CN116406414A - 用于有机电致发光器件的包含杂原子的化合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及适用于电子器件中的环状的化合物，以及含有所述化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

Description

用于有机电致发光器件的包含杂原子的化合物
本发明涉及用于电子器件中、尤其是有机电致发光器件中的包含杂原子的化合物，以及涉及包含这些杂环化合物的电子器件、尤其是有机电致发光器件。
在有机电致发光器件中使用的发光材料通常是磷光有机金属络合物或荧光化合物。通常仍需要改进电致发光器件。
WO 2010/104047 A1和WO 2019/132506 A1公开了可用于有机电致发光器件的多环化合物。没有公开根据本发明的化合物。此外，Wang等人在Nature Communications|8:1948中研究了化合物的反芳香特性。然而，Wang等人没有描述这些化合物在有机电致发光器件中的用途。
一般而言，这些杂环化合物，例如用作发光体，尤其是用作荧光发光体，特别是在寿命和色纯度方面，还有在器件的效率和工作电压方面仍然需要改进。
因此，本发明的一个目的是提供适用于有机电子器件，尤其是用于有机电致发光器件，并且当用于该器件时产生良好器件性能的化合物，并提供相应的电子器件。
更具体地，本发明解决的问题是提供导致长寿命、良好效率和低工作电压的化合物。
此外，所述化合物应具有优异的可加工性，并且所述化合物应尤其表现出良好的溶解性。
可本发明解决的另一个问题可被认为是提供适用于磷光或荧光电致发光器件，尤其是作为发光体的化合物。更具体地，本发明解决的问题是提供适用于红色、绿色或蓝色电致发光器件的发光体。
此外，所述化合物，尤其是当它们在有机电致发光器件中用作发光体时，应导致具有优异色纯度的器件。
本发明解决的另一个问题可被认为是提供适用于磷光或荧光电致发光器件的化合物，尤其是作为基质材料的化合物。更具体地，本发明解决的问题是提供适用于红色、黄色和蓝色磷光电致发光器件的基质材料。
此外，所述化合物，尤其是当它们在有机电致发光器件中用作基质材料、用作空穴传输材料或用作电子传输材料时，应导致具有优异色纯度的器件。
可考虑的另一个问题是提供非常便宜且质量稳定的具有优异性能的电子器件。
此外，应该可使用或调整电子器件以用于多种目的。更具体地，电子器件的性能应该在宽温度范围内得以保持。
已令人惊奇地发现，该目的通过以下详细描述的特定化合物实现，所述化合物非常适合用于优选电致发光器件中并导致有机电致发光器件显示出非常好的性能，尤其是在寿命、色纯度、效率和工作电压方面显示出非常好的性能。因此，本发明提供了这些化合物和包含此类化合物的电子器件，尤其是有机电致发光器件。
本发明提供了包含至少一个式(I)结构的化合物，优选为式(I)的化合物，
Figure BDA0004161071070000031
其中使用的符号和标记如下：
Z1在每种情况下相同或不同并且是N或B；
W1、W2在每种情况下相同或不同并且是X4或者两个W1、W2基团一起形成Ara基团，其中由两个W1、W2基团形成的所述Ara基团在邻位与另外的Y、Z1基团连接；
Y在每种情况下相同或不同并且是O、S、Se、N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、P(＝O)Arb、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O、SO2、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝NArb、C＝C(R)2、B(Arb)或B(R)，优选O、S、SO2、Se、C(R)2、Si(R)2、C＝O、P(＝O)Arb、P(＝O)R、B(R)、B(Arb)、N(R)或N(Arb)，更优选B(R)、B(Arb)或C＝O，尤其优选B(R)或B(Arb)；
U在每种情况下相同或不同并且是B(Arc)、B(R)、C＝O、C＝S、C(R)2、Si(R)2、P(R)、P(＝O)Arc、O或SO2，优选B(Arc)、B(R)、C＝O、C(R)2，更优选C＝O；
V在每种情况下相同或不同并且是单键、C(R)2、O或S，优选单键或O；
Ara在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；此处，所述Ara基团可与Y、U或另外的基团形成环系；
Arb在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；此处，所述Arb基团可与W1、X2或另外的基团形成环系；
Arc在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；此处，所述Arc基团可与W2、V或另外的基团形成环系；
X1在每种情况下相同或不同并且是N或CRa，优选CRa，条件是一个环中不超过两个X1、X2、X3基团是N；
X2在每种情况下相同或不同并且是N或CRb，优选CRb，条件是一个环中不超过两个X1、X2、X3基团是N；
X3在每种情况下相同或不同并且是N或CRc，优选CRc，条件是一个环中不超过两个X1、X2、X3基团是N；
X4在每种情况下相同或不同并且是N或CRd，优选CRd，条件是一个环中不超过两个X4基团是N；
R、Ra、Rb、Rc、Rd在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar')2，N(R1)2，C(＝O)N(Ar')2，C(＝O)N(R1)2，C(Ar')3，C(R1)3，Si(Ar')3，Si(R1)3，B(Ar')2，B(R1)2，C(＝O)Ar'，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar')2，P(＝O)(R1)2，P(Ar')2，P(R1)2，S(＝O)Ar'，S(＝O)R1，S(＝O)2Ar'，S(＝O)2R1，OSO2Ar'，OSO2R1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个R、Ra、Rb、Rc、Rd基团还可一起形成环系或与另外的基团形成环系；
Ar'在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar'基团还可经由单键的桥连基或选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、O、S、S＝O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(＝O)R1的桥连基连接在一起；
R1在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar”)2，N(R2)2，C(＝O)Ar”，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar”)2，P(Ar”)2，B(Ar”)2，B(R2)2，C(Ar”)3，C(R2)3，Si(Ar”)3，Si(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基基团，所述烷基、烷氧基或硫代烷氧基或烯基基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系中的每个可被一个或多个R2基团取代，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R1基团可一起形成环系；同时，一个或多个R1基团可与所述化合物的其它部分形成环系；
Ar”在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar”基团还可经由单键的桥连基或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥连基连接在一起；
R2在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I或CN代替并且可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R2可一起形成环系。
在本发明上下文中的芳基基团含有6至40个碳原子；在本发明上下文中的杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子与杂原子的总和为至少5个。所述杂原子优选选自N、O和/或S。此处，芳基基团或杂芳基基团应理解为是指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合(增环)的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。相比之下，通过单键彼此连接的芳族化合物(例如联苯)不被称为芳基或杂芳基基团，而是称为芳族环系。
在本发明上下文中的缺电子杂芳基基团是具有至少一个具有至少一个氮原子的杂芳族六元环的杂芳基基团。另外的芳族或杂芳族五元或六元环可稠合到该六元环上。缺电子杂芳基基团的实例是吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、喹啉、喹唑啉或喹喔啉。
在本发明上下文中的芳族环系在环系中含有6至60个碳原子，优选6至40个碳原子。在本发明上下文中的杂芳族环系在环系中含有2至60个碳原子、优选3至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子与杂原子的总和为至少5个。所述杂原子优选选自N、O和/或S。在本发明上下文中的芳族或杂芳族环系应理解为是指如下体系：其不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中两个或更多个芳基或杂芳基基团还可通过非芳族单元，例如是碳、氮或氧原子连接。例如，在本发明上下文中，诸如芴、9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的体系也应被视为芳族环系，以及其中两个或更多个芳基基团例如通过短烷基基团连接的体系同样应被认为是芳族环系。优选地，芳族环系选自芴、9,9'-螺二芴、9,9-二芳基胺或其中两个或更多个芳基和/或杂芳基基团通过单键彼此连接的基团。
在本发明的上下文中，可含有1至20个碳原子并且其中个别氢原子或CH2基团还可被上述基团取代的脂族烃基基团或烷基基团或烯基或炔基基团优选应理解为是指甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、新戊基、环戊基、正己基、新己基、环己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基基团。具有1至40个碳原子的烷氧基基团优选应理解为是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基和2,2,2-三氟乙氧基。具有1至40个碳原子的硫代烷基基团应理解为尤其是指甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、环戊烯硫基、己烯硫基、环己烯硫基、庚烯硫基、环庚烯硫基、辛烯硫基、环辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。通常，根据本发明的烷基、烷氧基或硫代烷基基团可以是直链、支链或环状的，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被上述基团代替；另外，一个或多个氢原子也可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，优选被F、Cl或CN代替，还优选被F或CN代替，尤其优选被CN代替。
具有5-60或5-40个芳族环原子并且在每种情况下还可被上述基团取代并且可经由任何所希望的位置与芳族或杂芳族体系连接的芳族或杂芳族环系，应理解为尤其是指来源于如下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、芘、苣、苝、荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、顺式或反式茚并咔唑、顺式或反式吲哚并咔唑、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩
Figure BDA0004161071070000071
嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、/>
Figure BDA0004161071070000081
唑、苯并/>
Figure BDA0004161071070000082
唑、萘并/>
Figure BDA0004161071070000083
唑、蒽并/>
Figure BDA0004161071070000084
唑、菲并/>
Figure BDA0004161071070000085
唑、异/>
Figure BDA0004161071070000086
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、六氮杂联三苯叉、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩/>
Figure BDA0004161071070000087
嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-/>
Figure BDA0004161071070000088
二唑、1,2,4-/>
Figure BDA0004161071070000089
二唑、1,2,5-/>
Figure BDA00041610710700000810
二唑、1,3,4-
Figure BDA00041610710700000811
