JPH09223673A - 半導体基板の除電方法 - Google Patents
半導体基板の除電方法Info
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- JPH09223673A JPH09223673A JP3022196A JP3022196A JPH09223673A JP H09223673 A JPH09223673 A JP H09223673A JP 3022196 A JP3022196 A JP 3022196A JP 3022196 A JP3022196 A JP 3022196A JP H09223673 A JPH09223673 A JP H09223673A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の製造工程を簡略にしつつ半導体
基板の十分な除電処理を行うことが可能な除電方法を提
供する。 【解決手段】 半導体基板１２上に所定の半導体層を結
晶成長させるに際して、半導体基板１２を系外に取り出
すことなく反応炉２６に搬送するための搬送装置２８の
基板保持部３２内を所定の気体雰囲気（Ｈ2 −Ｎ2 雰囲
気）にする雰囲気工程と、その基板保持部３２内でその
Ｈ2 −Ｎ2 ガスのイオンを発生させることによりその基
板保持部３２内に載置された半導体基板１２を除電する
除電工程とを、含む工程によって半導体基板１２が除電
される。そのため、結晶成長に先立って除電装置内で除
電処理する工程を別途設けることなく除電処理が可能で
あると共に、除電処理された半導体基板１２は外部へ取
り出されることなく反応炉２６に搬送されることとなっ
て、半導体素子の製造工程を簡略にしつつ半導体基板１
２の十分な除電処理を行うことが可能となる。
基板の十分な除電処理を行うことが可能な除電方法を提
供する。 【解決手段】 半導体基板１２上に所定の半導体層を結
晶成長させるに際して、半導体基板１２を系外に取り出
すことなく反応炉２６に搬送するための搬送装置２８の
基板保持部３２内を所定の気体雰囲気（Ｈ2 −Ｎ2 雰囲
気）にする雰囲気工程と、その基板保持部３２内でその
Ｈ2 −Ｎ2 ガスのイオンを発生させることによりその基
板保持部３２内に載置された半導体基板１２を除電する
除電工程とを、含む工程によって半導体基板１２が除電
される。そのため、結晶成長に先立って除電装置内で除
電処理する工程を別途設けることなく除電処理が可能で
あると共に、除電処理された半導体基板１２は外部へ取
り出されることなく反応炉２６に搬送されることとなっ
て、半導体素子の製造工程を簡略にしつつ半導体基板１
２の十分な除電処理を行うことが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に半
導体層を結晶成長させて半導体素子を製造するに際して
その半導体基板を除電するための除電方法に関する。
導体層を結晶成長させて半導体素子を製造するに際して
その半導体基板を除電するための除電方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、発光ダイオードや半導体レーザ
等の半導体素子は、GaAs（ガリウム砒素）やSi（シリコ
ン）等の半導体基板上に、GaAs,AlGaAs 等の半導体層を
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n ：有機金属化学気相成長）法やＬＰＥ（Liquid Phase
Epitaxy：液相成長）法等によって結晶成長させて積層
することにより製造される。
等の半導体素子は、GaAs（ガリウム砒素）やSi（シリコ
ン）等の半導体基板上に、GaAs,AlGaAs 等の半導体層を
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n ：有機金属化学気相成長）法やＬＰＥ（Liquid Phase
Epitaxy：液相成長）法等によって結晶成長させて積層
することにより製造される。
【０００３】上記の結晶成長に用いられる半導体基板
は、例えば、ＣＺ法等の引き上げ法によって得られた円
柱状のインゴットを、ダイヤモンドカッタ等によって所
定厚さに切断加工し、更に、所定の面粗さや平坦度が得
られるように研磨加工することで製造される。そして、
この半導体基板は、例えば、図１に断面形状を示される
ような円盤状のプラスチック製のキャリア１０に密封さ
れた状態で半導体基板製造メーカーから半導体素子製造
メーカーに運搬される。図においてキャリア１０は、半
導体基板１２をその周縁部で支持するための凹所１４を
備えた本体１６と、同様な形状の凹所１８をその本体１
６側に有してその本体１６との間に密閉空間を形成する
