不同，并且是O或NR3。
式(41)的优选实施方式是下式(41-A)至(41-F)的结构：
Figure BDA0003062002280001231
其中R1和R3具有上文给出的定义，并且Z1、Z2和Z3在每种情况下相同或不同，并且是O或NR3。
式(42)的优选实施方式是下式(42-A)至(42-E)的结构：
Figure BDA0003062002280001232
其中R1和R3具有上文给出的定义，并且Z1、Z2和Z3在每种情况下相同或不同，并且是O或NR3。
在式(43)的结构的一个优选的实施方式中，键合到桥头的R1基团是H、D、F或CH3。进一步优选地，Z2是C(R1)2或O，并且更优选是C(R3)2。因此，式(43)的优选实施方式是式(43-A)和(43-B)的结构，并且式(43-A)的一个特别优选的实施方式是式(43-C)的结构：
Figure BDA0003062002280001241
其中使用的符号具有上文给出的定义。
在式(44)、(45)和(46)的结构的一个优选的实施方式中，键合到桥头的R1基团是H、D、F或CH3。进一步优选地，Z2是C(R1)2。因此，式(44)、(45)和(46)的优选实施方式是式(44-A)、(45-A)和(46-A)的结构：
Figure BDA0003062002280001242
其中使用的符号具有上文给出的定义。
进一步优选地，式(43)、(43-A)、(43-B)、(43-C)、(44)、(44-A)、(45)、(45-A)、(46)和(46-A)中的G基团是1,2-乙亚基，其可被一个或多个R2基团取代，其中R2在每种情况下优选相同或不同，并且是H，或具有1至4个碳原子的烷基基团，或具有6至10个碳原子且可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代的邻芳亚基基团，尤其是可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代的邻苯亚基基团。
在本发明的另一个优选的实施方式中，式(40)至(46)的基团和优选实施方式中的R3在每种情况下相同或不同，并且是F，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中一个或多个不相邻的CH2基团在每种情况下可被R2C＝CR2代替并且一个或多个氢原子可被D或F代替，或具有5至14个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子键合的两个R3基团可一起形成脂族或芳族环系且因此形成螺环系；另外，R3可与相邻的R或R1基团形成脂族环系。
在本发明的一个特别优选的实施方式中，式(40)至(46)的基团和优选实施方式中的R3在每种情况下相同或不同，并且是F，具有1至3个碳原子的直链烷基基团，尤其是甲基，或具有5至12个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子键合的两个R3基团可一起形成脂族或芳族环系且因此形成螺环系；另外，R3可与相邻的R或R1基团形成脂族环系。
特别合适的式(40)的基团的实例是下面描绘的基团：
Figure BDA0003062002280001251
Figure BDA0003062002280001261
特别合适的式(41)的基团的实例是下面描绘的基团：
Figure BDA0003062002280001271
特别合适的式(42)、(45)和(46)的基团的实例是下面描绘的基团：
Figure BDA0003062002280001272
特别合适的式(43)的基团的实例是下面描绘的基团：
Figure BDA0003062002280001273
特别合适的式(44)的基团的实例是下面描绘的基团：
Figure BDA0003062002280001281
当R基团键合在式(2)、(2a)、(2-1)和/或(2a-1)的亚结构内、或在二齿亚配体或配体内、或在键合在式(3)或(4)或优选实施方式内的式(5)的二价芳亚基或杂芳亚基基团内时，这些R基团在每种情况下相同或不同，且优选选自H，D，F，Br，I，N(R1)2，CN，Si(R1)3，B(OR1)2，C(＝O)R1，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基或烯基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，或具有5至30个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个相邻的R基团一起或R与R1一起也可形成环系。更优选地，这些R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，N(R1)2，具有1至6个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中一个或多个氢原子可被D或F代替，或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个相邻的R基团一起或R与R1一起也可形成单环或多环环系。
本发明的合适化合物的实例是下文所示的下式(I-1)至(I-14)的结构：
Figure BDA0003062002280001282
Figure BDA0003062002280001291
Figure BDA0003062002280001301
Figure BDA0003062002280001311
Figure BDA0003062002280001321
Figure BDA0003062002280001331
Figure BDA0003062002280001341
Figure BDA0003062002280001351
Figure BDA0003062002280001361
Figure BDA0003062002280001371
Figure BDA0003062002280001381
在实施例中详细列举了本发明的化合物的优选实施方式，出于本发明的所有目的，这些化合物可单独使用或与其它化合物组合使用。
只要符合权利要求1中指定的条件，上述优选的实施方式可根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选的实施方式同时适用。
本发明的化合物原则上可通过多种方法制备。然而，已经发现下文所述的方法是特别合适的。
因此，本发明还提供一种制备本发明的化合物，优选包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物，和/或包含至少一个式(2)、(2a)、(2-1)、(2a-1)的亚结构的金属络合物的方法，其中在偶联反应中使包含式(I)、(Ia)、(II)和/或(IIa)的结构的化合物与包含至少一个芳族或杂芳族基团的化合物键合。
包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)和/或(IIa)的结构的合适化合物在许多情况下是可商购获得的，其中实施例中详述的起始化合物可通过已知方法获得，并且因此对其进行参考。
可使这些化合物与包含至少一个芳族或杂芳族基团的其它化合物通过已知偶联反应进行反应，本领域技术人员已知的用于此目的的必要条件以及实施例中的详细说明帮助本领域技术人员实施这些反应。
所有导致C-C键形成和/或C-N键形成的特别合适且优选的偶联反应是根据BUCHWALD、SUZUKI、YAMAMOTO、STILLE、HECK、NEGISHI、SONOGASHIRA和HIYAMA的那些。这些反应是广泛已知的，并且这些实施例将为本领域技术人员提供进一步的指示。
在下面的所有合成方案中，显示化合物具有少量的取代基以简化结构。这并不排除在所述方法中存在任何所需的其它取代基。
上文详述的制备方法的原理在原则上从类似化合物的文献中已知，并且本领域技术人员可容易地调整用于本发明的化合物的制备。更多信息可在实施例中找到。
通过这些方法，如果需要，然后进行纯化如重结晶或升华，可以高纯度，优选大于99％(通过1H NMR和/或HPLC测定)获得包含式(I)的结构的本发明的化合物。
本发明的化合物还可具有合适的取代基，例如相对长的烷基基团(约4至20个碳原子)，尤其是支链烷基基团，或任选取代的芳基基团，例如二甲苯基、三甲苯基或支链三联苯基或四联苯基基团，它们引起在标准有机溶剂中的溶解性，使得化合物在室温下可溶于甲苯或二甲苯中，例如使得其浓度足以能够从溶液中加工化合物。这些可溶性化合物特别适用于从溶液中例如通过印刷方法加工。还应强调的是，包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元，式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的本发明的化合物和/或包含至少一个式(2)、(2a)、(2-1)和/或(2a-1)的亚结构的本发明的金属络合物在这些溶剂中已经具有提高的溶解性。
另外，本发明的化合物可含有一个或多个可交联基团。“可交联基团”是指能够不可逆地反应的官能团。这形成了不可溶的交联材料。交联通常可通过加热或通过UV辐射、微波辐射、x-辐射或电子束来促进。在这种情况下，在交联中几乎没有副产物形成。另外，可存在于功能化合物中的可交联基团非常容易交联，使得交联需要相对少量的能量(例如在热交联的情况下＜200℃)。