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪和苯并噻二唑，或来源于这些体系的组合的基团。
在本说明书的上下文中，两个或更多个基团可一起形成环的措词应理解为尤其是指，所述两个基团利用形式上消除两个氢原子而通过化学键彼此连接。这通过以下方案说明：
Figure BDA00041610710700000812
然而，此外，上述措词也应理解为是指，如果两个基团之一是氢，则第二个基团结合至氢原子的键合位置，从而形成环。这将通过以下方案说明：
Figure BDA00041610710700000813
在一种优选构型中，本发明的化合物可包含式(IIa)至(IId)的结构；更优选地，本发明的化合物可选自式(IIa)至(IId)的化合物：
Figure BDA0004161071070000091
其中符号Z1、V、W1、W2、Y、X1、X2、X3和R具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。
此处优选式(IIb)和式(IIc)的结构/化合物，并且特别优选式(IIb)的结构/化合物。
在另一个优选的实施方式中，可行的情况是，本发明的化合物包括式(III-1)至(III-56)的结构，其中本发明的化合物可更优选地选自式(III-1)至(III-56)的化合物，
Figure BDA0004161071070000101
Figure BDA0004161071070000111
Figure BDA0004161071070000121
Figure BDA0004161071070000131
/>
Figure BDA0004161071070000141
/>
Figure BDA0004161071070000151
/>
Figure BDA0004161071070000161
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Figure BDA0004161071070000171
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Figure BDA0004161071070000181
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Figure BDA0004161071070000191
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Figure BDA0004161071070000201
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Figure BDA0004161071070000211
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Figure BDA0004161071070000221
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Figure BDA0004161071070000231
/>
Figure BDA0004161071070000241
其中符号R、Z1、V、Y、X1、X2、X3和X4具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，并且其它符号和标记如下：
Z2在每种情况下相同或不同并且是N或B，优选B；
Y1在每种情况下相同或不同并且是O、S、N(Ar')、N(R)、C＝O、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝NAr'、C＝C(R)2、B(Ar')或B(R)，优选C(R)2、O、S或N(Ar')，其中符号Ar'和R具有权利要求1中给出的定义；
X5在每种情况下相同或不同并且是N或CRe，优选N；
Re在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar')2，N(R1)2，C(＝O)N(Ar')2，C(＝O)N(R1)2，C(Ar')3，C(R1)3，Si(Ar')3，Si(R1)3，B(Ar')2，B(R1)2，C(＝O)Ar'，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar')2，P(＝O)(R1)2，P(Ar')2，P(R1)2，S(＝O)Ar'，S(＝O)R1，S(＝O)2Ar'，S(＝O)2R1，OSO2Ar'，OSO2R1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团可各自被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；此处，两个Re基团还可彼此或与另外的基团一起形成环系，其中符号Ar'和R1具有权利要求1中给出的定义。
此处优选式(III-15)至(III-42)的结构/化合物，并且特别优选式(III-15)至(III-28)的结构/化合物。
可优选的情况是，在式(I)、(IIa)至(IIc)和/或(III-1)至(III-56)中，不超过四个、优选不超过两个X1、X2、X3、X4和X5基团是N；更优选地，所有X1、X2、X3、X4和X5基团都是CRa、CRb、CRc、CRd、CRe。
在另一个优选的实施方式中，可行的情况是，本发明的化合物包括式(IV-1)至(IV-56)的结构，其中本发明的化合物可更优选地选自式(IV-1)至(IV-56)的化合物，
Figure BDA0004161071070000251
/>
Figure BDA0004161071070000261
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Figure BDA0004161071070000271
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Figure BDA0004161071070000281
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Figure BDA0004161071070000291
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Figure BDA0004161071070000301
/>
Figure BDA0004161071070000311
/>
Figure BDA0004161071070000321
其中符号Z1、Y、V、R、Ra、Rb、Rc和Rd具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，符号Z2、Re和Y1具有上文，尤其是对于式(III-1)至(III-56)给出的定义，标记l是0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且标记j是0、1或2，优选0或1。
此处优选式(IV-15)至(IV-42)的结构/化合物并且特别优选式(IV-15)至(IV-28)的结构/化合物。
式(IV-1)至(IV-56)的结构/化合物中标记j、m和l的总和优选不超过8，尤其优选不超过6并且更优选不超过4。
此外，在式(I)、(IIa)至(IId)、(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)中和/或在下文所述这些式的优选实施方式中，尤其可行的情况是，Z1基团是N并且Y基团是B(Arb)、B(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2，优选C＝O、B(Arb)、B(R)、P(＝O)Arb、P(＝O)R、C＝O、S＝O或SO2，更优选B(R)或B(Arb)。其中Z1基团是N并且Y基团是B(Arb)、B(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2的构型可有利地用作发光体。
此外，在式(I)、(IIa)至(IId)、(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)中和/或在下文所述这些式的优选实施方式中，尤其可行的情况是，Z1基团是N并且Y基团是N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、CR2、SiR2、O、S或Se，优选N(Arb)、N(R)、CR2、O或S，更优选N(Arb)。
其中Z1基团是N并且Y基团是N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、CR2、SiR2、O、S或Se的实施方式可有利地尤其用作空穴导体材料。
在另一种构型中，在式(I)、(IIa)至(IId)、(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)中和/或在下文所述这些式的优选实施方式中，尤其可行的情况是，Z1基团是B并且Y基团是N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、O、S或Se，优选N(Arb)、N(R)、O或S，更优选N(Arb)。其中Z1基团是B并且Y基团是N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、O、S或Se的构型可有利地用作发光体。
在另一种构型中，在式(I)、(IIa)至(IId)、(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)中和/或在下文所述这些式的优选实施方式中，尤其可行的情况是，Z1基团是B并且Y基团是B(Arb)、B(R)、P(＝O)Arb、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2，优选C＝O、B(Arb)、B(R)、P(＝O)Arb、P(＝O)R、C＝O、S＝O或SO2，更优选B(R)或B(Arb)。
其中Z1基团是B并且Y基团是B(Arb)、B(R)、P(＝O)Arb、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2的实施方式可有利地尤其用作电子传输材料。
此外，在式(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)和/或下文详述的这些式的优选实施方式中，尤其可行的情况是，Z1基团是N并且Z2基团是B。其中Z1基团是N并且Z2基团是B的构型可有利地用作发光体。
此外，在式(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)和/或下文详述的这些式的优选实施方式中，尤其可行的情况是，Z1基团是N并且Z2基团是N。其中Z1基团是N并且Z2基团是N的实施方式可有利地尤其用作电子传输材料。
此外，在式(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)和/或下文详述的这些式的优选实施方式中，尤其可行的情况是，Z1基团是B并且Z2基团是N。其中Z1基团是B并且Z2基团是N的构型可有利地用作发光体。
在另一种构型中，在式(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)和/或下文详述的这些式的优选实施方式中，尤其可行的情况是，Z1基团是B并且Z2基团是B。其中Z1基团是B并且Z2基团是B的构型可有利地尤其用作电子传输材料。
在本发明的一个优选实施方式中，可行的情况是，至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团和与所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团所结合的其它基团一起形成稠环，其中所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团形成至少一个式(RA-1)至(RA-12)的结构，
Figure BDA0004161071070000341
Figure BDA0004161071070000351
其中R1具有上文所述的定义，虚线键表示所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团经由其结合的连接位点，并且其它符号具有下列定义：
Y2在每种情况下相同或不同并且是C(R1)2、(R1)2C-C(R1)2、(R1)C＝C(R1)、NR1、NAr'、O或S，优选C(R1)2、(R1)2C-C(R1)2、(R1)C＝C(R1)、O或S；
Rf在每种情况下相同或不同并且是F，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个Rf基团一起或一个Rf基团与R1基团一起或与另外的基团一起还可形成环系；
s是0、1、2、3、4、5或6，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2；
t是0、1、2、3、4、5、6、7或8，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2；
v是0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2。
在本发明的一个优选实施方式中，至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团和与所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团所结合的其它基团一起形成稠环，其中所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团优选形成至少一个式(RA-1a)至(RA-4f)的结构，
