JP3955724B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、半導体基板の除電技術に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板の除電方法としては、例えば、特開平８−８３１９号公報、特開平７−１４７６１号公報および特開平９−２２３６７３号公報にその技術が記載されている。
【０００３】
まず、特開平８−８３１９号公報には、イオン化エアー発生器などの帯電防止または除電機構を用いてエアーをイオン化し、これを基板に吹き付けることにより、基板の帯電防止あるいは除電を行って基板の移載ミスなどのトラブルを防止する技術が記載されている。
【０００４】
また、特開平７−１４７６１号公報には、帯電した基板を収納した筐体内において、この筐体内に非反応性ガスを導入した状態で筐体内にイオンおよび電子を生成して帯電電荷を中和し、これによって、電磁ノイズフリー、不純物汚染フリーおよび残留電位の完全消失化を実現する技術が記載されている。
【０００５】
さらに、特開平９−２２３６７３号公報には、所定の半導体層を成長させる反応炉に半導体基板を系外に取り出さずに搬送可能な搬送装置において、所定の雰囲気で所定の基体のイオンを発生させて搬送装置内の半導体基板を除電する技術が記載されている。
【０００６】
また、半導体基板にプロセス処理などが行われるクリーンルームについては、例えば、株式会社工業調査会、２０００年８月１日発行、「電子材料８月号」、１６から２１頁にその技術が紹介されており、そこには、ミニエンバイロメント（製品を汚染や人間から隔離するための密閉容器によって作り出された小さな環境）を含むクリーンルームの構造やケミカル汚染物質の除去などについてが記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
半導体製造工程のうち、特に前工程では、各工程間で半導体基板の搬送が行われるため、種々の半導体収納容器（キャリアカセットなどと呼ぶ）が用いられている。
【０００８】
この半導体収納容器には、フープ（ＦＯＵＰ；正式にはFront Opening Unified Pod)と呼ばれる密閉式のものと、ＯＣ（Open Cassette)と呼ばれる非密閉式のものとがあり、両者とも、複数の半導体基板をそれぞれに空間を介して重ねて配置収容するものである。
【０００９】
このうち、ＦＯＵＰは、半導体基板の搬入出が行われる開口部を有した容器本体と、この開口部を塞ぐ蓋とによって構成され、蓋を閉じることにより容器本体が密閉される。
【００１０】
今後、直径３００ｍｍの半導体基板を用いる際には、ＦＯＵＰを使用した前記ミニエンバイロメントの思想が求められるが、現在では非密閉式のＯＣも使用されている。
【００１１】
ところで、前記除電技術においては、以下の問題があることを本発明者は見出した。
【００１２】
すなわち、ＯＣを用いた製造ラインでは、そこに設置された半導体製造装置において、除電装置であるイオナイザが、ロードポートの上方に取り付けられており、したがって、半導体製造装置内に配置された搬送用のロボットのハンドリング部（以降、ロボットハンドと呼ぶ）や、半導体製造装置や検査装置などで処理された処理後の半導体基板の除電ができない。
【００１３】
なお、半導体基板が静電気などによって帯電していると、ロボットハンドで半導体基板を掴もうとした時、半導体基板が滑って掴むことができず、ハンドリングミスとなり、これによって、全自動ラインでエラーが発生してラインが停止してしまう。
【００１４】
ラインが一度停止すると、そのメンテナンス（復旧作業）に手間が掛かり、生産効率が低下することが問題となる。
【００１５】
また、半導体基板が帯電していると、ロボットハンドが半導体基板を掴もうとした時に、放電によってスパークしたり、電流リークが発生し、その結果、半導体基板に電気的損傷が発生することが問題となる。
【００１６】
また、ロボットハンドのハンドリングミスによって半導体基板が移動すると、パーティクルが発生することが問題となる。
【００１７】
さらに、半導体基板が帯電していると、半導体基板への異物付着が増加し、半導体基板の歩留りが低下することが問題となる。
【００１８】
また、直径３００ｍｍの半導体基板対応の密閉式の半導体収納容器であるＦＯＵＰを使用する上で、このＦＯＵＰについての仕様が盛り込まれたＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International)規格に関し、以下の問題が含まれていることを本発明者は見出した。
【００１９】
すなわち、図１２の比較例に示すように、半導体収納容器２００の容器長さＬ、および、オープナ１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差Ｄについては、ＳＥＭＩ規格のＥ４７.1およびＥ６２に、容器長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定され、また、段差Ｄは、その公差が（ｙ３４）としてｙ３４＝±０.2５ｍｍとして規定されている。
【００２０】
したがって、半導体収納容器２００の蓋２２０が容器本体２１０の前面外周部から最大で１ｍｍ奥に引っ込んでいたり、半導体収納容器２００全体の容器長さＬが最小寸法の１６５ｍｍになっている場合がある。
【００２１】
また、半導体収納容器２００を平行移動させる際の移動距離は、容器長さＬが１６５.5ｍｍの容器用に調整されていることが多いため、容器長さＬが小さい半導体収納容器２００や蓋２２０が引っ込んでいる半導体収納容器２００の場合、蓋２２０を開ける際には、オープナ１２０が半導体収納容器２００の蓋２２０に密着できない。
【００２２】
この場合、回転キー１２１が十分に蓋２２０内に挿入できないため、回転キー１２１が回転した際に、蓋２２０の露出面２２０ａ側の板を破損したり、蓋２２０側のキー溝２２１を十分に回転できず、その結果、蓋２２０を開けられなくなるという問題が起こる。
【００２３】
さらに、蓋２２０を閉める時には、蓋２２０が半導体収納容器２００に十分に収まっていない状態で回転キー１２１を回転することになり、半導体収納容器２００を閉めることができないという問題が起こる。
【００２４】
本発明の目的は、半導体基板への付着異物を減らして歩留りを向上させる半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２５】
また、本発明の目的は、半導体基板のハンドリングミスを減らして半導体製造装置の稼働率を向上させる半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２６】
さらに、本発明の目的は、放電による半導体基板へのダメージを無くして歩留りを向上させる半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２７】
また、本発明の目的は、半導体収納容器の破損を無くしてその耐用期間を延ばす半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２８】
また、本発明の目的は、半導体収納容器の開閉ミスを減らして半導体製造装置や製造ラインの停止時間を削減する半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００３１】
すなわち、本発明は、半導体基板を収納した密閉式の半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置し、この半導体収納容器から取り出した半導体基板を、ロードポートと処理部との間の搬送領域において、前記処理部で処理された半導体基板を除電して前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納するものである。
【００３２】
また、本発明は、複数のウェハを接地した状態で収容した密閉状態の第１の密閉型半導体収納容器の内部空間を、清浄度を保持した状態で第１のウェハ処理装置の局所清浄室に連結する工程、前記連結状態において、前記第１の半導体収納容器に収容された前記複数のウェハの内の全部又は一部を、前記局所清浄室に設けられた搬送機構により前記局所清浄室内を移送することによって、前記局所清浄室と前記第１のウェハ処理装置のウェハ処理部との間に設けられたロードロック・アンロードロック機構を通して、前記第１のウェハ処理装置の前記ウェハ処理部に収容する工程、前記ウェハ処理部に収容された前記ウェハに対して第１の処理を施す工程、前記第１の処理を施す工程の後、処理された前記ウェハを、前記ロードロック・アンロードロック機構を通して前記ウェハ処理部から前記局所清浄室内に取り出し、前記搬送機構により前記局所清浄室内を移送することによって、前記第１の半導体収納容器に、接地した状態で収容する工程、前記第１の処理を施す工程の後であって前記接地した状態で収容する工程中に、処理された前記ウェハを前記局所清浄室の内部天井部のファンフィルタ下部に設けられたイオナイザにより除電する工程、前記除電する工程の後、前記第１の半導体収納容器と局所清浄室の連結状態を解除することによって、前記第１の半導体収納容器を密閉状態に戻す工程を有するものである。
【００３５】
本願発明のその他の発明の概要を項に分けて以下に示す。
１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５ｍｍを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５〜１０ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
３．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より１ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
４．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５〜１０ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
【００３６】
本発明の更にその他の概要を以下項分けして説明する。
１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納した密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
３．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内の搬送領域に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記搬送領域に配置されたアースされていないロボットハンドを前記搬送領域で除電し、この除電されたロボットハンドによって前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｄ）前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
４．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内のロードロック室に移し、このロードロック室内のアースされていない基板支持台によって前記半導体基板を支持する工程、
（ｅ）前記ロードロック室から前記半導体製造装置の搬送領域に前記半導体基板を移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
５．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納した半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造装置の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体製造装置の前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
６．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとともにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半導体基板を移す工程、
（ｃ）前記搬送領域でイオナイザによって前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記処理部に前記半導体基板を移して前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記イオナイザによって前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
７．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとともにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半導体基板を移す工程、
（ｃ）前記搬送領域で除電されたロボットハンドによって前記半導体基板を支持して前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記ロボットハンドによって前記半導体基板を前記処理部に移して前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送領域の前記ロボットハンドによって前記半導体基板を支持して前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
８．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
（ｂ）前記半導体製造装置に設置された半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
９．項８記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記搬送領域のクリーン度が前記ロードポート周辺のクリーン度より高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１０．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
１１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
１２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電するとともに、前記搬送領域に設けられたケミカルフィルタによって前記半導体基板の化学汚染を防ぐ工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
１３．項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記処理部での前記半導体基板への処理前と処理後に、前記搬送領域で前記ケミカルフィルタによって前記半導体基板の化学汚染を防ぐことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１４．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基板を枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１５．項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基板を枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板が前記半導体製造装置のロードロック室で待機していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１６．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板の前記半導体収納容器への搬入出を行う際に、前記半導体収納容器開閉装置の前記オープナによって前記半導体収納容器の開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて前記半導体基板の搬入出を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１７．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板として、直径３００ｍｍの基板を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１８．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５ｍｍを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
１９．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.3ｍｍを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
２０．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.7ｍｍを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
２１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より１.0ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
２２．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、かつ前記表面板の表面から前記オープナの被接続面までの距離とフェイシャル基準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面までの距離とのオーバーラップ量が零より大きく設定された半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
