JP2013203762A - 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置 - Google Patents
波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013203762A JP2013203762A JP2012071100A JP2012071100A JP2013203762A JP 2013203762 A JP2013203762 A JP 2013203762A JP 2012071100 A JP2012071100 A JP 2012071100A JP 2012071100 A JP2012071100 A JP 2012071100A JP 2013203762 A JP2013203762 A JP 2013203762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- activator
- wavelength conversion
- conversion component
- ceramic
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 73
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 63
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 20
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000012764 semi-quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- -1 lutetium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/06—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain multicolour or other optical effects
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5045—Rare-earth oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/7721—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/24—Complex oxides with formula AMeO3, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. ortho ferrites
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/80—Optical properties, e.g. transparency or reflexibility
- C04B2111/805—Transparent material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
【解決手段】透光性セラミックスの表面に賦活剤を塗布し、この透光性セラミックスを高温で焼成し、表面に塗布した賦活剤を透光性セラミックス内に拡散することで得られる波長変換部品の製造方法。
【効果】本発明では入手が比較的容易な透光性セラミックスを用いて波長変換部品を製造することができる。
【選択図】なし
【効果】本発明では入手が比較的容易な透光性セラミックスを用いて波長変換部品を製造することができる。
【選択図】なし
Description
本発明は、光源から発光した光の一部を透過し、一部を波長変換する波長変換部品、それを用いた発光装置、及び波長変換部品の製造方法に関する。
発光ダイオードは、現在利用可能な光源の中で最も効率的な光源の一つである。近年、青色発光LEDと蛍光体を組み合わせた白色LEDについての開発が盛んに行われている。例えば、特開2007−150331号公報(特許文献1)には、ガーネット等を含む波長変換部品として、発光素子より放出される光を波長変換する、透光性でかつ均質な波長変換部品と、この波長変換部品を備える発光装置について示されている。そして、その波長変換部品が、従来の蛍光体とそれを分散させる樹脂とを組み合わせた波長変換層と比較して、高い耐熱性と高い機械的強度とが期待でき、発光素子の出力が大きくなるに従い増大する発熱に対して、高い耐久性が期待できるとされている。
このような波長変換部品を製造する方法として、予め波長変換部品の構成元素と同じ組成の原料を成形、加工し、これを高温で焼結することが挙げられる。
本発明は、上記従来方法と異なる波長変換部品の製造方法及びこれによって得られる波長変換部品並びにこの波長変換部品を用いた発光装置を提供することを目的とするものである。
本発明の製造方法は、光源から発光した光を波長変換する波長変換部品において、予め波長変換部品のうち、賦活剤を除いた組成をもつ透光性の部品を作製しておき、この部品の表面に賦活剤となる成分を塗布後、高温雰囲気下で部品中に賦活剤を拡散させることで、波長変換部品を得るものである。
例えば、波長変換部品を構成する母体としては、透光性のアルミナ、透光性イットリウムアルミニウムガーネット、透光性ルテチウムアルミニウムガーネット等が挙げられるが、このような部材は比較的入手が容易である。また、これらの母体を用いた蛍光材料の賦活剤として一般的に使用されているTb、Eu、Ceの酸化物なども比較的入手は容易である。しかし、特定の賦活剤含有率の波長変換部品を入手することは容易ではない。