Figure BDA0004161071070000361
其中虚线键表示所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团经由其结合的连接位点，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且符号R1、R2、Rf以及标记s和t具有上文，尤其是对于式(I)和/或式(RA-1)至(RA-12)给出的定义。
此外可行的情况是，形成式(RA-1)至(RA-12)和/或(RA-1a)至(RA-4f)的结构和形成稠环的至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团表示来自相邻的X1、X2、X3、X4、X5基团的R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团，或者表示各自结合至相邻碳原子的R基团，其中这些碳原子优选经由键连接。
在另一个优选的构型中，至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团和与所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团所结合的其它基团一起形成稠环，其中所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团形成式(RB)的结构，
Figure BDA0004161071070000371
其中R1具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，虚线键表示所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团经由其结合的键合位点，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且Y3是C(R1)2、NR1、NAr'、BR1、BAr'、O或S，优选C(R1)2、NAr'或O，其中Ar'具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。
此处可行的情况是，形成式(RB)的结构并形成稠环的至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团表示来自相邻的X1、X2、X3、X4、X5基团的R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团，或者表示各自结合至相邻碳原子的R基团，其中这些碳原子优选经由键彼此连接。
更优选地，所述化合物包括至少一个式(V-1)至(V-36)的结构；更优选地，所述化合物选自式(V-1)至(V-36)的化合物，其中所述化合物具有至少一个稠环，
Figure BDA0004161071070000381
/>
Figure BDA0004161071070000391
/>
Figure BDA0004161071070000401
/>
Figure BDA0004161071070000411
其中符号Z1、Y、V、Ra、Rb、Rc和Rd具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，符号Z2、Re和Y1具有上文，尤其是对于式(III-1)至(III-56)给出的定义，符号o表示稠环的连接位点，并且其它符号定义如下：
l是0、1、2、3、4或5，优选0、1或2；
m是0、1、2、3或4，优选0、1或2；
n是0、1、2或3，优选0、1或2；
j是0、1或2，优选0或1；
k是0或1。
此处优选式(V-12)至(V-36)的化合物/结构，并且特别优选式(V-12)至(V-24)的化合物/结构。
更优选地，所述化合物包含至少一个式(VI-1)至(VI-20)的结构；更优选地，所述化合物选自式(VI-1)至(VI-20)的化合物，其中所述化合物具有至少一个稠环，
Figure BDA0004161071070000421
/>
Figure BDA0004161071070000431
/>
Figure BDA0004161071070000441
其中符号Z1、Y、V、Ra、Rb、Rc和Rd具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义，符号Z2、Re和Y1具有上文，尤其是对于式(III-1)至(III-56)给出的定义，符号o表示稠环的连接位点，并且其它符号定义如下：
l是0、1、2、3、4或5，优选0、1或2；
m是0、1、2、3或4，优选0、1或2；
n是0、1、2或3，优选0、1或2；
j是0、1或2，优选0或1；
k是0或1。
在式(VI-1)至(VI-20)中，V优选为键或O，更优选O。
此处优选式(VI-11)至(VI-20)的结构/化合物。
优选地，稠环，尤其是在式(V-1)至(V-36)和/或(VI-1)至(VI-20)中的稠环，是由至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团和与所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团所结合的其它基团形成的，其中所述至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团形成式(RA-1)至(RA-12)、(RA-1a)至(RA-4f)和/或式(RB)的结构，优选式(RA-1)至(RA-12)和/或(RA-1a)至(RA-4f)的结构。
在式(V-1)至(V-36)和/或(VI-1)至(VI-20)中，特别是，标记k、j、l、m和n的总和优选为0、1、2或3，更优选为1或2。
优选可行的情况是，所述化合物具有至少两个稠环，其中至少一个稠环是由式(RA-1)至(RA-12)和/或(RA-1a)至(RA-4f)的结构形成并且另一个环是由式(RA-1)至(RA-12)、(RA-1a)至(RA-4f)或(RB)的结构形成。
另外可行的情况是，根据上式的取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、R1和R2不和与所述取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、R1和R2所结合的环系的环原子形成稠合芳族或杂芳族环系。这包括与可能的取代基R1和R2形成稠合的芳族或杂芳族环系，其中可能的取代基R1和R2可与R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf和R1基团键合。
当尤其可选自R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、R1和R2的两个基团彼此形成环系时，此环系可以是单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族的。在这种情况下，一起形成环系的基团可以是相邻的，意味着这些基团键合至同一碳原子或键合至彼此直接键合的碳原子，或者它们可更远离彼此。此外，具有取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、R1和/或R2的环系还可经由键彼此连接，使得这可产生闭环。在这种情况下，每个相应的键合位点优选具有取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、R1和/或R2。
在一种优选构型中，本发明的化合物可由至少一个式(I)、(IIa)至(IId)、(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)、(V-1)至(V-36)和/或(VI-1)至(VI-20)的结构表示。优选地，优选包含式(I)、(IIa)至(IId)、(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)、(V-1)至(V-36)的结构的本发明化合物的分子量不超过5000g/mol，优选不超过4000g/mol，特别优选不超过3000g/mol，尤其优选不超过2000g/mol并且最优选不超过1200g/mol。
此外，优选的本发明化合物的一个特征在于它们是可升华的。这些化合物的摩尔质量通常小于约1200g/mol。
优选的芳族或杂芳族环系R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Ar'和/或Ara、Arb、Arc选自苯基，联苯基，尤其是邻联苯基、间联苯基或对联苯基，三联苯基，尤其是邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻四联苯基、间四联苯基或对四联苯基或支链四联苯基，可经由1位、2位、3位或4位连接的芴，可经由1位、2位、3位或4位连接的螺二芴，萘，尤其是1-键合萘或2-键合萘，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，可经由1位、2位、3位、4位或9位连接的咔唑，可经由1位、2位、3位或4位连接的二苯并呋喃，可经由1位、2位、3位或4位连接的二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，吡啶，嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，喹啉，异喹啉，喹唑啉，喹喔啉，菲或联三苯叉，它们中的每个可被一个或多个R1或R基团取代。
可优选的情况是，至少一个取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re在每种情况下相同或不同并且选自H，D，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或选自下式Ar-1至Ar-75的基团的芳族或杂芳族环系，其中所述取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re优选形成根据式(RA-1)至(RA-12)、(RA-1a)至(RA-4f)或(RB)的结构的环，或者取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re在每种情况下相同或不同并且选自H，D或选自下式Ar-1至Ar-75的基团的芳族或杂芳族环系，和/或Ar'基团在每种情况下相同或不同并且选自下式Ar-1至Ar-75的基团，
Figure BDA0004161071070000471
/>
Figure BDA0004161071070000481
/>
Figure BDA0004161071070000491
/>
Figure BDA0004161071070000501
/>
Figure BDA0004161071070000511
其中R1是如上文所定义，虚线键表示连接位点，并且此外：
Ar1在每种情况下相同或不同并且是具有6至18个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的二价芳族或杂芳族环系；
A在每种情况下相同或不同并且是C(R1)2、NR1、O或S；
p是0或1，其中p＝0表示不存在Ar1基团并且相应的芳族或杂芳族基团直接键合至相应基团；
q是0或1，其中q＝0表示没有A基团键合在此位置，而是R1基团键合至相应碳原子。
当上述Ar基团具有两个或更多个A基团时，这些可行的选择包括来自A定义的所有组合。在所述情况下的优选实施方式是其中一个A基团是NR1并且另一个A基团是C(R1)2或者其中两个A基团都是NR1或者其中两个A基团都是O的实施方式。
当A是NR1时，键合至氮原子的取代基R1优选是具有5至24个芳族环原子并且还可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系。在一个特别优选的实施方式中，此R1取代基在每种情况下相同或不同并且是具有6至24个芳族环原子、尤其是6至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其不具有任何稠合的芳基基团并且其不具有任何稠合的杂芳基基团，所述稠合的芳基或杂芳基基团中两个或更多个芳族或杂芳族6元环基团直接彼此稠合，并且所述芳族或杂芳族环系在每种情况下还可被一个或多个R2基团取代。优选具有如上文对于Ar-1至Ar-11所列出的键合模式的苯基、联苯基、三联苯基和四联苯基，其中这些结构可被一个或多个R2基团取代，而非被R1取代，但优选未被取代。还优选如上文对于Ar-47至Ar-50、Ar-57和Ar-58所列出的三嗪、嘧啶和喹唑啉，其中这些结构可被一个或多个R2基团取代，而非被R1取代。
下面描述优选的取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf。
在本发明的一个优选实施方式中，R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，NO2，Si(R1)3，B(OR1)2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的另一个优选的实施方式中，取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，具有1至20个碳原子的直链烷基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。
