JP2006005367A - 発光デバイスのための発光セラミック - Google Patents

発光デバイスのための発光セラミック Download PDF

Info

Publication number
JP2006005367A
JP2006005367A JP2005192799A JP2005192799A JP2006005367A JP 2006005367 A JP2006005367 A JP 2006005367A JP 2005192799 A JP2005192799 A JP 2005192799A JP 2005192799 A JP2005192799 A JP 2005192799A JP 2006005367 A JP2006005367 A JP 2006005367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic layer
light emitting
ceramic
layer
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2005192799A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerd O Mueller
ゲルト　オー　ミューラー
Regina B Mueller-Mach
ベー ミューラー マッハ レジーナ
Michael R Krames
アール クレイムズ マイケル
Peter J Schmidt
イェー シュミット ペーター
Hans-Helmut Bechtel
ヘルムート ベシュテル ハンス
Joerg Meyer
マイアー ヨルグ
Graaf Jan De
デ フラーフ ヤン
Theo Arnold Kop
アルノルド コップ テオ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Lumileds LLC
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Lumileds LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV, Lumileds LLC filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JP2006005367A publication Critical patent/JP2006005367A/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/547—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on sulfides or selenides or tellurides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/597—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/6268—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering characterised by the applied pressure or type of atmosphere, e.g. in vacuum, hydrogen or a specific oxygen pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6027—Slip casting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