可交联基团的实例是含有双键、三键、能够原位形成双键或三键的前体、或杂环可加成聚合的基团的单元。可交联基团包括乙烯基，烯基，优选乙烯基和丙烯基，C4-20-环烯基，叠氮化物，环氧乙烷，氧杂环丁烷，二(烃基)氨基，氰酸酯，羟基，缩水甘油醚，丙烯酸C1-10-烷基酯，甲基丙烯酸C1-10-烷基酯，烯氧基，优选乙烯氧基，全氟烯氧基，优选全氟乙烯氧基，炔基，优选乙炔基，马来酰亚胺，环丁基苯基，三(C1-4)-烷基甲硅烷氧基和三(C1-4)-烷基甲硅烷基。特别优选环丁基苯基、乙烯基和烯基。
本发明的化合物也可与聚合物混合。同样可以将这些化合物共价并入聚合物中。这对于被反应性离去基团如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯，或被反应性可聚合基团如烯烃或氧杂环丁烷取代的化合物特别可行。这些可用作用于制造相应的低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。低聚或聚合优选通过卤素官能团或硼酸官能团或通过可聚合基团实现。另外，可以通过这种类型的基团使聚合物交联。本发明的化合物和聚合物可以交联或未交联层的形式使用。
因此，本发明还提供含有上文详述的式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构或本发明的化合物或金属络合物中的一种或多种的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中存在从本发明的化合物或金属络合物或式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构至聚合物、低聚物或树枝状大分子的一个或多个键。根据式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构或化合物或金属络合物的连接，这些因此形成低聚物或聚合物的侧链或键合在主链内。聚合物、低聚物或树枝状大分子可以是共轭的、部分共轭的或非共轭的。所述低聚物或聚合物可以是线性的、分支的或树枝状的。对于本发明的化合物在低聚物、树枝状大分子和聚合物中的重复单元，如上所述的优选项同样适用。
为了制备低聚物或聚合物，使本发明的单体均聚或与其它单体共聚。优选的是以下共聚物，其中具有式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元的单元或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的单元或上文和下文列举的优选实施方式以0.01摩尔％至99.9摩尔％、优选5摩尔％至90摩尔％、更优选20摩尔％至80摩尔％的范围存在。形成聚合物基本骨架的合适且优选的共聚单体选自芴(例如，根据EP 842208或WO 2000/022026)、螺二芴(例如，根据EP707020、EP 894107或WO 2006/061181)、对苯亚基(例如，根据WO 92/18552)、咔唑(例如，根据WO 2004/070772或WO 2004/113468)、噻吩(例如，根据EP 1028136)、二氢菲(例如，根据WO 2005/014689)、顺-和反-茚并芴(例如，根据WO 2004/041901或WO 2004/113412)、酮(例如，根据WO 2005/040302)、菲(例如，根据WO 2005/104264或WO 2007/017066)或者这些单元中的多个。聚合物、低聚物和树枝状大分子还可含有其它单元，例如空穴传输单元，尤其是基于三芳基胺的那些，和/或电子传输单元。
另外特别要关注的是以高玻璃化转变温度为特征的本发明的化合物。在这方面，特别优选的是可用于制造电子器件的功能层的本发明的化合物，优选包含至少一种式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元，式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物，和/或包含至少一种式(2)、(2a)、(2-1)和(2-1a)的亚结构的金属络合物，或上文和下文列举的优选实施方式，具有DIN 51005(2005-08版)测定的至少70℃、更优选至少110℃、甚至更优选至少125℃且尤其优选至少150℃的玻璃化转变温度。
为了从液相中例如通过旋涂或印刷方法加工本发明的化合物，需要本发明的化合物的制剂。这些制剂可以是例如溶液、分散体或乳液。为此目的，可优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂例如是甲苯，苯甲醚，邻-、间-或对-二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲苯，四氢化萘，藜芦醚，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二
Figure BDA0003062002280001421
烷，苯氧基甲苯、尤其是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，苯甲酸甲酯，NMP，对伞花烃，苯***，1,4-二异丙基苯，二苄基醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇单丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-异丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，六甲基茚满，或这些溶剂的混合物。
因此，本发明还提供一种包含本发明的化合物和至少一种其它化合物的制剂。所述其它化合物可以是例如溶剂，尤其是上述溶剂中的一种或这些溶剂的混合物。替代地，其它化合物可以是至少一种同样在电子器件中使用的其它有机或无机化合物，例如发光化合物，例如荧光掺杂剂、磷光掺杂剂或表现出TADF(热活化延迟荧光)的化合物，特别是磷光掺杂剂和/或其它基质材料。所述其它化合物也可以是聚合的。关于本发明的金属络合物，应强调这些当然也是本发明的化合物。
因此，本发明还还提供一种包含本发明的化合物和至少一种其它有机功能材料的组合物。功能材料通常是在阳极和阴极之间引入的有机或无机材料。优选地，有机功能材料选自荧光发光体、磷光发光体、表现出TADF(热活化延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、宽带隙材料和n型掺杂剂。
因此，本发明还涉及一种组合物，其包含至少一种本发明的化合物，优选地包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元，式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物，和/或包含至少一个式(2)、(2a)、(2-1)和(2a-1)的亚结构的金属络合物或上文和下文列举的优选实施方式，以及至少一种其它基质材料。根据本发明的一个特定方面，所述其它基质材料具有空穴传输性质。
本发明还提供一种组合物，其包含至少一种本发明的化合物，优选地包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元，式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物，和/或包含至少一个式(2)、(2a)、(2-1)和(2a-1)的亚结构的金属络合物或上文和下文列举的优选实施方式，和至少一种宽带隙材料，宽带隙材料应理解为是指US 7,294,849的公开内容的意义上的材料。这些体系在电致发光器件中表现出异常有利的性能数据。
优选地，所述另外化合物可具有2.5eV或更大、优选3.0eV或更大，非常优选3.5eV或更大的带隙。一种计算带隙的方法是通过最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)的能级进行。
材料的分子轨道，尤其还是最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)，其能级以及最低三重态T1的能量和最低激发单重态S1的能量是通过量子-化学计算来确定。对于没有金属的有机物质的计算，首先通过“基态/半经验/默认自旋/AM1/电荷0/自旋单重态”法进行几何结构的优化。随后，在优化的几何结构的基础上进行能量计算。这使用“TD-SCF/DFT/默认自旋/B3PW91”法和“6-31G(d)”基组(电荷0，自旋单重态)进行。对于含金属的化合物，通过“基态/哈特利-福克/默认自旋/LanL2MB/电荷0/自旋单重态”法优化几何结构。类似于对于有机物质的上述方法来进行能量计算，不同之处在于对于金属原子使用“LanL2DZ”基组，而对于配体使用“6-31G(d)”基组。HOMO能级HEh或LUMO能级LEh由能量计算获得，以哈特利为单位。这用于如下确定通过循环伏安法测量校准的以电子伏特计的HOMO能级和LUMO能级：
HOMO(eV)＝((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV)＝((LEh*27.212)-2.0041)/1.385
在本申请的上下文中，这些值将被视为材料的HOMO能级和LUMO能级。
最低三重态T1被定义为具有由所述的量子-化学计算产生的最低能量的三重态的能量。