此外可行的情况是，至少一个取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re在每种情况下相同或不同并且选自H，D，具有6至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或N(Ar')2基团。在本发明的另一个优选的实施方式中，取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re形成根据式(RA-1)至(RA-12)、(RA-1a)至(RA-4f)或(RB)的结构的环，或R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re在每种情况下相同或不同并且选自H，D，具有6至30个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或N(Ar')2基团。更优选地，取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re在每种情况下相同或不同并且选自H或具有6至24个芳族环原子，优选具有6至18个芳族环原子，更优选具有6至13个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系中的每个可被一个或多个R1基团取代。
在本发明的一个优选实施方式中，Rf在每种情况下相同或不同并且选自具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的另一个优选的实施方式中，Rf在每种情况下相同或不同并且选自具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，具有6至30个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系。更优选地，Ra在每种情况下相同或不同并且选自具有1至5个碳原子的直链烷基基团或具有3至5个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，或具有6至24个芳族环原子、优选6至18个芳族环原子、更优选6至13个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的一个优选实施方式中，Rf在每种情况下相同或不同并且选自具有1至6个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，或具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个Rf基团还可一起形成环系。更优选地，Rf在每种情况下相同或不同并且选自具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，或具有6至12个芳族环原子、尤其6个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或更多个优选非芳族R2基团取代但优选未被取代的芳族环系；同时，两个Rf基团可一起形成环系。最优选地，Rf在每种情况下相同或不同并且选自具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至6个碳原子的支链烷基基团。最优选地，Rf是甲基基团或者是苯基基团，其中两个苯基基团可一起形成环系，相对于苯基基团优选甲基基团。
优选的芳族或杂芳族环系取代基R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf或Ara、Arb、Arc或Ar'选自苯基，联苯基，尤其是邻联苯基、间联苯基或对联苯基，三联苯基，尤其是邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻四联苯基、间四联苯基或对四联苯基或支链四联苯基，可经由1位、2位、3位或4位连接的芴，可经由1位、2位、3位或4位连接的螺二芴，萘，尤其是1-键合萘或2-键合萘，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，可经由1位、2位、3位或4位连接的咔唑，可经由1位、2位、3位或4位连接的二苯并呋喃，可经由1位、2位、3位或4位连接的二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，吡啶，嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，喹啉，异喹啉，喹唑啉，喹喔啉，菲或联三苯叉，它们中的每个可被一个或多个R、R1或R2基团取代。上文列出的结构Ar-1至Ar-75是特别优选的，优选式(Ar-1)、(Ar-2)、(Ar-3)、(Ar-12)、(Ar-13)、(Ar-14)、(Ar-15)、(Ar-16)、(Ar-69)、(Ar-70)、(Ar-75)的结构，并且特别优选式(Ar-1)、(Ar-2)、(Ar-3)、(Ar-12)、(Ar-13)、(Ar-14)、(Ar-15)、(Ar-16)的结构。关于结构Ar-1至Ar-75，应该指出这些结构显示具有取代基R1。在环系Ara、Arb、Arc的情况下，这些取代基R1应被R代替，并且在Rf的情况下，这些取代基R1应被R2代替。
其它合适的R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团是式-Ar4-N(Ar2)(Ar3)的基团，其中Ar2、Ar3和Ar4在每种情况下相同或不同并且是具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。此处Ar2、Ar3和Ar4中的芳族环原子的总数不超过60个并且优选不超过40个。
在这种情况下，Ar4和Ar2通过选自C(R1)2、NR1、O和S的基团还可彼此键合和/或Ar2和Ar3通过选自C(R1)2、NR1、O和S的基团还可彼此键合。优选地，Ar4和Ar2在与氮原子连接的键的相应邻位彼此连接并且Ar2和Ar3在与氮原子连接的键的相应邻位彼此连接。在本发明的另一个实施方式中，Ar2、Ar3和Ar4基团均未彼此键合。
优选地，Ar4是具有6至24个芳族环原子、优选6至12个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。更优选地，Ar4选自邻苯亚基、间苯亚基或对苯亚基或者邻联苯基、间联苯基或对联苯基，所述基团中的每个可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。最优选地，Ar4是未被取代的苯亚基基团。
优选地，Ar2和Ar3在每种情况下相同或不同并且是具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系。特别优选的Ar2和Ar3基团在每种情况下相同或不同并且选自苯，邻联苯基、间联苯基或对联苯基，邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基，邻四联苯基、间四联苯基或对四联苯基或支链四联苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，1-萘基或2-萘基，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，1-咔唑、2-咔唑、3-咔唑或4-咔唑，1-二苯并呋喃、2-二苯并呋喃、3-二苯并呋喃或4-二苯并呋喃，1-二苯并噻吩、2-二苯并噻吩、3-二苯并噻吩或4-二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，2-吡啶、3-吡啶或4-吡啶，2-嘧啶、4-嘧啶或5-嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，菲或联三苯叉，它们中的每个可被一个或多个R1基团取代。最优选地，Ar2和Ar3在每种情况下相同或不同并且选自苯，联苯基，尤其是邻联苯基、间联苯基或对联苯基，三联苯基，尤其是邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻四联苯基、间四联苯基或对四联苯基或支链四联苯基，芴，尤其是1-芴、2-芴、3-芴或4-芴，或螺二芴，尤其是1-螺二芴、2-螺二芴、3-螺二芴或4-螺二芴。
在本发明的另一个优选的实施方式中，R1在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，或具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系。在本发明的一个特别优选的实施方式中，R1在每种情况下相同或不同并且选自H，具有1至6个碳原子，尤其是具有1、2、3或4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团可被一个或多个R5基团取代，但优选未被取代，或具有6至13个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R5基团取代但优选未被取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的另一个优选的实施方式中，R2在每种情况下相同或不同并且是H，具有1至4个碳原子的烷基基团或具有6至10个碳原子的芳基基团，所述芳基基团可被具有1至4个碳原子的烷基基团取代，但优选未被取代。
同时，在通过真空蒸发加工的本发明化合物中，烷基基团优选具有不超过五个碳原子，更优选不超过4个碳原子，最优选不超过1个碳原子。对于从溶液中加工的化合物，合适的化合物也是被烷基基团，尤其是具有至多10个碳原子的支链烷基基团取代的那些，或者被低聚芳亚基基团，例如邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基或四联苯基基团取代的那些。
此外可行的情况是，所述化合物包含恰好两个或恰好三个式(I)、(IIa)至(IIc)、(III-1)至(III-56)、(IV-1)至(IV-56)、(V-1)至(V-36)和/或(VI-1)至(VI-20)的结构，其中X1、X2、X3基团中的至少一者所结合或包含X1、X2、X3基团中的至少一者的芳族或杂芳族环系的优选一者由两个结构共用。
在一种优选构型中，所述化合物选自式(D-1)、(D-2)、(D-3)或(D-4)的化合物，
Figure BDA0004161071070000571
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Figure BDA0004161071070000581
其中L1基团是连接基团，优选是键或具有5至40个、优选5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系，X是CR或N，优选CR，并且使用的其它符号和标记具有上文，尤其是对于式(I)和/或式(III-1)至(III-56)给出的定义。
在本发明的另一个优选的实施方式中，L1是键或具有5至14个芳族或杂芳族环原子的芳族或杂芳族环系，优选是具有6至12个碳原子并且可被一个或多个R1基团取代但优选未被取代的芳族环系，其中R1可具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。更优选地，L1是具有6至10个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个杂芳族环原子的杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系中的每个可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，其中R2可具有上文，尤其是对于式(I)给出的定义。
更优选地，式(D4)中所示的符号L1尤其在每种情况下相同或不同并且是键或具有5至24个环原子、优选6至13个环原子、更优选6至10个环原子的芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接键合至其它基团的相应原子，即经由芳族或杂芳族基团的原子键合至其他基团的相应原子。
另外可行的情况是，式(D4)中所示的L1基团包含具有不超过两个稠合芳族和/或杂芳族6元环的芳族环系，优选不包含任何稠合的芳族或杂芳族环系。因此，萘基结构优于蒽结构。此外，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基优于萘基结构。
特别优选不具有稠合的结构，例如苯基、联苯基、三联苯基和/或四联苯基结构。
合适的芳族或杂芳族环系L1的实例选自邻苯亚基、间苯亚基或对苯亚基，邻联苯亚基、间联苯亚基或对联苯亚基，三联苯亚基，尤其是支链三联苯亚基，四联苯亚基，尤其是支链四联苯亚基，芴亚基，螺二芴亚基，二苯并呋喃亚基，二苯并噻吩亚基和咔唑亚基，所述基团中的每个可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。
上述优选的实施方式可在权利要求1中定义的限制范围内根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选特征同时出现。
根据上述实施方式的优选化合物的实例是下表中所示的化合物：
Figure BDA0004161071070000591
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Figure BDA0004161071070000601
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Figure BDA0004161071070000611
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Figure BDA0004161071070000621
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Figure BDA0004161071070000631
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Figure BDA0004161071070000641