【課題】 散乱が少なく、変換効率が増大した発光デバイスを提供すること。
【解決手段】 ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光デバイスが、該発光層によって放出される光の経路内に配置されたセラミック層と組み合わされる。このセラミック層は、蛍光体のような波長変換材料からなるか、又は該波長変換材料を含む。本発明の実施形態による発光セラミック層は、従来技術の蛍光体層より頑丈で、温度に対する感受性が低い。さらに、発光セラミックが示す散乱は少ないものであり、よって、従来技術の蛍光体層に比べて変換効率を増大させることができる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、波長変換された半導体発光デバイスに関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、光スペクトルの特定領域においてピーク波長を有する光を生成できる公知のソリッド・ステート・デバイスである。ＬＥＤは、典型的には、照明器、指示器、及びディスプレイとして用いられる。従来より、大部分の効率的なＬＥＤは、光スペクトルの赤色領域においてピーク波長を有する光すなわち赤色光を放出する。しかしながら、ＵＶからスペクトルの緑色領域までにおいてピーク波長を有する光を効率的に放出できるＩＩＩ族窒化物ＬＥＤが開発された。ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤは、従来のＬＥＤと比べて著しく明るい出力光をもたらすことができる。
さらに、ＩＩＩ族窒化物デバイスからの光は、通常、赤色光より短い波長を有するので、ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤによって生成される光を容易に変換し、より長い波長を有する光を生成することができる。発光／蛍光として周知の方法を用いて、第１のピーク波長（「一次光」）を有する光を、より長いピークの光を有する光（「二次光」）に変換できることが、当業界において公知である。蛍光法は、蛍光体のような波長変換材料によって一次光を吸収し、二次光を放出する蛍光体材料の発光中心を励起するステップを含む。二次光のピーク波長は、蛍光体材料によって決まる。蛍光体材料のタイプを選択し、特定のピーク波長を有する二次光を生成することができる。
図１を参照すると、米国特許第６，３５１，０６９号に記載される従来技術の蛍光体ＬＥＤ１０が示されている。ＬＥＤ１０は、活性化されたときに青色の一次光を生成するＩＩＩ族窒化物ダイ１２を含む。ＩＩＩ族窒化物ダイ１２は、レフレクタカップのリードフレーム１４上に配置され、リード線１６及び１８に電気的に接続される。リード線１６及び１８は、電気出力をＩＩＩ族窒化物ダイ１２に伝える。ＩＩＩ族窒化物ダイ１２は、波長変換材料２２を含む、多くの場合は透明な樹脂である層２０で覆われている。層２０を形成するために用いられる波長変換材料のタイプは、蛍光材料２２によって生成される二次光の所望のスペクトル分布によって変わり得る。ＩＩＩ族窒化物ダイ１２及び蛍光層２０は、レンズ２４によりカプセル封入されている。レンズ２４は、典型的には、透明なエポキシ又はシリコンで作られている。
作動において、電気出力がＩＩＩ族窒化物ダイ１２に供給され、該ダイを活性化させる。活性化されると、ダイ１２は、該ダイの上面から遠ざかるように一次光を放出する。放出された光の一部が、層２０内の波長変換材料２２によって吸収される。次に、波長変換材料２２は、一次光の吸収に応答して、二次光、より長いピーク波長を有する変換された光を放出する。放出された一次光の残りの吸収されていない部分は、二次光と共に、波長変換層を通して伝えられる。レンズ２４は、吸収されていない一次光及び二次光を、出力光として矢印２６で示される一般的方向に向ける。この出力光は、ダイ１２から放出された一次光及び波長変換層２０から放出された二次光からなる複合光である。可視二次光を放出する１つ又はそれ以上の波長変換材料と組み合わせられたＵＶ一次光を放出するダイの場合のように、デバイスから逃げる一次光が非常にわずかであるか又は全くなくなるように、波長変換材料を構成することもできる。
ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤは高出力及び高温で作動されるので、層２０内に用いられる有機カプセル材料の透明性が低下する傾向があり、望ましくないことにデバイスの光抽出効率が減少し、場合によっては望ましくないことに該デバイスから放出される光の出現が変わることがある。米国特許第６，６３０，６９１号に記載されるような単結晶発光基板上のＬＥＤデバイスの成長、米国特許第６，６９６，７０３号に記載される薄膜蛍光体層、及び米国特許第６，５７６，４８８号に記載されるような電気泳動析出又は米国特許第６，６５０，０４４号に記載されるようなステンシル印刷によって堆積されるコンフォーマル層のような、幾つかの代替的な構成の波長変換材料が提案された。しかしながら、従来の解決法の１つの主要な欠点は、蛍光体／カプセル材料システムの光の不均一性であり、この光の不均一性が散乱をもたらし、場合によっては変換効率の損失を生じさせる。
本発明によると、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光デバイスが、該発光層によって放出される光の経路内に配置されたセラミック層と組み合わされる。このセラミック層は、蛍光体のような波長変換材料からなるか、又は該波長変換材料を含む。本発明の実施形態による発光セラミック層は、従来技術の蛍光体層より頑丈で、温度に対する感受性が低い。さらに、発光セラミックが示す散乱は少ないものであり、よって、従来技術の蛍光体層に比べて変換効率を増大させることができる。
蛍光体層はどちらかと言えば脆いので、薄膜又はコンフォーマルな蛍光体層を有する上述のデバイスの処理は困難である。本発明の実施形態によると、蛍光体のような波長変換材料が、ここでは「発光セラミック」と呼ばれるセラミック平板内に形成される。セラミック平板は、一般に、半導体デバイスとは別個に形成される自己支持層であり、次に完成した半導体デバイスに取り付けられるか、又は該半導体デバイスの成長基板として用いられる。このセラミック層は半透明又は透明にすることができ、コンフォーマル層のような透明でない波長変換層と関連した散乱損失を減少させることができる。発光セラミック層は、薄膜又はコンフォーマルな蛍光体層よりも頑丈なものにすることができる。さらに、発光セラミック層は中実であるので、同じく中実であるレンズのような付加的な光素子及び二次的光学系に光学的に接触させることが容易である。
発光セラミック層内に形成できる蛍光体の例は、黄緑色の範囲で光を放出する、Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+及びＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+のような、一般式（Ｌｕ1-x-y-a-bＹxＧｄy）3（Ａｌ1-zＧａz）5Ｏ12：ＣｅaＰｒb（ここで、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ≦０．１、０＜ａ≦０．２、及び０＜ｂ≦０．１）、及び赤色の範囲で光を放出する、Ｓｒ2Ｓｉ5Ｎ8：Ｅｕ2+のような、一般式（Ｓｒ1-x-yＢａxＣａy）2-zＳｉ5-aＡｌaＮ8-aＯa：Ｅｕz 2+（ここで、０≦ａ＜５、０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、及び０＜ｚ≦１）を有するアルミニウムガーネット蛍光体を含む。適切なＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック平板は、米国ノースカロライナ州ＣｈａｒｌｏｔｔｅのＢａｉｋｏｗｓｋｉ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから購入することができる。例えばＳｒＳｉ2Ｎ2Ｏ2：Ｅｕ2+などの（Ｓｒ1-a-bＣａbＢａc）ＳｉxＮyＯz：Ｅｕa 2+（ａ＝０．００２−０．２、ｂ＝０．０−０．２５、ｃ＝０．０−０．２５、ｘ＝１．５−２．５、ｙ＝１．５−２．５、ｚ＝１．５−２．５）、例えばＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ2+などの（Ｓｒ1-u-v-xＭｇuＣａyＢａx）（Ｇａ2-y-2ＡｌyＩｎzＳ4）：Ｅｕ2+、Ｓｒ1-xＢａxＳｉＯ4：Ｅｕ2+、例えばＣａＳ：Ｅｕ2+及びＳｒＳ：Ｅｕ2+などの（Ｃａ1-xＳｒx）Ｓ：Ｅｕ2+（ここで、０＜ｘ≦１）を含む、他の緑色、黄色、及び赤色の放出蛍光体も適切なものである。
蛍光体粒子の表面が柔らかくなり始め、溶融するまで、高圧で粉末蛍光体を加熱することによって、発光セラミックを形成することができる。部分的に溶融した粒子は、互いに付着し、剛性の粒子塊を形成する。光の不連続がない単一の大きな蛍光体粒子として動作する薄膜と違って、発光セラミックは、緊密にパックされた個々の蛍光体粒子として動作するので、異なる蛍光体粒子間の境界面においてわずかな光の不連続がある。したがって、発光セラミックは、光学的にほぼ同質であり、該発光セラミックを形成する蛍光体材料と同じ屈折率を有する。樹脂のような透明な材料内に配置されたコンフォーマルな蛍光体層又は蛍光体層と違って、発光セラミックは、一般に、蛍光体自体以外に結合材料（有機樹脂又はエポキシのような）を必要とせず、個々の蛍光体粒子間にスペースも異なる屈折率の材料もほとんどない。その結果、コンフォーマルな蛍光体層と違って、発光セラミックは、透明又は半透明である。
例えば、ウェーハ接合、焼結、エポキシ又はシリコンのような周知の有機接着剤の薄い層による接着、高屈折率の有機接着剤による接着、及びソル・ゲルガラスによる接着によって、発光セラミック層を発光デバイスに取り付けることができる。
高屈折率接着剤の例は、Ｓｃｈｏｔｔ ｇｌａｓｓ ＳＦ５９、Ｓｃｈｏｔｔ ｇｌａｓｓ ＬａＳＦ３、Ｓｃｈｏｔｔ ｇｌａｓｓ ＬａＳＦ Ｎ１８、及びこれらの混合物のような、高屈折率の光学ガラスを含む。これらのガラスは、米国ペンシルベニア州ＤｕｒｙｅａのＳｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ社から入手可能である。他の高屈折率接着剤の例は、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）カルコゲナイド・ガラスのような高屈折率カルコゲナイド・ガラス、これらに限られるものではないが、ＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓ、及びＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族半導体、これらに限られるものではないが、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、及びＣｄＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族半導体、これらに限られるものではないが、Ｓｉ及びＧｅなどのＩＶ族半導体及び化合物、有機半導体、これらに限られるものではないが、酸化タングステン、酸化チタニウム、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化スズインジウム、及び酸化クロムなどの金属酸化物、これらに限られるものではないが、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムのようなフッ化金属、これらに限られるものではないが、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｇ、及びＳｎなどの金属、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、リン化合物、ヒ素化合物、アンチモン化合物、窒素化合物、高屈折率有機化合物、及びこれらの混合物又は合金を含む。高屈折率の有機接着剤による接着は、２０００年９月１２日に出願された特許出願番号第０９／６６０，３１７号及び２００１年６月１２日に出願された特許出願番号第０９／８８０，２０４号に詳細に説明されており、これらの特許の両方を引用によりここに組み入れる。
ソル・ゲルガラスによる接着は、引用によりここに組み入れられる米国特許第６，６４２，６１８号に詳細に説明されている。発光セラミックがソル・ゲルガラスによってデバイスに取り付けられる実施形態において、ガラスの屈折率を該発光セラミック及び該発光デバイスの屈折率とより密接に合致させるために、チタニウム、セリウム、鉛、ガリウム、ビスマス、カドミウム、亜鉛、バリウム、又はアルミニウムの酸化物のような１つ又はそれ以上の材料をＳｉＯ2ソル・ゲルガラス内に含ませ、該ガラスの屈折率を増大させることができる。例えば、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック層は、約１．７５から１．８までの間の屈折率を有することができ、サファイア基板が約１．８の屈折率を有する半導体発光デバイスのサファイア成長基板に取り付けることができる。接着剤の屈折率をＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック層及びサファイア成長基板の屈折率に合致させることが望ましい。
幾つかの実施形態において、発光セラミックは、半導体発光デバイスのための成長基板として働く。このことは、格子不整合基板（例えば、サファイア又はＳｉＣ）上に成長され得る、ＩｎＧａＮのようなＩＩＩ族窒化物発光層の場合に特にもっともらしく思われ、高い転位密度をもたらすものの、ＬＥＤにおいて依然として高い外部量子効率を示す。このように、同様の方法で、半導体発光デバイスを発光セラミック上で成長させることができる。例えば、有機金属化学気相エピタキシ又は別のエピタキシャル技術を用いて、ＩＩＩ族窒化物核生成層が、典型的には低温（〜５５０℃）で、発光セラミック基板上に直接堆積される。次に、ＧａＮの厚い層（「バッファ」層）が、典型的には高温で、ＩＩＩ族窒化物核生成層上に堆積され、単結晶膜内に合体される。バッファ層の厚さを増すことは、全体の転位密度を減少させ、層の品質を改善する。最終的には、ｎ型及びｐ型層が堆積され、それらの間に発光ＩＩＩ族窒化物活性層が含まれる。ＩＩＩ族窒化物成長環境（例えば、１０００℃より高い温度及びＮＨ3環境）に耐える能力が、成長基板としての発光セラミックの選択を左右する。セラミックは多結晶であり、結果として生じるＩＩＩ族窒化物層は単結晶でなければならないので、特別の付加的な成長考慮事項を適用することができる。例えば、上述の状況の場合は、多数の低温中間層をＧａＮバッファ層内に挿入して、ＧａＮ成長を「リセット」し、セラミック粒子の配向効果がＩＩＩ族窒化物デバイス層内に伝搬するのを回避することが必要である。格子不整合基板上に成長させるためのこれら及び他の技術は、当業界において周知である。適切な成長技術は、例えば、本出願の譲受人に譲渡され、引用によりここに組み入れられるＧｏｅｔｚ他に付与された米国特許第６，６３０，６９２号に説明されている。