そこで、本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、入手が比較的容易な透光性セラミックスを母体材料とし、これに賦活剤となる成分を塗布、高温にて拡散することで、波長変換部品を製造しうることを知見し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、下記の波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置を提供するものである。
(1)多結晶透光性セラミックスの表面に賦活剤を塗布する工程と、賦活剤が塗布された透光性セラミックスを焼成し、表面に塗布された賦活剤を透光性セラミックス内に拡散する工程を含む波長変換部品の製造方法。
(2)多結晶透光性セラミックスが、Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12又はAl2O3の組成をもつ(1)記載の波長変換部品の製造方法。
(3)賦活剤が、セリウム、ユウロピウム及びテルビウムから選ばれる元素の酸化物である(1)又は(2)記載の波長変換部品の製造方法。
(4)焼成温度が1000〜1800℃である(1)〜(3)のいずれかに記載の波長変換部品の製造方法。
(5)多結晶透光性セラミックスの表面から賦活剤を拡散してなり、賦活剤が透光性セラミックスを構成する多結晶体の結晶粒の粒界近傍に結晶粒の中心より高濃度に分布していることを特徴とする波長変換部品。
(6)賦活剤が、透明セラミックスを構成する多結晶体の結晶粒の粒界から中心部に行くに従いその濃度が低下するような賦活剤の濃度分布を有する(5)記載の波長変換部品。
(7)透明セラミックス内の賦活剤濃度がその表層からセラミックス深部に行くに従い次第に低くなるような厚み方向濃度分布を有している(5)又は(6)記載の波長変換部品。
(8)多結晶透光性セラミックスが、Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12又はAl2O3の組成をもつ(5)〜(7)のいずれかに記載の波長変換部品。
(9)賦活剤が、セリウム、ユウロピウム及びテルビウムから選ばれる元素の酸化物である(5)〜(8)のいずれかに記載の波長変換部品。
(10)(5)〜(9)のいずれかに記載の波長変換部品を用いた発光装置。
(1)多結晶透光性セラミックスの表面に賦活剤を塗布する工程と、賦活剤が塗布された透光性セラミックスを焼成し、表面に塗布された賦活剤を透光性セラミックス内に拡散する工程を含む波長変換部品の製造方法。
(2)多結晶透光性セラミックスが、Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12又はAl2O3の組成をもつ(1)記載の波長変換部品の製造方法。
(3)賦活剤が、セリウム、ユウロピウム及びテルビウムから選ばれる元素の酸化物である(1)又は(2)記載の波長変換部品の製造方法。
(4)焼成温度が1000〜1800℃である(1)〜(3)のいずれかに記載の波長変換部品の製造方法。
(5)多結晶透光性セラミックスの表面から賦活剤を拡散してなり、賦活剤が透光性セラミックスを構成する多結晶体の結晶粒の粒界近傍に結晶粒の中心より高濃度に分布していることを特徴とする波長変換部品。
(6)賦活剤が、透明セラミックスを構成する多結晶体の結晶粒の粒界から中心部に行くに従いその濃度が低下するような賦活剤の濃度分布を有する(5)記載の波長変換部品。
(7)透明セラミックス内の賦活剤濃度がその表層からセラミックス深部に行くに従い次第に低くなるような厚み方向濃度分布を有している(5)又は(6)記載の波長変換部品。
(8)多結晶透光性セラミックスが、Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12又はAl2O3の組成をもつ(5)〜(7)のいずれかに記載の波長変換部品。
(9)賦活剤が、セリウム、ユウロピウム及びテルビウムから選ばれる元素の酸化物である(5)〜(8)のいずれかに記載の波長変換部品。
(10)(5)〜(9)のいずれかに記載の波長変換部品を用いた発光装置。
本発明によれば、比較的入手が容易な透光性セラミックスを用いて、任意の賦活剤を添加した波長変換部品を得ることができる。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に用いる母体となる透光性のセラミックスは、Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12、Al2O3から選ばれるものが好ましい。これらの透光性セラミックスは、本発明の波長変換材料用途以外に光学材料、構造材料として広く用いられており、比較的入手が容易な材料である。しかし、これらの材料を母体とした波長変換部品を使用する場合は、従来はその賦活剤の濃度、種類、部品のサイズなどが限定された透光性セラミックスを目的に応じて各々製造していた。この方法で得られた波長変換部品によって目的とする発光特性を得ようとする場合、波長変換部品の賦活剤濃度やサイズがわずかに変わっても、目的とする発光特性が得られないため、賦活剤の濃度、波長変換部品のサイズを厳密にコントロールする必要があった。
本発明に用いる母体となる透光性のセラミックスは、Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12、Al2O3から選ばれるものが好ましい。これらの透光性セラミックスは、本発明の波長変換材料用途以外に光学材料、構造材料として広く用いられており、比較的入手が容易な材料である。しかし、これらの材料を母体とした波長変換部品を使用する場合は、従来はその賦活剤の濃度、種類、部品のサイズなどが限定された透光性セラミックスを目的に応じて各々製造していた。この方法で得られた波長変換部品によって目的とする発光特性を得ようとする場合、波長変換部品の賦活剤濃度やサイズがわずかに変わっても、目的とする発光特性が得られないため、賦活剤の濃度、波長変換部品のサイズを厳密にコントロールする必要があった。