ための蓋体２０とから構成されており、その蓋体２０の
凹所１８が形成された内面には、半導体基板１２を本体
１６側に押圧して固定するためのプラスチック製のスプ
リング２２が備えられている。
は、例えば、ＣＺ法等の引き上げ法によって得られた円
柱状のインゴットを、ダイヤモンドカッタ等によって所
定厚さに切断加工し、更に、所定の面粗さや平坦度が得
られるように研磨加工することで製造される。そして、
この半導体基板は、例えば、図１に断面形状を示される
ような円盤状のプラスチック製のキャリア１０に密封さ
れた状態で半導体基板製造メーカーから半導体素子製造
メーカーに運搬される。図においてキャリア１０は、半
導体基板１２をその周縁部で支持するための凹所１４を
備えた本体１６と、同様な形状の凹所１８をその本体１
６側に有してその本体１６との間に密閉空間を形成する
ための蓋体２０とから構成されており、その蓋体２０の
凹所１８が形成された内面には、半導体基板１２を本体
１６側に押圧して固定するためのプラスチック製のスプ
リング２２が備えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な半導体基板１２上に半導体層を結晶成長させるに際し
て、その半導体基板１２が帯電していると結晶成長させ
るための反応炉内やその反応炉内に半導体基板１２を搬
送するための搬送装置内に存在する塵芥がその表面に吸
着されることから、ピットが増加して半導体素子の不良
が発生する。そのため、半導体基板１２上に半導体層を
結晶成長させて半導体素子を製造するに際しては、半導
体基板１２を除電することが必要である。
な半導体基板１２上に半導体層を結晶成長させるに際し
て、その半導体基板１２が帯電していると結晶成長させ
るための反応炉内やその反応炉内に半導体基板１２を搬
送するための搬送装置内に存在する塵芥がその表面に吸
着されることから、ピットが増加して半導体素子の不良
が発生する。そのため、半導体基板１２上に半導体層を
結晶成長させて半導体素子を製造するに際しては、半導
体基板１２を除電することが必要である。
【０００５】従来においては、結晶成長させるに先立っ
て、半導体基板１２に生じている研磨加工時の歪みや酸
化皮膜等を除去する目的で半導体素子製造メーカーにお
いてエッチング処理が行われていたため、これによって
半導体基板１２が除電されていた。ところが、近年にお
いては、製造工程を簡略化する等の目的で、半導体素子
製造メーカーでエッチング処理することなく結晶成長を
行うため、半導体基板製造メーカー側でエッチング処理
が為された後、前記キャリア１０に密封された状態で半
導体基板１２が運搬されている。
て、半導体基板１２に生じている研磨加工時の歪みや酸
化皮膜等を除去する目的で半導体素子製造メーカーにお
いてエッチング処理が行われていたため、これによって
半導体基板１２が除電されていた。ところが、近年にお
いては、製造工程を簡略化する等の目的で、半導体素子
製造メーカーでエッチング処理することなく結晶成長を
行うため、半導体基板製造メーカー側でエッチング処理
が為された後、前記キャリア１０に密封された状態で半
導体基板１２が運搬されている。
【０００６】上記のキャリア１０は、前述のように半導
体基板１２をスプリング２２によって押圧固定した状態
で運搬するものであるが、運搬中に加えられた振動によ
って半導体基板１２が微妙に振動させられると、凹所１
４やスプリング２２との摺動によってその半導体基板１
２が帯電させられることとなる。そのため、半導体素子
製造メーカーにおいて結晶成長前に除電処理を行う必要
が生じて、エッチング処理を省略したにも拘わらず製造
工程が十分に簡略にならないという問題がある。
体基板１２をスプリング２２によって押圧固定した状態
で運搬するものであるが、運搬中に加えられた振動によ
って半導体基板１２が微妙に振動させられると、凹所１
４やスプリング２２との摺動によってその半導体基板１
２が帯電させられることとなる。そのため、半導体素子
製造メーカーにおいて結晶成長前に除電処理を行う必要
が生じて、エッチング処理を省略したにも拘わらず製造
工程が十分に簡略にならないという問題がある。
【０００７】しかも、上記の除電処理は、反応炉とは別
に設けられた除電装置内で行われることとなるため、除
電処理した後に反応炉内に移す際等の取り扱い中に、半
導体基板１２が再び帯電することも生じ得て、結晶成長
前の除電処理状態が必ずしも十分ではないという問題も
あった。
に設けられた除電装置内で行われることとなるため、除
電処理した後に反応炉内に移す際等の取り扱い中に、半
導体基板１２が再び帯電することも生じ得て、結晶成長
前の除電処理状態が必ずしも十分ではないという問題も
あった。
【０００８】本発明は、以上の事情を背景として為され
