JPH09283597A - エンドエフェクタクリーナおよび半導体基板搬送装置 - Google Patents

エンドエフェクタクリーナおよび半導体基板搬送装置

Info

Publication number
JPH09283597A
JPH09283597A JP9085896A JP9085896A JPH09283597A JP H09283597 A JPH09283597 A JP H09283597A JP 9085896 A JP9085896 A JP 9085896A JP 9085896 A JP9085896 A JP 9085896A JP H09283597 A JPH09283597 A JP H09283597A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
end effector
semiconductor
air
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9085896A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomonori Harada
知範 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RENIASU TECHNO KK
Original Assignee
RENIASU TECHNO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RENIASU TECHNO KK filed Critical RENIASU TECHNO KK
Priority to JP9085896A priority Critical patent/JPH09283597A/ja
Publication of JPH09283597A publication Critical patent/JPH09283597A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板搬送装置における半導体基板の吸
着部(搬送ロボットのエンドエフェクタ)による半導体
基板の汚染を防止する 【解決手段】 エンドエフェクタ4を開口部10から挿
入すると、ポンプ14、電磁弁16およびイオン発生器
21が駆動し、エアーノズル11からイオンエアーが噴
出し、エンドエフェクタ4から取り除かれたパーティク
ルがフィルタ12に吸着される。このエンドエフェクタ
クリーナをエンドエフェクタの可動範囲に設け、半導体
基板を吸着していない空き時間にエンドエフェクタのク
リーニングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板搬送
装置におけるエンドエフェクタのクリーナおよび半導体
基板搬送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、シリコンウエハなどの半導体
基板に対しスパッタリングやエッチングなどによって各
種パターン形成を行う半導体製造工程では、半導体基板
を搬送する各種の半導体基板搬送装置が用いられてい
る。
【0003】一般に、半導体基板搬送装置は、スパッタ
リングやエッチングなどの処理前の半導体基板の収納さ
れているカセット(キャリア)から、1枚の半導体基板
を吸着して、スパッタリングやエッチングを行う半導体
製造装置へ搬送し、またその半導体製造装置から処理後
の半導体基板を上記カセットとは別のカセット(キャリ
ア)へ搬送する搬送ロボットを備えている。また、この
搬送ロボットには、そのアームの先端に、半導体基板を
吸着する吸着部を有するエンドエフェクタが取り付けら
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体製造工程で用いられる半導体基板搬送装置において
は、例えば酸化膜を形成する前の清浄なシリコンウエハ
などの半導体基板をカセットから取り出して半導体製造
装置へ搬送する場合も、半導体製造装置から処理後の半
導体基板を搬送してカセットへ収納する場合も、搬送ロ
ボットの同一の吸着部により行われているため、半導体
製造装置による処理後の半導体基板によって、吸着部が
パーティクルの付着などにより汚染され、この汚染され
た吸着部で、酸化膜形成前の清浄な半導体基板をカセッ
トから取り出す際、そのカセット内で半導体基板表面が
汚染され、半導体製造装置による処理前の段階で半導体
基板が酸化物汚染などを受けることになる。そこで、従
来は搬送ロボットのアーム先端部のエンドエフェクタを
定期的に取り外して洗浄を行って、吸着部をある一定以
上の清浄度に保つようにしている。
【0005】しかし、エンドエフェクタの洗浄時には、
その半導体搬送装置を用いた製造工程を中断することに
