JP2008502131A - 発光装置用の発光セラミック - Google Patents

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Abstract

ｎ−型領域とｐ−型領域の間に設置された発光層を有する半導体発光装置は、発光層によって放射される光の光路に設置されたセラミック層と一体化される。セラミック層は、蛍光体のような波長変換材料で構成され、あるいはそのような材料を有する。本発明の実施例による発光セラミック層は、従来の蛍光体層よりも頑丈で、温度に対する感度が低い。また、発光セラミック層は、散乱が少ないため、従来の蛍光体層を超える高い変換効率が得られる。

Description

本発明は、波長変換式半導体発光装置に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、光スペクトルの特定の領域にピーク波長を有する光を発生させることが可能な半導体装置として、良く知られている。通常ＬＥＤは、照明器、標識およびディスプレイとして使用される。従来より、最も効率的なＬＥＤは、光スペクトルの赤色の領域にピーク波長を有する光、すなわち赤色光を放射するものである。ただし、スペクトルのＵＶから緑色の領域にピーク波長を有する光を効率的に放射する、ＩＩＩ族−窒化物ＬＥＤが開発されている。ＩＩＩ族−窒化物ＬＥＤは、従来のＬＥＤに比べて、極めて明るい出力光を提供することができる。
また、通常、ＩＩＩ族−窒化物装置からの光は、赤色光に比べて波長が短く、ＩＩＩ族−窒化物ＬＥＤによって生じる光は、変換により、容易により長い波長の光を形成することができる。発光／蛍光として知られる処理プロセスを利用することにより、第１のピーク波長を有する光（一次光）を、より長いピーク波長を有する光（二次光）に変換することが可能であることは、良く知られている。蛍光処理プロセスは、蛍光体のような波長変換材料によって、一次光を吸収するステップと、蛍光材料の発光中心を励起して、二次光を放射させるステップとを有する。二次光のピーク波長は、蛍光材料に依存する。蛍光材料の種類は、二次光が特定のピーク波長を有するように選定することができる。
図１を参照すると、この図には、米国特許第６，３５１，０６９号に記載の従来の蛍光体ＬＥＤ１０が示されている。ＬＥＤ１０は、ＩＩＩ族−窒化物色素１２を含んでおり、この色素は、活性化されると、青色の一次光を発生する。ＩＩＩ族−窒化物色素１２は、反射器キャップリードフレーム１４上に設置され、リード１６および１８と電気的に接続される。リード１６および１８は、ＩＩＩ族−窒化物色素１２に電力を誘導する。ＩＩＩ族−窒化物色素１２は、しばしば透明樹脂である層２０で覆われ、この層は、波長変換材料２２を含む。層２０の構成に利用される波長変換材料の種類は、蛍光材料２２によって生じる二次光の、所望のスペクトル分布に応じて変えることができる。ＩＩＩ族−窒化物色素１２および蛍光体層２０は、レンズ２４で覆われている。通常レンズ２４は、透明エポキシまたはシリコーンで構成される。
作動の際には、ＩＩＩ族−窒化物色素１２に電力が供給され、色素が活性化する。活性化の際、色素１２は、色素の上部表面から一次光を放射する。放射一次光の一部は、層２０内の波長変換材料２２によって吸収される。次に、この波長変換材料２２は、一次光の吸収に応答して、二次光、すなわちより長いピーク波長を有する変換光を放射する。放射一次光の残りの未吸収部分は、二次光とともに波長変換層を透過する。レンズ２４は、未吸収一次光と二次光を、出力光として矢印２６で示される一般的な方向に誘導する。これにより、出力光は、色素１２から放射された一次光と、波長変換層２０からから放射された二次光とで構成された複合光となる。また、ＵＶ一次光を放射する色素が、可視二次光を放射する１または２以上の波長変換材料と組み合わされる場合、波長変換材料は、極めて僅かの一次光しか装置から漏洩しないように、あるいは一次光が全く装置から漏洩しないように配置されても良い。
米国特許第６，３５１，０６９号 米国特許第６，６３０，６９１号 米国特許第６，６９６，７０３号 米国特許第６，５７６，４４８号
ＩＩＩ族−窒化物ＬＥＤは、高電力かつ高温で作動されるため、層２０に使用される有機封止材の透明度は低下し易く、装置に光抽出効率の好ましくない低下が生じ、装置から放射される光の外観に、好ましくない変化が生じるおそれがある。波長変換材料のいくつかの代替配置が提案されており、例えば、米国特許第６，６３０，６９１号には、単結晶発光基板上で、ＬＥＤ装置を成長させることが記載されており、米国特許第６，６９６，７０３号には、薄膜蛍光体層が記載されており、米国特許第６，５７６，４４８号には、電気泳動析出法で、また米国特許第６，６５０，０４４号には、ステンシル法で成膜された共形層（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｌａｙｅｒ）が記載されている。しかしながら、前述の解決策には、蛍光体／封止材系の光不均質性という一つの大きな問題があり、このため、散乱、さらには変換効率のロスが生じるおそれがある。
本発明の実施例では、ｎ−型領域とｐ−型領域の間に設置された発光層を有する半導体発光装置が、発光層によって放射される光の光路に設置されたセラミック層と組み合わされる。セラミック層は、蛍光体のような波長変換材料からなり、あるいはそのような材料を含む。本発明による発光セラミック層は、従来の蛍光体層に比べて、より頑丈（ｒｏｂｕｓｔ）で、温度に対する感度が低い。さらに、発光セラミックは、散乱性が低く、このため変換効率が高まり、従来の蛍光体層を超えるようになる。
薄膜のまたは共形の蛍光体層を有する前述の装置は、取り扱いが極めて難しい。蛍光体層は、脆くて壊れやすいためである。本発明の実施例では、蛍光体のような波長変換材料は、本願において「発光セラミック」と呼ばれるセラミック厚板に形成される。通常の場合、セラミック厚板は、半導体装置とは独立に形成された自己支持層であり、その後、完成した半導体装置に取り付けられ、あるいは半導体装置用の成長基板として使用される。セラミック層は、半透明または透明であり、これにより、共形層のような不透明波長変換層に見られる散乱ロスが抑制される。発光セラミック層は、薄膜のまたは共形の蛍光体層に比べて、より頑丈である。また、発光セラミック層は、固体であるため、この層を、同様に固体であるレンズおよび二次光学機器のような追加の光学素子に光学的に接触させることが容易である。
発光セラミック層内に形成される蛍光体の一例には、黄色−緑色領域の光を放射するＬｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋およびＹ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋のような、一般式が（Ｌｕ１−ｘ−ｙ−ａ−ｂＹｘＧｄｙ）３（Ａｌ１−ｚＧａｚ）５Ｏ１２：ＣｅａＰｒｂ、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ≦０．１、０＜ａ≦０．２、０＜ｂ≦０．１、ならびに赤色領域の光を放射するＳｒ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋のような、一般式が（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｘＣａｙ）２−ｚＳｉ５−ａＡｌａＮ８−ａＯａ：Ｅｕｚ ２＋、ここで０≦ａ＜５、０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦１のアルミニウムガーネット蛍光体が含まれる。適当なＹ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋セラミック厚板は、バイコウスキー社（Ｂａｉｋｏｗｓｋｉ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｈａｒｌｏｔｔｅ、ＮＣ）から入手できる。また他の緑色、黄色および赤色を放射する蛍光体としては、例えば、ＳｒＳｉ２Ｎ２Ｏ２：Ｅｕ２＋のような、（Ｓｒ１−ａ−ｂＣａｂＢａｃ）ＳｉｘＮｙＯｚ：Ｅｕａ ２＋（ａ＝０．００２〜０．２、ｂ＝０．０〜０．２５、ｃ＝０．０〜０．２５、ｘ＝１．５〜２．５、ｙ＝１．５〜２．５、ｚ＝１．５〜２．５）；例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋のような、（Ｓｒ１−ｕ−ｖ−ｘＭｇｕＣａｖＢａｘ）（Ｇａ２−ｙ−ｚＡｌｙＩｎｚＳ４）：Ｅｕ２＋；Ｓｒ１−ｘＢａｘＳｉＯ４：Ｅｕ２＋；ならびに例えばＣａＳ：Ｅｕ２＋およびＳｒＳ：Ｅｕ２＋のような、（Ｃａ１−ｘＳｒｘ）Ｓ：Ｅｕ２＋、ただし０＜ｘ≦１；を含むことが好ましい。
発光セラミックは、蛍光体粒子の表面が軟化し溶融し始めるまで、粉末蛍光体を高圧力下で加熱することにより形成しても良い。部分溶融粒子が相互に固着して、粒子の硬質凝集体が形成される。光学的な不連続性のない、光学的に単一の大きな蛍光体粒子として振る舞う薄膜とは異なり、発光セラミックは、稠密充填された個々の蛍光体粒子として振る舞うため、異なる蛍光体粒子同士の界面には、小さな光学的不連続性が存在する。従って、発光セラミックは、光学的にほとんど均一であり、発光セラミックを構成する蛍光体材料と同じ屈折率を有する。共形蛍光体層または樹脂のような透明材料中に設置された蛍光体層とは異なり、通常、発光セラミックは、蛍光体自身の他には結合材料（有機樹脂またはエポキシ等）が不要であり、そのため個々の蛍光体粒子の間には、極めて小さな空間または屈折率の異なる材料が存在する。その結果、発光セラミックは、共形蛍光体層とは異なり、透明または半透明となる。
発光セラミック層は、例えば、ウェハ接合法、焼結法、エポキシまたはシリコーンのような従来の有機接着材の薄膜層での接着法、高屈折率無機接着材での接着法、およびゾルゲルガラスでの接着法により、発光装置に設置されても良い。
高屈折率接着材の例には、ショットガラス（Ｓｃｈｏｔｔ ｇｌａｓｓ）ＳＦ５９、ショットガラスＬａＳＦ３、ショットガラスＬａＳＦ Ｎ１８、およびこれらの混合物のような高屈折率光学ガラスが含まれる。これらのガラスは、ドリエー（Ｄｕｒｙｅａ、Ｐａ）のショットガラステクノロジー社（Ｓｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ）から入手できる。他の高屈折率接着材の例には、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）カルコゲナイドガラスのような高屈折率カルコゲナイドガラス、これに限られるものではないが、ＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓおよびＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族半導体、これに限られるものではないが、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅおよびＣｄＴｅのようなＩＩ−ＶＩ族半導体、これに限られるものではないが、ＳｉおよびＧｅのようなＩＶ族半導体およびその化合物、有機半導体、これに限られるものではないが、タングステン酸化物、チタン酸化物、ニッケル酸化物、ジルコニウム酸化物、インジウムスズ酸化物およびクロム酸化物のような金属酸化物、これに限られるものではないが、マグネシウムフッ化物、カルシウムフッ化物のような金属フッ化物、これに限られるものではないが、Ｚｎ、Ｉｎ、ＭｇおよびＳｎのような金属、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、リン化合物、ヒ素化合物、アンチモン化合物、窒化物、高屈折率有機化合物、ならびにこれらの混合物または合金が含まれる。高屈折率無機接着材での接着法は、本願の参照文献として取り入れられている、２０００年９月１２日に出願された米国特許出願第０９／６６０，３１７号、および２００１年６月１２日に出願された米国特許出願第０９／８８０，２０４号に、より詳しく記載されている。
ゾルゲルガラスで接着する方法は、本願の参照文献として取り入れられている米国特許第６，６４２６１８号に、より詳しく記載されている。ゾルゲルガラスを用いて装置に発光セラミックが取り付けられた実施例では、ガラスの屈折率を発光セラミックおよび発光装置の屈折率により近づけるため、チタン、セリウム、鉛、ガリウム、ビスマス、カドミウム、亜鉛、バリウム、もしくはアルミニウムの各酸化物のような１または２以上の材料が、ＳｉＯ２ゾルゲルガラスに含有され、ガラスの屈折率が増大される。例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋セラミック層は、約１．７５から１．８の間の屈折率を有し、この層が半導体発光装置のサファイアの成長基板に取り付けられる。サファイア基板は、約１．８の屈折率を有する。接着材の屈折率を、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋セラミック層およびサファイア成長基板の屈折率と整合させることが好ましい。
いくつかの実施例では、発光セラミックは、半導体発光装置の成長基板として援用しても良い。これは、格子ミスマッチ基板（例えば、サファイアまたはＳｉＣ）上に成長させることができる、ＩｎＧａＮのようなＩＩＩ族−窒化物発光層を有することが特に好ましく、これにより高い転位密度が得られるが、ＬＥＤは、依然として高い外部量子効率を示す。このように、半導体発光装置は、同様の方法で発光セラミック上に成長させても良い。例えば、通常低温（〜５５０℃）で、金属−有機化学気相物理エピタキシーまたは別のエピタキシャル技術を用いて、発光セラミック基板上に、直接ＩＩＩ族−窒化物核発生層が成膜される。次に、通常は高温で、ＩＩＩ族−窒化物核発生層上に、ＧａＮ（「バッファ」層）より厚い層が成膜され、単結晶膜と合体される。バッファ層の厚さを厚くすることにより、全体的な転位密度を抑制し、層の品質を向上させることができる。最後に、ｎ−型およびｐ−型層が設置され、両者の間に、発光ＩＩＩ族−窒化物活性層が設置される。ＩＩＩ族−窒化物成長環境（例えば、１０００℃以上の温度のＮＨ３雰囲気）に耐え得る特性を得るため、成長基板として発光セラミックを選定する必要がある。セラミックは多結晶であり、得られるＩＩＩ族−窒化物層は、単結晶であるため、追加で特殊な成長条件を考慮しても良い。例えば、前述の状況では、ＧａＮバッファ層の内部に、複数の低温中間層を挿入して、ＧａＮの成長を「リセット」し、セラミック領域の配向が、ＩＩＩ族−窒化物装置層にまで延伸することを回避することが必要となる。これらのおよび他の技術は、格子ミスマッチ基板上で成長を行う技術として、よく知られている。適当な成長技術は、例えば、本願の参照文献として取り入れられている、本願の譲受人に譲渡された、Ｇｏｅｔｚらの米国特許第６，６３０，６９２号に記載されている。
