JPH06216060A - 真空処理方法 - Google Patents

真空処理方法

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JPH06216060A
JPH06216060A JP5019581A JP1958193A JPH06216060A JP H06216060 A JPH06216060 A JP H06216060A JP 5019581 A JP5019581 A JP 5019581A JP 1958193 A JP1958193 A JP 1958193A JP H06216060 A JPH06216060 A JP H06216060A
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wafer
ions
processing
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隆裕 三角
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理後の被処理体の搬送の円滑化及びパーテ
ィクルの付着の防止を図ることができる真空処理方法を
提供する。 【構成】 真空雰囲気中に被処理体４を搬送して処理す
る真空処理方法において、処理後の被処理体４を搬送す
る際に、イオン及び電子を供給して被処理体４の帯電を
中和することを特徴としている。これにより、処理後の
被処理体４を搬送する際に、被処理体４の帯電を中和す
ることができ、被処理体４の搬送の円滑化及びパーティ
クルの付着の防止を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、真空雰囲気中に被処
理体を搬送して処理する真空処理方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの製造においては、例えば
イオン注入装置を用いて被処理体である半導体ウエハ
（以下にウエハという）に不純物を注入する処理が行わ
れる。この処理は、真空雰囲気に保たれた処理室内でカ
セットに収容されているウエハをハンドリング装置によ
り円形の処理台（ディスク）上に並べ、この処理台の回
転運動と摺動運動によりウエハを走査してイオンビーム
を均一に照射する。この処理中においては、ウエハの帯
電を防止するために、例えばプラズマ発生部にて生成さ
れるイオンを含む電子シャワーをウエハに照射させて中
和を図ることが行われる。
【０００３】そして、上記処理が終了すると、処理台上
のウエハはハンドリング装置によりカセットに戻され、
その後、次の処理部へ移動される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ウエハ
は、処理中に帯電防止が図られているにも拘らず、処理
後、ハンドリング装置により搬送する際に、ウエハが処
理台から離れた時点で高い電位（数百ボルト）となるこ
とがある。そのため、ウエハがハンドリング装置に吸着
してカセットへの受け渡し時にウエハの損傷を招くな
ど、ウエハの搬送に支障をきたしたり、ウエハにパーテ
ィクルが付着するなどの不具合が生じていた。
【０００５】そこで、この発明は上記問題点を解決すべ
くなされたもので、処理後の被処理体の搬送の円滑化及
びパーティクルの付着の防止を図ることができる真空処
理方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の真空処理方法は、真空雰囲気中に
被処理体を搬送して処理する真空処理方法において、処
理後の上記被処理体を搬送する際に、上記真空雰囲気中
にイオン及び電子を供給して被処理体の帯電を中和する
ことを特徴としている。
【０００７】また、この発明の第２の真空処理方法は、
真空雰囲気中に被処理体を搬送して処理する真空処理方
法において、処理後の上記被処理体を搬送する際に、上
記真空雰囲気中にイオン化ガスを供給して被処理体の帯
電を中和することを特徴としている。
【０００８】また、この発明の第３の真空処理方法は、
真空雰囲気中に被処理体を搬送して処理する真空処理方
法において、上記被処理体にイオンビームを照射すると
共に、被処理体の帯電を中和するイオン及び電子を供給
して被処理体の処理を行った後、上記被処理体を搬送す
る際に、上記真空雰囲気中にイオン及び電子を供給して
被処理体の帯電を中和することを特徴としている。
【０００９】また、この発明の第４の真空処理方法は、
真空雰囲気中に被処理体を搬送して処理する真空処理方
法において、上記被処理体にイオンビームを照射すると
共に、被処理体の帯電を中和するイオン化ガスを供給し
て被処理体の処理を行った後、上記被処理体を搬送する
際に、上記真空雰囲気中にイオン化ガスを供給して被処
理体の帯電を中和することを特徴としている。
【００１０】
