JP2002118161A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板への付着異物を減らして歩留り向
上を図るとともに、半導体基板のハンドリングミスを減
らして半導体製造装置の稼働率を向上させる。 【解決手段】 半導体基板３００を収納した密閉式の容
器２００を半導体製造装置４００のロードポート１００
ａに配置し、この容器２００から取り出した半導体基板
３００を、ロードポート１００ａと処理部４２０との間
の搬送領域４１０において、プロセス処理前の半導体基
板３００およびプロセス処理後の半導体基板３００をイ
オナイザ４１３によって除電してロードポート１００ａ
に配置された容器２００に収納することにより、半導体
基板３００への付着異物を減らすとともに、半導体基板
３００のハンドリングミスを減らすことができる。
上を図るとともに、半導体基板のハンドリングミスを減
らして半導体製造装置の稼働率を向上させる。 【解決手段】 半導体基板３００を収納した密閉式の容
器２００を半導体製造装置４００のロードポート１００
ａに配置し、この容器２００から取り出した半導体基板
３００を、ロードポート１００ａと処理部４２０との間
の搬送領域４１０において、プロセス処理前の半導体基
板３００およびプロセス処理後の半導体基板３００をイ
オナイザ４１３によって除電してロードポート１００ａ
に配置された容器２００に収納することにより、半導体
基板３００への付着異物を減らすとともに、半導体基板
３００のハンドリングミスを減らすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の製造技術に関し、特に、半導体基板の除電技術およ
び密閉式の収納技術に適用して有効な技術に関するもの
である。
置の製造技術に関し、特に、半導体基板の除電技術およ
び密閉式の収納技術に適用して有効な技術に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】基板の除電方法としては、例えば、特開
平８−８３１９号公報、特開平７−１４７６１号公報お
よび特開平９−２２３６７３号公報にその技術が記載さ
れている。
平８−８３１９号公報、特開平７−１４７６１号公報お
よび特開平９−２２３６７３号公報にその技術が記載さ
れている。
【０００３】まず、特開平８−８３１９号公報には、イ
オン化エアー発生器などの帯電防止または除電機構を用
いてエアーをイオン化し、これを基板に吹き付けること
により、基板の帯電防止あるいは除電を行って基板の移
載ミスなどのトラブルを防止する技術が記載されてい
る。
オン化エアー発生器などの帯電防止または除電機構を用
いてエアーをイオン化し、これを基板に吹き付けること
により、基板の帯電防止あるいは除電を行って基板の移
載ミスなどのトラブルを防止する技術が記載されてい
る。
【０００４】また、特開平７−１４７６１号公報には、
帯電した基板を収納した筐体内において、この筐体内に
非反応性ガスを導入した状態で筐体内にイオンおよび電
子を生成して帯電電荷を中和し、これによって、電磁ノ
イズフリー、不純物汚染フリーおよび残留電位の完全消
失化を実現する技術が記載されている。
帯電した基板を収納した筐体内において、この筐体内に
非反応性ガスを導入した状態で筐体内にイオンおよび電
子を生成して帯電電荷を中和し、これによって、電磁ノ
イズフリー、不純物汚染フリーおよび残留電位の完全消
失化を実現する技術が記載されている。
【０００５】さらに、特開平９−２２３６７３号公報に
は、所定の半導体層を成長させる反応炉に半導体基板を
系外に取り出さずに搬送可能な搬送装置において、所定
の雰囲気で所定の基体のイオンを発生させて搬送装置内
の半導体基板を除電する技術が記載されている。
は、所定の半導体層を成長させる反応炉に半導体基板を
系外に取り出さずに搬送可能な搬送装置において、所定
の雰囲気で所定の基体のイオンを発生させて搬送装置内
の半導体基板を除電する技術が記載されている。
【０００６】また、半導体基板にプロセス処理などが行
われるクリーンルームについては、例えば、株式会社工
業調査会、２０００年８月１日発行、「電子材料８月
号」、１６から２１頁にその技術が紹介されており、そ
こには、ミニエンバイロメント（製品を汚染や人間から
隔離するための密閉容器によって作り出された小さな環
境）を含むクリーンルームの構造やケミカル汚染物質の
除去などについてが記載されている。
われるクリーンルームについては、例えば、株式会社工
業調査会、２０００年８月１日発行、「電子材料８月
号」、１６から２１頁にその技術が紹介されており、そ
こには、ミニエンバイロメント（製品を汚染や人間から
隔離するための密閉容器によって作り出された小さな環
境）を含むクリーンルームの構造やケミカル汚染物質の
除去などについてが記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体製造工程のう
ち、特に前工程では、各工程間で半導体基板の搬送が行
われるため、種々の半導体収納容器（キャリアカセット
などと呼ぶ）が用いられている。
ち、特に前工程では、各工程間で半導体基板の搬送が行
われるため、種々の半導体収納容器（キャリアカセット
などと呼ぶ）が用いられている。
【０００８】この半導体収納容器には、フープ（ＦＯＵ
Ｐ；正式にはFront Opening Unified Pod)と呼ばれる密
閉式のものと、ＯＣ（Open Cassette)と呼ばれる非密閉
式のものとがあり、両者とも、複数の半導体基板をそれ
ぞれに空間を介して重ねて配置収容するものである。
Ｐ；正式にはFront Opening Unified Pod)と呼ばれる密
閉式のものと、ＯＣ（Open Cassette)と呼ばれる非密閉
式のものとがあり、両者とも、複数の半導体基板をそれ
ぞれに空間を介して重ねて配置収容するものである。
【０００９】このうち、ＦＯＵＰは、半導体基板の搬入
出が行われる開口部を有した容器本体と、この開口部を
塞ぐ蓋とによって構成され、蓋を閉じることにより容器
本体が密閉される。
出が行われる開口部を有した容器本体と、この開口部を
塞ぐ蓋とによって構成され、蓋を閉じることにより容器
本体が密閉される。
【００１０】今後、直径３００ｍｍの半導体基板を用い
る際には、ＦＯＵＰを使用した前記ミニエンバイロメン
トの思想が求められるが、現在では非密閉式のＯＣも使
用されている。
る際には、ＦＯＵＰを使用した前記ミニエンバイロメン
トの思想が求められるが、現在では非密閉式のＯＣも使
用されている。
【００１１】ところで、前記除電技術においては、以下
の問題があることを本発明者は見出した。
の問題があることを本発明者は見出した。
【００１２】すなわち、ＯＣを用いた製造ラインでは、
そこに設置された半導体製造装置において、除電装置で
あるイオナイザが、ロードポートの上方に取り付けられ
ており、したがって、半導体製造装置内に配置された搬
送用のロボットのハンドリング部（以降、ロボットハン
ドと呼ぶ）や、半導体製造装置や検査装置などで処理さ
れた処理後の半導体基板の除電ができない。
そこに設置された半導体製造装置において、除電装置で
あるイオナイザが、ロードポートの上方に取り付けられ
ており、したがって、半導体製造装置内に配置された搬
送用のロボットのハンドリング部（以降、ロボットハン
ドと呼ぶ）や、半導体製造装置や検査装置などで処理さ
れた処理後の半導体基板の除電ができない。
【００１３】なお、半導体基板が静電気などによって帯
電していると、ロボットハンドで半導体基板を掴もうと
した時、半導体基板が滑って掴むことができず、ハンド
リングミスとなり、これによって、全自動ラインでエラ
ーが発生してラインが停止してしまう。
電していると、ロボットハンドで半導体基板を掴もうと
した時、半導体基板が滑って掴むことができず、ハンド
リングミスとなり、これによって、全自動ラインでエラ
ーが発生してラインが停止してしまう。
【００１４】ラインが一度停止すると、そのメンテナン
ス（復旧作業）に手間が掛かり、生産効率が低下するこ
とが問題となる。
ス（復旧作業）に手間が掛かり、生産効率が低下するこ
とが問題となる。
【００１５】また、半導体基板が帯電していると、ロボ
ットハンドが半導体基板を掴もうとした時に、放電によ
ってスパークしたり、電流リークが発生し、その結果、
半導体基板に電気的損傷が発生することが問題となる。
ットハンドが半導体基板を掴もうとした時に、放電によ
ってスパークしたり、電流リークが発生し、その結果、
半導体基板に電気的損傷が発生することが問題となる。
【００１６】また、ロボットハンドのハンドリングミス
によって半導体基板が移動すると、パーティクルが発生
することが問題となる。
によって半導体基板が移動すると、パーティクルが発生
することが問題となる。
【００１７】さらに、半導体基板が帯電していると、半
導体基板への異物付着が増加し、半導体基板の歩留りが
低下することが問題となる。
導体基板への異物付着が増加し、半導体基板の歩留りが
低下することが問題となる。
【００１８】また、直径３００ｍｍの半導体基板対応の
密閉式の半導体収納容器であるＦＯＵＰを使用する上
で、このＦＯＵＰについての仕様が盛り込まれたＳＥＭ
Ｉ（Semiconductor Equipment and Materials Internat
ional)規格に関し、以下の問題が含まれていることを本
発明者は見出した。
密閉式の半導体収納容器であるＦＯＵＰを使用する上
で、このＦＯＵＰについての仕様が盛り込まれたＳＥＭ
Ｉ（Semiconductor Equipment and Materials Internat
ional)規格に関し、以下の問題が含まれていることを本
発明者は見出した。
【００１９】すなわち、図１２の比較例に示すように、
半導体収納容器２００の容器長さＬ、および、オープナ
１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０
ａとの段差Ｄについては、ＳＥＭＩ規格のＥ４７.1およ
びＥ６２に、容器長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１
６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定され、また、段差Ｄは、そ
の公差が（ｙ３４）としてｙ３４＝±０.2５ｍｍとして
規定されている。
半導体収納容器２００の容器長さＬ、および、オープナ
１２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０
ａとの段差Ｄについては、ＳＥＭＩ規格のＥ４７.1およ
びＥ６２に、容器長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１
６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定され、また、段差Ｄは、そ
の公差が（ｙ３４）としてｙ３４＝±０.2５ｍｍとして
規定されている。
【００２０】したがって、半導体収納容器２００の蓋２
２０が容器本体２１０の前面外周部から最大で１ｍｍ奥
に引っ込んでいたり、半導体収納容器２００全体の容器
長さＬが最小寸法の１６５ｍｍになっている場合があ
る。
２０が容器本体２１０の前面外周部から最大で１ｍｍ奥
に引っ込んでいたり、半導体収納容器２００全体の容器
長さＬが最小寸法の１６５ｍｍになっている場合があ
る。
【００２１】また、半導体収納容器２００を平行移動さ
せる際の移動距離は、容器長さＬが１６５.5ｍｍの容器
用に調整されていることが多いため、容器長さＬが小さ
い半導体収納容器２００や蓋２２０が引っ込んでいる半
導体収納容器２００の場合、蓋２２０を開ける際には、
オープナ１２０が半導体収納容器２００の蓋２２０に密
着できない。
せる際の移動距離は、容器長さＬが１６５.5ｍｍの容器
用に調整されていることが多いため、容器長さＬが小さ
い半導体収納容器２００や蓋２２０が引っ込んでいる半
導体収納容器２００の場合、蓋２２０を開ける際には、
オープナ１２０が半導体収納容器２００の蓋２２０に密
着できない。
【００２２】この場合、回転キー１２１が十分に蓋２２
０内に挿入できないため、回転キー１２１が回転した際
に、蓋２２０の露出面２２０ａ側の板を破損したり、蓋
２２０側のキー溝２２１を十分に回転できず、その結
果、蓋２２０を開けられなくなるという問題が起こる。
０内に挿入できないため、回転キー１２１が回転した際
に、蓋２２０の露出面２２０ａ側の板を破損したり、蓋
２２０側のキー溝２２１を十分に回転できず、その結
果、蓋２２０を開けられなくなるという問題が起こる。
【００２３】さらに、蓋２２０を閉める時には、蓋２２
０が半導体収納容器２００に十分に収まっていない状態
で回転キー１２１を回転することになり、半導体収納容
器２００を閉めることができないという問題が起こる。
０が半導体収納容器２００に十分に収まっていない状態
で回転キー１２１を回転することになり、半導体収納容
器２００を閉めることができないという問題が起こる。
【００２４】本発明の目的は、半導体基板への付着異物
を減らして歩留りを向上させる半導体集積回路装置の製
造方法を提供することにある。
を減らして歩留りを向上させる半導体集積回路装置の製
造方法を提供することにある。
【００２５】また、本発明の目的は、半導体基板のハン
ドリングミスを減らして半導体製造装置の稼働率を向上
させる半導体集積回路装置の製造方法を提供することに
ある。
ドリングミスを減らして半導体製造装置の稼働率を向上
させる半導体集積回路装置の製造方法を提供することに
ある。
【００２６】さらに、本発明の目的は、放電による半導
体基板へのダメージを無くして歩留りを向上させる半導
体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
体基板へのダメージを無くして歩留りを向上させる半導
体集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【００２７】また、本発明の目的は、半導体収納容器の
破損を無くしてその耐用期間を延ばす半導体集積回路装
置の製造方法を提供することにある。
破損を無くしてその耐用期間を延ばす半導体集積回路装
置の製造方法を提供することにある。
【００２８】また、本発明の目的は、半導体収納容器の
開閉ミスを減らして半導体製造装置や製造ラインの停止
時間を削減する半導体集積回路装置の製造方法を提供す
ることにある。
開閉ミスを減らして半導体製造装置や製造ラインの停止
時間を削減する半導体集積回路装置の製造方法を提供す
ることにある。
【００２９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３１】すなわち、本発明は、半導体基板を収納し
た密閉式の半導体収納容器を半導体製造装置のロードポ
ートに配置し、この半導体収納容器から取り出した半導
体基板を、ロードポートと処理部との間の搬送領域にお
いて、前記処理部で処理された半導体基板を除電して前
記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納
するものである。
た密閉式の半導体収納容器を半導体製造装置のロードポ
ートに配置し、この半導体収納容器から取り出した半導
体基板を、ロードポートと処理部との間の搬送領域にお
いて、前記処理部で処理された半導体基板を除電して前
記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に収納
するものである。
【００３２】また、本発明は、複数のウェハを接地した
状態で収容した密閉状態の第１の密閉型半導体収納容器
の内部空間を、清浄度を保持した状態で第１のウェハ処
理装置の局所清浄室に連結する工程、前記連結状態にお
いて、前記第１の半導体収納容器に収容された前記複数
のウェハの内の全部又は一部を、前記局所清浄室に設け
られた搬送機構により移送することによって、前記第１
のウェハ処理装置のウェハ処理部に収容する工程、前記
第１のウェハ処理部に収容された前記ウェハに対して第
１の処理を施す工程、前記第１の処理を施す工程の後、
処理された前記ウェハを、前記搬送機構により移送する
ことによって、前記第１の半導体収納容器に、接地した
状態で収容する工程、前記第１の処理を施す工程の後で
あって前記接地した状態で収容する工程の前又はその中
で、処理された前記ウェハを除電する工程、前記除電す
る工程の後、前記第１の半導体収納容器と局所清浄室の
連結状態を解除することによって、前記第１の半導体収
納容器を密閉状態に戻す工程を有するものである。
状態で収容した密閉状態の第１の密閉型半導体収納容器
の内部空間を、清浄度を保持した状態で第１のウェハ処
理装置の局所清浄室に連結する工程、前記連結状態にお
いて、前記第１の半導体収納容器に収容された前記複数
のウェハの内の全部又は一部を、前記局所清浄室に設け
られた搬送機構により移送することによって、前記第１
のウェハ処理装置のウェハ処理部に収容する工程、前記
第１のウェハ処理部に収容された前記ウェハに対して第
１の処理を施す工程、前記第１の処理を施す工程の後、
処理された前記ウェハを、前記搬送機構により移送する
ことによって、前記第１の半導体収納容器に、接地した
状態で収容する工程、前記第１の処理を施す工程の後で
あって前記接地した状態で収容する工程の前又はその中
で、処理された前記ウェハを除電する工程、前記除電す
る工程の後、前記第１の半導体収納容器と局所清浄室の
連結状態を解除することによって、前記第１の半導体収
納容器を密閉状態に戻す工程を有するものである。
【００３３】また、本発明は、表面板の表面より突出し
た被接続面を有するオープナを備えた半導体収納容器開
閉装置のステージ上に半導体収納容器を配置し、前記オ
ープナの被接続面と半導体収納容器の蓋の露出面とを密
着させて前記オープナによって前記蓋を把持して前記蓋
の開閉を行って前記半導体基板の搬入出を行うものであ
る。
た被接続面を有するオープナを備えた半導体収納容器開
閉装置のステージ上に半導体収納容器を配置し、前記オ
ープナの被接続面と半導体収納容器の蓋の露出面とを密
着させて前記オープナによって前記蓋を把持して前記蓋
の開閉を行って前記半導体基板の搬入出を行うものであ
る。
【００３４】また、本発明は、半導体基板を収納する半
導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納
容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナ
を配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オ
ープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５ｍｍを
越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ
上に前記半導体収納容器を配置する工程、前記オープナ
の被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープ
ナによって前記蓋を把持する工程、前記オープナによっ
て前記半導体収納容器の開口面に対して前記蓋を垂直に
移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口
部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部
とを接続する工程、前記半導体収納容器と前記半導体収
納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、
前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉
装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収
納容器に搬入出する工程を有するものである。
導体収納容器を載置可能なステージと、前記半導体収納
容器の蓋を把持して開閉するオープナと、前記オープナ
を配置する開口部が形成された表面板とを備え、前記オ
ープナの被接続面が前記表面板の表面より０.2５ｍｍを
越えて突出した半導体収納容器開閉装置の前記ステージ
上に前記半導体収納容器を配置する工程、前記オープナ
の被接続面と前記蓋の露出面とを密着させて前記オープ
ナによって前記蓋を把持する工程、前記オープナによっ
て前記半導体収納容器の開口面に対して前記蓋を垂直に
移動させて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口
部と前記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部
とを接続する工程、前記半導体収納容器と前記半導体収
納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、
前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉
装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収
納容器に搬入出する工程を有するものである。
【００３５】本願発明のその他の発明の概要を項に分け
て以下に示す。 １．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.2５ｍｍを越えて突出した半導体収
納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器
を配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記
蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半
導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、
前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装
置内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導
体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前
記処理部で前記半導体基板を処理する工程、（ｄ）前記
（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 ２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.2５〜１０ｍｍ突出した半導体収納
容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を