たものであって、その目的とするところは、半導体素子
の製造工程を簡略にしつつ半導体基板の十分な除電処理
を行うことが可能な除電方法を提供することにある。
たものであって、その目的とするところは、半導体素子
の製造工程を簡略にしつつ半導体基板の十分な除電処理
を行うことが可能な除電方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成するた
め、本発明の要旨とするところは、反応炉内において半
導体基板上に半導体層を結晶成長させるに際して、その
半導体基板を除電する半導体基板の除電方法であって、
(a) 前記反応炉に連続して設けられて内部に載置された
前記半導体基板を外部に取り出すことなくその反応炉内
に搬送するための搬送装置内を所定の気体雰囲気にする
雰囲気工程と、(b) その搬送装置内で前記所定の気体の
イオンを発生させることにより、その搬送装置内に載置
された前記半導体基板を除電する除電工程とを、含むこ
とにある。
め、本発明の要旨とするところは、反応炉内において半
導体基板上に半導体層を結晶成長させるに際して、その
半導体基板を除電する半導体基板の除電方法であって、
(a) 前記反応炉に連続して設けられて内部に載置された
前記半導体基板を外部に取り出すことなくその反応炉内
に搬送するための搬送装置内を所定の気体雰囲気にする
雰囲気工程と、(b) その搬送装置内で前記所定の気体の
イオンを発生させることにより、その搬送装置内に載置
された前記半導体基板を除電する除電工程とを、含むこ
とにある。
【００１０】
【発明の効果】このようにすれば、半導体基板を系外に
取り出すことなく反応炉に搬送するための搬送装置内を
所定の気体雰囲気にする雰囲気工程と、その搬送装置内
でその気体のイオンを発生させることによりその搬送装
置内に載置された半導体基板を除電する除電工程とを、
含む工程によって半導体基板が除電される。そのため、
半導体基板をエッチング処理することなく半導体層を結
晶成長させる場合にも、結晶成長に先立って除電装置内
で除電処理する工程を別途設けることなく除電処理が可
能であると共に、除電処理された半導体基板は外部へ取
り出されることなく反応炉に搬送されることとなって、
半導体素子の製造工程を簡略にしつつ半導体基板の十分
な除電処理を行うことが可能となる。なお、上記の気体
のイオンは、搬送装置内で発生させる他、搬送装置に接
続されたイオン発生器から送り込んでも差し支えない。
取り出すことなく反応炉に搬送するための搬送装置内を
所定の気体雰囲気にする雰囲気工程と、その搬送装置内
でその気体のイオンを発生させることによりその搬送装
置内に載置された半導体基板を除電する除電工程とを、
含む工程によって半導体基板が除電される。そのため、
半導体基板をエッチング処理することなく半導体層を結
晶成長させる場合にも、結晶成長に先立って除電装置内
で除電処理する工程を別途設けることなく除電処理が可
能であると共に、除電処理された半導体基板は外部へ取
り出されることなく反応炉に搬送されることとなって、
半導体素子の製造工程を簡略にしつつ半導体基板の十分
な除電処理を行うことが可能となる。なお、上記の気体
のイオンは、搬送装置内で発生させる他、搬送装置に接
続されたイオン発生器から送り込んでも差し支えない。
【００１１】
【発明の他の態様】ここで、好適には、前記除電工程
は、前記搬送装置内の気体を紫外線で照射することによ
り、前記所定の気体のイオンを発生させるイオン発生工
程を含むものである。このようにすれば、半導体基板を
除電するための気体イオンは、紫外線照射によって発生
させられることとなるため、放電によってイオンを発生
させる場合に比較して、搬送装置内に可燃性気体が存在
する場合にも爆発等の生じることがなく、安全に除電処
理を行うことができる。
は、前記搬送装置内の気体を紫外線で照射することによ
り、前記所定の気体のイオンを発生させるイオン発生工
程を含むものである。このようにすれば、半導体基板を
除電するための気体イオンは、紫外線照射によって発生
させられることとなるため、放電によってイオンを発生
させる場合に比較して、搬送装置内に可燃性気体が存在
する場合にも爆発等の生じることがなく、安全に除電処
理を行うことができる。
【００１２】なお、搬送装置内の気体を紫外線で照射す
る方法としては、搬送装置内に紫外線発生装置を備えて
その内部で紫外線を直接発生させる方法の他、外部に紫
外線発生装置を備えると共に搬送装置を紫外線透過性の
材料から構成して、外部から紫外線を照射する方法で行
っても良い。
る方法としては、搬送装置内に紫外線発生装置を備えて
その内部で紫外線を直接発生させる方法の他、外部に紫
外線発生装置を備えると共に搬送装置を紫外線透過性の