最低激发单重态S1被定义为具有由所述的量子-化学计算产生的最低能量的激发单重态的能量。
本文所述的方法与所用的软件包无关，并且始终给出相同的结果。为此目的而常用的程序的实例是“Gaussian09W”(高斯有限公司(Gaussian Inc.))和Q-Chem 4.1(Q-Chem公司)。
本发明还涉及一种组合物，其包含至少一种包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物，和/或包含至少一个式(2)、(2a)、(2-1)和(2a-1)的亚结构的金属络合物或上文和下文列举的优选实施方式，和至少一种磷光发光体，术语“磷光发光体”也应理解为是指磷光掺杂剂。
包含基质材料和掺杂剂的体系中的掺杂剂被理解为是指混合物中比例较小的组分。相应地，包含基质材料和掺杂剂的体系中的基质材料被理解为是指混合物中比例较大的组分。
用于基质体系，优选混合基质体系中的优选的磷光掺杂剂是下文指定的优选的磷光掺杂剂。
术语“磷光掺杂剂”通常涵盖以下化合物，其中光发射是通过自旋禁止跃迁，例如从激发三重态或具有更高自旋量子数的态如五重态跃迁来实现。
合适的磷光化合物(＝三重态发光体)尤其是如下化合物，其在被合适地激发时发射优选在可见光区的光，并且还含有至少一种原子序数大于20，优选大于38且小于84，更优选大于56且小于80的原子，尤其是具有所述原子序数的金属。使用的优选磷光发光体是含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，尤其是含有铱或铂的化合物。在本发明的上下文中，所有包含上述金属的发光化合物都被视为磷光化合物。
上述发光体的实例可在申请WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO2014/094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO2016/015815、WO 2016/124304、WO 2016124304、WO 2017032439、WO 2018019687、WO2018019688、WO 2018041769、WO 2018054798、WO 2018069196、WO 2018069197、WO2018069273中找到。通常，如根据现有技术用于磷光OLED并且如有机电致发光领域的技术人员已知的所有磷光络合物都是合适的，并且本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下使用其它磷光络合物。
下表列出了磷光掺杂剂的具体实例：
Figure BDA0003062002280001461
Figure BDA0003062002280001471
Figure BDA0003062002280001481
Figure BDA0003062002280001491
Figure BDA0003062002280001501
Figure BDA0003062002280001511
Figure BDA0003062002280001521
上述包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元，式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物和/或包含至少一个式(2)、(2a)、(2-1)和(2a-1)的亚结构的金属络合物或上述优选实施方式可优选用作电子器件中的活性组分。电子器件应理解为是指包括阳极、阴极和在阳极与阴极之间的至少一层的任何器件，所述层包含至少一种有机或有机金属化合物。因此，本发明的电子器件包括阳极、阴极和至少一个包含至少一种包含式(I)的结构的化合物的中间层。优选的电子器件在此选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、有机电学传感器、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-激光器)和有机等离子体发光器件(D.M.Koller等，Nature Photonics 2008,1-4)，优选有机电致发光器件(OLED、PLED)，尤其是磷光OLED，其在至少一个层中含有至少一种包含式(I)和/或(Ia)的结构的化合物。特别优选有机电致发光器件。活性组分通常是引入阳极和阴极之间的有机或无机材料，例如电荷注入、电荷传输或电荷阻挡材料，但尤其是发光体和基质材料。
本发明的一个优选实施方式是有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层之外，其还可包括其它层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。同时，一个或多个空穴传输层可以是p型掺杂的，例如用金属氧化物如MoO3或WO3或用(全)氟化缺电子芳族体系p型掺杂，和/或一个或多个电子传输层是n型掺杂的。同样中间层可以引入两个发光层之间，这些中间层具有例如激子阻挡功能和/或控制电致发光器件中的电荷平衡。然而，应该指出，这些层中的每一个不必都存在。
在这种情况下，有机电致发光器件可以包括一个发光层，或者包括多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选具有总共多个380nm至750nm的发光最大值，使得总体结果是白色发光；换句话说，在发光层中使用可发荧光或磷光的多种发光化合物。尤其优选三层体系，其中这三个层表现出蓝色、绿色和橙色或红色发光(对于基本构造，参见例如WO 2005/011013)，或具有多于三个发光层的体系。还进一步优选串联OLED。所述体系还可以是混合体系，其中一个或多个层发荧光并且一个或多个其它层发磷光。
在本发明的一个优选的实施方式中，有机电致发光器件在一个或多个发光层中含有优选与其它基质材料、优选空穴传导基质材料组合的本发明的化合物，优选包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元和/或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物或上文详述的优选实施方式，作为基质材料，优选作为电子传导基质材料。在本发明的另一优选的实施方式中，所述其它基质材料是电子传输化合物。在又一个优选的实施方式中，所述其它基质材料是具有大带隙的化合物，其即使参与也未在显著程度上参与层中的空穴和电子传输。发光层包含至少一种发光化合物。
在本发明的另一特别优选的实施方式中，本发明的有机电致发光器件在空穴导体层或电子导体层中包含本发明的化合物，优选包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元和/或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物，或上文详述的优选实施方式。
可与包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元和/或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构，或根据优选实施方式的化合物组合使用的合适基质材料是芳族酮、芳族氧化膦或芳族亚砜或砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的，三芳基胺，尤其是单胺，例如根据WO 2014/015935的，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP1205527或WO 2008/086851中公开的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的，茚并咔唑衍生物，例如根据WO 2010/136109和WO 2011/000455的，氮杂咔唑衍生物，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的，双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725的，硅烷，例如根据WO 2005/111172的，硼氮杂环戊熳或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052的，三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的，锌络合物，例如根据EP 652273或WO 2009/062578的，硅二氮杂环戊熳或硅四氮杂环戊熳衍生物，根据WO 2010/054729的，磷二氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054730的，桥联的咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877或WO 2012/143080，联三苯叉衍生物，例如根据WO 2012/048781的，内酰胺，例如根据WO 2011/116865、WO 2011/137951或WO2013/064206的，4-螺咔唑衍生物，例如根据WO 2014/094963或WO 2015/192939的，或二苯并呋喃衍生物，例如根据WO 2015/169412、WO 2016/015810、WO 2016/023608的，或尚未公开的申请EP16158460.2和EP16159829.7的。以比实际发光体短的波长发光的其它磷光发光体同样可以作为混合物中的共主体存在。