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Figure BDA0004161071070000651
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Figure BDA0004161071070000661
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Figure BDA0004161071070000671
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Figure BDA0004161071070000681
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Figure BDA0004161071070000691
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Figure BDA0004161071070000701
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Figure BDA0004161071070000711
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Figure BDA0004161071070000731
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Figure BDA0004161071070000741
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Figure BDA0004161071070000751
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Figure BDA0004161071070000761
本发明化合物的优选实施方式在实施例中详细叙述，这些化合物可单独使用或与其它化合物组合用于本发明的所有目的。
只要满足权利要求1中规定的条件，上述优选实施方式可根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选实施方式同时适用。
原则上可通过各种方法制备本发明的化合物。然而，已经发现下文描述的方法是特别合适的。
因此，本发明还提供了一种用于制备本发明化合物的方法，其中合成具有Z1基团或Z1基团前体的基本骨架，并且优选通过芳族亲核取代反应或偶联反应引入W1、W2基团中的至少一者。
包含具有Z1基团的基本骨架的合适化合物在许多情况下可购得，并且实施例中详述的起始化合物可通过已知方法获得，并且因此对其进行参照。
这些化合物可通过已知的偶联反应与其它化合物反应，为此目的的必要条件为本领域技术人员所知，并且实施例中的详细说明有助于本领域技术人员实施这些反应。
全部导致C-C键形成和/或C-N键形成的特别合适且优选的偶联反应是根据BUCHWALD、SUZUKI、YAMAMOTO、STILLE、HECK、NEGISHI、SONOGASHIRA和HIYAMA的那些。这些反应是广泛已知的，并且所述实施例将为本领域技术人员提供进一步的指示。
上文详述的制备方法的原理原则上从关于类似化合物的文献中可获知，并且本领域技术人员可容易地加以调整以制备本发明的化合物。其它信息可见于实施例中。
如果需要，可通过这些方法，继以纯化，例如重结晶或升华，以获得高纯度、优选大于99％(通过1H NMR和/或HPLC测定)的本发明化合物。
本发明的化合物还可与聚合物混合。同样可将这些化合物共价结合到聚合物中。尤其可行的是被反应性离去基团如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯取代，或被反应性可聚合基团例如烯烃或氧杂环丁烷取代的化合物。这些可用作制备相应低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。低聚或聚合优选经由卤素官能度或硼酸官能度或经由可聚合基团实现。另外可经由这种基团使聚合物交联。本发明的化合物和聚合物可以以交联或未交联的层的形式使用。
因此，本发明还提供了含有一个或多个上述式(I)的结构和此式的或本发明化合物的优选实施方式的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中存在一个或多个的本发明化合物或式(I)的结构和所述式的优选实施方式与所述聚合物、低聚物或树枝状大分子连接的键。根据式(I)的结构和此式或所述化合物的优选实施方式的连接，这些因此形成低聚物或聚合物的侧链或者在主链内键合。所述聚合物、低聚物或树枝状大分子可以是共轭的、部分共轭的或非共轭的。所述低聚物或聚合物可以是线性、支化或树枝状的。如上文所述的相同优选特征适用于低聚物、树枝状大分子和聚合物中的本发明化合物的重复单元。
为了制备所述低聚物或聚合物，使本发明的单体进行均聚或与另外的单体进行共聚。优选如下的共聚物，其中式(I)的单元或上下文所述的优选实施方式以0.01至99.9摩尔％、优选5至90摩尔％、更优选20至80摩尔％的范围存在。形成聚合物基本骨架的合适且优选的共聚单体选自芴(例如根据EP 842208或WO 2000/022026的)、螺二芴(例如根据EP707020、EP 894107或WO 2006/061181的)、对苯亚基(例如根据WO 92/18552的)、咔唑(例如根据WO 2004/070772或WO 2004/113468的)、噻吩(例如根据EP 1028136的)、二氢菲(例如根据WO 2005/014689的)、顺式和反式茚并芴(例如根据WO 2004/041901或WO 2004/113412的)、酮(例如根据WO 2005/040302的)、菲(例如根据WO 2005/104264或WO 2007/017066的)或者这些单元中的多种。所述聚合物、低聚物和树枝状大分子还可含有其它单元，例如空穴传输单元，尤其是基于三芳基胺的那些，和/或电子传输单元。
另外特别关注的是具有高玻璃化转变温度特征的本发明化合物。就此而言，尤其优选的是如下本发明化合物，其包含式(I)的结构或上下文所述的优选实施方式，根据DIN51005(2005-08版)测得其玻璃化转变温度为至少70℃，更优选至少110℃，甚至更优选至少125℃并且尤其优选至少150℃。
为了从液相加工本发明化合物，例如通过旋涂或通过印刷方法进行加工，需要本发明化合物的制剂。这些制剂可以例如是溶液、分散液或乳液。出于这个目的，可优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂例如是甲苯，苯甲醚，邻二甲苯、间二甲苯或对二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲苯，萘满，邻二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二
Figure BDA0004161071070000791
烷，苯氧基甲苯，尤其是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙基苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，NMP，对伞花烃，苯***，1,4-二异丙基苯，二苄醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲基醚，二乙二醇单丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-异丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，2-甲基联苯，3-甲基联苯，1-甲基萘，1-乙基萘，辛酸乙酯，癸二酸二乙酯，辛酸辛酯，庚基苯，异戊酸薄荷酯，己酸环己酯或这些溶剂的混合物。
因此，本发明还提供了一种制剂或一种组合物，所述制剂或组合物包含至少一种本发明化合物和至少一种另外的化合物。所述另外的化合物可以例如是溶剂，尤其是上述溶剂中的一种或这些溶剂的混合物。如果所述另外的化合物包含溶剂，则该混合物在本文中被称为制剂。可替代地，所述另外的化合物可以是同样在电子器件中使用的至少一种另外的有机或无机化合物，例如发光体和/或基质材料，其中这些化合物不同于本发明的化合物。与有机电致发光器件相关的合适的发光体和基质材料在后面列出。所述另外的化合物还可以是聚合的。
因此，本发明还另外提供了一种组合物，所述组合物包含本发明化合物和至少一种另外的有机功能材料。功能材料通常是在阳极和阴极之间引入的有机或无机材料。优选地，所述有机功能材料选自：荧光发光体、磷光发光体、显示TADF(热激活延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、宽带隙材料和n型掺杂剂。
本发明还提供了本发明化合物在电子器件中，尤其是在有机电致发光器件中的用途，优选作为发光体，更优选作为绿色、红色或蓝色发光体的用途。在这种情况下，本发明化合物优选表现出荧光特性，因此优先提供荧光发光体。此外，本发明化合物可作为主体材料、电子传输材料和/或空穴导体材料。此处尤其可使用其中Z1、Z2基团是N的本发明化合物有利地作为空穴导体材料。还尤其可使用其中Z1、Z2基团是B的本发明化合物有利地作为电子传输材料。此外，可使用本发明化合物作为光的颜色转换材料(例如作为PCC、像素颜色转换器)。
本发明还另外提供了一种电子器件，所述电子器件包含至少一种本发明化合物。在本发明上下文中的电子器件是包括至少一个层的器件，所述至少一个层包含至少一种有机化合物。该组件还可包括无机材料或者完全由无机材料形成的层。
所述电子器件优选选自：有机电致发光器件(OLED、sOLED、PLED、LEC等)，优选有机发光二极管(OLED)、基于小分子的有机发光二极管(sOLED)、基于聚合物的有机发光二极管(PLED)、发光电化学电池(LEC)，有机激光二极管(O-激光器)，有机等离子体发光器件(D.M.Koller等人,Nature Photonics 2008,1-4)，有机集成电路(O-IC)，有机场效应晶体管(O-FET)，有机薄膜晶体管(O-TFT)，有机发光晶体管(O-LET)，有机太阳能电池(O-SC)，有机光学检测器，有机光感受器，有机场猝熄器件(O-FQD)和有机电传感器，优选有机电致发光器件(OLED、sOLED、PLED、LEC等)，更优选有机发光二极管(OLED)、基于小分子的有机发光二极管(sOLED)、基于聚合物的有机发光二极管(PLED)，尤其是磷光OLED。
所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层之外，它还可包括另外的层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层和/或电荷产生层。同样可将例如具有激子阻挡功能的中间层引入两个发光层之间。然而，应该指出的是，这些层中的每一个不一定必须存在。在这种情况下，有机电致发光器件可包含一个发光层，或者它可包含多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选总共具有多个在380nm与750nm之间的发光峰值，使得总体结果是白色发光；换句话说，在发光层中使用了可发荧光或发磷光的多种发光化合物。尤其优选的是具有三个发光层的体系，其中所述三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发光。本发明的有机电致发光器件还可是串联电致发光器件，尤其是发白光的OLED。
根据确切的结构，本发明化合物可用于不同的层中。优选在发光层中包含式(I)的化合物或上述优选实施方式作为发光体，优选红色、绿色或蓝色发光体的有机电致发光器件。
当本发明化合物在发光层中用作发光体时，优选使用本身已知的合适的基质材料。
基于发光体和基质材料的总混合物，本发明化合物和基质材料的优选混合物含有介于99体积％与1体积％之间、优选介于98体积％与10体积％之间、更优选介于97体积％与60体积％之间并且尤其介于95体积％与80体积％之间的基质材料。相应地，基于发光体和基质材料的总混合物，所述混合物含有介于1体积％与99体积％之间、优选介于2体积％与90体积％之间、更优选介于3体积％与40体积％之间并且尤其介于5体积％与20体积％之间的发光体。
可与本发明化合物组合使用的合适的基质材料是芳族酮，芳族氧化膦或芳族亚砜或砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的；三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-联咔唑基联苯)或公开在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或WO 2013/041176中的咔唑衍生物；吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的；茚并咔唑衍生物，例如根据WO 2010/136109、WO 2011/000455、WO 2013/041176或WO 2013/056776的；氮杂咔唑衍生物，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的；双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725的；硅烷，例如根据WO 2005/111172的；硼氮杂环戊熳或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052的；三嗪衍生物，例如根据WO 2007/063754、WO 2008/056746、WO 2010/015306、WO 2011/057706、WO 2011/060859或WO 2011/060877的；锌络合物，例如根据EP 652273或WO 2009/062578的；硅二氮杂环戊熳或硅四氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054729的；磷二氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054730的；桥连咔唑衍生物，例如根据WO 2011/042107、WO 2011/060867、WO 2011/088877和WO 2012/143080的；联三苯叉衍生物，例如根据WO 2012/048781的；二苯并呋喃衍生物，例如根据WO 2015/169412、WO 2016/015810、WO 2016/023608、WO 2017/148564或WO 2017/148565的；或联咔唑，例如根据JP 3139321 B2的。
