JP3414836B2 - 基板搬送装置及び基板搬送方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示パネル用ガ
ラス基板、半導体ウエハ、半導体製造用マスク基板等
（以下、単に「基板」という）に加熱、冷却、レジスト
塗布、密着強化剤塗布、洗浄、現像等の諸処理を施す基
板処理装置に組み込まれる基板搬送装置に関し、特に基
板処理装置を構成する各処理部間で基板を交換しつつこ
れらを順次搬送可能な基板搬送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は、従来の基板処理装置を示した図
である。図５（ａ）は、基板処理装置を構成する各処理
部（以下、単に「ユニット」という）２ａ〜２ｇ間を循
環移動する基板搬送装置４によって各ユニット２ａ〜２
ｇにある基板を順次循環搬送する機構を示し、図５
（ｂ）は、基板処理装置の隣接する各ユニット１２ａ〜
１２ｇ間に固定された専用の基板搬送装置１４によって
各ユニット１２ａ〜１２ｇにある基板を隣接ユニット１
２ａ〜１２ｇに順次搬送する機構を示す。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図５のような
基板搬送装置４、１４では、各ユニット２ａ〜２ｇ、１
２ａ〜１２ｇでの処理を終えて基板を処理部から搬出す
る際の剥離帯電などによって基板が徐々に静電気を帯び
る。

【０００４】このような静電気は、処理進行中の基板に
徐々に蓄積されていくため、各ユニット２ａ〜２ｇ、１
２ａ〜１２ｇ毎における帯電量がスパークする程に大き
なものでない場合であっても、順次搬送する毎に蓄積さ
れ、その総帯電量がある臨界値を超えてしまうと、近接
する金属部材との間でスパークが発生し易くなる。

【０００５】図６は、このようなスパークの発生を説明
するための図である。なお、同図において、符号ａはユ
ニット２ａ，１２ａを示すものであり、また他の符号ｂ
〜ｇについても同様である。また、後で説明する図２に
おいても同様である。ユニット２ａ〜２ｅ、１２ａ〜１
２ｅまでの処理で徐々に総帯電量が増加し、ユニット２
ｆ、１２ｆに至って臨界値Ｅcを超えるため、溜まった
電荷が近くに配置された金属部材に放電してスパークが
発生する。

【０００６】このようなスパークは、基板搬送装置４、
１４の制御回路等に作用してその誤動作を発生させる原
因となる。また、このスパークは、基板の表面に高電圧
を印加する結果となり、基板上に形成されている配線パ
ターン等に絶縁破壊を発生させたり、基板上に形成され
た素子の破壊ないし動作不良を発生させたりする原因と
なる。

【０００７】そこで、この発明は、基板処理の進行中に
基板表面に帯電する電荷を簡易な構造によって中和する
基板搬送装置及び基板搬送方法を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、この発明の請求項１の基板搬送装置は、基板処理装
置の複数の処理部間で基板を処理部から処理部へと搬送
するために、当該基板を支持して前記基板処理装置の基
板搬送領域を移動可能な基板搬送装置であって、移動可
能な基板搬送装置に備えられて搬送に際して基板が載置
される基板載置手段と、移動可能な基板搬送装置に備え
られて基板載置手段に載置された基板の表面にイオン化
された気体を吐出する気体吐出手段とを備えることを特
徴とする。

【０００９】また、請求項４の基板搬送装置は、気体吐
出手段を基板載置手段の上方に固定する固定手段をさら
に備えることを特徴とする。

【００１０】また、請求項５の基板搬送装置は、基板載
置手段及び前記気体吐出手段を収容するハウジングをさ
らに備え、気体吐出手段がこのハウジング内の上部に固
定され、基板載置手段が載置した基板をハウジング内外
に搬入及び搬出可能であることを特徴とする。