配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋
の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導
体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前
記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置
内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体
製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記
処理部で前記半導体基板を処理する工程、（ｄ）前記
（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 ３．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より１ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装
置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工
程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面と
を密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器
の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収
納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半
導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体製造装置の
処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前
記半導体基板を処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程で
処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領
域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工
程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前
記半導体収納容器に移載して収納する工程。 ４．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.2５〜１０ｍｍ突出した半導体収納
容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を
配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋
の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導
体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前
記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置
内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体
基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬
送領域で前記半導体基板を除電する工程、（ｄ）前記半
導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、
前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、（ｅ）前
記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造
装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基
板を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された
半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。
て以下に示す。 １．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.2５ｍｍを越えて突出した半導体収
納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器
を配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記
蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半
導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、
前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装
置内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導
体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前
記処理部で前記半導体基板を処理する工程、（ｄ）前記
（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 ２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.2５〜１０ｍｍ突出した半導体収納
容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を
配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋
の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導
体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前
記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置
内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体
製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記
処理部で前記半導体基板を処理する工程、（ｄ）前記
（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 ３．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より１ｍｍ突出した半導体収納容器開閉装
置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工
程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面と
を密着させて前記オープナによって前記半導体収納容器
の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収
納容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半
導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体製造装置の
処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前
記半導体基板を処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程で
処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領
域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工
程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基板を前
記半導体収納容器に移載して収納する工程。 ４．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.2５〜１０ｍｍ突出した半導体収納
容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を
配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋
の露出面とを密着させて前記オープナによって前記半導
体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前
記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体製造装置
内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体
基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬
送領域で前記半導体基板を除電する工程、（ｄ）前記半
導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した後、
前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、（ｅ）前
記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造
装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基
板を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された
半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。
【００３６】本発明の更にその他の概要を以下項分けし
て説明する。 １．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納した密閉式の半導体収納容器を
半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって
前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り
出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体
製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前
記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した
後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半
導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記
半導体基板を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除
電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収
納する工程。 ２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉
式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステー
ジ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納容器開閉装
置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて
前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬
送する工程、（ｃ）前記半導体基板を前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｄ）前記半導体製造装置の処理部に
前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体
基板を処理する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で処理され
た半導体基板を前記半導体製造装置内の前記搬送領域に
移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半
導体収納容器に移載して収納する工程。 ３．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉
式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステー
ジ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納容器開閉装
置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて
前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置内の搬送領域に前記半導
体基板を搬送する工程、（ｃ）前記搬送領域に配置され
たアースされていないロボットハンドを前記搬送領域で
除電し、この除電されたロボットハンドによって前記半
導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工
程、（ｄ）前記処理部で前記半導体基板を処理する工
程、（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前
記半導体製造装置内の前記搬送領域に移し、前記搬送領
域で前記半導体基板を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）
工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移
載して収納する工程。 ４．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉
式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステー
ジ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納容器開閉装
置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて
前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬
送する工程、（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記
半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板
を処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半
導体基板を前記半導体製造装置内のロードロック室に移
し、このロードロック室内のアースされていない基板支
持台によって前記半導体基板を支持する工程、（ｅ）前
記ロードロック室から前記半導体製造装置の搬送領域に
前記半導体基板を移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 ５．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納した半導体収納容器を半導体製
造装置のロードポートに配置する工程、（ｂ）前記半導
体収納容器から前記半導体基板を取り出し、前記半導体
製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する
工程、（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を
前記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造
装置の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体製造装置の前記ロードポートに配
置された前記半導体収納容器に収納する工程。 ６．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとと
もにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置
のロードポートに配置する工程、（ｂ）前記半導体収納
容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域
とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半
導体基板を移す工程、（ｃ）前記搬送領域でイオナイザ
によって前記半導体基板を除電する工程、（ｄ）前記処
理部に前記半導体基板を移して前記処理部で前記半導体
基板をプロセス処理する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で
処理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送
領域で前記イオナイザによって前記半導体基板を除電す
る工程、（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板
を前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に
収納する工程。 ７．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとと
もにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置
のロードポートに配置する工程、（ｂ）前記半導体収納
容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域
とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半
導体基板を移す工程、（ｃ）前記搬送領域で除電された
ロボットハンドによって前記半導体基板を支持して前記
搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、（ｄ）前記
ロボットハンドによって前記半導体基板を前記処理部に
移して前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、前
記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基
板をプロセス処理する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で処
理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送領
域の前記ロボットハンドによって前記半導体基板を支持
して前記半導体基板を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）
工程で除電された半導体基板を前記ロードポートに配置
された前記半導体収納容器に収納する工程。 ８．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導
体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する
工程、（ｂ）前記半導体製造装置に設置された半導体収
納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器
の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体製
造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記
半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した
後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工
程、（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前
記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 ９．項８記載の半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、前記搬送領域のクリーン度が前記ロードポート周辺
のクリーン度より高いことを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。 １０．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によ
って形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装
置のステージ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納
容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の
蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納
容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導
体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体製造装置の処
理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記
半導体基板をプロセス処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）
工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の
搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電
する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基
板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。 １１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によ
って形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装
置のステージ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納
容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の
蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納
容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導
体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体基板を前記半
導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記
半導体基板を除電する工程、（ｄ）前記半導体製造装置
の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で
前記半導体基板をプロセス処理する工程、（ｅ）前記
（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 １２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導
体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配
置する工程、（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオー
プナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導
体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置
された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工
程、（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基
板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセ
ス処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半
導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前
記搬送領域で前記半導体基板を除電するとともに、前記
搬送領域に設けられたケミカルフィルタによって前記半
導体基板の化学汚染を防ぐ工程、（ｅ）前記（ｄ）工程
で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載し
て収納する工程。 １３．項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記処理部での前記半導体基板への処理前と処理
後に、前記搬送領域で前記ケミカルフィルタによって前
記半導体基板の化学汚染を防ぐことを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。 １４．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基板
を枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の
製造方法。 １５．項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基
板を枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板
が前記半導体製造装置のロードロック室で待機している
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 １６．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、前記半導体基板の前記半導体収納容器への搬入出を
行う際に、前記半導体収納容器開閉装置の前記オープナ
によって前記半導体収納容器の開口面に対して前記蓋を
垂直に移動させて前記蓋を開けて前記半導体基板の搬入
出を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 １７．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、前記半導体基板として、直径３００ｍｍの基板を用
いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 １８．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.2５ｍｍを越えて突出した半導体収
納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器
を配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記
蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋
を把持する工程、（ｃ）前記オープナによって前記半導
体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて
前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半
導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続す
る工程、（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容
器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記
半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置
の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容
器に搬入出する工程。 １９．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.3ｍｍを越えて突出した半導体収納
容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を
配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋
の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を
把持する工程、（ｃ）前記オープナによって前記半導体
収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前
記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導
体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する
工程、（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器
開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半
導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の
開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器
に搬入出する工程。 ２０．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.7ｍｍを越えて突出した半導体収納
容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を
配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋
の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を
把持する工程、（ｃ）前記オープナによって前記半導体
収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前
記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導
体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する
工程、（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器
開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半
導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の
開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器
に搬入出する工程。 ２１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より１.0ｍｍ突出した半導体収納容器開閉
装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する
工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面
とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する
工程、（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器
と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開
けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容
器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収
納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部
とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入
出する工程。 ２２．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載
置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持し
て開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部
が形成された表面板とを備え、かつ前記表面板の表面か
ら前記オープナの被接続面までの距離とフェイシャル基
準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面までの距
離とのオーバーラップ量が零より大きく設定された半導
体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納
容器を配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と
前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前
記蓋を把持する工程、（ｃ）前記オープナによって前記
半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動さ
せて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前
記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接
続する工程、（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収
納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、
前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉
装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収
納容器に搬入出する工程を有し、半導体製造ラインに流
れている全ての前記半導体収納容器の前記オーバーラッ
プ量が零より大きいことを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。 ２３．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載
置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持し
て開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部
が形成された表面板とを備えるとともに、前記表面板の
表面から前記オープナの被接続面までの距離とフェイシ
ャル基準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面ま
での距離とのオーバーラップ量が零より大きくかつ1.２
５ｍｍ以下に設定された半導体収納容器開閉装置の前記
ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密
着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口
面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、
前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉
装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、（ｄ）前
記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置
された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の
開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介し
て前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工
程を有し、半導体製造ラインに流れている全ての前記半
導体収納容器の前記オーバーラップ量が零より大きく、
かつ1.２５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体集積
回路装置の製造方法。 ２４．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載
置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持し
て開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部
が形成された表面板とを備えた半導体収納容器開閉装置
の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工
程、（ｂ）前記オープナによって前記蓋を把持する工
程、（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と
開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開け
て、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器
開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収
納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部
とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入
出する工程を有し、前記（ｂ）工程で前記オープナによ
って前記蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と
前記蓋の露出面とが密着しないものの割合が、半導体製
造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の１％
以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。 ２５．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より突出した半導体収納容器開閉装置の前
記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密
着させて前記蓋によって前記オープナを後退させた状態
で前記オープナによって前記蓋を把持する工程、（ｃ）
前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対
して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半
導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の
前記表面板の開口部とを接続する工程、（ｄ）前記半導
体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された
半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部
と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記
半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。 ２６．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記オープナによって前記半導体収納容器の前記
蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と前記蓋の
露出面とを密着させて前記蓋によって前記オープナを後
退させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 ２７．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を
枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 ２８．項２７記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を
枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板が前
記半導体製造装置のロードロック室で待機していること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 ２９．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記半導体基板として、直径３００ｍｍの基板を
用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
て説明する。 １．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納した密閉式の半導体収納容器を
半導体収納容器開閉装置のステージ上に配置する工程、
（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオープナによって
前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導体基板を取り
出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置された半導体
製造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前
記半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した
後、前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前記半
導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記
半導体基板を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除
電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載して収
納する工程。 ２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉
式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステー
ジ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納容器開閉装
置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて
前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬
送する工程、（ｃ）前記半導体基板を前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｄ）前記半導体製造装置の処理部に
前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体
