JP2002026520A

JP2002026520A - 多層配線基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002026520A
Application number: JP2000204848A
Authority: JP
Inventors: Shingo Komatsu; 慎五小松; Yasuhiro Sugaya; 康博菅谷; Toshiyuki Asahi; 俊行朝日; Seiichi Nakatani; 誠一中谷
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-07-06
Filing date: 2000-07-06
Publication date: 2002-01-25

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁層を積層して一体化した配線基板の内部
に、導電性ペーストを充填してなるビアホール導体と、
該ビアホール導体に電気的に接続される導体配線層とを
形成している多層配線基板において、導電性ペーストが
充填されたビアホール導体と金属配線層の接続信頼性
を、基板表面の絶縁層とビアランドとの状態、積層時の
圧力や熱処理に影響されずに高めるようにすることを目
的とする。【解決手段】ビアホール導体の直上に設けるビアラン
ド１００に、上下に貫通するように形成した開口部１０
１を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性基板上に導
体回路が形成されてなる多層配線基板およびその製造方
法に関するものであり、特に絶縁性基板に形成された内
層の導体配線層と接続されるビアホールなどに金属粉末
を含有する導電性ペーストを充填したビアホール導体を
具備する多層配線基板およびその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子機器の小型化、多機能
化、多様化に伴い、多層配線基板を一層高密度配線や高
密度実装ができるようにすることが所望されており、そ
のために提案されたのが、インナビアホール(ＩＶＨ)接
続法である。このＩＶＨ接続法では、ビアホール中に導
電性材料を充填して導電性を持たせ、そしてビアホール
中の導電性材料を封止するようにビアランドを設けるも
のが採用されるに至っている。そして、このようなＩＶ
Ｈ構成の配線基板としては、例えば、多層セラミック配
線基板、ビルドアップ法による多層プリント配線基板、
樹脂と無機質フィラーの混合物からなる多層コンポジッ
ト配線基板等があげられる。

【０００３】特開平９−３２６５６２号公報には、ビル
ドアップ法と同様に、フォトリゾグラフィー法により加
工したビアホールに、導電性ペーストを充填する方法が
開示され、特開平９−３６５５１号公報、特開平１０−
５１１３９号公報などには、絶縁性硬質基材の一表面に
導体回路を、他方表面に接着剤層をそれぞれ形成し、こ
れに貫通孔を設けて、導電性ペーストを充填した後、複
数の基材を重ねて積層する多層化方法が開示されてい
る。

【０００４】また、特許登録番号第２６０１１２８号、
特許登録番号第２６０３０５３号、特許登録番号第２５
８７５９６号は、アラミド−エポキシプリプレグにレー
ザ加工により貫通孔を設け、ここに導電性ペーストを充
填した後、銅箔を積層してパターニングを行ない、この
基板をコアとして、導電性ペーストを充填したプリプレ
グでさらに挟み多層化する方法が開示されている。以上
のように、例えば、樹脂系プリント配線基板をＩＶＨ接
続させれば、必要な各層間のみの電気的接続が可能であ
り、さらに配線基板の最上層に貫通孔がないため、より
実装性にも優れる。

【０００５】ところで、基板の高密度実装を進める上
で、重要なのが微細な配線パターンの形成であって、通
常のプリント配線基板においては、例えば、サブトラク
ティブ法により配線パターンを形成する方法が一般的で
ある。また、前記ビルドアップ法によるプリント配線基
板においては、前記サブトラクティブ法以外に、例えば
アディティブ法が採用される傾向にある。このアディテ
ィブ法は、レジストを形成した基板表面に、配線パター
ンを選択的にメッキする方法が一例としてあげられ、こ
の方法によれば、であり、３０μｍ程度の線幅である配
線パターンを形成することができる。しかし、この方法
では、前記サブトラクティブ法に比べ、基板に対する配
線パターンの密着強度が低いものとなるという課題があ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】すなわち、ビアホール
に導電性ペーストを充填してなるビアホール導体と該ビ
アホール導体に電気的に接続する導体配線層とによって
層間接続がなされる多層配線基板を作製する際における
リフロー半田付けや、乾燥などの熱処理時に導電性ペー
スト中に含まれるガス成分、水分などが膨張して、ビア
ランドを押し上げるように作用するので、これによって
物理的密着力で電気的接続が成されているビアランドと
導電性ペーストとを引き剥がす力が働き、それによっ
て、導電性ペーストと、ビアランドとの密着性が低下す
る虞れがあった。従って、その密着性の低下により、接
続不良が発生する虞れがあり、そのため金属配線層にお
いて不当に電気抵抗を高めてしまい、スルーホールめっ
きと比較して接続の信頼性が低いものとなるという課題
があった。

【０００７】また、転写用配線パターン形成材の転写に
より両面二層板を作製する転写法の場合は、その転写時
に、ビアランドによってビアホール導体中の導電性ペー
ストが圧縮され、ビアランドと導電性ペーストとの密着
性が高まるため電気的接続の低抵抗化に効果があるが、
反面、基板表面の絶縁層に対してビアランドが面一状、
もしくはビアランドが絶縁層の表面よりも幾分低くなる
ことがある。詳述すると、転写法における転写基板上に
配線パターンやビアランドをエッチングなどで形成する
際に、配線パターンやビアランド以外の部分を完全に除
去できるようにするため配線パターンやビアランドにお
ける金属箔の厚みよりも幾分深めに転写基板を削った状
態にした後、転写基板を絶縁層に重ねて転写するため、
配線パターンやビアランドなどの金属箔は、絶縁層の表
面よりも下方に幾分入り込んだ状態となり、転写基板を
絶縁層表面から外した状態にすると、ビアランド箇所が
絶縁層表面に対して面一か幾分低く位置することになる
(後述図６(ｄ)及び図７(ａ)(ｂ)参照)。従って、このよ
うにビアランドが位置していると、多層配線基板の作製
において、ビアランドと、積層される絶縁層との間にお
ける空隙の発生の原因となったり、また、積層して加熱
加圧した時に加圧面の全体において均等な圧力をかける
ことができず、部分的に圧力むらの発生する原因となっ
て、ビアランドと導電性ペーストとの接続不良や、基板
の強度低下を招くなどの課題があった。

【０００８】そこで本発明はこのような従来の課題を解
決し、導電性ペーストが充填されたビアホール導体と金
属配線層の接続信頼性を高めるとともに、基板における
絶縁層とビアランドとが安定性高く積層できるようにす
ることを目的とする。