以下の例は、ＩＩＩ族窒化物発光ダイオードに言及するが、本発明の実施形態は、ＩＩＩ族リン化物、ＩＩＩ族ヒ化物のような他の材料系のデバイス、及び共振空洞ＬＥＤ、レーザ・ダイオード、及び垂直共振器面発光レーザのような他の構造体を含む発光デバイスに適用することができる。
図２及び図３は、発光セラミック層を含むＩＩＩ族窒化物デバイスを示す。図２のデバイスにおいて、ｎ型領域４２が、適切な成長基板４０上に成長され、その後に活性領域４３及びｐ型領域４４が続く。成長基板４０は、例えば、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、又は他の何らかの適切な成長基板とすることができる。ｎ型領域４２、活性領域４３、及びｐ型領域４４の各々は、異なる組成、厚さ、及びドーパント濃度の多数の層を含むことができる。例えば、ｎ型領域４２及びｐ型領域４４は、オーム接触のために最適化された接触層と、活性領域４３内にキャリアを含むように最適化されたクラッド層とを含むことができる。活性領域４３は、単一の発光層を含むことができ、或いは障壁層によって分離される多数の量子井戸発光層を含むことができる。
図２に示されるデバイスにおいて、ｐ型領域４４及び活性領域４３の一部が、エッチングにより除去され、ｎ型領域４２の一部が露わになる。ｐコンタクト４５が、ｐ型領域４４の残りの部分上に形成され、ｎコンタクト４６が、ｎ型領域４２の露出された部分上に形成される。図２に示される実施形態において、コンタクト４５及び４６は反射性であり、光は基板４０の裏面を通してデバイスから抽出される。代替的に、コンタクト４５及び４６は、透明にすることができ、又はｐ型領域４４の表面の大部分とｎ型領域４２がコンタクトで覆われないままにして形成することもできる。こうしたデバイスにおいて、光は、コンタクト４５及び４６が形成される、エピタキシャル構造体の上面を通してデバイスから抽出される。
図３に示されるデバイスにおいて、エピタキシャル層が、ｐコンタクト４５を通してホスト基板４９に接合される。接合を容易にする付加的な層（図示せず）をｐ型領域４４とホスト４９との間に含ませることができる。エピタキシャル層がホスト４９に接合された後、成長基板を取り除き、ｎ型領域４２の表面を露出させることができる。活性領域のｐ側への接触が、ホスト４９を通して与えられる。ｎコンタクト４６は、ｎ型領域４２の露出された表面の一部上に形成される。ｎ型領域４２の上面を通して、光がデバイスから抽出される。成長基板の除去は、本発明の譲渡人に譲渡され、引用によりここに組み入れられる、２００４年３月１９日に出願された「Ｐｈｏｔｏｎｉｃ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ」という名称の米国特許出願番号第１０／８０４，８１０号に詳細に説明されている。
図２及び図３に示されるデバイスにおいて、上述のセラミック層のような発光セラミック層５０が、光が抽出されるデバイスの表面、すなわち図２の基板４０の後部及び図３のｎ型領域４２の上部に取り付けられる。セラミック層５０は、光がデバイスから抽出されるいずれかの表面上に形成するか又は取り付けることができる。例えば、セラミック層５０は、図２に示されるデバイスの両側上に適用することができる。図３は、活性領域４３からの光がセラミック層５０内に通ることを可能にするが、セラミック層５０によって放出される光を反射し、セラミック層５０によって放出される光がデバイス５２に入るのを阻止する任意のフィルタ３０を示し、ここで、光が吸収され、失われる。適切なフィルタの例は、リヒテンシュタイン国のＵｎａｘｉｓ Ｂａｌｚｅｒｓ Ｌｔｄ．社、又は米国カリフォルニア州Ｓａｎｔａ ＲｏｓａのＯｐｔｉｃａｌ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ，Ｉｎｃ．社から入手可能なダイクロイックフィルタを含む。
発光セラミック層５０は、単一の蛍光体又は互いに混合された多数の蛍光体を含むことができる。幾つかの実施形態において、セラミック層内の活性ドーパントの量に勾配が付けられる。図４は、発光セラミック層内の勾配が付けられたドーピング・プロファイルの例を示す。図４の点線は、デバイスの表面を表す。デバイス表面に最も近いセラミック層の部分が、最も高いドーパント濃度を有する。デバイス表面からの距離が増大するにつれて、蛍光体内のドーパント濃度は減少する。一定のドーパント濃度の領域を有する線形ドーパント・プロファイルが図４に示されるが、勾配プロファイルは、例えば、階段状に勾配が付けられたプロファイル又は指数法則プロファイルを含む如何なる形状を取ることもでき、多数の一定のドーパント濃度領域を含んでもよく、或いは一定のドーパント濃度領域を含まなくてもよいことを理解すべきである。さらに、幾つかの実施形態において、勾配プロファイルを逆にすることも有利であり、デバイス表面に最も近い領域が、低いドーパント濃度を有し、このドーパント濃度は、該デバイス表面からの距離が増大するにつれて増加する。幾つかの実施形態において、デバイス表面から最も遠いセラミック層の部分は、如何なる蛍光体も如何なるドーパントも含まなくてもよく、（以下に示されるように）光抽出のために形成することができる。
幾つかの実施形態において、図５に示されるデバイスにおけるように、デバイスは、多数のセラミック層を含む。セラミック層５０ａは、例えば、図２及び図３に示されるデバイスのいずれかとすることができるデバイス５２に取り付けられる。セラミック層５０ｂは、セラミック層５０ａに取り付けられる。幾つかの実施形態において、２つのセラミック層５０ａ及び５０ｂの一方が、デバイスに用いられる波長変換材料の全てを含み、２つのセラミック層の他方は透明であり、それがデバイス５２に隣接するセラミック層である場合にはスペーサ層として、或いはそれが該デバイス５２から最も遠いセラミック層である場合には光抽出層として用いられる。幾つかの実施形態において、セラミック層５０ａ及び５０ｂの各々が、異なる蛍光体を含むことができる。２つのセラミック層が図５に示されるが、２つより多いセラミック層及び／又は２つより多い蛍光体を含むデバイスが本発明の範囲内にあることを理解すべきである。引用によりここに組み入れられる、２００４年２月２３日に出願された米国特許出願番号第１０／７８５，６１６号に記載されるように、セラミック層５０ａ及び５０ｂ内の異なる蛍光体の構成並びにセラミック層５０ａ及び５０ｂ自体は、デバイス内の多数の蛍光体間の相互作用を制御するように選択することができる。図５において、セラミック層５０ａ及び５０ｂはデバイス上に積み重ねられたものとして示されるが、他の構成も可能であり、本発明の範囲内である。幾つかの実施形態において、１つ又はそれ以上のセラミック層を含むデバイスは、図１に示される波長変換材料、或いは背景技術部分に記載された薄膜、コンフォーマル層、及び発光基板のような他の波長変換層と組み合わせることができる。
発光セラミック層の利点は、該セラミック層を成形し、粉砕し、機械加工し、熱間スタンプし、又は研磨して、例えば、光抽出を増大させるのに望ましい形状にする能力である。発光セラミック層は、一般に、例えば、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック層の場合には、１．７５から１．８までの高屈折率を有する。高屈折率のセラミック層と低屈折率の空気との間の境界面における内部反射全体を回避するために、セラミック層を図６及び図７に示されるように形成することができる。図６に示されるデバイスにおいて、発光セラミック層５４は、ドーム状レンズのようなレンズに形成される。図７に示されるように、セラミック層の上部を、ランダムに又は例えばフレネルレンズ形状のようにテキスチャ状にすることによって、デバイスからの光抽出をさらに改善することができる。幾つかの実施形態において、セラミック層の上部は、セラミック内に形成された正孔の格子のようなフォトニック結晶構造体を有するようにテキスチャ状にすることができる。図６及び図７に示されるように、形成されたセラミック層は、該セラミック層が取り付けられるデバイス５２の面より小さいか又は該デバイス５２の面と同じサイズにすることができ、或いは該セラミック層が取り付けられる該デバイス５２の面より大きくすることができる。図７のようなデバイスにおいては、セラミック層が取り付けられるデバイス５２の面の長さの少なくとも二倍の底部長を有する形成されたセラミック層について、好ましい光抽出が期待される。幾つかの実施形態において、波長変換材料は、デバイス５２に最も近いセラミック層の一部に閉じ込められる。他の実施形態においては、図７に示されるように、波長変換材料は、第１のセラミック層５０ａ内に与えられ、次に第２の形成された透明なセラミック層５０ｂに取り付けられる。
幾つかの実施形態において、上部セラミック層の表面が粗くされ、例えば、発光デバイスからの光及び１つ又はそれ以上の波長変換層が混合して白色光を生成するデバイスにおいて、光を混合するのに必要な散乱を増大させる。他の実施形態においては、当業界において周知のように、十分な混合は、レンズ又は光ガイドのような二次的光学系によって達成することができる。
発光セラミック層の更に別の利点は、セラミックの好ましい熱的性質である。発光セラミック層及び熱抽出構造体を含むデバイスが、図８に示される。図７におけるように、図８は、光抽出のために形成された透明な又は発光性のセラミック層５０ｂを含む。任意の付加的な透明な又は発光性のセラミック層５０ａが、層５０ｂとデバイス５２との間に配置される。デバイス５２は、例えば、図２に示されるようなフリップチップとして、サブマウント５８上にマウントされる。サブマウント５８及び図３のホスト基板４９は、例えば、Ｃｕ箔、Ｍｏ、Ｃｕ／Ｍｏ、及びＣｕ／Ｗのような金属、例えば、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇの１つ又はそれ以上を含む、オーム接触を有するＳｉ及びオーム接触を有するＧａＡｓのような金属接触部をもつ半導体、並びに圧縮ダイアモンドのようなセラミックとすることができる。層５６は、セラミック層５０ｂをサブマウント５８に接続する熱伝導性材料であり、場合によっては発光セラミック層５０ａ及び／又は５０ｂの温度を下げ、これにより光出力が増大される。層５６に適した材料は、上述のサブマウント材料を含む。図８に示される構成は、ＳｉＣのような導電性基板を有するフリップチップ型デバイスから熱を抽出するのに特に有用である。
サファイア基板に拡散接合された、セリウムがドープされたイットリウム・アルミニウム・ガーネットのセラミック平板の例が以下に与えられる。
拡散接合されたＹＡＧサファイア複合体は、その高い機械的強度及び優れた光学的品質のために有利なものである。イットリアと組成範囲Ａｌ2Ｏ3及び３Ｙ2Ｏ3 ５Ａｌ2Ｏ3内の酸化アルミニウムの状態図によると、３３％Ａｌを有する共晶を除いて、他の状態は存在しない。したがって、焼結接合されたＹＡＧサファイア複合体は、ＹＡＧセラミック（ｎi＝１．８４）とサファイア基板（ｎi＝１．７６）との間の（共晶）境界面において平均屈折率を有し、よって高品質の光接触を得ることができる。さらに、ＹＡＧ及びサファイアの類似した膨張率のために（ＹＡＧ：６．９×１０-6Ｋ-1、Ａｌ2Ｏ3：８．６×１０-6Ｋ-1）、機械的応力の低い焼結接合されたウェーハを生成することができる。
拡散接合されたＹＡＧ：Ｃｅセラミック・サファイア・ウェーハを以下のように形成することができる。
ａ）ＹＡＧ：Ｃｅセラミックの生成：４０ｇのＹ2Ｏ3（９９．９９８％）、３２ｇのＡｌ2Ｏ3（９９．９９９％）、及び３．４４ｇのＣｅＯ2が、１２時間、ローラベンチのイソプロパノールにおいて、１．５ｋｇの高純度酸化アルミニウム・ボール（２ｍｍの直径）によりミル加工される。次に、乾燥した前駆粉末が、ＣＯ雰囲気の下で、２時間１３００℃で焼成される。次に、得られたＹＡＧ粉末が、エタノールの下でプラネットボールミル（瑪瑙ボール）を用いて解凝集される。次に、セラミック・スラリーがスリップ鋳造され、乾燥後にセラミック素地を得る。次に、この素地は２時間１７００℃で黒鉛板の間で焼結される。
ｂ）サファイア・ウェーハ及びＹＡＧ：Ｃｅセラミックの拡散接合：粉砕され、研磨されたサファイア及びＹＡＧウェーハが、一軸の加熱加圧成形装置（ＨＵＰ）内で拡散接合される。このために、サファイア及びＹＡＧウェーハは、タングステン箔（０．５ｍｍの厚さ）の間に積み重ねられ、黒鉛の加圧成形ダイ内に配置される。処理速度を上げるために、幾つかのサファイア／ＹＡＧ：Ｃｅセラミック／タングステン箔のスタックを同時に積み重ね、処理することができる。
ＨＵＰ装置をからにした後、まず、外部圧力を加えずに、温度が４時間以内に１７００℃まで上げられる。次に、３００バールの一軸圧力が加えられ、２時間一定に保持される。滞留時間後、圧力を一定に維持することによって、温度が２時間以内に１３００℃まで下げられる。最後に、圧力を解除した後、システムは６時間以内に室温まで冷却される。
ｃ）焼結接合されたサファイア・ＹＡＧ：Ｃｅウェーハの処理後：焼結接合されたウェーハの表面を粉砕し、研磨した後、サンプルが、空気中で１３００℃まで２時間アニール処理され（加熱速度：３００Ｋ／ｈｒ）、次に１２時間以内に室温まで冷却される。
本発明を詳細に説明したが、当業者であれば、本開示が与えられた場合に、ここに説明された本発明の概念の精神から逸脱することなく、本発明に修正をなし得ることを理解するであろう。
従来技術の蛍光体・変換された半導体発光デバイスを示す。 セラミック蛍光体層を含むフリップチップ型半導体発光デバイスを示す。 接合されたホスト基板及びセラミック蛍光体層を含む半導体発光デバイスを示す。 セラミック蛍光体層のドーピング・プロファイルの例を示す。 多数のセラミック層を含む半導体発光デバイスを示す。 形成されたセラミック蛍光体層を含む半導体発光デバイスを示す。 デバイス内にエピタキシャル層より広いセラミック蛍光体層を含む半導体発光デバイスを示す。 セラミック蛍光体層及び熱抽出構造体を含む半導体発光デバイスを示す。
符号の説明
４０：基板
４２：ｎ型領域
４３：活性領域
４４：ｐ型領域
４５：ｐコンタクト
４６：ｎコンタクト
４９：ホスト基板
５０、５０ａ、５０ｂ：セラミック層
５２：デバイス
５８：サブマウント