以下の例では、ＩＩＩ族−窒化物発光ダイオードについて説明するが、本発明の実施例は、ＩＩＩ族−リン化合物およびＩＩＩ族−ヒ素化合物のような他の材料系の装置、ならびに共振孔ＬＥＤ、レーザーダイオード、垂直孔表面放射レーザーのような他の構造を含む、他の発光装置にも及ぶことを理解する必要がある。
図２および３には、発光セラミック層を有するＩＩＩ族−窒化物装置を示す。図２の装置では、適当な成長基板４０の上に、ｎ−型領域４２が成長しており、その後活性領域４３とｐ−型領域４４が形成される。成長基板４０は、例えば、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮまたは他のいかなる適当な成長基板であっても良い。ｎ−型領域４２、活性領域４３およびｐ−型領域４４の各々は、組成、厚さおよびドーパント濃度が異なる複数の層を含んでも良い。例えば、ｎ−型領域４２とｐ−型領域４４は、オーム抵抗が最適化された接触層、および活性領域４３内にキャリアを含むように最適化されたクラッド層を含んでも良い。活性領域４３は、単一の発光層を有しても良く、あるいはバリア層によって分離された複数の量子井戸発光層を有しても良い。
図２に示す装置では、ｐ−型領域４４および活性領域４３の一部がエッチング除去され、ｎ−型領域４２の一部が残留する。ｐ−接触部４５は、残留したｐ−型領域４４の部分に形成され、ｎ−接触部４６は、露出したｎ−接触部４６部分の上に形成される。図２に示した実施例では、接触部４５および４６は、反射性であり、光は、基板４０の背面を通って、装置から抽出される。あるいは、接触部４５および４６は、透明であり、またはｐ−型領域４４とｎ−型領域４２の表面の大部分が接触部によって被覆されずに残っていても良い。そのような装置では、光は、エピタキシャル構造の上部表面であって、接触部４５および４６が形成された表面を通って、装置から抽出される。
図３に示す装置では、エピタキシャル層は、ｐ−接触部４５を介してホスト基板４９に接合される。ｐ−型領域４４とホスト４９の間に、接合を容易にする追加の層（図示されていない）が導入されても良い。エピタキシャル層がホスト４９と接合された後、成長基板が除去され、ｎ−型領域４２の表面が露出する。活性領域のｐ−側との接触は、ホスト４９を介して行われる。ｎ−接触部４６は、ｎ−型領域４２の露出表面の一部に形成される。光は、ｎ−型領域４２の上部表面を介して、装置から抽出される。成長基板の除去については、本願の譲受人に譲渡され、本願の参照文献として取り入れられている、２００４年３月１９日に出願された「フォトニック結晶発光装置」と言う題目の米国特許出願第１０／８０４，８１０号に詳しく記載されている。
図２および３に記載の装置では、前述のセラミック層のような発光セラミック層５０は、装置の光が抽出される表面に設置される。すなわち、図２の基板４０の背面、および図３のｎ−型領域４２の上部である。セラミック層５０は、装置から光が抽出されるいかなる表面上に形成され、またはいかなる表面に取り付けられても良い。例えば、セラミック層５０は、図２に示す装置の側面に延伸しても良い。図３には、追加のフィルタ３０を示す。このフィルタにより、活性領域４３からの光は、セラミック層５０を通過するが、セラミック層５０によって放射された光は、反射するため、セラミック層５０によって放射された光が装置５２に入射することが抑制される。光が装置５２に入射することは、吸収およびロスにつながる。適当なフィルタの例には、リヒテンシュタインのユナキス（Ｕｎａｘｉｓ Ｂａｌｚｅｒｓ）社、またはカリフォルニア、サンタローザのオプティカルコーティングラボラトリー社（Ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏａｔｉｎｇ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｉｎｃ．）より入手できるダイクロイックフィルタが含まれる。
発光セラミック層５０は、単一の蛍光体を含んでも良く、あるいは相互に混合された複数の蛍光体を含んでも良い。いくつかの実施例では、セラミック層中の活性ドーパントの量は、傾斜化されている。図４には、発光セラミック層内の、傾斜化したドーピングプロファイルの一例を示す。図４において破線は、装置の表面を表している。装置表面に最近接のセラミック層の部分の蛍光体は、最も高いドーパント濃度を有する。装置表面からの距離が増大するとともに、蛍光体中のドーパント濃度が低下する。図４には、一定のドーパント濃度の領域を有する直線ドーパントプロファイルが示されているが、傾斜化プロファイルは、例えば、ステップ状の傾斜プロファイル、または指数関数的なプロファイルのような、いかなる形状を含んでも良く、ドーパント濃度が一定の領域を複数含んでも、ドーパント濃度が一定の領域を全く含まなくても良いことは明らかである。また、いくつかの実施例では、傾斜プロファイルを反転させ、装置表面に最近接の領域が、低いドーパント濃度を有し、装置表面からの距離の増加とともに、濃度が増加するようにすることが有意である。いくつかの実施例では、装置表面から最も遠いセラミック層の部分は、いかなる蛍光体またはいかなるドーパントも有さず、あるいは（以下に示すような）光抽出用に定形されても良い。
いくつかの実施例では、図５に示す装置のように、装置は、複数のセラミック層を有する。セラミック層５０ａは、例えば、図２および３に示す装置のいずれかのように、装置５２に設置される。セラミック層５０ｂは、セラミック層５０ａに設置される。いくつかの実施例では、２つのセラミック層５０ａおよび５０ｂの一方は、装置に使用される全ての波長変換材料を含有し、２つのセラミック層のうちの他方は、透明で、その層が装置５２に隣接するセラミック層である場合、スペーサ層として使用され、その層が装置５２から最も遠いセラミック層である場合、光抽出層として使用される。いくつかの実施例では、セラミック層５０ａおよび５０ｂの各々は、異なる一つの蛍光体または複数の蛍光体を有しても良い。図５には、２つのセラミック層が示されているが、３以上のセラミック層および／または３以上の蛍光体を有する装置が本発明の範囲に含まれることは明らかである。セラミック層５０ａおよび５０ｂ中の異なる蛍光体の配置、またはセラミック層５０ａおよび５０ｂ自身の配置は、装置内の複数の蛍光体同士の相互作用を制御するように選定されても良く、これは、２００４年２月２３日に出願され、本願の参照文献として取り入れられている米国特許出願第１０／７８５，６１６号に示されている。図５において、セラミック層５０ａおよび５０ｂは、装置５２の上部に積層された状態で示されているが、他の配置とすることも可能であり、そのような配置は、本発明の範囲に属する。いくつかの実施例では、１または２以上のセラミック層を有する装置は、図１に示す波長変換材料または薄膜フィルム、共形層および従来技術の欄において記載した発光物質等の他の波長変換層と組み合わされても良い。発光性を有さない透明セラミック層は、例えば、活性ドーパントを含まない、発光セラミック層と同様のホスト材料である。
発光セラミック層の利点は、例えば、光抽出性を高めるため、所望の形状にセラミック層を、成形、粉砕、機械加工、ホットスタンプまたは研磨することが可能であることである。通常、発光セラミック層は、高い屈折率を有し、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋セラミック層の場合、屈折率は１．７５乃至１．８である。高屈折率セラミック層と低屈折率の空気の間の界面での全内部反射を回避するため、セラミック層は、図６および７に示すような形状にしても良い。図６に示した装置では、発光セラミック層５４は、ドームレンズのようなレンズ型に定形される。装置からの光抽出は、セラミック層の上部を、無秩序にまたは例えば図７のようなフレネルレンズ形状に構造化することにより、さらに向上する。いくつかの実施例では、セラミック層の上部は、セラミック内に形成されたホールの周期格子のようなフォトニック結晶構造で構造化されても良い。定形セラミック層は、その層が設置された装置５２の面よりも小さく、またはこれと同寸法であっても良く、あるいは図６および７に示すように、その層が設置された装置５２の面よりも大きくても良い。図７のような装置では、上部にセラミック層が設置された装置５２の面の全長の少なくとも２倍の長さの底部を有する定形セラミック層において、好ましい光抽出が期待できる。いくつかの実施例では、波長変換材料は、装置５２に最近接のセラミック層の部分に収容される。他の実施例では、図７に示すように、波長変換材料は、第１のセラミック層５０ａ内に設置され、その後、第２の定形された透明セラミック層５０ｂに設置される。
いくつかの実施例では、上部セラミック層の表面は、光混合に必要な散乱性を高めるため、粗くされており、例えば、発光装置からの光と、１または２以上の波長変換材料からの光が装置内で混合されて、白色光が生じる。他の実施例では、従来から知られているレンズまたはライトガイドのような二次光学機器によって、十分な混合がなされる。
発光セラミック層の別の利点は、セラミックの熱特性が良好であることである。図８には、発光セラミック層と熱抽出構造とを有する装置が示されている。図８の装置は、図７に示すような透明または発光性のセラミック層５０ｂを有し、この層は、光抽出用に定形されている。層５０ｂと装置５２の間には、任意で追加の透明または発光性のセラミック層５０ａが設置される。装置５２は、例えば図２に示すようなフリップチップ等のサブマウント５８の上に設置される。サブマウント５８および図３のホスト基板４９は、例えば、Ｃｕ箔、Ｍｏ、Ｃｕ／ＭｏおよびＣｕ／Ｗのような金属；例えばＰｄ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇの１または２以上を含むΩ接触部を有するＳｉおよびそのようなΩ接触部を有するＧａＡｓのような、金属接触部を含む半導体；圧縮ダイヤモンドのようなセラミック；である。層５６は、セラミック層５０ｂをサブマウント５８に接続する熱伝導性材料であり、必要に応じて、発光セラミック層５０ａおよび／または５０ｂの温度が抑制され、これにより光出力が向上する。層５６に適した金属には、前述のサブマウント材料が含まれる。ＳｉＣのような伝導性物質を含むフリップチップ装置から熱を抽出する際、図８に示す配置は、特に有意である。
サファイア基板に拡散接合された、セリウムドープ化イットリウムアルミニウムガーネットセラミック厚板の例を以下に示す。
拡散結接合ＹＡＧ−サファイア複合材は、それらの複合材料の高い機械的強度および優れた光学的品質の点で、有意である。Ａｌ２Ｏ３および３Ｙ２Ｏ３ ５Ａｌ２Ｏ３の組成範囲のイットリア−アルミナの平衡状態図によれば、３３％Ａｌでの共晶（ｅｕｔｅｃｔｉｃｕｍ）を除き、他の相は存在しない。従って、焼結接合ＹＡＧ−サファイア複合材は、ＹＡＧセラミック（ｎｉ＝１．８４）とサファイア基板（ｎｉ＝１．７６）の間の（共析）界面で、平均的な屈折率を有し、これにより高品質の光学的な接触が得られる。また、ＹＡＧとサファイアでは、膨張係数が同等である（ＹＡＧ：６．９×１０−６Ｋ−１、Ａｌ２Ｏ３：８．６×１０−６Ｋ−１）ため、低機械的応力の焼結接合ウェハが形成される。
拡散接合ＹＡＧ：Ｃｅセラミック−サファイアウェハは、以下のようにして形成される。
ａ）ＹＡＧ：Ｃｅのセラミックの製作： ４０ｇのＹ２Ｏ３（９９．９９８％）、３２ｇのＡｌ２Ｏ３（９９．９９９％）、および３．４４ｇのＣｅＯ２をイソプロパノールに入れ、１．５ｋｇの高純度アルミナボール（直径２ｍｍ）を用いて、ローラーベンチで１２時間ミル処理した。乾燥後、ＣＯ雰囲気下、１３００℃で、前駆体粉末を２時間焼成した。次に得られたＹＡＧ粉末を、エタノール環境で、プラネットボールミル（瑪瑙ボール）を用いて粉砕した。次に、セラミックスラリーをスリップキャストし、乾燥後にセラミック生形体を得た。次に、この生形体をグラファイト板に挟んで、１７００℃で２時間焼結した。
ｂ）サファイアウェハとＹＡＧ：Ｃｅセラミックの拡散接合：一軸ホットプレス機器（ＨＵＰ）内で、研磨されたサファイアとＹＡＧのウェハを拡散接合する。このため、サファイアとＹＡＧのウェハを、タングステン箔（厚さ０．５ｍｍ）の間に積層して、グラファイト製圧縮型内に設置した。処理速度を高める場合、いくつかのサファイア／ＹＡＧ：Ｃｅセラミック／タングステン箔の積層物を積層することで、同時に処理が行われる。
ＨＵＰ機器の真空処理後、まず、外部圧力を加えずに、最大４時間で、温度を１７００℃まで昇温する。次に、３００ｂａｒの圧力を付与し、２時間この状態に保持する。この保持の後、圧力を一定に保持したまま、温度を最大２時間で１３００℃まで下げる。最後に、圧力開放後、最大６時間で、システムを室温まで冷却する。
ｃ）焼結接合サファイア−ＹＡＧ：Ｃｅウェハの後処理：焼結接合ウェハの表面を研磨した後、サンプルを１３００℃で２時間、空気中で熱処理し（加熱速度：３００Ｋ／時間）、その後、最大１２時間で室温まで冷却する。
本発明についての詳細な説明から、本願に示された本発明の思想から逸脱しないで、本願に記載された本発明を変更することが可能であることは、当業者には明らかである。従って、本発明の範囲は、示され記載された特定の実施例に限定されることを意図するものではない。
従来の蛍光体変換式半導体発光装置を示す図である。 セラミック蛍光体層を有するフリップチップ半導体発光装置を示す図である。 接合されたホスト基板とセラミック蛍光体層とを有する半導体発光装置を示す図である。 セラミック蛍光体層内のドーピングプロファイルの一例を示す図である。 複数のセラミック層を有する半導体発光装置を示す図である。 共有セラミック蛍光体層を有する半導体発光装置を示す図である。 装置内のエピタキシャル層よりも幅の広いセラミック蛍光体層を有する半導体発光装置を示す図である。 セラミック蛍光体層と熱抽出構造部とを有する半導体発光装置を示す図である。

Claims (24)

  1. ｎ−型領域とｐ−型領域の間に設置された発光層を有する半導体発光装置、および
    前記発光層によって放射される光の光路に設置された第１のセラミック層、
    を有する構造であって、
    前記第１のセラミック層は、波長変換材料を有する構造。
  2. 前記第１のセラミック層は、蛍光体粒子の硬質凝集体を有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
  3. 前記第１のセラミック層は、実質的に結合材を含まないことを特徴とする請求項２に記載の構造。
  4. 前記第１のセラミック層は、大気圧を超える圧力下で、粉末蛍光体粒子の表面が軟化し始め、前記粉末蛍光体粒子が相互に結合するまで、前記粉末蛍光体粒子を加熱することにより形成されることを特徴とする請求項２に記載の構造。
  5. さらに、前記第１のセラミック層と前記半導体発光装置の間に設置された接着層を有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