【００１１】

【作用】請求項１の基板搬送装置によれば、基板載置手
段に載置された基板の表面にイオン化された気体を吐出
する気体吐出手段を移動可能な基板搬送装置に備えるの
で、各処理部での基板処理の際に基板に蓄積される電荷
を、基板搬送に際して逐次放電することができ、基板移
送中にも気体吐出手段が基板とともに移動して除電処理
をおこなうことができ、簡易かつ低コストでスパークの
発生を防止することができる。

【００１２】また、請求項４の基板搬送装置によれば、
気体吐出手段を基板載置手段の上方に固定する固定手段
をさらに備えるので、搬送中の基板表面に上方から効果
的にイオン化された気体を供給することができ、基板表
面上にパターニング等されている場合においてその表面
でのスパークの発生を効果的に抑制することができる。

【００１３】また、請求項５の基板搬送装置によれば、
基板載置手段及び気体吐出手段を収容するハウジングを
さらに備え、気体吐出手段がこのハウジング内の上部に
固定され、基板載置手段が載置した基板をハウジング内
外に搬入及び搬出可能であるので、搬送中の基板表面に
上方から効果的にイオン化された気体を供給することが
でき、基板表面上にパターニング等されている場合にお
いてその表面でのスパークの発生を効果的に抑制するこ
とができる。さらに、ハウジングの存在によって、ハウ
ジング外に気流の乱れが発生した場合にも、搬送中の基
板の表面に影響しにくいので、基板処理の不良等が発生
しにくい。

【００１４】

【実施例】図１は、第１実施例の基板搬送装置である搬
送ロボット２０の斜視図である。この搬送ロボット２０
は、基板処理装置（図示を省略）内の基板搬送領域に配
置され、この搬送領域の周囲に設けられた基板処理用の
各ユニット（図示を省略）相互間で処理すべき角形の基
板を逐次転送する循環搬送を行う。このような循環搬送
を繰返すことにより、処理すべき基板を適当な順序で各
ユニットに移送することができ、この基板に所望の条件
及び手順で処理を施すことができる。なお、前述の各ユ
ニットは、処理すべき基板を収容して、加熱、冷却、レ
ジスト塗布、密着強化剤塗布、洗浄、現像等の諸処理を
施すものである。

【００１５】搬送ロボット２０の本体２１は、図示しな
い機構によって、基板処理装置内の基板搬送領域に形成
されたレールに沿って水平方向に往復移動し、所望の位
置で上下位置が調節され、水平面内で所望の角度に回転
するように構成されており、各ユニットとの間で基板の
受渡しが可能となっている。この本体２１の上部２１ａ
には、処理すべき基板が載置される上下一対のハンド２
２、２３が水平面内で可動に取り付けられている。これ
ら一対のハンド２２、２３は、本体２１の正面２１ｂ側
に延びる進出位置と後方に引っ込んだ後退位置との間を
往復動する。また、これらのハンド２２、２３は、互い
に平行で離間しており、かつ、上下方向に可動になって
いるので、相互の垂直方向の間隔を適宜調整することが
できる。各ハンドに設けられた４個のタブ２２ａ、２３
ａは、処理すべき基板の縁を４点支持するためのもので
ある。

【００１６】基板載置用の上下一対のハンド２２の上方
には、イオン化した気体を下方に吐出する一対の正・負
のエミッタに交互に直流電圧を所定の時間間隔で印加し
て各エミッタから交互にそれぞれ正・負のイオンを発生
させるとともに、この各エミッタの周囲に気体を吹き付
けてイオン化された気体を所定の方向に吹き出すパルス
ＤＣタイプのイオナイザ２４が配置され、固定部材２５
を介して本体２１に対して相対的に固定されている。各
イオナイザ２４の下部に形成された一対のノズル２４ａ
からのイオン化した気体の気流は、図面下向き（基板の
表面上）に供給される。すなわち、このイオン化した気
体の気流は、後退位置にあるハンド２３上の基板（図示
を省略）の表面上に一様に当たってこの表面上の電荷を
一様に中和する。