半導体製造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の前記オーバーラップ量が零より大きいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２３．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備えるとともに、前記表面板の表面から前記オープナの被接続面までの距離とフェイシャル基準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面までの距離とのオーバーラップ量が零より大きくかつ1.２５ｍｍ以下に設定された半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
半導体製造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の前記オーバーラップ量が零より大きく、かつ1.２５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２４．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備えた半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
前記（ｂ）工程で前記オープナによって前記蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とが密着しないものの割合が、半導体製造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の１％以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２５．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記蓋によって前記オープナを後退させた状態で前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
２６．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記オープナによって前記半導体収納容器の前記蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記蓋によって前記オープナを後退させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２７．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２８．項２７記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板が前記半導体製造装置のロードロック室で待機していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２９．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板として、直径３００ｍｍの基板を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００３７】
【発明の実施の形態】
１．半導体基板または半導体ウェハとは、半導体集積回路の製造に用いるシリコン単結晶基板、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板（一般にほぼ平面円形状）、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基板など並びにそれらの複合的基板を言う。また、本願において半導体集積回路装置というときは、シリコンウェハやサファイア基板などの半導体または絶縁体基板上に作られるものの他、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Thin Film Transistor) およびＳＴＮ（Super Twisted Nematic)液晶などのようなガラスなどの他の絶縁基板上に作られるものなども含むものとする。
【００３８】
２．半導体収納容器：複数の半導体基板を格納する容器。そのうち、蓋と容器本体とから構成される密閉式のものをＦＯＵＰという。
【００３９】
３．フェイシャル基準面：半導体基板（半導体ウェハ）を２等分し、半導体収納容器の前側（半導体基板が取り外しまたは挿入されるところ）に平行な垂直面のこと。
【００４０】
４．半導体収納容器開閉装置：フープなどのウェハ収納容器の扉を開閉する装置で、例えば、オープナと呼ばれる金属板などから成る。
【００４１】
５．処理部：ウェハ処理部は、例えば、ドライエッチング装置におけるプラズマ反応室のように、そこにウェハを収納して所定の処理を施す装置部分をいい、一般にその部分へウェハを搬送するだけの搬送部や待機部などを除く。
【００４２】
６．搬送領域：搬送領域は、フープなどの半導体収納容器と前記ウェハ処理部間で主としてウェハの搬入搬出を行う部分で、例えば、ロードポートとウェハ処理部間の領域などを言う。したがって、プリアライメントなどの補助的処理部が有る場合にはそれらの部分も一般に搬送領域に含まれる。
【００４３】
７．イオナイザ：周辺の雰囲気ガスを電離させて正負のイオンを発生させる装置で、半導体産業においては一般に所定部分の中和によりウェハなどの除電を行う目的で利用されることが多い。具体的なイオナイザとしては、針状または細線状の電極に高電圧を印加してコロナ放電を起こし、周囲の空気を正負にイオン化して帯電物体表面の電荷を逆極性のイオンで中和する装置のこと。
【００４４】
８．ファンフィルタユニット：ＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air)フィルタ（定格風量で粒径が0.１５μｍの粒子に対して９9.９９９５％以上の粒子捕集率をもつエアフィルタ）などと小形送風機を一体化した空気清浄装置のこと。
【００４５】
９．ケミカルフィルタ：空気中のガス状汚染物を除去することを目的としたフィルタのこと。
【００４６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００４７】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００４８】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００４９】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップなども含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００５０】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。このことは前記数値および範囲についても同様である。
【００５１】
また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００５２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であり、（ａ）は表側構造、（ｂ）は裏側構造、図２は本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器（ＦＯＵＰ）の構造の一例を示す斜視図、図３は図１に示す半導体収納容器開閉装置が取り付けられる半導体製造装置の構造の一例を示す部分斜視図、図４は図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す側面図、図５は図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す平面図、図６は本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基板の搬送シーケンスの一例を示すシーケンスフロー図、図７は図４に示す半導体製造装置に対する変形例の半導体製造装置の内部構造を示す側面図、図８は図２に示す半導体収納容器に対する変形例の半導体収納容器を用いた際の半導体収納容器開閉装置のエレベータの動作を示す部分側面図である。
【００５３】
本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法は、密閉式の半導体収納容器２００（以降、容器２００と称す）を用い、これに収納された半導体基板（半導体ウェハともいう）３００を取り出して半導体製造装置４００内に移し、この半導体製造装置４００によって所望のプロセス処理（例えば、露光、エッチング、スパッタあるいは成膜などの前工程での処理）を行い、その後、処理済みの半導体基板３００を再び容器２００に収納するものである。
【００５４】
なお、半導体基板３００は、直径３００ｍｍの大形のもので、これを収納する容器２００として、ここでは、フロント開閉式のＦＯＵＰを取り上げて説明する。
【００５５】
まず、図１から図５を用いて、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられるミニエンバイロメント（製品を汚染や人間から隔離するための密閉容器によって作り出された小さな環境）対応の半導体製造装置４００の構造について説明する。
【００５６】
半導体製造装置４００は、図３、図４および図５に示すように、主に、半導体収納容器開閉装置１００（以降、開閉装置１００と称す）と、半導体基板３００に所望のプロセス処理が行われる処理部４２０と、半導体製造装置４００のロードポート１００ａと処理部４２０との間で半導体基板３００の搬送が行われる搬送領域４１０とで構成される。
【００５７】
さらに、開閉装置１００は、図１、図２に示すように、大きく分けて容器２００を載置するステージ１１０と、容器２００の蓋２２０を把持し、かつ開閉するオープナ１２０とで構成される。また、図１（ａ）に示すように、ステージ１１０には図２に示す容器２００を正確な姿勢に載置するための位置決めピン１１２と、容器２００をオープナ１２０に接近させるためのスライダ１１１とを設けている。
【００５８】
本実施の形態１では、スライダ１１１はステージ１１０内部に設置された図示しないモータとボールねじによって前後方向に移動可能である。オープナ１２０には回転キー１２１が設けてあり、回転キー１２１はオープナ１２０内部にある図示しないモータによって９０°回転可能である。
【００５９】
オープナ１２０の裏側には、図１（ｂ）に示すように、オープナ１２０を水平方向に前後進させて容器２００の蓋２２０を開閉するオープナ開閉機構１３０と、オープナ１２０を昇降させるオープナ昇降機構１３１とを設けている。オープナ開閉機構１３０とオープナ昇降機構１３１とは共に図示しないモータとボールねじによって動作し、オープナ開閉機構１３０、オープナ昇降機構１３１の駆動部分全体には、作業者が容易に触れられないように安全カバー１４０が設置されている。
【００６０】
半導体製造装置４００は、図４に示すように、内部で搬送領域４１０と処理部４２０とに分かれており、図３は、半導体製造装置４００に開閉装置１００を４台取り付けた例を示したものである。
【００６１】
なお、搬送領域４１０には、その内部天井にファンフィルタユニット４１２が設けられていて、清浄な空気が上方から下方に流れるダウンフローになっており、したがって、ファンフィルタユニット４１２の稼働時、搬送領域４１０は、クリーン度ＩＳＯ１から２に保たれ、半導体製造装置４００外部のクリーン度ＩＳＯ６と比べて非常に高清浄な状態を保てる。
【００６２】
クリーン度ＩＳＯ６の環境に半導体基板３００を放置すると、時間とともに基板表面に異物が付着し、半導体基板３００上に作られている半導体部品（半導体集積回路）の歩留まりが著しく低下する。容器２００内部は外界と遮断されており、清浄度の高い環境で半導体基板３００の出し入れを行えば容器内部の清浄度は保たれ、クリーン度ＩＳＯ６の環境に容器２００を放置しても、容器２００の蓋２２０を開閉しない限り、容器２００内部の半導体基板３００に付着する異物は微少である。
【００６３】
図４および図５は、本実施の形態１の半導体製造装置４００の内部の概略構造を示したものであり、搬送領域４１０には、内部天井にファンフィルタユニット４１２が設けられているとともに、ロードポート１００ａに配置された容器２００と処理部４２０のロードロック室４２１との間で半導体基板３００の受け渡し搬送を行う搬送ロボット４１１と、ロードロック室４２１に半導体基板３００を移す際に半導体基板３００１の位置（向き）調整を行う図５に示すアライメント部４１５とが設けられている。
【００６４】
さらに、搬送領域４１０のファンフィルタユニット４１２の下部には除電装置であるイオナイザ４１３が設置されている。イオナイザ４１３は、搬送領域４１０内で搬送中や待機中の半導体基板３００、さらには、ロードポート１００ａに配置された容器２００中の半導体基板３００を除電するものである。
【００６５】
すなわち、処理部４２０のロードロック室４２１に搬入する際もしくは処理部４２０でプロセス処理が行われた後に容器２００に戻す際の搬送中の半導体基板３００、あるいはロードロック室４２１、アンロードロック室４２２またはアライメント部４１５で待機中の半導体基板３００、さらには、ロードポート１００ａ上の容器２００に収納された半導体基板３００を除電するものであり、半導体基板３００にイオン化した気体を照射し、半導体基板３００の電位を適正に保つものである。
【００６６】
これにより、搬送領域４１０で搬送中のプロセス処理前とプロセス処理後の半導体基板３００や、ロードロック室４２１、アンロードロック室４２２およびアライメント部４１５で待機中の半導体基板３００や、容器２００に収納された半導体基板３００での帯電状態を無くすことができ、半導体基板３００の電位を適正に保つことができる。
【００６７】
なお、処理部４２０には、半導体基板３００へのプロセス処理が行われる処理室４２３が設けられ、さらに、この処理室４２３と搬送領域４１０との間には、がゲートバルブ４２１ａ，４２２ａによって密閉可能なロードロック室４２１およびアンロードロック室４２２が設けられている。
【００６８】
また、ロードロック室４２１には、半導体基板３００を待機させるために支持可能な図４に示す基板支持台４２１ｂが設けられており、図示はしていないが、アンロードロック室４２２にもこれと同様に基板支持台４２１ｂが設けられている。
【００６９】
なお、搬送領域４１０に設置された搬送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａの半導体基板３００との接触箇所や、前記基板支持台４２１ｂの半導体基板３００との接触箇所は、非導電性の樹脂コーティングが施されている。
【００７０】
したがって、ロボットハンド４１１ａや基板支持台４２１ｂで支持中の半導体基板３００は、その電位が０Ｖにはならない。
【００７１】
その結果、搬送領域４１０にイオナイザ４１３を設けて半導体基板３００を除電することは非常に有効である。
【００７２】
次に、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる容器２００の構造について説明する。
【００７３】
図２に示す容器２００は、密閉型で、かつ容器本体２１０（容器部）と蓋２２０（収納容器蓋部）とで構成され、さらに、容器本体２１０には４個のラッチ溝２１１と、容器本体２１０の開口部２１０ａの周囲にフランジ２１２とを設けてある。
【００７４】
また、容器本体２１０は、前面側に、第１の面が開放されて形成された開口部２１０ａを有し、その容器本体２１０内部には半導体基板３００を水平に収納する棚である基板保持部２１０ｂがあり、半導体基板３００を、例えば、２５枚収納可能である。
【００７５】
一方、蓋２２０は、前記第１の面の周辺部で容器本体２１０に密着することによって密閉状態を維持するものである。
【００７６】
この蓋２２０には開閉装置１００の回転キー１２１に対応する位置にキー溝２２１（鍵穴部）があり、キー溝２２１に開閉装置１００の回転キー１２１を挿入して９０°回転することで、蓋２２０にある４本のラッチ２２２が蓋２２０内部の図示しないカム機構によって蓋２２０から出入りする。その際、ラッチ２２２は容器本体２１０のラッチ溝２１１と対応する位置にあり、容器本体２１０に蓋２２０が挿入された状態でラッチ２２２を蓋２２０の周囲に出せば、蓋２２０を容器本体２１０に固定できる。
【００７７】
また、容器２００は、外殻部と内部との二重構造となっており、内部には基板保持部２１０ｂが設けられている。すなわち、半導体基板３００と接触する基板保持部２１０ｂが設けられた内部は、半導体基板３００の電位を０Ｖとするために導電性材料で形成され、前記外殻部は、非導電性材料で形成されている。
【００７８】
なお、容器２００は、必ずしも二重構造とは限らず、全体が導電性材料で一体に形成された一重構造のものであってもよい。ただし、少なくとも半導体基板３００と接触する箇所は、導電性材料によって形成されていることが好ましいが、全体が非導電性材料で形成されていてもよい。
【００７９】
また、導電性材料は、例えば、カーボン粒子入りの樹脂材などであり、前記樹脂材としては、例えば、ポリカーボネイトなどが用いられる。
【００８０】
なお、前記導電性材料を用いた際の容器２００の表面抵抗率Ｒ（Ω）は、最適範囲１×１０6 ≦Ｒ≦１×１０9 、適正範囲１×１０5 ≦Ｒ≦１×１０13、許容範囲１×１０4 ≦Ｒ≦１×１０14である。
【００８１】
したがって、容器２００では、この導電性材料が、ウェハである半導体基板３００と接触する部分のものである。ただし、容器２００全体が、この導電性材料によって形成されていてもよい。
【００８２】
次に、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法における容器２００の開閉動作について説明する。
【００８３】
最初に、密閉型の容器２００を開く動作について説明すると、まず、容器２００（第１の半導体収納容器）をステージ１１０上に載置する。続いて、ステージ１１０上のスライダ１１１を半導体製造装置４００側に平行移動し、容器２００の蓋２２０の露出面２２０ａにあるキー溝２２１（鍵穴部）の中に、開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面１２０ａの回転キー１２１（鍵部）を挿入する。
【００８４】
このままの状態で、回転キー１２１を容器２００に向かって時計回りに９０°回転すると、蓋２２０のキー溝２２１が回転し、蓋２２０がオープナ１２０に固定されるとともに、ラッチ２２２が蓋２２０内部の図示しないカム機構によって蓋２２０内部に収納される。
【００８５】
その後、オープナ開閉機構１３０を半導体製造装置４００側に水平動作することで容器２００の蓋２２０を容器本体２１０から離脱させ、続いて、オープナ昇降機構１３１でオープナ１２０を下降させる。
【００８６】