白色LED等の可視光もしくは紫外光の一部もしくは全部の波長を変換する部品では、賦活剤の濃度の異なるものを得る方法としては、一般的に各々の賦活剤濃度を含んだ混合原料を合成し、成形、焼結する必要があった。このような必要性に対応するには、賦活剤濃度を変化させた非常に多くの組成の原料が必要であるし、この波長変換部品から目的の特性を得るには、波長変換部品のサイズについて精密な加工技術が必要であった。このような製造上の困難さを改善するためには、透光性セラミックスに含有される賦活剤の量を部品の母材の種類や加工サイズによらずにコントロールできる方法が好ましく、本発明ではこの点で従来の方法よりも優れた製造方法を提供することができる。
Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12、Al2O3等の透光性セラミックスは各々組成が決まっている物質であり、単一サイズのものを製造することは比較的容易である。これらのセラミックスを製造する方法については、例えばY3Al5O12セラミックスについては特許第2866891号公報等でその製造方法が詳細に述べられている。これらの透光性セラミックスに賦活剤を導入する方法としては、本発明では、透光性セラミックスの表面に賦活剤を塗布した後、透光性セラミックス内部に賦活剤を拡散する方法がとられる。この際、透光性セラミックスは多結晶体であることが必要である。賦活剤は多結晶の結晶粒界に沿って内部に拡散し、更に結晶粒中に拡散してゆくため、単結晶では波長変換部品として使用するに十分な量の賦活剤を導入することができないからである。透光性セラミックス中への賦活剤の拡散方法は、透光性セラミックス表面に賦活剤が塗布された状態で高温でアニールする方法がよい。
ここで、賦活剤としては、希土類元素やその酸化物が用いられ、特にセリウム、ユウロピウム及びテルビウムから選ばれる元素の酸化物が用いられる。
透光性セラミックスに塗布する賦活剤の形態としては、酸化物粒子、金属箔、酸化物蒸着膜、無機塩、有機塩、錯体等の形態が挙げられるが、母体となる透光性セラミックス上に均一な塗布が可能な形状であればどのような形状でもよい。
この場合、好ましくは酸化物等の粒子を水、アルコール等の溶媒に分散したものを塗布した後、溶媒を揮散等により除去する方法を採用し得る。或いはスパッタリング、真空蒸着等の手段で賦活剤を透光性セラミックスに沈着塗布することもできる。
この場合、好ましくは酸化物等の粒子を水、アルコール等の溶媒に分散したものを塗布した後、溶媒を揮散等により除去する方法を採用し得る。或いはスパッタリング、真空蒸着等の手段で賦活剤を透光性セラミックスに沈着塗布することもできる。
賦活剤の塗布量は1cm2あたり3×10-6モル以上3×10-5モル以下がよい。塗布量が1cm2あたり3×10-6モル未満では拡散する賦活剤の量が少なく、発光セラミックスとして良好な性能を得られないおそれがある。また、1cm2あたり3×10-5モル/cm2を超える塗布量では、高温での焼成時に表面での賦活剤単独での焼結や表面付近での賦活剤と母体の反応により複合物が生成し、賦活剤の母体への拡散が阻害されるため、良好な賦活剤の拡散状態が得られない場合がある。
賦活剤の塗布量は上記範囲内で変化させることで、例えば同じ青色LEDを照射した場合でも異なった発光色を得ることができる。一例を挙げると、透光性YAGに対して酸化セリウムを均一に塗布した後アニールしたものでは、塗布する酸化セリウムを少なくして製造した波長変換部品は、青色LEDを照射した際に黄色光に変換する割合が少なく、色温度の高い発光が得られるが、塗布する酸化セリウムの量を増やすに従って全体として暖色の発光になってゆく。本発明では賦活剤の塗布量を変えることで、波長変換部品の発色を変えることができるため、波長変換部品の精密な加工が不要になる点が特徴である。
塗布された賦活剤はその性状によっては塗布後に乾燥、800℃以下での仮焼成等を行なってもよい。
賦活剤の塗布量は上記範囲内で変化させることで、例えば同じ青色LEDを照射した場合でも異なった発光色を得ることができる。一例を挙げると、透光性YAGに対して酸化セリウムを均一に塗布した後アニールしたものでは、塗布する酸化セリウムを少なくして製造した波長変換部品は、青色LEDを照射した際に黄色光に変換する割合が少なく、色温度の高い発光が得られるが、塗布する酸化セリウムの量を増やすに従って全体として暖色の発光になってゆく。本発明では賦活剤の塗布量を変えることで、波長変換部品の発色を変えることができるため、波長変換部品の精密な加工が不要になる点が特徴である。
塗布された賦活剤はその性状によっては塗布後に乾燥、800℃以下での仮焼成等を行なってもよい。
賦活剤が塗布された透光性セラミックスは高温で加熱されることで、賦活剤が透光性セラミックス内に拡散する。賦活剤の拡散に適した焼成温度は透光性セラミックスの種類、賦活剤の種類によって異なるが、1000〜1800℃、好ましくは1500℃以上1700℃以下、より好ましくは1600℃以上1700℃以下がよい。1000℃未満の温度では、賦活剤の透光性セラミックスへの拡散が十分に進まないおそれがあるためであり、1800℃を超える温度では母体となる透光性セラミックス自身が変形などするおそれがあるため、いずれも良好な波長変換部品が得られにくい場合があるからである。
焼成雰囲気は賦活剤の種類によるが、大気雰囲気、還元性雰囲気、真空雰囲気等がよい。また、焼成後再度高温での加熱処理を行なってもよい。
なお、焼成時間は、通常1〜24時間であり、より好ましくは3〜15時間、更に好ましくは5〜12時間である。
焼成雰囲気は賦活剤の種類によるが、大気雰囲気、還元性雰囲気、真空雰囲気等がよい。また、焼成後再度高温での加熱処理を行なってもよい。