材料から構成して、外部から紫外線を照射する方法で行
っても良い。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施例を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１４】図２は、本発明の一実施例の半導体基板の
除電方法が適用される結晶成長装置２４の構成を模式的
に示す図である。図において、結晶成長装置２４は、例
えばＭＯＣＶＤ法等の気相成長法によって半導体基板１
２上に所定の半導体層を結晶成長させるものであり、図
示しない原料ガス供給設備から図示しない配管を通して
所定の原料ガスが導入される反応炉２６と、複数枚の半
導体基板１２を保持して１枚ずつ順次反応炉２６内に搬
送するための搬送装置２８と、その搬送装置２８に向か
って紫外線を照射するための紫外線発生装置３０とを備
えている。
除電方法が適用される結晶成長装置２４の構成を模式的
に示す図である。図において、結晶成長装置２４は、例
えばＭＯＣＶＤ法等の気相成長法によって半導体基板１
２上に所定の半導体層を結晶成長させるものであり、図
示しない原料ガス供給設備から図示しない配管を通して
所定の原料ガスが導入される反応炉２６と、複数枚の半
導体基板１２を保持して１枚ずつ順次反応炉２６内に搬
送するための搬送装置２８と、その搬送装置２８に向か
って紫外線を照射するための紫外線発生装置３０とを備
えている。
【００１５】上記搬送装置２８は、例えば石英ガラス等
の紫外線を透過する材料から構成されて上記の反応炉２
６から所定距離離隔した位置に並んで設けられ、内部に
複数枚の半導体基板１２を保持するための筒状の基板保
持部３２と、その基板保持部３２と反応炉２６とを接続
して基板保持部３２から反応炉２６に半導体基板１２を
搬入或いは搬出するための搬出入部３４とから構成され
ている。
の紫外線を透過する材料から構成されて上記の反応炉２
６から所定距離離隔した位置に並んで設けられ、内部に
複数枚の半導体基板１２を保持するための筒状の基板保
持部３２と、その基板保持部３２と反応炉２６とを接続
して基板保持部３２から反応炉２６に半導体基板１２を
搬入或いは搬出するための搬出入部３４とから構成され
ている。
【００１６】上記の基板保持部３２は、半導体基板１２
がそれぞれ載せられたウェハトレイ３６を縦方向に所定
間隔をもって保持して、全体が図の上下方向に移動可能
とされたウェハトレイキャリア３８を備えている。上記
のウェハトレイ３６は、例えばSiO2やSiC がコートされ
たカーボン等の絶縁性材料から成るものである。半導体
基板１２は、結晶成長装置２４内において常にこのウェ
ハトレイ３６上に載置されていることで装置内における
絶縁性が確保されている。なお、図において、４０は結
晶成長装置２４内に半導体基板１２を投入し或いは取り
出すために開かれると共に、基板保持部３２を気密に密
閉するために閉じられる投入・取出口であり、３９は内
部を所定のガス雰囲気にするために内部の空気を排出す
る真空ポンプ、４１は所定のガスを内部に導入するため
のガス導入装置である。
がそれぞれ載せられたウェハトレイ３６を縦方向に所定
間隔をもって保持して、全体が図の上下方向に移動可能
とされたウェハトレイキャリア３８を備えている。上記
のウェハトレイ３６は、例えばSiO2やSiC がコートされ
たカーボン等の絶縁性材料から成るものである。半導体
基板１２は、結晶成長装置２４内において常にこのウェ
ハトレイ３６上に載置されていることで装置内における
絶縁性が確保されている。なお、図において、４０は結
晶成長装置２４内に半導体基板１２を投入し或いは取り
出すために開かれると共に、基板保持部３２を気密に密
閉するために閉じられる投入・取出口であり、３９は内
部を所定のガス雰囲気にするために内部の空気を排出す
る真空ポンプ、４１は所定のガスを内部に導入するため
のガス導入装置である。
【００１７】また、搬出入部３４は、基板保持部３２の
ウェハトレイキャリア３８上からウェハトレイ３６を順
次取り外し、搬出入路４２を通って反応炉２６へ搬出入
するためのトレイ搬出入機構４４を備えたものであり、
基板保持部３２との接続部および反応炉２６との接続部
にはそれぞれゲートバルブ４６ａ、４６ｂが備えられて
いる。このゲートバルブ４６ａ、４６ｂは、それぞれ基
板保持部３２および反応炉２６との間を気密に閉塞する
ためのものである。
ウェハトレイキャリア３８上からウェハトレイ３６を順
次取り外し、搬出入路４２を通って反応炉２６へ搬出入
するためのトレイ搬出入機構４４を備えたものであり、
基板保持部３２との接続部および反応炉２６との接続部
にはそれぞれゲートバルブ４６ａ、４６ｂが備えられて
いる。このゲートバルブ４６ａ、４６ｂは、それぞれ基