Claims (24)

  1. ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光デバイスと、
    波長変換材料を含み、前記発光層によって放出された光の経路内に配置された第１のセラミック層と、
    を備えることを特徴とする構造体。
  2. 前記第１のセラミック層が剛性の蛍光体粒子塊を含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  3. 前記第１のセラミック層が実質的に結合材料を含まないことを特徴とする請求項２に記載の構造体。
  4. 前記蛍光体粒子の表面が柔らかくなり始め、該蛍光体粒子が互いに付着するまで、大気圧より高い圧力で粉末蛍光体粒子を加熱することによって、前記第１のセラミック層が形成されることを特徴とする請求項２に記載の構造体。
  5. 前記第１のセラミック層と前記半導体発光デバイスとの間に配置された接着剤層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  6. 前記接着剤層が、有機接着剤、エポキシ、シリコン、無機接着剤、及びソル・ゲルガラスの１つであることを特徴とする請求項５に記載の構造体。
  7. 前記接着剤層が、Ｓｃｈｏｔｔ ｇｌａｓｓ ＳＦ５９、Ｓｃｈｏｔｔ ｇｌａｓｓ ＬａＳＦ３、Ｓｃｈｏｔｔ ｇｌａｓｓ ＬａＳＦ Ｎ１８、カルコゲナイド・ガラス、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）カルコゲナイド・ガラス、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩＩ−ＶＩ族半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩＶ族半導体、Ｓｉ、Ｇｅ、有機半導体、酸化金属、酸化タングステン、酸化チタニウム、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化スズインジウム、酸化クロム、フッ化金属、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、金属、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｓｎ、イットリウム・アルミニウム・ガーネット、リン化合物、ヒ素化合物、アンチモン化合物、窒素化合物、及び高屈折率有機化合物の１つであることを特徴とする請求項５に記載の構造体。
  8. 前記第１のセラミック層が実質的に結合材料を含まないことを特徴とする請求項５に記載の構造体。
  9. 前記半導体発光デバイス及び前記第１のセラミック層を、室温より高い温度及び大気圧より高い圧力で一緒に押圧することによって形成される、該半導体発光デバイスと該第１のセラミック層との間の境界面をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  10. 前記第１のセラミック層の表面がレンズを含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  11. 前記第１のセラミック層の表面がドームを含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  12. 前記第１のセラミック層の表面がフレネルレンズを含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  13. 前記第１のセラミック層の表面がフォトニック結晶構造体を含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  14. 前記第１のセラミック層の表面がテキスチャ状にされたことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  15. 前記第１のセラミック層が、ドーパントでドープされた蛍光体を含み、ドーパントの濃度に勾配が付けられていることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  16. 前記濃度は、前記第１のセラミック層の第１の部分における第１の濃度から、該第１のセラミック層の第２の部分における第２の濃度まで勾配が付けられており、
    前記第１の濃度は前記第２の濃度より高く、
    前記第１の部分は前記第２の部分より前記半導体発光デバイスに近い、
    ことを特徴とする請求項１５に記載の構造体。
  17. 前記半導体発光デバイスが成長基板を含み、前記第１のセラミック層が前記成長基板に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  18. 前記半導体発光デバイスがホスト基板を含み、前記第１のセラミック層が前記ホスト基板の反対側の該半導体発光デバイスの表面に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  19. 前記発光層によって放出される光の経路内に配置された第２のセラミック層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  20. 前記第１のセラミック層が第１の波長変換材料を含み、前記第２のセラミック層が第２の波長変換材料を含むことを特徴とする請求項１９に記載の構造体。
  21. 前記第１のセラミック層が波長変換材料を含み、前記第２のセラミック層は波長変換材料を含まないことを特徴とする請求項１９に記載の構造体。
  22. 前記第１及び第２のセラミック層のうちの一方の表面の表面積が、光がデバイスから抽出される前記半導体発光デバイスの表面の表面積より大きいことを特徴とする請求項１９に記載の構造体。
  23. 前記波長変換材料が、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ≦０．１、０＜ａ≦０．２、及び０＜ｂ≦０．１）であるとして、（Ｌｕ1-x-y-a-bＹxＧｄy）3（Ａｌ1-zＧａz）5Ｏ12：ＣｅaＰｒb及びＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+を含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
  24. 前記第１のセラミック層と前記半導体発光デバイスの間に配置されたダイクロイックフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
JP2005192799A 2004-06-03 2005-06-03 発光デバイスのための発光セラミック Abandoned JP2006005367A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/861,172 US7361938B2 (en) 2004-06-03 2004-06-03 Luminescent ceramic for a light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006005367A true JP2006005367A (ja) 2006-01-05

Family

ID=34968466

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007514277A Active JP5009788B2 (ja) 2004-06-03 2005-05-25 発光装置用の発光セラミック
JP2005192799A Abandoned JP2006005367A (ja) 2004-06-03 2005-06-03 発光デバイスのための発光セラミック
JP2011279089A Pending JP2012060180A (ja) 2004-06-03 2011-12-21 発光装置用の発光セラミック

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007514277A Active JP5009788B2 (ja) 2004-06-03 2005-05-25 発光装置用の発光セラミック

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011279089A Pending JP2012060180A (ja) 2004-06-03 2011-12-21 発光装置用の発光セラミック

Country Status (7)

Country Link
US (4) US7361938B2 (ja)
EP (2) EP2775541B1 (ja)
JP (3) JP5009788B2 (ja)
KR (1) KR101228849B1 (ja)
CN (2) CN1977393A (ja)
TW (1) TW200614543A (ja)
WO (1) WO2005119797A1 (ja)

Cited By (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214579A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Philips Lumileds Lightng Co Llc 蛍光体変換発光デバイス
JP2007324608A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Philips Lumileds Lightng Co Llc 波長変換部材の変更による色管理
JP2008004948A (ja) * 2006-06-09 2008-01-10 Philips Lumileds Lightng Co Llc 低プロファイルの側面放射ｌｅｄ
KR100799859B1 (ko) * 2006-03-22 2008-01-31 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
JP2009529231A (ja) * 2006-03-06 2009-08-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール
JP2009529232A (ja) * 2006-03-06 2009-08-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール
JP2009534863A (ja) * 2006-04-25 2009-09-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光を作る蛍光照明
JP2009535775A (ja) * 2006-05-02 2009-10-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 車両用ヘッドライト
JP2009540558A (ja) * 2006-06-08 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
JP2010500747A (ja) * 2006-08-08 2010-01-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ナノ粒子をベースとする無機結合材料
JP2010512014A (ja) * 2006-12-05 2010-04-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明デバイス、とりわけ発光セラミックを有する照明デバイス
WO2010044240A1 (ja) 2008-10-15 2010-04-22 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
JP2010514187A (ja) * 2006-12-21 2010-04-30 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有形の波長変換器を有する発光装置
WO2010061592A1 (ja) 2008-11-28 2010-06-03 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
JP2010541295A (ja) * 2007-10-08 2010-12-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体波長コンバータが接合された発光ダイオード
JP2011501427A (ja) * 2007-10-16 2011-01-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ バックライティングアプリケーションのための側面放射ｌｅｄ光源
EP2282355A2 (en) 2009-08-07 2011-02-09 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module
EP2282340A2 (en) 2009-08-07 2011-02-09 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module
JP2011507272A (ja) * 2007-12-10 2011-03-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 簡易な光抽出方式の下方変換発光ダイオード
JP2011054795A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2011509427A (ja) * 2008-01-03 2011-03-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 表示装置及び照明装置
JP2011511445A (ja) * 2008-01-31 2011-04-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ディスプレイを背面照明するための照明装置および同照明装置を備えたディスプレイ
JP2011513898A (ja) * 2008-02-21 2011-04-28 日東電工株式会社 透光性セラミックプレートを備える発光装置
JP2011129354A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
JP2011188001A (ja) * 2006-11-28 2011-09-22 Cree Inc 固体発光ダイの光学的プリフォーム並びにその作製および組み立ての方法及びシステム
WO2011126000A1 (ja) * 2010-04-08 2011-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN102239578A (zh) * 2008-12-02 2011-11-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 Led组件
WO2012017595A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 株式会社小糸製作所 蛍光部材および発光モジュール
JPWO2010103840A1 (ja) * 2009-03-13 2012-09-13 株式会社小糸製作所 発光モジュール、および灯具ユニット
JP2012524995A (ja) * 2009-04-21 2012-10-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 蛍光体をもつ照明デバイス
JP2012527742A (ja) * 2009-05-22 2012-11-08 パナソニック株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた光源装置
US8459840B2 (en) 2008-06-02 2013-06-11 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
US8500315B2 (en) 2009-06-12 2013-08-06 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module and automotive headlamp
EP2645433A2 (en) 2012-03-28 2013-10-02 Nichia Corporation Wave-length conversion inorganic member, method for manufacturing the same, and light emitting device
US8556437B2 (en) 2009-12-17 2013-10-15 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
JP2013539229A (ja) * 2010-09-29 2013-10-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 波長変換型発光デバイス
TWI422057B (zh) * 2006-01-16 2014-01-01 Philips Lumileds Lighting Co 磷光體轉換發光裝置
US8684560B2 (en) 2009-11-18 2014-04-01 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
US8708511B2 (en) 2011-03-10 2014-04-29 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
US8716733B2 (en) 2010-06-29 2014-05-06 Nitto Denko Corporation Transfer sheet for phosphor layer and light-emitting device
JP2014132683A (ja) * 2014-03-14 2014-07-17 Koito Mfg Co Ltd 半導体素子および半導体素子の製造方法
US8801234B2 (en) 2010-04-14 2014-08-12 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module and optical wavelength converting member
JP2014521206A (ja) * 2011-07-05 2014-08-25 オスラム ゲーエムベーハー 変換素子の製造方法、及び、変換素子
JP2014525480A (ja) * 2011-08-16 2014-09-29 日東電工株式会社 蛍光体組成物およびその製造方法
US8872208B2 (en) 2011-05-20 2014-10-28 Stanley Electric Co., Ltd. Light source device and lighting device
US8937318B2 (en) 2012-04-24 2015-01-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device having tapered portions of different lengths
JP2015511773A (ja) * 2012-03-30 2015-04-20 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 波長変換側面被覆を具備する発光装置
JP2015126209A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9166112B2 (en) 2008-10-17 2015-10-20 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the light emitting module, and lamp unit
JP2016001756A (ja) * 2009-09-17 2016-01-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 高屈折率レンズを有するｌｅｄモジュール
US9366397B2 (en) 2013-01-18 2016-06-14 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus
US9373687B2 (en) 2009-09-25 2016-06-21 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting ceramic substrate including group-III nitride
JP2016524344A (ja) * 2013-07-08 2016-08-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換式半導体発光デバイス
KR20160098126A (ko) * 2016-08-01 2016-08-18 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101799716B1 (ko) * 2008-09-24 2017-11-20 루미레즈 엘엘씨 복합 기판 상에 성장되는 반도체 발광 장치
JP2018527743A (ja) * 2015-07-02 2018-09-20 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 波長変換発光デバイス
KR20220006658A (ko) * 2019-06-05 2022-01-17 루미레즈 엘엘씨 인광체 변환기 방출기들의 접합
US11411146B2 (en) 2020-10-08 2022-08-09 Lumileds Llc Protection layer for a light emitting diode
US11552225B2 (en) 2019-06-25 2023-01-10 Lumileds Llc Phosphor layer for micro-LED applications
US11749789B2 (en) 2019-10-09 2023-09-05 Lumileds Llc Optical coupling layer to improve output flux in LEDs
WO2024043010A1 (ja) * 2022-08-23 2024-02-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体ホイール、光源装置、投写型映像表示装置及び蛍光体ホイールの製造方法