【作用】この発明の真空処理方法によれば、処理後の被
処理体を搬送する際に、被処理体にイオン及び電子ある
いはイオン化ガスを供給することにより、被処理体の帯
電を中和することができる。したがって、処理後の被処
理体の搬送に支障をきたすことがなく、搬送の円滑化及
びパーティクルの付着の防止を図ることができる。
【００１１】また、被処理体にイオンビームを照射する
と共に、被処理体の帯電を中和するイオン及び電子又は
イオン化ガスを供給して被処理体の処理を行った後、被
処理体を搬送する際に、被処理体にイオン及び電子又は
イオン化ガスを供給することにより、処理工程中の被処
理体の帯電を中和することができると共に、処理後の搬
送中の被処理体の帯電を中和することができ、処理及び
工程の一連の工程中における被処理体の搬送の円滑化及
びパーティクルの付着の防止を図ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。ここでは、この発明を半導体ウエハのイ
オン注入装置に適用した場合の実施例を示している。
【００１３】図１において、１は処理装置としてのイオ
ン注入装置で、このイオン注入装置１はバキューム装置
２により真空に保持された処理室３を備えている。この
処理室３内には被処理体である半導体ウエハ４（以下に
ウエハという）を周方向に並べて保持する円形、具体的
には偏平に近い円錐形の処理台（ディスク）５が駆動機
構６を介して軸回りに回転可能、起倒可能及び上下方向
に摺動可能に設けられている。上記処理室３に隣接し
て、図２に示すように、複数のカセット収容室７が設け
られ、各カセット収容室７と処理室３はウエハの搬出入
口８を介して連通されている。カセット収容室７には、
ウエハを多段に収容したカセット９がエレベータ台１０
を介して昇降可能に設けられ、カセット収容室７の上部
には上昇するカセット９を収容してウエハの搬出入を可
能とする図示しない密閉カバーが設けられている。
【００１４】上記処理室３内には、カセット９からウエ
ハ４を取出して処理台５上に並べたり、処理後のウエハ
４を処理台５からカセット９に戻したりするウエハ搬送
手段としてのハンドリング装置１１が設けられている。
このハンドリング装置１１は、カセット収容室７の並び
に沿って設けられたガイドレール１２上を移動する移動
体１３と、この移動体１３上に設けられた回転体１４
と、この回転体１４に設けられてウエハ４の下面を支持
する屈伸可能なアーム１５とから主に構成されている。
【００１５】上記処理台５上には、図３に示すように、
周方向に多数のウエハ載置部１６が形成され、ウエハ載
置部１６にはウエハ４の外周を係止する複数の爪１７が
設けられている。また、ウエハ載置部１６には３つのピ
ン孔１８が形成され、上記ハンドリング装置１１の近傍
にはこれらピン孔１８を貫通して上下動するピン１９に
よりハンドリング装置１１のアーム１５との間でウエハ
４の受取り受渡しを行うリフタ２０が設置されている。
【００１６】処理台５は、イオン注入処理を行うときに
駆動機構６により図３の実線で示す倒伏状態の準備位置
から垂直に回動されて仮想線で示す起立状態とされるよ
うになっている。この起立状態の処理台５の最上部のウ
エハ４に対向させてファラデーカップ２１が設置されて
おり、このファラデーカップ２１の側部のイオンビーム
２５に臨む位置にはイオン中和手段であるプラズマ発生
部３０が設置されている。
【００１７】上記ファラデーカップ２１は、イオン注入
時に発生する二次電子を外部に流出しないように閉じ込
めてイオン注入量を正確に測定するものである。この場
合、ファラデーカップ２１のイオンビーム２５の侵入側
には、ファラデーカップ２１の外に二次電子が飛び出な
いように、例えば−１０００Ｖの電圧Ｅs が印加される
サプレス電極２６が設けられている（図４参照）。
【００１８】上記プラズマ発生部３０は、図４に示すよ
うに、例えばカーボンやモリブデン等からなるプラズマ
発生室３１内に例えばタングステンよりなるフィラメン
ト３２を設けて構成され、プラズマ発生室３１における
ファラデーカップ２１との対向する壁部には、プラズマ
がファラデーカップ２１内に流出できるように開口部３
３が形成されている。なお、ファラデーカップ２１にお
いて、開口部３３と対向する管壁部には、開口部２１ａ
が形成されており、これら開口部３３，２１ａによって
プラズマ出口が構成されている。
【００１９】上記フィラメント３２の両端には、ターミ
ナル、給電プレート、給電ロッド等を組合せてなる給電
部材３４，３５がそれぞれ接続され、これら給電部材３
４，３５間には、フィラメント電圧Ｅf を印加するため
の電源が接続されると共に、フィラメント３２とプラズ
マ発生室３１の壁部との間には、放電電圧Ｅd を印加す
るための電源が接続されている。
【００２０】この場合、プラズマ発生室３１は、例えば
アルミニウム合金製の冷却用ブロック体３６の中に収納
