JP4082995B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア基板の表面上方のみ(片面)にビルドアップ層を形成している配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を形成した配線基板の製造方法として、例えば特許文献１に示す方法が開示されている。
また、上記のような配線基板を、平坦なビルドアップ層で且つ効率良く製造する方法として、以下のものが提案されている。
即ち、予め表面および裏面に所定パターンの配線層を形成した２枚のコア基板を重ね合わせ、それらの外側面に絶縁樹脂付き銅箔を積層し且つプレスして積層体を形成し、かかる積層体の両面(表面)に樹脂絶縁層および配線層を有するビルドアップ配線層を形成する。その後、積層していたコア基板を互いに分離することにより、片面ビルドアップ配線基板をからなる多層プリント基板を２枚同時に製造する方法である。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２０４９４０号公報 (図１)
【０００４】
【発明が解決すべき課題】
しかしながら、上記の製造方法では、２枚のコア基板を重ね合わせ、それぞれの配線層自体を互いに接触させて積層するため、かかる配線層が損傷するおそれがある。しかも、ビルドアップ配線層を形成した後、上記積層体を分離した個別のコア基板において、ビルドアップ配線層と反対側のコア基板の表面(裏面)では、当初の配線層の上に更にソルダーレジスト層やランド形成用などの開口部を更に形成する工程が必要となるため、生産性を低下させる、という問題があった。
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面(片面)に平坦なビルドアップ層を形成できると共に、高い生産性をもって製造可能とする配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、予め表面および裏面に配線層を形成した一対のコア基板の裏面に、追ってソルダーレジスト層となるプリプレグおよび金属箔を貼り付けた状態で、上記一対のコア基板を積層し且つそれぞれの表面にビルドアップ層を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板の製造方法(請求項１)は、表面および裏面に配線層をそれぞれ有するコア基板における裏面の下方に、プリプレグおよび金属箔を形成する工程と、上記プリプレグおよび金属箔を形成した一対のコア基板を、それぞれの金属箔を面接触させて積層した状態で、上記一対のコア基板の表面上方に複数の絶縁層および複数の配線層を含むビルドアップ層をそれぞれ形成する工程と、上記ビルドアップ層を形成した一対のコア基板を分離した後、個別のコア基板における上記プリプレグに当該コア基板の裏面に形成した配線層を露出させる開口部を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【０００６】
これによれば、プリプレグにより各コア基板の裏面に形成した配線層を保護でき、且つ一対のコア基板に形成した金属箔同士が面接触するため、かかる一対のコア基板を厚み方向に沿って積層しても互いに接着するおそれがない。このため、各コア基板の表面上方に平坦なビルドアップ層を確実に形成できる共に、その後において、積層していた一対のコア基板を容易に分離できる。
しかも、分離した個々のコア基板に裏面に形成されたプリプレグは、かかる裏面側のソルダーレジスト層として活用できるため、コア基板の裏面に形成した配線層を露出させることにより、当該配線基板の裏面側における接続端子を容易に形成できるので、配線基板の生産性を高めることにも寄与することができる。
【０００７】
尚、上記コア基板には、樹脂またはセラミックの単一の絶縁層からなる形態の他、複数の絶縁層とその間に配置した配線層とを有する多層基板の形態も含まれる。また、上記プリプレグには、接着性、弾力性(柔軟性)、および絶縁性を有する熱硬化性樹脂などが含まれる。更に、上記金属箔には、銅箔の他、アルミニウム箔も含まれる。
付言すれば、本発明の配線基板の製造方法は、表面および裏面に配線層をそれぞれ有すると共に、かかる表面および裏面の間を貫通し且つ表面の配線層と裏面の配線層とを導通するスルーホール導体を有するコア基板における裏面の下方に、プリプレグおよび金属箔を形成する工程と、かかるプリプレグおよび金属箔を形成した一対のコア基板を、それぞれの金属箔を面接触させて積層した状態で、上記一対のコア基板の表面上方に複数の絶縁層および複数の配線層を含むビルドアップ層をそれぞれ形成する工程と、かかるビルドアップ層を形成を形成した一対のコア基板を分離した後、個別のコア基板における上記プリプレグに当該コア基板の裏面に形成した配線層を露出させる開口部を形成する工程と、を含む、とすることも可能である。