【００１７】イオナイザ２４には、固定部材２５に取り
付けられた配管（図示を省略）を介して、純水や不純物
を含まない空気や窒素ガスが加圧状態で供給される。こ
のような空気或いは窒素ガスは、ノズル２４ａから下方
に噴出される際に、これに取り付けられた電極（図示を
省略）の放電効果によってイオン化される。なお、イオ
ナイザ２４自体は公知の装置であるのでその詳細な説明
は省略する。

【００１８】第１実施例の搬送ロボット２０の動作につ
いて説明する。まず、搬送ロボット２０を所望のユニッ
トの正面に移動させて、両ハンド２２、２３を進出させ
てユニット内部の基板処理位置まで挿入する。その後、
両ハンド２２、２３の間隔を近接または離間させて、い
ずれかのハンド（例えばハンド２２）に載置されている
処理すべき基板をこのユニット内の基板保持機構上に乗
せるとともに、他方のハンド（ここではハンド２３）に
処理済みの基板を載置する。これによって、このユニッ
トに関して処理済みの基板と未処理の基板とが交換され
る。なお、この基板交換方法は、本願出願人が先に出願
した特願平５−１５１１６０号の明細書及び図面に記載
された通りであるので、その詳細を省略する。

【００１９】次に、両ハンド２２、２３をユニット外に
後退させて、処理済み基板をユニット外に取り出す。こ
れと同時に、イオナイザ２４を起動して、イオン化した
気体を前述の他方のハンド（ここではハンド２３）上の
処理済みの基板の表面に供給し、この基板表面の除電処
理を開始する。

【００２０】イオナイザ２４を動作させたままで所定時
間以上経過した後、イオナイザ２４の動作を停止する。
これによって、このユニットで処理済みの基板につき除
電処理が完了する。

【００２１】その後、搬送ロボット２０を次のユニット
の正面に移動させて、両ハンド２２、２３を進出させて
ユニット内部の処理位置まで挿入し、このユニットに関
して処理済みの基板と、前のユニットでは処理済みであ
るがこのユニットでは未処理の基板とが交換される。

【００２２】以上のような動作を繰り返し、処理手順に
対応するユニットの順に従って基板を順次移送して基板
搬送装置を基板処理装置内で一巡させ、さらにこのよう
な循環搬送のサイクルを繰返すことにより、基板に所望
の内容の処理を施すことができる。この際、基板の搬送
毎に除電処理が行われるので、各ユニットでの処理の際
に基板に蓄積される電荷を、その後の搬送に際して逐次
放電してスパークの発生を未然に防止することができ
る。したがって、基板の表面に高電圧が印加されて、基
板上に形成されている配線パターン等に絶縁破壊を発生
させたり、基板表面上に形成された素子の破壊ないし動
作不良を発生させたりといった不都合が生じない。

【００２３】図２は、この基板搬送装置で循環搬送され
る基板に蓄積される基板の帯電状態を模式的に示すグラ
フである。横軸はユニットの処理順のポジションを示
し、縦軸は処理中の基板の帯電量を示す。図示のよう
に、各ユニットａ〜ｇで発生する電荷が第１実施例の基
板搬送装置によって逐次除電されるので、それらが蓄積
されて臨界値（点線）Ｅcを超え、スパークが発生する
虞がない。しかも、基板が常にほとんど除電された状態
に保たれるので、搬送中やユニットへの搬入及び搬出時
に、基板表面にパーティクルが付着する確率を減少させ
ることができる。

【００２４】図３は、第２実施例の搬送装置である搬送
ロボット２２０の斜視図である。この搬送ロボット２２
０も、第１実施例の場合と同様に、基板処理装置（図示
を省略）内の基板搬送領域に配置されるが、この搬送領
域の周囲の一側方のみに設けられた基板処理用の各ユニ
ット（図示を省略）相互間で処理すべき角形の基板Ｗを
逐次転送する循環搬送を行う。