板保持部３２および反応炉２６との間を気密に閉塞する
ためのものである。
【００１８】また、前記反応炉２６内には、図の上下方
向に移動させられると共に垂直な中心線回りに回転駆動
されるサセプタ４８が備えられており、そのサセプタ４
８上にトレイ搬出入機構４４によって基板保持部３２か
ら搬送された半導体基板１２が保持されるようになって
いる。この反応炉２６には、例えば誘導コイルやヒータ
等によって上記サセプタ４８を所定温度に加熱するため
の図示しない加熱装置が備えられており、そのサセプタ
４８上に保持された半導体基板１２が間接的或いは直接
的に加熱されるようになっている。
向に移動させられると共に垂直な中心線回りに回転駆動
されるサセプタ４８が備えられており、そのサセプタ４
８上にトレイ搬出入機構４４によって基板保持部３２か
ら搬送された半導体基板１２が保持されるようになって
いる。この反応炉２６には、例えば誘導コイルやヒータ
等によって上記サセプタ４８を所定温度に加熱するため
の図示しない加熱装置が備えられており、そのサセプタ
４８上に保持された半導体基板１２が間接的或いは直接
的に加熱されるようになっている。
【００１９】以上のように構成された結晶成長装置２４
によって半導体基板１２上に所定の半導体層を結晶成長
させる方法を、図３の工程図を参照して以下に説明す
る。なお、以下の各工程のうち工程２乃至８は、図示し
ない制御装置によって制御されることにより自動的に行
われる。
によって半導体基板１２上に所定の半導体層を結晶成長
させる方法を、図３の工程図を参照して以下に説明す
る。なお、以下の各工程のうち工程２乃至８は、図示し
ない制御装置によって制御されることにより自動的に行
われる。
【００２０】先ず、工程１の投入工程において、半導体
基板１２を載せた複数の前記ウェハトレイ３６を前記の
投入取出口４０から基板保持部３２内のウェハトレイキ
ャリア３８に載置する。そして、投入取出口４０を閉じ
て基板保持部３２内を密閉した後、所定の起動操作をす
ることにより、以下の各工程が実行される。すなわち、
工程２の排気工程において、真空ポンプ３９が作動させ
られて内部の空気が排出され、続く工程３のガス導入工
程において、ガス導入装置４１が作動させられて、基板
保持部３２内に例えばＨ2 およびＮ2 ガスが導入され
る。本実施例においては、この工程３が雰囲気工程に対
応する。
基板１２を載せた複数の前記ウェハトレイ３６を前記の
投入取出口４０から基板保持部３２内のウェハトレイキ
ャリア３８に載置する。そして、投入取出口４０を閉じ
て基板保持部３２内を密閉した後、所定の起動操作をす
ることにより、以下の各工程が実行される。すなわち、
工程２の排気工程において、真空ポンプ３９が作動させ
られて内部の空気が排出され、続く工程３のガス導入工
程において、ガス導入装置４１が作動させられて、基板
保持部３２内に例えばＨ2 およびＮ2 ガスが導入され
る。本実施例においては、この工程３が雰囲気工程に対
応する。
【００２１】上記のように基板保持部３２内がＨ2 −Ｎ
2 雰囲気とされた後に、工程４の紫外線照射工程におい
て基板保持部３２内に紫外線が照射される。このとき、
前述のように、基板保持部３２は紫外線透過性の材料か
ら構成されているため、その外部から照射された紫外線
によって内部に導入されたガス（Ｈ2 −Ｎ2 ）がイオン
化させられる。これにより、基板保持部３２内に投入さ
れた半導体基板１２が除電される。したがって、本実施
例においては、この工程４が紫外線発生工程および除電
工程に対応する。
2 雰囲気とされた後に、工程４の紫外線照射工程におい
て基板保持部３２内に紫外線が照射される。このとき、
前述のように、基板保持部３２は紫外線透過性の材料か
ら構成されているため、その外部から照射された紫外線
によって内部に導入されたガス（Ｈ2 −Ｎ2 ）がイオン
化させられる。これにより、基板保持部３２内に投入さ
れた半導体基板１２が除電される。したがって、本実施
例においては、この工程４が紫外線発生工程および除電
工程に対応する。
【００２２】続く工程５の搬入工程においては、基板保
持部３２と搬出入部３４との間のゲートバルブ４６ａが
開けられると共に、トレイ搬出入機構４４が作動させら
れることにより、ウェハトレイキャリア３８に載置され
ているウェハトレイ３６のうちの一つがそのウェハトレ
イキャリア３８から取り外されて搬出入路４２を通って
反応炉２６まで搬送され、上記のゲートバルブ４６ａが
閉じられる一方、反応炉２６との間のゲートバルブ４６
ｂが開けられて、ウェハトレイ３６が最下部まで下降さ
せられているサセプタ４８上に載せられる。
持部３２と搬出入部３４との間のゲートバルブ４６ａが
開けられると共に、トレイ搬出入機構４４が作動させら
れることにより、ウェハトレイキャリア３８に載置され