  6. 前記接着層は、有機接着材、エポキシ、シリコーン、無機接着材およびゾルゲルガラスのうちの一つであることを特徴とする請求項５に記載の構造。
  7. 前記接着層は、ショットガラスＳＦ５９、ショットガラスＬａＳＦ ３、ショットガラスＬａＳＦ Ｎ１８、カルコゲナイドガラス、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）カルコゲナイドガラス、ＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩＩ−ＶＩ族半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩＶ族半導体、Ｓｉ、Ｇｅ、有機半導体、金属酸化物、タングステン酸化物、チタン酸化物、ニッケル酸化物、ジルコニウム酸化物、インジウムスズ酸化物、クロム酸化物、金属フッ化物、マグネシウムフッ化物、カルシウムフッ化物、金属、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｓｎ、イットリウムアルミニウムガーネット、リン化合物、ヒ素化合物、アンチモン化合物、窒化物および高屈折率有機化合物のうちの一つを有することを特徴とする請求項５に記載の構造。
  8. 前記第１のセラミック層は、実質的に接着材を含まないことを特徴とする請求項５に記載の構造。
  9. さらに、前記半導体発光装置と前記第１のセラミック層との間に界面を有し、該界面は、室温を超える温度および大気圧を超える圧力で、前記半導体発光装置と、前記第１のセラミック層とを相互に圧縮することにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の構造。
  10. 前記第１のセラミック層の表面は、レンズを有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
  11. 前記第１のセラミック層の表面は、ドームを有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
  12. 前記第１のセラミック層の表面は、フレネルレンズを有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
  13. 前記第１のセラミック層の表面は、フォトニック結晶構造を有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
  14. 前記第１のセラミック層の表面は、構造化されていることを特徴とする請求項１に記載の構造。
  15. 前記第１のセラミックは、ドーパントがドープされた蛍光体を有し、ドーパントの濃度は傾斜化されていることを特徴とする請求項１に記載の構造。
  16. 前記濃度は、前記第１のセラミック層の第１の部分での第１の濃度から、前記第１のセラミック層の第２の部分での第２の濃度まで傾斜化され、前記第１の濃度は、前記第２の濃度よりも高く、
    前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記半導体発光装置に近いことを特徴とする請求項１５に記載の構造。
  17. 前記半導体発光装置は、成長基板を有し、前記第１のセラミック層は、前記成長基板に設置されることを特徴とする請求項１に記載の構造。
  18. 前記半導体発光装置は、ホスト格子を有し、前記第１のセラミック層は、前記半導体発光装置の前記ホスト格子とは反対側の表面に設置されることを特徴とする請求項１に記載の構造。
  19. さらに、前記発光層によって放射される光の光路に設置された、第２のセラミック層を有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
  20. 前記第１のセラミック層は、第１の波長変換材料を有し、
    前記第２のセラミック層は、第２の波長変換材料を有することを特徴とする請求項１９に記載の構造。
  21. 前記第１のセラミック層は、波長変換材料を有し、
    前記第２のセラミック層は、波長変換材料を有さないことを特徴とする請求項１９に記載の構造。
  22. 前記第１および第２のセラミック層のうち一つの表面の表面積は、前記半導体発光装置の、該装置から光が抽出される表面の表面積よりも大きいことを特徴とする請求項１９に記載の構造。
  23. 前記波長変換材料は、（Ｌｕ１−ｘ−ｙ−ａ−ｂＹｘＧｄｙ）３（Ａｌ１−ｚＧａｚ）５Ｏ１２：ＣｅａＰｒｂ、ただし０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ≦０．１、０＜ａ≦０．２、０＜ｂ≦０．１；Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋；およびＹ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋；のうちの一つを有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
  24. さらに、前記第１のセラミック層と前記半導体発光装置の間に設置された、ダイクロイックフィルタを有することを特徴とする請求項１に記載の構造。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012501090A (ja) * 2008-08-29 2012-01-12 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 波長変換半導体発光装置及びフィルタを含む光源
WO2012017595A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 株式会社小糸製作所 蛍光部材および発光モジュール
JP2012527763A (ja) * 2009-05-19 2012-11-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ｌｅｄのための光散乱及び変換板
JP2013518797A (ja) * 2010-02-04 2013-05-23 日東電工株式会社 発光セラミック積層体およびその作製方法
JP2014501685A (ja) * 2010-12-01 2014-01-23 日東電工株式会社 ドーパントの濃度勾配を有する放射性セラミック材料、ならびにその製造方法および使用方法
JP2014514368A (ja) * 2011-02-24 2014-06-19 日東電工株式会社 蛍光体成分を有する発光複合材
JP2014132683A (ja) * 2014-03-14 2014-07-17 Koito Mfg Co Ltd 半導体素子および半導体素子の製造方法
JP2017520917A (ja) * 2014-06-13 2017-07-27 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 赤色発光蛍光体を有するｌｅｄパッケージ
US10753574B2 (en) 2015-01-21 2020-08-25 Mitsubishi Chemical Corporation Sintered phosphor, light emitting device, illumination device, vehicle headlamp, and method for manufacturing sintered phosphor
US10793771B2 (en) 2017-03-03 2020-10-06 Citizen Electronics Co., Ltd. Phosphor film

Families Citing this family (355)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US7380962B2 (en) * 2004-04-23 2008-06-03 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical manifold for light-emitting diodes
EP1738107A4 (en) * 2004-04-23 2008-12-31 Light Prescriptions Innovators OPTICAL DISTRIBUTOR FOR LIGHT-EMITTING DIODES
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US20070267646A1 (en) * 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
JP2008505477A (ja) * 2004-07-05 2008-02-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射線源と蛍光物質とを含む照明システム
US20080093976A1 (en) * 2004-09-23 2008-04-24 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Light-Emitting Device
JP2008515184A (ja) * 2004-09-28 2008-05-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された変換層を有する発光装置
WO2006043719A1 (ja) * 2004-10-21 2006-04-27 Ube Industries, Ltd. 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
EP1838808B1 (en) * 2005-01-10 2011-06-15 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising ceramic luminescence converter
CN101129095B (zh) * 2005-02-17 2014-07-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括发绿光的陶瓷发光转换器的照明***
WO2006093011A1 (ja) * 2005-03-01 2006-09-08 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
WO2006095285A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
JP2006291064A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Seiko Instruments Inc 蛍光体フィルム、照明装置、及び、これを有する表示装置
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US7863636B2 (en) * 2005-08-10 2011-01-04 Ube Industries, Ltd. Substrate for light-emitting diode, and light-emitting diode
JP4476912B2 (ja) * 2005-09-29 2010-06-09 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
JP4950999B2 (ja) * 2005-10-07 2012-06-13 オスラム シルヴェニア インコーポレイテッド 透光性のヒートシンクを有するｌｅｄ
US7514721B2 (en) * 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
US7375379B2 (en) * 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
US7772604B2 (en) 2006-01-05 2010-08-10 Illumitex Separate optical device for directing light from an LED
WO2007080555A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
CN101370907A (zh) * 2006-01-16 2009-02-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有含Eu的磷光体材料的发光器件
WO2007085977A1 (en) * 2006-01-24 2007-08-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Light-emitting device
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
CN101395729B (zh) * 2006-03-06 2010-06-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光二极管模块
CN101401222B (zh) * 2006-03-06 2010-12-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光二极管模块
US7682850B2 (en) * 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
ATE542248T1 (de) * 2006-03-21 2012-02-15 Koninkl Philips Electronics Nv Elektrolumineszenz-gerät
JP2009530841A (ja) * 2006-03-21 2009-08-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール及びこのようなｌｅｄモジュールの製造方法
KR100799859B1 (ko) * 2006-03-22 2008-01-31 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
US8481977B2 (en) 2006-03-24 2013-07-09 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
US7795600B2 (en) * 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