优选的共主体材料是三芳基胺衍生物，尤其是单胺、茚并咔唑衍生物、4-螺咔唑衍生物、内酰胺和咔唑衍生物。
还可优选使用作为混合物的多种不同的基质材料，尤其是至少一种电子传导基质材料和至少一种空穴传导基质材料。同样优选的是使用电荷传输基质材料和电惰性基质材料的混合物，所述电惰性基质材料即使参与也未显著参与电荷传输，如在例如WO 2010/108579中所述的。
另外优选的是使用两种或更多种三重态发光体以及基质的混合物。在这种情况下，具有较短波发光光谱的三重态发光体起到具有较长波发光光谱的三重态发光体的共基质的作用。
更优选地，在一个优选的实施方式中，包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元和/或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的本发明的化合物可用作有机电子器件的发光层中的基质材料，尤其是有机电致发光器件中的基质材料，例如OLED或OLEC中的基质材料。在这种情况下，含有包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元和/或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物或上文和下文列举的优选实施方式的基质材料与一种或多种掺杂剂，优选磷光掺杂剂组合存在于电子器件中。
在这种情况下，发光层中基质材料的比例，对于荧光发光层为50.0体积％至99.9体积％，优选为80.0体积％至99.5体积％且更优选为92.0体积％至99.5体积％，且对于磷光发光层，为85.0体积％至97.0体积％。
相应地，掺杂剂的比例，对于荧光发光层为0.1体积％至50.0体积％，优选为0.5体积％至20.0体积％且更优选为0.5体积％至8.0体积％，且对于磷光发光层，为3.0体积％至15.0体积％。
有机电致发光器件的发光层还可包括包含多种基质材料(混合基质体系)和/或多种掺杂剂的体系。同样在这种情况下，掺杂剂通常是在体系中比例较小的那些材料，并且基质材料是在体系中比例较大的那些材料。然而，在个别情况下，体系中单种基质材料的比例可小于单种掺杂剂的比例。
在本发明的另一优选实施方式中，包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元和/或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物，或上文和下文列举的优选实施方式用作混合基质体系的组分。混合基质体系优选包含两种或三种不同的基质材料，更优选两种不同的基质材料。优选地，在这种情况下，这两种材料中的一种是具有空穴传输性质的材料，并且另一种材料是具有电子传输性质的材料。然而，混合基质组分的所需电子传输和空穴传输性质也可主要或完全组合在单个混合基质组分中，在这种情况下，一种或多种其它混合基质组分履行其它功能。在此，所述两种不同的基质材料可以1:50至1:1、优选1:20至1:1、更优选1:10至1:1且最优选1:4至1:1的比率存在。优选在磷光有机电致发光器件中使用混合基质体系。关于混合基质体系的更详细信息的一个来源是申请WO 2010/108579。
本发明还提供一种电子器件，优选有机电致发光器件，其在一个或多个电子传导层中包含一种或多种本发明的化合物和/或至少一种本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子作为电子传导化合物。
优选的阴极是具有低逸出功的金属、由多种金属如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)组成的金属合金或多层结构。另外合适的是由碱金属或碱土金属和银组成的合金，例如由镁和银组成的合金。在多层结构的情况下，除了所述金属之外，还可以使用具有相对高逸出功的其它金属，例如Ag，在这种情况下，例如，通常使用金属的组合，例如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。还可优选在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。用于此目的的有用材料的实例是碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如，LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等)。同样可用于此目的的是有机碱金属络合物，例如，Liq(喹啉锂)。所述层的层厚度优选在0.5nm与5nm之间。
优选的阳极是具有高逸出功的材料。优选地，阳极具有相对于真空大于4.5eV的逸出功。首先，具有高氧化还原电位的金属适合此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金属/金属氧化物电极(例如，Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)也可以是优选的。对于一些应用，至少一个电极必须是透明的或部分透明的，以便能够照射有机材料(O-SC)或发光(OLED/PLED、O-LASER)。优选的阳极材料在此是导电的混合金属氧化物。特别优选氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)。还优选导电掺杂的有机材料，尤其是导电掺杂的聚合物，例如PEDOT、PANI或这些聚合物的衍生物。还优选将p型掺杂的空穴传输材料作为空穴注入层施用到阳极上，在这种情况下，合适的p型掺杂剂是金属氧化物，例如MoO3或WO3，或(全)氟化缺电子芳族体系。其它合适的p型掺杂剂是HAT-CN(六氰基六氮杂联三苯叉)或来自诺瓦尔德的化合物NPD9。这样的层简化向具有低HOMO(即在大小方面的大HOMO)的材料中的空穴注入。
在其它层中，通常可以使用如根据现有技术用于层的任何材料，并且本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下将这些材料中的任何一种与本发明的材料组合在电子器件中。
所述器件相应地(根据应用)构造，设置接触连接并最终气密密封，因为这样的器件的寿命在存在水和/或空气的情况下严重缩短。
另外优选一种电子器件，尤其是有机电致发光器件，其特征在于通过升华工序涂覆一层或多层。在这种情况下，材料在真空升华***中在通常小于10-5毫巴，优选小于10-6毫巴的初始压力下通过气相沉积施用。初始压力也可以甚至更低或甚至更高，例如小于10-7毫巴。
同样优选一种电子器件，尤其是有机电致发光器件，其特征在于一层或多层是通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华涂覆。在这种情况下，材料是在10-5毫巴和1巴之间的压力下施用。所述方法的一个特例是OVJP(有机蒸气喷射印刷)方法，其中材料直接通过喷嘴施用并因此被构造(例如M.S.Arnold等，Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)2008,92,053301)。
另外优选一种电子器件，尤其是有机电致发光器件，其特征在于，一层或多层是从溶液中例如通过旋涂，或通过任何印刷方法如丝网印刷、柔版印刷、胶版印刷或喷嘴印刷，但是更优选LITI(光诱导热成像、热转移印刷)或喷墨印刷制造。为此目的，需要可溶性化合物，其例如通过合适的取代获得。
电子器件，尤其是有机电致发光器件也可通过从溶液中施用一层或多层并通过气相沉积施用一个或多个其它层而制造为混合体系。例如，可以从溶液中施用包含本发明的化合物或金属络合物和基质材料的发光层，所述化合物包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元和/或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构，所述金属络合物包含式(2)、(2a)、(2-1)和/或(2a-1)的结构，并且可以通过在减压下气相沉积向所述发光层施用空穴阻挡层和/或电子传输层。
本领域的技术人员通常知道这些方法，并且能够将它们毫无困难地应用到电子器件，尤其是有机电致发光器件，所述电子器件包含含有至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元和/或式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的本发明的化合物或包含式(2)、(2a)、(2-1)和/或(2a-1)的结构的金属络合物或上文详述的优选实施方式。
与现有技术相比，本发明的电子器件，尤其是有机电致发光器件具有以下令人惊奇的优点中的一个或多个：
1.电子器件，尤其是有机电致发光器件具有非常好的寿命，所述电子器件包含可用作有机电子器件中的活性化合物的本发明的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子或上文和下文列举的优选实施方式尤其是作为发光体、电子传导材料和/或空穴导体材料或作为基质材料。