なお、焼成時間は、通常1〜24時間であり、より好ましくは3〜15時間、更に好ましくは5〜12時間である。
透光性セラミックス内部への賦活剤成分の拡散は、まず透光性セラミックスの粒界に沿って起こり、更には粒界から結晶粒子内部へと拡散していく。この場合、賦活剤が透光性セラミックスの粒界に沿って拡散することで、粒界近傍における濃度が結晶粒の中心に比べ高濃度となり、また結晶粒の粒界から中心部に向うに従いその濃度が低下するような賦活剤の濃度分布を有する。
賦活剤の拡散する深さは、透光性セラミックスの種類、結晶粒の大きさ、賦活剤の種類、焼成温度、時間によるが、一般に50〜600μmである。
なお、賦活剤濃度は、その表層からセラミックス深部に向うに従い、次第に低くなるような厚み方向濃度分布を有する。
賦活剤を拡散した透光性セラミックスは、未拡散の賦活剤の除去を目的として賦活剤塗布面を研磨してもよいし、光の拡散性の向上や透過性の向上を目的として凹凸を増やすためにサンドブラスト等で荒らしてもよい。
なお、賦活剤濃度は、その表層からセラミックス深部に向うに従い、次第に低くなるような厚み方向濃度分布を有する。
賦活剤を拡散した透光性セラミックスは、未拡散の賦活剤の除去を目的として賦活剤塗布面を研磨してもよいし、光の拡散性の向上や透過性の向上を目的として凹凸を増やすためにサンドブラスト等で荒らしてもよい。
このような方法で製造された波長変換部品は透光性が高く、また吸収光に対する発光の内部量子効率も高いものが得られる。
本発明においてアニール後に得られた透光性セラミックスの表面は平滑であり、BEIによる断面観察では表面の狭い範囲に局限して母材の結晶粒界に賦活剤拡散領域が確認された。この希土類拡散領域の厚み及び希土類元素の拡散状況は透光性セラミックス表面の各部で均一であり、青色LEDからの励起光による蛍光性が確認された。
本発明においてアニール後に得られた透光性セラミックスの表面は平滑であり、BEIによる断面観察では表面の狭い範囲に局限して母材の結晶粒界に賦活剤拡散領域が確認された。この希土類拡散領域の厚み及び希土類元素の拡散状況は透光性セラミックス表面の各部で均一であり、青色LEDからの励起光による蛍光性が確認された。
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
[実施例1]
平均粒径200nmの酸化セリウム粒子1gを20gのアクリルエマルジョン〔ビニゾール 1020(大同化成工業(株)製)〕中に投入した後、35khzの超音波を30分印加し、セリウム粒子の分散を行なった。
次に、基体として純度99.99%、2インチ角で厚さ1mm、波長450nmの光の直線透過率が75%の透光性YAGセラミックスを用意した。この表面に霧吹きにより先に調製した酸化セリウム分散溶液を塗布した後に120℃のオーブン中で乾燥させ、基体の表面に酸化セリウムの塗布層を形成した。塗布後の重量を計測したところ、81.3mgの重量増加が認められ、表面に面積当たり3.15mg/cm2の酸化セリウムが塗布されていることがわかった。この透光性YAGセラミックスを大気中600℃で仮焼したのち、Ar98%,水素2%の混合ガス雰囲気中において1650℃で5時間焼成を行なった。
焼成後の波長変換部品の断面をSEM観察したところ、波長変換部品を構成する結晶粒界に沿ってセリウムが拡散している様子が確認された。拡散は表面から深部方向に約100μmであった。
得られた波長変換部品に波長450nmの光を照射すると発光波長ピークが約552nmの発光が観察された。
平均粒径200nmの酸化セリウム粒子1gを20gのアクリルエマルジョン〔ビニゾール 1020(大同化成工業(株)製)〕中に投入した後、35khzの超音波を30分印加し、セリウム粒子の分散を行なった。
次に、基体として純度99.99%、2インチ角で厚さ1mm、波長450nmの光の直線透過率が75%の透光性YAGセラミックスを用意した。この表面に霧吹きにより先に調製した酸化セリウム分散溶液を塗布した後に120℃のオーブン中で乾燥させ、基体の表面に酸化セリウムの塗布層を形成した。塗布後の重量を計測したところ、81.3mgの重量増加が認められ、表面に面積当たり3.15mg/cm2の酸化セリウムが塗布されていることがわかった。この透光性YAGセラミックスを大気中600℃で仮焼したのち、Ar98%,水素2%の混合ガス雰囲気中において1650℃で5時間焼成を行なった。
焼成後の波長変換部品の断面をSEM観察したところ、波長変換部品を構成する結晶粒界に沿ってセリウムが拡散している様子が確認された。拡散は表面から深部方向に約100μmであった。
得られた波長変換部品に波長450nmの光を照射すると発光波長ピークが約552nmの発光が観察された。
図1に賦活剤(酸化セリウム)を拡散処理した後の透光性セラミックスの断面観察図を示す(BEI×2000)。なお、図1におけるP1表面白色部とP2灰色部、YAGセラミックス(焼結体)の半定量分析値を表1に示す。
なお、半定量分析は、定量分析とは異なり、スペクトルデータから定量補正を行う。すなわち、定性分析ソフトウェアで認識された同定元素をもとに定性のスペクトルからピークバックグラウンド強度を求め、この強度と純元素の特性X線強度との比を計算し、これから種々補正を行なって得られた値である。
また、図2に拡散処理後の表面近傍の元素の分布を示す。
[実施例2]
純度99.99%、厚さ1mm、波長450nmの光の直線透過率が75%の透光性YAGセラミックス表面に、マグネトロンスパッタリング装置で酸化セリウム粒子を被覆した。この断面をSEM観察により調べたところ、表面に15μmの酸化セリウム膜が形成されている様子が確認された。このようなCe膜付き透光性YAGセラミックスをAr98%,水素2%の混合ガス雰囲気下で1650℃、5時間焼成した。焼成された透光性YAGセラミックスの酸化セリウム塗布面をコロイダルシリカによりバフ研磨することで透光性のYAGセラミックスを得た。