Families Citing this family (304)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
CN101076744B (zh) * 2004-04-23 2010-05-12 光处方革新有限公司 用于发光二极管的光学歧管
US7380962B2 (en) * 2004-04-23 2008-06-03 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical manifold for light-emitting diodes
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US20070267646A1 (en) * 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
EP1763567A1 (en) * 2004-07-05 2007-03-21 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US20080093976A1 (en) * 2004-09-23 2008-04-24 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Light-Emitting Device
JP2008515184A (ja) * 2004-09-28 2008-05-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された変換層を有する発光装置
WO2006043719A1 (ja) * 2004-10-21 2006-04-27 Ube Industries, Ltd. 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US20080165523A1 (en) * 2005-01-10 2008-07-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination System Comprising Ceramic Luminescence Converter
US7901592B2 (en) * 2005-02-17 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter
WO2006093011A1 (ja) * 2005-03-01 2006-09-08 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
WO2006095285A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
JP2006291064A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Seiko Instruments Inc 蛍光体フィルム、照明装置、及び、これを有する表示装置
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
WO2007018222A1 (ja) * 2005-08-10 2007-02-15 Ube Industries, Ltd. 発光ダイオード用基板及び発光ダイオード
JP4476912B2 (ja) * 2005-09-29 2010-06-09 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
WO2007044472A2 (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Osram Sylvania Inc. Led with light transmissive heat sink
US7514721B2 (en) * 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
US7375379B2 (en) * 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
EP1979954B1 (en) * 2006-01-24 2015-03-18 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Light-emitting device
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US7682850B2 (en) * 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
EP1999800A1 (en) * 2006-03-21 2008-12-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode module and method for the manufacturing of such an led module
US8829779B2 (en) * 2006-03-21 2014-09-09 Koninklijke Philips N.V. Electroluminescent device
US7795600B2 (en) * 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
US8481977B2 (en) 2006-03-24 2013-07-09 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
JP5329392B2 (ja) * 2006-04-26 2013-10-30 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 改良された変換要素を備える導光装置
US20090206301A1 (en) * 2006-05-29 2009-08-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Inorganic phosphor bodies for light emitting diodes
EP2022095A4 (en) * 2006-05-30 2010-10-06 Univ Georgia Res Found WHITE PHOSPHERE, METHOD FOR PRODUCING WHITE PHOSPHERE, WHITE LIGHT EMITTING LEDS, METHOD FOR PRODUCING WHITE LIGHT EMITTING LEDS AND LIGHT BULB STRUCTURES
WO2007144809A1 (en) 2006-06-14 2007-12-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Lighting device
WO2008025723A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-06 Osram Sylvania Inc. Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters
JP5197368B2 (ja) * 2006-08-30 2013-05-15 京セラ株式会社 発光装置
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
EP2074668B1 (en) * 2006-10-10 2018-02-28 Tridonic Jennersdorf GmbH Phosphor-converted light emitting diode
CN101536199A (zh) * 2006-11-10 2009-09-16 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括单片陶瓷发光转换器的照明***
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
US7902560B2 (en) * 2006-12-15 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Tunable white point light source using a wavelength converting element
US20080149166A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Goldeneye, Inc. Compact light conversion device and light source with high thermal conductivity wavelength conversion material
DE102006061175A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren
US8704254B2 (en) * 2006-12-22 2014-04-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light emitting device including a filter
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
US7845822B2 (en) * 2006-12-29 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device including a color selecting panel for recycling unwanted light
ATE526382T1 (de) 2007-02-07 2011-10-15 Koninkl Philips Electronics Nv Beleuchtungssystem mit einem monolithischen keramischen verbundlumineszenzumwandler
ITTO20070099A1 (it) * 2007-02-09 2008-08-10 St Microelectronics Srl Procedimento per la realizzazione di un'interfaccia tra carburo di silicio e ossido di silicio con bassa densita' di stati
WO2008116123A1 (en) 2007-03-20 2008-09-25 Spudnik, Inc. Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
US7700967B2 (en) * 2007-05-25 2010-04-20 Philips Lumileds Lighting Company Llc Illumination device with a wavelength converting element held by a support structure having an aperture
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
WO2009012484A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 University Of Cincinnati Nearly index-matched luminescent glass-phosphor composites for photonic applications
WO2009016585A2 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color conversion device
US7538359B2 (en) * 2007-08-16 2009-05-26 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Backlight including side-emitting semiconductor light emitting devices
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
US20090050921A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light Emitting Diode Array
US7687810B2 (en) * 2007-10-22 2010-03-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Robust LED structure for substrate lift-off
US7846751B2 (en) * 2007-11-19 2010-12-07 Wang Nang Wang LED chip thermal management and fabrication methods
CN101868864B (zh) * 2007-11-20 2012-10-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 校准发光装置
US20090140279A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Substrate-free light emitting diode chip
EP2223351B8 (en) 2007-12-11 2018-09-05 Lumileds Holding B.V. Side emitting device with hybrid top reflector
US8283686B2 (en) 2007-12-11 2012-10-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
US20090154137A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Illumination Device Including Collimating Optics
CN101925772B (zh) * 2008-01-22 2016-09-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led和包括发光材料的透射支架的照明器件
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
RU2508616C2 (ru) * 2008-02-27 2014-02-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительное устройство с сид и одним или более пропускающими окнами
US10121950B2 (en) 2008-03-01 2018-11-06 Goldeneye, Inc. Lightweight solid state light source with common light emitting and heat dissipating surface
US10125931B2 (en) 2008-03-01 2018-11-13 Goldeneye, Inc. Barrier with integrated self cooling solid state light sources
US20090230409A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Underfill process for flip-chip leds
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
RU2496182C2 (ru) * 2008-04-08 2013-10-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительное устройство с сид и передающим основанием, включающим люминесцентный материал
US7859000B2 (en) 2008-04-10 2010-12-28 Cree, Inc. LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same
DE102008021436A1 (de) * 2008-04-29 2010-05-20 Schott Ag Optik-Konverter-System für (W)LEDs
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
WO2009136351A1 (en) * 2008-05-07 2009-11-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with led with a self-supporting grid containing luminescent material and method of making the self-supporting grid
CN101779303B (zh) * 2008-05-20 2011-06-15 松下电器产业株式会社 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明***
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
US8029595B2 (en) * 2008-06-02 2011-10-04 Nitto Denko Corporation Method and apparatus of producing nanoparticles using nebulized droplet
CN102124577A (zh) * 2008-06-26 2011-07-13 3M创新有限公司 制造光提取器的方法
EP2308103A4 (en) * 2008-06-26 2014-04-30 3M Innovative Properties Co LIGHT CONVERSION CONSTRUCTION
EP2308101A4 (en) * 2008-06-26 2014-04-30 3M Innovative Properties Co SEMICONDUCTOR LIGHT CONVERSION CONSTRUCTION
US20110101402A1 (en) * 2008-06-26 2011-05-05 Jun-Ying Zhang Semiconductor light converting construction
RU2011106473A (ru) 2008-07-22 2012-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Оптический элемент для светоизлучающего устройства и способ его изготовления
US10147843B2 (en) * 2008-07-24 2018-12-04 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device including a window layer and a light-directing structure
US20100279437A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Controlling edge emission in package-free led die
US8236582B2 (en) * 2008-07-24 2012-08-07 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Controlling edge emission in package-free LED die
US20100060143A1 (en) * 2008-08-21 2010-03-11 Zimmerman Scott M Color stabilized light source having a thermally conductive luminescent element and a light emitting diode
US7888691B2 (en) * 2008-08-29 2011-02-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter
WO2010027649A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-11 3M Innovative Properties Company Monochromatic light source with high aspect ratio
CN102197551A (zh) * 2008-09-04 2011-09-21 3M创新有限公司 由gan ld光泵的散热器上式ⅱ-ⅵ族mqw vcsel
CN102197554A (zh) * 2008-09-04 2011-09-21 3M创新有限公司 单色光源
JP2012502475A (ja) * 2008-09-04 2012-01-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 改善された単色性を有する光源
JP2012503307A (ja) * 2008-09-16 2012-02-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ポリマー波長変換素子
US7858409B2 (en) * 2008-09-18 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. White point compensated LEDs for LCD displays
WO2010035171A2 (en) * 2008-09-23 2010-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with thermally variable reflecting element
JP5373914B2 (ja) * 2008-09-23 2013-12-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 電気的可変散乱素子を具備する照明装置
JP5779097B2 (ja) * 2008-09-25 2015-09-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ コーティングされた発光デバイス及び発光デバイスをコーティングする方法
US9711688B2 (en) 2008-12-02 2017-07-18 Koninklijke Philips N.V. Controlling LED emission pattern using optically active materials
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8350462B2 (en) 2008-12-24 2013-01-08 3M Innovative Properties Company Light generating device having double-sided wavelength converter
US8865493B2 (en) 2008-12-24 2014-10-21 3M Innovative Properties Company Method of making double-sided wavelength converter and light generating device using same
US8137587B2 (en) * 2009-02-19 2012-03-20 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing phosphor translucent ceramics and light emitting devices
US8123981B2 (en) * 2009-02-19 2012-02-28 Nitto Denko Corporation Method of fabricating translucent phosphor ceramics
WO2010100942A1 (ja) * 2009-03-05 2010-09-10 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
CN102356479A (zh) * 2009-03-19 2012-02-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有远端发光材料的照明设备
US20100247893A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Goldeneye, Inc. High quality luminescent materials for solid state lighting applications
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
EP2417218B1 (en) * 2009-04-09 2019-06-12 Signify Holding B.V. Lamp for laser applications
CN102460741A (zh) 2009-05-05 2012-05-16 3M创新有限公司 具有增大的提取效率的再发光半导体构造
US8994071B2 (en) 2009-05-05 2015-03-31 3M Innovative Properties Company Semiconductor devices grown on indium-containing substrates utilizing indium depletion mechanisms
EP2427924A1 (en) 2009-05-05 2012-03-14 3M Innovative Properties Company Re-emitting semiconductor carrier devices for use with leds and methods of manufacture
WO2010131402A1 (ja) * 2009-05-15 2010-11-18 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
BRPI1007686B1 (pt) * 2009-05-19 2019-11-05 Koninl Philips Electronics Nv sistema de iluminação
CN102449373A (zh) * 2009-05-28 2012-05-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有封闭光源的罩的照明设备
DE102009023351A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
KR101800345B1 (ko) * 2009-06-01 2017-11-22 닛토덴코 가부시키가이샤 발광 세라믹 및 이를 이용한 발광 디바이스
WO2010143114A1 (en) 2009-06-11 2010-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led illumination device
EP2449856A1 (en) 2009-06-30 2012-05-09 3M Innovative Properties Company White light electroluminescent devices with adjustable color temperature
JP2012532454A (ja) 2009-06-30 2012-12-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー カドミウム非含有の再発光半導体構成体
KR20120055540A (ko) 2009-06-30 2012-05-31 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 전류 집중에 기초한 색 조정을 갖는 전계발광 디바이스
US8206672B2 (en) * 2009-07-10 2012-06-26 Nitto Denko Corporation Production of phase-pure ceramic garnet particles
US20110012147A1 (en) 2009-07-15 2011-01-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength-converted semiconductor light emitting device including a filter and a scattering structure
US8431423B2 (en) 2009-07-16 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reflective substrate for LEDS
US8803171B2 (en) * 2009-07-22 2014-08-12 Koninklijke Philips N.V. Reduced color over angle variation LEDs
US20110031516A1 (en) 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
CN102471521B (zh) 2009-08-12 2016-08-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 光学组成
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
US20110062469A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Molded lens incorporating a window element
US20110062472A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US20110062470A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reduced angular emission cone illumination leds