RU2422945C2 (ru) * 2006-04-25 2011-06-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Флуоресцентное освещение, создающее белый свет
CN101431934B (zh) 2006-04-26 2011-01-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有改进的转换元件的光传输装置
WO2007125485A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Vehicle headlight
US20090206301A1 (en) * 2006-05-29 2009-08-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Inorganic phosphor bodies for light emitting diodes
WO2007143379A2 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 University Of Georgia Research Foundation White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting leds, methods of making white light emitting leds, and light bulb structures
US20090256167A1 (en) * 2006-06-08 2009-10-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
WO2007144809A1 (en) 2006-06-14 2007-12-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Lighting device
EP2052418A2 (en) * 2006-08-08 2009-04-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Nanoparticle based inorganic bonding material
EP2057693A1 (en) * 2006-08-29 2009-05-13 Osram-Sylvania Inc. Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters
WO2008026699A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Kyocera Corporation Light-emitting device
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
EP2074668B1 (en) * 2006-10-10 2018-02-28 Tridonic Jennersdorf GmbH Phosphor-converted light emitting diode
US20100012964A1 (en) * 2006-11-10 2010-01-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising monolithic ceramic luminescence converter
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
RU2451366C2 (ru) 2006-12-05 2012-05-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительное устройство, в частности, с люминесцентной керамикой
US7902560B2 (en) * 2006-12-15 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Tunable white point light source using a wavelength converting element
US20080149166A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Goldeneye, Inc. Compact light conversion device and light source with high thermal conductivity wavelength conversion material
KR101484461B1 (ko) * 2006-12-21 2015-01-20 코닌클리케 필립스 엔.브이. 성형된 파장 변환기를 가지는 발광 장치
DE102006061175A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
US8704254B2 (en) 2006-12-22 2014-04-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light emitting device including a filter
US7845822B2 (en) * 2006-12-29 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device including a color selecting panel for recycling unwanted light
US10023796B2 (en) 2007-02-07 2018-07-17 Lumileds Llc Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter
ITTO20070099A1 (it) * 2007-02-09 2008-08-10 St Microelectronics Srl Procedimento per la realizzazione di un'interfaccia tra carburo di silicio e ossido di silicio con bassa densita' di stati
US9525850B2 (en) 2007-03-20 2016-12-20 Prysm, Inc. Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
US7700967B2 (en) * 2007-05-25 2010-04-20 Philips Lumileds Lighting Company Llc Illumination device with a wavelength converting element held by a support structure having an aperture
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
US20100263723A1 (en) * 2007-07-19 2010-10-21 University Of Cincinnati Nearly Index-Matched Luminescent Glass-Phosphor Composites For Photonic Applications
WO2009016585A2 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color conversion device
US7538359B2 (en) * 2007-08-16 2009-05-26 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Backlight including side-emitting semiconductor light emitting devices
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
US20090050921A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light Emitting Diode Array
WO2009048704A2 (en) * 2007-10-08 2009-04-16 3M Innovative Properties Company Light emitting diode with bonded semiconductor wavelength converter
KR20100094463A (ko) * 2007-10-16 2010-08-26 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 백라이팅 응용을 위한 측면 발광 ｌｅｄ 광원
US7687810B2 (en) * 2007-10-22 2010-03-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Robust LED structure for substrate lift-off
US7846751B2 (en) * 2007-11-19 2010-12-07 Wang Nang Wang LED chip thermal management and fabrication methods
EP2212930B1 (en) * 2007-11-20 2018-02-21 Philips Lighting Holding B.V. Collimating light emitting apparatus
US20090140279A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Substrate-free light emitting diode chip
JP2011507272A (ja) * 2007-12-10 2011-03-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 簡易な光抽出方式の下方変換発光ダイオード
WO2009074919A1 (en) 2007-12-11 2009-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
WO2009074934A1 (en) 2007-12-11 2009-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
US20090154137A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Illumination Device Including Collimating Optics
WO2009083887A1 (en) * 2008-01-03 2009-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device and illumination device
EP2235428A2 (en) * 2008-01-22 2010-10-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with led and a transmissive support comprising a luminescent material
DE102008029191A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung eines Displays sowie ein Display mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
WO2009105581A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Nitto Denko Corporation Light emitting device with translucent ceramic plate
RU2508616C2 (ru) * 2008-02-27 2014-02-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительное устройство с сид и одним или более пропускающими окнами
US10125931B2 (en) 2008-03-01 2018-11-13 Goldeneye, Inc. Barrier with integrated self cooling solid state light sources
US10121950B2 (en) 2008-03-01 2018-11-06 Goldeneye, Inc. Lightweight solid state light source with common light emitting and heat dissipating surface
US20090230409A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Underfill process for flip-chip leds
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
CN101983436B (zh) * 2008-04-08 2012-10-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led和包括发光材料的透射支座的照明器件
US7859000B2 (en) 2008-04-10 2010-12-28 Cree, Inc. LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same
DE102008021436A1 (de) * 2008-04-29 2010-05-20 Schott Ag Optik-Konverter-System für (W)LEDs
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
CN102017204A (zh) * 2008-05-07 2011-04-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有包含发光材料的自支撑网格的led照明器件和制作自支撑网格的方法
CN101779303B (zh) * 2008-05-20 2011-06-15 松下电器产业株式会社 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明***