この波長変換部品の断面観察を行なったところ、実施例1と同様に、表面全域に亘り透光性YAGセラミックスの結晶粒界に沿ってセリウムが拡散を生じており、波長450nmの光の照射において発光波長ピークで約552nmの発光が観察された。
純度99.99%、厚さ1mm、波長450nmの光の直線透過率が75%の透光性YAGセラミックス表面に、マグネトロンスパッタリング装置で酸化セリウム粒子を被覆した。この断面をSEM観察により調べたところ、表面に15μmの酸化セリウム膜が形成されている様子が確認された。このようなCe膜付き透光性YAGセラミックスをAr98%,水素2%の混合ガス雰囲気下で1650℃、5時間焼成した。焼成された透光性YAGセラミックスの酸化セリウム塗布面をコロイダルシリカによりバフ研磨することで透光性のYAGセラミックスを得た。
この波長変換部品の断面観察を行なったところ、実施例1と同様に、表面全域に亘り透光性YAGセラミックスの結晶粒界に沿ってセリウムが拡散を生じており、波長450nmの光の照射において発光波長ピークで約552nmの発光が観察された。
[比較例1]
平均粒径200nmの酸化セリウム粒子1gを20gの純水及びアクリルエマルジョン〔ビニゾール 1020(大同化成工業(株)製)〕中に浸漬したものに35khzの超音波を30分印加し、セリウム粒子の分散を行なった。
次に、基体として純度99.99%、2インチ角で厚さ1mm、波長450nmの光の直線透過率が75%の透光性YAGセラミックスを用意した。調製した酸化セリウム分散溶液を霧吹きによりセラミックス基体表面に塗布した。その後120℃のオーブン中で乾燥させ、表面に酸化セリウムの塗布層を形成した。このYAGセラミックスの重量を計測したところ105mgの重量増加が認められ、表面に面積あたり4.01mg/cm2の酸化セリウムが塗布されている様子がわかった。
得られた波長変換部品に波長450nmの光を照射したが、蛍光は観察されなかった。
平均粒径200nmの酸化セリウム粒子1gを20gの純水及びアクリルエマルジョン〔ビニゾール 1020(大同化成工業(株)製)〕中に浸漬したものに35khzの超音波を30分印加し、セリウム粒子の分散を行なった。
次に、基体として純度99.99%、2インチ角で厚さ1mm、波長450nmの光の直線透過率が75%の透光性YAGセラミックスを用意した。調製した酸化セリウム分散溶液を霧吹きによりセラミックス基体表面に塗布した。その後120℃のオーブン中で乾燥させ、表面に酸化セリウムの塗布層を形成した。このYAGセラミックスの重量を計測したところ105mgの重量増加が認められ、表面に面積あたり4.01mg/cm2の酸化セリウムが塗布されている様子がわかった。
得られた波長変換部品に波長450nmの光を照射したが、蛍光は観察されなかった。
このような方法で製造された波長変換部品は透光性が高く、また吸収光に対する発光の内部量子効率も高いものが得られる。
本発明においてアニール後に得られた透光性セラミックスの表面は平滑であり、BEIによる断面観察では表面の狭い範囲に局限して母材の結晶粒界に賦活剤拡散領域が確認された。この賦活剤拡散領域の厚み及び賦活剤の拡散状況は透光性セラミックス表面の各部で均一であり、青色LEDからの励起光による蛍光性が確認された。
本発明においてアニール後に得られた透光性セラミックスの表面は平滑であり、BEIによる断面観察では表面の狭い範囲に局限して母材の結晶粒界に賦活剤拡散領域が確認された。この賦活剤拡散領域の厚み及び賦活剤の拡散状況は透光性セラミックス表面の各部で均一であり、青色LEDからの励起光による蛍光性が確認された。
[比較例1]
平均粒径200nmの酸化セリウム粒子1gを20gの純水及びアクリルエマルジョン〔ビニゾール 1020(大同化成工業(株)製)〕中に浸漬したものに35khzの超音波を30分印加し、セリウム粒子の分散を行なった。
次に、基体として純度99.99%、2インチ角で厚さ1mm、波長450nmの光の直線透過率が75%の透光性YAGセラミックスを用意した。調製した酸化セリウム分散溶液を霧吹きによりセラミックス基体表面に塗布した。その後120℃のオーブン中で乾燥させ、表面に酸化セリウムの塗布層を形成した。このYAGセラミックスの重量を計測したところ105mgの重量増加が認められ、表面に面積あたり4.01mg/cm2の酸化セリウムが塗布されている様子がわかった。
得られた部品に波長450nmの光を照射したが、蛍光は観察されなかった。
平均粒径200nmの酸化セリウム粒子1gを20gの純水及びアクリルエマルジョン〔ビニゾール 1020(大同化成工業(株)製)〕中に浸漬したものに35khzの超音波を30分印加し、セリウム粒子の分散を行なった。
次に、基体として純度99.99%、2インチ角で厚さ1mm、波長450nmの光の直線透過率が75%の透光性YAGセラミックスを用意した。調製した酸化セリウム分散溶液を霧吹きによりセラミックス基体表面に塗布した。その後120℃のオーブン中で乾燥させ、表面に酸化セリウムの塗布層を形成した。このYAGセラミックスの重量を計測したところ105mgの重量増加が認められ、表面に面積あたり4.01mg/cm2の酸化セリウムが塗布されている様子がわかった。
得られた部品に波長450nmの光を照射したが、蛍光は観察されなかった。
Claims (10)
- 多結晶透光性セラミックスの表面に賦活剤を塗布する工程と、賦活剤が塗布された透光性セラミックスを焼成し、表面に塗布された賦活剤を透光性セラミックス内に拡散する工程を含む波長変換部品の製造方法。
- 多結晶透光性セラミックスが、Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12又はAl2O3の組成をもつ請求項1記載の波長変換部品の製造方法。