基板を処理する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で処理され
た半導体基板を前記半導体製造装置内の前記搬送領域に
移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板を前記半
導体収納容器に移載して収納する工程。 ３．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉
式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステー
ジ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納容器開閉装
置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて
前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置内の搬送領域に前記半導
体基板を搬送する工程、（ｃ）前記搬送領域に配置され
たアースされていないロボットハンドを前記搬送領域で
除電し、この除電されたロボットハンドによって前記半
導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工
程、（ｄ）前記処理部で前記半導体基板を処理する工
程、（ｅ）前記（ｄ）工程で処理された半導体基板を前
記半導体製造装置内の前記搬送領域に移し、前記搬送領
域で前記半導体基板を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）
工程で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移
載して収納する工程。 ４．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された密閉
式の半導体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステー
ジ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納容器開閉装
置のオープナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて
前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬
送する工程、（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記
半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板
を処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半
導体基板を前記半導体製造装置内のロードロック室に移
し、このロードロック室内のアースされていない基板支
持台によって前記半導体基板を支持する工程、（ｅ）前
記ロードロック室から前記半導体製造装置の搬送領域に
前記半導体基板を移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 ５．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納した半導体収納容器を半導体製
造装置のロードポートに配置する工程、（ｂ）前記半導
体収納容器から前記半導体基板を取り出し、前記半導体
製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送する工程、
（ｃ）前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する
工程、（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を
前記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造
装置の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体製造装置の前記ロードポートに配
置された前記半導体収納容器に収納する工程。 ６．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとと
もにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置
のロードポートに配置する工程、（ｂ）前記半導体収納
容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域
とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半
導体基板を移す工程、（ｃ）前記搬送領域でイオナイザ
によって前記半導体基板を除電する工程、（ｄ）前記処
理部に前記半導体基板を移して前記処理部で前記半導体
基板をプロセス処理する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で
処理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送
領域で前記イオナイザによって前記半導体基板を除電す
る工程、（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半導体基板
を前記ロードポートに配置された前記半導体収納容器に
収納する工程。 ７．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成されるとと
もにアース接続された半導体収納容器を半導体製造装置
のロードポートに配置する工程、（ｂ）前記半導体収納
容器から前記半導体基板を取り出し、処理部と搬送領域
とを備えた前記半導体製造装置の前記搬送領域に前記半
導体基板を移す工程、（ｃ）前記搬送領域で除電された
ロボットハンドによって前記半導体基板を支持して前記
搬送領域で前記半導体基板を除電する工程、（ｄ）前記
ロボットハンドによって前記半導体基板を前記処理部に
移して前記処理部で前記半導体基板を処理する工程、前
記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基
板をプロセス処理する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で処
理された半導体基板を前記搬送領域に移し、前記搬送領
域の前記ロボットハンドによって前記半導体基板を支持
して前記半導体基板を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）
工程で除電された半導体基板を前記ロードポートに配置
された前記半導体収納容器に収納する工程。 ８．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導
体収納容器を半導体製造装置のロードポートに配置する
工程、（ｂ）前記半導体製造装置に設置された半導体収
納容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器
の蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体製
造装置内に前記半導体基板を搬送する工程、（ｃ）前記
半導体製造装置の処理部に前記半導体基板を搬送した
後、前記処理部で前記半導体基板をプロセス処理する工
程、（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半導体基板を前
記処理部と前記ロードポートとの間の前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 ９．項８記載の半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、前記搬送領域のクリーン度が前記ロードポート周辺
のクリーン度より高いことを特徴とする半導体集積回路
装置の製造方法。 １０．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によ
って形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装
置のステージ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納
容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の
蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納
容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導
体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体製造装置の処
理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で前記
半導体基板をプロセス処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）
工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装置内の
搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板を除電
する工程、（ｅ）前記（ｄ）工程で除電された半導体基
板を前記半導体収納容器に移載して収納する工程。 １１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ全体が導電性材料によ
って形成された半導体収納容器を半導体収納容器開閉装
置のステージ上に配置する工程、（ｂ）前記半導体収納
容器開閉装置のオープナによって前記半導体収納容器の
蓋を開けて前記半導体基板を取り出し、前記半導体収納
容器開閉装置が設置された半導体製造装置内に前記半導
体基板を搬送する工程、（ｃ）前記半導体基板を前記半
導体製造装置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記
半導体基板を除電する工程、（ｄ）前記半導体製造装置
の処理部に前記半導体基板を搬送した後、前記処理部で
前記半導体基板をプロセス処理する工程、（ｅ）前記
（ｄ）工程で処理された半導体基板を前記半導体製造装
置内の搬送領域に移し、前記搬送領域で前記半導体基板
を除電する工程、（ｆ）前記（ｅ）工程で除電された半
導体基板を前記半導体収納容器に移載して収納する工
程。 １２．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納し、かつ少なくとも前記半導体
基板との接触箇所が導電性材料によって形成された半導
体収納容器を半導体収納容器開閉装置のステージ上に配
置する工程、（ｂ）前記半導体収納容器開閉装置のオー
プナによって前記半導体収納容器の蓋を開けて前記半導
体基板を取り出し、前記半導体収納容器開閉装置が設置
された半導体製造装置内に前記半導体基板を搬送する工
程、（ｃ）前記半導体製造装置の処理部に前記半導体基
板を搬送した後、前記処理部で前記半導体基板をプロセ
ス処理する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程で処理された半
導体基板を前記半導体製造装置内の搬送領域に移し、前
記搬送領域で前記半導体基板を除電するとともに、前記
搬送領域に設けられたケミカルフィルタによって前記半
導体基板の化学汚染を防ぐ工程、（ｅ）前記（ｄ）工程
で除電された半導体基板を前記半導体収納容器に移載し
て収納する工程。 １３．項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記処理部での前記半導体基板への処理前と処理
後に、前記搬送領域で前記ケミカルフィルタによって前
記半導体基板の化学汚染を防ぐことを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。 １４．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基板
を枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の
製造方法。 １５．項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記半導体製造装置の前記処理部で前記半導体基
板を枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板
が前記半導体製造装置のロードロック室で待機している
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 １６．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、前記半導体基板の前記半導体収納容器への搬入出を
行う際に、前記半導体収納容器開閉装置の前記オープナ
によって前記半導体収納容器の開口面に対して前記蓋を
垂直に移動させて前記蓋を開けて前記半導体基板の搬入
出を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 １７．項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、前記半導体基板として、直径３００ｍｍの基板を用
いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 １８．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.2５ｍｍを越えて突出した半導体収
納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器
を配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記
蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋
を把持する工程、（ｃ）前記オープナによって前記半導
体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて
前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半
導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続す
る工程、（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容
器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記
半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置
の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容
器に搬入出する工程。 １９．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.3ｍｍを越えて突出した半導体収納
容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を
配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋
の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を
把持する工程、（ｃ）前記オープナによって前記半導体
収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前
記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導
体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する
工程、（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器
開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半
導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の
開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器
に搬入出する工程。 ２０．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より０.7ｍｍを越えて突出した半導体収納
容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を
配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋
の露出面とを密着させて前記オープナによって前記蓋を
把持する工程、（ｃ）前記オープナによって前記半導体
収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前
記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導
体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する
工程、（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器
開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、前記半
導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の
開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器
に搬入出する工程。 ２１．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より１.0ｍｍ突出した半導体収納容器開閉
装置の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する
工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面
とを密着させて前記オープナによって前記蓋を把持する
工程、（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器
と開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開
けて、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容
器開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収
納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部
とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入
出する工程。 ２２．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載
置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持し
て開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部
が形成された表面板とを備え、かつ前記表面板の表面か
ら前記オープナの被接続面までの距離とフェイシャル基
準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面までの距
離とのオーバーラップ量が零より大きく設定された半導
体収納容器開閉装置の前記ステージ上に前記半導体収納
容器を配置する工程、（ｂ）前記オープナの被接続面と
前記蓋の露出面とを密着させて前記オープナによって前
記蓋を把持する工程、（ｃ）前記オープナによって前記
半導体収納容器と開口面に対して前記蓋を垂直に移動さ
せて前記蓋を開けて、前記半導体収納容器の開口部と前
記半導体収納容器開閉装置の前記表面板の開口部とを接
続する工程、（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収
納容器開閉装置が設置された半導体製造装置との間で、
前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉
装置の開口部とを介して前記半導体基板を前記半導体収
納容器に搬入出する工程を有し、半導体製造ラインに流
れている全ての前記半導体収納容器の前記オーバーラッ
プ量が零より大きいことを特徴とする半導体集積回路装
置の製造方法。 ２３．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載
置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持し
て開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部
が形成された表面板とを備えるとともに、前記表面板の
表面から前記オープナの被接続面までの距離とフェイシ
ャル基準面から前記半導体収納容器の前記蓋の露出面ま
での距離とのオーバーラップ量が零より大きくかつ1.２
５ｍｍ以下に設定された半導体収納容器開閉装置の前記
ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密
着させて前記オープナによって前記蓋を把持する工程、
（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と開口
面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、
前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉
装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、（ｄ）前
記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置
された半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の