【００２５】搬送ロボット２２０の移動基台２２１は、
基板処理装置内の基板搬送領域に形成されたレールに沿
って水平方向に往復移動する。この移動基台２２１に垂
直に支持された一対の支柱２５１上部には、垂直移動ア
ーム機構２５２が取り付けられている。この垂直移動ア
ーム機構２５２によって、処理すべき基板を収容するハ
ウジング２５０が支持されており、図示しない機構によ
ってハウジング２５０を上下方向にその姿勢を保ったま
まで往復移動させる。ハウジング２５０は、移動基台２
２１の移動方向に垂直な方向の両端が開口した中空の筒
であり、その内部には、ハウジング２５０下部側に収容
される水平アーム機構２６０と、ハウジング２５０の上
部内壁側に固定されイオン化した気流を下方に吐出する
一対のイオナイザ２２４とが収容されている。

【００２６】ハウジング２５０は、搬送中に基板Ｗにパ
ーティクルが付着するのを防止する。すなわち、基板処
理装置の上方からダウンフローされているクリーンエア
が上方に巻き返されることによって、パーティクルが再
浮上して基板Ｗに付着することを防止する。ハウジング
２５０自体は本願出願人が先に出願した特願平５−２５
４８１９号の明細書及び図面に記載された通りであるの
で、詳細な説明は省略する。

【００２７】ハウジング２５０内の水平アーム機構２６
０の一端は、ハウジング２５０下部内壁側に固定され、
その他端の先端側には、処理すべき基板を載置する上下
一対のハンド２２２、２２３が連結されている。これら
一対のハンド２２２、２２３は、水平アーム機構２６０
によって、その姿勢を保ったままで、ハウジング２５０
外に延びる進出位置とハウジング２５０内に引っ込んだ
後退位置との間を往復動する。一対のハンド２２２、２
２３の垂直方向の間隔は、その後方のハンド間駆動ユニ
ット２７０によって適宜調節される。一対のハンド２２
２、２２３を垂直方向に離間または近接させる一動作に
よって、各ユニットにおける基板交換が可能になること
は第１実施例の場合と同様である。

【００２８】ハウジング２５０内に収容されている一対
のイオナイザ２２４は、第１実施例と同様のものである
のでその説明を省略する。

【００２９】第２実施例の搬送ロボット２２０の動作は
本願出願人が先に出願した特願平５−１５１１６０号の
明細書及び図面に記載された通りであるので、以下に簡
単に説明する。まず、搬送ロボット２２０のハウジング
２５０を所望のユニットの正面に移動させて、両ハンド
２２２、２２３を進出させてユニット内部の基板処理位
置まで挿入する。その後、両ハンド２２２、２２３の間
隔を近接または離間させて、このユニットに関して処理
済みの基板と未処理の基板とを交換する。

【００３０】次に、両ハンド２２２、２２３をユニット
外に後退させて、処理後の基板Ｗをユニット外に取り出
す。これと同時に、イオナイザ２２４を所定時間動作さ
せ、イオン化した気体をハンド２２２、２２３上の処理
済みの基板Ｗの表面に所定時間供給して、この基板Ｗの
表面の除電処理を行う。

【００３１】その後、搬送ロボット２２０のハウジング
２５０を次のユニットの正面に移動させて、両ハンド２
２、２３を進出させてユニット内部の基板処理位置まで
挿入し、このユニットに関して処理済みの基板Ｗと、こ
のユニットで未処理の基板Ｗとを交換する。

【００３２】以上のような動作を繰り返し、処理手順に
対応するユニットの順に従って基板を順次移送して搬送
装置を基板処理装置内で一巡させ、さらにこのような循
環搬送のサイクルを繰返すことにより、基板に所望の処
理を施すことができる。この際、基板の搬送毎に除電処
理が行われるので、各ユニットでの処理の際に基板に蓄
積される電荷を、その後の搬送に際して逐次放電してス
パークの発生を未然に防止することができる。したがっ
て、基板の表面に高電圧が印加されて、基板表面上に形
成されている配線パターンや素子の破壊ないし動作不良
を発生させるといった不都合が生じない。