【０００９】

【発明を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、絶縁層を積層して一体化した配線基板の内
部に、導電性ペーストを充填してなるビアホール導体
と、該ビアホール導体の直上にビアランドを設けた多層
配線基板であって、前記ビアランドに、上下に貫通する
ように形成した開口部を設けているものである。

【００１０】これによって、従来のビアホール導体に開
口部を設けていないビアランドの場合、導電性ペースト
がビアランドの下面のみに接合されるのに対し、開口部
を設けたビアランドの場合、ビアランドの側面を含め
て、多面的に接合され、ビアホール導体とビアランド間
の接合強度を強くするという効果が得られる。さらに多
層配線基板の内層においては、従来の層間接続では、ビ
アランドが境界面になっていた為に、直接接合されなか
った上下面、それぞれのビアホール導体を直接接合さ
せ、一体化させることで、より信頼性の高い層間接続を
得ることが可能となる。

【００１１】また、転写用配線パターン形成材の転写に
よって多層配線基板を作成した時に、前記ビアランドが
絶縁層表面に対して面一もしくは幾分下位になっていて
も、ビアランドに設けられた開口部から、ビアホール導
体中に充填された導電性ペーストが露出してビアランド
上を導電性ペーストで覆うように、また凹み部分を埋め
るようにできるから、多層化する際にビアランドと積層
される絶縁層との間における空隙の発生を抑制できる。
従って、多層化した時、内層の層間接続における信頼性
の改善に効果が得られる。

【００１２】また、加熱加圧によって絶縁層に金属箔を
接着した後に、該金属箔から金属配線層とビアランドを
サブトラクティブ法によってパターン形成する場合や、
金属配線層とビアランドをメッキなどのアディティブ法
によって形成する場合、前記ビアランドが絶縁層に対し
て凸となるような場合でも、ビアランドに設けられた開
口部から、ビアホール導体中に充填された導電性ペース
トが露出し、ビアホール導体にかかる力を緩和し、ビア
ホールの形が壊れるのを抑制することで、ビアホール導
体自身の電気抵抗の安定化に効果が得られる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁層を積層して一体化した配線基板の内部に、導
電性ペーストを充填してなるビアホール導体と、該ビア
ホール導体の直上にビアランドを設けた多層配線基板で
あって、前記ビアランドに、上下に貫通するように形成
した開口部を設けているとしたものであり、ビアホール
導体がビアランドに封止された状態となっていないの
で、多層配線基板を加熱加圧して積層する製造工程にお
いて、導電性ペーストにおいてガスや水分が膨張するよ
うなことがあっても、導電性ペーストがビアランドの下
面のみならず、開口部の内壁面箇所にも接触するものと
なっているから、その密着性が高いものとなっていて、
ガスなどによるビアランドの押し上げが抑制される作用
を有する。また、開口部の内壁部に導電性ペーストが接
触できるものとなって導電性ペーストとビアランドとが
多面的に接合されることで、ビアランドと導電性ペース
トとの接続性が高まり、電気的特性を向上できる。転写
式で金属配線層やビアランドを絶縁層に設けたものであ
って、ビアランドが絶縁層と面一もしくは多少絶縁層が
わに凹入している場合であっても、その凹み箇所を埋め
るように、開口部を通して導電用ペーストが幾分露出し
てビアランドの上面側に流動していくことで、積層時の
加圧の均等化が図れ、加圧むらによる不具合の発生を抑
制できるなどの作用を有する。なお、ビアランドは、導
体配線層と接続されているものに限らず、導体配線層と
は独立した単独のものも含むのであって、各請求項にお
けるビアランドの語はこの意味である。

【００１４】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
多層配線基板において、前記開口部を通して、前記ビア
ホール導体の導電性ペーストの一部を、前記ビアランド
上に露出させているとしたものであり、開口部を通して
ビアホール導体の一部がビアランド上に露出しているか
ら、この露出したビアホール導体は、積層される絶縁層
と、ビアランドとの間を埋めるものとなって、ビアラン
ドを一定位置に維持できるようになるとともに、このビ
アランドの位置決め保持が十分できるものとなっている
という作用を有する。

【００１５】請求項３に記載の発明は、請求項１記載の
多層配線基板であって、前記開口部における縁部に、前
記ビアホール導体内に突出して該ビアホール導体と前記
ビアランドとの接触面積を高くする突起部を形成してい
るとしたものであり、突起部がビアホール導体における
導電性ペーストと接触面積高く接することで、ビアラン
ドと導電性ペーストとの密着性が高いものとなるととも
に、ビアランドの絶縁層からの剥離なども突起部によっ
て規制されるという作用を有する。

【００１６】請求項４に記載の発明は、請求項１記載の
多層配線基板であって、前記ビアランドに設けた開口部
を、その開口部の上下方向視での総面積が前記ビアホー
ル導体の上下方向視での面積に対して１０％から９０％
の範囲内に形成しているとしたものであり、特にこのよ
うに形成するとビアランドとビアホール導体との密着性
が高いものが顕著に得られるという作用を有する。

【００１７】請求項５に記載の発明は、請求項１記載の
多層配線基板であって、前記開口部は、一つのビアラン
ドに二つ以上形成されているとしたものであり、一つの
ビアランドに、一つの開口部のみを設けるものに比較し
て、開口部の内壁などの導電性ペーストとの接触面積を
高くできるとともに、ビアランド上に導電性ペーストが
露出するについても、積層方向視において、ビアランド
の面に均等な状態で露出できるようにでき、加圧時の加
圧むらなどを抑制しやすいものとなっているという作用
を有する。

【００１８】請求項６に記載の発明は、請求項５記載の
多層配線基板であって、前記開口部は、一つのビアラン
ドに細幅のスリットが二つ以上幅方向に並ぶように形成
されているとしたものであり、細幅のスリットが二つ以
上幅方向に並ぶように開口部が形成されていることによ
って、ビアランドと、導電性ペーストとの接触面積を高
めて、導電性を一層高めるという作用を有する。

【００１９】請求項７に記載の発明は、請求項１記載の
多層配線基板であって、前記開口部は、一つのビアラン
ドにリング状に形成しているとしたものであり、ビアラ
ンド上に導電性ペーストが露出していく際でも、その開
口部のリング中心をビアランドの中心に設定しておけ
ば、ビアランドの中心に対して対称的な状態を保ちなが
ら露出していきやすいものであるから、積層の際の加圧
時に、ビアランドに対する加圧むらが生じにくいという
作用を有する。