されており、このブロック体３６は、プラズマ発生室３
１を冷却するように内部に冷却水路（図示せず）が形成
されると共に、この冷却水路内に冷却水を循環させるた
めに冷却水管３７，３８が接続されている。なお、プラ
ズマ発生室３１の背面側とウエハ４とを仕切るように熱
シールド板３９が設けられている。この熱シールド板３
９を設けた理由は、上記給電部材３４，３５に大きな電
流が流れる際に、プラズマ発生室３１が高温（約８００
℃）に加熱され、部品が高温に加熱されると、その表面
から放出される汚染物質によってウエハ４が汚染される
のを防止すると共に、ウエハ表面の回路パターン等が熱
変形するのを防止するためである。
【００２１】一方、イオン注入部は、図１に示すよう
に、ガスや固体の蒸気をプラズマ化してプラズマ内の正
イオンを図示しない電極によって引き出すイオン源２２
と、このイオン源２２から引き出されたイオンビーム２
５に対して質量分析を行って所望のイオンを分離する分
析マグネット２３と、イオンビーム２５を最終エネルギ
ーまで加速する加速管２４とで主要部が構成されてい
る。このように構成されるイオン注入部のイオン源２２
から引き出されたイオンビーム２５がウエハ４に照射さ
れて、ウエハ４の表面に所望の不純物を導入することが
できる。
【００２２】次に、上記実施例の作用について説明す
る。イオン源２２から引き出されたイオンビーム２５は
分析マグネット２３にて質量分析され、更に加速管２４
で加速された後、ファラデーカップ２１内を通って、処
理台５上に載置保持されたウエハ４に照射され、不純物
がウエハ４内に打ち込まれる。
【００２３】そして、プラズマ発生室３１内のフィラメ
ント３２が電圧Ｅf により加熱されて熱電子が発生し、
フィラメント３２とプラズマ発生室３１との間の放電電
圧Ｅd により、プラズマを発生する。一方、イオンビー
ム２５の照射によりウエハ４の表面が正の電荷により帯
電すると、プラズマ発生室３１とウエハ４の表面との間
に電位勾配が生じるため、プラズマ中の電子がプラズマ
発生室３１の出口（開口部３３及び２１ａ）を通ってウ
エハ４の表面に引き寄せられて表面上の正の電荷を中和
する。
【００２４】上記のようにして、イオン注入処理を行っ
た後、イオン源２２の作動が停止されると共に、処理台
５が準備位置に戻され、その処理台５上からリフタ２０
とハンドリング装置１１によりウエハ４を一枚ずつカセ
ット９へ搬送する際に、再びフィラメント３２にフィラ
メント電圧Ｅf を印加させると共に、フィラメント３２
とプラズマ発生室３１との間に放電電圧Ｅd を印加させ
て、処理室３内にイオン及び電子２５ａを供給すること
により、ウエハ４の帯電を中和する。この場合、プラズ
マ発生部３０の作動により電子シャワーが発生し、その
イオン及び電子が処理室内に存在する微量のガスと反応
して生じるイオンによってウエハ４がリフタ２０のピン
１９により処理台５から離される際に生じる高い電位の
静電気が中和されて除去されることになる。
【００２５】したがって、処理後のウエハ４を搬送する
際に、ウエハ４の帯電が中和されるため、ウエハ４がハ
ンドリング装置１１のアーム１５に吸着することがな
く、搬送の円滑化が図れると共にウエハ４へのパーティ
クルの付着が防止される。また、処理後のウエハ４の搬
送時に生じる帯電を中和するのに処理中に使用されるプ
ラズマ発生部３０を利用するようにしたので、別途中和
手段を設ける必要がなく、処理装置の構成の簡素化及び
コストダウンが図れる。
【００２６】上記実施例では、ウエハ４の帯電をイオン
及び電子によって中和させる場合について説明したが、
イオン化ガスを供給してウエハ４の帯電を中和するよう
にすれば、更に中和の促進が図れる。この場合、図５に
示すように、上記プラズマ発生室３１にキセノン（Ｘ
ｅ）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを供給
するガス供給管４０を接続し、また、ブロック体３６内
におけるプラズマ発生室３１の両壁側に互いに対向する
ように永久磁石４１，４２を配置する。なお、永久磁石
４１，４２は内方側（プラズマ発生室３１側）がＮ極、
外方側がＳ極となるように着磁されている。また、永久
磁石４１，４２によってファラデーカップ２１内にも磁
界が形成されると、プラズマ発生部３０より引き出され
た電子が、磁界により運動方向を規制されて中和を必要
とするウエハ４の表面に供給されにくくなるため、ブロ
ック体３６の前面（ファラデーカップ２１側の面）及び
側面を覆うように磁気シールドカバー４３が設けられて
いる。なお、図５において、その他の部分は図４と同じ
であるので、同一部分には同一符号を付して、その説明
は省略する。
【００２７】上記のように構成することにより、プラズ
マ発生室３１内のフィラメント３２が電圧Ｅf により加
熱されて熱電子が発生し、フィラメント３２とプラズマ