ているウェハトレイ３６のうちの一つがそのウェハトレ
イキャリア３８から取り外されて搬出入路４２を通って
反応炉２６まで搬送され、上記のゲートバルブ４６ａが
閉じられる一方、反応炉２６との間のゲートバルブ４６
ｂが開けられて、ウェハトレイ３６が最下部まで下降さ
せられているサセプタ４８上に載せられる。
【００２３】そして、サセプタ４８が所定位置まで上昇
させられた後、工程６の加熱工程において、図示しない
加熱装置によって結晶成長のための所定の温度まで加熱
され、その所定温度に到達した後に、工程７のガス導入
工程において、図示しない原料ガス供給設備から反応炉
２６内に１乃至数種の所定の原料ガスが供給されること
により、１乃至数層の所望の半導体層が結晶成長させら
れる。このようにして結晶成長が終了した後、工程９の
搬出工程において、サセプタ４８が最下部まで下降させ
られると共にゲートバルブ４６ｂが開けられると、トレ
イ搬出入機構４４が再び作動させられることにより、サ
セプタ４８上のウェハトレイ３６が基板保持部３２内に
戻される。なお、結晶成長をさせる際の詳細な制御方法
については、本発明の理解に必要ではないので説明を省
略する。
させられた後、工程６の加熱工程において、図示しない
加熱装置によって結晶成長のための所定の温度まで加熱
され、その所定温度に到達した後に、工程７のガス導入
工程において、図示しない原料ガス供給設備から反応炉
２６内に１乃至数種の所定の原料ガスが供給されること
により、１乃至数層の所望の半導体層が結晶成長させら
れる。このようにして結晶成長が終了した後、工程９の
搬出工程において、サセプタ４８が最下部まで下降させ
られると共にゲートバルブ４６ｂが開けられると、トレ
イ搬出入機構４４が再び作動させられることにより、サ
セプタ４８上のウェハトレイ３６が基板保持部３２内に
戻される。なお、結晶成長をさせる際の詳細な制御方法
については、本発明の理解に必要ではないので説明を省
略する。
【００２４】そして、工程５に戻って、半導体基板１２
が載せられた他のウェハトレイ３６がウェハトレイキャ
リア３８から取り外されて工程６乃至８で同様に処理さ
れることが繰り返されて、基板保持部３２内に投入され
た全ての半導体基板１２上に所定の半導体層が結晶成長
させられた後、工程９の取り出し工程において、投入・
取出口４０を開けて基板保持部３２内からウェハトレイ
３６（半導体基板１２）を取り出すことによって、一連
の結晶成長工程が終了する。
が載せられた他のウェハトレイ３６がウェハトレイキャ
リア３８から取り外されて工程６乃至８で同様に処理さ
れることが繰り返されて、基板保持部３２内に投入され
た全ての半導体基板１２上に所定の半導体層が結晶成長
させられた後、工程９の取り出し工程において、投入・
取出口４０を開けて基板保持部３２内からウェハトレイ
３６（半導体基板１２）を取り出すことによって、一連
の結晶成長工程が終了する。
【００２５】ここで、本実施例においては、半導体基板
１２上に所定の半導体層を結晶成長させるに際して、半
導体基板１２を系外に取り出すことなく反応炉２６に搬
送するための搬送装置２８の基板保持部３２内を所定の
気体雰囲気（Ｈ2 −Ｎ2 雰囲気）にする工程３の雰囲気
工程と、その基板保持部３２内でそのＨ2 −Ｎ2 ガスの
イオンを発生させることによりその基板保持部３２内に
載置された半導体基板１２を除電する工程４の除電工程
とを、含む工程によって半導体基板１２が除電される。
そのため、半導体基板１２をエッチング処理することな
く半導体層を結晶成長させる場合にも、結晶成長に先立
って除電装置内で除電処理する工程を別途設けることな
く除電処理が可能であると共に、除電処理された半導体
基板１２は外部へ取り出されることなく反応炉２６に搬
送されることとなって、半導体素子の製造工程を簡略に
しつつ半導体基板１２の十分な除電処理を行うことが可
能となる。
１２上に所定の半導体層を結晶成長させるに際して、半
導体基板１２を系外に取り出すことなく反応炉２６に搬
送するための搬送装置２８の基板保持部３２内を所定の
気体雰囲気（Ｈ2 −Ｎ2 雰囲気）にする工程３の雰囲気
工程と、その基板保持部３２内でそのＨ2 −Ｎ2 ガスの
イオンを発生させることによりその基板保持部３２内に
載置された半導体基板１２を除電する工程４の除電工程
とを、含む工程によって半導体基板１２が除電される。
そのため、半導体基板１２をエッチング処理することな
く半導体層を結晶成長させる場合にも、結晶成長に先立
って除電装置内で除電処理する工程を別途設けることな
く除電処理が可能であると共に、除電処理された半導体
基板１２は外部へ取り出されることなく反応炉２６に搬
送されることとなって、半導体素子の製造工程を簡略に
しつつ半導体基板１２の十分な除電処理を行うことが可