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
DE102009042205A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US8203161B2 (en) 2009-11-23 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
US8581229B2 (en) * 2009-11-23 2013-11-12 Koninklijke Philips N.V. III-V light emitting device with thin n-type region
US8105852B2 (en) * 2010-01-15 2012-01-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of forming a composite substrate and growing a III-V light emitting device over the composite substrate
US8203153B2 (en) * 2010-01-15 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. III-V light emitting device including a light extracting structure
US20110177638A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device with curvature control layer
US20110215348A1 (en) * 2010-02-03 2011-09-08 Soraa, Inc. Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials
CN102782089B (zh) * 2010-02-04 2015-07-22 日东电工株式会社 发光陶瓷层压制件及其制造方法
US20110198609A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-Emitting Devices with Through-Substrate Via Connections
US20110205049A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptive lighting system with iii-nitride light emitting devices
TWI492422B (zh) 2010-03-18 2015-07-11 Everlight Electronics Co Ltd 具有螢光粉層之發光二極體晶片的製作方法
US8324798B2 (en) * 2010-03-19 2012-12-04 Nitto Denko Corporation Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants
WO2011115820A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Nitto Denko Corporation Garnet-based phosphor ceramic sheets for light emitting device
EP2559077B1 (en) 2010-04-16 2019-06-12 Signify Holding B.V. Lighting device
US8269235B2 (en) 2010-04-26 2012-09-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system including collimators aligned with light emitting segments
US8232117B2 (en) 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
US8154052B2 (en) * 2010-05-06 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device grown on wavelength converting substrate
US20110291113A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Filter for a light emitting device
US9502608B2 (en) 2010-05-31 2016-11-22 Nichia Corporation Method of manufacturing a light emitting device in which light emitting element and light transmissive member are directly bonded
EP2407825A1 (en) 2010-07-08 2012-01-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Projection system comprising a solid state light source and a luminescent material.
EP2407826A1 (en) 2010-07-08 2012-01-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Projection system comprising a solid state light source and a luminescent material.
US8941135B2 (en) 2010-07-15 2015-01-27 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
FR2963113B1 (fr) * 2010-07-23 2013-03-29 Commissariat Energie Atomique Guide d'onde planaire nanophotonique comportant une structure de couplage optique avec une fibre optique
WO2012014360A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 株式会社小糸製作所 発光モジュール
CN102376860A (zh) * 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
JP2012039031A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Nitto Denko Corp 発光装置
TW201216526A (en) 2010-08-20 2012-04-16 Koninkl Philips Electronics Nv Lamination process for LEDs
JP5781838B2 (ja) * 2010-08-25 2015-09-24 スタンレー電気株式会社 車両用の光源装置および灯具
TWI486254B (zh) 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8242684B2 (en) 2010-09-27 2012-08-14 Osram Sylvania Inc. LED wavelength-converting plate with microlenses
US8334646B2 (en) 2010-09-27 2012-12-18 Osram Sylvania Inc. LED wavelength-coverting plate with microlenses in multiple layers
US8829777B2 (en) 2010-09-27 2014-09-09 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength converter and LED light source containing same
KR101719655B1 (ko) 2010-09-29 2017-03-24 서울반도체 주식회사 형광체 시트, 형광체 시트를 갖는 발광장치 및 그 제조 방법
CN102044624B (zh) * 2010-09-30 2012-03-21 比亚迪股份有限公司 一种可发复合光的led器件、发光元件及制造方法
TWI446590B (zh) 2010-09-30 2014-07-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
US8846172B2 (en) 2010-10-18 2014-09-30 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
EP2447746A1 (en) 2010-10-28 2012-05-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with waveguide plate
KR20130140048A (ko) * 2010-11-02 2013-12-23 코닌클리케 필립스 엔.브이. 향상된 추출 효율을 가진 발광 디바이스
WO2012075018A1 (en) * 2010-12-01 2012-06-07 Nitto Denko Corporation Emissive ceramic materials having a dopant concentration gradient and methods of making and using the same
EP2657990B1 (en) * 2010-12-20 2016-03-23 Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
DE102011010118A1 (de) * 2011-02-02 2012-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
CN103476903B (zh) * 2011-02-24 2016-08-24 日东电工株式会社 具有磷光体组分的发光复合物
JP2012186414A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Toshiba Corp 発光装置
US8884330B2 (en) 2011-04-13 2014-11-11 Osram Sylvania Inc. LED wavelength-converting structure including a thin film structure
US8492182B2 (en) * 2011-04-29 2013-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
TWI434913B (zh) 2011-07-12 2014-04-21 Bell Ceramics Co Ltd 螢光層及其製造方法與用途
US8704262B2 (en) 2011-08-11 2014-04-22 Goldeneye, Inc. Solid state light sources with common luminescent and heat dissipating surfaces
US8410508B1 (en) 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
US8841146B2 (en) 2011-09-12 2014-09-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics
US8912021B2 (en) 2011-09-12 2014-12-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
US8492746B2 (en) 2011-09-12 2013-07-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers
DE102012005654B4 (de) * 2011-10-25 2021-03-04 Schott Ag Optischer Konverter für hohe Leuchtdichten
CN106931333B (zh) 2011-11-23 2020-11-27 夸克星有限责任公司 发光装置
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
WO2013112435A1 (en) 2012-01-24 2013-08-01 Cooledge Lighting Inc. Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods
DE102012202927B4 (de) * 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
CN104508082A (zh) 2012-03-06 2015-04-08 日东电工株式会社 用于发光装置的陶瓷体
DE102012005657B4 (de) * 2012-03-22 2020-06-10 Schott Ag Weißlichtbeleuchtungsvorrichtung
JP5842701B2 (ja) * 2012-03-27 2016-01-13 信越化学工業株式会社 希土類元素が拡散された酸化物セラミック蛍光材料
JP2013203762A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置
CN104185908B (zh) 2012-03-29 2017-12-22 皇家飞利浦有限公司 用于led应用的无机结合剂中的磷光体
US9343613B2 (en) 2012-03-29 2016-05-17 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for LED applications
JP2013214449A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Yuichi Suzuki トロイダルレンズおよび照明装置
US9391243B2 (en) 2012-07-05 2016-07-12 Koninklijke Philips N.V. Phosphor separated from LED by transparent spacer
US9291763B2 (en) 2012-09-13 2016-03-22 Quarkstar Llc Light-emitting device with remote scattering element and total internal reflection extractor element
EP2895793B1 (en) 2012-09-13 2020-11-04 Quarkstar LLC Light-emitting devices with reflective elements
DE102012109650A1 (de) 2012-10-10 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US8754435B1 (en) * 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US9752757B2 (en) 2013-03-07 2017-09-05 Quarkstar Llc Light-emitting device with light guide for two way illumination
US9683710B2 (en) 2013-03-07 2017-06-20 Quarkstar Llc Illumination device with multi-color light-emitting elements
WO2014144706A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Quarkstar Llc Color tuning of light-emitting devices
KR102075982B1 (ko) 2013-03-15 2020-02-12 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
US9871167B2 (en) * 2013-04-11 2018-01-16 Koninklijke Philips N.V. Top emitting semiconductor light emitting device
JP2014225636A (ja) * 2013-04-16 2014-12-04 株式会社ディスコ 発光デバイス
WO2014175682A1 (ko) * 2013-04-24 2014-10-30 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
US20140339573A1 (en) * 2013-05-20 2014-11-20 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
CN105324859B (zh) * 2013-06-18 2019-06-04 夏普株式会社 光源装置以及发光装置
JP2016154062A (ja) * 2013-06-21 2016-08-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源、及び光源を具備する車両用ヘッドランプ
US9166372B1 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate
KR102098589B1 (ko) 2013-07-04 2020-04-09 삼성전자주식회사 파장변환부재 및 그 제조방법과, 이를 구비한 반도체 발광장치
WO2015008243A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Koninklijke Philips N.V. Pc led with optical element and without substrate carrier
DE102013013296B4 (de) * 2013-08-12 2020-08-06 Schott Ag Konverter-Kühlkörperverbund mit metallischer Lotverbindung und Verfahren zu dessen Herstellung
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
US9520695B2 (en) 2013-10-18 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
US9362715B2 (en) 2014-02-10 2016-06-07 Soraa Laser Diode, Inc Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9368939B2 (en) 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
EP3092666B1 (en) * 2014-01-07 2019-08-28 Lumileds Holding B.V. Glueless light emitting device with phosphor converter
KR102203680B1 (ko) * 2014-01-22 2021-01-15 엘지이노텍 주식회사 세라믹 형광체 플레이트 및 이를 포함하는 조명장치
US9995458B2 (en) * 2014-01-13 2018-06-12 Lg Innotek Co., Ltd. Ceramic phosphor plate and lighting device including the same
WO2015119858A1 (en) 2014-02-05 2015-08-13 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US9209596B1 (en) 2014-02-07 2015-12-08 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates
US9520697B2 (en) 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
FR3019380B1 (fr) * 2014-04-01 2017-09-01 Centre Nat Rech Scient Pixel semiconducteur, matrice de tels pixels, structure semiconductrice pour la realisation de tels pixels et leurs procedes de fabrication
CN110854185A (zh) 2014-05-30 2020-02-28 台达电子工业股份有限公司 半导体装置
US9929319B2 (en) * 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
RU2559974C1 (ru) * 2014-06-18 2015-08-20 Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") Способ получения оптической керамики на основе фторида кальция и изготовленная этим способом оптическая керамика
EP2963474A1 (de) 2014-07-05 2016-01-06 Swareflex GmbH Teilmattierte optische Linsen
EP3183091B8 (en) * 2014-08-19 2018-09-05 Lumileds Holding B.V. Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
WO2016078998A1 (en) * 2014-11-17 2016-05-26 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device
US9666677B1 (en) 2014-12-23 2017-05-30 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
CN107112399B (zh) * 2015-01-06 2020-11-13 亮锐控股有限公司 波长转换发光装置
CN107207957B (zh) 2015-01-21 2020-11-17 三菱化学株式会社 烧结荧光体、发光装置、照明装置、车辆前照灯及烧结荧光体的制造方法
DE102015203578A1 (de) * 2015-02-27 2016-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur herstellung von optoelektronischen bauelementen und optoelektronische bauelemente
DE102015102842A1 (de) 2015-02-27 2016-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtstoffkompositkeramik sowie Verfahren zu deren Herstellung
KR102572643B1 (ko) * 2015-05-13 2023-08-31 루미리즈 홀딩 비.브이. 다이 레벨의 레이저 리프트-오프 중에 기계적 손상을 줄이기 위한 사파이어 수집기
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
WO2017055041A1 (en) * 2015-09-29 2017-04-06 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device with ceramic garnet.
EP3200248B1 (en) * 2016-01-28 2020-09-30 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
CN107039572B (zh) * 2016-02-03 2019-05-10 行家光电股份有限公司 具非对称性光形的发光装置及其制造方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
EP3241880B1 (en) 2016-05-03 2018-04-18 Lumileds Holding B.V. Wavelength converting material for a light emitting device
MX2018013711A (es) 2016-05-09 2019-05-02 Gen Electric Materiales de fosforo dopados con manganeso para aplicaciones de alta densidad de potencia.
WO2018022456A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
JP6984599B2 (ja) 2016-07-27 2021-12-22 三菱ケミカル株式会社 焼結蛍光体、発光装置、照明装置及び車両用表示灯
CN107726056A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 广州市新晶瓷材料科技有限公司 高色域激光白光光源的制作方法
CN110024141B (zh) 2016-09-12 2022-02-15 亮锐有限责任公司 具有降低的黑视素光谱含量的照明***
US11011555B2 (en) * 2016-10-12 2021-05-18 Shaoher Pan Fabricating integrated light-emitting pixel arrays for displays
US10467952B2 (en) 2016-10-12 2019-11-05 Shaoher Pan Integrated light-emitting diode arrays for displays
US10886437B2 (en) 2016-11-03 2021-01-05 Lumileds Llc Devices and structures bonded by inorganic coating
US10793771B2 (en) 2017-03-03 2020-10-06 Citizen Electronics Co., Ltd. Phosphor film
US10128419B1 (en) * 2017-08-03 2018-11-13 Lumileds Llc Method of manufacturing a light emitting device
CN109411590B (zh) * 2017-08-17 2020-01-07 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构及发光单元
CN109755124A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 天津环鑫科技发展有限公司 一种硅片的玻璃烧成工艺
CN109461805B (zh) 2018-03-07 2021-08-10 普瑞光电股份有限公司 具有位于包含荧光体的玻璃转换板上的玻璃透镜的汽车led光源
US11024785B2 (en) * 2018-05-25 2021-06-01 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US20200161506A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Ceramic Converter Element, Ceramic Converter Element, and Optoelectronic Component
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
CN111365685B (zh) * 2018-12-26 2022-04-19 深圳光峰科技股份有限公司 一种具有高的红光亮度和高的可靠性的发光装置
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US11228158B2 (en) 2019-05-14 2022-01-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate
US10903623B2 (en) 2019-05-14 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
JP7503579B2 (ja) * 2020-02-07 2024-06-20 Ｊｘ金属株式会社 Ｙａｇセラミックス接合体及びその製造方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
KR20220043742A (ko) * 2020-09-29 2022-04-05 삼성전자주식회사 마이크로 led 및 이를 구비한 디스플레이 모듈
CN114361315A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 福建中科芯源光电科技有限公司 一种无机材料封装的白光led芯片、器件及其制备方法与应用
CN112624752A (zh) * 2020-12-22 2021-04-09 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 一种复合荧光陶瓷及高亮度led照明光源
US20220254962A1 (en) * 2021-02-11 2022-08-11 Creeled, Inc. Optical arrangements in cover structures for light emitting diode packages and related methods
CN113140663B (zh) * 2021-04-19 2022-10-21 马鞍山杰生半导体有限公司 Led发光元件及其制作方法
CN113778163B (zh) * 2021-11-11 2022-02-15 深圳市时代速信科技有限公司 具有温度补偿功能的氮化镓器件