- 賦活剤が、セリウム、ユウロピウム及びテルビウムから選ばれる元素の酸化物である請求項1又は2記載の波長変換部品の製造方法。
- 焼成温度が1000〜1800℃である請求項1〜3のいずれか1項記載の波長変換部品の製造方法。
- 多結晶透光性セラミックスの表面から賦活剤を拡散してなり、賦活剤が透光性セラミックスを構成する多結晶体の結晶粒の粒界近傍に結晶粒の中心より高濃度に分布していることを特徴とする波長変換部品。
- 賦活剤が、透明セラミックスを構成する多結晶体の結晶粒の粒界から中心部に行くに従いその濃度が低下するような賦活剤の濃度分布を有する請求項5記載の波長変換部品。
- 透明セラミックス内の賦活剤濃度がその表層からセラミックス深部に行くに従い次第に低くなるような厚み方向濃度分布を有している請求項5又は6記載の波長変換部品。
- 多結晶透光性セラミックスが、Y3Al5O12、Lu3Al5O12、(Y,Lu)3Al5O12、(Y,Gd)3Al5O12又はAl2O3の組成をもつ請求項5〜7のいずれか1項記載の波長変換部品。
- 賦活剤が、セリウム、ユウロピウム及びテルビウムから選ばれる元素の酸化物である請求項5〜8のいずれか1項記載の波長変換部品。
- 請求項5〜9のいずれか1項記載の波長変換部品を用いた発光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012071100A JP2013203762A (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置 |
US13/849,304 US20130260085A1 (en) | 2012-03-27 | 2013-03-22 | Wavelength converting member, making method, and light-emitting device |
EP13160922.4A EP2644681A3 (en) | 2012-03-27 | 2013-03-25 | Wavelength Converting Member, Making Method, and Light-Emitting Device |
TW102110722A TW201406929A (zh) | 2012-03-27 | 2013-03-26 | 波長轉換構件,其製法,及發光裝置 |
KR20130032100A KR20130110075A (ko) | 2012-03-27 | 2013-03-26 | 파장 변환 부품 및 그 제조 방법 및 발광 장치 |
CN2013101654291A CN103361058A (zh) | 2012-03-27 | 2013-03-27 | 波长转换元件、其制造方法以及发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012071100A JP2013203762A (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013203762A true JP2013203762A (ja) | 2013-10-07 |
Family
ID=47913286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012071100A Pending JP2013203762A (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130260085A1 (ja) |
EP (1) | EP2644681A3 (ja) |
JP (1) | JP2013203762A (ja) |
KR (1) | KR20130110075A (ja) |
CN (1) | CN103361058A (ja) |
TW (1) | TW201406929A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017082184A1 (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-18 | 株式会社小糸製作所 | 光源モジュールおよび車両用灯具 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI629807B (zh) | 2016-10-18 | 2018-07-11 | 隆達電子股份有限公司 | 出光增強裝置及具有出光增強裝置之發光模組與發光元件 |
KR102307670B1 (ko) * | 2016-10-28 | 2021-09-30 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 광 파장 변환 부재 및 발광 장치 |
JP2018145318A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換部材、波長変換素子、照明装置及びプロジェクター |
CN110272279B (zh) * | 2018-03-16 | 2022-04-12 | 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 | 波长转换元件及其制备方法、照明光源 |
KR102531874B1 (ko) * | 2018-11-12 | 2023-05-12 | 주식회사 엘지화학 | 색변환 필름, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146835A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Ledおよび発光変換体を有する光源、および発光変換体の製造方法 |