【００３３】図４は、第３実施例の基板搬送装置である
搬送ロボット３２０の斜視図である。この搬送ロボット
３２０は、第１及び第２実施例の場合と異なり、基板処
理装置（図示を省略）内に直列に配置された各ユニット
の隣接ユニット間の側方にそれぞれ固定的に配置され
る。（図５（ｂ）の基板搬送装置１４参照。）それぞれ
の搬送ロボット３２０は、各ユニットの配列順に、処理
すべき角形の基板Ｗを逐次転送する。

【００３４】搬送ロボット３２０の基台３２１は、基板
処理装置内に直列に配置されたユニット列の短手方向の
一方側にあって、隣接するユニットの継目部分に固定さ
れる。この基台３２１上には、クランク等を備える回転
機構３８０とボールネジ等を備える上下機構３５２とを
介して、ヘッド３９０が支持されている。回転機構３８
０は、ヘッド３９０を水平面内で回転させ、ヘッド３９
０から延びる基板載置機構３２２を、隣接する一対のユ
ニットの一対の上方位置間で往復動させる。上下機構３
５２は、ヘッド３９０を垂直方向に上下動させ、ヘッド
３９０から延びる基板載置機構３２２を、各ユニットの
上方位置で上下に往復動させる。

【００３５】基板載置機構３２２を構成する一対の長い
ハンド部材３２２ａ、３２２ｂは、水平面内で同期して
変位し相互に開閉動作する。また、基板載置機構３２２
を構成する他の一対の短いハンド部材３２２ｃ、３２２
ｄも、水平面内で同期して変位し相互に開閉動作する。
各ハンド部材３２２ａ〜３２２ｄは、その先端部から下
方に延びるアーム３２２ｆと、このアーム３２２ｆの下
端に取り付けられる基板保持部材３２２ｈとをそれぞれ
備える。なお、長いハンド部材３２２ａ、３２２ｂの先
端に近い部分とヘッド３９０側との間には、支持ロッド
３２２ｋがそれぞれわたされ、各ハンド部材３２２ａ、
３２２ｂの安定な動作を保つ。また、各基板保持部材３
２２ｈは、ネジ機構によってその上下位置を微調整する
ことができるとともに、基板Ｗを載置する回転可能なロ
ーラによって基板Ｗからのパーティクルの発生を防止す
る。

【００３６】ヘッド３９０には、基板載置機構３２２に
挟まれるように、棒状の固定部材３２５を介してイオナ
イザ３２４が取り付けられている。イオナイザ３２４
は、その下方位置で基板載置機構３２２に載置されてい
る基板Ｗの上面に、イオン化された気体を吐出する。イ
オナイザ３２４自体は、第１及び第２実施例と同様のも
のであるのでその説明を省略する。

【００３７】第３実施例の搬送ロボット３２０の動作に
ついて説明する。まず、搬送ロボット３２０のヘッド３
９０を回転させて、基板載置機構３２２を上流側のユニ
ットの上方位置に移動させる。ここで、基板載置機構３
２２の各ハンド部材３２２ａ〜３２２ｄを外側に変位さ
せて開状態としておく。

【００３８】次に、基板載置機構３２２をヘッド３９０
とともに下降させ、基板保持部材３２２ｈをユニット内
の基板処理位置にある処理済みの基板Ｗの高さと一致さ
せる。そして、各ハンド部材３２２ａ〜３２２ｄを内側
に変位させて閉状態とし、ユニット内の処理済みの基板
Ｗの四隅を基板保持部材３２２ｈで保持する。