【０００８】
また、本発明には、前記一対のコア基板は、それぞれ平面方向に沿って追ってコア基板となる複数の製品エリアを有するパネルであり、かかる複数の製品エリアを跨って前記プリプレグおよび金属箔が形成されている、配線基板の製造方法(請求項２)も含まれる。これによれば、縦横の平面方向に沿って複数のコア基板を内包する多数個取りのパネルにおいて、かかるパネルの裏面における上記コア基板となる複数の製品エリアの全体に、プリプレグおよび金属箔が形成される。このため、配線基板の生産性を一層高めることができる。
【０００９】
更に、本発明には、前記プリプレグに開口部を形成する工程は、前記金属箔を除去した前記プリプレグ、または上記金属箔およびプリプレグに対し、それらの厚み方向に沿ってレーザ加工を施すことにより行われる、配線基板の製造方法(請求項３)も含まれる。これによれば、プリプレグのみや、金属箔およびプリプレグにおける任意の位置にレーザ加工することにより、コア基板の裏面における配線層を所望の面積で容易に露出させ、当該配線基板自体を搭載するマザーボードなどのプリント基板との接続端子を精度および効率良く形成することができる。
【００１０】
また、本発明には、前記プリプレグに開口部を形成する工程の後に残る金属箔の面積は、当初の面積の６０％以上である、配線基板の製造方法(請求項４)も含まれる。これによれば、コア基板の裏面側に当初の金属箔の６０％以上が残るため、かかるコア基板の表面上方にビルドアップ層を形成した後でも、上記金属箔によって、当該配線基板がビルドアップ層側に反る、即ちビルドアップ層の中央付近が凹む形態の変形を防止できる。この結果、ビルドアップ層の平坦性を更に良好に保てるため、当該配線基板の信頼性を高めることができる。
しかも、残った金属箔により、配線基板の第２主面側における耐水性や耐湿性を高められ、且つ周辺から発せられる高周波ノイズを遮蔽することもできる。
尚、残る金属箔の面積が当初の６０％未満になると、上述した反り防止の効果が不十分になる危険があるため、かかる範囲を除外したものであり、金属箔の好ましい残留面積(比)は、当初の８０％またはこれ以上である。
【００１１】
更に、本発明には、前記プリプレグに開口部を形成する工程の後に、かかる開口部の底面に露出する前記コア基板における裏面の配線層に導体ピンまたはハンダボールを接続する工程を更に有する、配線基板の製造方法を含めることも可能である。これによる場合、ピングリッドアレイ(ＰＧＡ)型やボールグリッドアレイ(ＢＧＡ)型の配線基板を容易に形成できる。尚、導体ピンには、銅系合金または鉄系合金(例えば、コバール)からなるピンが含まれる。
また、本発明には、前記プリプレグに開口部を形成する工程の後に、かかる開口部内および上記プリプレグの裏面下に跨る導体層を形成し、且つかかる導体層をフォトリソグラフィ技術により上記開口部付近のランドとして形成する、配線基板の製造方法を含めることも可能である。これによる場合、ランドグリッドアレイ(ＬＧＡ)型の配線基板を容易に形成できる。
【００１２】
更に、本発明には、前記導体層を形成する際に、予め前記プリプレグに形成された開口部の内面および底面とかかる開口部に隣接する上記プリプレグの裏面下とに跨って、断面ほぼハット形の金属メッキ層を形成する、配線基板の製造方法を含めることも可能である。これによる場合、上記金属メッキ層にハンダなどの低融点合金を容易に接合できるため、上記ハンダなどを介して、導体ピンやハンダボールを接合して、マザーボートなどとの導通を自在に行うことが可能となる。尚、上記金属メッキ層は、例えばＮｉメッキおよびＡｕメッキの順序で形成した２層構造のメッキ層が含まれる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１(Ａ)は、コア基板２の断面を示す。かかるコア基板２は、厚さ約８００μｍのガラス−エポキシ樹脂からなる単一の絶縁層であり、その表面２ａおよび裏面２ｂに厚さ約１６μｍの銅箔１０ａ，１１ａが予め貼り付けられている。
上記コア基板２の所定の位置にレーザを照射するか、細径のドリルにて穿孔する。その結果、図１(Ｂ)に示すように、コア基板２における表面２ａと裏面２ｂとの間を貫通し且つ内径が約１００μｍのスルーホール５が複数形成される。
【００１４】
次に、複数のスルーホール５を有するコア基板２の全面に対し、無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。尚、各スルーホール５の内壁には、予めＰｄを含むメッキ触媒を塗布しておく。また、上記スルーホール５の穿孔および銅メッキは、複数のコア基板２(製品単位)を含むパネル(多数個取りの基板)の状態で行っても良い。その結果、図１(Ｃ)に示すように、各スルーホール５の内壁表面に沿って厚みが約３０μｍのスルーホール導体６がそれぞれ形成される。また、銅箔１０ａ，１１ａは、厚めの銅メッキ層１０ｂ，１１ｂ(便宜上厚みは銅箔１０ａ，１１ａと同じとする)となる。