此外，所用的共主体可以是即使参与电荷传输也不参与到显著程度的化合物，如在例如WO 2010/108579中所述的。尤其适合作为共基质材料与本发明化合物组合的是具有大带隙并且本身即使参与发光层的电荷传输也至少不参与到显著程度的化合物。此类材料优选是纯烃。此类材料的实例可以见于例如WO 2009/124627或WO 2010/006680中。
在一种优选构型中，用作发光体的本发明化合物优选与一种或多种磷光材料(三重态发光体)和/或作为TADF(热激活延迟荧光)主体材料的化合物组合使用。此处优选形成超荧光和/或超磷光体系。
WO 2015/091716 A1和WO 2016/193243 A1公开了在发光层中同时含有磷光化合物和荧光发光体的OLED，其中能量从磷光化合物传递到荧光发光体(超磷光)。在上下文中，磷光化合物因此充当主体材料。如本领域技术人员所知，与发光体相比，主体材料具有更高的单重态和三重态能量，以便来自主体材料的能量还可以最大效率传递到发光体。现有技术中公开的体系恰好具有这样的能量关系。
在本发明上下文中的磷光应理解为是指从较高自旋多重性的激发态，即自旋态>1的发光，尤其是从激发三重态发光。在本申请的上下文中，所有含过渡金属或镧系元素的发光络合物，尤其是所有铱、铂和铜络合物，都应视为磷光化合物。
合适的磷光化合物(＝三重态发光体)尤其是这样的化合物：其在适当激发时发光、优选在可见区发光，并且还含有至少一种原子序数大于20、优选大于38且小于84、更优选大于56且小于80的原子，尤其是具有该原子序数的金属。所用的优选的磷光发光体是含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，尤其是含有铱或铂的化合物。
上述发光体的实例可见于申请WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO2014/094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO2016/015815、WO 2016/124304、WO 2017/032439、WO 2018/011186、WO 2018/001990、WO2018/019687、WO 2018/019688、WO 2018/041769、WO 2018/054798、WO 2018/069196、WO2018/069197、WO 2018/069273、WO 2018/178001、WO 2018/177981、WO 2019/020538、WO2019/115423、WO 2019/158453和WO 2019/179909。一般来说，根据现有技术在磷光电致发光器件使用的和在有机电致发光领域中的技术人员已知的所有磷光络合物都是合适的，并且本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用另外的磷光络合物。
如上所述，本发明化合物可优选与TADF主体材料和/或TADF发光体组合使用。
例如，B.H.Uoyama等人,Nature 2012,第492卷,234描述了称为热激活延迟荧光(TADF)的方法。为了实现这一过程，发光体中需要例如小于约2000cm-1的相对较小的单重态-三重态间隔ΔE(S1–T1)。为了产生原则上自旋禁阻的T1—→S1跃迁以及发光体，可在基质中提供具有强自旋轨道耦合的其他化合物，使得能够经由空间临近和分子之间因此可发生的相互作用来实现系间窜越，或者借助于发光体中存在的金属原子产生自旋轨道耦合。
在本发明的另一个实施方式中，本发明的有机电致发光器件不含任何独立的空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴阻挡层和/或电子传输层，这意味着发光层与空穴注入层或阳极直接相邻，和/或发光层与电子传输层或电子注入层或阴极直接相邻，如在例如WO2005/053051中所述。另外，可使用与发光层中的金属络合物相同或类似的金属络合物作为与发光层直接相邻的空穴传输或空穴注入材料，如在例如WO 2009/030981中所述。
还优选的有机电致发光器件是在空穴传导层中包含式(I)的化合物或上述优选实施方式作为空穴导体材料的有机电致发光器件。此处尤其优选其中Z1基团是N并且Y基团是N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、CR2、SiR2、O、S或Se的化合物。此外，此处尤其优选其中Z1、Z2基团中的至少一者、优选两者是N的化合物。
还优选在电子传导层中包含式(I)的化合物或上述优选实施方式作为电子传输材料的有机电致发光器件。此处尤其优选其中Z1基团是B并且Y基团是B(Arb)、B(R)、P(＝O)Arb、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2的化合物。此外，此处尤其优选其中Z1、Z2基团中的至少一者、优选两者是B的化合物。
在本发明的有机电致发光器件的另外的层中，可使用根据现有技术通常使用的任何材料。因此，本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下，使用已知用于有机电致发光器件的任何材料与本发明的式(I)的化合物或上述优选实施方式的组合。
另外优选这样的有机电致发光器件，其特征在于通过升华工艺施加一个或多个层。在这种情况下，在真空升华***中，在小于10-5毫巴、优选小于10-6毫巴的初始压力下通过气相沉积施加所述材料。然而，初始压力也可以甚至更低，例如小于10-7毫巴。
同样优选这样的有机电致发光器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华施加一个或多个层。在这种情况下，在介于10-5毫巴和1巴之间的压力下施加所述材料。该方法的一个特例是OVJP(有机蒸气喷印)方法，其中通过喷嘴直接施加所述材料并因此结构化。
另外优选一种有机电致发光器件，其特征在于从溶液中产生一个或多个层，例如通过旋涂，或通过任何印刷方法例如丝网印刷、柔版印刷、平版印刷、LITI(光引发热成像，热转印)、喷墨印刷或喷嘴印刷，来产生一个或多个层。为此目的，需要例如通过合适的取代获得的可溶性化合物。
用于施加上述式(I)的化合物或其优选实施方式的制剂是新型的。因此，本发明还提供了含有至少一种溶剂和上述根据式(I)的化合物或其优选实施方式的制剂。
此外，可以是混合式方法，其中例如从溶液施加一个或多个层并且通过气相沉积施加一个或多个另外的层。
本领域技术人员通常知道这些方法并且能够在不付出创造性劳动的情况下将它们应用到包含本发明化合物的有机电致发光器件。
相比于现有技术，本发明的化合物和本发明的有机电致发光器件具有改进的寿命的特定特征。同时，所述电致发光器件的其它电子特性，例如效率或工作电压，至少保持同样良好。在另一个变体中，与现有技术相比，本发明的化合物和本发明的有机电致发光器件尤其具有改进的效率和/或工作电压以及更高的寿命的特征。
相比于现有技术，本发明的电子器件，尤其是有机电致发光器件因以下令人惊讶的优点中的一个或多个而值得注意：
1.包含上下文所述的式(I)的化合物或优选实施方式作为发光体的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有非常窄的具有低半高全宽(Full Width Half Maximum，FWHM)值的发光带，并导致可通过低CIE y值识别的特别纯的颜色发光。这里特别令人惊讶的是，提供了具有低FWHM值的蓝色发光体和在色谱的绿色、黄色或红色区域发光的具有低FWHM的发光体。
2.包含上下文所述的式(I)的化合物或优选实施方式，尤其是作为发光体，作为空穴导体材料和/或作为电子传输材料的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有非常好的寿命。在本文中，这些化合物尤其产生低滚降，即器件在高发光密度下的功率效率下降幅度小。
3.包含上下文所述的式(I)的化合物或优选实施方式，作为发光体，作为空穴导体材料和/或作为电子传输材料的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有优异的效率。在本文中，具有上下文所述的式(I)结构或优选实施方式的本发明化合物当用于电子器件时产生低工作电压。
4.上下文所述的本发明的式(I)的化合物或优选实施方式表现出非常高的稳定性和寿命。
5.通过上下文所述的式(I)的化合物或优选实施方式，可避免在电子器件、尤其是有机电致发光器件中形成光损耗通道。因此，这些器件具有发光体的高PL效率和由此而来的高EL效率，以及基质向掺杂剂的优异能量传输。
6.上下文所述的式(I)的化合物或优选实施方式具有优异的玻璃膜形成。
7.上下文所述的式(I)的化合物或优选实施方式由溶液形成非常好的膜并显示优异的溶解性。
这些上述优点不伴随着其它电子特性的过高的劣化。
应该指出，本发明中所描述的实施方式的变化形式均由本发明的范围所涵盖。除非明确排除，否则本发明中公开的任何特征都可交换为用于相同目的或者等效或相似目的的替代特征。因此，除非另有说明，否则本发明中公开的任何特征都应被视为通用系列的示例或者视为等效或类似特征。
本发明的所有特征可以任何方式彼此组合，除非特定特征和/或步骤是相互排斥的。本发明的优选特征尤其如此。同样，非必要组合的特征可单独使用(而不是组合使用)。
还应指出，许多特征，并且尤其是本发明的优选实施方式的特征，其本身应被视为具有创造性，而不仅仅是本发明的一些实施方式。对于这些特征，可寻求独立保护来补充或替代任何当前要求保护的发明。
与本发明一起公开的技术教导可被提炼并与其它实施例结合。
通过以下实施例更详细地说明本发明，但无意由此限制本发明。本领域技术人员将能够不付出创造性劳动的情况下使用所给出的信息在所公开的整个范围内实施本发明，并在不付出创造性劳动的情况下制备另外的本发明化合物并将它们用于电子器件中，或采用本发明的方法。
实施例：
除非另有说明，否则以下合成在保护气体气氛下在无水溶剂中进行。金属络合物另外在避光下或在黄光下处理。溶剂和试剂可购自例如Sigma-ALDRICH或ABCR。方括号中的相应数字或针对个别化合物引用的数字涉及从文献已知的化合物的CAS编号。在化合物可具有多种对映异构体、非对映异构体或互变异构体形式的情况下，以代表性方式显示一种形式。
合成子S的合成：
实施例S1:
Figure BDA0004161071070000881
类似于Chung-Chieh Lee等人,Synthesis 2008,9,1359的程序。
完整程序包括在保护性气体下进行处理。将34.0g(120mmol)的1-溴-2-碘苯[583-55-1]、17.1g(100mmol)的2,3-二氢萘[1,8-de]-1,3-
Figure BDA0004161071070000882
嗪[210229-54-2]、20.7g(150mmol)的碳酸钾、1.9g(10mmol)的碘化亚铜[7681-65-4]、2.9g(20mmol)的1R,2R-N,N-二甲基环己烷-1,2-二胺[67579-81-8]、50g玻璃珠和200ml邻二甲苯的混合物在130℃下搅拌24小时。冷却后，向反应混合物中加入500ml乙酸乙酯和500ml水，并且分离有机相，用500ml水洗涤一次和每次300ml饱和氯化钠溶液洗涤两次，并经硫酸镁干燥。混合物经硅胶床以乙酸乙酯浆液形式过滤，将滤液浓缩至干燥，使残余物与300ml乙醇一起沸腾，抽滤出固体，并且将这些用50ml乙醇洗涤两次，在减压下干燥并从乙腈/DCM(二氯甲烷)中重结晶。产率：20.7g(64mmol)64％；纯度约95％，根据1H NMR。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0004161071070000891
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Figure BDA0004161071070000901
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Figure BDA0004161071070000911
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Figure BDA0004161071070000921
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Figure BDA0004161071070000931
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Figure BDA0004161071070000941
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Figure BDA0004161071070000951
实施例，掺杂剂D1：
接下来的步骤1到3是作为三阶段的一锅反应进行。在保护性气体下实现步骤3中的处理。
步骤1：S1的锂化：
Figure BDA0004161071070000952