【００３９】その後、ヘッド３９０を上昇させることに
よって、処理済みの基板Ｗとともに基板載置機構３２２
を上昇させる。

【００４０】その後、イオナイザ３２４を所定時間動作
させ、イオン化した気体を処理済みの基板Ｗの表面に所
定時間供給して、この基板Ｗの表面の除電処理を行う。

【００４１】その後、ヘッド３９０を回転させることに
よって、上流側のユニットで処理済みの基板Ｗととも
に、基板載置機構３２２を下流側のユニットの上方位置
に移動させる。

【００４２】その後、基板載置機構３２２を下降させ、
このユニットに関しては未処理の基板Ｗをこのユニット
内の基板処理位置にセットし、各ハンド部材３２２ａ〜
３２２ｄを外側に変位させて開状態とする。そして、ヘ
ッド３９０を上昇させることによって、基板Ｗを載置し
ていない基板載置機構３２２を上昇させる。

【００４３】以上のような動作を、直列に配置されたユ
ニットに沿って配置されている搬送ロボット３２０の下
流側から実行することにより、各ユニット内の基板をそ
の下流側のユニットに転送させることができる。さら
に、このような、転送のサイクルを繰返すことにより、
基板に所望の処理を施すことができる。この際、基板の
搬送毎に除電処理が行われるので、各ユニットでの処理
の際に基板に蓄積される電荷を、その後の搬送に際して
逐次放電してスパークの発生を未然に防止することがで
きる。したがって、基板の表面に高電圧が印加されて、
基板上に形成されている配線パターンや素子の破壊ない
し動作不良を発生させるといった不都合が生じない。

【００４４】以上、実施例に即してこの発明を説明した
が、この発明は上記実施例の限定されるものではない。
例えば、上記実施例では、パルスＤＣタイプのイオナイ
ザを用いたが、向かい合った１組のバーを有するととも
に各バーに多数のエミッタが埋め込まれており、各バー
のエミッタにそれぞれ正，負の直流電圧を印加して各バ
ーのエミッタから正イオン及び負イオンをそれぞれ発生
させるＤＣタイプのイオナイザや、接地されたグリッド
の中央にエミッタが配置されそのエミッタに交流電圧を
印加してグリッドとエミッタとの間の空気をイオン化す
るＡＣタイプのイオナイザも使用可能である。なお、Ｄ
ＣタイプやパルスＤＣタイプのイオナイザを用いた場
合、イオナイザから除電処理を行うべき基板までの距離
を十分に大きくとって、正負のイオン化された気体が均
等に拡散させられて基板表面上において均等に分散する
ようにする。これにより、基板上の均一な除電が可能に
なる。

【００４５】また、イオナイザの位置は、搬送中の除電
処理すべき基板の下方及び側方のいずれかであってもよ
い。側方からイオン化された気体を吐出する場合、基板
の上面または下面に向けてイオン化された気体の気流を
偏向する手段を設けることで、除電の効果を高めること
ができる。

【００４６】また、イオナイザの個数及び容量も基板の
面積及び材料等に応じて適宜設定することができる。例
えば、サイズの大きな基板に対しては、３個以上イオナ
イザを搬送すべき基板の載置位置の上方に適宜配置し、
固定することができる。

【００４７】さらに、上記実施例では、除電処理を基板
の移送直前に行っているが、基板の移送中に除電処理を
行ってもよい。

【００４８】

【発明の効果】この発明の請求項１の基板搬送装置によ
れば、基板載置手段に載置された基板の表面にイオン化
された気体を吐出する気体吐出手段を移動可能な基板搬
送装置に備えるので、各処理部での基板処理の際に基板
に蓄積される電荷を、基板搬送に際して逐次放電するこ
とができ、基板移送中にも気体吐出手段が基板とともに
移動して除電処理をおこなうことができるとともに、各
ユニットにそれぞれイオナイザを設ける構成に比べて簡
易かつ低コストで基板に蓄積される電荷を中和すること
ができる。