DE102008025756B4 (de) 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
US8029595B2 (en) * 2008-06-02 2011-10-04 Nitto Denko Corporation Method and apparatus of producing nanoparticles using nebulized droplet
EP2297278A1 (en) 2008-06-02 2011-03-23 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same
EP2308101A4 (en) * 2008-06-26 2014-04-30 3M Innovative Properties Co SEMICONDUCTOR LIGHT CONVERSION CONSTRUCTION
US8461608B2 (en) * 2008-06-26 2013-06-11 3M Innovative Properties Company Light converting construction
WO2009158158A2 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 3M Innovative Properties Company Method of fabricating light extractor
US20110101402A1 (en) * 2008-06-26 2011-05-05 Jun-Ying Zhang Semiconductor light converting construction
JP5542134B2 (ja) * 2008-07-22 2014-07-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 発光装置に関する光学要素及び光学要素の製造の方法
US20100279437A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Controlling edge emission in package-free led die
US10147843B2 (en) * 2008-07-24 2018-12-04 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device including a window layer and a light-directing structure
US8236582B2 (en) 2008-07-24 2012-08-07 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Controlling edge emission in package-free LED die
US20100060143A1 (en) * 2008-08-21 2010-03-11 Zimmerman Scott M Color stabilized light source having a thermally conductive luminescent element and a light emitting diode
WO2010027648A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-11 3M Innovative Properties Company I i-vi mqw vcsel on a heat sink optically pumped by a gan ld
WO2010027581A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-11 3M Innovative Properties Company Monochromatic light source
JP2012502474A (ja) * 2008-09-04 2012-01-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 高アスペクト比を有する単色光源
EP2335293A1 (en) * 2008-09-04 2011-06-22 3M Innovative Properties Company Light source with improved monochromaticity
CN102159664B (zh) * 2008-09-16 2015-01-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 聚合物波长转换元件
US7858409B2 (en) * 2008-09-18 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. White point compensated LEDs for LCD displays
WO2010035176A1 (en) * 2008-09-23 2010-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with electrical variable scattering element
US8432500B2 (en) * 2008-09-23 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with thermally variable reflecting element
US9117944B2 (en) * 2008-09-24 2015-08-25 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates
EP2335295B1 (en) * 2008-09-25 2021-01-20 Lumileds LLC Coated light emitting device and method of coating thereof
EP2346101A4 (en) 2008-10-15 2015-11-25 Koito Mfg Co Ltd LIGHT-EMITTING MODULE, MANUFACTURING METHOD FOR A LIGHT-EMITTING MODULE AND LIGHTING BODY
WO2010044239A1 (ja) 2008-10-17 2010-04-22 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
WO2010061592A1 (ja) 2008-11-28 2010-06-03 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
US9711688B2 (en) 2008-12-02 2017-07-18 Koninklijke Philips N.V. Controlling LED emission pattern using optically active materials
WO2010064177A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-10 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led assembly
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
EP2380216A2 (en) 2008-12-24 2011-10-26 3M Innovative Properties Company Light generating device having double-sided wavelength converter
WO2010075177A2 (en) 2008-12-24 2010-07-01 3M Innovative Properties Company Method of making double-sided wavelength converter and light generating device using same
US8123981B2 (en) * 2009-02-19 2012-02-28 Nitto Denko Corporation Method of fabricating translucent phosphor ceramics
US8137587B2 (en) * 2009-02-19 2012-03-20 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing phosphor translucent ceramics and light emitting devices
WO2010100942A1 (ja) * 2009-03-05 2010-09-10 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
US20120008306A1 (en) * 2009-03-13 2012-01-12 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module and lamp unit
WO2010106504A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with remote luminescent material
US20100247893A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Goldeneye, Inc. High quality luminescent materials for solid state lighting applications
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US9977169B2 (en) 2009-04-09 2018-05-22 Philips Lighting Holding B.V. Lamp for laser applications
EP2422230B1 (en) * 2009-04-21 2019-11-27 Signify Holding B.V. Illumination device with a phosphor
EP2427924A1 (en) 2009-05-05 2012-03-14 3M Innovative Properties Company Re-emitting semiconductor carrier devices for use with leds and methods of manufacture
CN102460741A (zh) 2009-05-05 2012-05-16 3M创新有限公司 具有增大的提取效率的再发光半导体构造
KR20120016261A (ko) 2009-05-05 2012-02-23 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 인듐 공핍 메커니즘을 이용하여 인듐-함유 기판 상에 성장된 반도체 디바이스
CN102428582B (zh) * 2009-05-15 2015-03-04 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
JP5662939B2 (ja) * 2009-05-22 2015-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた光源装置
BRPI1008218A2 (pt) * 2009-05-28 2016-07-05 Koninkl Philips Electronics Nv dispositivo de iluminação e lâmpada
DE102009023351A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
CN102449111B (zh) * 2009-06-01 2014-12-24 日东电工株式会社 发光陶瓷和使用发光陶瓷的发光装置
WO2010143114A1 (en) 2009-06-11 2010-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led illumination device
JP5410167B2 (ja) * 2009-06-12 2014-02-05 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用前照灯
CN102473817A (zh) 2009-06-30 2012-05-23 3M创新有限公司 无镉再发光半导体构造
JP5728007B2 (ja) 2009-06-30 2015-06-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 電流集中に基づく色調整を伴うエレクトロルミネセント素子
WO2011002686A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 3M Innovative Properties Company White light electroluminescent devices with adjustable color temperature
US8206672B2 (en) * 2009-07-10 2012-06-26 Nitto Denko Corporation Production of phase-pure ceramic garnet particles
US20110012147A1 (en) 2009-07-15 2011-01-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength-converted semiconductor light emitting device including a filter and a scattering structure
US8431423B2 (en) * 2009-07-16 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reflective substrate for LEDS
US8803171B2 (en) * 2009-07-22 2014-08-12 Koninklijke Philips N.V. Reduced color over angle variation LEDs
US20110031516A1 (en) 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