発生室３１との間に放電電圧Ｅd が印加されると、ガス
供給管４０から導入されたＸｅガス等の放電ガスを熱電
子が励起し、しかも永久磁石４１，４２によりプラズマ
発生室３１内には磁界が形成されているので、効率よく
プラズマを発生させることができる。したがって、イオ
ン量が増大され、ウエハ４の搬送時に生じる帯電を効果
的に中和することができる。なおこの場合、処理室３内
は常時真空引きされているので、ウエハ４の帯電の中和
に供されたガスは排気され、ウエハ４に支障をきたすこ
とはない。また、上記第一実施例と同様に、ウエハ４に
イオンビーム２５を照射してウエハ内に不純物を打ち込
んだ後、イオン源２２の作動を停止し、ウエハ４を搬送
する際に、真空雰囲気の処理室３中にイオン化ガスを供
給してウエハ４の帯電を中和すれば、処理及び搬送の一
連の工程においてウエハ４の帯電を中和することができ
る。
【００２８】上記実施例では、帯電の中和手段としてフ
ィラメントを用いたプラズマ発生部を使用する場合につ
いて説明したが、ＲＦイオン源等を用いてプラズマを発
生するものを用いることもできる。
【００２９】なお、この発明は、イオン注入装置に限ら
ず、真空雰囲気中に被処理体を搬送して処理するもので
あれば、例えばエッチング装置等にも適用できることは
勿論である。
【００３０】
【発明の効果】以上要するにこの発明によれば、次のよ
うな優れた効果を発揮する。
【００３１】１）請求項１記載の真空処理方法によれ
ば、処理後の被処理体を真空雰囲気中で搬送する際に、
イオン及び電子を供給して被処理体の帯電を中和するの
で、処理後の被処理体の搬送に際して帯電を防止するこ
とができ、被処理体の搬送の円滑化及びパーティクルの
付着の防止を図ることができる。
【００３２】２）請求項２記載の真空処理方法によれ
ば、処理後の被処理体を真空雰囲気中で搬送する際に、
イオン化ガスを供給して被処理体の帯電を中和するの
で、被処理体の帯電を更に効果的に中和することがで
き、真空雰囲気中の被処理体の搬送を更に円滑にするこ
とができる。
【００３３】３）請求項３又は４記載の真空処理方法に
よれば、被処理体にイオンビームを照射すると共に、被
処理体の帯電を中和するイオン及び電子又はイオン化ガ
スを供給して被処理体の処理を行った後、被処理体を搬
送する際に、真空雰囲気中にイオン及び電子又はイオン
化ガスを供給して被処理体の帯電を中和するので、処理
工程中の被処理体の帯電を中和することができると共
に、処理後の搬送中の被処理体の帯電を中和することが
でき、処理及び工程の一連の工程中における被処理体の
搬送の円滑化及びパーティクルの付着の防止を図ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の真空処理方法を実施するための処理
装置を示す平面図である。
【図２】図１の処理装置の部分的斜視図である。
【図３】真空処理方法を説明するための図である。
【図４】イオン中和手段を示す要部断面図である。
【図５】イオン中和手段の別の要部断面図である。
【符号の説明】
３ 処理室 ４ 半導体ウエハ（被処理体） ５ 処理台 １１ ハンドリング装置 ３０ プラズマ発生部（イオン中和手段）

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空雰囲気中に被処理体を搬送して処理
    する真空処理方法において、 処理後の上記被処理体を搬送する際に、上記真空雰囲気
    中にイオン及び電子を供給して被処理体の帯電を中和す
    ることを特徴とする真空処理方法。
  2. 【請求項２】 真空雰囲気中に被処理体を搬送して処理
    する真空処理方法において、 処理後の上記被処理体を搬送する際に、上記真空雰囲気
    中にイオン化ガスを供給して被処理体の帯電を中和する
    ことを特徴とする真空処理方法。
  3. 【請求項３】 真空雰囲気中に被処理体を搬送して処理
    する真空処理方法において、 上記被処理体にイオンビームを照射すると共に、被処理
    体の帯電を中和するイオン及び電子を供給して被処理体
    の処理を行った後、上記被処理体を搬送する際に、上記
    真空雰囲気中にイオン及び電子を供給して被処理体の帯
    電を中和することを特徴とする真空処理方法。
  4. 【請求項４】 真空雰囲気中に被処理体を搬送して処理
    する真空処理方法において、 上記被処理体にイオンビームを照射すると共に、被処理
    体の帯電を中和するイオン化ガスを供給して被処理体の
    処理を行った後、上記被処理体を搬送する際に、上記真
    空雰囲気中にイオン化ガスを供給して被処理体の帯電を
    中和することを特徴とする真空処理方法。