【００２０】請求項８に記載の発明は、請求項１記載の
多層配線基板であって、前記開口部は、一つのビアラン
ドに篭目状に形成しているとしたものであり、ビアラン
ド上に導電性ペーストが露出していく際でも、ビアラン
ド上に均等な状態を保ちながら露出していきやすいもの
であるから、積層の際の加圧時に、ビアランドに対する
加圧むらが生じにくいという作用を有する。

【００２１】請求項９に記載の発明は、請求項１記載の
多層配線基板であって、前記絶縁層が無機質フィラーと
有機樹脂とからなる、もしくは無機質フィラーと有機樹
脂と補強材とからなるとしたものであり、無機質フィラ
ーが絶縁層における放熱性を高めることで、熱処理時に
導電性ペーストに含まれるガス成分や水分が不当に膨張
することを抑制できるという作用を有する。

【００２２】請求項１０に記載の発明は、請求項９記載
の多層配線基板であって、前記絶縁層は、Ａｌ₂Ｏ₃，Ｍ
ｇＯ，ＢＮ，ＡｌＮ，ＳｉＯ₂から選ばれた一種以上の
無機質フィラーを７０重量％から９５重量％の範囲で含
み、有機樹脂組成物を５重量％から３０重量％の範囲で
含む混合物からなるとしたものであり、熱伝導性が良い
ため、熱処理時に導電性ペーストに含まれるガス成分や
水分が不当に膨張することを抑制できるという作用を有
する。

【００２３】請求項１１に記載の発明は、請求項９記載
の多層配線基板であって、前記補強材は、ガラス繊維の
織布、ガラス繊維の不織布、耐熱有機繊維の織布または
耐熱有機繊維の不織布の４者のうち少なくとも一つのも
のから構成されるシート状補強材からなるとしたもので
あり、プリプレグとして補強効果が高いものとなってい
るという作用を有する。

【００２４】請求項１２に記載の発明は、（ａ）少なく
とも未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む絶縁層からなるシ
ート状基材にビアホールを形成する工程と、（ｂ）前記
ビアホールに、導電性ペーストを充填してビアホール導
体を形成する工程と、（ｃ）上下に貫通した開口部を有
するビアランドと配線部とを有する金属配線層を、加圧
することによって前記シート状基材に貼り合せ、前記ビ
アランドを前記ビアホール直上に形成し、かつ前記配線
部と前記ビアホール導体とを前記ビアランドを介して接
続させて板状体を得る工程と、（ｄ）前記板状体を所望
の数だけ加熱加圧することで積層し、前記熱硬化性樹脂
および前記導電性ペーストを硬化させる工程を含むとし
たものであり、従来の工程をそのまま利用して、ビアラ
ンドとビアホール導体の導電性ペーストとの電気的接続
が良好で信頼性の高い多層配線基板を得ることができる
という作用を有する。

【００２５】請求項１３に記載の発明は、請求項１２記
載の多層配線基板の製造方法であって、前記ビアランド
は、転写用配線パターン形成材による転写によって形成
されるとしたものであり、ビアランドを転写する際に、
絶縁層表面とビアランドとの上下方向での位置関係に応
じて開口部を通してビアホール導体の導電性ペーストが
ビアランド上に露出していって、絶縁層表面に不当な凹
みが生じないようにできるから、従来からの転写工程を
そのまま利用して、ビアランドとビアホール導体の導電
性ペーストとの電気的接続が良好で信頼性の高い多層配
線基板を得ることができるという作用を有する。

【００２６】請求項１４に記載の発明は、請求項１３記
載の多層配線基板の製造方法であって、前記転写用配線
パターン形成材は、前記ビアランドに設けられた前記開
口部を、転写される配線パターンの金属層だけでなく、
転写キャリアとなる金属層もしくは有機フィルムにも連
なって、形成したとするものであり、請求項１４に記載
の発明によれば、配線パターンやビアランドが転写され
やすくなるという作用を有する。

【００２７】請求項１５に記載の発明は、請求項３に記
載の多層配線基板の製造方法であって、前記ビアランド
に前記開口部を設ける際に前記ビアホール導体中の導電
ペーストに接する側に該導電ペーストとの接触面積を高
める突起を打ち抜き形成し、前記ビアホール導体とビア
ランドとの接続を強化したとしたものであり、打ち抜き
形成という開口部を形成するための工程のみで突起の形
成もなされるので、突起のみを別途形成するための特別
な工程は必要なく、簡易に製造できるという作用を有す
る。

【００２８】以下、本発明の実施の形態について、図１
乃至図９を用いて説明する。

【００２９】本発明の前記開口部を設けられたビアラン
ドの例を図１（ａ）〜（ｆ）の上面図に示す。

【００３０】(実施の形態１)１００は外形が円形のビア
ランド(ハッチングを施している部分)で、１０１〜１０
６はビアランドに設けられたそれぞれ形状の異なる開口
部である。

【００３１】図１（ａ）は、ビアランド１００の中央に
円形の開口部１０１を形成したものを示している。この
ため、この開口部１０１を通してビアランドの中心に凸
となるようにビアホール導体が露出する。図１（ｂ）
は、ビアランド１００に多数の小孔を形成して開口部１
０２を備えるものである。図１(ｃ)は、ビアランド１０
０に幅狭のスリットをその幅方向で多数並べたものであ
って、各スリットが開口部１０３となっている。図１
(ｄ）では、ビアランド１００の中心に円形の開口部１
０４、この円形の開口部１０４の外側にリング状の開口
部１０４をさらに形成したものである。これら図１
（ｂ）〜図１(ｄ）のものでは、ビアランド１００上に
一面に均等にビアホール導体が露出する。

【００３２】図１（ｅ）は、一つのビアランド１００
に、篭目状に開口部１０５を形成したものである。従っ
て、この図１（ｅ）のものではビアホールの周囲を囲む
ようにビアホール導体が露出する。また、図１(ｆ)は、
本来円形のビアランド１００の一部外縁を切り欠いて、
開口部１０６を形成したものである。

【００３３】図１に各種変形例として様々な開口部１０
１〜１０６を示したように、開口部は、ビアランド１０
０の面積やビアホールの断面積を考えて、その形状や総
面積を適宜設定することで、部分的にビアランド上に露
出させるビアホール導体の量や高さを、各々の多層配線
基板毎に最適な値に調節することができる。

