JPH07183354A - 基板の搬送システム及び基板の搬送方法 - Google Patents
基板の搬送システム及び基板の搬送方法Info
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- JPH07183354A JPH07183354A JP34797093A JP34797093A JPH07183354A JP H07183354 A JPH07183354 A JP H07183354A JP 34797093 A JP34797093 A JP 34797093A JP 34797093 A JP34797093 A JP 34797093A JP H07183354 A JPH07183354 A JP H07183354A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】枚葉式半導体基板処理装置又は、枚葉式液晶基
板処理装置に適した局所的クリーン化の可能な搬送シス
テムを提供する。 【構成】処理室３にゲートバルブ５を介して隣接したロ
ードロック室４に設けられたゲートバルブ６に隣接した
接続手段７に、接続可能な気密な搬送可能な基板１１の
収納容器２を設ける。
板処理装置に適した局所的クリーン化の可能な搬送シス
テムを提供する。 【構成】処理室３にゲートバルブ５を介して隣接したロ
ードロック室４に設けられたゲートバルブ６に隣接した
接続手段７に、接続可能な気密な搬送可能な基板１１の
収納容器２を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の搬送システム及
び基板の搬送方法に関する。
び基板の搬送方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板製造工程及び液晶基板
製造工程では、製造工程をクリーンルーム内に設けるこ
とにより塵・コンタミに対する対策を行って来た。最近
の半導体や液晶の微細加工すなわち、高密度の集積化
は、従来のデザイン・ルール以上の細かなパターン、例
えば０．３５μｍ巾のパターンを、基板上にエッチング
工程や成膜工程の繰り返しにより形成することで達成さ
れ、従来以上にゴミの最小許容サイズの微細化と単位体
積あたりの粒子数の許容個数すなわちクリーン度のクラ
スの縮少化を要求している。
製造工程では、製造工程をクリーンルーム内に設けるこ
とにより塵・コンタミに対する対策を行って来た。最近
の半導体や液晶の微細加工すなわち、高密度の集積化
は、従来のデザイン・ルール以上の細かなパターン、例
えば０．３５μｍ巾のパターンを、基板上にエッチング
工程や成膜工程の繰り返しにより形成することで達成さ
れ、従来以上にゴミの最小許容サイズの微細化と単位体
積あたりの粒子数の許容個数すなわちクリーン度のクラ
スの縮少化を要求している。
【０００３】このため、工場に要求されるクリーンルー
ムのクリーン度は、クラス１０からクラス１となり、こ
れを達成するクリーンルームの建設・維持は非常に高額
となり、これが製品である半導体や液晶基板のコストア
ップの原因となっていた。これに対し、必要とされるク
リーン度、例えばクラス１乃至１０を、製造装置内の局
所的な部分において達成し、製造装置の置かれる外部環
境は、穏やかなクリーン度、例えばクラス１０００で運
用しようという提案がなされている。
ムのクリーン度は、クラス１０からクラス１となり、こ
れを達成するクリーンルームの建設・維持は非常に高額
となり、これが製品である半導体や液晶基板のコストア
ップの原因となっていた。これに対し、必要とされるク
リーン度、例えばクラス１乃至１０を、製造装置内の局
所的な部分において達成し、製造装置の置かれる外部環
境は、穏やかなクリーン度、例えばクラス１０００で運
用しようという提案がなされている。
【０００４】しかし、この為には、製造対象となる基
板、例えば半導体ウエハや液晶基板用ガラス板等は、各
製造工程における装置間においては、前記穏やかなクリ
ーン度例えばクラス１０００中を搬送されねばならず、
この間のゴミ対策が求められていた。
板、例えば半導体ウエハや液晶基板用ガラス板等は、各
製造工程における装置間においては、前記穏やかなクリ
ーン度例えばクラス１０００中を搬送されねばならず、
この間のゴミ対策が求められていた。
【０００５】これに対し、特開平１−２２２４２９「粒
子濾過システムを有する可搬式コンテナ」、特開平３−
６７３０４「一貫した制御を行うためのコンピュータ援
助離散移動システム」、特表昭６１−５０２９９４「シ
ール式の標準インターフェイス装置」、特表昭６３−５
０３２５９「ボックスドア作動式の保持器」、特表昭６
３−５００６９１「標準機械的インターフェイス装置用
マニピュレータ」、特表平４−５０５２３４「ラッチ機
構を備えたシール可能且つ輸送可能な容器」、特表平５
−５０２７５「情報を有する物品追跡機能を備えた処理
システム」の以上の公報には、処理対象となる基板をカ
セットに収納して、更にこのカセットと気密なシール機
構を持つコンテナ内に収納して、このコンテナ内をクリ
ーン化することで、局所的クリーン化を行った上で、製
造装置間を前記コンテナごと搬送し、前記製造装置にお
いては、前記コンテナからカセットごと基板を製造装置
内に移し換えて、前記搬送中のゴミ対策、クリーン化の
問題を解決する技術が述べられている。
子濾過システムを有する可搬式コンテナ」、特開平３−
６７３０４「一貫した制御を行うためのコンピュータ援
助離散移動システム」、特表昭６１−５０２９９４「シ
ール式の標準インターフェイス装置」、特表昭６３−５
０３２５９「ボックスドア作動式の保持器」、特表昭６
３−５００６９１「標準機械的インターフェイス装置用
マニピュレータ」、特表平４−５０５２３４「ラッチ機
構を備えたシール可能且つ輸送可能な容器」、特表平５
−５０２７５「情報を有する物品追跡機能を備えた処理
システム」の以上の公報には、処理対象となる基板をカ
セットに収納して、更にこのカセットと気密なシール機
構を持つコンテナ内に収納して、このコンテナ内をクリ
ーン化することで、局所的クリーン化を行った上で、製
造装置間を前記コンテナごと搬送し、前記製造装置にお
いては、前記コンテナからカセットごと基板を製造装置
内に移し換えて、前記搬送中のゴミ対策、クリーン化の
問題を解決する技術が述べられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記公
報に述べられたカセットごと基板を製造装置に取り込む
方法は、製造装置内に前記カセットを載置しているポッ
ドの底部にあたる載置台を真下に下げて、カセットを取
り込む搬送機構や前記カセットのどの位置に基板が収納
され、どの位置が空かを検出するインデックサーの機構
を、従来の製造装置に付加しなければならないという製
造装置のコスト・アップの問題を持っている。更に、真
下方向に載置台を移動させるため、この容量分の製造装
置に専有床面積の増大をもたらす。
報に述べられたカセットごと基板を製造装置に取り込む
方法は、製造装置内に前記カセットを載置しているポッ
ドの底部にあたる載置台を真下に下げて、カセットを取
り込む搬送機構や前記カセットのどの位置に基板が収納
され、どの位置が空かを検出するインデックサーの機構
を、従来の製造装置に付加しなければならないという製
造装置のコスト・アップの問題を持っている。更に、真
下方向に載置台を移動させるため、この容量分の製造装
置に専有床面積の増大をもたらす。
【０００７】更に、基板処理装置や、基板製造装置が複
数の基板を同時に処理室に導入して処理するバッチ式処
理方法から、一枚ごとに基板を処理室へ導入して処理す
る枝葉式処理方法に変わろうとしており、前記カセット
ごと複数枚、例えば２５枚の基板を装置内に取り込んで
も、処理は枝葉ごとに行うということで、大部分のカセ
ット内の基板は、待機している時間が長く有効な手法で
ないという問題がある。
数の基板を同時に処理室に導入して処理するバッチ式処
理方法から、一枚ごとに基板を処理室へ導入して処理す
る枝葉式処理方法に変わろうとしており、前記カセット
ごと複数枚、例えば２５枚の基板を装置内に取り込んで
も、処理は枝葉ごとに行うということで、大部分のカセ
ット内の基板は、待機している時間が長く有効な手法で
ないという問題がある。
【０００８】本発明の基板の搬送システムおよび基板の
搬送方法は、工程間の基板搬送を局所的にクリーン化し
て、ゴミ対策を行うとともに、枝葉ごとに処理する製造
装置に適した基板の搬送システムと基板の搬送方法とを
提供することにある。
搬送方法は、工程間の基板搬送を局所的にクリーン化し
て、ゴミ対策を行うとともに、枝葉ごとに処理する製造
装置に適した基板の搬送システムと基板の搬送方法とを
提供することにある。
【０００９】
【問題を解決する為の手段】上記目的を達成するために