一方、容器２００を閉める動作は、前記開ける動作と逆に、オープナ昇降機構１３１を上昇してから、オープナ開閉機構１３０をステージ１１０側に水平動作してオープナ１２０に固定してある蓋２２０を容器本体２１０に接続する。
【００８７】
その後、回転キー１２１を反時計回りに９０°回転させると、蓋２２０のラッチ２２２が容器本体２１０のラッチ溝２１１に収まり、蓋２２０が容器本体２１０に固定される。
【００８８】
最後にスライダ１１１を半導体製造装置４００とは逆側に平行移動し、容器２００をステージ１１０から離脱できる状態にする。
【００８９】
次に、図１から図６を用いて、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基板３００の半導体製造装置４００への搬入出シーケンスを図６に示すシーケンスフロー図に沿って説明する。
【００９０】
まず、図６のステップＳ１に示すように、複数の半導体基板３００（図５に示す（Ａ）の半導体基板３００）を収納した第１の密閉型の容器２００を半導体製造装置４００のロードポート１００ａにセットする。
【００９１】
なお、容器２００において少なくとも基板保持部２１０ｂなどの半導体基板３００との接触箇所が導電性材料によって形成されていることにより、容器２００に収納された半導体基板３００は容器２００を介して開閉装置１００にアース接続され、したがって、ロードポート１００ａ上での容器２００内の半導体基板３００の電位は、ほぼ０Ｖとなる。
【００９２】
すなわち、複数の半導体基板３００が接地された状態で密閉状態の容器２００に収納されている。
【００９３】
続いて、半導体製造装置４００に設置された開閉装置１００のオープナ昇降機構１３１のオープナ１２０によって容器２００の蓋２２０を開ける。
【００９４】
ここで、搬送領域４１０を有する局所清浄室４３０には、第１の密閉型の容器２００の第１の面と接触または接近対向する開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａ（正面表面部）があり、この表面１５０ａには、開口部１５０ｂ（連結用開口部）が形成されている。
【００９５】
さらに、オープナ１２０は、この開口部１５０ａを覆うように設けられており、連結時に突出した状態でキー溝２２１と結合する回転キー１２１（鍵部）を有している。
【００９６】
そこで、オープナ１２０の回転キー１２１（鍵部）がフープの蓋２２０のキー溝２２１（鍵穴部）に挿入された状態で鍵開け動作を実行し、その後、オープナ１２０で蓋２２０を保持した状態でオープナ１２０を局所清浄室４３０に引き込む。
【００９７】
これにより、容器２００の内部空間を、清浄度を保持した状態で半導体製造装置４００（第１のウェハ処理装置）の搬送領域４１０が設けられた局所清浄室４３０と連結する。
【００９８】
その後、前記連結状態で、容器２００に収納された半導体基板３００を局所清浄室４３０の搬送領域４１０に設けられた搬送機構である搬送ロボット４１１によって移送する。
【００９９】
ここでは、搬送領域４１０に設置された搬送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａ（接触部）によって半導体基板３００を掴んで（把持して）容器２００から取り出し、半導体基板３００を搬送領域４１０に取り込んだ後、搬送ロボット４１１によって半導体基板３００（図５に示す（Ｂ）の半導体基板３００）をアライメント部４１５に移す（ステップＳ２）。
【０１００】
なお、ここでの容器２００は、フロント開閉式のＦＯＵＰであるため、オープナ１２０によって容器２００の開口面に対して蓋２２０を垂直に移動させて蓋２２０の開閉を行う。
【０１０１】
また、搬送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａの半導体基板３００との接触箇所には、非導電性の樹脂コーティングが施されているため、半導体基板３００は、ロボットハンド４１１ａによって支持されている間はアース接続状態にはならない。すなわち、半導体基板３００は、搬送ロボット４１１によって搬送中、その電位は０Ｖにはならない。
【０１０２】
しかしながら、本実施の形態１の半導体製造装置４００では、搬送領域４１０にイオナイザ４１３が設けられているため、搬送領域４１０での半導体基板３００の帯電をイオナイザ４１３による除電で防止することができるとともに、搬送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａも除電できる。
【０１０３】
その後、アライメント部４１５で、半導体基板３００のアライメント（向きや位置の調整）を行う。なお、アライメント部４１５も搬送領域４１０と連結しているため、イオナイザ４１３による除電を行うことができる。
【０１０４】
アライメント後、搬送ロボット４１１によってアライメント部４１５から半導体基板３００を取り出して、搬送ロボット４１１によって半導体基板３００をロードロック室４２１に移し（ステップＳ３）、ロードロック室４２１の図４に示す基板支持台４２１ｂによって半導体基板３００（図５に示す（Ｃ）の半導体基板３００）を支持する。
【０１０５】
なお、基板支持台４２１ｂの半導体基板３００との接触箇所には非導電性の樹脂コーティングが施されているため、前記した搬送ロボット４１１による搬送中と同様に、ロードロック室４２１では、半導体基板３００は、その電位が０Ｖにはならないが、ロードロック室４２１も搬送領域４１０と連結しているため、イオナイザ４１３による除電が行われる。その際、基板支持台４２１ｂも除電することができる。
【０１０６】
したがって、ロードロック室４２１においても半導体基板３００の帯電をイオナイザ４１３による除電で防止することができる。
【０１０７】
その後、ロードロック室４２１のゲートバルブ４２１ａを閉じて、ロードロック室４２１の減圧を行い、ロードロック室４２１の圧力を処理部４２０（第１のウェハ処理部）内の処理室４２３の圧力と同じにする。
【０１０８】
ロードロック室４２１の減圧後、処理室４２３側のゲートバルブ４２１ａを開けて、処理室４２３に設けられた図示しないロボットによって半導体基板３００を処理室４２３に移す（ステップＳ４）。
【０１０９】
その後、処理室４２３で半導体基板３００（図５に示す（Ｄ）の半導体基板３００）に所望のプロセス処理（第１の処理）を行う。
【０１１０】
プロセス処理後、減圧されたアンロードロック室４２２に処理室４２３の前記ロボットによって半導体基板３００を移す（ステップＳ５）。
【０１１１】
なお、アンロードロック室４２２において、ロードロック室４２１の場合と同様に、半導体基板３００（図５に示す（Ｅ）の半導体基板３００）はその電位が０Ｖにはならないが、搬送領域４１０とアンロードロック室４２２とが連結しているため、イオナイザ４１３による除電を行うことができる。
【０１１２】
その後、アンロードロック室４２２のゲートバルブ４２２ａを閉じて、アンロードロック室４２２の圧力を常圧に加圧し、加圧後、搬送領域４１０側のゲートバルブ４２２ａを開けて、搬送領域４１０の搬送ロボット４１１によってプロセス処理済みの半導体基板３００をアンロードロック室４２２から搬送領域４１０に移す（ステップＳ６）。
【０１１３】
さらに、この半導体基板３００をロードポート１００ａ上の容器２００（図５中、下側の容器２００のこと）に移し、これによって、プロセス処理済みの半導体基板３００を、順次、元の容器２００に収納する（ステップＳ７）。
【０１１４】
なお、搬送領域４１０のイオナイザ４１３によって、ロボットハンド４１１ａによる搬送中のプロセス処理が行われた半導体基板３００や、容器２００に収納した半導体基板３００（図５に示す（Ａ）の半導体基板３００）の除電を行うことができる。
【０１１５】
つまり、容器２００に半導体基板３００を接地した状態で収納する。
【０１１６】
図５に示す下側の容器２００内の全ての半導体基板３００のプロセス処理を終了し、これらを元の容器２００に収納した後、図１（ｂ）に示すオープナ開閉機構１３０のオープナ１２０によって容器２００の蓋２２０を閉め、容器２００（第１の半導体収納容器）と局所清浄室４３０の連結状態を解除する。
【０１１７】
これによって、容器２００が密閉状態に戻る。
【０１１８】
この容器２００を次工程の半導体製造装置４００の所定箇所に搬送する（ステップＳ８）。
【０１１９】
なお、半導体製造装置４００の処理部４２０での半導体基板３００へのプロセス処理は、枚葉処理で行われる。
【０１２０】
さらに、ステップＳ１からステップＳ８の半導体基板３００の搬送シーケンスは、所定の１枚の半導体基板３００に対してのシーケンスであるが、例えば、前記所定の１枚の半導体基板３００が処理部４２０で処理されている間（図５に示す（Ｄ）の半導体基板３００）、その他のプロセス処理前の半導体基板３００は、順次、ロードロック室４２１（図５に示す（Ｃ）の半導体基板３００）、アライメント部４１５（図５に示す（Ｂ）の半導体基板３００）、容器２００（図５に示す（Ａ）の半導体基板３００）で待機している。
【０１２１】
次に、図７および図８に示す本実施の形態１の変形例について説明する。
【０１２２】
図７は、変形例の半導体製造装置４００を示したものであり、搬送領域４１０と処理部４２０とが図５に示すロードロック室４２１やアンロードロック室４２２を介さずに直接連結された構造であり、この場合であっても、搬送領域４１０にイオナイザ４１３を設けることで、プロセス処理前およびプロセス処理後の半導体基板３００（図２参照）の除電を行うことができる。
【０１２３】
さらに、図７に示す半導体製造装置４００では、搬送領域４１０のファンフィルタユニット４１２にケミカルフィルタ４１４が設けられており、これによって、半導体基板３００の化学汚染（ケミカルコンタミネーション）を避けることができる。
【０１２４】
また、図８は、変形例の半導体収納容器５００（以降、容器５００と称す）を用いた際の開閉装置１００の動作を示したものである。
【０１２５】
すなわち、容器５００は、フロント開閉式ではなく、ボトム開閉式（底開き）のものであり、容器本体５１０と蓋５２０と基板保持部５１０ｂとから構成され、これを開閉装置１００のロードポート１００ａにセットする際には、蓋５２０を下方に向けてセットする。
【０１２６】
したがって、図１に示す開閉装置１００のオープナ開閉機構１３０によって容器５００の開閉を行う際には、オープナ昇降機構１３１によって図８に示すエレベータ１３１ａを下降または上昇させ、容器５００から基板保持部５１０ｂを露出させ、これによって、基板保持部５１０ｂの開口部５１０ａを介して半導体基板３００の搬入出を行うことになる。
【０１２７】
これにより、ボトム開閉式の容器５００であっても、フロント開閉式の容器２００と同様に適用できる。
【０１２８】
すなわち、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法では、半導体収納容器は、密閉式のものであれば、フロント開閉式であっても、また、ボトム開閉式であってもよい。
【０１２９】
本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０１３０】
すなわち、半導体製造装置４００のロードポート１００ａと処理部４２０との間の搬送領域４１０において、処理部４２０でプロセス処理された処理済みの半導体基板３００をイオナイザ４１３によって除電してロードポート１００ａ上の容器２００に収納することにより、半導体基板３００での帯電を無くすことができる。
【０１３１】
したがって、半導体基板３００への付着異物を減らすことができ、半導体基板３００の歩留りを向上できる。
【０１３２】
また、半導体基板３００と接触する部位（箇所）、例えば、ロボットハンド４１１ａやロードロック室４２１の基板支持台４２１ｂなどの除電も行えるため、半導体基板３００と半導体基接触箇所との電位差を無くすことができる。
【０１３３】
したがって、帯電による半導体基板３００のハンドリングミスや半導体基板３００の搬送ミスなどのトラブルを低減できる。
【０１３４】
その結果、半導体基板３００の搬送の確実性を向上できるとともに、半導体製造装置４００の稼働率を向上できる。
【０１３５】
また、半導体基板３００での帯電を無くすことができるため、放電による半導体基板３００へのダメージを低減でき、その結果、半導体基板３００の歩留りを向上できる。
【０１３６】
次に、容器２００における蓋２２０の開閉速度について説明する。
【０１３７】
半導体基板３００（半導体ウェハ）を容器２００から半導体製造装置４００へ、または半導体製造装置４００から容器２００へ移動する際、開閉装置１００を介して、半導体製造装置４００と容器２００とを接続してから、容器２００の蓋２２０を開閉することで、半導体製造装置４００内部の清浄な領域と容器２００内部の清浄な領域とを直接接続する。
【０１３８】
その際、半導体製造装置４００の内部の圧力は外界に比べて僅かに陽圧に設定されているので、容器２００を開閉する瞬間以外は容器２００のフランジ２１１と開閉装置１００の表面板１５０との間隙から異物が流入する可能性は低い。
【０１３９】
しかし、開閉装置１００のオープナ開閉機構１３０の動作速度が大きいと、容器本体２１０から蓋２２０を引き抜く瞬間、容器２００内部が負圧になり、容器２００のフランジ２１１と開閉装置１００の表面板１５０との間隙から容器２００内部に異物が流入し半導体基板３００に付着してしまう。
【０１４０】
なお、蓋２２０の開閉速度に関しては、本発明者らによるＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＪＰ００／０５０１２（国際出願日２０００．７．２７）に詳しく述べられている。
【０１４１】
（実施の形態２）
図９は本発明の実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と表面板の表面との段差の一例を示す部分平面図、図１０は本発明の実施の形態２の半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と半導体収納容器の露出面とのオーバーラップ量の一例を示す部分平面図、図１１は図１０に示す半導体製造装置におけるオープナの支持状態の一例を示す部分側面図である。
【０１４２】
本実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法は、実施の形態１で説明した密閉式で、かつフロント開閉式の図２に示す容器２００すなわちＦＯＵＰを用いて直径３００ｍｍの半導体基板３００を半導体製造装置４００に搬入出する際に、半導体製造装置４００に設置された開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面１２０ａと、容器２００の蓋２２０との位置関係を説明するものである。
【０１４３】
まず、容器２００については、図９に示す容器長さＬ（容器長さＬは、容器２００のフェイシャル基準面２３０から容器前面側の容器本体２１０の端部までの長さ、もしくはフェイシャル基準面２３０から蓋２２０の露出面２２０ａまでの長さ）は、ＳＥＭＩ規格のＥ４７.1およびＥ６２に、容器長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されている。すなわち、容器長さＬ＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍである。
【０１４４】
さらに、同規格により、ロードポート１００ａ側についても、ｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されている。
【０１４５】
また、開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差Ｄについては、ＳＥＭＩ規格のＥ６２に、その公差（ｙ３４）が、ｙ３４＝±0.２５ｍｍとして規定されている。
【０１４６】
そこで、本実施の形態２では、オープナ１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差Ｄ、すなわち、オープナ１２０の被接続面１２０ａの表面板１５０の表面１５０ａからの突出量を0.２５ｍｍより大きくする。つまり、オープナ１２０の被接続面１２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより0.２５ｍｍを越えて突出するようにする。
【０１４７】
さらに、オープナ１２０の被接続面１２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより0.３ｍｍを越えて突出するようにする（前記突出量を0.３ｍｍより大きくする）。
【０１４８】
なお、前記突出量は、フープ（容器２００）がないとした場合のオープナ１２０の（サーボ制御などによる）仮想的停止位置によるものである。
【０１４９】
そこで、前記突出量は、最適には、1.０ｍｍ、適正範囲は、0.７ｍｍ＜突出量、好ましくは、０＜突出量＜１０ｍｍである。
【０１５０】
前記突出量を最適値である1.０ｍｍとすることにより、容器長さＬが、最小値の１６５ｍｍであったとしても、確実に開閉可能な開閉装置１００を実現できる。
【０１５１】
なお、オープナ１２０の被接続面１２０ａの表面板１５０の表面１５０ａからの突出量については、ロードポート１００ａに容器２００をセットした際に、容器２００の半導体製造装置４００側に向かう平行移動により、図１１に示すように片持ちばりのオープナ支持部１３０ａで支持されたオープナ１２０が装置内側に後退するものであるとともに、オープナ１２０の水平動作を保証できる範囲であればよい。
【０１５２】
本実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法では、このように段差Ｄ（前記突出量）が設定された状態で、半導体基板３００の搬入出を行う。
【０１５３】
まず、図１に示す開閉装置１００のステージ１１０上に複数の半導体基板３００を収納した密閉状態の容器２００（第１の半導体収納容器）を配置する。
【０１５４】
その際、容器２００の第１の面である前面を、オープナ１２０の回転キー１２１が容器２００の蓋２２０のキー溝２２１に挿入されるように局所清浄室４３０の開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａと接触あるいは接近対向させる。
【０１５５】
その後、オープナ１２０の被接続面１２０ａと蓋２２０の露出面２２０ａとを密着させてオープナ１２０によって蓋２２０を掴む（把持する）。
【０１５６】
その際、オープナ１２０の被接続面１２０ａ（正面部）を、容器２００がないとした場合に表面板１５０の表面１５０ａよりも0.２５ｍｍを越えた突出長さだけ突出させるか、または突出しているように保持しておく。
【０１５７】