開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介し
て前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工
程を有し、半導体製造ラインに流れている全ての前記半
導体収納容器の前記オーバーラップ量が零より大きく、
かつ1.２５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体集積
回路装置の製造方法。 ２４．（ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載
置可能なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持し
て開閉するオープナと、前記オープナを配置する開口部
が形成された表面板とを備えた半導体収納容器開閉装置
の前記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工
程、（ｂ）前記オープナによって前記蓋を把持する工
程、（ｃ）前記オープナによって前記半導体収納容器と
開口面に対して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開け
て、前記半導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器
開閉装置の前記表面板の開口部とを接続する工程、
（ｄ）前記半導体収納容器と前記半導体収納容器開閉装
置が設置された半導体製造装置との間で、前記半導体収
納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の開口部
とを介して前記半導体基板を前記半導体収納容器に搬入
出する工程を有し、前記（ｂ）工程で前記オープナによ
って前記蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と
前記蓋の露出面とが密着しないものの割合が、半導体製
造ラインに流れている全ての前記半導体収納容器の１％
以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。 ２５．以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方
法； （ａ）半導体基板を収納する半導体収納容器を載置可能
なステージと、前記半導体収納容器の蓋を把持して開閉
するオープナと、前記オープナを配置する開口部が形成
された表面板とを備え、前記オープナの被接続面が前記
表面板の表面より突出した半導体収納容器開閉装置の前
記ステージ上に前記半導体収納容器を配置する工程、
（ｂ）前記オープナの被接続面と前記蓋の露出面とを密
着させて前記蓋によって前記オープナを後退させた状態
で前記オープナによって前記蓋を把持する工程、（ｃ）
前記オープナによって前記半導体収納容器と開口面に対
して前記蓋を垂直に移動させて前記蓋を開けて、前記半
導体収納容器の開口部と前記半導体収納容器開閉装置の
前記表面板の開口部とを接続する工程、（ｄ）前記半導
体収納容器と前記半導体収納容器開閉装置が設置された
半導体製造装置との間で、前記半導体収納容器の開口部
と前記半導体収納容器開閉装置の開口部とを介して前記
半導体基板を前記半導体収納容器に搬入出する工程。 ２６．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記オープナによって前記半導体収納容器の前記
蓋を把持した際に、前記オープナの被接続面と前記蓋の
露出面とを密着させて前記蓋によって前記オープナを後
退させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 ２７．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を
枚葉処理することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 ２８．項２７記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記半導体製造装置の処理部で前記半導体基板を
枚葉処理している最中、次に処理される半導体基板が前
記半導体製造装置のロードロック室で待機していること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 ２９．項１８記載の半導体集積回路装置の製造方法であ
って、前記半導体基板として、直径３００ｍｍの基板を
用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。
【００３７】
【発明の実施の形態】１．半導体基板または半導体ウェ
ハとは、半導体集積回路の製造に用いるシリコン単結晶
基板、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板（一般にほ
ぼ平面円形状）、サファイア基板、ガラス基板、その他
の絶縁、反絶縁または半導体基板など並びにそれらの複
合的基板を言う。また、本願において半導体集積回路装
置というときは、シリコンウェハやサファイア基板など
の半導体または絶縁体基板上に作られるものの他、特
に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Thin
Film Transistor) およびＳＴＮ（Super Twisted Nema
tic)液晶などのようなガラスなどの他の絶縁基板上に作
られるものなども含むものとする。
ハとは、半導体集積回路の製造に用いるシリコン単結晶
基板、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板（一般にほ
ぼ平面円形状）、サファイア基板、ガラス基板、その他
の絶縁、反絶縁または半導体基板など並びにそれらの複
合的基板を言う。また、本願において半導体集積回路装
置というときは、シリコンウェハやサファイア基板など
の半導体または絶縁体基板上に作られるものの他、特
に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Thin
Film Transistor) およびＳＴＮ（Super Twisted Nema
tic)液晶などのようなガラスなどの他の絶縁基板上に作
られるものなども含むものとする。
【００３８】２．半導体収納容器：複数の半導体基板を
格納する容器。そのうち、蓋と容器本体とから構成され
る密閉式のものをＦＯＵＰという。
格納する容器。そのうち、蓋と容器本体とから構成され
る密閉式のものをＦＯＵＰという。
【００３９】３．フェイシャル基準面：半導体基板（半
導体ウェハ）を２等分し、半導体収納容器の前側（半導
体基板が取り外しまたは挿入されるところ）に平行な垂
直面のこと。
導体ウェハ）を２等分し、半導体収納容器の前側（半導
体基板が取り外しまたは挿入されるところ）に平行な垂
直面のこと。
【００４０】４．半導体収納容器開閉装置：フープなど
のウェハ収納容器の扉を開閉する装置で、例えば、オー
プナと呼ばれる金属板などから成る。
のウェハ収納容器の扉を開閉する装置で、例えば、オー
プナと呼ばれる金属板などから成る。
【００４１】５．処理部：ウェハ処理部は、例えば、ド
ライエッチング装置におけるプラズマ反応室のように、
そこにウェハを収納して所定の処理を施す装置部分をい
い、一般にその部分へウェハを搬送するだけの搬送部や
待機部などを除く。
ライエッチング装置におけるプラズマ反応室のように、
そこにウェハを収納して所定の処理を施す装置部分をい
い、一般にその部分へウェハを搬送するだけの搬送部や
待機部などを除く。
【００４２】６．搬送領域：搬送領域は、フープなどの
半導体収納容器と前記ウェハ処理部間で主としてウェハ
の搬入搬出を行う部分で、例えば、ロードポートとウェ
ハ処理部間の領域などを言う。したがって、プリアライ
メントなどの補助的処理部が有る場合にはそれらの部分
も一般に搬送領域に含まれる。
半導体収納容器と前記ウェハ処理部間で主としてウェハ
の搬入搬出を行う部分で、例えば、ロードポートとウェ
ハ処理部間の領域などを言う。したがって、プリアライ
メントなどの補助的処理部が有る場合にはそれらの部分
も一般に搬送領域に含まれる。
【００４３】７．イオナイザ：周辺の雰囲気ガスを電離
させて正負のイオンを発生させる装置で、半導体産業に
おいては一般に所定部分の中和によりウェハなどの除電
を行う目的で利用されることが多い。具体的なイオナイ
ザとしては、針状または細線状の電極に高電圧を印加し
てコロナ放電を起こし、周囲の空気を正負にイオン化し
て帯電物体表面の電荷を逆極性のイオンで中和する装置
のこと。
させて正負のイオンを発生させる装置で、半導体産業に
おいては一般に所定部分の中和によりウェハなどの除電
を行う目的で利用されることが多い。具体的なイオナイ
ザとしては、針状または細線状の電極に高電圧を印加し
てコロナ放電を起こし、周囲の空気を正負にイオン化し
て帯電物体表面の電荷を逆極性のイオンで中和する装置
のこと。
【００４４】８．ファンフィルタユニット：ＵＬＰＡ
（Ultra Low Penetration Air)フィルタ（定格風量で粒
径が0.１５μｍの粒子に対して９9.９９９５％以上の粒
子捕集率をもつエアフィルタ）などと小形送風機を一体
化した空気清浄装置のこと。
（Ultra Low Penetration Air)フィルタ（定格風量で粒
径が0.１５μｍの粒子に対して９9.９９９５％以上の粒
子捕集率をもつエアフィルタ）などと小形送風機を一体
化した空気清浄装置のこと。
【００４５】９．ケミカルフィルタ：空気中のガス状汚
染物を除去することを目的としたフィルタのこと。
染物を除去することを目的としたフィルタのこと。
【００４６】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００４７】以下の実施の形態においては便宜上その必
要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に
分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それら
はお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部ま
たは全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に
分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それら
はお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部ま
たは全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００４８】また、以下の実施の形態において、要素の
数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場
合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数
に限定される場合などを除き、その特定の数に限定され
るものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものと
する。
数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場
合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数
に限定される場合などを除き、その特定の数に限定され
るものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものと
する。
【００４９】さらに、以下の実施の形態において、その
構成要素（要素ステップなども含む）は、特に明示した
場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場
合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言う
までもない。
構成要素（要素ステップなども含む）は、特に明示した
場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場
合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言う
までもない。
【００５０】同様に、以下の実施の形態において、構成
要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に
明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考え
られる場合などを除き、実質的にその形状などに近似ま
たは類似するものなどを含むものとする。このことは前
記数値および範囲についても同様である。
要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に
明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考え
られる場合などを除き、実質的にその形状などに近似ま
たは類似するものなどを含むものとする。このことは前
記数値および範囲についても同様である。
【００５１】また、実施の形態を説明するための全図に
おいて同一機能を有するものは同一の符号を付し、その
繰り返しの説明は省略する。
おいて同一機能を有するものは同一の符号を付し、その
繰り返しの説明は省略する。
【００５２】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導
体収納容器開閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であ
り、（ａ）は表側構造、（ｂ）は裏側構造、図２は本発
明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用
いられる半導体収納容器（ＦＯＵＰ）の構造の一例を示
す斜視図、図３は図１に示す半導体収納容器開閉装置が
取り付けられる半導体製造装置の構造の一例を示す部分
斜視図、図４は図３に示す半導体製造装置の内部構造を
示す側面図、図５は図３に示す半導体製造装置の内部構
造を示す平面図、図６は本発明の実施の形態１の半導体
集積回路装置の製造方法における半導体基板の搬送シー
ケンスの一例を示すシーケンスフロー図、図７は図４に
示す半導体製造装置に対する変形例の半導体製造装置の
内部構造を示す側面図、図８は図２に示す半導体収納容
器に対する変形例の半導体収納容器を用いた際の半導体
収納容器開閉装置のエレベータの動作を示す部分側面図
である。
態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導
体収納容器開閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であ
り、（ａ）は表側構造、（ｂ）は裏側構造、図２は本発
明の実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法で用
いられる半導体収納容器（ＦＯＵＰ）の構造の一例を示
す斜視図、図３は図１に示す半導体収納容器開閉装置が
取り付けられる半導体製造装置の構造の一例を示す部分
斜視図、図４は図３に示す半導体製造装置の内部構造を
示す側面図、図５は図３に示す半導体製造装置の内部構
造を示す平面図、図６は本発明の実施の形態１の半導体
集積回路装置の製造方法における半導体基板の搬送シー
ケンスの一例を示すシーケンスフロー図、図７は図４に
示す半導体製造装置に対する変形例の半導体製造装置の
内部構造を示す側面図、図８は図２に示す半導体収納容
器に対する変形例の半導体収納容器を用いた際の半導体
収納容器開閉装置のエレベータの動作を示す部分側面図
である。
【００５３】本実施の形態１の半導体集積回路装置の製
造方法は、密閉式の半導体収納容器２００（以降、容器
２００と称す）を用い、これに収納された半導体基板
（半導体ウェハともいう）３００を取り出して半導体製
造装置４００内に移し、この半導体製造装置４００によ
って所望のプロセス処理（例えば、露光、エッチング、
スパッタあるいは成膜などの前工程での処理）を行い、
その後、処理済みの半導体基板３００を再び容器２００
に収納するものである。
造方法は、密閉式の半導体収納容器２００（以降、容器
２００と称す）を用い、これに収納された半導体基板
（半導体ウェハともいう）３００を取り出して半導体製
造装置４００内に移し、この半導体製造装置４００によ
って所望のプロセス処理（例えば、露光、エッチング、
スパッタあるいは成膜などの前工程での処理）を行い、
その後、処理済みの半導体基板３００を再び容器２００
に収納するものである。
【００５４】なお、半導体基板３００は、直径３００ｍ
ｍの大形のもので、これを収納する容器２００として、
ここでは、フロント開閉式のＦＯＵＰを取り上げて説明
する。
ｍの大形のもので、これを収納する容器２００として、
ここでは、フロント開閉式のＦＯＵＰを取り上げて説明
する。
【００５５】まず、図１から図５を用いて、本実施の形
態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられるミニ
エンバイロメント（製品を汚染や人間から隔離するため
の密閉容器によって作り出された小さな環境）対応の半
導体製造装置４００の構造について説明する。
態１の半導体集積回路装置の製造方法で用いられるミニ
エンバイロメント（製品を汚染や人間から隔離するため
の密閉容器によって作り出された小さな環境）対応の半
導体製造装置４００の構造について説明する。
【００５６】半導体製造装置４００は、図３、図４およ
び図５に示すように、主に、半導体収納容器開閉装置１
００（以降、開閉装置１００と称す）と、半導体基板３
００に所望のプロセス処理が行われる処理部４２０と、
半導体製造装置４００のロードポート１００ａと処理部
４２０との間で半導体基板３００の搬送が行われる搬送
領域４１０とで構成される。
び図５に示すように、主に、半導体収納容器開閉装置１
００（以降、開閉装置１００と称す）と、半導体基板３
００に所望のプロセス処理が行われる処理部４２０と、
半導体製造装置４００のロードポート１００ａと処理部
４２０との間で半導体基板３００の搬送が行われる搬送
領域４１０とで構成される。
【００５７】さらに、開閉装置１００は、図１、図２に
示すように、大きく分けて容器２００を載置するステー
ジ１１０と、容器２００の蓋２２０を把持し、かつ開閉
するオープナ１２０とで構成される。また、図１（ａ）
に示すように、ステージ１１０には図２に示す容器２０
０を正確な姿勢に載置するための位置決めピン１１２
と、容器２００をオープナ１２０に接近させるためのス
ライダ１１１とを設けている。
示すように、大きく分けて容器２００を載置するステー
ジ１１０と、容器２００の蓋２２０を把持し、かつ開閉
するオープナ１２０とで構成される。また、図１（ａ）
に示すように、ステージ１１０には図２に示す容器２０
０を正確な姿勢に載置するための位置決めピン１１２
と、容器２００をオープナ１２０に接近させるためのス
ライダ１１１とを設けている。
【００５８】本実施の形態１では、スライダ１１１はス
テージ１１０内部に設置された図示しないモータとボー
ルねじによって前後方向に移動可能である。オープナ１
２０には回転キー１２１が設けてあり、回転キー１２１
はオープナ１２０内部にある図示しないモータによって
９０°回転可能である。
テージ１１０内部に設置された図示しないモータとボー
ルねじによって前後方向に移動可能である。オープナ１
２０には回転キー１２１が設けてあり、回転キー１２１
はオープナ１２０内部にある図示しないモータによって
９０°回転可能である。
【００５９】オープナ１２０の裏側には、図１（ｂ）に
示すように、オープナ１２０を水平方向に前後進させて
容器２００の蓋２２０を開閉するオープナ開閉機構１３
０と、オープナ１２０を昇降させるオープナ昇降機構１
３１とを設けている。オープナ開閉機構１３０とオープ
ナ昇降機構１３１とは共に図示しないモータとボールね
じによって動作し、オープナ開閉機構１３０、オープナ
昇降機構１３１の駆動部分全体には、作業者が容易に触
れられないように安全カバー１４０が設置されている。
示すように、オープナ１２０を水平方向に前後進させて
容器２００の蓋２２０を開閉するオープナ開閉機構１３
０と、オープナ１２０を昇降させるオープナ昇降機構１
３１とを設けている。オープナ開閉機構１３０とオープ
ナ昇降機構１３１とは共に図示しないモータとボールね
じによって動作し、オープナ開閉機構１３０、オープナ
昇降機構１３１の駆動部分全体には、作業者が容易に触
れられないように安全カバー１４０が設置されている。
【００６０】半導体製造装置４００は、図４に示すよう
に、内部で搬送領域４１０と処理部４２０とに分かれて
おり、図３は、半導体製造装置４００に開閉装置１００
を４台取り付けた例を示したものである。
に、内部で搬送領域４１０と処理部４２０とに分かれて
おり、図３は、半導体製造装置４００に開閉装置１００
を４台取り付けた例を示したものである。
【００６１】なお、搬送領域４１０には、その内部天井
にファンフィルタユニット４１２が設けられていて、清
浄な空気が上方から下方に流れるダウンフローになって
おり、したがって、ファンフィルタユニット４１２の稼
働時、搬送領域４１０は、クリーン度ＩＳＯ１から２に
保たれ、半導体製造装置４００外部のクリーン度ＩＳＯ
６と比べて非常に高清浄な状態を保てる。
にファンフィルタユニット４１２が設けられていて、清
浄な空気が上方から下方に流れるダウンフローになって
おり、したがって、ファンフィルタユニット４１２の稼
働時、搬送領域４１０は、クリーン度ＩＳＯ１から２に
保たれ、半導体製造装置４００外部のクリーン度ＩＳＯ
６と比べて非常に高清浄な状態を保てる。
【００６２】クリーン度ＩＳＯ６の環境に半導体基板３
００を放置すると、時間とともに基板表面に異物が付着
し、半導体基板３００上に作られている半導体部品（半
導体集積回路）の歩留まりが著しく低下する。容器２０
０内部は外界と遮断されており、清浄度の高い環境で半
導体基板３００の出し入れを行えば容器内部の清浄度は
保たれ、クリーン度ＩＳＯ６の環境に容器２００を放置
しても、容器２００の蓋２２０を開閉しない限り、容器
２００内部の半導体基板３００に付着する異物は微少で
ある。
００を放置すると、時間とともに基板表面に異物が付着
し、半導体基板３００上に作られている半導体部品（半
導体集積回路）の歩留まりが著しく低下する。容器２０