なり、製造効率が低下するため、エンドエフェクタの洗
浄を頻繁に行うことはできなかった。また、エンドエフ
ェクタを取り外さなければ、その洗浄ができないため、
製造工程の自動化ができなかった。そのためエンドエフ
ェクタの洗浄は定期的に行うしかなく、いったん洗浄さ
れてから次の洗浄までの期間に、エンドエフェクタに付
着するパーティクルによる半導体基板の汚染が次第に増
加することになり、このことが半導体部品の歩留りの低
下の一因となっていた。
【0006】上述した問題は、シリコンウエハに対する
半導体製造工程に限らず、例えばTFTの液晶パネルな
どにおいても同様に生じる問題である。この発明に係る
「半導体基板」はシリコンウエハに限らず、TFTの液
晶パネルなどのように基板上に集積化した半導体回路を
形成したもの、または半導体回路を形成する前の基板を
含む。
【0007】この発明の目的は、上述の問題を解消し
て、半導体基板搬送装置における半導体基板の吸着部
(エンドエフェクタ)による半導体基板の汚染を防止す
るエンドエフェクタクリーナおよび半導体基板搬送装置
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明のエンドエフェ
クタクリーナは、エンドエフェクタの可動範囲に設けら
れるものであって、前記エンドエフェクタが挿入される
開口部と、この開口部から挿入されたエンドエフェクタ
に対してエアーを噴出させるとともに、パーティクルを
吸着するフィルタを通して前記エアーを吸引する手段と
を備えてなる。
【0009】また、この発明の半導体基板搬送装置は、
半導体製造装置による処理前の半導体基板と前記半導体
製造装置による処理後の半導体基板の収納部を備え、こ
れらの収納部と前記半導体製造装置との間で半導体基板
を吸着して搬送する半導体基板搬送装置において、前記
半導体基板を吸着していない状態で、前記半導体基板の
吸着部が挿入される開口部と、この開口部から挿入され
た前記半導体基板の吸着部に対してエアーを噴出させる
とともに、パーティクルを吸着するフィルタを通して前
記エアーを吸引する手段とを備えてなる。
【0010】請求項1に記載の発明によれば、エンドエ
フェクタが開口部に挿入されると、そのエンドエフェク
タに対してエアーが噴出され、そのエアーがフィルタを
通して吸引される。そのためエンドエフェクタに付着し
ていたパーティクルがエアーにより吹き飛ばされて、そ
のパーティクルを含むエアーがフィルタを通過する際
に、パーティクルがフィルタに吸着され、エンドエフェ
クタを開口部から引き抜いた段階で、エンドエフェクタ
は清浄な状態となる。上記開口部はエンドエフェクタの
挿入可能な位置に設けられているので、エンドエフェク
タを例えば搬送ロボットのアーム等から取り外さなくて
も、エンドエフェクタのクリーニングが可能となり、搬
送ロボットの稼働率を低下させることなく、エンドエフ
ェクタを常に清浄な状態に保つことができる。
【0011】請求項2に記載の発明によれば、半導体基
板の吸着部が開口部に挿入されると、その吸着部に対し
てエアーが噴出され、そのエアーがフィルタを通して吸
引される。そのため吸着部に付着していたパーティクル
がエアーにより吹き飛ばされて、そのパーティクルを含
むエアーがフィルタを通過する際に、パーティクルがフ
ィルタに吸着され、吸着部を開口部から引き抜いた段階
で、吸着部は清浄な状態となる。従って、半導体基板の
吸着部を例えば処理前の半導体基板を半導体製造装置へ
搬送する前の、または半導体製造装置から処理後のカセ
ットへ半導体基板を搬送した後の、半導体基板を吸着し
ていない状態で、吸着部を開口部に一定時間挿入し抜き
取ることによって、吸着部に付着していたパーティクル
が取り除かれて、吸着部のクリーニングが完了する。そ
のため、半導体基板の搬送処理の空き時間にクリーニン
グを行えば、半導体製造工程が中断されないため、製造
効率の低下がない。また、半導体基板の吸着部を常に清
浄な状態に保つことによって、半導体部品の歩留りが低
下することもない。
【0012】
【発明の実施の形態】この発明の実施形態である半導体
基板搬送装置およびエンドエフェクタクリーナの構成を
図1〜図3を基に説明する。
【0013】図1はエンドエフェクタクリーナを備える
半導体基板搬送装置の構成を示す概略平面図である。図
1において8は半導体製造装置、7は半導体基板搬送装
置である。半導体基板搬送装置7には搬送ロボット2、
半導体製造装置8による処理前の半導体基板6aを収納
するカセット(キャリア)5a、半導体製造装置8によ
る処理後の半導体基板6bを収納するカセット5b、お
よびエンドエフェクタクリーナ1などを設けている。搬
送ロボット2のアーム3の先端にはエンドエフェクタ4
を取り付けていて、図1に示す状態では、エンドエフェ
クタ4が半導体製造装置8による処理前のまたは処理後