【００３４】なお、図１（ａ）のように中心部に円形の
開口部を設けることにより、転写法での製造時や、各層
を積層する際の加圧加熱時において、ビアホール導体に
かかる応力を緩和することができる。また一つの開口部
ではなく、同一開口面積でも任意の数量だけ方形や円形
の開口部を多数設けることにより応力集中がさらに抑え
られる。同様に開口部を任意の数量のスリット形状や篭
目状にすることにより均一でビアランドとの電気的接触
面積を大きくすることができるため、より安定な接続信
頼性が得られる。

【００３５】金属配線および前記ビアランドを形成する
ための金属箔には銅、アルミニウム、銀、およびニッケ
ルのうち、少なくとも一つの金属を含むことが好まし
い。銅および銀は電気導電性が良好であり、アルミニウ
ムでは軽量化が、銀およびニッケルでは耐酸化性を有す
るので安定である。しかし導体配線におけるマイグレー
ションの抑制を図る点から銅を利用するのが最適であ
る。

【００３６】次に、本発明に係る開口部が設けられたビ
アランドにおいて、ビアホール導体とビアランドの接続
形態を示したものを図２（ａ）〜（ｃ）に示す。まず多
層配線基板の内部における上側の絶縁層に形成したビア
ホール導体中の導電性ペーストとビアランドと下側の絶
縁層に形成したビアホール導体中の導電性ペーストとが
接続されたものを図２（ａ）の断面図に示す。図２
（ａ）において、２００はビアランドであり、２０１、
２０２は上下に積層される絶縁層２０３および２０４の
それぞれにおけるビアホール導体中の導電性ペーストで
あり、絶縁層２０３および２０４の各ビアホール導体は
開口部２０を設けたビアランド２００を介して接続され
ている。従って、従来のように、開口部のないビアラン
ドを介して多層配線基板の内層における層間接続を行う
ものと比較して、本発明のものでは、図２（a）のよう
にビアランド２００に開口部２０を設けていることによ
って、ビアランド２００の表裏面だけでなく、開口部２
０の内側面も含め、多くの接触面数を持たせることで、
ビアホール導体２０１、２０２とビアランド２００を多
平面で接続させると同時に、従来、ビアランドが境界面
になっていた為に、直接接合されなかった上下面それぞ
れのビアホール導電性ペーストを直接接合させて、より
信頼性の高い層間接続を得ることが可能となる。

【００３７】図２(ｂ)には、多層配線基板の内部におけ
る上側の絶縁層でビアホール導体の形成されていない部
位に、下側の絶縁層のビアホール導体がビアランドと接
続されるように配置してある場合の、ビアランドとビア
ホール導体との接続の状態を断面図として示している。
一方、図２（ｃ）には、多層配線基板の最上層に、本発
明の開口部２０を形成したビアランド２０９及びそれに
接続されるビアホール導体が断面図として示している。

【００３８】図２（ｂ）において、２０５は開口部２０
が設けられたビアランドであり、２０８はビアホール導
体中の導電性ペースト、２０６、２０７はそれぞれ上下
の絶縁層である。図２（ｂ）のように開口部２０を設け
たビアランド２０５と一平面的にビアホール導体中の導
電性ペースト２０８を接続させることで、ビアランド２
０５の表面だけでなく、開口部２０の内側面も含め、多
くの電気的、機械的接触面数を持たせることができ、ビ
アホール導体とビアランドを多くの接触面で接続させ、
より信頼性の高い接続を得ることが可能となる。さら
に、図２(ｂ)に示すように、ビアランド２００の開口部
を通過して、導電性ペースト２０８が上方まで露出した
状態になっていると、圧縮硬化時においても、導電性ペ
ースト２０８が開口部２０内にも充填された状態となっ
ていることや、ビアランド２０を上下に挟むように接し
ていることによって、ビアランド２００を上下方向や平
面方向に位置ずれしないよう保持するアンカー効果も奏
するものとなっている。

【００３９】なお、図２（ａ）〜（ｃ）において、従来
からの配線パターンおよびランドは、図示していない
が、開口部を有するビアランド以外のビアホール接続部
は金属配線パターンであっても良いことは言うまでもな
い。

【００４０】また、ビアランドとビアホール導体との接
触面数ひいては総接触面積は図１（a）〜（ｅ）に示し
たように、ビアランドに設けた開口部１０１〜１０６を
開口面積、数量、形状を変化させることで、各々の多層
配線基板毎に必要な値に調節することができる。

【００４１】次に、ビアランドに開口部を設ける際に同
時に作成するものであって、ビアホール導体とビアラン
ド間、ひいては絶縁層とビアランド間の接続を強化する
ために形成した、ビアホール導体に接する側に形成する
突起部などの断面図を、図３に示す。図３において、３
００はビアランド、３０はビアランドに形成した開口
部、３０１はビアホール導体中の導電性ペースト、３０
２は下側の絶縁層、３０４は上側の絶縁層、３０５は絶
縁層３０４のビアホール導体中の導電性ペーストであ
る。また、３０３は、ビアランド３００に形成した断面
形状が鉤型形状を成す突起部であり、図示したように導
電性ペースト３０１が充填されたビアホール導体内に食
い込んだ構造となっている。これにより前記導電性ペー
スト３０１との電気的、機械的接触が強化でき、より強
固で信頼性の高い電気接続が実現できる。具体的には、
転写用配線パターン形成材の、転写キャリアとなる金属
層の側からドリル加工、もしくはパンチングによって、
ビアランド３００に設けられた開口部３０を形成すると
同時に、転写キャリアとなる金属層自体にも開口部を設
け、ドリル加工、もしくはパンチングの加工条件によっ
て絶縁層３０２に接する側に開口部３０の内縁にバリ状
に突起部を形成し、加熱加圧時に導電性ペースト３０１
側に食い込ませることにより、さらに絶縁層、金属配線
層間の接合強度を上げることが可能となる。

【００４２】また図６（ａ）〜（ｄ）は、転写により配
線パターンとビアランドを絶縁層に形成するための、転
写用配線パターン形成材の製造方法の一例を示す工程断
面図である。図６（ａ）は、キャリアとなる金属層６０
１であり、転写前のキャリアとして働き、転写後は剥離
する。図６（ｂ）は、配線パターンやビアランドとなる
金属メッキ層６００を表面に形成した金属キャリア６０
１を示している。作製方法は、たとえば金属箔である銅
箔を金属キャリアとし、さらにその上に電解めっき法で
金属メッキ層を形成することができる。図６（ｃ）は、
金属キャリア６０１の上面に形成した前述の金属配線層
６００を従来のフォトリソ工法とエッチング工法で配線
パターン６０２を作製したものである。金属キャリア６
０１は、剥離性機械的強度から３０〜１００μｍ程度の
厚みが望ましく、さらには７０μｍ程度が最適である。
また配線パターン６０２は、金属銅が望ましく３〜３５
μｍ程度の厚みが使用できるが、微細配線が要求される
用途には、９〜１２μｍの範囲が最適である。次いで図
６（ｄ）には、図６（ａ）〜（ｃ）と同様に作製したも
のであるが、配線パターン６０２を形成する際、図６
（ｄ）のように金属キャリア６０１層にまで深くエッチ
ング加工する凹み６０３を示したものである。このよう
な凹み形状６０３にすることで、転写時の樹脂流入によ
り配線パターン６０２の転写位置が移動しにくく位置精
度の高い転写が得られる。