本発明は、第１項の複数の基板を収納して搬送可能な収
納容器と、この収納容器の内外の雰囲気を隔離する気密
シールと、前記収納容器に設けられ開閉可能な扉と、こ
の扉を介して基板処理装置と隣接され前記扉を開いて前
記基板処理装置と前収納容器が連通される接続手段と、
前記基板処理装置に設けられた基板の搬送手段とを備
え、この搬送手段により、前記収納容器内の基板を水平
状態で枝葉ごとに、前記基板処理装置内へ搬送すること
を特徴とする。第２項の複数の基板を収納して搬送可能
な収納容器と、この収納容器の内外の雰囲気を隔離する
気密シール機構と、前記収納容器に設けられ開閉可能な
扉と、この扉が開いて形成される、前記収納容器の開口
部を介して、基板処理装置内と連通する連通手段と、こ
の連通手段を介して前記収納容器内の基板を取り出し
て、前記基板処理装置内に搬送する前記基板処理装置内
に設けられた基板の搬送手段とを備え、この搬送手段に
より、前記収納容器内の基板を枝葉ごとに前記基板処理
装置内へ搬送することを特徴とする。第３項の前記扉
は、前記収納容器の側壁に設けられていることを特徴と
する。第４項の前記収納容器への複数の基板の収納は、
これらの複数の基板を収納するカセットを、前記収納容
器内へ収納することを特徴とする。第５項の前記基板
は、半導体ウエハ又は液晶基板であることを特徴とす
る。第６項の前記基板は、前記半導体処理装置により加
工又は処理される面を下側にして、前記収納容器に収納
されることを特徴とする。第７項の前記収納容器は、Ｎ
2 ガス又はＡｒガス又はＸｅガスのいずれかの雰囲気に
より、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴と
する。第８項の前記収納容器内は、クリーンエアによ
り、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴とす
る。第９項の前記扉の開閉は、前記半導体処理装置から
の指令により開閉されることを特徴とする。第１０項の
前記基板処理装置は、アッシング装置、エッチング装
置、成膜装置又は塗付現象装置のいずれか、又はこれら
の装置を組み合わせにより構成された半導体処理装置で
あることを特徴とする。第１１項の前記収納容器内のク
リーン度は、前記収納容器の搬送中はクラス０．１乃至
クラス１に設定されていることを特徴とする。第１２項
の前記収納容器内と前記基板処理装置のロードロック室
とが連通した際には、前記収納容器内のクリーン度は、
前記ロードロック室内のクリーン度により決定されるこ
とを特徴とする。第１３項は前記連通時のロードロック
室内のクリーン度は、クラス１乃至クラス１０に設定さ
れていることを特徴とする。第１４項は気密な収納容器
内に複数の基板を収納して搬送する第１の工程と、前記
収納容器と基板処理装置又は基板検査装置のいずれかに
設けられた基板搬送手段を備えた部屋とを、前記収納容
器に設けられた開閉可能な扉を介して連通する第２の工
程と、前記基板搬送手段により前記収納容器内に収納さ
れた基板を、枚葉ごとに取り出して、前記基板処理装置
又は半導体検査装置内のいずれかに移載する第３の工程
と、前記基板処理装置又は基板検査装置のいずれかによ
り、予め定められた処理又は検査を前記基板に対して行
う第４の工程とを備えたことを特徴とする。
本発明は、第１項の複数の基板を収納して搬送可能な収
納容器と、この収納容器の内外の雰囲気を隔離する気密
シールと、前記収納容器に設けられ開閉可能な扉と、こ
の扉を介して基板処理装置と隣接され前記扉を開いて前
記基板処理装置と前収納容器が連通される接続手段と、
前記基板処理装置に設けられた基板の搬送手段とを備
え、この搬送手段により、前記収納容器内の基板を水平
状態で枝葉ごとに、前記基板処理装置内へ搬送すること
を特徴とする。第２項の複数の基板を収納して搬送可能
な収納容器と、この収納容器の内外の雰囲気を隔離する
気密シール機構と、前記収納容器に設けられ開閉可能な
扉と、この扉が開いて形成される、前記収納容器の開口
部を介して、基板処理装置内と連通する連通手段と、こ
の連通手段を介して前記収納容器内の基板を取り出し
て、前記基板処理装置内に搬送する前記基板処理装置内
に設けられた基板の搬送手段とを備え、この搬送手段に
より、前記収納容器内の基板を枝葉ごとに前記基板処理
装置内へ搬送することを特徴とする。第３項の前記扉
は、前記収納容器の側壁に設けられていることを特徴と
する。第４項の前記収納容器への複数の基板の収納は、
これらの複数の基板を収納するカセットを、前記収納容
器内へ収納することを特徴とする。第５項の前記基板
は、半導体ウエハ又は液晶基板であることを特徴とす
る。第６項の前記基板は、前記半導体処理装置により加
工又は処理される面を下側にして、前記収納容器に収納
されることを特徴とする。第７項の前記収納容器は、Ｎ
2 ガス又はＡｒガス又はＸｅガスのいずれかの雰囲気に
より、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴と
する。第８項の前記収納容器内は、クリーンエアによ
り、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴とす
る。第９項の前記扉の開閉は、前記半導体処理装置から
の指令により開閉されることを特徴とする。第１０項の
前記基板処理装置は、アッシング装置、エッチング装
置、成膜装置又は塗付現象装置のいずれか、又はこれら
の装置を組み合わせにより構成された半導体処理装置で
あることを特徴とする。第１１項の前記収納容器内のク
リーン度は、前記収納容器の搬送中はクラス０．１乃至
クラス１に設定されていることを特徴とする。第１２項
の前記収納容器内と前記基板処理装置のロードロック室
とが連通した際には、前記収納容器内のクリーン度は、
前記ロードロック室内のクリーン度により決定されるこ
とを特徴とする。第１３項は前記連通時のロードロック
室内のクリーン度は、クラス１乃至クラス１０に設定さ
れていることを特徴とする。第１４項は気密な収納容器
内に複数の基板を収納して搬送する第１の工程と、前記
収納容器と基板処理装置又は基板検査装置のいずれかに
設けられた基板搬送手段を備えた部屋とを、前記収納容
器に設けられた開閉可能な扉を介して連通する第２の工
程と、前記基板搬送手段により前記収納容器内に収納さ
れた基板を、枚葉ごとに取り出して、前記基板処理装置
又は半導体検査装置内のいずれかに移載する第３の工程
と、前記基板処理装置又は基板検査装置のいずれかによ
り、予め定められた処理又は検査を前記基板に対して行
う第４の工程とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】以上の様に構成された基板の搬送システム及び
基板の搬送方法によれば、製造工程間の基板搬送を局所
的にクリーン化した収納容器を用いてゴミ対策を行い、
製造装置との接続に際しては、製造装置に設けられた基
板搬送手段で枝葉ごとに基板を収納容器から取り出すこ
とが出来、製造装置に接続された前記収納容器を前記製
造装置の真空排気に際しては、同じ真空排気の空間とし
て連通した基板の収納場所として使用することが出来
る。
基板の搬送方法によれば、製造工程間の基板搬送を局所
的にクリーン化した収納容器を用いてゴミ対策を行い、
製造装置との接続に際しては、製造装置に設けられた基
板搬送手段で枝葉ごとに基板を収納容器から取り出すこ
とが出来、製造装置に接続された前記収納容器を前記製
造装置の真空排気に際しては、同じ真空排気の空間とし
て連通した基板の収納場所として使用することが出来
る。
【００１１】
【実施例】本発明の基板の搬送システム及び基板の搬送
方法の一実施例を図面を用いて説明する。本発明の対象
となる基板としては、例えば半導体基板製造工程や、半
導体検査工程で取り扱われる半導体ウエハや、液晶表示
装置の製造工程や検査工程で取り扱われる液晶表示基板
がある。これらの基板は、通常シリコン基板に半導体素
子や電子回路が形成され製品化されるが、基板の材質と
しては、シリコン以外にクリスタル、石英、合成石英、
ガラス等の透明材質が用いられることもある。更に、半
導体を形成することの可能な材質であれば、各種の誘導
体、例えばポリイミドを基板として用いることも可能で
あり、上記の基板の上に酸化膜や窒化膜等の絶縁膜を形
成して、半導体素子や電子回路を形成するベースの基板
として製造対象とすることができる。
方法の一実施例を図面を用いて説明する。本発明の対象
となる基板としては、例えば半導体基板製造工程や、半
導体検査工程で取り扱われる半導体ウエハや、液晶表示
装置の製造工程や検査工程で取り扱われる液晶表示基板
がある。これらの基板は、通常シリコン基板に半導体素
子や電子回路が形成され製品化されるが、基板の材質と
しては、シリコン以外にクリスタル、石英、合成石英、