JP2011040495A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
JP2011040494A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
WO2011018746A1 (en) 2009-08-12 2011-02-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical composition
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
JP5368913B2 (ja) * 2009-09-02 2013-12-18 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US20110062470A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reduced angular emission cone illumination leds
US9385285B2 (en) 2009-09-17 2016-07-05 Koninklijke Philips N.V. LED module with high index lens
US20110062472A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US20110062469A1 (en) 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Molded lens incorporating a window element
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
DE102009042205A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
JP2011071323A (ja) 2009-09-25 2011-04-07 Koito Mfg Co Ltd 半導体素子および半導体素子の製造方法
US8684560B2 (en) * 2009-11-18 2014-04-01 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
US8203161B2 (en) * 2009-11-23 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
US8581229B2 (en) 2009-11-23 2013-11-12 Koninklijke Philips N.V. III-V light emitting device with thin n-type region
US8556437B2 (en) * 2009-12-17 2013-10-15 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
JP5530165B2 (ja) * 2009-12-17 2014-06-25 スタンレー電気株式会社 光源装置および照明装置
US8105852B2 (en) 2010-01-15 2012-01-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of forming a composite substrate and growing a III-V light emitting device over the composite substrate
US8203153B2 (en) 2010-01-15 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. III-V light emitting device including a light extracting structure
US20110177638A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device with curvature control layer
US20110215348A1 (en) * 2010-02-03 2011-09-08 Soraa, Inc. Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials
US20110198609A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-Emitting Devices with Through-Substrate Via Connections
US20110205049A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptive lighting system with iii-nitride light emitting devices
TWI492422B (zh) 2010-03-18 2015-07-11 Everlight Electronics Co Ltd 具有螢光粉層之發光二極體晶片的製作方法
US8324798B2 (en) * 2010-03-19 2012-12-04 Nitto Denko Corporation Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants
JP5749327B2 (ja) 2010-03-19 2015-07-15 日東電工株式会社 発光装置用ガーネット系蛍光体セラミックシート
CN102823000B (zh) 2010-04-08 2016-08-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP5497520B2 (ja) * 2010-04-14 2014-05-21 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび光波長変換部材
JP6087809B2 (ja) 2010-04-16 2017-03-01 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 照明デバイス
US8269235B2 (en) 2010-04-26 2012-09-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system including collimators aligned with light emitting segments
US8232117B2 (en) 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
US8154052B2 (en) 2010-05-06 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device grown on wavelength converting substrate
US20110291113A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Filter for a light emitting device
EP2579338B1 (en) 2010-05-31 2019-08-07 Nichia Corporation Light-emitting device and manufacturing method therefor
JP5427709B2 (ja) 2010-06-29 2014-02-26 日東電工株式会社 蛍光体層転写シートおよび発光装置
EP2407825A1 (en) 2010-07-08 2012-01-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Projection system comprising a solid state light source and a luminescent material.
EP2407826A1 (en) 2010-07-08 2012-01-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Projection system comprising a solid state light source and a luminescent material.
US8941135B2 (en) 2010-07-15 2015-01-27 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
FR2963113B1 (fr) * 2010-07-23 2013-03-29 Commissariat Energie Atomique Guide d'onde planaire nanophotonique comportant une structure de couplage optique avec une fibre optique
WO2012014360A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 株式会社小糸製作所 発光モジュール
CN102376860A (zh) * 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
JP2012039031A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Nitto Denko Corp 発光装置
TW201216526A (en) 2010-08-20 2012-04-16 Koninkl Philips Electronics Nv Lamination process for LEDs
JP5781838B2 (ja) * 2010-08-25 2015-09-24 スタンレー電気株式会社 車両用の光源装置および灯具
TWI486254B (zh) 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8242684B2 (en) 2010-09-27 2012-08-14 Osram Sylvania Inc. LED wavelength-converting plate with microlenses
US8829777B2 (en) 2010-09-27 2014-09-09 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength converter and LED light source containing same
US8334646B2 (en) 2010-09-27 2012-12-18 Osram Sylvania Inc. LED wavelength-coverting plate with microlenses in multiple layers
KR101719655B1 (ko) * 2010-09-29 2017-03-24 서울반도체 주식회사 형광체 시트, 형광체 시트를 갖는 발광장치 및 그 제조 방법
RU2596179C2 (ru) * 2010-09-29 2016-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство с преобразованной длиной волны
CN102044624B (zh) * 2010-09-30 2012-03-21 比亚迪股份有限公司 一种可发复合光的led器件、发光元件及制造方法
TWI446590B (zh) 2010-09-30 2014-07-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
US8846172B2 (en) 2010-10-18 2014-09-30 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
EP2447746A1 (en) 2010-10-28 2012-05-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device with waveguide plate
CN103180972A (zh) * 2010-11-02 2013-06-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有提高的提取效率的发光装置
EP2657990B1 (en) * 2010-12-20 2016-03-23 Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
DE102011010118A1 (de) 2011-02-02 2012-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
JP2012186414A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Toshiba Corp 発光装置
JP2012190628A (ja) 2011-03-10 2012-10-04 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
US8884330B2 (en) 2011-04-13 2014-11-11 Osram Sylvania Inc. LED wavelength-converting structure including a thin film structure
US8492182B2 (en) * 2011-04-29 2013-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
JP2012243624A (ja) 2011-05-20 2012-12-10 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
DE102011078663A1 (de) * 2011-07-05 2013-01-10 Osram Ag Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements und Konversionselement
TWI434913B (zh) 2011-07-12 2014-04-21 Bell Ceramics Co Ltd 螢光層及其製造方法與用途