これにより、オープナ１２０の被接続面１２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより突出しているため、確実にオープナ１２０の被接続面１２０ａと容器２００の蓋２２０の露出面２２０ａとを密着させることができる。
【０１５８】
その後、オープナ１２０によって容器２００の開口面に対して蓋２２０を垂直に移動させて蓋２２０を開け、これにより、容器２００の開口部２１０ａと開閉装置１００の表面板１５０の開口部１５０ｂとを接続する。
【０１５９】
続いて、容器２００と半導体製造装置４００との間で、容器２００の開口部２１０ａと開閉装置１００の開口部１５０ｂとを介して半導体基板３００の容器２００への搬入出を行う。
【０１６０】
また、容器２００の蓋２２０の開閉時にオープナ１２０と蓋２２０とを確実に密着させるために、図１０に示すオーバーラップ量Ｔを０＜Ｔ≦1.２５ｍｍとなるようにする。
【０１６１】
なお、オーバーラップ量Ｔは、容器２００の容器長さＬと、オープナ１２０の表面板 １５０の表面１５０ａからの突出量（段差Ｄ）との重複量である。
【０１６２】
すなわち、前記ＳＥＭＩ規格により、容器長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されており、また、ロードポート１００ａ側についても、ドッキング時のフェイシャル基準面２３０から表面板１５０の表面１５０ａまでの距離Ｐが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されている。さらに、開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差Ｄについては、前記ＳＥＭＩ規格に、その公差（ｙ３４）が、ｙ３４＝±0.２５ｍｍとして規定されている。
【０１６３】
したがって、容器長さＬと距離Ｐと段差Ｄのそれぞれの値の公差の和が最大を取る場合が、オーバーラップ量Ｔの最大となり、Ｔ＝＋1.２５ｍｍである。また、それぞれの値の公差の和が最小を取る場合が、オーバーラップ量Ｔの最小となり、Ｔ＝−1.２５ｍｍである（この場合、オープナ１２０と蓋２２０との間に1.２５ｍｍの隙間ができることになる）。
【０１６４】
そこで、本実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法では、オープナ１２０と蓋２２０との密着が必要となるため、前記オーバーラップ量Ｔは、少なくともＴ＞０となり、オーバーラップ量Ｔの許容範囲としては、０＜Ｔ≦1.２５ｍｍとなる。
【０１６５】
したがって、オーバーラップ量Ｔ（ｍｍ）については、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００に対してＴ＞０であることが必要となり、望ましい範囲としては、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００に対して０＜Ｔ≦1.２５である。
【０１６６】
実際には、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００が、Ｔ＞０の条件を満たすのは困難であるため、オープナ１２０の被接続面１２０ａと蓋２２０の露出面２２０ａとが密着しないものの割合が、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００の１％以下であることが望ましい。
【０１６７】
ただし、オープナ１２０と蓋２２０とが密着しないものの割合は、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００の１％を越えていてもよい。
【０１６８】
本実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０１６９】
すなわち、半導体製造装置４００に設置された開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａよりオープナ１２０の被接続面１２０ａを突出させることにより、容器２００の蓋２２０の開閉を行う際に、オープナ１２０の被接続面１２０ａと容器２００の蓋２２０とを確実に密着させることができる。
【０１７０】
したがって、容器２００の破損を減らすことができ、また、発塵を防止できるとともに、容器２００の耐用期間を延ばすことができる。
【０１７１】
さらに、オープナ１２０の被接続面１２０ａと容器２００の蓋２２０とを密着させることができるため、蓋２２０の開閉を確実に行うことができ、これにより、半導体基板３００への異物付着を防止できる。
【０１７２】
また、実施の形態１のイオナイザ４１３を設置した際には、半導体基板３００の搬送の確実性を向上できるため、これと合わせて容器２００の蓋２２０の開閉の確実性を向上できることにより、半導体製造ライン全体の半導体製造装置４００の稼働率の低下を抑制できる。
【０１７３】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態１，２に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１７４】
例えば、実施の形態１，２で説明した半導体製造装置４００は、前工程のプロセス処理を行うものだけに限らず、検査装置やウェハソータのような直接、半導体基板３００への半導体製造を行わない製造装置であってもよく、その場合にも前記実施の形態１，２と同様の効果を得ることができる。
【０１７５】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【０１７６】
（１）．半導体基板の歩留りを向上できる。
【０１７７】
（２）．半導体製造装置の稼働率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であり、（ａ）は表側構造、（ｂ）は裏側構造である。
【図２】本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器（ＦＯＵＰ）の構造の一例を示す斜視図である。
【図３】図１に示す半導体収納容器開閉装置が取り付けられる半導体製造装置の構造の一例を示す部分斜視図である。
【図４】図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す側面図である。
【図５】図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基板の搬送シーケンスの一例を示すシーケンスフロー図である。
【図７】図４に示す半導体製造装置に対する変形例の半導体製造装置の内部構造を示す側面図である。
【図８】図２に示す半導体収納容器に対する変形例の半導体収納容器を用いた際の半導体収納容器開閉装置のエレベータの動作を示す部分側面図である。
【図９】本発明の実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と表面板の表面との段差の一例を示す部分平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２の半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と半導体収納容器の露出面とのオーバーラップ量の一例を示す部分平面図である。
【図１１】図１０に示す半導体製造装置におけるオープナの支持状態の一例を示す部分側面図である。
【図１２】実施の形態２に対する比較例の半導体収納容器開閉装置と半導体収納容器の関係を示す部分平面図である。
【符号の説明】
１００ 半導体収納容器開閉装置
１００ａ ロードポート
１１０ ステージ
１１１ スライダ
１１２ 位置決めピン
１２０ オープナ
１２０ａ 被接続面
１２１ 回転キー
１３０ オープナ開閉機構
１３０ａ オープナ支持部
１３１ オープナ昇降機構
１３１ａ エレベータ
１４０ 安全カバー
１５０ 表面板
１５０ａ 表面
１５０ｂ 開口部
２００ 半導体収納容器
２１０ 容器本体
２１０ａ 開口部
２１０ｂ 基板保持部
２１１ ラッチ溝
２１２ フランジ
２２０ 蓋
２２０ａ 露出面
２２１ キー溝
２２２ ラッチ
２３０ フェイシャル基準面
３００ 半導体基板
４００ 半導体製造装置
４１０ 搬送領域
４１１ 搬送ロボット
４１１ａ ロボットハンド
４１２ ファンフィルタユニット
４１３ イオナイザ
４１４ ケミカルフィルタ
４１５ アライメント部
４２０ 処理部
４２１ ロードロック室
４２１ａ ゲートバルブ
４２１ｂ 基板支持台
４２２ アンロードロック室
４２２ａ ゲートバルブ
４２３ 処理室
４３０ 局所清浄室
５００ 半導体収納容器
５１０ 容器本体
５１０ａ 開口部
５１０ｂ 基板保持部
５２０ 蓋
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、半導体基板の除電技術に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板の除電方法としては、例えば、特開平８−８３１９号公報、特開平７−１４７６１号公報および特開平９−２２３６７３号公報にその技術が記載されている。
【０００３】
まず、特開平８−８３１９号公報には、イオン化エアー発生器などの帯電防止または除電機構を用いてエアーをイオン化し、これを基板に吹き付けることにより、基板の帯電防止あるいは除電を行って基板の移載ミスなどのトラブルを防止する技術が記載されている。
【０００４】
また、特開平７−１４７６１号公報には、帯電した基板を収納した筐体内において、この筐体内に非反応性ガスを導入した状態で筐体内にイオンおよび電子を生成して帯電電荷を中和し、これによって、電磁ノイズフリー、不純物汚染フリーおよび残留電位の完全消失化を実現する技術が記載されている。
【０００５】
さらに、特開平９−２２３６７３号公報には、所定の半導体層を成長させる反応炉に半導体基板を系外に取り出さずに搬送可能な搬送装置において、所定の雰囲気で所定の基体のイオンを発生させて搬送装置内の半導体基板を除電する技術が記載されている。
【０００６】
また、半導体基板にプロセス処理などが行われるクリーンルームについては、例えば、株式会社工業調査会、２０００年８月１日発行、「電子材料８月号」、１６から２１頁にその技術が紹介されており、そこには、ミニエンバイロメント（製品を汚染や人間から隔離するための密閉容器によって作り出された小さな環境）を含むクリーンルームの構造やケミカル汚染物質の除去などについてが記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
半導体製造工程のうち、特に前工程では、各工程間で半導体基板の搬送が行われるため、種々の半導体収納容器（キャリアカセットなどと呼ぶ）が用いられている。
【０００８】
この半導体収納容器には、フープ（ＦＯＵＰ；正式にはFront Opening Unified Pod)と呼ばれる密閉式のものと、ＯＣ（Open Cassette)と呼ばれる非密閉式のものとがあり、両者とも、複数の半導体基板をそれぞれに空間を介して重ねて配置収容するものである。
【０００９】
このうち、ＦＯＵＰは、半導体基板の搬入出が行われる開口部を有した容器本体と、この開口部を塞ぐ蓋とによって構成され、蓋を閉じることにより容器本体が密閉される。
【００１０】
今後、直径３００ｍｍの半導体基板を用いる際には、ＦＯＵＰを使用した前記ミニエンバイロメントの思想が求められるが、現在では非密閉式のＯＣも使用されている。
【００１１】
ところで、前記除電技術においては、以下の問題があることを本発明者は見出した。
【００１２】
すなわち、ＯＣを用いた製造ラインでは、そこに設置された半導体製造装置において、除電装置であるイオナイザが、ロードポートの上方に取り付けられており、したがって、半導体製造装置内に配置された搬送用のロボットのハンドリング部（以降、ロボットハンドと呼ぶ）や、半導体製造装置や検査装置などで処理された処理後の半導体基板の除電ができない。
【００１３】
なお、半導体基板が静電気などによって帯電していると、ロボットハンドで半導体基板を掴もうとした時、半導体基板が滑って掴むことができず、ハンドリングミスとなり、これによって、全自動ラインでエラーが発生してラインが停止してしまう。
【００１４】
ラインが一度停止すると、そのメンテナンス（復旧作業）に手間が掛かり、生産効率が低下することが問題となる。
【００１５】
また、半導体基板が帯電していると、ロボットハンドが半導体基板を掴もうとした時に、放電によってスパークしたり、電流リークが発生し、その結果、半導体基板に電気的損傷が発生することが問題となる。
【００１６】
また、ロボットハンドのハンドリングミスによって半導体基板が移動すると、パーティクルが発生することが問題となる。
【００１７】
さらに、半導体基板が帯電していると、半導体基板への異物付着が増加し、半導体基板の歩留りが低下することが問題となる。
【００１８】
また、直径３００ｍｍの半導体基板対応の密閉式の半導体収納容器であるＦＯＵＰを使用する上で、このＦＯＵＰについての仕様が盛り込まれたＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International)規格に関し、以下の問題が含まれていることを本発明者は見出した。
【００１９】
すなわち、図１２の比較例に示すように、半導体収納容器２００の容器長さＬ、および、オープナ１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差Ｄについては、ＳＥＭＩ規格のＥ４７.1およびＥ６２に、容器長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定され、また、段差Ｄは、その公差が（ｙ３４）としてｙ３４＝±０.2５ｍｍとして規定されている。
【００２０】
したがって、半導体収納容器２００の蓋２２０が容器本体２１０の前面外周部から最大で１ｍｍ奥に引っ込んでいたり、半導体収納容器２００全体の容器長さＬが最小寸法の１６５ｍｍになっている場合がある。
【００２１】
また、半導体収納容器２００を平行移動させる際の移動距離は、容器長さＬが１６５.5ｍｍの容器用に調整されていることが多いため、容器長さＬが小さい半導体収納容器２００や蓋２２０が引っ込んでいる半導体収納容器２００の場合、蓋２２０を開ける際には、オープナ１２０が半導体収納容器２００の蓋２２０に密着できない。
【００２２】
この場合、回転キー１２１が十分に蓋２２０内に挿入できないため、回転キー１２１が回転した際に、蓋２２０の露出面２２０ａ側の板を破損したり、蓋２２０側のキー溝２２１を十分に回転できず、その結果、蓋２２０を開けられなくなるという問題が起こる。
【００２３】
さらに、蓋２２０を閉める時には、蓋２２０が半導体収納容器２００に十分に収まっていない状態で回転キー１２１を回転することになり、半導体収納容器２００を閉めることができないという問題が起こる。
【００２４】
本発明の目的は、半導体基板への付着異物を減らして歩留りを向上させる半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２５】
また、本発明の目的は、半導体基板のハンドリングミスを減らして半導体製造装置の稼働率を向上させる半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２６】
さらに、本発明の目的は、放電による半導体基板へのダメージを無くして歩留りを向上させる半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２７】
また、本発明の目的は、半導体収納容器の破損を無くしてその耐用期間を延ばす半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２８】
また、本発明の目的は、半導体収納容器の開閉ミスを減らして半導体製造装置や製造ラインの停止時間を削減する半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００３１】
すなわち、本発明は、半導体基板を収納した密閉式の半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置し、この半導体収納容器から取り出した半導体基板を、ロードポートと処理部との間の搬送領域において、前記処理部で処理された半導体基板を除電して前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納するものである。
【００３２】
また、本発明は、複数のウェハを接地した状態で収容した密閉状態の第１の密閉型半導体収納容器の内部空間を、清浄度を保持した状態で第１のウェハ処理装置の局所清浄室に連結する工程、前記連結状態において、前記第１の半導体収納容器に収容された前記複数のウェハの内の全部又は一部を、前記局所清浄室に設けられた搬送機構により前記局所清浄室内を移送することによって、前記局所清浄室と前記第１のウェハ処理装置のウェハ処理部との間に設けられたロードロック・アンロードロック機構を通して、前記第１のウェハ処理装置の前記ウェハ処理部に収容する工程、前記ウェハ処理部に収容された前記ウェハに対して第１の処理を施す工程、前記第１の処理を施す工程の後、処理された前記ウェハを、前記ロードロック・アンロードロック機構を通して前記ウェハ処理部から前記局所清浄室内に取り出し、前記搬送機構により前記局所清浄室内を移送することによって、前記第１の半導体収納容器に、接地した状態で収容する工程、前記第１の処理を施す工程の後であって前記接地した状態で収容する工程中に、処理された前記ウェハを前記局所清浄室の内部天井部のファンフィルタ下部に設けられたイオナイザにより除電する工程、前記除電する工程の後、前記第１の半導体収納容器と局所清浄室の連結状態を解除することによって、前記第１の半導体収納容器を密閉状態に戻す工程を有するものである。
【００３５】
本願発明のその他の発明の概要を項に分けて以下に示す。
１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５ｍｍを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５〜１０ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
３．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より１ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
４．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５〜１０ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