向带有磁力搅拌棒、滴液漏斗、水分离器、回流冷凝器和氩气保护层的烘烤过的氩气惰性化的四颈烧瓶中装入在1700ml叔丁基苯中的16.1g(50mmol)S1。将反应混合物冷却至-40℃，然后逐滴加入110.5ml(210mmol)的叔丁基锂(1.9M于正戊烷中)。将混合物在-40℃下再搅拌30分钟，使其升温至室温，然后加热至70℃，在此过程中，经由水分离器在约1小时内蒸馏出正戊烷。
步骤2：金属转移和环化
Figure BDA0004161071070000961
将反应混合物冷却回-40℃。在约10分钟的时间段逐滴加入10.4ml(110mmol)三溴化硼。添加完成后，将反应混合物在室温下搅拌1小时。然后将反应混合物冷却至0℃，并在约30分钟的时间段逐滴加入19.2ml(110mmol)二异丙基乙胺。然后将反应混合物在160℃下搅拌16小时。冷却后，使用双头玻璃料滤出氢溴酸二异丙基乙基铵，并将滤液冷却至-78℃。
步骤3：芳基化
Figure BDA0004161071070000962
向带有磁力搅拌棒的第二个烘烤过的氩气惰性化的Schlenk烧瓶中装入在1000ml二***中的27.8g(150mmol)的2-溴-1,3-二甲基苯[576-22-7]并冷却至-78℃。然后向其中逐滴加入60.0ml(150mmol)的正丁基锂(2.5M于正己烷中)，并将混合物再搅拌30分钟。使反应混合物升温至室温并再搅拌1小时，并且在减压下完全除去溶剂。将有机锂悬浮在300ml甲苯中并转移到来自步骤2的低温反应混合物中。将混合物再搅拌1小时，并使反应混合物升温至室温过夜。向反应混合物中小心地加入15ml丙酮，将其浓缩至干。用DCM将油状残余物吸收到
Figure BDA0004161071070000971
上，并通过硅胶床用戊烷-DCM混合物(10:1)进行热过滤。将滤液浓缩至干。对残余物进行两次快速色谱法，硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱***。
步骤4：氧化为D1
Figure BDA0004161071070000972
类似于R.Doringer等人,Monatshefte für Chemie,2006,137,185的程序。将来自步骤3的产物溶于150ml氯苯中，添加20g活化3A分子筛，并且将混合物在黑暗中在空气中在60℃下搅拌直至氧化完全(约5小时)。滤出分子筛并用少量氯苯冲洗，并且将混合物在减压下浓缩至干。对残余物进行两次快速色谱法，硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自A.Semrau的Torrent自动柱***。通过用DCM/乙腈重复热萃取结晶和最终分级升华或在减压下热处理来实现进一步纯化。产率：7.4g(20mmol)40％；纯度约99.9％，根据1H NMR。
可类似地制备以下化合物：
Figure BDA0004161071070000973
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Figure BDA0004161071070000981
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Figure BDA0004161071070000991
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Figure BDA0004161071070001001
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Figure BDA0004161071070001011
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Figure BDA0004161071070001021
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Figure BDA0004161071070001031
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Figure BDA0004161071070001041
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Figure BDA0004161071070001051
实施例、掺杂剂D6PA和D6PB：
Figure BDA0004161071070001052
通过真空闪热解(flash vacuum pyrolysis)从D6制备，载气：氩气，减压约10-2托，热解区温度550℃，催化剂：氧化铝上的5％ PdO。色谱分离，DCM/正庚烷，硅胶。产率：D6PA14％；D6PB 17％。
OLED组件的制造
1)真空加工的组件：
通过根据WO 2004/058911的一般方法制造本发明的OLED和根据现有技术的OLED，所述一般方法针对这里描述的情形进行了调整(层厚度变化、使用的材料)。
在以下实施例中，呈现了各种OLED的结果。涂有厚度为50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的清洁玻璃板(在Miele实验室玻璃清洗机中清洗，Merck Extran清洁剂)用UV臭氧预处理25分钟(来自UVP的PR-100UV臭氧发生器)，并且在30分钟内，为改进加工，涂有20nm的PEDOT:PSS(聚(3,4-乙亚基二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，作为CLEVIOSTMP VP AI 4083购自Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland，从水溶液中旋涂)，然后在180℃下烘烤10分钟。这些涂布玻璃板形成了施加OLED的基底。
所述OLED基本上具有以下层结构：基底/空穴注入层1(HIL1)，由掺杂有5％ NDP-9(可购自Novaled)的HTM1组成，20nm/空穴传输层1(HTL1)，包含：150nm HTM1用于蓝色OLED；50nm或实施例D-D6PA中的50nm的H500用于绿色和黄色OLED；110nm用于红色OLED/空穴传输层2(HTL2)，包含：10nm用于蓝色OLED；20nm用于绿色和黄色OLED；10nm用于红色OLED/发光层(EML)：25nm用于蓝色OLED；40nm用于绿色和黄色OLED；35nm用于红色OLED/空穴阻挡层(HBL)10nm/电子传输层(ETL)30nm/电子注入层(EIL)，包含1nm ETM2/和最后的阴极。所述阴极由厚度100nm的铝层形成。
首先，描述了真空加工的OLED。为此目的，所有材料都在真空室中通过热气相沉积施加。在这种情况下，发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和通过共蒸发以特定体积比例添加到所述一种或多种基质材料中的发光掺杂剂(发光体)组成。以例如SMB1:D1(95％:5％)的形式给出的细节此处表示，材料SMB1以95％的体积比例存在于层中，而D1以5％的比例存在于层中。类似地，电子传输层还可由两种材料的混合物组成。OLED的确切结构可见于表1中。用于制造OLED的材料示于表5中。
所述OLED以标准方式表征。为此目的，电致发光谱、从呈现郎伯发光特性的电流-电压-发光密度特性线(IUL特性线)计算作为发光密度的函数的电流效率(以cd/A计量)、功率效率(以lm/W计量)和外量子效率(EQE，以百分比计量)。电致发光谱在1000cd/m2的发光密度下记录，并且这些用于推断发光颜色。
本发明化合物作为OLED中的材料的用途：
本发明化合物的一种用途可以是在发光层中作为掺杂剂和在OLED中作为传输材料。
表1：OLED的结构
Figure BDA0004161071070001071
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Figure BDA0004161071070001081
真空加工的OLED的结果：
蓝色OLED显示在400nm至499nm范围内的发光最大值；绿色OLED显示在500nm至540nm范围内的发光最大值。两者都具有窄的发光光谱，其半高宽(FWHM：半峰全宽)在约25nm至40nm的范围内。外量子效率EQE通常为5.5％至7.0％，绿色OLED的工作电压通常为4.0V至4.2V，并且蓝色OLED的工作电压通常为4.5V至4.7V。组件寿命足以构建商业产品。
表2总结了测量数据。
表2：真空加工的OLED的结果
Figure BDA0004161071070001091
2)溶液加工的组件：
在文献中，例如在WO 2004/037887和WO 2010/097155中基本上描述了基于溶液的OLED的制造。下面的实施例结合了两种制造方法(从气相施加和溶液加工)，使得直到并包括发光层的层是从溶液加工，并且后续层(空穴阻挡层/电子传输层)是通过在减压下气相沉积来施加。为此目的，前面描述的一般方法与这里描述的情形(层厚度变化、材料)相匹配并组合如下。
因此使用的构造如下：
-基底，
-ITO(50nm)，
-PEDOT(20nm)，
-空穴传输层(HIL2)(20nm)，
-发光层(95重量％主体H1，5重量％掺杂剂)(60nm)，
-电子传输层(ETM1 50％+ETM2 50％)(20nm)，
-阴极(Al)。
使用的基底是涂有厚度50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的玻璃板。为了更好的加工，这些涂有缓冲液(PEDOT)Clevios P VP AI 4083(Heraeus Clevios GmbH,Leverkusen)；PEDOT位于顶部。旋涂是在空气下从水中实现的。随后将所述层在180℃下烘烤10分钟。将空穴传输层和发光层施加到如此涂布的玻璃板上。空穴传输层是表5所示结构的聚合物，其根据WO 2010/097155合成。将所述聚合物溶解在甲苯中，使得溶液通常具有约5g/l的固含量，此时，正如这里的情况，通过旋涂实现器件的典型层厚度20nm。所述层在惰性气体气氛(在本例中为氩气)中旋涂，并在180℃下烘烤60分钟。
发光层总是包含至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)。使用的基质材料是H1(95重量％)(参见表5)；使用的掺杂剂D是表2中所示的化合物(5重量％)。将用于发光层的混合物溶解在甲苯或氯苯中。此类溶液的典型固含量为约18g/l，此时，正如这里一样，通过旋涂实现器件的典型层厚度60nm。所述层在惰性气体气氛(在本例中为氩气)中旋涂，并在130℃至150℃下烘烤10分钟。
用于电子传输层和阴极的材料通过在真空室中的热气相沉积施加。电子传输层例如可由一种以上的材料组成，所述材料通过共蒸发以特定的体积比例相互添加。以例如ETM1:ETM2(50％:50％)的形式给出的细节在此意指，ETM1和ETM2材料以各自50％的体积比例存在于层中。阴极由100nm厚的铝层形成。本例中使用的材料示于表5中。
表3：OLED的结构
Figure BDA0004161071070001101
溶液加工的OLED的结果：
蓝色OLED显示在430nm至499nm范围内的发光最大值，具有窄的发光光谱，其半高宽(FWHM：半峰全宽)在约25nm至45nm的范围内。外量子效率EQE通常为4.5％至5.5％，绿色OLED的工作电压通常为4.3V至4.5V，并且蓝色OLED的工作电压通常为4.5V至4.9V。组件寿命足以构建商业产品。
表4总结了测量数据。
表4：溶液加工的OLED的结果
Figure BDA0004161071070001111
表5：使用的材料的结构式
Figure BDA0004161071070001112
/>
Figure BDA0004161071070001121
/>

Claims (17)

1.一种化合物，所述化合物包括至少一个式(I)的结构，
Figure FDA0004161071060000011
其中使用的符号和标记如下：
Z1在每种情况下相同或不同并且是N或B；
W1、W2在每种情况下相同或不同并且是X4或者两个W1、W2基团一起形成Ara基团，其中由两个W1、W2基团形成的Ara基团在邻位与另外的Y、Z1基团连接；
Y在每种情况下相同或不同并且是O、S、Se、N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、P(＝O)Arb、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O、SO2、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝NArb、C＝C(R)2、B(Arb)或B(R)；
U在每种情况下相同或不同并且是B(Arc)、B(R)、C＝O、C＝S、C(R)2、Si(R)2、P(R)、P(＝O)Arc、O或SO2；
V在每种情况下相同或不同并且是单键、C(R)2、O或S；
Ara在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；此处，Ara基团可与Y、U或另外的基团形成环系；
Arb在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；此处，Arb基团可与W1、X2或另外的基团形成环系；
Arc在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；此处，Arc基团可与W2、V或另外的基团形成环系；
X1在每种情况下相同或不同并且是N或CRa，条件是一个环中不超过两个X1、X2、X3基团是N；
X2在每种情况下相同或不同并且是N或CRb，条件是一个环中不超过两个X1、X2、X3基团是N；
X3在每种情况下相同或不同并且是N或CRc，条件是一个环中不超过两个X1、X2、X3基团是N；
X4在每种情况下相同或不同并且是N或CRd，条件是一个环中不超过两个X4基团是N；