2.电子器件，尤其是有机电致发光器件具有优异的效率，所述电子器件包含可用作有机电子器件中的活性化合物的本发明的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子或上文和下文列举的优选实施方式尤其是作为发光体、电子传输材料、空穴导体材料和/或作为主体材料。更特别地，与不含瞬烯结构的类似化合物相比，效率要高得多。在这种情况下，当用于电子器件中时，可用作有机电子器件中的活性化合物的本发明的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子或上文和下文列举的优选实施方式的作用是低工作电压。在这种情况下，这些化合物尤其引起低的滚降，即在高亮度下器件的功率效率小幅下降。
3.电子器件，尤其是有机电致发光器件具有优异的色纯度，所述电子器件包含可用作有机电子器件中的活性化合物的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子或上文和下文列举的优选实施方式作为发光体、电子传输材料、空穴导体材料和/或作为主体材料。
4.可用作有机电子器件中的活性化合物的本发明的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子或上文和下文列举的优选实施方式表现出非常高的热和光化学稳定性，并导致化合物具有非常久的寿命。
5.使用可用作有机电子器件中的活性化合物的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子或上文和下文列举的优选实施方式，可以避免在电子器件，尤其是有机电致发光器件中形成光损耗通道。结果是，这些器件的特征在于发光体的高PL效率，且因此高EL效率，以及基质到掺杂剂的优异的能量传输。
6.可用作有机电子器件中的活性化合物的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子或上文和下文列举的优选实施方式具有优异的玻璃膜形成。
7.可用作有机电子器件中的活性化合物的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子或上文和下文列举的优选实施方式，由溶液形成非常好的膜。
这些上述优势不会伴随着其它电子性质的损害。
本发明的化合物或混合物适用于电子器件。电子器件在此应理解为是指包括至少一个含有至少一种有机化合物的层的器件。然而，所述组件还可包含无机材料或者完全由无机材料形成的层。
因此，本发明还提供本发明的化合物或混合物在电子器件中，尤其是在有机电致发光器件中的用途。
本发明还还提供本发明的化合物和/或本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子在电子器件中的用途，其作为磷光发光体、荧光发光体、表现出TADF(热活化延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料和/或宽带隙材料，优选作为发光体、主体材料、空穴导体材料和/或电子传输材料。
本发明还进一步提供一种包含本发明的上文详述的化合物或混合物中的至少一种的电子器件。在这种情况下，上文对于所述化合物详述的优选项也适于电子器件。更优选地，电子器件选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、有机电学传感器、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-激光器)和有机等离子体发光器件(D.M.Koller等，NaturePhotonics 2008,1～4)，优选有机电致发光器件(OLED、PLED)，尤其是磷光OLED。
在本发明的另一个实施方式中，本发明的有机电致发光器件不包括任何单独的空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴阻挡层和/或电子传输层，意味着发光层与空穴注入层或阳极直接邻接，和/或发光层与电子传输层或电子注入层或阴极直接邻接，如在例如WO2005/053051中所述的。另外，可以使用与发光层中的金属络合物相同或类似的金属络合物作为与发光层直接邻接的空穴传输或空穴注入材料，如在例如WO 2009/030981中所述的。
在本发明的有机电致发光器件的其它层中，可以使用如根据现有技术通常使用的所有材料。因此，本领域技术人员在不付出创造性劳动的情况下将能够将有机电致发光器件的所有已知材料与可用于制造电子器件的功能层的本发明的化合物，优选包含至少一个式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)的结构单元，式(IIIa)至(IIIh)、(IVa)至(IVh)的结构的化合物，和/或包含式(2)、(2a)、(2-1)和/或(2a-1)的结构的金属络合物，或根据优选的实施方式组合使用。
本发明的化合物在用于有机电致发光器件中时通常具有非常好的性质。尤其是在将本发明的化合物用于有机电致发光器件中的情况下，与根据现有技术的类似化合物相比，其寿命显著更长。同时，有机电致发光器件的其它性质，尤其是效率和电压，同样更优或至少相当。
应该指出，本发明中描述的实施方式的变化由本发明的范围涵盖。除非明确排除，否则本发明中公开的每个特征都可被提供相同、等效或类似目的的替代特征替换。因此，除非另有说明，否则本发明中公开的任何特征都应被视为通用系列的实例或等效或类似的特征。
本发明的所有特征可以任何方式彼此组合，除非特定的特征和/或步骤是相互排斥的。这尤其适用于本发明的优选特征。同样地，非必要组合的特征可单独地使用(而不是组合使用)。
还应当指出，许多特征，且尤其是本发明的优选实施方式的那些特征，本身应被视为创造性的，而不应被视为仅仅是本发明的实施方式中的一些。对于这些特征，除了任何当前要求保护的发明之外或作为当前要求保护的发明的替代，可寻求独立的保护。
可对关于本发明公开的技术教导进行提炼并与其它实施例组合。
通过以下实施例更详细地说明本发明，但并非意图限制本发明。
本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用所给出的细节来制造本发明的其它电子器件，从而在要求保护的整个范围内实施本发明。
实施例
除非另有说明，否则下面的合成是在保护气氛下在干燥的溶剂中进行。另外在排除光的情况下或在黄光下处理金属络合物。溶剂和试剂可购自例如西格玛-奥德里奇公司(Sigma-ALDRICH)或ABCR。方括号中的相应数字或个别化合物的引用数字与文献中已知的化合物的CAS编号有关。在可显示多种价态异构或互变异构形式的化合物的情况下，代表性地显示一种价态异构或互变异构形式。
1)合成子S的合成：
实施例S1：
Figure BDA0003062002280001621
向100ml正庚烷中添加330mg(0.5mmol)的双[(1,2,5,6-η)-1,5-环辛二烯]二-μ-甲氧基二铱(I)[12148-71-9]，然后添加268mg(1mmol)的4,4'-二叔丁基-[2,2']联吡啶[72914-19-3]，然后再添加508mg(2mmol)双(频哪醇)乙硼烷，且将混合物在室温下搅拌15分钟。随后，添加5.08g(20mmol)的双(频哪醇)乙硼烷[73183-34-3]，然后添加3.61g(20mmol)的1,1a,4,8b-四氢-1,4-乙烯亚基苯并[a]-环丙烷[c]环庚烯[50653-71-9]，且将混合物加热到80℃，保持12小时。冷却后，向反应混合物中添加50ml乙酸乙酯，将其通过硅胶床过滤，且在减压下将滤液完全浓缩。对粗产物进行快速色谱分离(Combi-FlashTorrent，来自A.Semru)。产率：2.2g(7mmol)，35％；纯度：根据1H NMR，约95％。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003062002280001631
实施例S2：
Figure BDA0003062002280001632
在搅拌的同时，将2.37g(100mmol)的2,5-二溴吡啶[624-28-2]、3.06g(10mmol)的S1、2.76g(20mmol)碳酸钾、10g玻璃珠(直径3mm)、52.6mg(0.2mmol)三苯基膦、22.5mg(0.1mmol)乙酸钯(II)、30ml乙腈和15ml甲醇的混合物加热到60℃，保持16小时。冷却后，在减压下大量去除溶剂，且将残留物溶于100ml乙酸乙酯中，用每次30ml的3重量％的乙酰半胱氨酸水溶液洗涤三次，用每次30ml水洗涤三次，且用30ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且用硫酸镁干燥。滤出干燥剂，将滤液浓缩至干，且将固体从乙腈中重结晶。产率：2.12g(6.3mmol)，63％；纯度：根据1H NMR，约95％。
实施例S3：
Figure BDA0003062002280001641
在充分搅拌下，向3.36g(10mmol)的S2、2.80g(11mmol)双(频哪醇)乙硼烷、2.94g(30mmol)乙酸钾(无水)、10g玻璃珠(直径3mm)和50ml的THF的混合物中添加56.1mg(0.2mmol)三环己基膦，然后添加22.5mg(0.11mmol)乙酸钯(II)，且将混合物在温和回流下加热16小时。冷却后，通过抽滤以THF浆液形式通过硅藻土床以去除盐和玻璃珠，将其用少量THF洗涤，并且将滤液浓缩至干。将残留物溶于50ml乙酸乙酯中，用每次30ml的3重量％乙酰半胱氨酸水溶液洗涤三次，用每次30ml水洗涤三次，且用30ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且用硫酸镁干燥。滤出干燥剂，将滤液浓缩至干，将固体与20ml温热的甲醇一起搅拌，并且抽滤出结晶产物，用每次5ml甲醇洗涤两次，并且减压干燥。产率：2.49g(6.5mmol)，65％；纯度：根据1H NMR，约95％。