JP5019581A 1993-01-12 1993-01-12 真空処理方法 Pending JPH06216060A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5814819A (en) * 1997-07-11 1998-09-29 Eaton Corporation System and method for neutralizing an ion beam using water vapor
JP3406488B2 (ja) * 1997-09-05 2003-05-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US5909031A (en) * 1997-09-08 1999-06-01 Eaton Corporation Ion implanter electron shower having enhanced secondary electron emission
US6207006B1 (en) 1997-09-18 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US6451674B1 (en) 1998-02-18 2002-09-17 Matsushita Electronics Corporation Method for introducing impurity into a semiconductor substrate without negative charge buildup phenomenon
US6178361B1 (en) * 1998-11-20 2001-01-23 Karl Suss America, Inc. Automatic modular wafer substrate handling device
JP3955724B2 (ja) * 2000-10-12 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
KR100480821B1 (ko) * 2002-05-17 2005-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 정전기 방지용 패널 수납장치
US7205250B2 (en) * 2003-03-18 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
US8344337B2 (en) * 2010-04-21 2013-01-01 Axcelis Technologies, Inc. Silaborane implantation processes
US9084334B1 (en) 2014-11-10 2015-07-14 Illinois Tool Works Inc. Balanced barrier discharge neutralization in variable pressure environments
JP7209318B2 (ja) * 2017-11-22 2023-01-20 日新イオン機器株式会社 フラットパネルディスプレイ製造装置
US20190259559A1 (en) * 2018-02-20 2019-08-22 Veeco Instruments, Inc. Plasma bridge neutralizer for ion beam etching

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042971A (en) * 1974-09-30 1977-08-16 Hermann Brennecke Electrostatic charge neutralization
US4333123A (en) * 1980-03-31 1982-06-01 Consan Pacific Incorporated Antistatic equipment employing positive and negative ion sources
JPS57104218A (en) * 1980-12-19 1982-06-29 Nec Corp Fabrication of semiconductor device
JPS5893323A (ja) * 1981-11-30 1983-06-03 Semiconductor Res Found 半導体製造装置
JPS603121A (ja) * 1983-06-21 1985-01-09 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの処理方法
US4786814A (en) * 1983-09-16 1988-11-22 General Electric Company Method of reducing electrostatic charge on ion-implanted devices