【００３６】
本発明の更にその他の概要を以下項分けして説明する。
１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納した密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
３．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内の搬送領域に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記搬送領域に配置されたアースされていないロボットハンドを前記搬送領域で除電し、この除電されたロボットハンドによって前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｄ）前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
４．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内のロードロック室に移し、このロードロック室内のアースされていない基板支持台によって前記半導体基板を支持する工程、
（ｅ）前記ロードロック室から前記半導体製造装置の搬送領域に前記半導体基板を移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
５．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納した半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造装置の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体製造装置の前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
６．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとともにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半導体基板を移す工程、
（ｃ）前記搬送領域でイオナイザによって前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記処理部に前記半導体基板を移して前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送領域で前記イオナイザによって前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
７．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとともにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半導体基板を移す工程、
（ｃ）前記搬送領域で除電されたロボットハンドによって前記半導体基板を支持して前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記ロボットハンドによって前記半導体基板を前記処理部に移して前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送領域の前記ロボットハンドによって前記半導体基板を支持して前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納する工程。
８．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する工程、
（ｂ）前記半導体製造装置に設置された半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
９．項８記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記搬送領域のクリーン度が前記ロードポート周辺のクリーン度より高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１０．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
１１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｄ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
１２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電するとともに、前記搬送領域に設けられたケミカルフィルタによって前記半導体基板の化学汚染を防ぐ工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。
１３．項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記処理部での前記半導体基板への処理前と処理後に、前記搬送領域で前記ケミカルフィルタによって前記半導体基板の化学汚染を防ぐことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１４．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基板を枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１５．項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基板を枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板が前記半導体製造装置のロードロック室で待機していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１６．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板の前記半導体収納容器への搬入出を行う際に、前記半導体収納容器開閉装置の前記オープナによって前記半導体収納容器の開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて前記半導体基板の搬入出を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１７．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板として、直径３００ｍｍの基板を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
１８．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５ｍｍを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
１９．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.3ｍｍを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
２０．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より０.7ｍｍを越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
２１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より１.0ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
２２．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、かつ前記表面板の表面から前記オープナの被接続面までの距離とフェイシャル基準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面までの距離とのオーバーラップ量が零より大きく設定された半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
半導体製造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の前記オーバーラップ量が零より大きいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２３．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備えるとともに、前記表面板の表面から前記オープナの被接続面までの距離とフェイシャル基準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面までの距離とのオーバーラップ量が零より大きくかつ1.２５ｍｍ以下に設定された半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
半導体製造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の前記オーバーラップ量が零より大きく、かつ1.２５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２４．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備えた半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程を有し、
前記（ｂ）工程で前記オープナによって前記蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とが密着しないものの割合が、半導体製造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の１％以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２５．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記表面板の表面より突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記蓋によって前記オープナを後退させた状態で前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。
２６．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記オープナによって前記半導体収納容器の前記蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記蓋によって前記オープナを後退させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２７．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２８．項２７記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板が前記半導体製造装置のロードロック室で待機していることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２９．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板として、直径３００ｍｍの基板を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００３７】
【発明の実施の形態】
１．半導体基板または半導体ウェハとは、半導体集積回路の製造に用いるシリコン単結晶基板、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板（一般にほぼ平面円形状）、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基板など並びにそれらの複合的基板を言う。また、本願において半導体集積回路装置というときは、シリコンウェハやサファイア基板などの半導体または絶縁体基板上に作られるものの他、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Thin Film Transistor) およびＳＴＮ（Super Twisted Nematic)液晶などのようなガラスなどの他の絶縁基板上に作られるものなども含むものとする。
【００３８】
２．半導体収納容器：複数の半導体基板を格納する容器。そのうち、蓋と容器本体とから構成される密閉式のものをＦＯＵＰという。
【００３９】
３．フェイシャル基準面：半導体基板（半導体ウェハ）を２等分し、半導体収納容器の前側（半導体基板が取り外しまたは挿入されるところ）に平行な垂直面のこと。
【００４０】
４．半導体収納容器開閉装置：フープなどのウェハ収納容器の扉を開閉する装置で、例えば、オープナと呼ばれる金属板などから成る。
【００４１】
５．処理部：ウェハ処理部は、例えば、ドライエッチング装置におけるプラズマ反応室のように、そこにウェハを収納して所定の処理を施す装置部分をいい、一般にその部分へウェハを搬送するだけの搬送部や待機部などを除く。
【００４２】
６．搬送領域：搬送領域は、フープなどの半導体収納容器と前記ウェハ処理部間で主としてウェハの搬入搬出を行う部分で、例えば、ロードポートとウェハ処理部間の領域などを言う。したがって、プリアライメントなどの補助的処理部が有る場合にはそれらの部分も一般に搬送領域に含まれる。
【００４３】
７．イオナイザ：周辺の雰囲気ガスを電離させて正負のイオンを発生させる装置で、半導体産業においては一般に所定部分の中和によりウェハなどの除電を行う目的で利用されることが多い。具体的なイオナイザとしては、針状または細線状の電極に高電圧を印加してコロナ放電を起こし、周囲の空気を正負にイオン化して帯電物体表面の電荷を逆極性のイオンで中和する装置のこと。
【００４４】
８．ファンフィルタユニット：ＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air)フィルタ（定格風量で粒径が0.１５μｍの粒子に対して９9.９９９５％以上の粒子捕集率をもつエアフィルタ）などと小形送風機を一体化した空気清浄装置のこと。
【００４５】
９．ケミカルフィルタ：空気中のガス状汚染物を除去することを目的としたフィルタのこと。
【００４６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００４７】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００４８】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００４９】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップなども含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００５０】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。このことは前記数値および範囲についても同様である。
【００５１】
また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００５２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であり、（ａ）は表側構造、（ｂ）は裏側構造、図２は本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器（ＦＯＵＰ）の構造の一例を示す斜視図、図３は図１に示す半導体収納容器開閉装置が取り付けられる半導体製造装置の構造の一例を示す部分斜視図、図４は図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す側面図、図５は図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す平面図、図６は本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基板の搬送シーケンスの一例を示すシーケンスフロー図、図７は図４に示す半導体製造装置に対する変形例の半導体製造装置の内部構造を示す側面図、図８は図２に示す半導体収納容器に対する変形例の半導体収納容器を用いた際の半導体収納容器開閉装置のエレベータの動作を示す部分側面図である。
【００５３】
本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法は、密閉式の半導体収納容器２００（以降、容器２００と称す）を用い、これに収納された半導体基板（半導体ウェハともいう）３００を取り出して半導体製造装置４００内に移し、この半導体製造装置４００によって所望のプロセス処理（例えば、露光、エッチング、スパッタあるいは成膜などの前工程での処理）を行い、その後、処理済みの半導体基板３００を再び容器２００に収納するものである。
【００５４】
なお、半導体基板３００は、直径３００ｍｍの大形のもので、これを収納する容器２００として、ここでは、フロント開閉式のＦＯＵＰを取り上げて説明する。
【００５５】
まず、図１から図５を用いて、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられるミニエンバイロメント（製品を汚染や人間から隔離するための密閉容器によって作り出された小さな環境）対応の半導体製造装置４００の構造について説明する。
【００５６】
半導体製造装置４００は、図３、図４および図５に示すように、主に、半導体収納容器開閉装置１００（以降、開閉装置１００と称す）と、半導体基板３００に所望のプロセス処理が行われる処理部４２０と、半導体製造装置４００のロードポート１００ａと処理部４２０との間で半導体基板３００の搬送が行われる搬送領域４１０とで構成される。
【００５７】
さらに、開閉装置１００は、図１、図２に示すように、大きく分けて容器２００を載置するステージ１１０と、容器２００の蓋２２０を把持し、かつ開閉するオープナ１２０とで構成される。また、図１（ａ）に示すように、ステージ１１０には図２に示す容器２００を正確な姿勢に載置するための位置決めピン１１２と、容器２００をオープナ１２０に接近させるためのスライダ１１１とを設けている。