US8704262B2 (en) 2011-08-11 2014-04-22 Goldeneye, Inc. Solid state light sources with common luminescent and heat dissipating surfaces
EP2744870B1 (en) * 2011-08-16 2017-11-22 Nitto Denko Corporation Phosphor compositions and methods of making the same
US8912021B2 (en) 2011-09-12 2014-12-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
US8492746B2 (en) 2011-09-12 2013-07-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers
US8841146B2 (en) 2011-09-12 2014-09-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics
US8410508B1 (en) 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
DE102012005654B4 (de) 2011-10-25 2021-03-04 Schott Ag Optischer Konverter für hohe Leuchtdichten
EP3367445B1 (en) 2011-11-23 2020-07-29 Quarkstar LLC Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light
US20130187540A1 (en) 2012-01-24 2013-07-25 Michael A. Tischler Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
DE102012202927B4 (de) * 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
CN104508082A (zh) 2012-03-06 2015-04-08 日东电工株式会社 用于发光装置的陶瓷体
DE102012005657B4 (de) 2012-03-22 2020-06-10 Schott Ag Weißlichtbeleuchtungsvorrichtung
JP2013203762A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置
JP5842701B2 (ja) * 2012-03-27 2016-01-13 信越化学工業株式会社 希土類元素が拡散された酸化物セラミック蛍光材料
CN103367611B (zh) 2012-03-28 2017-08-08 日亚化学工业株式会社 波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置
WO2013144919A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for led applications
US9337398B2 (en) 2012-03-29 2016-05-10 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for LED applications
JP6435258B2 (ja) * 2012-03-30 2018-12-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換側面被覆を具備する発光装置
JP2013214449A (ja) * 2012-04-03 2013-10-17 Yuichi Suzuki トロイダルレンズおよび照明装置
JP5900131B2 (ja) 2012-04-24 2016-04-06 豊田合成株式会社 発光装置
KR102183516B1 (ko) 2012-07-05 2020-11-27 루미리즈 홀딩 비.브이. 투명한 스페이서에 의해 ｌｅｄ로부터 분리된 인광체
WO2014043410A1 (en) 2012-09-13 2014-03-20 Quarkstar Llc Light-emitting devices with reflective elements
WO2014043384A1 (en) 2012-09-13 2014-03-20 Quarkstar Llc Light-emitting device with remote scattering element and total internal reflection extractor element
WO2014138591A1 (en) 2013-03-07 2014-09-12 Quarkstar Llc Illumination device with multi-color light-emitting elements
DE102012109650A1 (de) * 2012-10-10 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
JP2014137973A (ja) 2013-01-18 2014-07-28 Stanley Electric Co Ltd 光源装置
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US8754435B1 (en) * 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US9752757B2 (en) 2013-03-07 2017-09-05 Quarkstar Llc Light-emitting device with light guide for two way illumination
US10811576B2 (en) 2013-03-15 2020-10-20 Quarkstar Llc Color tuning of light-emitting devices
KR102075982B1 (ko) 2013-03-15 2020-02-12 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102245056B1 (ko) * 2013-04-11 2021-04-27 루미리즈 홀딩 비.브이. 전면 발광형 반도체 발광 장치
JP2014225636A (ja) * 2013-04-16 2014-12-04 株式会社ディスコ 発光デバイス
WO2014175682A1 (ko) * 2013-04-24 2014-10-30 주식회사 씨티랩 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
US20140339573A1 (en) * 2013-05-20 2014-11-20 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
CN105324859B (zh) * 2013-06-18 2019-06-04 夏普株式会社 光源装置以及发光装置
JP2016154062A (ja) * 2013-06-21 2016-08-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源、及び光源を具備する車両用ヘッドランプ
US9166372B1 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate
KR102098589B1 (ko) 2013-07-04 2020-04-09 삼성전자주식회사 파장변환부재 및 그 제조방법과, 이를 구비한 반도체 발광장치
CN111509112B (zh) 2013-07-08 2024-04-02 亮锐控股有限公司 波长转换的半导体发光器件
US20160172554A1 (en) * 2013-07-19 2016-06-16 Koninklijke Philips N.V. Pc led with optical element and without ssubstrate carrier
DE102013013296B4 (de) * 2013-08-12 2020-08-06 Schott Ag Konverter-Kühlkörperverbund mit metallischer Lotverbindung und Verfahren zu dessen Herstellung
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
US9368939B2 (en) 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
US9362715B2 (en) 2014-02-10 2016-06-07 Soraa Laser Diode, Inc Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9520695B2 (en) 2013-10-18 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region
JP6331389B2 (ja) * 2013-12-27 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6709159B2 (ja) * 2014-01-07 2020-06-10 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 蛍光変換体を有する接着剤のない発光デバイス
KR102203680B1 (ko) * 2014-01-22 2021-01-15 엘지이노텍 주식회사 세라믹 형광체 플레이트 및 이를 포함하는 조명장치
US9995458B2 (en) * 2014-01-13 2018-06-12 Lg Innotek Co., Ltd. Ceramic phosphor plate and lighting device including the same
US9343443B2 (en) 2014-02-05 2016-05-17 Cooledge Lighting, Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US9209596B1 (en) 2014-02-07 2015-12-08 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates
US9520697B2 (en) 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
FR3019380B1 (fr) * 2014-04-01 2017-09-01 Centre Nat Rech Scient Pixel semiconducteur, matrice de tels pixels, structure semiconductrice pour la realisation de tels pixels et leurs procedes de fabrication
TWI653742B (zh) 2014-05-30 2019-03-11 台達電子工業股份有限公司 半導體裝置與其之製造方法
RU2559974C1 (ru) * 2014-06-18 2015-08-20 Акционерное общество "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (АО "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") Способ получения оптической керамики на основе фторида кальция и изготовленная этим способом оптическая керамика
EP2963474A1 (de) 2014-07-05 2016-01-06 Swareflex GmbH Teilmattierte optische Linsen
CN111496379B (zh) * 2014-08-19 2022-08-26 亮锐控股有限公司 用于减少在管芯级激光剥离期间所受机械损伤的蓝宝石收集器
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
US20170314740A1 (en) * 2014-11-17 2017-11-02 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
US9666677B1 (en) 2014-12-23 2017-05-30 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
JP6738812B2 (ja) * 2015-01-06 2020-08-12 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 波長変換発光デバイス
DE102015203578A1 (de) * 2015-02-27 2016-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur herstellung von optoelektronischen bauelementen und optoelektronische bauelemente
DE102015102842A1 (de) 2015-02-27 2016-09-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtstoffkompositkeramik sowie Verfahren zu deren Herstellung
CN107924865B (zh) * 2015-05-13 2022-03-11 亮锐控股有限公司 用于减少在管芯水平激光剥离期间机械损伤的蓝宝石收集器
JP6890556B2 (ja) * 2015-07-02 2021-06-18 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 波長変換発光デバイス
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
WO2017055041A1 (en) * 2015-09-29 2017-04-06 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device with ceramic garnet.