能となる。
【００２６】また、本実施例においては、前記工程４の
除電工程は、前記基板保持部３２内の気体（Ｈ2 −Ｎ2
ガス）を紫外線で照射することにより、前記所定の気体
のイオンを発生させるイオン発生工程を含むものであ
る。このようにすれば、半導体基板１２を除電するため
の気体イオンは、紫外線照射によって発生させられるこ
ととなるため、放電によってイオンを発生させる場合に
比較して、本実施例のように基板保持部３２内にＨ2 等
の可燃性気体が存在する場合にも爆発等の生じることが
なく、安全に除電処理を行うことができると共に、放電
に伴うスパッタに起因する半導体基板１２の汚染が抑制
される。
除電工程は、前記基板保持部３２内の気体（Ｈ2 −Ｎ2
ガス）を紫外線で照射することにより、前記所定の気体
のイオンを発生させるイオン発生工程を含むものであ
る。このようにすれば、半導体基板１２を除電するため
の気体イオンは、紫外線照射によって発生させられるこ
ととなるため、放電によってイオンを発生させる場合に
比較して、本実施例のように基板保持部３２内にＨ2 等
の可燃性気体が存在する場合にも爆発等の生じることが
なく、安全に除電処理を行うことができると共に、放電
に伴うスパッタに起因する半導体基板１２の汚染が抑制
される。
【００２７】以上、本発明の一実施例を図面を参照して
詳細に説明したが、本発明は、更に別の態様でも実施さ
れる。
詳細に説明したが、本発明は、更に別の態様でも実施さ
れる。
【００２８】例えば、前述の実施例においては、外部に
設けられた紫外線発生装置３０から基板保持部３２内に
紫外線を照射していたが、例えば、基板保持部３２内に
紫外線発生装置３０を設けて内部で紫外線を発生させる
ようにしても差し支えない。
設けられた紫外線発生装置３０から基板保持部３２内に
紫外線を照射していたが、例えば、基板保持部３２内に
紫外線発生装置３０を設けて内部で紫外線を発生させる
ようにしても差し支えない。
【００２９】また、実施例においては、基板保持部３２
内に導入された気体（Ｈ2 −Ｎ2 ）に紫外線を照射する
ことによって気体イオンを発生させていたが、例えば、
基板保持部３２にイオン発生器を接続して、そのイオン
発生器で発生させられた気体イオンをポンプ等によって
基板保持部３２内に導入するように構成しても良い。
内に導入された気体（Ｈ2 −Ｎ2 ）に紫外線を照射する
ことによって気体イオンを発生させていたが、例えば、
基板保持部３２にイオン発生器を接続して、そのイオン
発生器で発生させられた気体イオンをポンプ等によって
基板保持部３２内に導入するように構成しても良い。
【００３０】また、実施例においては、搬送装置２８の
基板保持部３２内で除電を行っていたが、例えば、搬出
入部３４内に紫外線を照射することによってその搬出入
部３４内で除電を行うように構成しても差し支えない。
基板保持部３２内で除電を行っていたが、例えば、搬出
入部３４内に紫外線を照射することによってその搬出入
部３４内で除電を行うように構成しても差し支えない。
【００３１】その他、一々例示はしないが、本発明はそ
の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものであ
る。
の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものであ
る。
【図１】半導体基板を運搬する際に用いられるキャリア
の断面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
【図２】本発明の一実施例の除電方法が適用される結晶
成長装置を模式的に示す図である。
成長装置を模式的に示す図である。
【図３】図２の結晶成長装置によって除電および結晶成
長を行う工程を説明する工程図である。
長を行う工程を説明する工程図である。
１２：半導体基板 ２４：結晶成長装置 ２６：反応炉 ２８：搬送装置 ３０：紫外線発生装置
Claims (2)
- 【請求項１】 反応炉内において半導体基板上に半導体
層を結晶成長させるに際して、該半導体基板を除電する
半導体基板の除電方法であって、 前記反応炉に連続して設けられて内部に載置された前記
半導体基板を外部に取り出すことなく該反応炉内に搬送
するための搬送装置内を、所定の気体雰囲気にする雰囲
気工程と、 該搬送装置内で前記所定の気体のイオンを発生させるこ
とにより、該搬送装置内に載置された前記半導体基板を
除電する除電工程とを、含むことを特徴とする半導体基
板の除電方法。 - 【請求項２】 前記除電工程は、前記搬送装置内の気体
を紫外線で照射することにより、前記所定の気体のイオ
ンを発生させるイオン発生工程を含むものである請求項