【００５８】
本実施の形態１では、スライダ１１１はステージ１１０内部に設置された図示しないモータとボールねじによって前後方向に移動可能である。オープナ１２０には回転キー１２１が設けてあり、回転キー１２１はオープナ１２０内部にある図示しないモータによって９０°回転可能である。
【００５９】
オープナ１２０の裏側には、図１（ｂ）に示すように、オープナ１２０を水平方向に前後進させて容器２００の蓋２２０を開閉するオープナ開閉機構１３０と、オープナ１２０を昇降させるオープナ昇降機構１３１とを設けている。オープナ開閉機構１３０とオープナ昇降機構１３１とは共に図示しないモータとボールねじによって動作し、オープナ開閉機構１３０、オープナ昇降機構１３１の駆動部分全体には、作業者が容易に触れられないように安全カバー１４０が設置されている。
【００６０】
半導体製造装置４００は、図４に示すように、内部で搬送領域４１０と処理部４２０とに分かれており、図３は、半導体製造装置４００に開閉装置１００を４台取り付けた例を示したものである。
【００６１】
なお、搬送領域４１０には、その内部天井にファンフィルタユニット４１２が設けられていて、清浄な空気が上方から下方に流れるダウンフローになっており、したがって、ファンフィルタユニット４１２の稼働時、搬送領域４１０は、クリーン度ＩＳＯ１から２に保たれ、半導体製造装置４００外部のクリーン度ＩＳＯ６と比べて非常に高清浄な状態を保てる。
【００６２】
クリーン度ＩＳＯ６の環境に半導体基板３００を放置すると、時間とともに基板表面に異物が付着し、半導体基板３００上に作られている半導体部品（半導体集積回路）の歩留まりが著しく低下する。容器２００内部は外界と遮断されており、清浄度の高い環境で半導体基板３００の出し入れを行えば容器内部の清浄度は保たれ、クリーン度ＩＳＯ６の環境に容器２００を放置しても、容器２００の蓋２２０を開閉しない限り、容器２００内部の半導体基板３００に付着する異物は微少である。
【００６３】
図４および図５は、本実施の形態１の半導体製造装置４００の内部の概略構造を示したものであり、搬送領域４１０には、内部天井にファンフィルタユニット４１２が設けられているとともに、ロードポート１００ａに配置された容器２００と処理部４２０のロードロック室４２１との間で半導体基板３００の受け渡し搬送を行う搬送ロボット４１１と、ロードロック室４２１に半導体基板３００を移す際に半導体基板３００１の位置（向き）調整を行う図５に示すアライメント部４１５とが設けられている。
【００６４】
さらに、搬送領域４１０のファンフィルタユニット４１２の下部には除電装置であるイオナイザ４１３が設置されている。イオナイザ４１３は、搬送領域４１０内で搬送中や待機中の半導体基板３００、さらには、ロードポート１００ａに配置された容器２００中の半導体基板３００を除電するものである。
【００６５】
すなわち、処理部４２０のロードロック室４２１に搬入する際もしくは処理部４２０でプロセス処理が行われた後に容器２００に戻す際の搬送中の半導体基板３００、あるいはロードロック室４２１、アンロードロック室４２２またはアライメント部４１５で待機中の半導体基板３００、さらには、ロードポート１００ａ上の容器２００に収納された半導体基板３００を除電するものであり、半導体基板３００にイオン化した気体を照射し、半導体基板３００の電位を適正に保つものである。
【００６６】
これにより、搬送領域４１０で搬送中のプロセス処理前とプロセス処理後の半導体基板３００や、ロードロック室４２１、アンロードロック室４２２およびアライメント部４１５で待機中の半導体基板３００や、容器２００に収納された半導体基板３００での帯電状態を無くすことができ、半導体基板３００の電位を適正に保つことができる。
【００６７】
なお、処理部４２０には、半導体基板３００へのプロセス処理が行われる処理室４２３が設けられ、さらに、この処理室４２３と搬送領域４１０との間には、がゲートバルブ４２１ａ，４２２ａによって密閉可能なロードロック室４２１およびアンロードロック室４２２が設けられている。
【００６８】
また、ロードロック室４２１には、半導体基板３００を待機させるために支持可能な図４に示す基板支持台４２１ｂが設けられており、図示はしていないが、アンロードロック室４２２にもこれと同様に基板支持台４２１ｂが設けられている。
【００６９】
なお、搬送領域４１０に設置された搬送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａの半導体基板３００との接触箇所や、前記基板支持台４２１ｂの半導体基板３００との接触箇所は、非導電性の樹脂コーティングが施されている。
【００７０】
したがって、ロボットハンド４１１ａや基板支持台４２１ｂで支持中の半導体基板３００は、その電位が０Ｖにはならない。
【００７１】
その結果、搬送領域４１０にイオナイザ４１３を設けて半導体基板３００を除電することは非常に有効である。
【００７２】
次に、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる容器２００の構造について説明する。
【００７３】
図２に示す容器２００は、密閉型で、かつ容器本体２１０（容器部）と蓋２２０（収納容器蓋部）とで構成され、さらに、容器本体２１０には４個のラッチ溝２１１と、容器本体２１０の開口部２１０ａの周囲にフランジ２１２とを設けてある。
【００７４】
また、容器本体２１０は、前面側に、第１の面が開放されて形成された開口部２１０ａを有し、その容器本体２１０内部には半導体基板３００を水平に収納する棚である基板保持部２１０ｂがあり、半導体基板３００を、例えば、２５枚収納可能である。
【００７５】
一方、蓋２２０は、前記第１の面の周辺部で容器本体２１０に密着することによって密閉状態を維持するものである。
【００７６】
この蓋２２０には開閉装置１００の回転キー１２１に対応する位置にキー溝２２１（鍵穴部）があり、キー溝２２１に開閉装置１００の回転キー１２１を挿入して９０°回転することで、蓋２２０にある４本のラッチ２２２が蓋２２０内部の図示しないカム機構によって蓋２２０から出入りする。その際、ラッチ２２２は容器本体２１０のラッチ溝２１１と対応する位置にあり、容器本体２１０に蓋２２０が挿入された状態でラッチ２２２を蓋２２０の周囲に出せば、蓋２２０を容器本体２１０に固定できる。
【００７７】
また、容器２００は、外殻部と内部との二重構造となっており、内部には基板保持部２１０ｂが設けられている。すなわち、半導体基板３００と接触する基板保持部２１０ｂが設けられた内部は、半導体基板３００の電位を０Ｖとするために導電性材料で形成され、前記外殻部は、非導電性材料で形成されている。
【００７８】
なお、容器２００は、必ずしも二重構造とは限らず、全体が導電性材料で一体に形成された一重構造のものであってもよい。ただし、少なくとも半導体基板３００と接触する箇所は、導電性材料によって形成されていることが好ましいが、全体が非導電性材料で形成されていてもよい。
【００７９】
また、導電性材料は、例えば、カーボン粒子入りの樹脂材などであり、前記樹脂材としては、例えば、ポリカーボネイトなどが用いられる。
【００８０】
なお、前記導電性材料を用いた際の容器２００の表面抵抗率Ｒ（Ω）は、最適範囲１×１０6 ≦Ｒ≦１×１０9 、適正範囲１×１０5 ≦Ｒ≦１×１０13、許容範囲１×１０4 ≦Ｒ≦１×１０14である。
【００８１】
したがって、容器２００では、この導電性材料が、ウェハである半導体基板３００と接触する部分のものである。ただし、容器２００全体が、この導電性材料によって形成されていてもよい。
【００８２】
次に、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法における容器２００の開閉動作について説明する。
【００８３】
最初に、密閉型の容器２００を開く動作について説明すると、まず、容器２００（第１の半導体収納容器）をステージ１１０上に載置する。続いて、ステージ１１０上のスライダ１１１を半導体製造装置４００側に平行移動し、容器２００の蓋２２０の露出面２２０ａにあるキー溝２２１（鍵穴部）の中に、開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面１２０ａの回転キー１２１（鍵部）を挿入する。
【００８４】
このままの状態で、回転キー１２１を容器２００に向かって時計回りに９０°回転すると、蓋２２０のキー溝２２１が回転し、蓋２２０がオープナ１２０に固定されるとともに、ラッチ２２２が蓋２２０内部の図示しないカム機構によって蓋２２０内部に収納される。
【００８５】
その後、オープナ開閉機構１３０を半導体製造装置４００側に水平動作することで容器２００の蓋２２０を容器本体２１０から離脱させ、続いて、オープナ昇降機構１３１でオープナ１２０を下降させる。
【００８６】
一方、容器２００を閉める動作は、前記開ける動作と逆に、オープナ昇降機構１３１を上昇してから、オープナ開閉機構１３０をステージ１１０側に水平動作してオープナ１２０に固定してある蓋２２０を容器本体２１０に接続する。
【００８７】
その後、回転キー１２１を反時計回りに９０°回転させると、蓋２２０のラッチ２２２が容器本体２１０のラッチ溝２１１に収まり、蓋２２０が容器本体２１０に固定される。
【００８８】
最後にスライダ１１１を半導体製造装置４００とは逆側に平行移動し、容器２００をステージ１１０から離脱できる状態にする。
【００８９】
次に、図１から図６を用いて、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基板３００の半導体製造装置４００への搬入出シーケンスを図６に示すシーケンスフロー図に沿って説明する。
【００９０】
まず、図６のステップＳ１に示すように、複数の半導体基板３００（図５に示す（Ａ）の半導体基板３００）を収納した第１の密閉型の容器２００を半導体製造装置４００のロードポート１００ａにセットする。
【００９１】
なお、容器２００において少なくとも基板保持部２１０ｂなどの半導体基板３００との接触箇所が導電性材料によって形成されていることにより、容器２００に収納された半導体基板３００は容器２００を介して開閉装置１００にアース接続され、したがって、ロードポート１００ａ上での容器２００内の半導体基板３００の電位は、ほぼ０Ｖとなる。
【００９２】
すなわち、複数の半導体基板３００が接地された状態で密閉状態の容器２００に収納されている。
【００９３】
続いて、半導体製造装置４００に設置された開閉装置１００のオープナ昇降機構１３１のオープナ１２０によって容器２００の蓋２２０を開ける。
【００９４】
ここで、搬送領域４１０を有する局所清浄室４３０には、第１の密閉型の容器２００の第１の面と接触または接近対向する開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａ（正面表面部）があり、この表面１５０ａには、開口部１５０ｂ（連結用開口部）が形成されている。
【００９５】
さらに、オープナ１２０は、この開口部１５０ａを覆うように設けられており、連結時に突出した状態でキー溝２２１と結合する回転キー１２１（鍵部）を有している。
【００９６】
そこで、オープナ１２０の回転キー１２１（鍵部）がフープの蓋２２０のキー溝２２１（鍵穴部）に挿入された状態で鍵開け動作を実行し、その後、オープナ１２０で蓋２２０を保持した状態でオープナ１２０を局所清浄室４３０に引き込む。
【００９７】
これにより、容器２００の内部空間を、清浄度を保持した状態で半導体製造装置４００（第１のウェハ処理装置）の搬送領域４１０が設けられた局所清浄室４３０と連結する。
【００９８】
その後、前記連結状態で、容器２００に収納された半導体基板３００を局所清浄室４３０の搬送領域４１０に設けられた搬送機構である搬送ロボット４１１によって移送する。
【００９９】
ここでは、搬送領域４１０に設置された搬送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａ（接触部）によって半導体基板３００を掴んで（把持して）容器２００から取り出し、半導体基板３００を搬送領域４１０に取り込んだ後、搬送ロボット４１１によって半導体基板３００（図５に示す（Ｂ）の半導体基板３００）をアライメント部４１５に移す（ステップＳ２）。
【０１００】
なお、ここでの容器２００は、フロント開閉式のＦＯＵＰであるため、オープナ１２０によって容器２００の開口面に対して蓋２２０を垂直に移動させて蓋２２０の開閉を行う。
【０１０１】
また、搬送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａの半導体基板３００との接触箇所には、非導電性の樹脂コーティングが施されているため、半導体基板３００は、ロボットハンド４１１ａによって支持されている間はアース接続状態にはならない。すなわち、半導体基板３００は、搬送ロボット４１１によって搬送中、その電位は０Ｖにはならない。
【０１０２】
しかしながら、本実施の形態１の半導体製造装置４００では、搬送領域４１０にイオナイザ４１３が設けられているため、搬送領域４１０での半導体基板３００の帯電をイオナイザ４１３による除電で防止することができるとともに、搬送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａも除電できる。
【０１０３】
その後、アライメント部４１５で、半導体基板３００のアライメント（向きや位置の調整）を行う。なお、アライメント部４１５も搬送領域４１０と連結しているため、イオナイザ４１３による除電を行うことができる。
【０１０４】
アライメント後、搬送ロボット４１１によってアライメント部４１５から半導体基板３００を取り出して、搬送ロボット４１１によって半導体基板３００をロードロック室４２１に移し（ステップＳ３）、ロードロック室４２１の図４に示す基板支持台４２１ｂによって半導体基板３００（図５に示す（Ｃ）の半導体基板３００）を支持する。
【０１０５】
なお、基板支持台４２１ｂの半導体基板３００との接触箇所には非導電性の樹脂コーティングが施されているため、前記した搬送ロボット４１１による搬送中と同様に、ロードロック室４２１では、半導体基板３００は、その電位が０Ｖにはならないが、ロードロック室４２１も搬送領域４１０と連結しているため、イオナイザ４１３による除電が行われる。その際、基板支持台４２１ｂも除電することができる。
【０１０６】
したがって、ロードロック室４２１においても半導体基板３００の帯電をイオナイザ４１３による除電で防止することができる。
【０１０７】
その後、ロードロック室４２１のゲートバルブ４２１ａを閉じて、ロードロック室４２１の減圧を行い、ロードロック室４２１の圧力を処理部４２０（第１のウェハ処理部）内の処理室４２３の圧力と同じにする。
【０１０８】
ロードロック室４２１の減圧後、処理室４２３側のゲートバルブ４２１ａを開けて、処理室４２３に設けられた図示しないロボットによって半導体基板３００を処理室４２３に移す（ステップＳ４）。
【０１０９】
その後、処理室４２３で半導体基板３００（図５に示す（Ｄ）の半導体基板３００）に所望のプロセス処理（第１の処理）を行う。
【０１１０】
プロセス処理後、減圧されたアンロードロック室４２２に処理室４２３の前記ロボットによって半導体基板３００を移す（ステップＳ５）。
【０１１１】
なお、アンロードロック室４２２において、ロードロック室４２１の場合と同様に、半導体基板３００（図５に示す（Ｅ）の半導体基板３００）はその電位が０Ｖにはならないが、搬送領域４１０とアンロードロック室４２２とが連結しているため、イオナイザ４１３による除電を行うことができる。
【０１１２】
その後、アンロードロック室４２２のゲートバルブ４２２ａを閉じて、アンロードロック室４２２の圧力を常圧に加圧し、加圧後、搬送領域４１０側のゲートバルブ４２２ａを開けて、搬送領域４１０の搬送ロボット４１１によってプロセス処理済みの半導体基板３００をアンロードロック室４２２から搬送領域４１０に移す（ステップＳ６）。
【０１１３】
さらに、この半導体基板３００をロードポート１００ａ上の容器２００（図５中、下側の容器２００のこと）に移し、これによって、プロセス処理済みの半導体基板３００を、順次、元の容器２００に収納する（ステップＳ７）。
【０１１４】
なお、搬送領域４１０のイオナイザ４１３によって、ロボットハンド４１１ａによる搬送中のプロセス処理が行われた半導体基板３００や、容器２００に収納した半導体基板３００（図５に示す（Ａ）の半導体基板３００）の除電を行うことができる。
【０１１５】
つまり、容器２００に半導体基板３００を接地した状態で収納する。
【０１１６】
図５に示す下側の容器２００内の全ての半導体基板３００のプロセス処理を終了し、これらを元の容器２００に収納した後、図１（ｂ）に示すオープナ開閉機構１３０のオープナ１２０によって容器２００の蓋２２０を閉め、容器２００（第１の半導体収納容器）と局所清浄室４３０の連結状態を解除する。
【０１１７】
これによって、容器２００が密閉状態に戻る。
【０１１８】
この容器２００を次工程の半導体製造装置４００の所定箇所に搬送する（ステップＳ８）。
【０１１９】
なお、半導体製造装置４００の処理部４２０での半導体基板３００へのプロセス処理は、枚葉処理で行われる。
【０１２０】
さらに、ステップＳ１からステップＳ８の半導体基板３００の搬送シーケンスは、所定の１枚の半導体基板３００に対してのシーケンスであるが、例えば、前記所定の１枚の半導体基板３００が処理部４２０で処理されている間（図５に示す（Ｄ）の半導体基板３００）、その他のプロセス処理前の半導体基板３００は、順次、ロードロック室４２１（図５に示す（Ｃ）の半導体基板３００）、アライメント部４１５（図５に示す（Ｂ）の半導体基板３００）、容器２００（図５に示す（Ａ）の半導体基板３００）で待機している。
【０１２１】
次に、図７および図８に示す本実施の形態１の変形例について説明する。
【０１２２】
図７は、変形例の半導体製造装置４００を示したものであり、搬送領域４１０と処理部４２０とが図５に示すロードロック室４２１やアンロードロック室４２２を介さずに直接連結された構造であり、この場合であっても、搬送領域４１０にイオナイザ４１３を設けることで、プロセス処理前およびプロセス処理後の半導体基板３００（図２参照）の除電を行うことができる。
【０１２３】
さらに、図７に示す半導体製造装置４００では、搬送領域４１０のファンフィルタユニット４１２にケミカルフィルタ４１４が設けられており、これによって、半導体基板３００の化学汚染（ケミカルコンタミネーション）を避けることができる。
【０１２４】
また、図８は、変形例の半導体収納容器５００（以降、容器５００と称す）を用いた際の開閉装置１００の動作を示したものである。