【００４３】前記構成において、金属キャリア層６０１
と配線パターン層６０２の間に有機材料や異種金属の薄
い層を形成しておくと良い。金属キャリアと配線パター
ンの剥離が容易に行うことができるからである。

【００４４】さらに前記構成において、配線パターン６
０２上に異種の金属層が存在していても良い。金などの
貴金属をめっき法で形成することで、転写後の導電性ペ
ーストとの接続において信頼性の高い電気接続が得られ
るからである。

【００４５】さらに前記構成において、金属キャリアは
銅箔などの金属だけではなく有機フィルムを用いて行う
こともまた有効であることは言うまでもない。

【００４６】本発明の開口部を有するビアランドを使用
した多層配線基板の作製方法について、三層板を例に図
４（ａ）〜（ｃ）の断面図に示す。

【００４７】図４（ａ）において、４００は金属配線お
よびビアランドで、４０１はビアホール導体中の導電性
ペースト、４０２は絶縁層である。作製方法は具体的に
は、まず少なくとも未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む絶
縁層４０２からなるシート状基材を準備し、ビアホール
を、パンチング、ドリル加工、もしくはレーザ光の照射
によって形成する。前記ビアホールに、少なくとも金属
粉末を含む導電性ペースト４０１を充填してビアホール
導体を形成して板状体を得る。この時前記導電性ペース
ト４０１は、良好な導電性とビアホール中への充填に適
した流動性が必要とされる。代表的なものとして、銅、
金、銀、パラジウム、アルミニウム、ニッケル、錫、鉛
から選ばれる少なくとも一つの金属紛、あるいは銀で表
面をコートされた銅紛のようなこれら金属を１種以上含
む合金粉に有機溶剤、もしくは有機溶剤とバインダーを
添加してペースト状にしたものが使用できる。次いで開
口部４０を有するビアランド４００と配線部を有する金
属配線層を、図６に示した転写用配線パターン形成材を
用い加圧することによって、前記板状体に貼り合せ、前
記開口部を有するビアランドをビアホール直上に形成
し、かつ金属配線層と絶縁層およびビアホール導体と前
記ビアランドを接続させた第２の板状体４０５が形成で
きる。なお、この時金属キャリアは剥離しておく。この
状態を示したものが図４（ａ）である。次いで同様にし
て作製した別の第２の板状体４０５を図４（ｂ）のよう
に作製し、図４（ｃ）のように位置合わせして加熱加圧
して得られる。このようにして図４（ａ）、（ｂ）に示
した第２の板状体４０５，４０５を二枚加熱加圧するこ
とで積層し、前記熱硬化性樹脂および前記導電性ペース
トを硬化させることで図４（ｃ）に示すような三層板４
０６が作製できる。これにより作製した３層板４０６の
最上層部のビアランド４００上に導電性ペーストによる
盛り上がり４０３が形成できる。また同様に内層の導電
性ペーストは、内層のビアランドの開口部を介して直接
接続されている。これにより信頼性上安定な電気接続と
機械的接続が得られる。ここで用いた転写用配線パター
ン形成材は、図６に示したものを利用した。

【００４８】次いで、本発明の別の開口部を有するビア
ランドを使用した多層配線基板の作製方法について、三
層板を例に図５（ａ）〜（ｃ）の断面図に示す。

【００４９】開口部を有するビアランドおよび金属配線
層の形成方法について、加熱加圧によって絶縁層に金属
箔を接着した後に、該金属箔からサブトラクティブ法に
よって金属配線層と開口部を有するビアランドを形成
し、それを二枚積層して加熱加圧することで、内層の導
電性ペースト、ビアランド間の接続をした３層板が得ら
れるものである。

【００５０】図５（ａ）において、５００は金属配線お
よびビアランド５０３を形成するための金属箔を示して
おり、５０１は絶縁層５０２に形成した貫通孔に充填し
たビアホール導体中の導電性ペーストであり、図のよう
に位置合わせして重ね合わせ、ビアランド５０３及び開
口部５０を形成する。次いで図５（ｂ）に示すように、
別途作製した導電性ペースト５０５を充填したビアホー
ル導体を備える絶縁層５０４と、図５（ａ）のように作
製したものを再度位置合わせして重ねたものである。こ
れにより作製された３層板は、図のように導電性ペース
ト５０１を封止していない為、図５（ｃ）に示したよう
に積層して内層の接続を図ったときに、上下のビアの接
続がビアランドに開口部５０を設けていないものに対
し、ビアランド５０３と導電性ペースト５０１，５０５
との接合が強いものになる。

【００５１】前記多層基板の作製方法で、前記転写用配
線パターン形成材に図６（ｄ）のような形態の転写用配
線パターン形成材による転写によって金属配線層を形成
する場合において、サブトラクティブ法、もしくはサブ
トラクティブ法およびアディティブ法によって、金属配
線層の形成と同時に開口部を備えるビアランドも形成し
た転写用配線パターン形成材による転写によって金属配
線層などを形成し、それを二枚積層して加熱加圧するこ
とで内層の導電性ペースト、ビアランド間の接続を行う
ように製造するものについて、図７（ａ）〜（ｃ）にそ
の断面図を示す。

【００５２】図７（ａ）において、７００は金属キャリ
ア７０４上に形成した金属配線およびビアランドであ
り、７０１はビアホール導体中の導電性ペースト、７０
２は絶縁層である。