ガラス等の透明材質が用いられることもある。更に、半
導体を形成することの可能な材質であれば、各種の誘導
体、例えばポリイミドを基板として用いることも可能で
あり、上記の基板の上に酸化膜や窒化膜等の絶縁膜を形
成して、半導体素子や電子回路を形成するベースの基板
として製造対象とすることができる。
【００１２】第１図は、本願発明の基板の搬送システム
を、一実施例として半導体製造装置に適用した概念図で
ある。最初に、この実施例の構成について説明を行う。
を、一実施例として半導体製造装置に適用した概念図で
ある。最初に、この実施例の構成について説明を行う。
【００１３】第１図は、全体として半導体製造装置１と
これに接続された状態の収納容器２とから構成されてい
る。半導体製造装置１は、処理室３とロードロック室４
とから構成されている。処理室３とロードロック室４
は、ゲートバルブ５により連結されている。
これに接続された状態の収納容器２とから構成されてい
る。半導体製造装置１は、処理室３とロードロック室４
とから構成されている。処理室３とロードロック室４
は、ゲートバルブ５により連結されている。
【００１４】ロードロック室４と収納容器２とは、これ
らの間に設けられたゲードバルブ６からなるクラスター
ツール構造と、このゲートバルブに連結された接続手段
７と、前記収納容器２の側壁面に設けられた扉８とを介
して連結可能に設けられている。
らの間に設けられたゲードバルブ６からなるクラスター
ツール構造と、このゲートバルブに連結された接続手段
７と、前記収納容器２の側壁面に設けられた扉８とを介
して連結可能に設けられている。
【００１５】次に、以上の構成部分の詳細な構成の説明
を行う。半導体製造装置４は、基板に対して、エッチン
グ処理又は成膜処理を行う装置である。処理室３は、気
密な処理容器９内により構成され、この容器９内には被
処理基板１１を載置する載置台１０が設けられている。
を行う。半導体製造装置４は、基板に対して、エッチン
グ処理又は成膜処理を行う装置である。処理室３は、気
密な処理容器９内により構成され、この容器９内には被
処理基板１１を載置する載置台１０が設けられている。
【００１６】前記処理容器９は、金属材料例えばアルミ
ニウム又はＳｉｃにより形成され、前記アルミニウムに
より形成された内壁は研磨されたのち表面に酸化膜が形
成されており、基板１１の処理中に前記処理容器９の壁
面よりゴミ、特に重金属が処理容器９の内に出て来て、
基板１１の表面に付着し、基板１１に形成される半導体
の不良原因となることを防止するように構成されてい
る。更に前記処理容器９は、電気的に接地されている。
前記載置台１０は、アルミニウムの基台に表面に静電チ
ャックのための絶縁層、例えば石英、ポリイミド樹脂、
セラミックスを貼り合わせして、前記基板１１を載置す
る構成となっている。
ニウム又はＳｉｃにより形成され、前記アルミニウムに
より形成された内壁は研磨されたのち表面に酸化膜が形
成されており、基板１１の処理中に前記処理容器９の壁
面よりゴミ、特に重金属が処理容器９の内に出て来て、
基板１１の表面に付着し、基板１１に形成される半導体
の不良原因となることを防止するように構成されてい
る。更に前記処理容器９は、電気的に接地されている。
前記載置台１０は、アルミニウムの基台に表面に静電チ
ャックのための絶縁層、例えば石英、ポリイミド樹脂、
セラミックスを貼り合わせして、前記基板１１を載置す
る構成となっている。
【００１７】前記載置台のアルミニウム基台には、高周
波電源に、例えば１００ＫＨｚ〜５００ＫＨｚが、マッ
チング回路１３を介して印加される様に構成されて、下
部電極の働きを行う。更に、前記載置台１０には、基板
１１を吸着し保持する静電チャックが設けられている。
波電源に、例えば１００ＫＨｚ〜５００ＫＨｚが、マッ
チング回路１３を介して印加される様に構成されて、下
部電極の働きを行う。更に、前記載置台１０には、基板
１１を吸着し保持する静電チャックが設けられている。
【００１８】この載置台１０の載置面に対向してシャワ
ーヘッド１４が設けられ、このシャワーヘッドには、前
記基板１１の処理を行う複数のプロセスガスを供給する
複数のガス供給手段１５が、それぞれに接続された配管
途中の開閉バルブ１６を介して接続されている。前記シ
ャワーヘッド１４の内部には、前記複数のプロセスガス
を混合するバッフル板とミックスチャー室とが設けられ
ている。
ーヘッド１４が設けられ、このシャワーヘッドには、前
記基板１１の処理を行う複数のプロセスガスを供給する
複数のガス供給手段１５が、それぞれに接続された配管
途中の開閉バルブ１６を介して接続されている。前記シ
ャワーヘッド１４の内部には、前記複数のプロセスガス
を混合するバッフル板とミックスチャー室とが設けられ
ている。
【００１９】更に、このシャワーヘッド１４には、導電
性材料や半導電性材料、例えばアルミナウム、シリコン
等で構成された上部電極が設けられ、外部に設けられた
高周波電源１７、例えば１３．５６ＭＨがマッチング回
路１８を介して供給される様に構成されている。前記処
理容器９の底面にはも排気口１９が開口され、外部に設
けられた排気手段２０、例えばロータリーポンプとター
ボ分子ポンプとの組み合わせにより、前記処理容器９内
を数Ｔｏｒｒ〜１×１０-8Ｔｏｒｒの所定の真空度に真
空排気するように構成されている。
性材料や半導電性材料、例えばアルミナウム、シリコン
等で構成された上部電極が設けられ、外部に設けられた
高周波電源１７、例えば１３．５６ＭＨがマッチング回
路１８を介して供給される様に構成されている。前記処
理容器９の底面にはも排気口１９が開口され、外部に設
けられた排気手段２０、例えばロータリーポンプとター
ボ分子ポンプとの組み合わせにより、前記処理容器９内
を数Ｔｏｒｒ〜１×１０-8Ｔｏｒｒの所定の真空度に真
空排気するように構成されている。
【００２０】前記シャワーヘッド１４を介して、前記下
部電極１０の上に載置された基板１０の被処理面に、プ
ロセスガスが面内均一に供給され、前記上部電極１４と
前記下部電極１０の間に高周波が印加されるとプラズマ
が生起され、前記基板１０を所定のプロセス、例えばエ
ッチングを行う様に構成されている。
部電極１０の上に載置された基板１０の被処理面に、プ
ロセスガスが面内均一に供給され、前記上部電極１４と
前記下部電極１０の間に高周波が印加されるとプラズマ
が生起され、前記基板１０を所定のプロセス、例えばエ
ッチングを行う様に構成されている。
【００２１】以上の様に構成された処理室３と隣接する
ロードロック室４とは、被処理体の搬入時自動的に開く
ゲートバルブ５で連結可能に設けられており、次にこの
ロードロック室４の構成について説明する。
ロードロック室４とは、被処理体の搬入時自動的に開く
ゲートバルブ５で連結可能に設けられており、次にこの
ロードロック室４の構成について説明する。
【００２２】このロードロック室４は気密に構造をして
おり、内部には基板１１を搬送し、隣接した前記処理室
３の前記載置台１０上に前記基板１１を載置する搬送手
段２１が設けられている。この搬送手段１１に好適な構
成が特開 号公報に述べられている。前記
搬送手段２１の基板１１を保持するアーム２２の保持方
法には、真空吸着による方法あるいは静電チャックを用
する方法が用いられている。
おり、内部には基板１１を搬送し、隣接した前記処理室
３の前記載置台１０上に前記基板１１を載置する搬送手
段２１が設けられている。この搬送手段１１に好適な構
成が特開 号公報に述べられている。前記
搬送手段２１の基板１１を保持するアーム２２の保持方
法には、真空吸着による方法あるいは静電チャックを用
する方法が用いられている。
【００２３】前記ロードロック室４内の真空度が、例え
ば１×１０-6Ｔｏｒｒ〜大気圧の真空がある時には、静
電チャックが適し、１０×１０-1Ｔｏｒｒ〜大気圧力以
上であれば、真空吸着をそれぞれ用いることが出来る。
前記搬送手段２１は、前記ロードロック室４の底部に磁
気レールによりシールされ、回転・上下動Ｘ軸又はＹ軸
駆動可能な駆動軸をもって外部に設けられた駆動手段２
３と連結されている。
ば１×１０-6Ｔｏｒｒ〜大気圧の真空がある時には、静
電チャックが適し、１０×１０-1Ｔｏｒｒ〜大気圧力以
上であれば、真空吸着をそれぞれ用いることが出来る。
前記搬送手段２１は、前記ロードロック室４の底部に磁
気レールによりシールされ、回転・上下動Ｘ軸又はＹ軸
駆動可能な駆動軸をもって外部に設けられた駆動手段２
３と連結されている。
【００２４】この駆動手段２３の駆動力により、前記搬
送手段２１は、前進・後退・回転・上下の動きを行うよ
うに構成されている。更に、前記ロードロック室４内へ
は、外部に設けられたガス供給手段２４より不活性ガ
ス、例えばＮ2 、Ｘｅ、Ａｒ又はクリーンエアが、開閉
バルブ２５を介して前記ロードロック室４内に設けられ
たフィルター２６より供給される様に構成されている。