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3103607A (en) * 1963-09-10 Electroluminescent lamp with ceramic dielectric
US3153166A (en) * 1960-08-05 1964-10-13 Westinghouse Electric Corp Electroluminescent device having connections on the base
US3932881A (en) * 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
US3959658A (en) * 1974-06-13 1976-05-25 Purdue Research Foundation Microwave dosimeter utilizing thermoluminescent materials
DE4402260A1 (de) 1994-01-26 1995-07-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs mit hoher Transluzenz
DE4425922B4 (de) * 1994-07-21 2004-03-18 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Leuchtstoffkeramik durch Heißpressen
US5744815A (en) * 1995-10-05 1998-04-28 Symbol Technologies, Inc. Beam splitting optics in bar code readers
JPH1041546A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nippon Sanso Kk 発光素子
JPH10229218A (ja) 1997-02-17 1998-08-25 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
ATE550461T1 (de) * 1997-04-11 2012-04-15 Nichia Corp Wachstumsmethode für einen nitrid-halbleiter
US6012303A (en) * 1997-06-11 2000-01-11 Saphikon, Inc. Eutectic bonding of single crystal components
JP4109756B2 (ja) * 1998-07-07 2008-07-02 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード
JP3645422B2 (ja) * 1998-07-14 2005-05-11 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
US6154176A (en) * 1998-08-07 2000-11-28 Sarnoff Corporation Antennas formed using multilayer ceramic substrates
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP3503131B2 (ja) * 1999-06-03 2004-03-02 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
US6504156B1 (en) 1999-07-16 2003-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic scintillator material and manufacturing method thereof, and radiation detector therewith and radiation inspection apparatus therewith
US6630691B1 (en) * 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
JP2001166717A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Canon Inc 蛍光シート及びその製造方法
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6409938B1 (en) * 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
KR100370398B1 (ko) * 2000-06-22 2003-01-30 삼성전자 주식회사 전자 및 ｍｅｍｓ 소자의 표면실장형 칩 규모 패키징 방법
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
WO2002041406A1 (en) * 2000-11-16 2002-05-23 Emcore Corporation Microelectronic package having improved light extraction
JP5110744B2 (ja) * 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
US7305515B2 (en) 2001-02-26 2007-12-04 International Business Machines Corporation Performance optimizing compiler for building a compiled DRAM
US7180100B2 (en) * 2001-03-27 2007-02-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US7968362B2 (en) * 2001-03-27 2011-06-28 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
WO2002089219A1 (fr) * 2001-04-17 2002-11-07 Nichia Corporation Appareil electroluminescent
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
US6630692B2 (en) 2001-05-29 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Nitride light emitting devices with low driving voltage
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
DE10137641A1 (de) * 2001-08-03 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hybrid-LED
EP3078899B1 (en) * 2001-08-09 2020-02-12 Everlight Electronics Co., Ltd Led illuminator and card type led illuminating light source
US6878973B2 (en) 2001-08-23 2005-04-12 Lumileds Lighting U.S., Llc Reduction of contamination of light emitting devices
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
JP2003124503A (ja) 2001-10-15 2003-04-25 Daido Steel Co Ltd 発光ダイオードチップの製造方法
JP2003168726A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体製造装置用静電チャックおよびその製造方法
WO2003052481A2 (en) * 2001-12-14 2003-06-26 Raytheon Company Precisely aligned lens structure and a method for its fabrication
US7279718B2 (en) 2002-01-28 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED including photonic crystal structure
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
US6828596B2 (en) 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
US20040012027A1 (en) * 2002-06-13 2004-01-22 Cree Lighting Company Saturated phosphor solid state emitter
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
EP1550356A1 (en) * 2002-10-01 2005-07-06 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Electroluminescent display with improved light outcoupling
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
US7554258B2 (en) * 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
US7210977B2 (en) 2003-01-27 2007-05-01 3M Innovative Properties Comapny Phosphor based light source component and method of making
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
JP4254266B2 (ja) * 2003-02-20 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP3948417B2 (ja) * 2003-02-28 2007-07-25 ノーリツ鋼機株式会社 光源ユニット
US7211831B2 (en) 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US6876008B2 (en) 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
FR2862437B1 (fr) * 2003-11-14 2006-02-10 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une micro-batterie au lithium
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
JP2005234496A (ja) 2004-02-23 2005-09-02 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd フリッカ補償回路
US7408201B2 (en) 2004-03-19 2008-08-05 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarized semiconductor light emitting device
US20050205883A1 (en) 2004-03-19 2005-09-22 Wierer Jonathan J Jr Photonic crystal light emitting device
US6956246B1 (en) 2004-06-03 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Resonant cavity III-nitride light emitting devices fabricated by growth substrate removal
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US7256483B2 (en) 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7754507B2 (en) 2005-06-09 2010-07-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of removing the growth substrate of a semiconductor light emitting device
US7514721B2 (en) * 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device