【００５３】このときの転写用配線パターン形成材は、
前述の図６（ｄ）を用いたものである。図のように導電
性ペースト７０１を充填した絶縁層７０２に前記転写用
配線パターン形成材を位置合わせして重ねる。次いで図
７（ｂ）のように別途作製した導電性ペースト７０６を
充填した絶縁層７０６と転写用配線パターン形成材より
転写したビアランド７００を有する絶縁層７０２を重ね
合わせる。この時ビアランド７００は、開口部７０を有
するため、導電性ペースト７０１は、開口部７０より突
出し、図のように凸状７０５に飛び出している。これを
加熱加圧することで図７（ｃ）のように３層板が作製で
きる。図７（ｂ）に示したビアランド７００の開口部７
０から露出した導電性ペースト７０１が、図７（ｃ）で
内層の導電性ペースト７０６とビアランド７００の接合
の手助けになる。ビアランド７００から露出した導電性
ペースト７０１の量はビアランド７００の絶縁層７０２
の上面からの凹みにあわせて、また開口部７０の形状に
よって、調節することができる。

【００５４】次に別の方法で作製した転写用配線パター
ン形成材を用いて多層化する方法を図８（ａ）〜（ｃ）
に示す。具体的には、前記多層基板の作製方法の中で、
前記図４（ｄ）の種類の転写用配線パターン形成材によ
る転写によって金属配線層を形成する場合において、レ
ーザ光の照射、ドリル加工、もしくはパンチングによっ
て配線パターンとなる金属配線層だけでなく、転写キャ
リアとなる金属層自体にも開口部を設けた転写用配線パ
ターン形成材による転写によって金属配線層を形成し、
それを二枚積層して加熱加圧することで内層の導電性ペ
ースト、ビアランド間の接続を行うものである。

【００５５】図８（ａ）において８００は、金属キャリ
ア８０４上に形成した金属配線およびビアランドであ
り、８０１はビアホール導体中の導電性ペースト、８０
２は絶縁層である。図において、ビアランド８００に形
成された開口部８０は、金属キャリア８０４をも貫通す
るように形成されている点が、図７（ａ）〜（ｃ）の工
程によって形成された３層板と異なる点である。以下作
製プロセスは図７に示した方法と同一である。このよう
な転写用配線パターン形成材を用いた３層基板は、図８
（ｂ）に示したビアランド８００から露出した導電性ペ
ースト８０５が、図８（ｃ）で内層の導電性ペースト８
０１，８０６とビアランド８００の接合の手助けにな
る。ビアランド８００から露出した導電性ペースト８０
５の量はビアランド８００の絶縁層８０２の上面からの
凹みにあわせて、また開口部８０の大きさや、積層時の
加圧圧力の強さによって、調節することができる。

【００５６】このように図６（ｄ）の種類の転写用配線
パターン形成材による転写によって金属配線層を形成す
る図８の方法において、サブトラクティブ法、もしくは
サブトラクティブ法およびアディティブ法によって金属
配線層と同時に開口部を設けられたビアランドを形成し
た転写用配線パターン形成材による転写の場合、ビアラ
ンドから露出した導電性ペーストの高さが、最大でビア
ランドの絶縁層からの凹みの大きさになる。それに対
し、レーザ光の照射、ドリル加工によって転写キャリア
上に形成された金属配線層だけでなく、転写キャリアと
なる金属層自体にも開口部を設けた転写用配線パターン
形成材による転写の場合、ビアランドから露出した導電
性ペーストの高さが、ビアランドの絶縁層からの凹みの
大きさに関わらず、積層時の加圧圧力の強さ、開口部の
形状や総面積を変えることで、より自由に調節すること
ができる。

【００５７】以上示したように、ビアランドに設けた開
口部からビアホール導体中の導電性ペーストが露出でき
るために、加熱加圧の条件によって、ビアホールに比較
的大きな力がかかった場合であっても、ビアホール導体
中の導電性ペーストにかかる応力を緩和するので、ビア
ホールの形状が不当に変形しないようにでき、ビアホー
ル導体自身の電気抵抗値、ビアホール導体とビアランド
間の接続の電気抵抗値が増大するのを抑制できる。

【００５８】次いで、本発明の別の開口部を有するビア
ランドを使用した多層配線基板の作製方法について、４
層板を例にとり図９（ａ）〜（ｂ）を用いて説明する。
図９（ａ）〜（ｂ）は、その作製方法を示した工程断面
図である。

【００５９】図９（ａ）は、図６（ｄ）に示した転写用
配線パターン形成材を用い、導電性ペースト９０１を充
填した絶縁層９０２に、図７（ｂ）に示した方法でビア
ランド９００を形成したものである。この時導電性ペー
スト９０１は、開口部９０を有するビアランド９００に
よって、開口部９０を通してビアランド９００の上側に
凸状に盛り上がった導電性ペースト部分９０３を有して
いる。このようにして作製されたビアランド９００と導
電性ペースト部分９０３を有する絶縁層９０２を任意の
数だけ位置あわせして重ね、加熱加圧により図９（ｂ）
のような多層基板が得られる。

【００６０】なお、前記構成において、四層板の例を示
したが、さらに多層化しても、ビア接続の信頼性は、両
面二層板としてのビアホール導体自身の電気抵抗および
ビアホール導体とビアランド間の電気抵抗接続信頼性の
優れたものが得られる。また露出させたビアホール導体
を介して接続される上下絶縁層の金属配線層同士の層間
接続信頼性に優れるため、より層数の多い多層配線基板
の作製が容易になる。転写用配線パターン形成材を用い
ることで、各層ごとの層の圧さ、ビアホールの長さが統
一されて、絶縁層の厚さが高精度に制御できる。

【００６１】

【実施例】次に、実施例を図面並びに表を参照してさら
に具体的に説明する。

【００６２】(実施例１)未硬化状態の熱硬化性樹脂を含
む絶縁層を厚さ２５０μｍのシート状基材に加工し、次
いでシート状基材に直径２００μｍのビアホールを任意
の数形成し、そのビアホールに、少なくとも金属粉末を
含む導電性ペーストを充填して、ビアホール導体を形成
した板状体を形成し、別途金属配線およびビアホール直
上に開口部を設けられたビアランドを形成し、前記板状
体と加圧することによって、金属配線と絶縁層およびビ
アホール導体と前記ビアランドを接続させた板状体を形
成し、さらに２００℃で１．５時間、圧力７５ｋｇ/ｃ
ｍ2の条件で加熱加圧することで熱硬化性樹脂および導
電性ペーストを硬化させたものを用意して、もう一枚の
未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む絶縁層を厚さ２５０μ
ｍのシート状基材に加工し、シート状基材に直径２００
μｍのビアホールを任意の数形成し、そのビアホール
に、少なくとも金属粉末を含む導電性ペーストを充填し
て、ビアホール導体を形成した板状体を形成し、金属配
線およびビアホール直上に開口部を設けられたビアラン
ドを形成し、加圧することによって、金属配線と絶縁層
およびビアホール導体と前記ビアランドを接続させた板
状体とを、２００℃で１．５時間、圧力７５ｋｇ/ｃｍ2
の条件で加熱加圧することで三層板を作成した。