送手段２１は、前進・後退・回転・上下の動きを行うよ
うに構成されている。更に、前記ロードロック室４内へ
は、外部に設けられたガス供給手段２４より不活性ガ
ス、例えばＮ2 、Ｘｅ、Ａｒ又はクリーンエアが、開閉
バルブ２５を介して前記ロードロック室４内に設けられ
たフィルター２６より供給される様に構成されている。
【００２５】このフィルター２６は、ガスのシャワーヘ
ッドと同様の細かな穴を多数開口したものや、更に細か
な焼結体に形成された多孔質体を用いることが出来る。
焼結体の具体例としては、ガライ状繊維の炭素、ＳｉＣ
等を高温で焼結して構成されたものが用いられる。この
フィルター２６を、ガス供給口の先端に設ける目的は、
不活性ガス又はクリーンエアの供給がフィルターでゆる
やかに行われるまので、ロードロック室４内のホコリの
舞き上げを防止し、前記搬送手段２１が搬送中の基板１
１より発生するコンタミが、ロードロック室４内の底部
に積もったものを拡散して、他の基板１１の上に落下さ
せるクロスコンタミを防止することにある。更に、この
フィルターの先に供給ガスを衝突させるじゃま板を設け
ることも前記目的を達成するのに有効である。
ッドと同様の細かな穴を多数開口したものや、更に細か
な焼結体に形成された多孔質体を用いることが出来る。
焼結体の具体例としては、ガライ状繊維の炭素、ＳｉＣ
等を高温で焼結して構成されたものが用いられる。この
フィルター２６を、ガス供給口の先端に設ける目的は、
不活性ガス又はクリーンエアの供給がフィルターでゆる
やかに行われるまので、ロードロック室４内のホコリの
舞き上げを防止し、前記搬送手段２１が搬送中の基板１
１より発生するコンタミが、ロードロック室４内の底部
に積もったものを拡散して、他の基板１１の上に落下さ
せるクロスコンタミを防止することにある。更に、この
フィルターの先に供給ガスを衝突させるじゃま板を設け
ることも前記目的を達成するのに有効である。
【００２６】前記ロードロック室４の底部には、排気口
２７を介して排気手段２８、例えばロータリーポンプが
設けられている。この排気手段２８により、前記ロード
ロック室４は、大気圧から所定の真紅度、例えば数１０
Ｔｏｒｒ〜１×１０-5Ｔｏｒｒに真空排気される。
２７を介して排気手段２８、例えばロータリーポンプが
設けられている。この排気手段２８により、前記ロード
ロック室４は、大気圧から所定の真紅度、例えば数１０
Ｔｏｒｒ〜１×１０-5Ｔｏｒｒに真空排気される。
【００２７】更にロードロック室４は、アルミニウムで
形成され、内壁は研磨され、酸化膜コーティングされ、
壁面からのガス放出や重金属の析出が防止されている。
以上の様に構成されたロードロック室４と隣接する接続
手段７とは、ゲートバルブ６を介して連通可能に設けら
れ、前記接続手段７には、前記収納容器２が接続可能に
設けられている。
形成され、内壁は研磨され、酸化膜コーティングされ、
壁面からのガス放出や重金属の析出が防止されている。
以上の様に構成されたロードロック室４と隣接する接続
手段７とは、ゲートバルブ６を介して連通可能に設けら
れ、前記接続手段７には、前記収納容器２が接続可能に
設けられている。
【００２８】次に、前記接続手段７と前記収納容器２の
構成について説明する。前記ロードロック室４の側壁に
設けられ、開閉可能なゲートバルブ６には、前記収納容
器２に設けられた扉８が接続可能な通路である前記接続
手段７が設けられている。この接続手段７には、前記ロ
ードロック室４内に設けられた前記搬送手段７が基板１
１を保持して搬送可能な空間が通路として設けられてい
る。
構成について説明する。前記ロードロック室４の側壁に
設けられ、開閉可能なゲートバルブ６には、前記収納容
器２に設けられた扉８が接続可能な通路である前記接続
手段７が設けられている。この接続手段７には、前記ロ
ードロック室４内に設けられた前記搬送手段７が基板１
１を保持して搬送可能な空間が通路として設けられてい
る。
【００２９】前記接続手段７は、気密に構成されてお
り、前記収納容器２が、前記ゲートバルブ６と前記扉８
との開口により形成される前記収納容器２内と前記ロー
ドロック室４内とに股がって形成される連通空間を外部
から隔離し、気密なクリーン空間を形成する様に構成さ
れている。
り、前記収納容器２が、前記ゲートバルブ６と前記扉８
との開口により形成される前記収納容器２内と前記ロー
ドロック室４内とに股がって形成される連通空間を外部
から隔離し、気密なクリーン空間を形成する様に構成さ
れている。
【００３０】前記収納容器２は、気密な構造をしてお
り、内部には、複数の基板を収納可能なカセット２９と
このカセット２９を保持する保持手段３０とが設けられ
ている。前記収納容器２の側壁例えば側壁面には、開閉
可能で、閉じた状態で気密な機構を有する前記扉８が設
けられている。前記扉８の大きさは、収納されたカセッ
ト内の全ウエハを搬出入できる大きさが望ましい。ここ
では、収納容器２内に１カセット収納した状態のみ説明
しているが、２個でも３個でも４個それ以上でもよい。
り、内部には、複数の基板を収納可能なカセット２９と
このカセット２９を保持する保持手段３０とが設けられ
ている。前記収納容器２の側壁例えば側壁面には、開閉
可能で、閉じた状態で気密な機構を有する前記扉８が設
けられている。前記扉８の大きさは、収納されたカセッ
ト内の全ウエハを搬出入できる大きさが望ましい。ここ
では、収納容器２内に１カセット収納した状態のみ説明
しているが、２個でも３個でも４個それ以上でもよい。
【００３１】前記収納容器２は、前記半導体製造装置１
とは切り離して、内部のクリーン度を保って搬送可能な
構造となっており、その構造の詳細については後述す
る。勿論収納容器２内は、この容器２の搬送に際して不
活性ガス例えばＮ2 ，Ｘｅ，Ａｒを充満させた常圧状態
でもよいし、前記不活性ガスによる真空雰囲気でもよ
い。
とは切り離して、内部のクリーン度を保って搬送可能な
構造となっており、その構造の詳細については後述す
る。勿論収納容器２内は、この容器２の搬送に際して不
活性ガス例えばＮ2 ，Ｘｅ，Ａｒを充満させた常圧状態
でもよいし、前記不活性ガスによる真空雰囲気でもよ
い。
【００３２】以上の様に構成された基板の搬送システム
について、次にその動作について説明する。複数の基板
１１を収納したカセット２９を内部に保持した収納容器
２は、その扉８を閉じて内部のクリーン度を、例えばク
ラス１に保った状態で、自動搬送ロボットにより搬送さ
れて来て、半導体製造装置１のロードロック室４に隣接
して設けられた接続手段７に隣接して載置される。
について、次にその動作について説明する。複数の基板
１１を収納したカセット２９を内部に保持した収納容器
２は、その扉８を閉じて内部のクリーン度を、例えばク
ラス１に保った状態で、自動搬送ロボットにより搬送さ
れて来て、半導体製造装置１のロードロック室４に隣接
して設けられた接続手段７に隣接して載置される。
【００３３】ロードロック室４内の雰囲気は、排気手段
２８により真空排気された後、開閉バルブ３１は閉じら
れ、次にガス供給手段２４より、Ｎ2 ガスが所定の圧力
に到着するまで、前記ロードロック室４内に供給され
る。ゲートバルブ６及び扉８が開口し、前記ロードロッ
ク室４と前記収納容器２が連通し、内部が共通のＮ2 雰
囲気とされる。次に、ロードロック室４内の搬送手段２
１が移動し、前記収納容器２内のカセット２９より基板
１１を取り出し、前記ロードロック室４内へ搬送する。
２８により真空排気された後、開閉バルブ３１は閉じら
れ、次にガス供給手段２４より、Ｎ2 ガスが所定の圧力
に到着するまで、前記ロードロック室４内に供給され
る。ゲートバルブ６及び扉８が開口し、前記ロードロッ
ク室４と前記収納容器２が連通し、内部が共通のＮ2 雰
囲気とされる。次に、ロードロック室４内の搬送手段２
１が移動し、前記収納容器２内のカセット２９より基板
１１を取り出し、前記ロードロック室４内へ搬送する。
【００３４】次に、ゲートバルブ６が閉口し、ロードロ
ック室４内が所定の真空度、例えば１×１０-3Ｔｏｒｒ
へ真空排気される。次に、ゲートバルブ５が開口し、前
記搬送手段２１の保持する基板１１は、前記処理室３内
の載置台１０の上に移載される。
ック室４内が所定の真空度、例えば１×１０-3Ｔｏｒｒ
へ真空排気される。次に、ゲートバルブ５が開口し、前
記搬送手段２１の保持する基板１１は、前記処理室３内
の載置台１０の上に移載される。
【００３５】搬送手段２１がロードロック室内へ退避し
た後、ゲートバルブ５は閉口し、前記処理室３内は所定
の真空度まで真空排気される。次に、プロセスガスが処
理室３内に供給され、高周波電圧が上下電極１４、１０
に印加され、プラズマが生起され、前記基板１１に対し
所定のプロセスが実行される。
た後、ゲートバルブ５は閉口し、前記処理室３内は所定
の真空度まで真空排気される。次に、プロセスガスが処