JP2004197043A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミン酸塩蛍光体とその製造方法および紫外線励起発光素子 |
JP2005023317A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体とその製造方法、および前記蛍光体を用いたガス放電表示パネルおよび蛍光ランプ |
JP2008533270A (ja) * | 2005-03-14 | 2008-08-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 多結晶セラミック構造の蛍光体、及び前記蛍光体を有する発光素子 |
WO2011097137A1 (en) * | 2010-02-04 | 2011-08-11 | Nitto Denko Corporation | Light emissive ceramic laminate and method of making same |
WO2012010702A1 (en) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Garnet material, method for its manufacturing and radiation-emitting component comprising the garnet material |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6351069B1 (en) * | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
US6630691B1 (en) * | 1999-09-27 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion |
US6696703B2 (en) * | 1999-09-27 | 2004-02-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Thin film phosphor-converted light emitting diode device |
US6650044B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Stenciling phosphor layers on light emitting diodes |
US6576488B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor |
US7250715B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-07-31 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength converted semiconductor light emitting devices |
US7361938B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
US8748923B2 (en) * | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
US7902564B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-03-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices |
JP4611447B1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-01-12 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
-
2012
- 2012-03-27 JP JP2012071100A patent/JP2013203762A/ja active Pending
-
2013
- 2013-03-22 US US13/849,304 patent/US20130260085A1/en not_active Abandoned
- 2013-03-25 EP EP13160922.4A patent/EP2644681A3/en not_active Withdrawn
- 2013-03-26 TW TW102110722A patent/TW201406929A/zh unknown
- 2013-03-26 KR KR20130032100A patent/KR20130110075A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-03-27 CN CN2013101654291A patent/CN103361058A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146835A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Ledおよび発光変換体を有する光源、および発光変換体の製造方法 |
JP2004197043A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミン酸塩蛍光体とその製造方法および紫外線励起発光素子 |
JP2005023317A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体とその製造方法、および前記蛍光体を用いたガス放電表示パネルおよび蛍光ランプ |