【００６３】以下に絶縁層に使用したシート状基板およ
び導電性ペーストの成分組成と作製方法の詳細を示す。

【００６４】 (シート状基材の成分組成) Ａｌ₂Ｏ₃ (昭和電工社製、ＡＳ−４０：粒径１２μｍ) ９０重量％液状熱硬化エポキシ樹脂 (日本レック社製、ＥＦ-４５０) ９．５重量％カーボンブラック（東洋カーボン社製）０．２重量％カップリング剤（味の素社製、チタネート系：４６Ｂ）０．３重量％前記各成分を前記組成になるよう秤量し、これらの混合
物に、粘度調整用溶剤としてメチルエチルケトン溶剤
を、前記混合物のスラリー粘度が約２０Ｐａ・ｓになる
まで添加した。そして、これらにアルミナの玉石を加
え、ポット中で４８時間、速度５００ｒｐｍの条件で回
転混合し、前記シート状基材の原料となるスラリーを調
整した。また使用した導電性ペーストの組成を以下に示
す。

【００６５】（導電性ペースト）球形状の銅粒子（三井金属鉱業社製：粒径２μｍ）８５重量％ビスフェノールＡ型熱硬化エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、エピコート８２８）３重量％グルシジルエステル系エポキシ樹脂（東都化成社製、ＹＤ−１７１）９重量％アミンアダクト硬化剤（味の素社製、ＭＹ―２４）３重量％以上の材料を、以上の組成になるように調整し、三本ロ
ールにより混錬して作製した。

【００６６】配線および開口部を設けられたビアランド
は、図４（ｄ）に示した種類の転写用配線パターン形成
材を用い、第1の金属層となる７０μｍの銅箔上に剥離
層を介して、配線パターンに対応する第2の金属層とな
る９μｍの銅箔が形成された構造からなる転写用配線パ
ターン形成材による転写によって形成した。評価したビ
アランドは、ランドの中心に円形の開口部を設け、設け
られた開口部の総面積がビアホール導体断面積に対し
て、５，１０，５０，９０，９５％となるように、直径
を変化させたビアランドおよび開口部の面積が０％の開
口部のないビアランドを内層に使って、前述のように三
層板を作成した。

【００６７】評価は、ビアホールを１００個連結したも
のの、吸湿８５℃８５％ＲＨを1週間後、最高温度２３
０℃でリフローを１０回した時の電気抵抗値を測定し、
その変化量を表1に示す。

【００６８】

【表１】

【００６９】表１に示したとおり、三層板の内層に開口
部を１０％、５０％、９０％設けたものが０％（開口部
のない従来のビアランド）、５％、９５％設けたものに
対して、半分以下の変化量に収まっている事が分かる。

【００７０】(実施例２)図３の断面図に示すようにビア
ランドに設けられた開口部について、ビアランドに開口
部を設ける際に絶縁層に接する側に突起部を形成したも
のを内層のビアランドに使用して、三層板を作製し、ビ
アランドに鉤型の形状のものを形成していない三層板
と、ビアホールを１００個連結したものの、吸湿８５℃
８５％ＲＨを１週間後、最高温度２３０℃でリフローを
１０回した時の電気抵抗値で比較した。図１(ｂ)の種類
の開口部を設けたもの、および開口部の面積が０％の開
口部のないビアランドを使用した。絶縁層、導電性ペー
スト、および金属箔は実施例１と同じものを使用し、金
属配線および開口部を設けたビアランドは実施例１と同
じ転写用配線パターン形成材による転写によって形成し
た。その評価結果を表２に示す。

【００７１】

【表２】

【００７２】表２に示したとおり、図１(ｂ)の種類の開
口部を設けたものが０％(開口部のない従来のビアラン
ド)に対して、半分以下の変化量に収まっていることが
わかる。

【００７３】以上のようにビアホール用導電性ペースト
上に形成する開口部を有するビアランドを用いることに
より、極めて信頼性の高いインナービア構造の多層基板
が得られる。また併せて転写用配線パターン形成材を用
いて、同開口部を有するビアランドを転写形成すること
によって基板表面が平坦となり、局部的なビアへの圧縮
応力が軽減でき、より多層でしかも微細な配線を要求さ
れる高密度実装用多層基板を実現する上で極めて有効で
ある。

【００７４】なお、無機質フィラーとしては、Ａｌ₂Ｏ₃
のみならず、ＭｇＯ，ＢＮ，ＡｌＮ，ＳｉＯ₂から選ば
れた一種以上のものを７０重量％から９５重量％の範囲
で含み、有機樹脂組成物を５重量％から３０重量％の範
囲で含む混合物から絶縁層を構成しても良い。

【００７５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ビアラン
ドに開口部を設けることで、ビア接続の電気抵抗の信頼
性を向上させることができる。とくに多層配線基板を作
製した時の内層におけるビア接続の信頼性を、金属配線
層の絶縁層に対する凹凸に関係なく、向上させることが
できる。

【００７６】また本発明によれば、開口部を設けたビア
ランドを使用するのでビアランドの側面を含めて、多面
的に接合され、ビアホール導体とビアランド間の接合強
度を強くするという効果が得られる。

【００７７】さらに、本発明の転写用配線パターン形成
材の転写によって多層配線基板を作成した時に、前記ビ
アランドが絶縁層の上面に対して平坦もしくは幾分下位
になっていても、本発明のビアランドに設けられた開口
部から、ビアホール導体中に充填された導電性ペースト
が露出し、多層化する際にできるビアランドと上側の絶
縁層との間における空隙の発生を抑制し、多層化した
時、内層の層間接続における信頼性の改善に効果が得ら
れる。

【００７８】また、加熱加圧によって絶縁層に金属箔を
接着した後に、該金属箔から金属配線層とビアランドを
サブトラクティブ法によってパターン形成する場合や、
金属配線層とビアランドをメッキなどのアディティブ法
によって形成する場合、前記ビアランドが絶縁層の上面
に対して突出していても、ビアランドに設けられた開口
部から、ビアホール導体中に充填された導電性ペースト
が露出し、ビアホール導体にかかる力を緩和し、ビアホ
ールの形が壊れるのを抑制することで、ビアホール導体
自身の電気抵抗の安定化に効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の開口部を有するビアランドの開口部形
状を示す上面図