理室３内に供給され、高周波電圧が上下電極１４、１０
に印加され、プラズマが生起され、前記基板１１に対し
所定のプロセスが実行される。
【００３６】プロセスの終了した処理室３内は、プラズ
マを停止し、真空排気し、不活性ガス雰囲気に置換され
た後、ゲートバルブ５を開口して、前記基板１１を搬送
手段２１よりロードロック室４内に搬出する。
マを停止し、真空排気し、不活性ガス雰囲気に置換され
た後、ゲートバルブ５を開口して、前記基板１１を搬送
手段２１よりロードロック室４内に搬出する。
【００３７】更に、ゲートバルブ５を閉じて、ロードロ
ック室内をＮ2 ガス雰囲気に置換した後、ゲートバルブ
６を開けて、前記搬送手段２１により前記基板１１は、
収納容器２内に保持されたカセット２９の所定のスロッ
トに戻される。以上の様に基板の搬送システムは動作
し、この動作を順次枝葉ごとにカセット２９より取り出
して繰り返すことで、カセット２９内のすべての基板１
１についての処理を行う。
ック室内をＮ2 ガス雰囲気に置換した後、ゲートバルブ
６を開けて、前記搬送手段２１により前記基板１１は、
収納容器２内に保持されたカセット２９の所定のスロッ
トに戻される。以上の様に基板の搬送システムは動作
し、この動作を順次枝葉ごとにカセット２９より取り出
して繰り返すことで、カセット２９内のすべての基板１
１についての処理を行う。
【００３８】この一連の処理が終了すると、ゲートバル
ブ６は閉じられ、半導体製造装置１は気密な状態に戻さ
れるとともに、収納容器２の扉８も閉じられて、前記収
納容器２は気密なＮ2 雰囲気が保たれる。
ブ６は閉じられ、半導体製造装置１は気密な状態に戻さ
れるとともに、収納容器２の扉８も閉じられて、前記収
納容器２は気密なＮ2 雰囲気が保たれる。
【００３９】次に、処理の終了した複数の基板１１を収
納した前記収納容器２は、図示しない自動搬送ロボット
により保持され、次の工程の半導体製造装置又は半導体
検査装置へと搬送されてゆく。
納した前記収納容器２は、図示しない自動搬送ロボット
により保持され、次の工程の半導体製造装置又は半導体
検査装置へと搬送されてゆく。
【００４０】以上の様に動作する基板の搬送システム
は、工場内のこの搬送システムの設けられる外部環境で
あるクリーンルームを、クリーン度がクラス１００乃至
１０００程度の比較的安価な建設コストのクリーンルー
ムとすることが出来、それに対して、前記搬送システム
の基板の収納容器内を局所的なクリーン度がクラス０．
１乃至１程度の比較的クリーン度の高い内部環境を実現
して、基板の搬送中の清浄化を行い、又前記半導体製造
装置と前記収納容器との接続に際しては、連通される装
置内のクリーン度をクラス１乃至１０程度の前記半導体
製造装置内のクリーン度に一致させることで、全工程を
通して基板を外部環境のゴミ、ホコリ、コンタミから保
護して清浄雰囲気に置いて、一連の処理を行うことが出
来る。
は、工場内のこの搬送システムの設けられる外部環境で
あるクリーンルームを、クリーン度がクラス１００乃至
１０００程度の比較的安価な建設コストのクリーンルー
ムとすることが出来、それに対して、前記搬送システム
の基板の収納容器内を局所的なクリーン度がクラス０．
１乃至１程度の比較的クリーン度の高い内部環境を実現
して、基板の搬送中の清浄化を行い、又前記半導体製造
装置と前記収納容器との接続に際しては、連通される装
置内のクリーン度をクラス１乃至１０程度の前記半導体
製造装置内のクリーン度に一致させることで、全工程を
通して基板を外部環境のゴミ、ホコリ、コンタミから保
護して清浄雰囲気に置いて、一連の処理を行うことが出
来る。
【００４１】次に、図２、図３を用いて図１で示した本
願発明の搬送システムの一実施例の主要部を説明する。
図２は、前記収納容器２の詳細な構造を示す縦断面図で
ある。図１と同じ構成部分については、同一の番号を付
与し、説明を省略する。
願発明の搬送システムの一実施例の主要部を説明する。
図２は、前記収納容器２の詳細な構造を示す縦断面図で
ある。図１と同じ構成部分については、同一の番号を付
与し、説明を省略する。
【００４２】前記収納容器２の底部には、位置決め凹部
５０が設けられ、前記収納容器２を図示を省略した自動
搬送ロボット（ＡＧＶ）５１の載置手段５２に設けられ
た位置決め凸部５３に位置決めされ、搬送中の位置ずれ
をなくす様に構成されている。同様の位置決め凸部が各
半導体製造装置又は半導体検査装置の前記収納容器２の
載置位置に設けられ、位置固定されている。
５０が設けられ、前記収納容器２を図示を省略した自動
搬送ロボット（ＡＧＶ）５１の載置手段５２に設けられ
た位置決め凸部５３に位置決めされ、搬送中の位置ずれ
をなくす様に構成されている。同様の位置決め凸部が各
半導体製造装置又は半導体検査装置の前記収納容器２の
載置位置に設けられ、位置固定されている。
【００４３】前記収納容器２の上部には、マニアルによ
るこの収納容器２の搬送が可能な様にアーム５４が設け
られるとともに、側部には、この収納容器２を他の自動
搬送ロボットが挟んで搬送できる様な図示しない凸部が
設けられている。
るこの収納容器２の搬送が可能な様にアーム５４が設け
られるとともに、側部には、この収納容器２を他の自動
搬送ロボットが挟んで搬送できる様な図示しない凸部が
設けられている。
【００４４】前記収納容器２は、材質がアルミニウム等
の金属又は、ＳｉＣ又はプラスチックにより形成され、
気密に構成されており、内部にカセット２９を収納可能
な空間が設けられ、このカセット２９は、側面に設けら
れた前記扉８を介して、この収納容器２内へ搬送・搬出
される。前記カセット２９には、複数の基板１１が水平
に載置されている。この基板の載置方法並びに搬入・搬
出装置の好適な例が、特公平４−４７９７６号公報「ウ
エハ検出装置」に述べられている。前記カセット２９の
底部には、前記収納容器２内に設けられた保持手段５５
との位置合わせが可能な位置合わせ手段５６が、例えば
機械的な凹凸の組み合わせとして設けられ、前記カセッ
トが前記収納容器２内の所定位置に位置決めされるとと
もに、前記収納容器２の搬送中のカセット２９の位置ず
れが発生することを防止している。
の金属又は、ＳｉＣ又はプラスチックにより形成され、
気密に構成されており、内部にカセット２９を収納可能
な空間が設けられ、このカセット２９は、側面に設けら
れた前記扉８を介して、この収納容器２内へ搬送・搬出
される。前記カセット２９には、複数の基板１１が水平
に載置されている。この基板の載置方法並びに搬入・搬
出装置の好適な例が、特公平４−４７９７６号公報「ウ
エハ検出装置」に述べられている。前記カセット２９の
底部には、前記収納容器２内に設けられた保持手段５５
との位置合わせが可能な位置合わせ手段５６が、例えば
機械的な凹凸の組み合わせとして設けられ、前記カセッ
トが前記収納容器２内の所定位置に位置決めされるとと
もに、前記収納容器２の搬送中のカセット２９の位置ず
れが発生することを防止している。
【００４５】更に、前記収納容器の側壁には、開閉可能
な扉８が、扉の回転中心５７を中心に回転可能な様に設
けられている。扉８の開口位置Ａと扉口位置Ｂとの間の
移動の方法については、詳しく後述する。扉８は、Ａの
開口位置において、扉８の上部の前記収納容器２の内部
側に設けられた永久磁石５９（マグネット）と、これに
対向した位置に設けられた電磁石６０とが、扉８の開口
に、気密を維持する時や、搬送時に引き合って錠を掛け
るマグネット錠が設けられている。
な扉８が、扉の回転中心５７を中心に回転可能な様に設
けられている。扉８の開口位置Ａと扉口位置Ｂとの間の
移動の方法については、詳しく後述する。扉８は、Ａの
開口位置において、扉８の上部の前記収納容器２の内部
側に設けられた永久磁石５９（マグネット）と、これに
対向した位置に設けられた電磁石６０とが、扉８の開口
に、気密を維持する時や、搬送時に引き合って錠を掛け
るマグネット錠が設けられている。
【００４６】前記電磁石６０は、配線６１を介して、前
記収納容器２に設けられると共に、搬送される制御シス
テム６２により、ＯＮ／ＯＦＦが制御される様に構成さ
れている。更に、扉８の閉口位置Ａでは、シール機構６
３、例えばゴムのＯリングが働き、前記収納容器２内と
外部とを隔離し、内部のクリーン度を、例えばクラス１
に保つ様に働く様に構成されている。
記収納容器２に設けられると共に、搬送される制御シス
テム６２により、ＯＮ／ＯＦＦが制御される様に構成さ
れている。更に、扉８の閉口位置Ａでは、シール機構６
３、例えばゴムのＯリングが働き、前記収納容器２内と
外部とを隔離し、内部のクリーン度を、例えばクラス１
に保つ様に働く様に構成されている。
【００４７】前記収納容器２の上部には、開口６４を有
する開閉バルブ６５が配管により、前記収納容器２内の
フィルター６６に接続されている。前記開閉バルブ６５