１の半導体基板の除電方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022196A JPH09223673A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体基板の除電方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022196A JPH09223673A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体基板の除電方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223673A true JPH09223673A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12297672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3022196A Pending JPH09223673A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体基板の除電方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09223673A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000008680A1 (fr) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Nec Corporation | Procede de cristallisation en phase vapeur d'un film dielectrique d'oxyde metallique et dispositif de cristallisation en phase vapeur d'une matiere dielectrique d'oxyde metallique |
| US6150147A (en) * | 1998-02-06 | 2000-11-21 | Affymetrix, Inc. | Biological array fabrication methods with reduction of static charge |
| US7172981B2 (en) | 2000-10-12 | 2007-02-06 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP3022196A patent/JPH09223673A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150147A (en) * | 1998-02-06 | 2000-11-21 | Affymetrix, Inc. | Biological array fabrication methods with reduction of static charge |
| WO2000008680A1 (fr) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Nec Corporation | Procede de cristallisation en phase vapeur d'un film dielectrique d'oxyde metallique et dispositif de cristallisation en phase vapeur d'une matiere dielectrique d'oxyde metallique |
| US7172981B2 (en) | 2000-10-12 | 2007-02-06 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination |
| US7390758B2 (en) | 2000-10-12 | 2008-06-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device with elimination of static charge |
| US8119547B2 (en) | 2000-10-12 | 2012-02-21 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including elimination of static charge of a treated wafer |
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