【００１５】
次いで、図１(Ｄ)に示すように、各スルーホール導体６の内側に、シリカフィラなどの無機フィラ入りのエポキシ系樹脂からなる充填樹脂７を充填する。尚、充填樹脂７に替え、多量の金属粉末を含む導電性樹脂または金属粉末を含む非導電性樹脂を用いても良い。更に、表面２ａおよび裏面２ｂの銅メッキ層１０ｂ，１１ｂの上に、全面銅メッキを行い充填樹脂７の表面に蓋メッキを行う。
そして、公知のフォトリソグラフィ技術により、所定のパターンを有する図示しないエッチングレジストを銅メッキ層１０ｂ，１１ｂの上に形成した後、かかるエッチングレジストのパターン間の隙間から露出する銅メッキ層１０ｂ，１１ｂをエッチング(公知のサブトラクティブ法)する。
【００１６】
その結果、図２(Ａ)に示すように、コア基板２の表面２ａおよび裏面２ｂに、上記レジストのパターンに倣った配線層１０，１１が形成される。かかる配線層１０，１１の厚みは約１５μｍであり、これらの配線層１０，１１は、スルーホール導体７を介して互いに導通している。
次に、図２(Ｂ)に示すように、コア基板２の裏面２ｂおよび配線層１１の下に、プリプレグ１２および銅箔(金属箔)１４を形成する。かかるプリプレグ１２は、接着性、弾力性、および絶縁性を有する厚さ数１０μｍの熱硬化性樹脂(例えばエポキシ、ビスマレイミド・トリアジン、フェノール、ポリイミド、ポリエステルなど)からなる。また、銅箔１４の厚みは、約２０μｍである。
【００１７】
尚、前記銅箔１４などを形成する工程は、複数のコア基板２を平面方向に沿って多数有する多数個取り用のパネルの裏面側において、各コア基板２となる複数の製品エリアに跨って、プリプレグ１２と銅箔１４とを順次形成しても良い。
次いで、図２(Ｃ)に示すように、プリプレグ１２および銅箔１４を裏面２ｂ側に形成した一対のコア基板２，２を、それらの銅箔１４同士を面接触させた状態で積層し且つ固定する。この際、積層した一対のコア基板２をそれぞれの厚み方向に沿って若干のプレスを行っても良い。
【００１８】
次に、図３(Ａ)に示すように、積層された何れかのコア基板２の表面２ａおよび配線層１０の上方に、絶縁層１６，２２および配線層２０，２６を交互に積層したビルドアップ層ＢＵを形成する。絶縁層１６などは、シリカフィラなどの無機フィラを含む厚さ約３０μｍのエポキシ系樹脂からなる。また、配線層２０などは、厚さ約１５μｍの銅メッキ層からなる。更に、絶縁層１６，２２には、配線層１０，２０，２６の相互間を接続するビア導体(フィルドビア)１８，２４が形成される。尚、ビルドアップ層ＢＵは、公知のビルドアップ工程(セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術など)により形成される。
また、残りのコア基板２の表面２ａの上方にも、上記と同様にしてビルドアップ層ＢＵを形成する。
【００１９】
次いで、各コア基板２における絶縁層２２および配線層２６の上に、厚さが約２５μｍのソルダーレジスト層(絶縁層)２８を形成する。
図３(Ａ)に示すように、配線層２６上の適所には、第１主面２９よりも高く突出するハンダバンプ(ＩＣ接続端子)３０を複数形成する。ハンダバンプ３０は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系など(本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系)の低融点合金からなり、第１主面２９上に実装される図示しないＩＣチップなどの接続端子と個別に接続される。また、複数のハンダバンプ３０とＩＣチップなどの接続端子とは、アンダーフィル材により埋設され且つ保護される。尚、他方のコア基板２にも、上記と同じ工程が施される。また、以上のビルドアップ工程なども前記パネルの状態で行っても良い。
【００２０】
更に、図３(Ｂ)に示すように、銅箔１４，１４において面接触してビルドアップ層ＢＵを形成したコア基板２を、個別に分離する。この分離工程は、銅箔１４同士が高い離型性を有するため、極めて容易に行える。また、コア基板２の裏面２ｂの配線層１１は、プリプレグ１２により、前記積層工程およびビルドアップ工程の双方においても当初のパターンのまま保護されている。更に、プリプレグ１２は、コア基板２の裏面２ｂ側におけるソルダーレジスト層を形成する。
尚、前記ハンダバンプ３０の形成は、上述した分離工程の後に行っても良い。
【００２１】
これ以降の工程では、施す工程ごとにより異なる形態の配線基板が得られる。