は、前記収納容器２内へクリーンエア又は不活性ガスを
供給する時に開けられ、その他の時には閉じられる様
に、前記制御システム６２により制御されている。この
クリーンエア又は不活性ガスは、外部にも独立して設け
られた気体供給手段６７よりバルブ６８を介して、開口
を有する接続部６７へ送られる。この接続部１６７は、
前記開口６４に接続可能であり、このクリーンエア又は
不活性ガスの前記収納容器２内への供給は、自動搬送ロ
ボット５１による搬送に先立って行われる。
する開閉バルブ６５が配管により、前記収納容器２内の
フィルター６６に接続されている。前記開閉バルブ６５
は、前記収納容器２内へクリーンエア又は不活性ガスを
供給する時に開けられ、その他の時には閉じられる様
に、前記制御システム６２により制御されている。この
クリーンエア又は不活性ガスは、外部にも独立して設け
られた気体供給手段６７よりバルブ６８を介して、開口
を有する接続部６７へ送られる。この接続部１６７は、
前記開口６４に接続可能であり、このクリーンエア又は
不活性ガスの前記収納容器２内への供給は、自動搬送ロ
ボット５１による搬送に先立って行われる。
【００４８】次に、前記収納容器２の側面下側には、排
気口６９を介してバルブ７０が接続され、このバルブ７
０には開口７１が設けられている。前記バルブ７０は、
前記収納容器２内の真空排気を行う時に開けられ、その
他の時には閉じられる様に、前記収納容器２に設けられ
た制御システム６２により制御されている。
気口６９を介してバルブ７０が接続され、このバルブ７
０には開口７１が設けられている。前記バルブ７０は、
前記収納容器２内の真空排気を行う時に開けられ、その
他の時には閉じられる様に、前記収納容器２に設けられ
た制御システム６２により制御されている。
【００４９】この真空排気は、外部に独立して設けられ
た排気手段７２により、バルブ７３を介して接続された
開口を有する排続部７４に接続された時、行われる様に
構成されている。
た排気手段７２により、バルブ７３を介して接続された
開口を有する排続部７４に接続された時、行われる様に
構成されている。
【００５０】以上の様に、収納容器２は構成されてい
る。次に、この収納容器２の動作について説明を行う。
複数の未処理の基板１１を収納した収納容器２の扉８は
閉じられ、気密な状態とされる。前記収納容器の内部
は、所定の真空度まで真空引きされた後、クリーンエア
又は不活性ガスを導入され、所定の真空度に維持され
る。排気手段７２及び気体供給手段６７から切り離され
た前記収納容器２は、自動搬送ロボット５１（ＡＧＶ）
により搬送され、所定の半導体製造装置１に接続され
る。次に、前記半導体製造装置１のロードロック室との
開口、連通、処理のプロセスについては、前述の通りで
ある。
る。次に、この収納容器２の動作について説明を行う。
複数の未処理の基板１１を収納した収納容器２の扉８は
閉じられ、気密な状態とされる。前記収納容器の内部
は、所定の真空度まで真空引きされた後、クリーンエア
又は不活性ガスを導入され、所定の真空度に維持され
る。排気手段７２及び気体供給手段６７から切り離され
た前記収納容器２は、自動搬送ロボット５１（ＡＧＶ）
により搬送され、所定の半導体製造装置１に接続され
る。次に、前記半導体製造装置１のロードロック室との
開口、連通、処理のプロセスについては、前述の通りで
ある。
【００５１】次に、第３図を用いて前記収納容器２と半
導体製造装置１のロードロック室４に隣接して設けられ
た接続手段７との連通の方法と、前記収納容器２に設け
られた扉の開閉の方法と、前記収納容器２と外部との光
通信の方法について説明を行う。第３図は、前記収納容
器２が接続手段７に接続された状態を示す縦断面図であ
る。第１図、第２図と同じ構成部分には、同じ番号を付
与し、説明を省略する。
導体製造装置１のロードロック室４に隣接して設けられ
た接続手段７との連通の方法と、前記収納容器２に設け
られた扉の開閉の方法と、前記収納容器２と外部との光
通信の方法について説明を行う。第３図は、前記収納容
器２が接続手段７に接続された状態を示す縦断面図であ
る。第１図、第２図と同じ構成部分には、同じ番号を付
与し、説明を省略する。
【００５２】収納容器２は、半導体製造装置１に設けら
れた上下動可能な載置手段１００に、自動半導体ロボッ
ト５１（ＡＧＶ）により移載される。前記収納容器２の
扉８は、開口位置Ａで、接続手段７の開口部に接続さ
れ、この接続手段７と、前記収納容器２の側壁とは気密
シール１０１、１０１、例えばメタル・リングにより気
密を保って接続される。前記収納容器２の上部に設けら
れた制御システム６２は、これと対向配置され、前記接
続手段７に設けられた情報読み／書き装置１０２と光に
通信を行うことが出来る様に構成されている。
れた上下動可能な載置手段１００に、自動半導体ロボッ
ト５１（ＡＧＶ）により移載される。前記収納容器２の
扉８は、開口位置Ａで、接続手段７の開口部に接続さ
れ、この接続手段７と、前記収納容器２の側壁とは気密
シール１０１、１０１、例えばメタル・リングにより気
密を保って接続される。前記収納容器２の上部に設けら
れた制御システム６２は、これと対向配置され、前記接
続手段７に設けられた情報読み／書き装置１０２と光に
通信を行うことが出来る様に構成されている。
【００５３】前記制御システム６２の詳しい構成につい
ては後述する。前記情報読み／書き装置１０２は、常時
光信号を発し、これに応答が制御システム６２より光通
信として所定の信号コードが返されれば、収納容器２が
接続されたとして、前記情報読み／書き装置１０２に電
気的に接続された半導体製造装置の制御システム１０３
に信号を送る構成となっている。この制御システム１０
３は、これに対して扉８の開口信号を、情報読み／書き
装置１０２を介して、光信号として前記制御システム６
２に伝えると、この制御システム６２は、扉８をロック
しているマグネットロックでる電磁石６０をＯＦＦし
て、前記扉８を開口可能とする様に構成されている。
ては後述する。前記情報読み／書き装置１０２は、常時
光信号を発し、これに応答が制御システム６２より光通
信として所定の信号コードが返されれば、収納容器２が
接続されたとして、前記情報読み／書き装置１０２に電
気的に接続された半導体製造装置の制御システム１０３
に信号を送る構成となっている。この制御システム１０
３は、これに対して扉８の開口信号を、情報読み／書き
装置１０２を介して、光信号として前記制御システム６
２に伝えると、この制御システム６２は、扉８をロック
しているマグネットロックでる電磁石６０をＯＦＦし
て、前記扉８を開口可能とする様に構成されている。
【００５４】更に、接続手段７の底側の壁には、磁気シ
ール手段でシールされ、気密な前記接続手段７をアーム
１０４が容器の内部と外部とを結び付ける形で設けられ
ている。アームは、外部に設けられた駆動機構１０５に
より駆動され、回転、上下動される様に構成されてい
る。前記アーム１０４の前記接続手段７の内部には、フ
ック１０５が設けられ、前記収納容器２の前記扉８を開
口位置Ａで挟持して、開口位置Ｂまで、アーム１０４の
駆動により移動させる様に構成されている。
ール手段でシールされ、気密な前記接続手段７をアーム
１０４が容器の内部と外部とを結び付ける形で設けられ
ている。アームは、外部に設けられた駆動機構１０５に
より駆動され、回転、上下動される様に構成されてい
る。前記アーム１０４の前記接続手段７の内部には、フ
ック１０５が設けられ、前記収納容器２の前記扉８を開
口位置Ａで挟持して、開口位置Ｂまで、アーム１０４の
駆動により移動させる様に構成されている。
【００５５】更に、前記情報読み／書き装置１０２は、
光通信により前記制御システム６２内の記憶装置より収
納されている基板１１に関する情報を入手して、前記半
導体製造装置の制御システム１０３へ伝える。この制御
システム１０３は、前記情報に基づいて、前記ロードロ
ック室４内の前記搬送手段２１を制御して、前記カセッ
ト２に載置された基板１１を枝葉ごとに取り出して、前
記処理室３へ搬送する。一連の処理の終了した基板１１
を収納した収納容器２に対しては、前記半導体製造装置
の制御システム１０３は、情報読み／書き手段１０２を
介して光通信により前記制御システム６２に処理の終了
を伝達すると、この制御システム６２は、前記電磁石６
０をＯＮする。同時に、前記半導体製造装置の制御シス
テム１０３は、駆動機構１０５に信号にする指令を出し
て、前記アーム１０４を駆動させて、前記扉８を開口位
置Ａで移動させて、前記収納容器２を気密な状態とす
る。
光通信により前記制御システム６２内の記憶装置より収
納されている基板１１に関する情報を入手して、前記半
導体製造装置の制御システム１０３へ伝える。この制御
システム１０３は、前記情報に基づいて、前記ロードロ
ック室４内の前記搬送手段２１を制御して、前記カセッ
ト２に載置された基板１１を枝葉ごとに取り出して、前