０内部は外界と遮断されており、清浄度の高い環境で半
導体基板３００の出し入れを行えば容器内部の清浄度は
保たれ、クリーン度ＩＳＯ６の環境に容器２００を放置
しても、容器２００の蓋２２０を開閉しない限り、容器
２００内部の半導体基板３００に付着する異物は微少で
ある。
【００６３】図４および図５は、本実施の形態１の半導
体製造装置４００の内部の概略構造を示したものであ
り、搬送領域４１０には、内部天井にファンフィルタユ
ニット４１２が設けられているとともに、ロードポート
１００ａに配置された容器２００と処理部４２０のロー
ドロック室４２１との間で半導体基板３００の受け渡し
搬送を行う搬送ロボット４１１と、ロードロック室４２
１に半導体基板３００を移す際に半導体基板３００１の
位置（向き）調整を行う図５に示すアライメント部４１
５とが設けられている。
体製造装置４００の内部の概略構造を示したものであ
り、搬送領域４１０には、内部天井にファンフィルタユ
ニット４１２が設けられているとともに、ロードポート
１００ａに配置された容器２００と処理部４２０のロー
ドロック室４２１との間で半導体基板３００の受け渡し
搬送を行う搬送ロボット４１１と、ロードロック室４２
１に半導体基板３００を移す際に半導体基板３００１の
位置（向き）調整を行う図５に示すアライメント部４１
５とが設けられている。
【００６４】さらに、搬送領域４１０のファンフィルタ
ユニット４１２の下部には除電装置であるイオナイザ４
１３が設置されている。イオナイザ４１３は、搬送領域
４１０内で搬送中や待機中の半導体基板３００、さらに
は、ロードポート１００ａに配置された容器２００中の
半導体基板３００を除電するものである。
ユニット４１２の下部には除電装置であるイオナイザ４
１３が設置されている。イオナイザ４１３は、搬送領域
４１０内で搬送中や待機中の半導体基板３００、さらに
は、ロードポート１００ａに配置された容器２００中の
半導体基板３００を除電するものである。
【００６５】すなわち、処理部４２０のロードロック室
４２１に搬入する際もしくは処理部４２０でプロセス処
理が行われた後に容器２００に戻す際の搬送中の半導体
基板３００、あるいはロードロック室４２１、アンロー
ドロック室４２２またはアライメント部４１５で待機中
の半導体基板３００、さらには、ロードポート１００ａ
上の容器２００に収納された半導体基板３００を除電す
るものであり、半導体基板３００にイオン化した気体を
照射し、半導体基板３００の電位を適正に保つものであ
る。
４２１に搬入する際もしくは処理部４２０でプロセス処
理が行われた後に容器２００に戻す際の搬送中の半導体
基板３００、あるいはロードロック室４２１、アンロー
ドロック室４２２またはアライメント部４１５で待機中
の半導体基板３００、さらには、ロードポート１００ａ
上の容器２００に収納された半導体基板３００を除電す
るものであり、半導体基板３００にイオン化した気体を
照射し、半導体基板３００の電位を適正に保つものであ
る。
【００６６】これにより、搬送領域４１０で搬送中のプ
ロセス処理前とプロセス処理後の半導体基板３００や、
ロードロック室４２１、アンロードロック室４２２およ
びアライメント部４１５で待機中の半導体基板３００
や、容器２００に収納された半導体基板３００での帯電
状態を無くすことができ、半導体基板３００の電位を適
正に保つことができる。
ロセス処理前とプロセス処理後の半導体基板３００や、
ロードロック室４２１、アンロードロック室４２２およ
びアライメント部４１５で待機中の半導体基板３００
や、容器２００に収納された半導体基板３００での帯電
状態を無くすことができ、半導体基板３００の電位を適
正に保つことができる。
【００６７】なお、処理部４２０には、半導体基板３０
０へのプロセス処理が行われる処理室４２３が設けら
れ、さらに、この処理室４２３と搬送領域４１０との間
には、がゲートバルブ４２１ａ，４２２ａによって密閉
可能なロードロック室４２１およびアンロードロック室
４２２が設けられている。
０へのプロセス処理が行われる処理室４２３が設けら
れ、さらに、この処理室４２３と搬送領域４１０との間
には、がゲートバルブ４２１ａ，４２２ａによって密閉
可能なロードロック室４２１およびアンロードロック室
４２２が設けられている。
【００６８】また、ロードロック室４２１には、半導体
基板３００を待機させるために支持可能な図４に示す基
板支持台４２１ｂが設けられており、図示はしていない
が、アンロードロック室４２２にもこれと同様に基板支
持台４２１ｂが設けられている。
基板３００を待機させるために支持可能な図４に示す基
板支持台４２１ｂが設けられており、図示はしていない
が、アンロードロック室４２２にもこれと同様に基板支
持台４２１ｂが設けられている。
【００６９】なお、搬送領域４１０に設置された搬送ロ
ボット４１１のロボットハンド４１１ａの半導体基板３
００との接触箇所や、前記基板支持台４２１ｂの半導体
基板３００との接触箇所は、非導電性の樹脂コーティン
グが施されている。
ボット４１１のロボットハンド４１１ａの半導体基板３
００との接触箇所や、前記基板支持台４２１ｂの半導体
基板３００との接触箇所は、非導電性の樹脂コーティン
グが施されている。
【００７０】したがって、ロボットハンド４１１ａや基
板支持台４２１ｂで支持中の半導体基板３００は、その
電位が０Ｖにはならない。
板支持台４２１ｂで支持中の半導体基板３００は、その
電位が０Ｖにはならない。
【００７１】その結果、搬送領域４１０にイオナイザ４
１３を設けて半導体基板３００を除電することは非常に
有効である。
１３を設けて半導体基板３００を除電することは非常に
有効である。
【００７２】次に、本実施の形態１の半導体集積回路装
置の製造方法で用いられる容器２００の構造について説
明する。
置の製造方法で用いられる容器２００の構造について説
明する。
【００７３】図２に示す容器２００は、密閉型で、かつ
容器本体２１０（容器部）と蓋２２０（収納容器蓋部）
とで構成され、さらに、容器本体２１０には４個のラッ
チ溝２１１と、容器本体２１０の開口部２１０ａの周囲
にフランジ２１２とを設けてある。
容器本体２１０（容器部）と蓋２２０（収納容器蓋部）
とで構成され、さらに、容器本体２１０には４個のラッ
チ溝２１１と、容器本体２１０の開口部２１０ａの周囲
にフランジ２１２とを設けてある。
【００７４】また、容器本体２１０は、前面側に、第１
の面が開放されて形成された開口部２１０ａを有し、そ
の容器本体２１０内部には半導体基板３００を水平に収
納する棚である基板保持部２１０ｂがあり、半導体基板
３００を、例えば、２５枚収納可能である。
の面が開放されて形成された開口部２１０ａを有し、そ
の容器本体２１０内部には半導体基板３００を水平に収
納する棚である基板保持部２１０ｂがあり、半導体基板
３００を、例えば、２５枚収納可能である。
【００７５】一方、蓋２２０は、前記第１の面の周辺部
で容器本体２１０に密着することによって密閉状態を維
持するものである。
で容器本体２１０に密着することによって密閉状態を維
持するものである。
【００７６】この蓋２２０には開閉装置１００の回転キ
ー１２１に対応する位置にキー溝２２１（鍵穴部）があ
り、キー溝２２１に開閉装置１００の回転キー１２１を
挿入して９０°回転することで、蓋２２０にある４本の
ラッチ２２２が蓋２２０内部の図示しないカム機構によ
って蓋２２０から出入りする。その際、ラッチ２２２は
容器本体２１０のラッチ溝２１１と対応する位置にあ
り、容器本体２１０に蓋２２０が挿入された状態でラッ
チ２２２を蓋２２０の周囲に出せば、蓋２２０を容器本
体２１０に固定できる。
ー１２１に対応する位置にキー溝２２１（鍵穴部）があ
り、キー溝２２１に開閉装置１００の回転キー１２１を
挿入して９０°回転することで、蓋２２０にある４本の
ラッチ２２２が蓋２２０内部の図示しないカム機構によ
って蓋２２０から出入りする。その際、ラッチ２２２は
容器本体２１０のラッチ溝２１１と対応する位置にあ
り、容器本体２１０に蓋２２０が挿入された状態でラッ
チ２２２を蓋２２０の周囲に出せば、蓋２２０を容器本
体２１０に固定できる。
【００７７】また、容器２００は、外殻部と内部との二
重構造となっており、内部には基板保持部２１０ｂが設
けられている。すなわち、半導体基板３００と接触する
基板保持部２１０ｂが設けられた内部は、半導体基板３
００の電位を０Ｖとするために導電性材料で形成され、
前記外殻部は、非導電性材料で形成されている。
重構造となっており、内部には基板保持部２１０ｂが設
けられている。すなわち、半導体基板３００と接触する
基板保持部２１０ｂが設けられた内部は、半導体基板３
００の電位を０Ｖとするために導電性材料で形成され、
前記外殻部は、非導電性材料で形成されている。
【００７８】なお、容器２００は、必ずしも二重構造と
は限らず、全体が導電性材料で一体に形成された一重構
造のものであってもよい。ただし、少なくとも半導体基
板３００と接触する箇所は、導電性材料によって形成さ
れていることが好ましいが、全体が非導電性材料で形成
されていてもよい。
は限らず、全体が導電性材料で一体に形成された一重構
造のものであってもよい。ただし、少なくとも半導体基
板３００と接触する箇所は、導電性材料によって形成さ
れていることが好ましいが、全体が非導電性材料で形成
されていてもよい。
【００７９】また、導電性材料は、例えば、カーボン粒
子入りの樹脂材などであり、前記樹脂材としては、例え
ば、ポリカーボネイトなどが用いられる。
子入りの樹脂材などであり、前記樹脂材としては、例え
ば、ポリカーボネイトなどが用いられる。
【００８０】なお、前記導電性材料を用いた際の容器２
００の表面抵抗率Ｒ（Ω）は、最適範囲１×１０6 ≦Ｒ
≦１×１０9 、適正範囲１×１０5 ≦Ｒ≦１×１０13、
許容範囲１×１０4 ≦Ｒ≦１×１０14である。
００の表面抵抗率Ｒ（Ω）は、最適範囲１×１０6 ≦Ｒ
≦１×１０9 、適正範囲１×１０5 ≦Ｒ≦１×１０13、
許容範囲１×１０4 ≦Ｒ≦１×１０14である。
【００８１】したがって、容器２００では、この導電性
材料が、ウェハである半導体基板３００と接触する部分
のものである。ただし、容器２００全体が、この導電性
材料によって形成されていてもよい。
材料が、ウェハである半導体基板３００と接触する部分
のものである。ただし、容器２００全体が、この導電性
材料によって形成されていてもよい。
【００８２】次に、本実施の形態１の半導体集積回路装
置の製造方法における容器２００の開閉動作について説
明する。
置の製造方法における容器２００の開閉動作について説
明する。
【００８３】最初に、密閉型の容器２００を開く動作に
ついて説明すると、まず、容器２００（第１の半導体収
納容器）をステージ１１０上に載置する。続いて、ステ
ージ１１０上のスライダ１１１を半導体製造装置４００
側に平行移動し、容器２００の蓋２２０の露出面２２０
ａにあるキー溝２２１（鍵穴部）の中に、開閉装置１０
０のオープナ１２０の被接続面１２０ａの回転キー１２
１（鍵部）を挿入する。
ついて説明すると、まず、容器２００（第１の半導体収
納容器）をステージ１１０上に載置する。続いて、ステ
ージ１１０上のスライダ１１１を半導体製造装置４００
側に平行移動し、容器２００の蓋２２０の露出面２２０
ａにあるキー溝２２１（鍵穴部）の中に、開閉装置１０
０のオープナ１２０の被接続面１２０ａの回転キー１２
１（鍵部）を挿入する。
【００８４】このままの状態で、回転キー１２１を容器
２００に向かって時計回りに９０°回転すると、蓋２２
０のキー溝２２１が回転し、蓋２２０がオープナ１２０
に固定されるとともに、ラッチ２２２が蓋２２０内部の
図示しないカム機構によって蓋２２０内部に収納され
る。
２００に向かって時計回りに９０°回転すると、蓋２２
０のキー溝２２１が回転し、蓋２２０がオープナ１２０
に固定されるとともに、ラッチ２２２が蓋２２０内部の
図示しないカム機構によって蓋２２０内部に収納され
る。
【００８５】その後、オープナ開閉機構１３０を半導体
製造装置４００側に水平動作することで容器２００の蓋
２２０を容器本体２１０から離脱させ、続いて、オープ
ナ昇降機構１３１でオープナ１２０を下降させる。
製造装置４００側に水平動作することで容器２００の蓋
２２０を容器本体２１０から離脱させ、続いて、オープ
ナ昇降機構１３１でオープナ１２０を下降させる。
【００８６】一方、容器２００を閉める動作は、前記開
ける動作と逆に、オープナ昇降機構１３１を上昇してか
ら、オープナ開閉機構１３０をステージ１１０側に水平
動作してオープナ１２０に固定してある蓋２２０を容器
本体２１０に接続する。
ける動作と逆に、オープナ昇降機構１３１を上昇してか
ら、オープナ開閉機構１３０をステージ１１０側に水平
動作してオープナ１２０に固定してある蓋２２０を容器
本体２１０に接続する。
【００８７】その後、回転キー１２１を反時計回りに９
０°回転させると、蓋２２０のラッチ２２２が容器本体
２１０のラッチ溝２１１に収まり、蓋２２０が容器本体
２１０に固定される。
０°回転させると、蓋２２０のラッチ２２２が容器本体
２１０のラッチ溝２１１に収まり、蓋２２０が容器本体
２１０に固定される。
【００８８】最後にスライダ１１１を半導体製造装置４
００とは逆側に平行移動し、容器２００をステージ１１
０から離脱できる状態にする。
００とは逆側に平行移動し、容器２００をステージ１１
０から離脱できる状態にする。
【００８９】次に、図１から図６を用いて、本実施の形
態１の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基
板３００の半導体製造装置４００への搬入出シーケンス
を図６に示すシーケンスフロー図に沿って説明する。
態１の半導体集積回路装置の製造方法における半導体基
板３００の半導体製造装置４００への搬入出シーケンス
を図６に示すシーケンスフロー図に沿って説明する。
【００９０】まず、図６のステップＳ１に示すように、
複数の半導体基板３００（図５に示す（Ａ）の半導体基
板３００）を収納した第１の密閉型の容器２００を半導
体製造装置４００のロードポート１００ａにセットす
る。
複数の半導体基板３００（図５に示す（Ａ）の半導体基
板３００）を収納した第１の密閉型の容器２００を半導
体製造装置４００のロードポート１００ａにセットす
る。
【００９１】なお、容器２００において少なくとも基板
保持部２１０ｂなどの半導体基板３００との接触箇所が
導電性材料によって形成されていることにより、容器２
００に収納された半導体基板３００は容器２００を介し
て開閉装置１００にアース接続され、したがって、ロー
ドポート１００ａ上での容器２００内の半導体基板３０
０の電位は、ほぼ０Ｖとなる。
保持部２１０ｂなどの半導体基板３００との接触箇所が
導電性材料によって形成されていることにより、容器２
００に収納された半導体基板３００は容器２００を介し
て開閉装置１００にアース接続され、したがって、ロー
ドポート１００ａ上での容器２００内の半導体基板３０
０の電位は、ほぼ０Ｖとなる。
【００９２】すなわち、複数の半導体基板３００が接地
された状態で密閉状態の容器２００に収納されている。
された状態で密閉状態の容器２００に収納されている。
【００９３】続いて、半導体製造装置４００に設置され
た開閉装置１００のオープナ昇降機構１３１のオープナ
１２０によって容器２００の蓋２２０を開ける。
た開閉装置１００のオープナ昇降機構１３１のオープナ
１２０によって容器２００の蓋２２０を開ける。
【００９４】ここで、搬送領域４１０を有する局所清浄
室４３０には、第１の密閉型の容器２００の第１の面と
接触または接近対向する開閉装置１００の表面板１５０
の表面１５０ａ（正面表面部）があり、この表面１５０
ａには、開口部１５０ｂ（連結用開口部）が形成されて
いる。
室４３０には、第１の密閉型の容器２００の第１の面と
接触または接近対向する開閉装置１００の表面板１５０
の表面１５０ａ（正面表面部）があり、この表面１５０
ａには、開口部１５０ｂ（連結用開口部）が形成されて
いる。
【００９５】さらに、オープナ１２０は、この開口部１
５０ａを覆うように設けられており、連結時に突出した
状態でキー溝２２１と結合する回転キー１２１（鍵部）
を有している。
５０ａを覆うように設けられており、連結時に突出した
状態でキー溝２２１と結合する回転キー１２１（鍵部）
を有している。
【００９６】そこで、オープナ１２０の回転キー１２１
（鍵部）がフープの蓋２２０のキー溝２２１（鍵穴部）
に挿入された状態で鍵開け動作を実行し、その後、オー
プナ１２０で蓋２２０を保持した状態でオープナ１２０
を局所清浄室４３０に引き込む。
（鍵部）がフープの蓋２２０のキー溝２２１（鍵穴部）
に挿入された状態で鍵開け動作を実行し、その後、オー
プナ１２０で蓋２２０を保持した状態でオープナ１２０
を局所清浄室４３０に引き込む。
【００９７】これにより、容器２００の内部空間を、清
浄度を保持した状態で半導体製造装置４００（第１のウ
ェハ処理装置）の搬送領域４１０が設けられた局所清浄
室４３０と連結する。
浄度を保持した状態で半導体製造装置４００（第１のウ
ェハ処理装置）の搬送領域４１０が設けられた局所清浄
室４３０と連結する。
【００９８】その後、前記連結状態で、容器２００に収
納された半導体基板３００を局所清浄室４３０の搬送領
域４１０に設けられた搬送機構である搬送ロボット４１
１によって移送する。
納された半導体基板３００を局所清浄室４３０の搬送領
域４１０に設けられた搬送機構である搬送ロボット４１
１によって移送する。
【００９９】ここでは、搬送領域４１０に設置された搬
送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａ（接触部）
によって半導体基板３００を掴んで（把持して）容器２
００から取り出し、半導体基板３００を搬送領域４１０
に取り込んだ後、搬送ロボット４１１によって半導体基
板３００（図５に示す（Ｂ）の半導体基板３００）をア
ライメント部４１５に移す（ステップＳ２）。
送ロボット４１１のロボットハンド４１１ａ（接触部）
によって半導体基板３００を掴んで（把持して）容器２
００から取り出し、半導体基板３００を搬送領域４１０
に取り込んだ後、搬送ロボット４１１によって半導体基
板３００（図５に示す（Ｂ）の半導体基板３００）をア
ライメント部４１５に移す（ステップＳ２）。
【０１００】なお、ここでの容器２００は、フロント開
閉式のＦＯＵＰであるため、オープナ１２０によって容
器２００の開口面に対して蓋２２０を垂直に移動させて
蓋２２０の開閉を行う。
閉式のＦＯＵＰであるため、オープナ１２０によって容
器２００の開口面に対して蓋２２０を垂直に移動させて
蓋２２０の開閉を行う。
【０１０１】また、搬送ロボット４１１のロボットハン
ド４１１ａの半導体基板３００との接触箇所には、非導
電性の樹脂コーティングが施されているため、半導体基
板３００は、ロボットハンド４１１ａによって支持され
ている間はアース接続状態にはならない。すなわち、半
導体基板３００は、搬送ロボット４１１によって搬送
中、その電位は０Ｖにはならない。
ド４１１ａの半導体基板３００との接触箇所には、非導
電性の樹脂コーティングが施されているため、半導体基
板３００は、ロボットハンド４１１ａによって支持され
ている間はアース接続状態にはならない。すなわち、半
導体基板３００は、搬送ロボット４１１によって搬送
中、その電位は０Ｖにはならない。
【０１０２】しかしながら、本実施の形態１の半導体製
造装置４００では、搬送領域４１０にイオナイザ４１３
が設けられているため、搬送領域４１０での半導体基板
３００の帯電をイオナイザ４１３による除電で防止する
ことができるとともに、搬送ロボット４１１のロボット
ハンド４１１ａも除電できる。
造装置４００では、搬送領域４１０にイオナイザ４１３
が設けられているため、搬送領域４１０での半導体基板
３００の帯電をイオナイザ４１３による除電で防止する
ことができるとともに、搬送ロボット４１１のロボット
ハンド４１１ａも除電できる。
【０１０３】その後、アライメント部４１５で、半導体
基板３００のアライメント（向きや位置の調整）を行
う。なお、アライメント部４１５も搬送領域４１０と連
結しているため、イオナイザ４１３による除電を行うこ
とができる。
基板３００のアライメント（向きや位置の調整）を行
う。なお、アライメント部４１５も搬送領域４１０と連
結しているため、イオナイザ４１３による除電を行うこ
とができる。
【０１０４】アライメント後、搬送ロボット４１１によ
ってアライメント部４１５から半導体基板３００を取り
出して、搬送ロボット４１１によって半導体基板３００
をロードロック室４２１に移し（ステップＳ３）、ロー
ドロック室４２１の図４に示す基板支持台４２１ｂによ
って半導体基板３００（図５に示す（Ｃ）の半導体基板
３００）を支持する。
ってアライメント部４１５から半導体基板３００を取り
出して、搬送ロボット４１１によって半導体基板３００
をロードロック室４２１に移し（ステップＳ３）、ロー
ドロック室４２１の図４に示す基板支持台４２１ｂによ
って半導体基板３００（図５に示す（Ｃ）の半導体基板
３００）を支持する。
【０１０５】なお、基板支持台４２１ｂの半導体基板３
００との接触箇所には非導電性の樹脂コーティングが施
されているため、前記した搬送ロボット４１１による搬
送中と同様に、ロードロック室４２１では、半導体基板
３００は、その電位が０Ｖにはならないが、ロードロッ
ク室４２１も搬送領域４１０と連結しているため、イオ
ナイザ４１３による除電が行われる。その際、基板支持
台４２１ｂも除電することができる。
００との接触箇所には非導電性の樹脂コーティングが施
されているため、前記した搬送ロボット４１１による搬
送中と同様に、ロードロック室４２１では、半導体基板
３００は、その電位が０Ｖにはならないが、ロードロッ
ク室４２１も搬送領域４１０と連結しているため、イオ
ナイザ４１３による除電が行われる。その際、基板支持
台４２１ｂも除電することができる。
【０１０６】したがって、ロードロック室４２１におい
ても半導体基板３００の帯電をイオナイザ４１３による
除電で防止することができる。
ても半導体基板３００の帯電をイオナイザ４１３による
除電で防止することができる。
【０１０７】その後、ロードロック室４２１のゲートバ
ルブ４２１ａを閉じて、ロードロック室４２１の減圧を
行い、ロードロック室４２１の圧力を処理部４２０（第
１のウェハ処理部）内の処理室４２３の圧力と同じにす
る。
ルブ４２１ａを閉じて、ロードロック室４２１の減圧を
行い、ロードロック室４２１の圧力を処理部４２０（第
１のウェハ処理部）内の処理室４２３の圧力と同じにす
る。
【０１０８】ロードロック室４２１の減圧後、処理室４
２３側のゲートバルブ４２１ａを開けて、処理室４２３
に設けられた図示しないロボットによって半導体基板３
００を処理室４２３に移す（ステップＳ４）。
２３側のゲートバルブ４２１ａを開けて、処理室４２３
に設けられた図示しないロボットによって半導体基板３