实施例S4：
Figure BDA0003062002280001642
在充分搅拌下，向3.83g(10mmol)的S3、2.83g(10mmol)的1-溴-2-碘苯[583-55-1]、3.18g(30mmol)碳酸钠、25ml甲苯、10ml乙醇和25ml水的混合物中添加78.8mg(0.3mmol)的三苯基膦，然后添加22.5mg(0.1mmol)乙酸钯(II)，并且将混合物加热到75℃，保持48小时。冷却后，分离出有机相，用每次30ml 3重量％的乙酰半胱氨酸水溶液洗涤三次，用每次30ml水洗涤三次，且用30ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且用硫酸镁干燥。滤出干燥剂，且在减压下将滤液充分浓缩。对残留物进行快速色谱分离(Combi-Flash Torrent，得自A.Semrau)。产率：1.65g(4mmol)，40％；纯度：根据1H NMR，约97％。
实施例S5：
Figure BDA0003062002280001651
将2.83g(10mmol)的(2-溴-4-氯苯基)苯胺[2149611-39-0]、3.06g(10mmol)的S1、6.37g(30mmol)磷酸三钾、183mg(0.6mmol)三邻甲苯基膦、22.5mg(0.1mmol)乙酸钯(II)、40ml甲苯、10ml二
Figure BDA0003062002280001653
烷和40ml水的充分搅拌的混合物加热回流16小时。冷却后，分离出水相，用每次30ml 3％重量乙酰半胱氨酸水溶液洗涤三次，用每次30ml水洗涤三次且用30ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且用硫酸镁干燥。使用硅胶床以甲苯浆液形式滤出干燥剂，并且将滤液浓缩至干。添加少量丙酮从乙腈中重结晶残留物。将这样获得的仲胺溶解在50ml的DMAc(二甲基乙酰胺)中，且添加4.54g(25mmol)乙酸铜(II)和22.5mg(0.1mmol)乙酸钯(II)，并且将混合物在140℃下搅拌4小时。在减压下大量去除DMAc，将残留物溶于100ml的DCM中，添加30ml浓氨水溶液，在室温下搅拌混合物1小时，并且分离出有机相，且用30ml浓氨水溶液洗涤三次，用每次30ml 3％重量乙酰半胱氨酸水溶液洗涤三次，用每次30ml水洗涤三次且用30ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且用硫酸镁干燥。使用硅胶床以DCM浆液形式滤出硫酸镁，且将滤液浓缩至干，并且对残留物进行快速色谱分离(CombiFlash Torrent，得自A.Semrau)。产率：1.25g(3.3mmol)，33％。根据1H NMR，纯度为约95％。
2)配体L的合成：
可类似于实施例S2制备以下化合物。
Figure BDA0003062002280001652
Figure BDA0003062002280001661
实施例L5：
Figure BDA0003062002280001662
在充分搅拌下，向8.15g(10mmol)3,3'-[5'-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)[1,1':3',1”-三联苯]-2,2”-二基]双[4,6-二苯基吡啶[1989597-74-1]、4.12g(10mmol)的S4、6.37g(30mmol)磷酸三钾、30ml甲苯、15ml二
Figure BDA0003062002280001672
烷和30ml水的混合物，添加164mg(0.4mmol)的SPhos，然后添加44.9mg(0.2mmol)乙酸钯(II)，然后将混合物加热回流24小时。冷却后，分离出有机相，用每次30ml的3重量％乙酰半胱氨酸水溶液洗涤三次，用每次30ml的水洗涤三次且用30ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且用硫酸镁干燥。滤出干燥剂，减压浓缩滤液至干，并从添加乙酸乙酯(约2ml)的乙腈(约10ml)中在沸腾下使玻璃状粗产物重结晶。产率：4.77g(4.6mmol)，46％；纯度：根据1H NMR，约95％。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003062002280001671
实施例L8：
Figure BDA0003062002280001681
类似于L1制备，不同之处在于用2.03g(5mmol)的6-溴-N-(6-溴-2-吡啶基)-N-苯基-2-吡啶胺[894405-86-8]代替10mmol的2-溴吡啶[109-04-6]。产率：1.75g(2.8mmol)，56％；纯度：根据1H NMR，约95％。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003062002280001682
Figure BDA0003062002280001691
3)咔唑、胺、三嗪的合成
实施例C1：
Figure BDA0003062002280001692
将3.80g(10mmol)的S5、3.69g(10mmol)的9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-9H-咔唑[1126522-69-7]、6.37g(30mmol)磷酸三钾、183mg(0.6mmol)三邻甲苯基膦、22.5mg(0.1mmol)乙酸钯(II)、40ml甲苯、10ml二
Figure BDA0003062002280001693
烷和40ml水的充分搅拌的混合物在回流下加热16小时。冷却后，分离出水相，且将有机相浓缩至干。将残留物溶于50ml的DCM中，用每次30ml的3重量％乙酰半胱氨酸水溶液洗涤三次，用每次30ml水洗涤三次，且用30ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且用硫酸镁干燥。使用硅胶床以DCM浆液形式滤出干燥剂，并且将滤液浓缩至干。残留物通过与热乙酸丁酯/异丙醇一起搅拌提取，然后用热甲苯提取三次，且通过在减压下加热(p为约10-5毫巴，T为约280℃)纯化。产率：3.40g(4.5mmol)45％。根据HPLC，纯度＞99.9％。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003062002280001701
Figure BDA0003062002280001711
4)二齿配体L的C3-对称性铱络合物的合成：
实施例Ir(L1)3：
Figure BDA0003062002280001712
根据WO 2015/104045，Ir(LB74)3制备，参见第179页。产率：41％；纯度：根据HPLC，＞99.9％。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003062002280001713
Figure BDA0003062002280001721
5)二齿配体L的C2-对称性N,N-反式-铱络合物的合成：
实施例Ir(L4)2(acac)：
Figure BDA0003062002280001722
根据WO 2015/104045制备。首先，类似于[Ir(L42)2Cl)2制备Cl二聚体，参见第193页。类似于Ir538，使其与乙酰丙酮反应；参见第218页。两个阶段的产率：39％；纯度：根据HPLC，＞99.9％。
6)三足铱络合物的合成：
实施例IrL5：
Figure BDA0003062002280001731
根据WO 2016/124304，Ir(L1)变体A制备，参见第218页。使用配体L5。如其中所述通过硅胶色谱法纯化，用DCM/甲醇(1:1，vv)热提取三次，且用DCM/乙腈(2:1，vv)热提取三次，并且在T为约200℃和p为约10-6毫巴下加热。产率：38％；纯度：根据HPLC，＞99.9％。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003062002280001732
Figure BDA0003062002280001741
7)铂络合物的合成：
实施例PtL8：
Figure BDA0003062002280001742
将1.86g(3.0mmol)的L5和1.14g(3.5mmol)的二甲基-双-DMSO-铂(II)[70423-98-2]在30ml的DMSO中的混合物加热到70℃，保持24小时。使反应混合物冷却，在减压下大量去除DMSO，且将黑色残留物溶于50ml DCM中且在硅胶上用DCM进行色谱分离。提取红色核心级分，添加50ml甲醇，且在50℃下蒸馏出DCM。抽滤出结晶产物，且用每次20ml MeOH洗涤两次。进一步的纯化通过热提取进行，用DCM/甲醇(1:1，vv)提取一次且用DCM/乙腈(2:1，vv)提取三次，并且在T为约250℃和p为约10-6毫巴下加热。产率：782g mg(0.96)，32％；纯度：根据HPLC，＞99.9％。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0003062002280001751