の半導体基板(6a/6b)を吸着している。この半導
体基板搬送装置7および半導体製造装置8による工程で
は、搬送ロボット2がまずカセット5aから半導体基板
6aを吸着し、これを半導体製造装置8の所定位置にま
で搬送した後、エンドエフェクタ4を半導体製造装置8
から引き抜く。その後、半導体製造装置8による処理が
終了すれば、搬送ロボット2は再びエンドエフェクタ4
により処理後の半導体基板を吸着し、カセット5bまで
搬送し、カセット5bに収納する。この処理を繰り返す
ことによって、カセット5aに収納されていた複数の半
導体基板6aに対しそれぞれ処理を行って、処理後の半
導体基板6bをカセット5bに収納していく。
【0014】さて、エンドエフェクタクリーナ1はエン
ドエフェクタ4の可動範囲に設けている。後述するよう
に、半導体基板を吸着していない状態で、エンドエフェ
クタ4をエンドエフェクタクリーナ1の開口部10に挿
入することによって、エンドエフェクタ4のクリーニン
グを行う。このエンドエフェクタ4のクリーニングは、
半導体基板を吸着していない状態で、且つ半導体製造装
置8による処理中の空き時間であればいつでも行うこと
ができる。例えば半導体製造装置による処理後の半導体
基板を搬送した後に毎回行っても良く、また所定枚数の
搬送を行う毎にクリーニングを行っても良い。
【0015】図2は図1に示したエンドエフェクタ4の
構成を示す図である。(A)はその平面図、(B)はそ
の正面図および部分拡大断面図である。図2において4
1が半導体基板を吸着する吸着部、43が搬送ロボット
2に接続されるエアー吸引口、44は搬送ロボットのア
ーム3の先端部に取り付けるための取り付け穴である。
(B)に示すように、吸着部41と吸引口43との間に
真空路42を設けていて、このエンドエフェクタ4が搬
送ロボットのアームに取り付けられている状態で、搬送
ロボットのエアー吸引によって半導体基板を吸着部41
で吸着することになる。
【0016】図3は図1に示したエンドエフェクタクリ
ーナ1の内部構造を示す図である。図3において10が
エンドエフェクタの開口部であり、図3ではこの開口部
10からエンドエフェクタ4を挿入している状態を示
す。図3において19で示す空間がクリーニング室を形
成していて、このクリーニング室19の奥部にフィルタ
12を介して吸入口13を設けている。14はこの吸入
口13からクリーニング室19内のエアーを吸引するポ
ンプである。一方、開口部10の近傍には、クリーニン
グ室の内部方向にエアーを噴出させるためのエアーノズ
ル11を設け、このエアーノズル11を図に示す管路2
0、イオン発生器21、フィルタ15および電磁弁16
を介して外部(大気圧)に接続している。従ってポンプ
14が吸入口13からエアーを吸引することによって、
電磁弁16を介して外部から吸入されたエアーはフィル
タ15およびイオン発生器21を通って、イオンエアー
となってエアーノズル11から噴出する。これにより、
クリーニング室19内に挿入されているエンドエフェク
タに対してイオンエアーが吹き付けられ、エンドエフェ
クタ4に静電気などにより付着していたパーティクルが
吹き飛ばされて、そのパーティクルがフィルタ12に吸
着されることになる。上記イオン発生器21は例えば交
流微小コロナ放電器を内蔵し、吸入されたエアーに対し
て正負両イオンを発生させる。これにより、エンドエフ
ェクタ4に対してエアーが吹き付けられた際に、エンド
エフェクタ4が帯電するのを防止し、エンドエフェクタ
表面の電荷を積極的に除電する。図3において17はク
リーニング室19内にエンドエフェクタ4が挿入された
ことを検出するセンサであり、このセンサ17の検出信
号に基づいて電磁弁16、ポンプ14およびイオン発生
器21を駆動する。これによって、開口部10からエン
ドエフェクタ4を挿入するだけで、クリーニングが開始
され、開口部10からエンドエフェクタ4を抜き取るこ
とによってクリーニング動作が自動停止する。図3にお
いて18はエンドエフェクタ4の下面に接するアースピ
ンであり、クリーニング室19内に挿入されたエンドエ
フェクタ4に接してアースに接続する。これによって、
クリーニング中にエンドエフェクタ4が帯電して、アー
スに対して静電位を持つことを防止する。尚、ポンプ1
4の非動作中には電磁弁16を閉じるようにしたため、
エンドエフェクタクリーナ内のパーティクルが外部に漏
れ出ることがなく、またポンプ14からのパーティクル
の侵入を防止し、クリーニング動作中にのみ外気のパー
ティクルをフィルタ15に吸着させることによって、フ
ィルタ15の寿命が短くならないようにしている。
【0017】尚、図3に示した例では、イオン発生器2
1をフィルタ15の後方(下流側)に設けたが、イオン
発生器21をフィルタ15の手前(上流側)に設けても
よい。また、フィルタ15をイオン発生器のユニットに