【０１２５】
すなわち、容器５００は、フロント開閉式ではなく、ボトム開閉式（底開き）のものであり、容器本体５１０と蓋５２０と基板保持部５１０ｂとから構成され、これを開閉装置１００のロードポート１００ａにセットする際には、蓋５２０を下方に向けてセットする。
【０１２６】
したがって、図１に示す開閉装置１００のオープナ開閉機構１３０によって容器５００の開閉を行う際には、オープナ昇降機構１３１によって図８に示すエレベータ１３１ａを下降または上昇させ、容器５００から基板保持部５１０ｂを露出させ、これによって、基板保持部５１０ｂの開口部５１０ａを介して半導体基板３００の搬入出を行うことになる。
【０１２７】
これにより、ボトム開閉式の容器５００であっても、フロント開閉式の容器２００と同様に適用できる。
【０１２８】
すなわち、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法では、半導体収納容器は、密閉式のものであれば、フロント開閉式であっても、また、ボトム開閉式であってもよい。
【０１２９】
本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０１３０】
すなわち、半導体製造装置４００のロードポート１００ａと処理部４２０との間の搬送領域４１０において、処理部４２０でプロセス処理された処理済みの半導体基板３００をイオナイザ４１３によって除電してロードポート１００ａ上の容器２００に収納することにより、半導体基板３００での帯電を無くすことができる。
【０１３１】
したがって、半導体基板３００への付着異物を減らすことができ、半導体基板３００の歩留りを向上できる。
【０１３２】
また、半導体基板３００と接触する部位（箇所）、例えば、ロボットハンド４１１ａやロードロック室４２１の基板支持台４２１ｂなどの除電も行えるため、半導体基板３００と半導体基接触箇所との電位差を無くすことができる。
【０１３３】
したがって、帯電による半導体基板３００のハンドリングミスや半導体基板３００の搬送ミスなどのトラブルを低減できる。
【０１３４】
その結果、半導体基板３００の搬送の確実性を向上できるとともに、半導体製造装置４００の稼働率を向上できる。
【０１３５】
また、半導体基板３００での帯電を無くすことができるため、放電による半導体基板３００へのダメージを低減でき、その結果、半導体基板３００の歩留りを向上できる。
【０１３６】
次に、容器２００における蓋２２０の開閉速度について説明する。
【０１３７】
半導体基板３００（半導体ウェハ）を容器２００から半導体製造装置４００へ、または半導体製造装置４００から容器２００へ移動する際、開閉装置１００を介して、半導体製造装置４００と容器２００とを接続してから、容器２００の蓋２２０を開閉することで、半導体製造装置４００内部の清浄な領域と容器２００内部の清浄な領域とを直接接続する。
【０１３８】
その際、半導体製造装置４００の内部の圧力は外界に比べて僅かに陽圧に設定されているので、容器２００を開閉する瞬間以外は容器２００のフランジ２１１と開閉装置１００の表面板１５０との間隙から異物が流入する可能性は低い。
【０１３９】
しかし、開閉装置１００のオープナ開閉機構１３０の動作速度が大きいと、容器本体２１０から蓋２２０を引き抜く瞬間、容器２００内部が負圧になり、容器２００のフランジ２１１と開閉装置１００の表面板１５０との間隙から容器２００内部に異物が流入し半導体基板３００に付着してしまう。
【０１４０】
なお、蓋２２０の開閉速度に関しては、本発明者らによるＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＪＰ００／０５０１２（国際出願日２０００．７．２７）に詳しく述べられている。
【０１４１】
（実施の形態２）
図９は本発明の実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と表面板の表面との段差の一例を示す部分平面図、図１０は本発明の実施の形態２の半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と半導体収納容器の露出面とのオーバーラップ量の一例を示す部分平面図、図１１は図１０に示す半導体製造装置におけるオープナの支持状態の一例を示す部分側面図である。
【０１４２】
本実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法は、実施の形態１で説明した密閉式で、かつフロント開閉式の図２に示す容器２００すなわちＦＯＵＰを用いて直径３００ｍｍの半導体基板３００を半導体製造装置４００に搬入出する際に、半導体製造装置４００に設置された開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面１２０ａと、容器２００の蓋２２０との位置関係を説明するものである。
【０１４３】
まず、容器２００については、図９に示す容器長さＬ（容器長さＬは、容器２００のフェイシャル基準面２３０から容器前面側の容器本体２１０の端部までの長さ、もしくはフェイシャル基準面２３０から蓋２２０の露出面２２０ａまでの長さ）は、ＳＥＭＩ規格のＥ４７.1およびＥ６２に、容器長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されている。すなわち、容器長さＬ＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍである。
【０１４４】
さらに、同規格により、ロードポート１００ａ側についても、ｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されている。
【０１４５】
また、開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差Ｄについては、ＳＥＭＩ規格のＥ６２に、その公差（ｙ３４）が、ｙ３４＝±0.２５ｍｍとして規定されている。
【０１４６】
そこで、本実施の形態２では、オープナ１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差Ｄ、すなわち、オープナ１２０の被接続面１２０ａの表面板１５０の表面１５０ａからの突出量を0.２５ｍｍより大きくする。つまり、オープナ１２０の被接続面１２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより0.２５ｍｍを越えて突出するようにする。
【０１４７】
さらに、オープナ１２０の被接続面１２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより0.３ｍｍを越えて突出するようにする（前記突出量を0.３ｍｍより大きくする）。
【０１４８】
なお、前記突出量は、フープ（容器２００）がないとした場合のオープナ１２０の（サーボ制御などによる）仮想的停止位置によるものである。
【０１４９】
そこで、前記突出量は、最適には、1.０ｍｍ、適正範囲は、0.７ｍｍ＜突出量、好ましくは、０＜突出量＜１０ｍｍである。
【０１５０】
前記突出量を最適値である1.０ｍｍとすることにより、容器長さＬが、最小値の１６５ｍｍであったとしても、確実に開閉可能な開閉装置１００を実現できる。
【０１５１】
なお、オープナ１２０の被接続面１２０ａの表面板１５０の表面１５０ａからの突出量については、ロードポート１００ａに容器２００をセットした際に、容器２００の半導体製造装置４００側に向かう平行移動により、図１１に示すように片持ちばりのオープナ支持部１３０ａで支持されたオープナ１２０が装置内側に後退するものであるとともに、オープナ１２０の水平動作を保証できる範囲であればよい。
【０１５２】
本実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法では、このように段差Ｄ（前記突出量）が設定された状態で、半導体基板３００の搬入出を行う。
【０１５３】
まず、図１に示す開閉装置１００のステージ１１０上に複数の半導体基板３００を収納した密閉状態の容器２００（第１の半導体収納容器）を配置する。
【０１５４】
その際、容器２００の第１の面である前面を、オープナ１２０の回転キー１２１が容器２００の蓋２２０のキー溝２２１に挿入されるように局所清浄室４３０の開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａと接触あるいは接近対向させる。
【０１５５】
その後、オープナ１２０の被接続面１２０ａと蓋２２０の露出面２２０ａとを密着させてオープナ１２０によって蓋２２０を掴む（把持する）。
【０１５６】
その際、オープナ１２０の被接続面１２０ａ（正面部）を、容器２００がないとした場合に表面板１５０の表面１５０ａよりも0.２５ｍｍを越えた突出長さだけ突出させるか、または突出しているように保持しておく。
【０１５７】
これにより、オープナ１２０の被接続面１２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより突出しているため、確実にオープナ１２０の被接続面１２０ａと容器２００の蓋２２０の露出面２２０ａとを密着させることができる。
【０１５８】
その後、オープナ１２０によって容器２００の開口面に対して蓋２２０を垂直に移動させて蓋２２０を開け、これにより、容器２００の開口部２１０ａと開閉装置１００の表面板１５０の開口部１５０ｂとを接続する。
【０１５９】
続いて、容器２００と半導体製造装置４００との間で、容器２００の開口部２１０ａと開閉装置１００の開口部１５０ｂとを介して半導体基板３００の容器２００への搬入出を行う。
【０１６０】
また、容器２００の蓋２２０の開閉時にオープナ１２０と蓋２２０とを確実に密着させるために、図１０に示すオーバーラップ量Ｔを０＜Ｔ≦1.２５ｍｍとなるようにする。
【０１６１】
なお、オーバーラップ量Ｔは、容器２００の容器長さＬと、オープナ１２０の表面板 １５０の表面１５０ａからの突出量（段差Ｄ）との重複量である。
【０１６２】
すなわち、前記ＳＥＭＩ規格により、容器長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されており、また、ロードポート１００ａ側についても、ドッキング時のフェイシャル基準面２３０から表面板１５０の表面１５０ａまでの距離Ｐが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されている。さらに、開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差Ｄについては、前記ＳＥＭＩ規格に、その公差（ｙ３４）が、ｙ３４＝±0.２５ｍｍとして規定されている。
【０１６３】
したがって、容器長さＬと距離Ｐと段差Ｄのそれぞれの値の公差の和が最大を取る場合が、オーバーラップ量Ｔの最大となり、Ｔ＝＋1.２５ｍｍである。また、それぞれの値の公差の和が最小を取る場合が、オーバーラップ量Ｔの最小となり、Ｔ＝−1.２５ｍｍである（この場合、オープナ１２０と蓋２２０との間に1.２５ｍｍの隙間ができることになる）。
【０１６４】
そこで、本実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法では、オープナ１２０と蓋２２０との密着が必要となるため、前記オーバーラップ量Ｔは、少なくともＴ＞０となり、オーバーラップ量Ｔの許容範囲としては、０＜Ｔ≦1.２５ｍｍとなる。
【０１６５】
したがって、オーバーラップ量Ｔ（ｍｍ）については、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００に対してＴ＞０であることが必要となり、望ましい範囲としては、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００に対して０＜Ｔ≦1.２５である。
【０１６６】
実際には、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００が、Ｔ＞０の条件を満たすのは困難であるため、オープナ１２０の被接続面１２０ａと蓋２２０の露出面２２０ａとが密着しないものの割合が、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００の１％以下であることが望ましい。
【０１６７】
ただし、オープナ１２０と蓋２２０とが密着しないものの割合は、半導体製造ラインに流れている全ての容器２００の１％を越えていてもよい。
【０１６８】
本実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０１６９】
すなわち、半導体製造装置４００に設置された開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａよりオープナ１２０の被接続面１２０ａを突出させることにより、容器２００の蓋２２０の開閉を行う際に、オープナ１２０の被接続面１２０ａと容器２００の蓋２２０とを確実に密着させることができる。
【０１７０】
したがって、容器２００の破損を減らすことができ、また、発塵を防止できるとともに、容器２００の耐用期間を延ばすことができる。
【０１７１】
さらに、オープナ１２０の被接続面１２０ａと容器２００の蓋２２０とを密着させることができるため、蓋２２０の開閉を確実に行うことができ、これにより、半導体基板３００への異物付着を防止できる。
【０１７２】
また、実施の形態１のイオナイザ４１３を設置した際には、半導体基板３００の搬送の確実性を向上できるため、これと合わせて容器２００の蓋２２０の開閉の確実性を向上できることにより、半導体製造ライン全体の半導体製造装置４００の稼働率の低下を抑制できる。
【０１７３】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態１，２に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１７４】
例えば、実施の形態１，２で説明した半導体製造装置４００は、前工程のプロセス処理を行うものだけに限らず、検査装置やウェハソータのような直接、半導体基板３００への半導体製造を行わない製造装置であってもよく、その場合にも前記実施の形態１，２と同様の効果を得ることができる。
【０１７５】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【０１７６】
（１）．半導体基板の歩留りを向上できる。
【０１７７】
（２）．半導体製造装置の稼働率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であり、（ａ）は表側構造、（ｂ）は裏側構造である。
【図２】本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器（ＦＯＵＰ）の構造の一例を示す斜視図である。
【図３】図１に示す半導体収納容器開閉装置が取り付けられる半導体製造装置の構造の一例を示す部分斜視図である。
【図４】図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す側面図である。
【図５】図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基板の搬送シーケンスの一例を示すシーケンスフロー図である。
【図７】図４に示す半導体製造装置に対する変形例の半導体製造装置の内部構造を示す側面図である。
【図８】図２に示す半導体収納容器に対する変形例の半導体収納容器を用いた際の半導体収納容器開閉装置のエレベータの動作を示す部分側面図である。
【図９】本発明の実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と表面板の表面との段差の一例を示す部分平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２の半導体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と半導体収納容器の露出面とのオーバーラップ量の一例を示す部分平面図である。
【図１１】図１０に示す半導体製造装置におけるオープナの支持状態の一例を示す部分側面図である。
【図１２】実施の形態２に対する比較例の半導体収納容器開閉装置と半導体収納容器の関係を示す部分平面図である。
【符号の説明】
１００ 半導体収納容器開閉装置
１００ａ ロードポート
１１０ ステージ
１１１ スライダ
１１２ 位置決めピン
１２０ オープナ
１２０ａ 被接続面
１２１ 回転キー
１３０ オープナ開閉機構
１３０ａ オープナ支持部
１３１ オープナ昇降機構
１３１ａ エレベータ
１４０ 安全カバー
１５０ 表面板
１５０ａ 表面
１５０ｂ 開口部
２００ 半導体収納容器
２１０ 容器本体
２１０ａ 開口部
２１０ｂ 基板保持部
２１１ ラッチ溝
２１２ フランジ
２２０ 蓋
２２０ａ 露出面
２２１ キー溝
２２２ ラッチ
２３０ フェイシャル基準面
３００ 半導体基板
４００ 半導体製造装置
４１０ 搬送領域
４１１ 搬送ロボット
４１１ａ ロボットハンド
４１２ ファンフィルタユニット
４１３ イオナイザ
４１４ ケミカルフィルタ
４１５ アライメント部
４２０ 処理部
４２１ ロードロック室
４２１ａ ゲートバルブ
４２１ｂ 基板支持台
４２２ アンロードロック室
４２２ａ ゲートバルブ
４２３ 処理室
４３０ 局所清浄室
５００ 半導体収納容器
５１０ 容器本体
５１０ａ 開口部
５１０ｂ 基板保持部
５２０ 蓋
Claims (6)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数のウェハを接地した状態で収容した密閉状態の第１の密閉型半導体収納容器の内部空間を、清浄度を保持した状態で第１のウェハ処理装置の局所清浄室に連結する工程；
（ｂ）前記連結状態において、前記第１の半導体収納容器に収容された前記複数のウェハの内の全部又は一部を、前記局所清浄室に設けられた搬送機構により前記局所清浄室内を移送することによって、前記局所清浄室と前記第１のウェハ処理装置のウェハ処理部との間に設けられたロードロック・アンロードロック機構を通して、前記第１のウェハ処理装置の前記ウェハ処理部に収容する工程；
（ｃ）前記ウェハ処理部に収容された前記ウェハに対して第１の処理を施す工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、処理された前記ウェハを、前記ロードロック・アンロードロック機構を通して前記ウェハ処理部から前記局所清浄室内に取り出し、前記搬送機構により前記局所清浄室内を移送することによって、前記第１の半導体収納容器に、接地した状態で収容する工程；