記処理室３へ搬送する。一連の処理の終了した基板１１
を収納した収納容器２に対しては、前記半導体製造装置
の制御システム１０３は、情報読み／書き手段１０２を
介して光通信により前記制御システム６２に処理の終了
を伝達すると、この制御システム６２は、前記電磁石６
０をＯＮする。同時に、前記半導体製造装置の制御シス
テム１０３は、駆動機構１０５に信号にする指令を出し
て、前記アーム１０４を駆動させて、前記扉８を開口位
置Ａで移動させて、前記収納容器２を気密な状態とす
る。
【００５６】次にフック１０５が、前記アーム５８の挟
持を解除し、前記収納容器２を前記接続手段７から切り
離し可能とする。次に、前記自動搬送ロボット５１（Ａ
ＧＶ）が、前記収納容器２の側面に設けられた図示しな
い凸部を挟持して搬送し、次の製造工程又は検査工程
へ、前記収納容器２を搬送する。以上の様に、収納容器
２は構成され、扉８の開閉と、外部との光通信が行われ
る。
持を解除し、前記収納容器２を前記接続手段７から切り
離し可能とする。次に、前記自動搬送ロボット５１（Ａ
ＧＶ）が、前記収納容器２の側面に設けられた図示しな
い凸部を挟持して搬送し、次の製造工程又は検査工程
へ、前記収納容器２を搬送する。以上の様に、収納容器
２は構成され、扉８の開閉と、外部との光通信が行われ
る。
【００５７】次に図４を用いて、前記収納容器２に設け
られた前記制御システム６２について説明を行う。図４
は、前記収納容器２の前記制御システム６２と半導体製
造装置例における、情報読み／書き装置１０２及び制御
システム１０３のブロックを示す図である。図１、図
２、図３と同じ構成部分には、同一の番号を付与して説
明を省略する。破線で示す収納容器２に設けられた制御
システム６２は、演算用ＣＰＵ、制御用プログラムとデ
ータの記憶されたＲＯＭ２０１、読み／書きデータ収納
用ＲＡＭ２０２、これらの電子回路に常時電源を供給す
る電源２０３、光通信制御用（プロトコル）ＬＳＩ２
０、このＬＳＩにより光通信モジュール２０６を駆動す
るＩ／Ｏ２０５と、更に前記扉のマグネット錠を開閉し
ている電磁石６０をＯＮ／ＯＦＦするＩ／Ｏ２０７とに
より構成されている。
られた前記制御システム６２について説明を行う。図４
は、前記収納容器２の前記制御システム６２と半導体製
造装置例における、情報読み／書き装置１０２及び制御
システム１０３のブロックを示す図である。図１、図
２、図３と同じ構成部分には、同一の番号を付与して説
明を省略する。破線で示す収納容器２に設けられた制御
システム６２は、演算用ＣＰＵ、制御用プログラムとデ
ータの記憶されたＲＯＭ２０１、読み／書きデータ収納
用ＲＡＭ２０２、これらの電子回路に常時電源を供給す
る電源２０３、光通信制御用（プロトコル）ＬＳＩ２
０、このＬＳＩにより光通信モジュール２０６を駆動す
るＩ／Ｏ２０５と、更に前記扉のマグネット錠を開閉し
ている電磁石６０をＯＮ／ＯＦＦするＩ／Ｏ２０７とに
より構成されている。
【００５８】前記制御システム６２に対向配置された半
導体製造装置側の情報読み／書き装置１０２には、光通
信モジュール２０８、これを駆動するＩ／Ｏ２０９、光
通信用ＬＳＩ（プロトコル）２１０が設けられている。
導体製造装置側の情報読み／書き装置１０２には、光通
信モジュール２０８、これを駆動するＩ／Ｏ２０９、光
通信用ＬＳＩ（プロトコル）２１０が設けられている。
【００５９】以上の様に構成された光通信システムの動
作について、次に説明を行う。前記収納容器２に設けら
れた制御システム６２は、外部の情報読み／書き装置１
０２と光通信により非接触で通信を行うので、電気的接
続をコネクターの接続等のメカ部分で行う場合に比べ
て、ホコリ、チリが発生せず、等に重金属のゴミの発生
がなく、半導体製造の工程には適している。
作について、次に説明を行う。前記収納容器２に設けら
れた制御システム６２は、外部の情報読み／書き装置１
０２と光通信により非接触で通信を行うので、電気的接
続をコネクターの接続等のメカ部分で行う場合に比べ
て、ホコリ、チリが発生せず、等に重金属のゴミの発生
がなく、半導体製造の工程には適している。
【００６０】又、電子回路のバックアップ電源２０３を
備えているので、常に制御システムを活性化して、アク
ティブな状態に維持できるので、外部との通信制御に適
している。更に、気密な容器の内部の雰囲気を設定する
複数のバルブ６５、７０を、外部からの光通信に基づい
てＣＰＵ２００の指定でＩ／Ｏ２１１が行うので、自動
化に適した構成となっている。
備えているので、常に制御システムを活性化して、アク
ティブな状態に維持できるので、外部との通信制御に適
している。更に、気密な容器の内部の雰囲気を設定する
複数のバルブ６５、７０を、外部からの光通信に基づい
てＣＰＵ２００の指定でＩ／Ｏ２１１が行うので、自動
化に適した構成となっている。
【００６１】更に、気密な収納容器２内の内部に設けら
れた扉８の開閉を行うマグネット錠の制御を、電磁石６
０をＯＮ／ＯＦＦする制御を、ＣＰＵ２００の板金によ
り行う構成となっているので、外部からの光通信で前記
マグネットの開閉を指令することができる。以上の様に
光通信システムは動作する。
れた扉８の開閉を行うマグネット錠の制御を、電磁石６
０をＯＮ／ＯＦＦする制御を、ＣＰＵ２００の板金によ
り行う構成となっているので、外部からの光通信で前記
マグネットの開閉を指令することができる。以上の様に
光通信システムは動作する。
【００６２】以上述べて来た実施例によれば、基板を収
納して製造装置間を搬送する搬送システムにおいて、局
所的なクリーンな空間内に常に基板を置くことが出来、
外部の搬送空間をクリーン度の低い低コストなクリーン
ルームで構成することが可能となる。更に、この基板の
搬送システムは、枝葉処理に対応して枝葉ごとに取り出
し、取り込みが可能な構成であるので、カセットごと、
基板を製造装置へ移載する搬送装置が必要なく、更に、
前記カセットを製造装置内に収納する新たな空間を設け
る必要がなく、製造装置の専有床面積を小さくしてコス
トダウンを達成することができる。
納して製造装置間を搬送する搬送システムにおいて、局
所的なクリーンな空間内に常に基板を置くことが出来、
外部の搬送空間をクリーン度の低い低コストなクリーン
ルームで構成することが可能となる。更に、この基板の
搬送システムは、枝葉処理に対応して枝葉ごとに取り出
し、取り込みが可能な構成であるので、カセットごと、
基板を製造装置へ移載する搬送装置が必要なく、更に、
前記カセットを製造装置内に収納する新たな空間を設け
る必要がなく、製造装置の専有床面積を小さくしてコス
トダウンを達成することができる。
【００６３】更に、本発明の実施例として、製造装置へ
の接続を述べたが、複数の収納容器２を並べて収納する
ストッカーと、製造装置との間の搬送システムにも適用
することができる。更に、収納容器２内の圧力は、製造
工程に最適な設定を行うことができ、例えばＮ2 雰囲気
で減圧して予め接続するロードロック室の圧力、例えば
１×１０-3Ｔｏｒｒに一致させて搬送することも可能で
ある。
の接続を述べたが、複数の収納容器２を並べて収納する
ストッカーと、製造装置との間の搬送システムにも適用
することができる。更に、収納容器２内の圧力は、製造
工程に最適な設定を行うことができ、例えばＮ2 雰囲気
で減圧して予め接続するロードロック室の圧力、例えば
１×１０-3Ｔｏｒｒに一致させて搬送することも可能で
ある。
【００６４】逆に、Ｎ2 雰囲気を大気圧よりも陽圧に設
定して、大気の前記収納容器２内への混入を防止、ロー
ドロック室との接続に先立ってこの収納容器２を減圧し
て、大気圧により近づけた後、ロードロック室と連通す
ることも可能である。更に、Ｎ2 ガスの外に、プロセス
に最適な、例えばＣＯ2 ガス、Ｘｅガス、Ａｒガス等の
所望のガス雰囲気に、前記収納容器を設定し、搬送中の
基板表面に形成された膜質の管理、反応促進を行うこと
も可能である。
定して、大気の前記収納容器２内への混入を防止、ロー
ドロック室との接続に先立ってこの収納容器２を減圧し
て、大気圧により近づけた後、ロードロック室と連通す
ることも可能である。更に、Ｎ2 ガスの外に、プロセス
に最適な、例えばＣＯ2 ガス、Ｘｅガス、Ａｒガス等の
所望のガス雰囲気に、前記収納容器を設定し、搬送中の
基板表面に形成された膜質の管理、反応促進を行うこと
も可能である。
【発明の効果】本発明の基板の搬送システムによれば、
各基板処理装置間で基板が搬送される際には、局所的に
クリーンな環境を収納容器内に実現して、基板のクリー
ン度を保つとともに、各基板製造装置に、前記収納容器
が接続された際には、前記収納容器側壁から水平方向に
枚葉ごとに基板を挿入して処理を行うことが出来る。し
たがって、各基板処理装置に、複数の基板をカセットご
と搬入する機構や、スペースを省略でき、前記収納容器