溶液加工的器件：
自低分子量的可溶性功能材料加工
本发明的化合物也可从溶液中加工，并且在此得到与真空加工的OLED相比在加工技术方面简单得多，但仍然具有良好性质的OLED。这些组件的制造是基于聚合物发光二极管(PLED)的制造，其已经在文献中多次描述(例如，在WO 2004/037887中)。所述结构由基底/ITO/空穴注入层(60nm)/中间层(20nm)/发光层(60nm)/空穴阻挡层(10nm)/电子传输层(40nm)/阴极组成。为此目的，使用来自Technoprint的基底(钠钙玻璃)，其上施用了ITO结构(氧化锡铟，透明的导电阳极)。在洁净室中用去离子水和去污剂(Deconex 15PF)清洁基底，然后通过UV/臭氧等离子体处理进行活化。此后，同样在洁净室中，通过旋涂施用20nm空穴注入层(PEDOT:PSS，来自CleviosTM)。所需的旋涂速率取决于稀释程度和特定旋涂机的几何形状。为了从层中去除残留的水，将基底在200℃的加热板上烘烤30分钟。所用的中间层用于空穴传输；在这种情况下，使用来自默克公司(Merck)的HL-X。中间层也可替代地用一个或多个层代替，这些层只需要满足不被随后的从溶液中进行EML沉积的加工步骤再次浸出的条件。为了制造发光层，将本发明的三重态发光体与基质材料一起溶解在甲苯或氯苯中。这种溶液的典型固体含量为16g/l至25g/l，如此的话，器件特有的60nm的层厚度将通过旋涂实现。溶液加工的器件含有由具有指定百分比的基质1:基质2:Ir(L)组成的发光层。在惰性气氛中旋涂发光层，在本例中所述惰性气体为氩气，并且在160℃下烘烤10分钟。在发光层之上气相沉积空穴阻挡层(10nm RETM1)和电子传输层(40nm RETM1(50％)/RETM2(50％))(来自Lesker等的气相沉积***，典型的气相沉积压力为5×10-6毫巴)。最后，通过气相沉积施用铝阴极(100nm)(来自奥德里奇公司(Aldrich)的高纯度金属)。为了保护器件免受空气和空气湿度的影响，最后将器件封装起来，然后进行表征。提到的OLED实施例尚未优化；表1汇总所获得的数据。寿命LD50定义为在起始明亮度为1000cd/m2的情况下工作亮度下降到起始亮度的50％后的时间。表2显示所用的材料。
表1：用从溶液中加工的材料获得的结果
Figure BDA0003062002280001771
Figure BDA0003062002280001781
表2：所用材料的结构式
Figure BDA0003062002280001782

Claims (19)

1.一种可用于制造电子器件的功能层的有机功能化合物，其特征在于所述化合物包含至少一个式(I)和/或(Ia)的结构单元，
Figure FDA0003062002270000011
其中虚线键表示这种基团与所述有机功能化合物的另一部分的连接，并且另外：
X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是不超过三个、优选不超过两个符号X是N；
R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar)2，N(R1)2，C(＝O)N(Ar)2，C(＝O)N(R1)2，Si(Ar)3，Si(R1)3，Ge(Ar)3，Ge(R1)3，B(Ar)2，B(R1)2，C(＝O)Ar，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar)2，P(＝O)(R1)2，P(Ar)2，P(R1)2，S(＝O)Ar，S(＝O)R1，S(＝O)2Ar，S(＝O)2R1，OSO2Ar，OSO2R1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、Ge(R1)2、Sn(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个R取代基也可一起形成环系；
Ar在每种情况下相同或不同，并且是具有5至60个芳族环原子且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合到同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar基团也可以通过单键桥连基或选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、Ge(R1)2、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、O、S、S＝O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(＝O)R1的桥连基连接到一起；
R1在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R2)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar1)2，P(Ar1)2，B(Ar1)2，B(OR2)2，Si(Ar1)3，Si(R2)3，Ge(Ar1)3，Ge(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有2至40个碳原子的烯基基团，所述基团各自可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系各自可被一个或多个R2基团取代，或具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R1基团可一起形成环系；同时，一个或多个R1基团与所述有机功能化合物的另一部分可形成环系；
Ar1在每种情况下相同或不同，并且是具有5至30个芳族环原子且可被一个或多个优选非芳族的R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合到同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar1基团也可以通过单键桥连基或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥连基彼此连接；
R2在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，B(OR3)2，NO2，C(＝O)R3，CR3＝C(R3)2，C(＝O)OR3，C(＝O)N(R3)2，Si(R3)3，Ge(R3)3，P(R3)2，B(R3)2，N(R3)2，NO2，P(＝O)(R3)2，OSO2R3，OR3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团各自可被一个或多个R3基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R3C＝CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝NR3、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR3-、NR3、P(＝O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至40个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R3基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R2可一起形成环系；
R3在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I或CN代替且其可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R3可一起形成环系。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于所述化合物包含至少一个式(II)的结构单元，
Figure FDA0003062002270000031
其中虚线键表示这种基团与所述有机功能化合物的另一部分的连接，R1基团具有权利要求1中给出的定义，标记v是0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，优选是0、1、2、3、4、5或6，更优选是0、1、2、3或4，且尤其优选是0或1，并且标记u是0、1、2、3、4、5、6、7或8，优选是0、1、2、3、4、5或6，更优选是0、1、2、3或4，且尤其优选是0或1。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于可用于制造电子器件的功能层的所述有机功能化合物选自荧光发光体、磷光发光体、表现出TADF(热活化延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、激子阻挡材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、n型掺杂剂、p型掺杂剂、宽带隙材料、电子阻挡材料和/或空穴阻挡材料。