Cited By (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007214579A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Philips Lumileds Lightng Co Llc 蛍光体変換発光デバイス
TWI422057B (zh) * 2006-01-16 2014-01-01 Philips Lumileds Lighting Co 磷光體轉換發光裝置
JP2009529231A (ja) * 2006-03-06 2009-08-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール
JP2009529232A (ja) * 2006-03-06 2009-08-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール
KR100799859B1 (ko) * 2006-03-22 2008-01-31 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
US7608994B2 (en) 2006-03-22 2009-10-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. White light emitting device
JP2009534863A (ja) * 2006-04-25 2009-09-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光を作る蛍光照明
JP2009535775A (ja) * 2006-05-02 2009-10-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 車両用ヘッドライト
KR101370358B1 (ko) 2006-05-02 2014-03-05 코닌클리케 필립스 엔.브이. 차량용 헤드라이트
JP2007324608A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Philips Lumileds Lightng Co Llc 波長変換部材の変更による色管理
JP2009540558A (ja) * 2006-06-08 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
JP2008004948A (ja) * 2006-06-09 2008-01-10 Philips Lumileds Lightng Co Llc 低プロファイルの側面放射ｌｅｄ
JP2010500747A (ja) * 2006-08-08 2010-01-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ナノ粒子をベースとする無機結合材料
JP2011188001A (ja) * 2006-11-28 2011-09-22 Cree Inc 固体発光ダイの光学的プリフォーム並びにその作製および組み立ての方法及びシステム
JP2010512014A (ja) * 2006-12-05 2010-04-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明デバイス、とりわけ発光セラミックを有する照明デバイス
KR101423475B1 (ko) * 2006-12-05 2014-07-28 코닌클리케 필립스 엔.브이. 발광 세라믹을 지닌 조명 장치
JP2010514187A (ja) * 2006-12-21 2010-04-30 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有形の波長変換器を有する発光装置
KR101484461B1 (ko) * 2006-12-21 2015-01-20 코닌클리케 필립스 엔.브이. 성형된 파장 변환기를 가지는 발광 장치
JP2010541295A (ja) * 2007-10-08 2010-12-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体波長コンバータが接合された発光ダイオード
JP2011501427A (ja) * 2007-10-16 2011-01-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ バックライティングアプリケーションのための側面放射ｌｅｄ光源
JP2011507272A (ja) * 2007-12-10 2011-03-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 簡易な光抽出方式の下方変換発光ダイオード
JP2011509427A (ja) * 2008-01-03 2011-03-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 表示装置及び照明装置
JP2011511445A (ja) * 2008-01-31 2011-04-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ディスプレイを背面照明するための照明装置および同照明装置を備えたディスプレイ
TWI493746B (zh) * 2008-02-21 2015-07-21 Nitto Denko Corp 具有半透明陶瓷板之發光元件
JP2011513898A (ja) * 2008-02-21 2011-04-28 日東電工株式会社 透光性セラミックプレートを備える発光装置
US8684562B2 (en) 2008-06-02 2014-04-01 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
US8459840B2 (en) 2008-06-02 2013-06-11 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
KR101799716B1 (ko) * 2008-09-24 2017-11-20 루미레즈 엘엘씨 복합 기판 상에 성장되는 반도체 발광 장치
WO2010044240A1 (ja) 2008-10-15 2010-04-22 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
US8669575B2 (en) 2008-10-15 2014-03-11 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the light emitting module, and lamp unit
US9166112B2 (en) 2008-10-17 2015-10-20 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the light emitting module, and lamp unit
WO2010061592A1 (ja) 2008-11-28 2010-06-03 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
US8994051B2 (en) 2008-11-28 2015-03-31 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emission module, light emission module manufacturing method, and lamp unit
JP2012510716A (ja) * 2008-12-02 2012-05-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ｌｅｄ組立体
CN102239578A (zh) * 2008-12-02 2011-11-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 Led组件
JPWO2010103840A1 (ja) * 2009-03-13 2012-09-13 株式会社小糸製作所 発光モジュール、および灯具ユニット
JP2012524995A (ja) * 2009-04-21 2012-10-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 蛍光体をもつ照明デバイス
US9006763B2 (en) 2009-05-22 2015-04-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and light source device using the same
JP2012527742A (ja) * 2009-05-22 2012-11-08 パナソニック株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた光源装置
US8500315B2 (en) 2009-06-12 2013-08-06 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module and automotive headlamp
US8287148B2 (en) 2009-08-07 2012-10-16 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module
EP2282340A2 (en) 2009-08-07 2011-02-09 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module
US8860053B2 (en) 2009-08-07 2014-10-14 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module
EP2282355A2 (en) 2009-08-07 2011-02-09 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module
JP2011054795A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2016001756A (ja) * 2009-09-17 2016-01-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 高屈折率レンズを有するｌｅｄモジュール
US9373687B2 (en) 2009-09-25 2016-06-21 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting ceramic substrate including group-III nitride
US8684560B2 (en) 2009-11-18 2014-04-01 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
US8556437B2 (en) 2009-12-17 2013-10-15 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
JP2011129354A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
US9293642B2 (en) 2010-04-08 2016-03-22 Nichia Corporation Light emitting device including light emitting element and wavelength converting member with regions having irregular atomic arrangments
US9293643B2 (en) 2010-04-08 2016-03-22 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device including light emitting element and wavelength converting member
JPWO2011126000A1 (ja) * 2010-04-08 2013-07-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2011126000A1 (ja) * 2010-04-08 2011-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US8916399B2 (en) 2010-04-08 2014-12-23 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device including light emitting element and wavelength converting member
US8801234B2 (en) 2010-04-14 2014-08-12 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module and optical wavelength converting member
US8716733B2 (en) 2010-06-29 2014-05-06 Nitto Denko Corporation Transfer sheet for phosphor layer and light-emitting device
WO2012017595A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 株式会社小糸製作所 蛍光部材および発光モジュール
JP2012038889A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Koito Mfg Co Ltd 蛍光部材および発光モジュール
US8786172B2 (en) 2010-08-06 2014-07-22 Koito Manufacturing Co., Ltd. Fluorescent member and light emitting module
CN103053037A (zh) * 2010-08-06 2013-04-17 株式会社小糸制作所 荧光构件和发光模块
JP2016219821A (ja) * 2010-09-29 2016-12-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換型発光デバイス
US9431585B2 (en) 2010-09-29 2016-08-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting device
JP2018121071A (ja) * 2010-09-29 2018-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換型発光デバイス
US11171265B2 (en) 2010-09-29 2021-11-09 Lumileds Llc Light emitting device having an optically pumped semiconductor wavelength converting element
JP2013539229A (ja) * 2010-09-29 2013-10-17 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 波長変換型発光デバイス
US10490708B2 (en) 2010-09-29 2019-11-26 Lumileds Llc Wavelength converted light emitting device including a semiconductor wavelength converting material and a ceramic phosphor
US8708511B2 (en) 2011-03-10 2014-04-29 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
US8872208B2 (en) 2011-05-20 2014-10-28 Stanley Electric Co., Ltd. Light source device and lighting device
JP2014521206A (ja) * 2011-07-05 2014-08-25 オスラム ゲーエムベーハー 変換素子の製造方法、及び、変換素子
JP2014525480A (ja) * 2011-08-16 2014-09-29 日東電工株式会社 蛍光体組成物およびその製造方法
US9835310B2 (en) 2012-03-28 2017-12-05 Nichia Corporation Wave-length conversion inorganic member, and method for manufacturing the same
US8994259B2 (en) 2012-03-28 2015-03-31 Nichia Corporation Wave-length conversion inorganic member, and method for manufacturing the same
EP2645433A2 (en) 2012-03-28 2013-10-02 Nichia Corporation Wave-length conversion inorganic member, method for manufacturing the same, and light emitting device
US10224466B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with wavelength converting side coat
US10043952B2 (en) 2012-03-30 2018-08-07 Lumileds Llc Light emitting device with wavelength converting side coat
JP2015511773A (ja) * 2012-03-30 2015-04-20 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 波長変換側面被覆を具備する発光装置
US8937318B2 (en) 2012-04-24 2015-01-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device having tapered portions of different lengths
US9366397B2 (en) 2013-01-18 2016-06-14 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus
JP2016524344A (ja) * 2013-07-08 2016-08-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換式半導体発光デバイス
JP2015126209A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2014132683A (ja) * 2014-03-14 2014-07-17 Koito Mfg Co Ltd 半導体素子および半導体素子の製造方法
JP2018527743A (ja) * 2015-07-02 2018-09-20 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 波長変換発光デバイス
US10910529B2 (en) 2015-07-02 2021-02-02 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
US11742463B2 (en) 2015-07-02 2023-08-29 Lumileds Llc Wavelength converted light emitting device
KR20160098126A (ko) * 2016-08-01 2016-08-18 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101723201B1 (ko) * 2016-08-01 2017-04-05 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20220006658A (ko) * 2019-06-05 2022-01-17 루미레즈 엘엘씨 인광체 변환기 방출기들의 접합
KR102411413B1 (ko) 2019-06-05 2022-06-22 루미레즈 엘엘씨 인광체 변환기 방출기들의 접합
US11552225B2 (en) 2019-06-25 2023-01-10 Lumileds Llc Phosphor layer for micro-LED applications
US11749789B2 (en) 2019-10-09 2023-09-05 Lumileds Llc Optical coupling layer to improve output flux in LEDs
US11411146B2 (en) 2020-10-08 2022-08-09 Lumileds Llc Protection layer for a light emitting diode
WO2024043010A1 (ja) * 2022-08-23 2024-02-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体ホイール、光源装置、投写型映像表示装置及び蛍光体ホイールの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5009788B2 (ja) 2012-08-22
US9359260B2 (en) 2016-06-07
KR101228849B1 (ko) 2013-02-01
US20170309791A1 (en) 2017-10-26
EP2775541A3 (en) 2014-12-10
JP2008502131A (ja) 2008-01-24
US7361938B2 (en) 2008-04-22
JP2012060180A (ja) 2012-03-22
US10290775B2 (en) 2019-05-14
WO2005119797A1 (en) 2005-12-15
US20080138919A1 (en) 2008-06-12
EP1756877A1 (en) 2007-02-28
US20160254418A1 (en) 2016-09-01
US9722148B2 (en) 2017-08-01
EP2775541B1 (en) 2020-04-08
TW200614543A (en) 2006-05-01
CN102208521A (zh) 2011-10-05
EP2775541A2 (en) 2014-09-10
US20050269582A1 (en) 2005-12-08
KR20070042956A (ko) 2007-04-24
CN1977393A (zh) 2007-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10290775B2 (en) Luminescent ceramic for a light emitting device
JP5744116B2 (ja) 波長変換型半導体発光デバイス
EP2176892B1 (en) Light emitting device including a photonic crystal, a light valve and a luminescent ceramic
EP2106621B1 (en) Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
EP1958269B1 (en) Light emitting structure with luminescent ceramic layer and method of manufacturing the same
JP5490407B2 (ja) 多結晶セラミック構造の蛍光体、及び前記蛍光体を有する発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080602

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20090601