R、Ra、Rb、Rc、Rd在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar')2，N(R1)2，C(＝O)N(Ar')2，C(＝O)N(R1)2，C(Ar')3，C(R1)3，Si(Ar')3，Si(R1)3，B(Ar')2，B(R1)2，C(＝O)Ar'，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar')2，P(＝O)(R1)2，P(Ar')2，P(R1)2，S(＝O)Ar'，S(＝O)R1，S(＝O)2Ar'，S(＝O)2R1，OSO2Ar'，OSO2R1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个R、Ra、Rb、Rc、Rd基团也可一起形成环系或与另外的基团形成环系；
Ar'在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar'基团也可经由单键的桥连基或选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、O、S、S＝O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(＝O)R1的桥连基连接在一起；
R1在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar”)2，N(R2)2，C(＝O)Ar”，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar”)2，P(Ar”)2，B(Ar”)2，B(R2)2，C(Ar”)3，C(R2)3，Si(Ar”)3，Si(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系中的每个可被一个或多个R2基团取代，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个的R1基团可一起形成环系；同时，一个或多个R1基团可与所述化合物的其它部分形成环系；
Ar”在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar”基团也可经由单键的桥连基或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥连基连接在一起；
R2在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I或CN代替并且可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个的取代基R2可一起形成环系。
2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物包含至少一个式(IIa)至(IId)的结构，
Figure FDA0004161071060000041
其中Z1、V、W1、W2、Y、X1、X2、X3和R具有权利要求1中给出的定义。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，所述化合物包含至少一个式(III-1)至(III-56)的结构，
Figure FDA0004161071060000051
Figure FDA0004161071060000061
Figure FDA0004161071060000071
Figure FDA0004161071060000081
Figure FDA0004161071060000091
Figure FDA0004161071060000101
Figure FDA0004161071060000111
/>
Figure FDA0004161071060000121
/>
Figure FDA0004161071060000131
/>
Figure FDA0004161071060000141
/>
Figure FDA0004161071060000151
/>
Figure FDA0004161071060000161
/>
Figure FDA0004161071060000171
/>
Figure FDA0004161071060000181
其中符号R、Z1、V、Y、X1、X2、X3和X4具有权利要求1中给出的定义并且其它符号如下：
Z2在每种情况下相同或不同并且是N或B；
Y1在每种情况下相同或不同并且是O、S、N(Ar')、N(R)、C＝O、C(R)2、Si(R)2、C＝NR、C＝NAr'、C＝C(R)2、B(Ar')或B(R)，其中符号Ar'和R具有权利要求1中给出的定义；
X5在每种情况下相同或不同并且是N或CRe；
Re在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar')2，N(R1)2，C(＝O)N(Ar')2，C(＝O)N(R1)2，C(Ar')3，C(R1)3，Si(Ar')3，Si(R1)3，B(Ar')2，B(R1)2，C(＝O)Ar'，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar')2，P(＝O)(R1)2，P(Ar')2，P(R1)2，S(＝O)Ar'，S(＝O)R1，S(＝O)2Ar'，S(＝O)2R1，OSO2Ar'，OSO2R1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团可各自被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R1C＝CR1、C≡C、Si(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR1、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；此处，两个Re基团也可彼此或与另外的基团一起形成环系，其中符号Ar'和R1具有权利要求1中给出的定义。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，所述化合物包含至少一个式(IV-1)至(IV-56)的结构，
Figure FDA0004161071060000201
/>
Figure FDA0004161071060000211
/>
Figure FDA0004161071060000221
/>
Figure FDA0004161071060000231
/>
Figure FDA0004161071060000241
/>
Figure FDA0004161071060000251
/>
Figure FDA0004161071060000261
其中符号Z1、Y、V、R、Ra、Rb、Rc和Rd具有权利要求1中给出的定义，符号Z2、Re和Y1具有权利要求3中给出的定义，标记l是0、1、2、3、4或5，标记m是0、1、2、3或4并且标记j是0、1或2。
5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于Z1基团是N并且Y基团是B(Arb)、B(R)、P(＝O)Ar、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2。
6.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于Z1基团是N并且Y基团是N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、CR2、SiR2、O、S或Se。
7.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于Z1基团是B并且Y基团是N(Arb)、N(R)、P(Arb)、P(R)、O、S或Se。
8.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于Z1基团是B并且Y基团是B(Arb)、B(R)、P(＝O)Arb、P(＝O)R、Al(Arb)、Al(R)、Ga(Arb)、Ga(R)、C＝O、S＝O或SO2。
9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的化合物，其特征在于至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团和与所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团所结合的其它基团一起形成稠环，其中所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团形成至少一个式(RA-1)至(RA-12)的结构，
Figure FDA0004161071060000271
Figure FDA0004161071060000281
其中R1具有上文所述的定义，虚线键表示所述两个R、Ra、Rc、Rd、Re基团与其结合的基团的原子的连接位点，并且其它符号定义如下：
Y2在每种情况下相同或不同并且是C(R1)2、(R1)2C-C(R1)2、(R1)C＝C(R1)、NR1、NAr'、O或S；
Rf在每种情况下相同或不同并且是F，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个Rf基团一起或者一个Rf基团与R1基团一起或与另外的基团还可形成环系；
s是0、1、2、3、4、5或6；
t是0、1、2、3、4、5、6、7或8；
v是0、1、2、3、4、5、6、7、8或9。
10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的化合物，至少两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团和与所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团所结合的其它基团一起形成稠环，其中所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团形成式(RB)的结构，
Figure FDA0004161071060000291
其中R1具有权利要求1中所述的定义，虚线键表示所述两个R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re基团所结合的连接位点，标记m是0、1、2、3或4并且Y3是C(R1)2、NR1、NAr'、BR1、BAr'、O或S。
11.根据权利要求1至10中一项或多项所述的化合物，所述化合物包含至少一个式(V-1)至(V-36)的结构，其中所述化合物具有至少一个稠环，
Figure FDA0004161071060000292
/>
Figure FDA0004161071060000301
/>
Figure FDA0004161071060000311
/>
Figure FDA0004161071060000321
/>
Figure FDA0004161071060000331
其中符号Z1、Y、V、Ra、Rb、Rc和Rd具有权利要求1中给出的定义，符号Z2、Re和Y1具有权利要求3中给出的定义，符号o表示连接位点，并且其它符号定义如下：
l是0、1、2、3、4或5；
m是0、1、2、3或4；
n是0、1、2或3；
j是0、1或2；并且
k是0或1。
12.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，所述低聚物、聚合物或树枝状大分子含有一种或多种根据权利要求1至11中的任一项所述的化合物，其中存在一个或多个的所述化合物与所述聚合物、低聚物或树枝状大分子连接的键来代替氢原子或取代基。
13.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1至11中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求12所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子和至少一种另外的化合物，其中所述另外的化合物优选选自一种或多种溶剂。
14.一种组合物，所述组合物包含至少一种根据权利要求1至11中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求12所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子和至少一种另外的化合物，所述另外的化合物选自荧光发光体、磷光发光体、显示TADF的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴导体材料、空穴注入材料、电子阻挡材料和空穴阻挡材料。
15.一种用于制备根据权利要求1至11中的一项或多项所述的化合物的方法，其特征在于，合成具有Z1基团或所述Z1基团的前体的基本骨架，并且通过芳族亲核取代反应或偶联反应引入W1、W2基团中的至少一者。
16.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求12所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子在电子器件中的用途。
17.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至11中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求12所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子。
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