【００４９】また、請求項４の基板搬送装置によれば、
気体吐出手段を基板載置手段の上方に固定する固定手段
をさらに備えるので、搬送中の基板表面に上方から効果
的にイオン化された気体を供給することができ、スパー
クの発生を効果的に抑制することができる。

【００５０】また、請求項５の基板搬送装置によれば、
基板載置手段及び気体吐出手段を収容するハウジングを
さらに備え、気体吐出手段がこのハウジング内の上部に
固定され、基板載置手段が載置した基板をハウジング内
外に搬入及び搬出可能であるので、搬送中の基板表面に
上方から効果的にイオン化された気体を供給することが
でき、スパークの発生を効果的に抑制することができ
る。さらに、ハウジングの存在によって、ハウジング外
に気流の乱れが発生した場合にも、基板の表面に影響し
にくい。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の基板搬送装置の斜視図である。

【図２】第１実施例の基板搬送装置の動作を説明するグ
ラフである。

【図３】第２実施例の基板搬送装置の斜視図である。

【図４】第３実施例の基板搬送装置の斜視図である。

【図５】従来の基板処理装置及び基板搬送装置を模式的
に示す図である。

【図６】従来の装置でスパークが発生することを説明す
るグラフである。

【符号の説明】

２０、２２０、３２０ 搬送ロボット ２２、２３、２２２、２２３ ハンド ３２２ 基板載置機構 ２４、２２４、３２４ イオナイザ ２５、３２５ 固定部材 ２５０ ハウジング

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−32342（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−45689（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142382（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−112802（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−73991（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−42113（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/06 - 49/07 H05F 3/04 H01L 21/027