4.根据前述权利要求中的一项或多项所述的化合物，其特征在于所述有机功能化合物选自芴、茚并芴、螺二芴、咔唑、茚并咔唑、吲哚并咔唑、螺咔唑、嘧啶、三嗪、内酰胺、三芳基胺、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻吩、咪唑、苯并咪唑、苯并
Figure FDA0003062002270000041
唑、苯并噻唑、5-芳基菲啶-6-酮、9,10-脱氢菲、荧蒽、蒽、苯并蒽、茚并[1,2,3-jk]芴。
5.根据前述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述有机功能化合物包含至少一个符合式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)、(IIId)、(IIIe)、(IIIf)、(IIIg)和/或(IIIh)中的至少一种的基团，
Figure FDA0003062002270000042
Figure FDA0003062002270000051
Figure FDA0003062002270000061
其中使用的符号如下：
X在每种情况下相同或不同，并且是N或CR，优选是CR，或者如果Aa或Ab基团键合到X，则这个X原子是C，条件是一个环中不超过两个X基团是N；
W是O、S、NR、NAa、NAb、BR、BAa、BAb、C(R)2、CRAa、C(Aa)2、CRAb、C(Ab)2、CAaAb、-RC＝CR-、-RC＝CAa-、-AaC＝CAa-、-RC＝CAb-、-AbC＝CAb-、-AbC＝CAa-、SO、SO2、Ge(R)2、Ge(Aa)2、Ge(Ab)2、GeAaAb、Si(R)2、Si(Aa)2、Si(Ab)2、SiAaAb或C＝O；
m在每种情况下独立地是0、1、2、3或4，优选是0、1或2，条件是每个环的标记m的总和不大于4，优选不大于2；
o在每种情况下独立地是0、1或2，优选是0或1，条件是每个环的标记o的总和不大于2，优选不大于1；
Aa是功能结构单元，优选在每种情况下具有5至40个环原子且可被一个或多个取代基R取代的芳族或杂芳族环系；
Ab包含根据权利要求1的式(I)和/或(Ia)的结构或根据权利要求2的式(II)和/或(IIa)的结构，优选是根据权利要求1的式(I)和/或(Ia)的结构或根据权利要求2的式(II)和/或(IIa)的结构，
其中符号R具有权利要求1中给出的定义，条件是所述式(IIIa)的结构具有至少一个Ab基团。
6.根据前述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述有机功能化合物包含至少一个空穴传输基团。
7.根据前述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述有机功能化合物包含至少一个电子传输基团。
8.根据前述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述有机功能化合物包含至少一个导致宽带隙材料的基团。
9.根据前述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述有机功能化合物包含至少一个导致用作主体材料的材料的基团。
10.根据前述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述有机功能化合物包含选自以下的基团：苯基，邻-、间-或对-联苯基，三联苯基，尤其是支链三联苯基，四联苯基，尤其是支链四联苯基，1-、2-、3-或4-芴基，9,9'-二芳基芴基，1-、2-、3-或4-螺二芴基，吡啶基，嘧啶基，1-、2-、3-或4-二苯并呋喃基，1-、2-、3-或4-二苯并噻吩基，芘基，三嗪基，咪唑基，苯并咪唑基、苯并
Figure FDA0003062002270000071
唑基，苯并噻唑基，1-、2-、3-或4-咔唑基，1-或2-萘基，蒽基，优选9-蒽基，反-和顺-茚并芴基，茚并咔唑基，吲哚并咔唑基，螺咔唑基、5-芳基-菲啶-6-酮-基，9,10-脱氢菲基，荧蒽基，甲苯基，均三甲苯基，苯氧基甲苯基，苯甲醚基、三芳基胺基，双(三芳基胺基)，三(三芳基胺基)，六甲基茚满基，四氢萘基，单环烷基，双环烷基，三环烷基，烷基，例如叔丁基、甲基、丙基，烷氧基，烷基硫基，烷基芳基，三芳基甲硅烷基，三烷基甲硅烷基，氧杂蒽基，10-芳基苯并
Figure FDA0003062002270000072
嗪基，菲基和/或联三苯叉基，所述基团各自可被一个或多个基团取代，但优选未被取代，特别优选苯基、螺二芴基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、蒽基、菲基、联三苯叉基，其中所述功能结构单元Aa优选包含相应的基团或可由相应的基团表示。
11.根据前述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述化合物含有至少一个增溶结构单元或增溶基团和至少一个功能结构单元或功能基团，所述功能结构单元或所述功能基团选自空穴传输基团、电子传输基团、导致主体材料的结构单元或基团、或具有宽带隙性质的结构单元或基团。
12.根据前述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述化合物是金属络合物中的配体。
13.一种金属络合物，所述金属络合物包含至少一种通式(1)的结构
M(L)n(L')m 式(1)
其中使用的符号和标记如下：
M为过渡金属，优选铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕，更优选铱或铂；
L在每种情况下相同或不同并且是二齿配体；
L'在每种情况下相同或不同并且是配体；
n是1、2或3，优选是2，更优选是3；
m是0、1、2、3或4，优选是0、1或2，更优选是0或1，尤其优选是0；
同时，两个或更多个配体L也可以通过单键或者二价或三价桥连基彼此连接，或者L也可以通过单键或者二价或三价桥连基与L'连接，从而形成三齿、四齿、五齿或六齿配体体系，其特征在于所述金属络合物含有至少一个式(2)和/或(2a)的亚结构：
Figure FDA0003062002270000081
其中虚线键表示这种基团与所述式(1)的金属络合物的另一部分的连接，并且符号X具有权利要求1中所限定的定义。
14.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，所述低聚物、聚合物或树枝状大分子含有一种或多种根据权利要求1至12中的任一项所述的化合物或根据权利要求13所述的金属络合物，其中，代替氢原子或取代基存在一个或多个从所述化合物至所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键。
15.一种组合物，所述组合物包含至少一种根据权利要求1至12中的一项或多项所述的化合物、根据权利要求13所述的金属络合物或根据权利要求14所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子以及至少一种其它化合物，所述其它化合物选自荧光发光体、磷光发光体、表现出TADF(热活化延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料和空穴阻挡材料。
16.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1至12中的一项或多项所述的化合物、根据权利要求13所述的金属络合物或根据权利要求14所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子或根据权利要求15所述的组合物以及至少一种溶剂。
17.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的化合物，根据权利要求13所述的金属络合物，根据权利要求14所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子或根据权利要求15所述的组合物的用途，所述化合物、金属络合物、低聚物、聚合物、树枝状大分子或组合物在电子器件中用作发光体，优选磷光发光体、荧光发光体、表现出TADF(热活化延迟荧光)的发光体，主体材料，电子传输材料，电子注入材料，空穴导体材料，空穴注入材料，电子阻挡材料，空穴阻挡材料和/或宽带隙材料，更优选用作发光体、主体材料、空穴导体材料和/或电子传输材料。
18.一种用于制备根据权利要求1至12中的一项或多项所述的化合物，根据权利要求13所述的金属络合物或根据权利要求14所述的低聚物、聚合物和/或树枝状大分子的方法，其特征在于，在偶联反应中，使包含式(I)和/或(Ia)的结构的化合物连接到包含至少一个芳族或杂芳族基团的化合物。
19.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至12中的一项或多项所述的化合物，根据权利要求13所述的金属络合物，根据权利要求14所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子或根据权利要求15所述的组合物，其中所述电子器件优选选自有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件、发光电化学电池和有机激光二极管。
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