００を処理室４２３に移す（ステップＳ４）。
【０１０９】その後、処理室４２３で半導体基板３００
（図５に示す（Ｄ）の半導体基板３００）に所望のプロ
セス処理（第１の処理）を行う。
（図５に示す（Ｄ）の半導体基板３００）に所望のプロ
セス処理（第１の処理）を行う。
【０１１０】プロセス処理後、減圧されたアンロードロ
ック室４２２に処理室４２３の前記ロボットによって半
導体基板３００を移す（ステップＳ５）。
ック室４２２に処理室４２３の前記ロボットによって半
導体基板３００を移す（ステップＳ５）。
【０１１１】なお、アンロードロック室４２２におい
て、ロードロック室４２１の場合と同様に、半導体基板
３００（図５に示す（Ｅ）の半導体基板３００）はその
電位が０Ｖにはならないが、搬送領域４１０とアンロー
ドロック室４２２とが連結しているため、イオナイザ４
１３による除電を行うことができる。
て、ロードロック室４２１の場合と同様に、半導体基板
３００（図５に示す（Ｅ）の半導体基板３００）はその
電位が０Ｖにはならないが、搬送領域４１０とアンロー
ドロック室４２２とが連結しているため、イオナイザ４
１３による除電を行うことができる。
【０１１２】その後、アンロードロック室４２２のゲー
トバルブ４２２ａを閉じて、アンロードロック室４２２
の圧力を常圧に加圧し、加圧後、搬送領域４１０側のゲ
ートバルブ４２２ａを開けて、搬送領域４１０の搬送ロ
ボット４１１によってプロセス処理済みの半導体基板３
００をアンロードロック室４２２から搬送領域４１０に
移す（ステップＳ６）。
トバルブ４２２ａを閉じて、アンロードロック室４２２
の圧力を常圧に加圧し、加圧後、搬送領域４１０側のゲ
ートバルブ４２２ａを開けて、搬送領域４１０の搬送ロ
ボット４１１によってプロセス処理済みの半導体基板３
００をアンロードロック室４２２から搬送領域４１０に
移す（ステップＳ６）。
【０１１３】さらに、この半導体基板３００をロードポ
ート１００ａ上の容器２００（図５中、下側の容器２０
０のこと）に移し、これによって、プロセス処理済みの
半導体基板３００を、順次、元の容器２００に収納する
（ステップＳ７）。
ート１００ａ上の容器２００（図５中、下側の容器２０
０のこと）に移し、これによって、プロセス処理済みの
半導体基板３００を、順次、元の容器２００に収納する
（ステップＳ７）。
【０１１４】なお、搬送領域４１０のイオナイザ４１３
によって、ロボットハンド４１１ａによる搬送中のプロ
セス処理が行われた半導体基板３００や、容器２００に
収納した半導体基板３００（図５に示す（Ａ）の半導体
基板３００）の除電を行うことができる。
によって、ロボットハンド４１１ａによる搬送中のプロ
セス処理が行われた半導体基板３００や、容器２００に
収納した半導体基板３００（図５に示す（Ａ）の半導体
基板３００）の除電を行うことができる。
【０１１５】つまり、容器２００に半導体基板３００を
接地した状態で収納する。
接地した状態で収納する。
【０１１６】図５に示す下側の容器２００内の全ての半
導体基板３００のプロセス処理を終了し、これらを元の
容器２００に収納した後、図１（ｂ）に示すオープナ開
閉機構１３０のオープナ１２０によって容器２００の蓋
２２０を閉め、容器２００（第１の半導体収納容器）と
局所清浄室４３０の連結状態を解除する。
導体基板３００のプロセス処理を終了し、これらを元の
容器２００に収納した後、図１（ｂ）に示すオープナ開
閉機構１３０のオープナ１２０によって容器２００の蓋
２２０を閉め、容器２００（第１の半導体収納容器）と
局所清浄室４３０の連結状態を解除する。
【０１１７】これによって、容器２００が密閉状態に戻
る。
る。
【０１１８】この容器２００を次工程の半導体製造装置
４００の所定箇所に搬送する（ステップＳ８）。
４００の所定箇所に搬送する（ステップＳ８）。
【０１１９】なお、半導体製造装置４００の処理部４２
０での半導体基板３００へのプロセス処理は、枚葉処理
で行われる。
０での半導体基板３００へのプロセス処理は、枚葉処理
で行われる。
【０１２０】さらに、ステップＳ１からステップＳ８の
半導体基板３００の搬送シーケンスは、所定の１枚の半
導体基板３００に対してのシーケンスであるが、例え
ば、前記所定の１枚の半導体基板３００が処理部４２０
で処理されている間（図５に示す（Ｄ）の半導体基板３
００）、その他のプロセス処理前の半導体基板３００
は、順次、ロードロック室４２１（図５に示す（Ｃ）の
半導体基板３００）、アライメント部４１５（図５に示
す（Ｂ）の半導体基板３００）、容器２００（図５に示
す（Ａ）の半導体基板３００）で待機している。
半導体基板３００の搬送シーケンスは、所定の１枚の半
導体基板３００に対してのシーケンスであるが、例え
ば、前記所定の１枚の半導体基板３００が処理部４２０
で処理されている間（図５に示す（Ｄ）の半導体基板３
００）、その他のプロセス処理前の半導体基板３００
は、順次、ロードロック室４２１（図５に示す（Ｃ）の
半導体基板３００）、アライメント部４１５（図５に示
す（Ｂ）の半導体基板３００）、容器２００（図５に示
す（Ａ）の半導体基板３００）で待機している。
【０１２１】次に、図７および図８に示す本実施の形態
１の変形例について説明する。
１の変形例について説明する。
【０１２２】図７は、変形例の半導体製造装置４００を
示したものであり、搬送領域４１０と処理部４２０とが
図５に示すロードロック室４２１やアンロードロック室
４２２を介さずに直接連結された構造であり、この場合
であっても、搬送領域４１０にイオナイザ４１３を設け
ることで、プロセス処理前およびプロセス処理後の半導
体基板３００（図２参照）の除電を行うことができる。
示したものであり、搬送領域４１０と処理部４２０とが
図５に示すロードロック室４２１やアンロードロック室
４２２を介さずに直接連結された構造であり、この場合
であっても、搬送領域４１０にイオナイザ４１３を設け
ることで、プロセス処理前およびプロセス処理後の半導
体基板３００（図２参照）の除電を行うことができる。
【０１２３】さらに、図７に示す半導体製造装置４００
では、搬送領域４１０のファンフィルタユニット４１２
にケミカルフィルタ４１４が設けられており、これによ
って、半導体基板３００の化学汚染（ケミカルコンタミ
ネーション）を避けることができる。
では、搬送領域４１０のファンフィルタユニット４１２
にケミカルフィルタ４１４が設けられており、これによ
って、半導体基板３００の化学汚染（ケミカルコンタミ
ネーション）を避けることができる。
【０１２４】また、図８は、変形例の半導体収納容器５
００（以降、容器５００と称す）を用いた際の開閉装置
１００の動作を示したものである。
００（以降、容器５００と称す）を用いた際の開閉装置
１００の動作を示したものである。
【０１２５】すなわち、容器５００は、フロント開閉式
ではなく、ボトム開閉式（底開き）のものであり、容器
本体５１０と蓋５２０と基板保持部５１０ｂとから構成
され、これを開閉装置１００のロードポート１００ａに
セットする際には、蓋５２０を下方に向けてセットす
る。
ではなく、ボトム開閉式（底開き）のものであり、容器
本体５１０と蓋５２０と基板保持部５１０ｂとから構成
され、これを開閉装置１００のロードポート１００ａに
セットする際には、蓋５２０を下方に向けてセットす
る。
【０１２６】したがって、図１に示す開閉装置１００の
オープナ開閉機構１３０によって容器５００の開閉を行
う際には、オープナ昇降機構１３１によって図８に示す
エレベータ１３１ａを下降または上昇させ、容器５００
から基板保持部５１０ｂを露出させ、これによって、基
板保持部５１０ｂの開口部５１０ａを介して半導体基板
３００の搬入出を行うことになる。
オープナ開閉機構１３０によって容器５００の開閉を行
う際には、オープナ昇降機構１３１によって図８に示す
エレベータ１３１ａを下降または上昇させ、容器５００
から基板保持部５１０ｂを露出させ、これによって、基
板保持部５１０ｂの開口部５１０ａを介して半導体基板
３００の搬入出を行うことになる。
【０１２７】これにより、ボトム開閉式の容器５００で
あっても、フロント開閉式の容器２００と同様に適用で
きる。
あっても、フロント開閉式の容器２００と同様に適用で
きる。
【０１２８】すなわち、本実施の形態１の半導体集積回
路装置の製造方法では、半導体収納容器は、密閉式のも
のであれば、フロント開閉式であっても、また、ボトム
開閉式であってもよい。
路装置の製造方法では、半導体収納容器は、密閉式のも
のであれば、フロント開閉式であっても、また、ボトム
開閉式であってもよい。
【０１２９】本実施の形態１の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０１３０】すなわち、半導体製造装置４００のロード
ポート１００ａと処理部４２０との間の搬送領域４１０
において、処理部４２０でプロセス処理された処理済み
の半導体基板３００をイオナイザ４１３によって除電し
てロードポート１００ａ上の容器２００に収納すること
により、半導体基板３００での帯電を無くすことができ
る。
ポート１００ａと処理部４２０との間の搬送領域４１０
において、処理部４２０でプロセス処理された処理済み
の半導体基板３００をイオナイザ４１３によって除電し
てロードポート１００ａ上の容器２００に収納すること
により、半導体基板３００での帯電を無くすことができ
る。
【０１３１】したがって、半導体基板３００への付着異
物を減らすことができ、半導体基板３００の歩留りを向
上できる。
物を減らすことができ、半導体基板３００の歩留りを向
上できる。
【０１３２】また、半導体基板３００と接触する部位
（箇所）、例えば、ロボットハンド４１１ａやロードロ
ック室４２１の基板支持台４２１ｂなどの除電も行える
ため、半導体基板３００と半導体基接触箇所との電位差
を無くすことができる。
（箇所）、例えば、ロボットハンド４１１ａやロードロ
ック室４２１の基板支持台４２１ｂなどの除電も行える
ため、半導体基板３００と半導体基接触箇所との電位差
を無くすことができる。
【０１３３】したがって、帯電による半導体基板３００
のハンドリングミスや半導体基板３００の搬送ミスなど
のトラブルを低減できる。
のハンドリングミスや半導体基板３００の搬送ミスなど
のトラブルを低減できる。
【０１３４】その結果、半導体基板３００の搬送の確実
性を向上できるとともに、半導体製造装置４００の稼働
率を向上できる。
性を向上できるとともに、半導体製造装置４００の稼働
率を向上できる。
【０１３５】また、半導体基板３００での帯電を無くす
ことができるため、放電による半導体基板３００へのダ
メージを低減でき、その結果、半導体基板３００の歩留
りを向上できる。
ことができるため、放電による半導体基板３００へのダ
メージを低減でき、その結果、半導体基板３００の歩留
りを向上できる。
【０１３６】次に、容器２００における蓋２２０の開閉
速度について説明する。
速度について説明する。
【０１３７】半導体基板３００（半導体ウェハ）を容器
２００から半導体製造装置４００へ、または半導体製造
装置４００から容器２００へ移動する際、開閉装置１０
０を介して、半導体製造装置４００と容器２００とを接
続してから、容器２００の蓋２２０を開閉することで、
半導体製造装置４００内部の清浄な領域と容器２００内
部の清浄な領域とを直接接続する。
２００から半導体製造装置４００へ、または半導体製造
装置４００から容器２００へ移動する際、開閉装置１０
０を介して、半導体製造装置４００と容器２００とを接
続してから、容器２００の蓋２２０を開閉することで、
半導体製造装置４００内部の清浄な領域と容器２００内
部の清浄な領域とを直接接続する。
【０１３８】その際、半導体製造装置４００の内部の圧
力は外界に比べて僅かに陽圧に設定されているので、容
器２００を開閉する瞬間以外は容器２００のフランジ２
１１と開閉装置１００の表面板１５０との間隙から異物
が流入する可能性は低い。
力は外界に比べて僅かに陽圧に設定されているので、容
器２００を開閉する瞬間以外は容器２００のフランジ２
１１と開閉装置１００の表面板１５０との間隙から異物
が流入する可能性は低い。
【０１３９】しかし、開閉装置１００のオープナ開閉機
構１３０の動作速度が大きいと、容器本体２１０から蓋
２２０を引き抜く瞬間、容器２００内部が負圧になり、
容器２００のフランジ２１１と開閉装置１００の表面板
１５０との間隙から容器２００内部に異物が流入し半導
体基板３００に付着してしまう。
構１３０の動作速度が大きいと、容器本体２１０から蓋
２２０を引き抜く瞬間、容器２００内部が負圧になり、
容器２００のフランジ２１１と開閉装置１００の表面板
１５０との間隙から容器２００内部に異物が流入し半導
体基板３００に付着してしまう。
【０１４０】なお、蓋２２０の開閉速度に関しては、本
発明者らによるＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＪＰ００／０５
０１２（国際出願日２０００．７．２７）に詳しく述べ
られている。
発明者らによるＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＪＰ００／０５
０１２（国際出願日２０００．７．２７）に詳しく述べ
られている。
【０１４１】（実施の形態２）図９は本発明の実施の形
態２の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導
体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と表面
板の表面との段差の一例を示す部分平面図、図１０は本
発明の実施の形態２の半導体収納容器開閉装置における
オープナの被接続面と半導体収納容器の露出面とのオー
バーラップ量の一例を示す部分平面図、図１１は図１０
に示す半導体製造装置におけるオープナの支持状態の一
例を示す部分側面図である。
態２の半導体集積回路装置の製造方法で用いられる半導
体収納容器開閉装置におけるオープナの被接続面と表面
板の表面との段差の一例を示す部分平面図、図１０は本
発明の実施の形態２の半導体収納容器開閉装置における
オープナの被接続面と半導体収納容器の露出面とのオー
バーラップ量の一例を示す部分平面図、図１１は図１０
に示す半導体製造装置におけるオープナの支持状態の一
例を示す部分側面図である。
【０１４２】本実施の形態２の半導体集積回路装置の製
造方法は、実施の形態１で説明した密閉式で、かつフロ
ント開閉式の図２に示す容器２００すなわちＦＯＵＰを
用いて直径３００ｍｍの半導体基板３００を半導体製造
装置４００に搬入出する際に、半導体製造装置４００に
設置された開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面
１２０ａと、容器２００の蓋２２０との位置関係を説明
するものである。
造方法は、実施の形態１で説明した密閉式で、かつフロ
ント開閉式の図２に示す容器２００すなわちＦＯＵＰを
用いて直径３００ｍｍの半導体基板３００を半導体製造
装置４００に搬入出する際に、半導体製造装置４００に
設置された開閉装置１００のオープナ１２０の被接続面
１２０ａと、容器２００の蓋２２０との位置関係を説明
するものである。
【０１４３】まず、容器２００については、図９に示す
容器長さＬ（容器長さＬは、容器２００のフェイシャル
基準面２３０から容器前面側の容器本体２１０の端部ま
での長さ、もしくはフェイシャル基準面２３０から蓋２
２０の露出面２２０ａまでの長さ）は、ＳＥＭＩ規格の
Ｅ４７.1およびＥ６２に、容器長さＬが（ｙ３３）とし
てｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されている。
すなわち、容器長さＬ＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍであ
る。
容器長さＬ（容器長さＬは、容器２００のフェイシャル
基準面２３０から容器前面側の容器本体２１０の端部ま
での長さ、もしくはフェイシャル基準面２３０から蓋２
２０の露出面２２０ａまでの長さ）は、ＳＥＭＩ規格の
Ｅ４７.1およびＥ６２に、容器長さＬが（ｙ３３）とし
てｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定されている。
すなわち、容器長さＬ＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍであ
る。
【０１４４】さらに、同規格により、ロードポート１０
０ａ側についても、ｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと
規定されている。
０ａ側についても、ｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと
規定されている。
【０１４５】また、開閉装置１００のオープナ１２０の
被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段
差Ｄについては、ＳＥＭＩ規格のＥ６２に、その公差
（ｙ３４）が、ｙ３４＝±0.２５ｍｍとして規定されて
いる。
被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段
差Ｄについては、ＳＥＭＩ規格のＥ６２に、その公差
（ｙ３４）が、ｙ３４＝±0.２５ｍｍとして規定されて
いる。
【０１４６】そこで、本実施の形態２では、オープナ１
２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａ
との段差Ｄ、すなわち、オープナ１２０の被接続面１２
０ａの表面板１５０の表面１５０ａからの突出量を0.２
５ｍｍより大きくする。つまり、オープナ１２０の被接
続面１２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより0.２５
ｍｍを越えて突出するようにする。
２０の被接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａ
との段差Ｄ、すなわち、オープナ１２０の被接続面１２
０ａの表面板１５０の表面１５０ａからの突出量を0.２
５ｍｍより大きくする。つまり、オープナ１２０の被接
続面１２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより0.２５
ｍｍを越えて突出するようにする。
【０１４７】さらに、オープナ１２０の被接続面１２０
ａが表面板１５０の表面１５０ａより0.３ｍｍを越えて
突出するようにする（前記突出量を0.３ｍｍより大きく
する）。
ａが表面板１５０の表面１５０ａより0.３ｍｍを越えて
突出するようにする（前記突出量を0.３ｍｍより大きく
する）。
【０１４８】なお、前記突出量は、フープ（容器２０
０）がないとした場合のオープナ１２０の（サーボ制御
などによる）仮想的停止位置によるものである。
０）がないとした場合のオープナ１２０の（サーボ制御
などによる）仮想的停止位置によるものである。
【０１４９】そこで、前記突出量は、最適には、1.０ｍ
ｍ、適正範囲は、0.７ｍｍ＜突出量、好ましくは、０＜
突出量＜１０ｍｍである。
ｍ、適正範囲は、0.７ｍｍ＜突出量、好ましくは、０＜
突出量＜１０ｍｍである。
【０１５０】前記突出量を最適値である1.０ｍｍとする
ことにより、容器長さＬが、最小値の１６５ｍｍであっ
たとしても、確実に開閉可能な開閉装置１００を実現で
きる。
ことにより、容器長さＬが、最小値の１６５ｍｍであっ
たとしても、確実に開閉可能な開閉装置１００を実現で
きる。
【０１５１】なお、オープナ１２０の被接続面１２０ａ
の表面板１５０の表面１５０ａからの突出量について
は、ロードポート１００ａに容器２００をセットした際
に、容器２００の半導体製造装置４００側に向かう平行
移動により、図１１に示すように片持ちばりのオープナ
支持部１３０ａで支持されたオープナ１２０が装置内側
に後退するものであるとともに、オープナ１２０の水平
動作を保証できる範囲であればよい。
の表面板１５０の表面１５０ａからの突出量について
は、ロードポート１００ａに容器２００をセットした際
に、容器２００の半導体製造装置４００側に向かう平行
移動により、図１１に示すように片持ちばりのオープナ
支持部１３０ａで支持されたオープナ１２０が装置内側
に後退するものであるとともに、オープナ１２０の水平
動作を保証できる範囲であればよい。
【０１５２】本実施の形態２の半導体集積回路装置の製
造方法では、このように段差Ｄ（前記突出量）が設定さ
れた状態で、半導体基板３００の搬入出を行う。
造方法では、このように段差Ｄ（前記突出量）が設定さ
れた状態で、半導体基板３００の搬入出を行う。
【０１５３】まず、図１に示す開閉装置１００のステー
ジ１１０上に複数の半導体基板３００を収納した密閉状
態の容器２００（第１の半導体収納容器）を配置する。
ジ１１０上に複数の半導体基板３００を収納した密閉状
態の容器２００（第１の半導体収納容器）を配置する。
【０１５４】その際、容器２００の第１の面である前面
を、オープナ１２０の回転キー１２１が容器２００の蓋
２２０のキー溝２２１に挿入されるように局所清浄室４
３０の開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａと
接触あるいは接近対向させる。
を、オープナ１２０の回転キー１２１が容器２００の蓋
２２０のキー溝２２１に挿入されるように局所清浄室４
３０の開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａと
接触あるいは接近対向させる。
【０１５５】その後、オープナ１２０の被接続面１２０
ａと蓋２２０の露出面２２０ａとを密着させてオープナ
１２０によって蓋２２０を掴む（把持する）。
ａと蓋２２０の露出面２２０ａとを密着させてオープナ
１２０によって蓋２２０を掴む（把持する）。
【０１５６】その際、オープナ１２０の被接続面１２０
ａ（正面部）を、容器２００がないとした場合に表面板
１５０の表面１５０ａよりも0.２５ｍｍを越えた突出長
さだけ突出させるか、または突出しているように保持し
ておく。
ａ（正面部）を、容器２００がないとした場合に表面板
１５０の表面１５０ａよりも0.２５ｍｍを越えた突出長
さだけ突出させるか、または突出しているように保持し
ておく。
【０１５７】これにより、オープナ１２０の被接続面１
２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより突出している
ため、確実にオープナ１２０の被接続面１２０ａと容器
２００の蓋２２０の露出面２２０ａとを密着させること
ができる。
２０ａが表面板１５０の表面１５０ａより突出している
ため、確実にオープナ１２０の被接続面１２０ａと容器
２００の蓋２２０の露出面２２０ａとを密着させること
ができる。
【０１５８】その後、オープナ１２０によって容器２０
０の開口面に対して蓋２２０を垂直に移動させて蓋２２