US4523985A (en) * 1983-12-22 1985-06-18 Sputtered Films, Inc. Wafer processing machine
US4553069A (en) * 1984-01-05 1985-11-12 General Ionex Corporation Wafer holding apparatus for ion implantation
US4675530A (en) * 1985-07-11 1987-06-23 Eaton Corporation Charge density detector for beam implantation
JPS6226756A (ja) * 1985-07-26 1987-02-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
US4724222A (en) * 1986-04-28 1988-02-09 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Wafer chuck comprising a curved reference surface
JPS63168949A (ja) * 1986-12-29 1988-07-12 Fuji Photo Film Co Ltd 電子顕微鏡
US5080549A (en) * 1987-05-11 1992-01-14 Epsilon Technology, Inc. Wafer handling system with Bernoulli pick-up
US4804837A (en) * 1988-01-11 1989-02-14 Eaton Corporation Ion implantation surface charge control method and apparatus
US5099557A (en) * 1988-07-08 1992-03-31 Engelsberg Audrey C Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source
JP2618001B2 (ja) * 1988-07-13 1997-06-11 三菱電機株式会社 プラズマ反応装置
JP2838900B2 (ja) * 1989-08-18 1998-12-16 忠弘 大見 帯電物体の中和方法および中和装置
JP2949731B2 (ja) * 1989-09-25 1999-09-20 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US5286978A (en) * 1989-10-25 1994-02-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of removing electric charge accumulated on a semiconductor substrate in ion implantation
JPH03242929A (ja) * 1990-02-21 1991-10-29 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JP2506219B2 (ja) * 1990-06-19 1996-06-12 富士通株式会社 静電吸着方法
JP2568006B2 (ja) * 1990-08-23 1996-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション イオン化空気により対象物から電荷を放電させる方法及びそのための装置
JP2977098B2 (ja) * 1990-08-31 1999-11-10 忠弘 大見 帯電物の中和装置
JPH04336421A (ja) * 1991-05-14 1992-11-24 Mitsubishi Electric Corp イオン注入装置用帯電中和装置
US5306921A (en) * 1992-03-02 1994-04-26 Tokyo Electron Limited Ion implantation system using optimum magnetic field for concentrating ions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030025006A (ko) * 2001-09-19 2003-03-28 삼성전자주식회사 이온주입 설비의 웨이퍼 리프트 조립체 보호장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5492862A (en) 1996-02-20
KR100300095B1 (ko) 2001-11-30

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