（ｅ）前記工程（ｃ）の後であって工程（ｄ）中に、処理された前記ウェハを前記局所清浄室の内部天井部のファンフィルタ下部に設けられたイオナイザにより除電する工程；
（ｆ）前記工程（ｄ）の後、前記第１の半導体収納容器と局所清浄室の連結状態を解除することによって、前記第１の半導体収納容器を密閉状態に戻す工程。 - 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記ウェハの直径は２８０ｍｍ以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記第１の半導体収納容器における前記ウェハの接触部分の表面抵抗率Ｒは、１×１０4 ≦Ｒ（Ω）≦１×１０14であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記第１の半導体収納容器における前記ウェハの接触部分の表面抵抗率Ｒは、１×１０5 ≦Ｒ（Ω）≦１×１０13であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記第１の半導体収納容器における前記ウェハの接触部分の表面抵抗率Ｒは、１×１０6 ≦Ｒ（Ω）≦１×１０9 であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記除電を行う際に、前記搬送機構の前記ウェハとの接触部の除電を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000311480A JP3955724B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US09/941,835 US20020045328A1 (en) | 2000-10-12 | 2001-08-30 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US10/932,237 US7172981B2 (en) | 2000-10-12 | 2004-09-02 | Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination |
| US11/698,107 US7390758B2 (en) | 2000-10-12 | 2007-01-26 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device with elimination of static charge |
| US12/123,584 US8119547B2 (en) | 2000-10-12 | 2008-05-20 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including elimination of static charge of a treated wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000311480A JP3955724B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006164504A Division JP2006261699A (ja) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002118161A JP2002118161A (ja) | 2002-04-19 |
| JP3955724B2 true JP3955724B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=18791233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000311480A Expired - Fee Related JP3955724B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20020045328A1 (ja) |
| JP (1) | JP3955724B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004210421A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造システム、並びに処理装置の操作方法 |
| US7294590B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-11-13 | Hermes-Microvision, Inc. | System and method for removing charges with enhanced efficiency |
| US20080054920A1 (en) * | 2004-06-25 | 2008-03-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method For Evaluating Soi Wafer |
| US7669958B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-03-02 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printhead cartridge comprising integral printhead maintenance station with maintenance roller |
| EP1934054B1 (en) * | 2005-10-11 | 2011-01-26 | Silverbrook Research Pty. Ltd | Printhead maintenance assembly comprising maintenance roller and cleaning mechanism |
| JP4865352B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2012-02-01 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JPWO2007102426A1 (ja) * | 2006-03-06 | 2009-07-23 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8297319B2 (en) * | 2006-09-14 | 2012-10-30 | Brooks Automation, Inc. | Carrier gas system and coupling substrate carrier to a loadport |
| JP4818093B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2011-11-16 | ミドリ安全株式会社 | 除電装置 |
| US20080240979A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Szu-Min Lin | Container sterilizer with lid control |
| US7749330B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-07-06 | Ethicon, Inc. | Washer and decontaminator with lid control |
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| JP2012099663A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Toshiba Corp | マスク搬送システムおよびマスク搬送用アダプタ |
| JP2012204645A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 蓋体開閉装置 |
| CN102446793B (zh) * | 2011-11-11 | 2013-08-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种半导体晶圆制造中污染控制方法 |
| CN102412174B (zh) * | 2011-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 半导体晶片制造中的污染控制方法及装置 |
| JP5516610B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2014-06-11 | 株式会社安川電機 | ロボット、ロボットハンドおよびロボットハンドの保持位置調整方法 |
| JP6024980B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-11-16 | Tdk株式会社 | ロードポートユニット及びｅｆｅｍシステム |
| JP5807708B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 蓋体開閉装置 |
| JP6655418B2 (ja) | 2016-02-17 | 2020-02-26 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR102319038B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2021-10-29 | 세메스 주식회사 | 집적회로 소자 제조용 이송 장치 및 이송 방법 |
| US11963669B2 (en) | 2018-12-18 | 2024-04-23 | Asp Global Manufacturing Gmbh | Reprocessing case |
| JP7378700B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-11-14 | 日新イオン機器株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4657621A (en) * | 1984-10-22 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Low particulate vacuum chamber input/output valve |
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| US5685684A (en) * | 1990-11-26 | 1997-11-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing system |
| JP2816037B2 (ja) | 1991-07-25 | 1998-10-27 | 忠弘 大見 | 帯電物体の中和装置 |
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| JP3120315B2 (ja) | 1993-04-23 | 2000-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
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| JP3250090B2 (ja) * | 1995-06-27 | 2002-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
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| JPH09102444A (ja) | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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| JP3722604B2 (ja) | 1997-11-13 | 2005-11-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3380147B2 (ja) | 1997-11-13 | 2003-02-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3422799B2 (ja) * | 1998-05-01 | 2003-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜厚測定装置、基板処理方法並びに基板処理装置 |
| JPH11354602A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-24 | Mecs Corp | ポッドオープナーの蓋ラッチ装置 |
| US6161311A (en) | 1998-07-10 | 2000-12-19 | Asm America, Inc. | System and method for reducing particles in epitaxial reactors |
| JP2000114349A (ja) | 1998-09-29 | 2000-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置および基板処理装置 |
| JP4142183B2 (ja) | 1998-11-27 | 2008-08-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| JP3088714B1 (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-18 | キヤノン販売株式会社 | 基板表面の清浄化方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6042324A (en) * | 1999-03-26 | 2000-03-28 | Asm America, Inc. | Multi-stage single-drive FOUP door system |
| US6610150B1 (en) * | 1999-04-02 | 2003-08-26 | Asml Us, Inc. | Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system |
| JP4664459B2 (ja) | 1999-07-28 | 2011-04-06 | 高砂熱学工業株式会社 | クリーンルームシステム |
| US6537416B1 (en) * | 1999-10-01 | 2003-03-25 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck for use in edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| JP4155722B2 (ja) | 2000-04-17 | 2008-09-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板搬送方法 |
| US6393716B1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-05-28 | Ritek Display Technology Co. | Method and apparatus for transporting substrates in OLED process |
| WO2001082368A2 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module |
-
2000
- 2000-10-12 JP JP2000311480A patent/JP3955724B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-30 US US09/941,835 patent/US20020045328A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-09-02 US US10/932,237 patent/US7172981B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-26 US US11/698,107 patent/US7390758B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-05-20 US US12/123,584 patent/US8119547B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002118161A (ja) | 2002-04-19 |
| US7172981B2 (en) | 2007-02-06 |
| US20050022840A1 (en) | 2005-02-03 |
| US20090023303A1 (en) | 2009-01-22 |
| US7390758B2 (en) | 2008-06-24 |
| US20020045328A1 (en) | 2002-04-18 |
| US20070123063A1 (en) | 2007-05-31 |
| US8119547B2 (en) | 2012-02-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060614 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061128 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070123 |
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| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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