【図２】本発明の開口部を有するビアランドを用いたビ
アホール接続の一例を示す断面図

【図３】本発明のビアランドの一例を示す断面図

【図４】本発明の多層基板の作製方法を示す工程断面図

【図５】本発明の別の作製方法を示す工程断面図

【図６】本発明の転写用配線パターン形成材の作製方法
を示す工程断面図

【図７】本発明の転写用配線パターン形成材を用いた多
層基板の作製方法を示す工程断面図

【図８】本発明の別の転写用配線パターン形成材を用い
た多層基板の作製方法を示す工程断面図

【図９】本発明の別の転写用配線パターン形成材を用
いた多層基板の作製方法を示す工程断面図

【符号の説明】

１００ビアランド１０１〜１０６開口部２０開口部２００，２０５，２０９ビアランド２０１，２０２，２０８，２１０導電性ペースト２０３，２０４，２０６，２０７，２１１絶縁層３０開口部３００ビアランド３０１導電性ペースト３０２絶縁層３０３突起部４０開口部４００ビアランド４０１導電性ペースト４０２絶縁層４０３開口部から露出した導電性ペースト５０開口部５００金属箔５０１，５０５導電性ペースト５０２，５０４絶縁層５０３ビアランド６００金属メッキ層６０１転写材のキャリア６０２配線パターン６０３開口部７０開口部７００ビアランド７０１，７０６導電性ペースト７０２，７０３絶縁層７０４転写材のキャリア７０５開口部から露出した導電性ペースト８０開口部８００ビアランド８０１，８０６導電性ペースト８０２，８０３絶縁層８０４転写材のキャリア８０５開口部から露出した導電性ペースト９０開口部９００ビアランド９０１導電性ペースト９０２絶縁層９０３開口部から露出した導電性ペースト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｋ (72)発明者朝日俊行大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者中谷誠一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 CC22 CC25 CC53 CD21 CD32 GG11 5E346 AA02 AA04 AA12 AA15 AA29 AA32 AA43 BB01 BB07 BB13 BB16 CC02 CC04 CC05 CC08 CC16 CC17 CC18 CC32 CC34 CC37 CC39 CC53 CC54 CC55 DD13 DD22 DD32 DD33 EE01 EE13 EE15 EE20 FF01 FF07 FF09 FF10 FF18 FF23 FF27 GG05 GG06 GG15 GG19 GG28 HH07 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層を積層して一体化した配線基板の
内部に、導電性ペーストを充填してなるビアホール導体
と、該ビアホール導体の直上にビアランドを設けた多層
配線基板であって、前記ビアランドに、上下に貫通するように形成した開口
部を設けていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】請求項１記載の多層配線基板であって、
前記開口部を通して、前記ビアホール導体の導電性ペー
ストの一部を、前記ビアランド上に露出させていること
を特徴とする多層配線基板。
【請求項３】請求項１記載の多層配線基板であって、
前記開口部における縁部に、前記ビアホール導体内に突
出して該ビアホール導体と前記ビアランドとの接触面積
を高くする突起部を形成していることを特徴とする多層
配線基板。
【請求項４】請求項１記載の多層配線基板であって、
前記ビアランドに設けた開口部を、その開口部の上下方
向視での総面積が前記ビアホール導体の上下方向視での
面積に対して１０％から９０％の範囲内に形成している
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項５】請求項１記載の多層配線基板であって、
前記開口部は、一つのビアランドに二つ以上形成されて
いることを特徴とする多層配線基板。
【請求項６】請求項５記載の多層配線基板であって、
前記開口部は、一つのビアランドに細幅のスリットが二
つ以上幅方向に並ぶように形成されていることを特徴と
する多層配線基板。
【請求項７】請求項１記載の多層配線基板であって、
前記開口部は、一つのビアランドにリング状に形成して
いることを特徴とする多層配線基板。
【請求項８】請求項１記載の多層配線基板であって、
前記開口部は、一つのビアランドに篭目状に形成してい
ることを特徴とする多層配線基板。
【請求項９】請求項１記載の多層配線基板であって、
前記絶縁層が無機質フィラーと有機樹脂とからなる、も
しくは無機質フィラーと有機樹脂と補強材とからなるこ
とを特徴とする多層配線基板。
【請求項１０】請求項９記載の多層配線基板であっ
て、前記絶縁層は、Ａｌ₂Ｏ₃，ＭｇＯ，ＢＮ，ＡｌＮ，
ＳｉＯ₂から選ばれた一種以上の無機質フィラーを７０
重量％から９５重量％の範囲で含み、有機樹脂組成物を
５重量％から３０重量％の範囲で含む混合物からなるこ
とを特徴とする多層配線基板。
【請求項１１】請求項９記載の多層配線基板であっ
て、前記補強材は、ガラス繊維の織布、ガラス繊維の不
織布、耐熱有機繊維の織布または耐熱有機繊維の不織布
の４者のうち少なくとも一つのものから構成されるシー
ト状補強材からなることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１２】（ａ）少なくとも未硬化状態の熱硬化
性樹脂を含む絶縁層からなるシート状基材にビアホール
を形成する工程と、（ｂ）前記ビアホールに、導電性ペ
ーストを充填してビアホール導体を形成する工程と、
（ｃ）上下に貫通した開口部を有するビアランドと配線
部とを有する金属配線層を、加圧することによって前記
シート状基材に貼り合せ、前記ビアランドを前記ビアホ
ール直上に形成し、かつ前記配線部と前記ビアホール導
体とを前記ビアランドを介して接続させて板状体を得る
工程と、（ｄ）前記板状体を所望の数だけ加熱加圧する
ことで積層し、前記熱硬化性樹脂および前記導電性ペー
ストを硬化させる工程を含むことを特徴とする多層配線
基板の製造方法。
【請求項１３】請求項１２記載の多層配線基板の製造
方法であって、前記ビアランドは、転写用配線パターン
形成材による転写によって形成されることを特徴とする
多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】請求項１３記載の多層配線基板の製造
方法であって、前記転写用配線パターン形成材は、前記
ビアランドに設けられた前記開口部を、転写される配線
パターンの金属層だけでなく、転写キャリアとなる金属
層もしくは有機フィルムにも連なって、形成したことを
特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１５】請求項３に記載の多層配線基板の製造
方法であって、前記ビアランドに前記開口部を設ける際
に前記ビアホール導体中の導電ペーストに接する側に該
導電ペーストとの接触面積を高める突起を打ち抜き形成
し、前記ビアホール導体とビアランドとの接続を強化し
たことを特徴とする多層配線基板の製造方法。