を前記基板製造装置と連通した気密な空間として使用す
ることが出来るので、搬送されて来た前記収納容器内の
基板のクリーン度を保ちつつ、前記収納容器を前記基板
処理装置のカセット室として機能させる基板の搬送シス
テムを提供できる。
各基板処理装置間で基板が搬送される際には、局所的に
クリーンな環境を収納容器内に実現して、基板のクリー
ン度を保つとともに、各基板製造装置に、前記収納容器
が接続された際には、前記収納容器側壁から水平方向に
枚葉ごとに基板を挿入して処理を行うことが出来る。し
たがって、各基板処理装置に、複数の基板をカセットご
と搬入する機構や、スペースを省略でき、前記収納容器
を前記基板製造装置と連通した気密な空間として使用す
ることが出来るので、搬送されて来た前記収納容器内の
基板のクリーン度を保ちつつ、前記収納容器を前記基板
処理装置のカセット室として機能させる基板の搬送シス
テムを提供できる。
【図１】本願発明の一実施例である基板の搬送システム
の概念図である。
の概念図である。
【図２】本願発明の一実施例である基板の搬送システム
の主要部を示す縦断面図である。
の主要部を示す縦断面図である。
【図３】本願発明の一実施例である基板の搬送システム
の主要部を示す縦断面図である。
の主要部を示す縦断面図である。
【図４】本願発明の一実施例である基板の搬送システム
の光通信に関するブロック図である。
の光通信に関するブロック図である。
１ 半導体製造装置 ２ 収納容器 ３ 処理室 ４ ロードロック室 ７ 接続手段 ８ 扉 11 基板 29 カセット 60 電磁石 62 制御システム 63 シール機構 101 気密シール
Claims (14)
- 【請求項１】 複数の基板を収納して搬送可能な収納容
器と、この収納容器の内外の雰囲気を隔離する気密シー
ルと、前記収納容器に設けられ開閉可能な扉と、この扉
を介して基板処理装置と隣接され前記扉を開いて前記基
板処理装置と前収納容器が連通される接続手段と、前記
基板処理装置に設けられた基板の搬送手段とを備え、こ
の搬送手段により、前記収納容器内の基板を水平状態で
枝葉ごとに、前記基板処理装置内へ搬送することを特徴
とする基板の搬送システム。 - 【請求項２】 複数の基板を収納して搬送可能な収納容
器と、この収納容器の内外の雰囲気を隔離する気密シー
ル機構と、前記収納容器に設けられ開閉可能な扉と、こ
の扉が開いて形成される、前記収納容器の開口部を介し
て、基板処理装置内と連通する連通手段と、この連通手
段を介して前記収納容器内の基板を取り出して、前記基
板処理装置内に搬送する前記基板処理装置内に設けられ
た基板の搬送手段とを備え、この搬送手段により、前記
収納容器内の基板を枝葉ごとに前記基板処理装置内へ搬
送することを特徴とする基板の搬送システム。 - 【請求項３】 前記扉は、前記収納容器の側壁に設けら
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項の基板の搬送システム。 - 【請求項４】 前記収納容器への複数の基板の収納は、
これらの複数の基板を収納するカセットを、前記収納容
器内へ収納することを特徴とする特許請求の範囲第１項
又は第２項の基板の搬送システム。 - 【請求項５】 前記基板は、半導体ウエハ又は液晶基板
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項の基板の搬送システム。 - 【請求項６】 前記基板は、前記半導体処理装置により
加工又は処理される面を下側にして、前記収納容器に収
納されることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項の基板の搬送システム。 - 【請求項７】 前記収納容器は、Ｎ2 ガス又はＡｒガス
又はＸｅガスのいずれかの雰囲気により、大気圧よりも
陽圧に設定されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項の基板の搬送システム。 - 【請求項８】 前記収納容器内は、クリーンエアによ
り、大気圧よりも陽圧に設定されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項の基板の搬送シス
テム。 - 【請求項９】 前記扉の開閉は、前記半導体処理装置か
らの指令により開閉されることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項の基板の搬送システム。 - 【請求項１０】 前記基板処理装置は、アッシング装
置、エッチング装置、成膜装置又は塗付現象装置のいず
れか、又はこれらの装置を組み合わせにより構成された
半導体処理装置であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項の基板の搬送システム。 - 【請求項１１】 前記収納容器内のクリーン度は、前記
収納容器の搬送中はクラス０．１乃至クラス１に設定さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項の基板の搬送システム。 - 【請求項１２】 前記収納容器内と前記基板処理装置の
ロードロック室とが連通した際には、前記収納容器内の
クリーン度は、前記ロードロック室内のクリーン度によ
り決定されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項の基板の搬送システム。 - 【請求項１３】 前記連通時のロードロック室内のクリ
ーン度は、クラス１乃至クラス１０に設定されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１２項の基板の搬送シ
ステム。 - 【請求項１４】 気密な収納容器内に複数の基板を収納
して搬送する第１の工程と、前記収納容器と基板処理装
置又は基板検査装置のいずれかに設けられた基板搬送手
段を備えた部屋とを、前記収納容器に設けられた開閉可
能な扉を介して連通する第２の工程と、前記基板搬送手
段により前記収納容器内に収納された基板を、枚葉ごと
に取り出して、前記基板処理装置又は半導体検査装置内
のいずれかに移載する第３の工程と、前記基板処理装置
又は基板検査装置のいずれかにより、予め定められた処
理又は検査を前記基板に対して行う第４の工程とを備え
たことを特徴とする基板の搬送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34797093A JPH07183354A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 基板の搬送システム及び基板の搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34797093A JPH07183354A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 基板の搬送システム及び基板の搬送方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003330737A Division JP3830478B2 (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 基板の搬送システム及び基板の搬送方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183354A true JPH07183354A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18393852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34797093A Pending JPH07183354A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 基板の搬送システム及び基板の搬送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183354A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-12-24 JP JP34797093A patent/JPH07183354A/ja active Pending
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| JP2007311742A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | キャリヤ，設備連結装置，およびこれらを有した搬送連結システム |
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