CN107039572B (zh) * 2016-02-03 2019-05-10 行家光电股份有限公司 具非对称性光形的发光装置及其制造方法
US10230030B2 (en) * 2016-01-28 2019-03-12 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
EP3241880B1 (en) * 2016-05-03 2018-04-18 Lumileds Holding B.V. Wavelength converting material for a light emitting device
CA3022990C (en) 2016-05-09 2024-02-20 General Electric Company Manganese-doped phosphor materials for high power density applications
US10290777B2 (en) 2016-07-26 2019-05-14 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
JP6984599B2 (ja) 2016-07-27 2021-12-22 三菱ケミカル株式会社 焼結蛍光体、発光装置、照明装置及び車両用表示灯
KR101723201B1 (ko) * 2016-08-01 2017-04-05 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
CN107726056A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 广州市新晶瓷材料科技有限公司 高色域激光白光光源的制作方法
TWI756262B (zh) 2016-09-12 2022-03-01 荷蘭商露明控股公司 具有減少之黑視素(melanopic)光譜內容的發光系統
US11011555B2 (en) * 2016-10-12 2021-05-18 Shaoher Pan Fabricating integrated light-emitting pixel arrays for displays
US10467952B2 (en) 2016-10-12 2019-11-05 Shaoher Pan Integrated light-emitting diode arrays for displays
US10886437B2 (en) 2016-11-03 2021-01-05 Lumileds Llc Devices and structures bonded by inorganic coating
US10128419B1 (en) 2017-08-03 2018-11-13 Lumileds Llc Method of manufacturing a light emitting device
CN109411590B (zh) * 2017-08-17 2020-01-07 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构及发光单元
CN109755124A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 天津环鑫科技发展有限公司 一种硅片的玻璃烧成工艺
CN109461805B (zh) 2018-03-07 2021-08-10 普瑞光电股份有限公司 具有位于包含荧光体的玻璃转换板上的玻璃透镜的汽车led光源
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US20200161506A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Ceramic Converter Element, Ceramic Converter Element, and Optoelectronic Component
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
CN111365685B (zh) * 2018-12-26 2022-04-19 深圳光峰科技股份有限公司 一种具有高的红光亮度和高的可靠性的发光装置
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US10903623B2 (en) 2019-05-14 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate
US11228158B2 (en) 2019-05-14 2022-01-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate
JP7301172B2 (ja) * 2019-06-05 2023-06-30 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 蛍光体変換器の接合
WO2020259950A1 (en) 2019-06-25 2020-12-30 Lumileds Holding B.V. Phosphor layer for micro-led applications
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US11362243B2 (en) 2019-10-09 2022-06-14 Lumileds Llc Optical coupling layer to improve output flux in LEDs
US20220393424A1 (en) * 2020-02-07 2022-12-08 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Yag ceramic joined body and production method therefor
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
KR20220043742A (ko) * 2020-09-29 2022-04-05 삼성전자주식회사 마이크로 led 및 이를 구비한 디스플레이 모듈
US11411146B2 (en) 2020-10-08 2022-08-09 Lumileds Llc Protection layer for a light emitting diode
CN114361315A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 福建中科芯源光电科技有限公司 一种无机材料封装的白光led芯片、器件及其制备方法与应用
CN112624752A (zh) * 2020-12-22 2021-04-09 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 一种复合荧光陶瓷及高亮度led照明光源
US20220254962A1 (en) * 2021-02-11 2022-08-11 Creeled, Inc. Optical arrangements in cover structures for light emitting diode packages and related methods
CN113140663B (zh) * 2021-04-19 2022-10-21 马鞍山杰生半导体有限公司 Led发光元件及其制作方法
CN113778163B (zh) * 2021-11-11 2022-02-15 深圳市时代速信科技有限公司 具有温度补偿功能的氮化镓器件
WO2024043010A1 (ja) * 2022-08-23 2024-02-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体ホイール、光源装置、投写型映像表示装置及び蛍光体ホイールの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041546A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nippon Sanso Kk 発光素子
JP2000022222A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
JP2003168726A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体製造装置用静電チャックおよびその製造方法
JP2004146835A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ｌｅｄおよび発光変換体を有する光源、および発光変換体の製造方法

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3103607A (en) * 1963-09-10 Electroluminescent lamp with ceramic dielectric
US3153166A (en) * 1960-08-05 1964-10-13 Westinghouse Electric Corp Electroluminescent device having connections on the base
US3932881A (en) * 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
US3959658A (en) * 1974-06-13 1976-05-25 Purdue Research Foundation Microwave dosimeter utilizing thermoluminescent materials
DE4402260A1 (de) 1994-01-26 1995-07-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs mit hoher Transluzenz
DE4425922B4 (de) * 1994-07-21 2004-03-18 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Leuchtstoffkeramik durch Heißpressen
US5744815A (en) * 1995-10-05 1998-04-28 Symbol Technologies, Inc. Beam splitting optics in bar code readers
JPH10229218A (ja) 1997-02-17 1998-08-25 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
WO1998047170A1 (en) * 1997-04-11 1998-10-22 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device
US6012303A (en) * 1997-06-11 2000-01-11 Saphikon, Inc. Eutectic bonding of single crystal components
JP3645422B2 (ja) * 1998-07-14 2005-05-11 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
US6154176A (en) * 1998-08-07 2000-11-28 Sarnoff Corporation Antennas formed using multilayer ceramic substrates
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
JP3503131B2 (ja) * 1999-06-03 2004-03-02 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
US6504156B1 (en) 1999-07-16 2003-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic scintillator material and manufacturing method thereof, and radiation detector therewith and radiation inspection apparatus therewith
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6630691B1 (en) * 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
JP2001166717A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Canon Inc 蛍光シート及びその製造方法
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6409938B1 (en) * 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
KR100370398B1 (ko) * 2000-06-22 2003-01-30 삼성전자 주식회사 전자 및 ｍｅｍｓ 소자의 표면실장형 칩 규모 패키징 방법
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US7023022B2 (en) * 2000-11-16 2006-04-04 Emcore Corporation Microelectronic package having improved light extraction
JP5110744B2 (ja) * 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
US7305515B2 (en) 2001-02-26 2007-12-04 International Business Machines Corporation Performance optimizing compiler for building a compiled DRAM
US7968362B2 (en) * 2001-03-27 2011-06-28 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US7180100B2 (en) * 2001-03-27 2007-02-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US7019335B2 (en) * 2001-04-17 2006-03-28 Nichia Corporation Light-emitting apparatus
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
US6630692B2 (en) 2001-05-29 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Nitride light emitting devices with low driving voltage
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
DE10137641A1 (de) * 2001-08-03 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hybrid-LED
CN100504146C (zh) * 2001-08-09 2009-06-24 松下电器产业株式会社 Led照明装置和led照明光源
US6878973B2 (en) 2001-08-23 2005-04-12 Lumileds Lighting U.S., Llc Reduction of contamination of light emitting devices
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JPWO2003034508A1 (ja) * 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2003124503A (ja) 2001-10-15 2003-04-25 Daido Steel Co Ltd 発光ダイオードチップの製造方法
DE60239078D1 (de) * 2001-12-14 2011-03-10 Raytheon Co Präzise justierte linsenstruktur und eine methode zur herstellung derselben
US7279718B2 (en) 2002-01-28 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED including photonic crystal structure
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
CN100405620C (zh) * 2002-06-13 2008-07-23 美商克立股份有限公司 饱和型磷光体固态发射器
US6828596B2 (en) 2002-06-13 2004-12-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2006501617A (ja) * 2002-10-01 2006-01-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 光の外部結合を改善した電界発光ディスプレイ
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US7210977B2 (en) 2003-01-27 2007-05-01 3M Innovative Properties Comapny Phosphor based light source component and method of making
JP4254266B2 (ja) * 2003-02-20 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2004265977A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Noritsu Koki Co Ltd 発光ダイオード光源ユニット
US7211831B2 (en) 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US6876008B2 (en) 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
FR2862437B1 (fr) * 2003-11-14 2006-02-10 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une micro-batterie au lithium
JP2005234496A (ja) 2004-02-23 2005-09-02 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd フリッカ補償回路
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US7408201B2 (en) 2004-03-19 2008-08-05 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarized semiconductor light emitting device
US20050205883A1 (en) 2004-03-19 2005-09-22 Wierer Jonathan J Jr Photonic crystal light emitting device
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US6956246B1 (en) 2004-06-03 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Resonant cavity III-nitride light emitting devices fabricated by growth substrate removal
US7256483B2 (en) 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7754507B2 (en) 2005-06-09 2010-07-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of removing the growth substrate of a semiconductor light emitting device
US7514721B2 (en) * 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041546A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nippon Sanso Kk 発光素子
JP2000022222A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
JP2003168726A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体製造装置用静電チャックおよびその製造方法
JP2004146835A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ｌｅｄおよび発光変換体を有する光源、および発光変換体の製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012501090A (ja) * 2008-08-29 2012-01-12 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 波長変換半導体発光装置及びフィルタを含む光源
KR101622424B1 (ko) * 2008-08-29 2016-05-18 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 파장 변환 반도체 발광 장치 및 필터를 포함하는 광원
US9966512B2 (en) 2009-05-19 2018-05-08 Koninklijke Philips N.V. Light scattering and conversion plate for LEDs
JP2012527763A (ja) * 2009-05-19 2012-11-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ｌｅｄのための光散乱及び変換板
JP2013518797A (ja) * 2010-02-04 2013-05-23 日東電工株式会社 発光セラミック積層体およびその作製方法
KR101768010B1 (ko) 2010-02-04 2017-08-14 닛토덴코 가부시키가이샤 발광 세라믹 적층체 및 이를 제조하는 방법
US8786172B2 (en) 2010-08-06 2014-07-22 Koito Manufacturing Co., Ltd. Fluorescent member and light emitting module
JP2012038889A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Koito Mfg Co Ltd 蛍光部材および発光モジュール
WO2012017595A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 株式会社小糸製作所 蛍光部材および発光モジュール
JP2014501685A (ja) * 2010-12-01 2014-01-23 日東電工株式会社 ドーパントの濃度勾配を有する放射性セラミック材料、ならびにその製造方法および使用方法
KR101843760B1 (ko) 2010-12-01 2018-05-14 닛토 덴코 가부시키가이샤 도펀트 농도 구배를 갖는 방사성 세라믹 재료들 및 그것을 제조하고 사용하는 방법들
JP2014514368A (ja) * 2011-02-24 2014-06-19 日東電工株式会社 蛍光体成分を有する発光複合材
JP2014132683A (ja) * 2014-03-14 2014-07-17 Koito Mfg Co Ltd 半導体素子および半導体素子の製造方法
JP2017520917A (ja) * 2014-06-13 2017-07-27 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 赤色発光蛍光体を有するｌｅｄパッケージ
US10753574B2 (en) 2015-01-21 2020-08-25 Mitsubishi Chemical Corporation Sintered phosphor, light emitting device, illumination device, vehicle headlamp, and method for manufacturing sintered phosphor
US10793771B2 (en) 2017-03-03 2020-10-06 Citizen Electronics Co., Ltd. Phosphor film

Also Published As

Publication number Publication date
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JP2006005367A (ja) 2006-01-05
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CN102208521A (zh) 2011-10-05
EP2775541B1 (en) 2020-04-08
JP5009788B2 (ja) 2012-08-22
KR20070042956A (ko) 2007-04-24
US10290775B2 (en) 2019-05-14
US9359260B2 (en) 2016-06-07
TW200614543A (en) 2006-05-01
US20160254418A1 (en) 2016-09-01
JP2012060180A (ja) 2012-03-22
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