一体化してもよい。
【0018】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、エンド
エフェクタを例えば搬送ロボットのアーム等から取り外
さなくても、エンドエフェクタまたは吸着部を開口部に
一定時間挿入し抜き取ることによって、エンドエフェク
タまたは吸着部に付着していたパーティクルが取り除か
れて、エンドエフェクタまたは吸着部のクリーニングが
完了する。そのため、搬送ロボットの稼働率を低下させ
ることなく、エンドエフェクタを常に清浄な状態に保つ
ことができる。
【0019】請求項2に記載の発明によれば、半導体基
板の吸着部を例えば処理前の半導体基板を半導体製造装
置へ搬送する前の、または半導体製造装置から処理後の
カセットへ半導体基板を搬送した後の、半導体基板を吸
着していない状態で、吸着部を開口部に一定時間挿入し
抜き取ることによって、吸着部に付着していたパーティ
クルが取り除かれて、吸着部のクリーニングが完了す
る。そのため、半導体基板の搬送処理の空き時間にクリ
ーニングを行えば、半導体製造工程が中断されないた
め、製造効率の低下がない。また、半導体基板の吸着部
を常に清浄な状態に保つことによって、半導体部品の歩
留りが低下することもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施形態である半導体製造装置、半
導体基板搬送装置およびエンドエフェクタクリーナの構
成を示す概略平面図である。
【図2】エンドエフェクタの構造を示す図である。
【図3】エンドエフェクタクリーナの内部構造を示す図
である。
【符号の説明】
1−エンドエフェクタクリーナ 2−搬送ロボット 3−アーム 4−エンドエフェクタ 5a,5b−カセット 6a−処理前の半導体基板 6b−処理後の半導体基板 7−半導体基板搬送装置 8−半導体製造装置 10−開口部 11−エアーノズル 12−フィルタ 13−吸入口 14−ポンプ 15−フィルタ 16−電磁弁 17−センサ 18−アースピン 19−クリーニング室 20−管路 21−イオン発生器 41−半導体基板吸着部 42−真空路 43−吸引口

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板を搬送する半導体基板搬送装
    置において、半導体基板を吸着する吸着部を有するエン
    ドエフェクタの可動範囲に設けられるものであって、 前記エンドエフェクタが挿入される開口部と、この開口
    部から挿入されたエンドエフェクタに対してエアーを噴
    出させるとともに、パーティクルを吸着するフィルタを
    通して前記エアーを吸引する手段とを備えてなるエンド
    エフェクタクリーナ。
  2. 【請求項2】 半導体製造装置による処理前の半導体基
    板と前記半導体製造装置による処理後の半導体基板の収
    納部を備え、これらの収納部と前記半導体製造装置との
    間で半導体基板を吸着して搬送する半導体基板搬送装置
    において、 前記半導体基板を吸着していない状態で、前記半導体基
    板の吸着部が挿入される開口部と、この開口部から挿入
    された前記半導体基板の吸着部に対してエアーを噴出さ
    せるとともに、パーティクルを吸着するフィルタを通し
    て前記エアーを吸引する手段とを備えてなる半導体基板
    搬送装置。
JP9085896A 1996-04-12 1996-04-12 エンドエフェクタクリーナおよび半導体基板搬送装置 Pending JPH09283597A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9085896A JPH09283597A (ja) 1996-04-12 1996-04-12 エンドエフェクタクリーナおよび半導体基板搬送装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9085896A JPH09283597A (ja) 1996-04-12 1996-04-12 エンドエフェクタクリーナおよび半導体基板搬送装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09283597A true JPH09283597A (ja) 1997-10-31

Family

ID=14010266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9085896A Pending JPH09283597A (ja) 1996-04-12 1996-04-12 エンドエフェクタクリーナおよび半導体基板搬送装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09283597A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7172981B2 (en) 2000-10-12 2007-02-06 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination
JP2011018802A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
US8608422B2 (en) 2003-10-08 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Particle sticking prevention apparatus and plasma processing apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7172981B2 (en) 2000-10-12 2007-02-06 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination
US7390758B2 (en) 2000-10-12 2008-06-24 Renesas Technology Corp. Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device with elimination of static charge
US8119547B2 (en) 2000-10-12 2012-02-21 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including elimination of static charge of a treated wafer
US8608422B2 (en) 2003-10-08 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Particle sticking prevention apparatus and plasma processing apparatus
JP2011018802A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100949283B1 (ko) 액처리장치 및 액처리방법
JP4018958B2 (ja) 基板処理装置
US20050268408A1 (en) Cleaning system
KR102119360B1 (ko) 기판 처리 장치, 막 형성 유닛, 기판 처리 방법 및 막 형성 방법
JPH11319740A (ja) 塵埃除去装置
JP2003017457A (ja) 基板洗浄方法及び装置
US20050163598A1 (en) Method for carrying substrate
US20070251548A1 (en) Conveyor type wet-processing apparatus and treatment of substrate
JP2004055748A (ja) パーティクル除去装置
JP2920454B2 (ja) 処理装置
JP2004119488A (ja) 真空吸着装置、基板搬送装置及び基板処理装置
JPH09283597A (ja) エンドエフェクタクリーナおよび半導体基板搬送装置
JP3749848B2 (ja) 基板周縁処理装置
JP2913363B2 (ja) 回転処理装置
WO2003092054A1 (fr) Procede et systeme d'assemblage
JPH05114555A (ja) フオトレジスト除去装置
JP2002057137A (ja) 基板洗浄装置及び基板処理装置
JP2009070996A (ja) 真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法。
US20220238346A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and non-transitory computer-readable storage medium
JP2000208466A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7069651B2 (ja) ロードポート装置
JPH10242114A (ja) ウエットエッチング処理方法およびその処理装置
KR20050020008A (ko) 흡입모듈이 구비된 세정장치 및 그를 이용한 세정방법
JPH09306882A (ja) 基板上の粒子除去装置および粒子除去方法
JP2001257247A (ja) 半導体ウェハの加工装置