０を開け、これにより、容器２００の開口部２１０ａと
開閉装置１００の表面板１５０の開口部１５０ｂとを接
続する。
０の開口面に対して蓋２２０を垂直に移動させて蓋２２
０を開け、これにより、容器２００の開口部２１０ａと
開閉装置１００の表面板１５０の開口部１５０ｂとを接
続する。
【０１５９】続いて、容器２００と半導体製造装置４０
０との間で、容器２００の開口部２１０ａと開閉装置１
００の開口部１５０ｂとを介して半導体基板３００の容
器２００への搬入出を行う。
０との間で、容器２００の開口部２１０ａと開閉装置１
００の開口部１５０ｂとを介して半導体基板３００の容
器２００への搬入出を行う。
【０１６０】また、容器２００の蓋２２０の開閉時にオ
ープナ１２０と蓋２２０とを確実に密着させるために、
図１０に示すオーバーラップ量Ｔを０＜Ｔ≦1.２５ｍｍ
となるようにする。
ープナ１２０と蓋２２０とを確実に密着させるために、
図１０に示すオーバーラップ量Ｔを０＜Ｔ≦1.２５ｍｍ
となるようにする。
【０１６１】なお、オーバーラップ量Ｔは、容器２００
の容器長さＬと、オープナ１２０の表面板 １５０の表
面１５０ａからの突出量（段差Ｄ）との重複量である。
の容器長さＬと、オープナ１２０の表面板 １５０の表
面１５０ａからの突出量（段差Ｄ）との重複量である。
【０１６２】すなわち、前記ＳＥＭＩ規格により、容器
長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5
ｍｍと規定されており、また、ロードポート１００ａ側
についても、ドッキング時のフェイシャル基準面２３０
から表面板１５０の表面１５０ａまでの距離Ｐが（ｙ３
３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定され
ている。さらに、開閉装置１００のオープナ１２０の被
接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差
Ｄについては、前記ＳＥＭＩ規格に、その公差（ｙ３
４）が、ｙ３４＝±0.２５ｍｍとして規定されている。
長さＬが（ｙ３３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5
ｍｍと規定されており、また、ロードポート１００ａ側
についても、ドッキング時のフェイシャル基準面２３０
から表面板１５０の表面１５０ａまでの距離Ｐが（ｙ３
３）としてｙ３３＝１６５.5ｍｍ±０.5ｍｍと規定され
ている。さらに、開閉装置１００のオープナ１２０の被
接続面１２０ａと表面板１５０の表面１５０ａとの段差
Ｄについては、前記ＳＥＭＩ規格に、その公差（ｙ３
４）が、ｙ３４＝±0.２５ｍｍとして規定されている。
【０１６３】したがって、容器長さＬと距離Ｐと段差Ｄ
のそれぞれの値の公差の和が最大を取る場合が、オーバ
ーラップ量Ｔの最大となり、Ｔ＝＋1.２５ｍｍである。
また、それぞれの値の公差の和が最小を取る場合が、オ
ーバーラップ量Ｔの最小となり、Ｔ＝−1.２５ｍｍであ
る（この場合、オープナ１２０と蓋２２０との間に1.２
５ｍｍの隙間ができることになる）。
のそれぞれの値の公差の和が最大を取る場合が、オーバ
ーラップ量Ｔの最大となり、Ｔ＝＋1.２５ｍｍである。
また、それぞれの値の公差の和が最小を取る場合が、オ
ーバーラップ量Ｔの最小となり、Ｔ＝−1.２５ｍｍであ
る（この場合、オープナ１２０と蓋２２０との間に1.２
５ｍｍの隙間ができることになる）。
【０１６４】そこで、本実施の形態２の半導体集積回路
装置の製造方法では、オープナ１２０と蓋２２０との密
着が必要となるため、前記オーバーラップ量Ｔは、少な
くともＴ＞０となり、オーバーラップ量Ｔの許容範囲と
しては、０＜Ｔ≦1.２５ｍｍとなる。
装置の製造方法では、オープナ１２０と蓋２２０との密
着が必要となるため、前記オーバーラップ量Ｔは、少な
くともＴ＞０となり、オーバーラップ量Ｔの許容範囲と
しては、０＜Ｔ≦1.２５ｍｍとなる。
【０１６５】したがって、オーバーラップ量Ｔ（ｍｍ）
については、半導体製造ラインに流れている全ての容器
２００に対してＴ＞０であることが必要となり、望まし
い範囲としては、半導体製造ラインに流れている全ての
容器２００に対して０＜Ｔ≦1.２５である。
については、半導体製造ラインに流れている全ての容器
２００に対してＴ＞０であることが必要となり、望まし
い範囲としては、半導体製造ラインに流れている全ての
容器２００に対して０＜Ｔ≦1.２５である。
【０１６６】実際には、半導体製造ラインに流れている
全ての容器２００が、Ｔ＞０の条件を満たすのは困難で
あるため、オープナ１２０の被接続面１２０ａと蓋２２
０の露出面２２０ａとが密着しないものの割合が、半導
体製造ラインに流れている全ての容器２００の１％以下
であることが望ましい。
全ての容器２００が、Ｔ＞０の条件を満たすのは困難で
あるため、オープナ１２０の被接続面１２０ａと蓋２２
０の露出面２２０ａとが密着しないものの割合が、半導
体製造ラインに流れている全ての容器２００の１％以下
であることが望ましい。
【０１６７】ただし、オープナ１２０と蓋２２０とが密
着しないものの割合は、半導体製造ラインに流れている
全ての容器２００の１％を越えていてもよい。
着しないものの割合は、半導体製造ラインに流れている
全ての容器２００の１％を越えていてもよい。
【０１６８】本実施の形態２の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０１６９】すなわち、半導体製造装置４００に設置さ
れた開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａより
オープナ１２０の被接続面１２０ａを突出させることに
より、容器２００の蓋２２０の開閉を行う際に、オープ
ナ１２０の被接続面１２０ａと容器２００の蓋２２０と
を確実に密着させることができる。
れた開閉装置１００の表面板１５０の表面１５０ａより
オープナ１２０の被接続面１２０ａを突出させることに
より、容器２００の蓋２２０の開閉を行う際に、オープ
ナ１２０の被接続面１２０ａと容器２００の蓋２２０と
を確実に密着させることができる。
【０１７０】したがって、容器２００の破損を減らすこ
とができ、また、発塵を防止できるとともに、容器２０
０の耐用期間を延ばすことができる。
とができ、また、発塵を防止できるとともに、容器２０
０の耐用期間を延ばすことができる。
【０１７１】さらに、オープナ１２０の被接続面１２０
ａと容器２００の蓋２２０とを密着させることができる
ため、蓋２２０の開閉を確実に行うことができ、これに
より、半導体基板３００への異物付着を防止できる。
ａと容器２００の蓋２２０とを密着させることができる
ため、蓋２２０の開閉を確実に行うことができ、これに
より、半導体基板３００への異物付着を防止できる。
【０１７２】また、実施の形態１のイオナイザ４１３を
設置した際には、半導体基板３００の搬送の確実性を向
上できるため、これと合わせて容器２００の蓋２２０の
開閉の確実性を向上できることにより、半導体製造ライ
ン全体の半導体製造装置４００の稼働率の低下を抑制で
きる。
設置した際には、半導体基板３００の搬送の確実性を向
上できるため、これと合わせて容器２００の蓋２２０の
開閉の確実性を向上できることにより、半導体製造ライ
ン全体の半導体製造装置４００の稼働率の低下を抑制で
きる。
【０１７３】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態１，２に基づき具体的に説明したが、本
発明は前記発明の実施の形態１，２に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であ
ることは言うまでもない。
明の実施の形態１，２に基づき具体的に説明したが、本
発明は前記発明の実施の形態１，２に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であ
ることは言うまでもない。
【０１７４】例えば、実施の形態１，２で説明した半導
体製造装置４００は、前工程のプロセス処理を行うもの
だけに限らず、検査装置やウェハソータのような直接、
半導体基板３００への半導体製造を行わない製造装置で
あってもよく、その場合にも前記実施の形態１，２と同
様の効果を得ることができる。
体製造装置４００は、前工程のプロセス処理を行うもの
だけに限らず、検査装置やウェハソータのような直接、
半導体基板３００への半導体製造を行わない製造装置で
あってもよく、その場合にも前記実施の形態１，２と同
様の効果を得ることができる。
【０１７５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【０１７６】（１）．半導体基板の歩留りを向上でき
る。
る。
【０１７７】（２）．半導体製造装置の稼働率を向上で
きる。
きる。
【図１】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１の半導体
集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開
閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であり、（ａ）は
表側構造、（ｂ）は裏側構造である。
集積回路装置の製造方法で用いられる半導体収納容器開
閉装置の構造の一例を示す外観斜視図であり、（ａ）は
表側構造、（ｂ）は裏側構造である。
【図２】本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の
製造方法で用いられる半導体収納容器（ＦＯＵＰ）の構
造の一例を示す斜視図である。
製造方法で用いられる半導体収納容器（ＦＯＵＰ）の構
造の一例を示す斜視図である。
【図３】図１に示す半導体収納容器開閉装置が取り付け
られる半導体製造装置の構造の一例を示す部分斜視図で
ある。
られる半導体製造装置の構造の一例を示す部分斜視図で
ある。
【図４】図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す側
面図である。
面図である。
【図５】図３に示す半導体製造装置の内部構造を示す平
面図である。
面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の半導体集積回路装置の
製造方法における半導体基板の搬送シーケンスの一例を
示すシーケンスフロー図である。
製造方法における半導体基板の搬送シーケンスの一例を
示すシーケンスフロー図である。
【図７】図４に示す半導体製造装置に対する変形例の半
導体製造装置の内部構造を示す側面図である。
導体製造装置の内部構造を示す側面図である。
【図８】図２に示す半導体収納容器に対する変形例の半
導体収納容器を用いた際の半導体収納容器開閉装置のエ
レベータの動作を示す部分側面図である。
導体収納容器を用いた際の半導体収納容器開閉装置のエ
レベータの動作を示す部分側面図である。
【図９】本発明の実施の形態２の半導体集積回路装置の
製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置における
オープナの被接続面と表面板の表面との段差の一例を示
す部分平面図である。
製造方法で用いられる半導体収納容器開閉装置における
オープナの被接続面と表面板の表面との段差の一例を示
す部分平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２の半導体収納容器開閉
装置におけるオープナの被接続面と半導体収納容器の露
出面とのオーバーラップ量の一例を示す部分平面図であ
る。
装置におけるオープナの被接続面と半導体収納容器の露
出面とのオーバーラップ量の一例を示す部分平面図であ
る。
【図１１】図１０に示す半導体製造装置におけるオープ
ナの支持状態の一例を示す部分側面図である。
ナの支持状態の一例を示す部分側面図である。
【図１２】実施の形態２に対する比較例の半導体収納容
器開閉装置と半導体収納容器の関係を示す部分平面図で
ある。
器開閉装置と半導体収納容器の関係を示す部分平面図で
ある。
【符号の説明】 １００ 半導体収納容器開閉装置 １００ａ ロードポート １１０ ステージ １１１ スライダ １１２ 位置決めピン １２０ オープナ １２０ａ 被接続面 １２１ 回転キー １３０ オープナ開閉機構 １３０ａ オープナ支持部 １３１ オープナ昇降機構 １３１ａ エレベータ １４０ 安全カバー １５０ 表面板 １５０ａ 表面 １５０ｂ 開口部 ２００ 半導体収納容器 ２１０ 容器本体 ２１０ａ 開口部 ２１０ｂ 基板保持部 ２１１ ラッチ溝 ２１２ フランジ ２２０ 蓋 ２２０ａ 露出面 ２２１ キー溝 ２２２ ラッチ ２３０ フェイシャル基準面 ３００ 半導体基板 ４００ 半導体製造装置 ４１０ 搬送領域 ４１１ 搬送ロボット ４１１ａ ロボットハンド ４１２ ファンフィルタユニット ４１３ イオナイザ ４１４ ケミカルフィルタ ４１５ アライメント部 ４２０ 処理部 ４２１ ロードロック室 ４２１ａ ゲートバルブ ４２１ｂ 基板支持台 ４２２ アンロードロック室 ４２２ａ ゲートバルブ ４２３ 処理室 ４３０ 局所清浄室 ５００ 半導体収納容器 ５１０ 容器本体 ５１０ａ 開口部 ５１０ｂ 基板保持部 ５２０ 蓋
Claims (14)
- 【請求項１】 以下の工程を含む半導体集積回路装置の
製造方法： （ａ）複数のウェハを接地した状態で収容した密閉状態
の第１の密閉型半導体収納容器の内部空間を、清浄度を
保持した状態で第１のウェハ処理装置の局所清浄室に連
結する工程； （ｂ）前記連結状態において、前記第１の半導体収納容
器に収容された前記複数のウェハの内の全部又は一部
を、前記局所清浄室に設けられた搬送機構により移送す
ることによって、前記第１のウェハ処理装置のウェハ処
理部に収容する工程； （ｃ）前記第１のウェハ処理部に収容された前記ウェハ
に対して第１の処理を施す工程； （ｄ）前記工程（ｃ）の後、処理された前記ウェハを、
前記搬送機構により移送することによって、前記第１の
半導体収納容器に、接地した状態で収容する工程； （ｅ）前記工程（ｃ）の後であって工程（ｄ）の前又は
その中で、処理された前記ウェハを除電する工程； （ｆ）前記工程（ｄ）の後、前記第１の半導体収納容器
と局所清浄室の連結状態を解除することによって、前記
第１の半導体収納容器を密閉状態に戻す工程。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記ウェハの直径は２８０ｍｍ以上で
あることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記第１の半導体収納容器における前
記ウェハの接触部分の表面抵抗率Ｒは、１×１０4 ≦Ｒ
（Ω）≦１×１０14であることを特徴とする半導体集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記第１の半導体収納容器における前
記ウェハの接触部分の表面抵抗率Ｒは、１×１０5 ≦Ｒ
（Ω）≦１×１０13であることを特徴とする半導体集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記第１の半導体収納容器における前
記ウェハの接触部分の表面抵抗率Ｒは、１×１０6 ≦Ｒ
（Ω）≦１×１０9 であることを特徴とする半導体集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記除電を行う際に、イオナイザによ
って行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項７】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記除電を行う際に、前記搬送機構の
前記ウェハとの接触部の除電を行うことを特徴とする半
導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項８】 以下の工程を含む半導体集積回路装置の
製造方法： （ａ) 複数のウェハを収容した密閉状態の第１の密閉型
半導体収納容器の内部空間を、清浄度を保持した状態で
第１のウェハ処理装置の局所清浄室に連結する工程； （ｂ）前記連結状態において、前記第１の半導体収納容
器に収容された前記複数のウェハの内の全部又は一部
を、前記局所清浄室に設けられた搬送機構により移送す
ることによって、前記第１のウェハ処理装置のウェハ処
理部に収容する工程； （ｃ) 前記第１のウェハ処理部に収容された前記ウェハ
に対して第１の処理を施す工程； （ｄ）前記工程（ｃ）の後、処理された前記ウェハを、
前記搬送機構により移送することによって、前記第１の
半導体収納容器に、収容する工程； （ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記第１の半導体収納容器
と局所清浄室の連結状態を解除することによって、前記
第１の半導体収納容器を密閉状態に戻す工程、ここで、
前記第１の密閉型半導体収納容器は以下の構成を含む： (i) 第１の面が開放された容器部； (ii)密閉状態においては、前記第１の面の周辺部で前記
容器部に密着することによって、密閉状態を維持する収
納容器蓋部； (iii) 前記収納容器蓋部に設けられた鍵穴部、 また、前記局所清浄室は以下の構成を含む： (I) 連結時において、前記第１の密閉型半導体収納容器
の前記第１の面と接触又は近接対向する正面表面部； (II)前記正面表面部に設けられた連結用開口部； (III) 前記連結用開口部を覆うように設けられ、連結時
に突出した状態で前記鍵穴部と結合する鍵部を有するオ
ープナ、 更に、前記工程（ａ）は以下の下位工程を含む： （ｐ）前記複数のウェハを収容した密閉状態の前記第１
の密閉型半導体収納容器の前記第１の面を、前記鍵部が
前記鍵穴に挿入されるように前記局所清浄室の前記正面
表面部と接触又は近接対向させる工程； （ｑ）前記工程（ｐ）の前後又はその中において、前記
オープナの正面部を、前記第１の密閉型半導体収納容器
がないとした場合に前記正面表面部よりも0.２５ｍｍを
越えた突出長さだけ突出させるか又は突出しているよう
に保持する工程； （ｒ）前記鍵部が前記鍵穴に挿入された状態で鍵開け動
作を実行した後、前記オープナで前記収納容器蓋部を保
持した状態で、前記オープナを前記局所清浄室内に引き
込むことによって、前記第１の密閉型半導体収納容器の
前記内部空間を前記第１のウェハ処理装置の前記局所清
浄室に連結する工程。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記ウェハの直径は２８０ｍｍ以上で
あることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記オープナの前記突出長さが0.３
ｍｍを越えることを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項１１】 請求項８記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記オープナの前記突出長さが0.７
ｍｍを越えることを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項１２】 請求項８記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記オープナの前記突出長さが1.０
ｍｍを越えることを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項１３】 請求項８記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記工程（ｑ）は前記工程（ｐ）の
前であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 請求項８記載の半導体集積回路装置の
製造方法であって、前記第１の半導体収納容器と局所清
浄室とを連結する際に、前記オープナの正面部と前記収
納容器蓋部とが密着しないものの割合が、半導体製造ラ
インに流れている全ての半導体収納容器の１％以下であ
ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2000311480A JP3955724B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US09/941,835 US20020045328A1 (en) | 2000-10-12 | 2001-08-30 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device |
| US10/932,237 US7172981B2 (en) | 2000-10-12 | 2004-09-02 | Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination |
| US11/698,107 US7390758B2 (en) | 2000-10-12 | 2007-01-26 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device with elimination of static charge |
| US12/123,584 US8119547B2 (en) | 2000-10-12 | 2008-05-20 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including elimination of static charge of a treated wafer |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000311480A JP3955724B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP2002118161A true JP2002118161A (ja) | 2002-04-19 |
| JP3955724B2 JP3955724B2 (ja) | 2007-08-08 |
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ID=18791233
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000311480A Expired - Fee Related JP3955724B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
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