JP2008533270A (ja) * | 2005-03-14 | 2008-08-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 多結晶セラミック構造の蛍光体、及び前記蛍光体を有する発光素子 |
WO2011097137A1 (en) * | 2010-02-04 | 2011-08-11 | Nitto Denko Corporation | Light emissive ceramic laminate and method of making same |
WO2012010702A1 (en) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Garnet material, method for its manufacturing and radiation-emitting component comprising the garnet material |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017082184A1 (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-18 | 株式会社小糸製作所 | 光源モジュールおよび車両用灯具 |
JPWO2017082184A1 (ja) * | 2015-11-12 | 2018-08-30 | 株式会社小糸製作所 | 光源モジュールおよび車両用灯具 |
US10627063B2 (en) | 2015-11-12 | 2020-04-21 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light source module and vehicle lamp, having wavelength conversion member disposed in optical paths of first and second light-emitting elements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130110075A (ko) | 2013-10-08 |
EP2644681A2 (en) | 2013-10-02 |
CN103361058A (zh) | 2013-10-23 |
US20130260085A1 (en) | 2013-10-03 |
EP2644681A3 (en) | 2015-06-03 |
TW201406929A (zh) | 2014-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5842701B2 (ja) | 希土類元素が拡散された酸化物セラミック蛍光材料 | |
JP2013203762A (ja) | 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置 | |
JP6140766B2 (ja) | 発光デバイス用のセラミック体 | |
JP6133791B2 (ja) | 蛍光体成分を有する発光複合材 | |
CN109896852B (zh) | 用于蓝光激发的白光照明的复相荧光陶瓷、制备方法及光源装置 | |
TW201532999A (zh) | 波長變換用石英玻璃構件及其製造方法 | |
JP2016204563A (ja) | 蛍光部材、その製造方法および発光装置 | |
TW200808117A (en) | Light-emitting device | |
TW200840404A (en) | Illumination system comprising monolithic ceramic luminescence converter | |
CN111574062B (zh) | 一种氮化物红光玻璃及其应用 | |
CN101077970A (zh) | 增强稀土三基色荧光粉荧光强度的方法 | |
TW201606050A (zh) | 光轉換用陶瓷複合材料、其製造方法、及具備其之發光裝置 | |
TW200827425A (en) | Light emitting diode used in short-wave semiconductor and fluorescent powder | |
CN112340982B (zh) | 一种复合玻璃材料及其制备和应用 | |
CN107651955A (zh) | 一种白光led照明用的复相透明陶瓷及其制备方法 | |
KR20100004888A (ko) | 박막형광체 제조방법과 박막형광체 및 이를 이용한 제품 | |
JP5509997B2 (ja) | 光変換用セラミック複合体の製造方法 | |
CN111040762A (zh) | 单一基质色度可调的发光材料及其制备方法与应用 | |
CN1270151A (zh) | 发光玉石及其制法 | |
CN111434641A (zh) | 用于白光照明的荧光陶瓷、制备方法及白光光源装置 | |
KR20180003523A (ko) | 가넷계 형광체 및 상기 형광체가 적용된 발광소자 | |
KR20170093320A (ko) | 광 확산제를 사용한 형광체 플레이트 | |
JP2017058550A (ja) | 多結晶セラミックス光変換部材、その製造方法、および発光装置 | |
CN114316960A (zh) | 氮氧化物发光颗粒及其制备方法和发光器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150407 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150915 |