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板処理装置の複数の処理部間で基板を
   処理部から処理部へと搬送するために、当該基板を支持
   して前記基板処理装置の基板搬送領域を移動可能な基板
   搬送装置であって、 前記移動可能な基板搬送装置に備えられて搬送に際して
   基板が載置される基板載置手段と、 前記移動可能な基板搬送装置に備えられて前記基板載置
   手段に載置された基板の表面にイオン化された気体を吐
   出する気体吐出手段と、を備えることを特徴とする基板
   搬送装置。
2. 【請求項２】 基板処理装置の複数の処理部間で基板を
   処理部から処理部へと搬送する基板搬送装置であって、搬送すべき基板を支持して前記基板処理装置の基板搬送
   領域を 移動可能な本体と、 前記移動可能な本体に取り付けられて搬送に際して基板
   が載置される基板載置手段と、 前記移動可能な本体に固定されて前記基板載置手段に載
   置された基板の表面にイオン化された気体を吐出する気
   体吐出手段と、を備えることを特徴とする基板搬送装
   置。
3. 【請求項３】 基板処理装置の複数の処理部間で基板を
   処理部から処理部へと搬送する基板搬送装置であって、 回転可能なヘッドと、 前記回転可能なヘッドから延びて搬送に際して基板が載
   置される基板載置手段と、 前記回転可能なヘッドに備えられて前記基板載置手段に
   載置された基板の表面にイオン化された気体を吐出する
   気体吐出手段と、を備えることを特徴とする基板搬送装
   置。
4. 【請求項４】 前記気体吐出手段を前記基板載置手段の
   上方に固定する固定手段をさらに備えることを特徴とす
   る請求項１ないし３のいずれかに記載の基板搬送装置。
5. 【請求項５】 前記基板載置手段及び前記気体吐出手段
   を収容するハウジングをさらに備え、前記気体吐出手段
   は、前記ハウジング内の上部に固定され、前記基板載置
   手段は、載置された基板を前記ハウジング内外に搬入及
   び搬出可能であることを特徴とする請求項１または２に
   記載の基板搬送装置。
6. 【請求項６】 基板処理装置の複数の処理部間で基板を
   処理部から処理部へと搬送するために、当該基板を支持
   して前記基板処理装置の基板搬送領域を移動可能な基板
   搬送装置であって、 前記移動可能な基板搬送装置に備えられて搬送に際して
   基板が載置される基板載置手段と、 前記移動可能な基板搬送装置に備えられて前記基板載置
   手段に載置された基板の表面にイオン化された気体を吐
   出して当該基板を除電処理するイオナイザと、を備える
   ことを特徴とする基板搬送装置。
7. 【請求項７】 基板処理装置の複数の処理部間で基板を
   処理部から処理部へと搬送する基板搬送装置であって、搬送すべき基板を支持して前記基板処理装置の基板搬送
   領域を 移動可能な本体と、 前記移動可能な本体に備えられて搬送に際して基板が載
   置される基板載置手段と、 前記移動可能な本体に備えられて前記基板載置手段に載
   置された基板の表面にイオン化された気体を吐出して当
   該基板を除電処理するイオナイザと、を備えることを特
   徴とする基板搬送装置。
8. 【請求項８】 基板処理装置の複数の処理部間で基板を
   処理部から処理部へと搬送する基板搬送装置であって、 回転可能なヘッドと、 前記回転可能なヘッドから延びて搬送に際して基板が載
   置される基板載置手段と、 前記回転可能なヘッドに備えられて前記基板載置手段に
   載置された基板の表面にイオン化された気体を吐出して
   当該基板を除電処理するイオナイザと、を備えることを
   特徴とする基板搬送装置。
9. 【請求項９】 前記イオナイザは、パルスＤＣタイプ、
   ＤＣタイプ、ＡＣタイプのいずれかであることを特徴と
   する請求項６ないし８のいずれかに記載の基板搬送装
   置。
10. 【請求項１０】 基板処理装置の複数の処理部間で基板
    を処理部から処理部へと搬送するために、当該基板を支
    持して前記基板処理装置の基板搬送領域を移動可能な基
    板搬送装置を用いて基板を搬送する基板搬送方法であっ
    て、前記 基板搬送装置に備えられた基板載置手段に基板を載
    置し、 当該基板搬送装置を移動させて基板を移送するととも
    に、当該移送中に、基板搬送装置に備えられたイオナイ
    ザを当該基板及び基板搬送装置と共に移動させながら、
    当該イオナイザにより前記基板載置手段に載置された基
    板の表面にイオン化された気体を吐出して当該基板を除
    電処理することを特徴とする基板搬送方法。
11. 【請求項１１】 基板処理装置の複数の処理部間で基板
    を処理部から処理部へと搬送する基板搬送方法であっ
    て、 回転可能な基板搬送装置に備えられた基板載置手段に基
    板を載置し、 当該基板搬送装置を回転させて基板を移送するととも
    に、当該移送中に、基板搬送装置に備えられたイオナイ
    ザを当該基板及び基板搬送装置と共に回転させながら、
    当該イオナイザにより前記基板載置手段に載置された基
    板の表面にイオン化された気体を吐出して当該基板を除
    電処理することを特徴とする基板搬送方法。
12. 【請求項１２】 基板処理装置の複数の処理部間で基板
    を処理部から処理部へと搬送するために、当該基板を支
    持して前記基板処理装置の基板搬送領域を移動可能な搬
    送ロボットを用いて基板を搬送する基板搬送方法であっ
    て、前記 搬送ロボットを所望の処理部に移動させ、 前記所望の処理部内の基板を前記搬送ロボットに備えら
    れた基板載置手段に載置し、当該搬送ロボットを次の処
    理部に移動させて基板を移送するとともに、当該移送中
    に、搬送ロボットに備えられたイオナイザを当該基板及
    び搬送ロボットと共に移動させながら、当該イオナイザ
    により前記基板載置手段に載置された基板の表面にイオ
    ン化された気体を吐出して当該基板を除電処理し、前記
    搬送ロボットの基板載置手段に載置している除電処理後
    の基板を前記次の処理部内に入れることを特徴とする基
    板搬送方法。