例えば、図４(Ａ)に示すように、銅箔１４を公知のエッチングで除去した後、露出したプリプレグ１２における所定の位置に、図示で垂直方向に沿って、レーザを照射する。この結果、コア基板２の裏面２ｂに形成された配線層１１が露出する開口部１３が形成される。かかる開口部１３の底面に露出する配線１１ｃは、その表面に図示しないＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、マザーボードなどのプリント基板と接続するための接続端子(ランド)となる。これにより、図４(Ａ)に示すような配線基板１が得られる。
尚、図４(Ａ)中の中央に示すように、配線１１ｃには、ハンダｈを介して例えばコバール製の導体ピンｐが接続される。また、上記レーザには、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、あるいはエキシマレーザなどが用いられる。
【００２２】
また、図４(Ｂ)に示すように、銅箔１４およびプリプレグ１２おける所定の位置に対して、図示で垂直方向に沿って、レーザを照射することにて、配線層１１が露出する開口部１３を形成しても良い。かかる開口部１３の底面に露出する配線１１ｃは、ＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、前記同様の接続端子(ランド)となる。この結果、図４(Ｂ)に示すような配線基板１ａが得られる。
【００２３】
尚、上記レーザには、前述した何れかのレーザを用いるが、銅箔１４とプリプレグ１２とで、その出力を変更するなどの調整を行う。また、上記開口部１３を形成した後に残る銅箔１４は、当初の平面視における面積の少なくとも６０％以上、望ましくは８０％以上とする。これにより、配線基板１ａ全体がビルドアップ層ＢＵ側に反る変形を防止でき、ビルドアップ層ＢＵの平坦性を更に良好に保てるため、当該配線基板１ａの信頼性を高めることができる。しかも、残った銅箔１４により、配線基板１ａの第２主面(裏面２ｂ)側における耐水性などを高められ、且つ周辺の機器などから発生する高周波ノイズを遮蔽することもできる。
【００２４】
更に、図５(Ａ)に示すように、前記銅箔１４の下側に、所定パターンのエッチングレジスト(図示せず)を形成した後、当該レジストの間から露出する銅箔１４を上記パターンに倣ってエッチングして除去することにより、所定パターンの銅箔１４ａを形成する。次に、図５(Ｂ)に示すように、かかる銅箔１４ａの隙間からコア基板２の裏面２ｂに形成した配線層１１に達する開口部１３を、前記レーザの照射により形成する。次いで、図５(Ｃ)に示すように、開口部１３の内面および周囲の銅箔１４ａに、ＮｉメッキおよびＡｕメッキからなる断面ほぼハット形の金属メッキ層１５を形成した後、その下側にハンダなどからなるロウ材１７を形成する。この結果、図５(Ｃ)に示す配線基板１ｂが得られる。
尚、上記ロウ材１７には、図示しないハンダボールまたは前記導体ピンｐなどが接続されたり、あるいはマザーボード側の接続端子が直に接続される。
【００２５】
以上に説明した本発明の配線基板の製造方法によれば、プリプレグ１２により各コア基板２の裏面２ｂに形成した配線層１１を保護でき、且つ一対のコア基板２に形成した銅箔１４同士が面接触するため、これらのコア基板２を厚み方向に沿って積層しても互いに接着しない。この結果、各コア基板２の表面２ａ上方に平坦なビルドアップ層ＢＵを確実に形成できる共に、その後に一対のコア基板２を容易に分離できる。しかも、分離した個々のコア基板２に裏面２ｂに形成したプリプレグ１２は、かかる裏面２ｂ側のソルダーレジスト層として活用できる。この結果、コア基板２の裏面２ｂに形成した配線層１１を露出させることで、配線基板１，１ａ，１ｂの裏面２ｂ側における接続端子(配線)１１ｃなどを容易に形成できるため、配線基板の生産性を高めることも可能となる。
【００２６】
図６は、異なる形態の配線基板１ｃの製造方法に関する。尚、以下において、前記形態と共通する部分や要素には、前記と共通の符号を用いるものとする。
図６(Ａ)は、一対の多層基板のコア基板Ｋを互いに積層して固定した状態を示す。コア基板Ｋは、図６(Ａ)に示すように、絶縁層２と、その表面２ａおよび裏面２ｂ上に形成した配線層８，９と、これらの上に形成した絶縁層３，４とからなる多層基板である。絶縁層２は、平面視がほぼ正方形で且つ厚みが５００μｍ未満のガラスクロスまたはガラス繊維入りのエポキシ樹脂からなる。また、配線層８，９は、厚さ約１５μｍの銅メッキ層であり、絶縁層３，４は、ガラスフィラなどの無機フィラを含む厚さ数１０μｍのエポキシ系樹脂からなる。かかるコア基板Ｋの全体の厚みは、約６００〜８００μｍである。
【００２７】
コア基板Ｋは、絶縁層２の表面２ａおよび裏面２ｂに予め形成された銅箔を、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより所定パターンの配線層８，９とし、その上に樹脂フィルムを圧着して絶縁層３，４を形成することで得られる。
かかるコア基板Ｋの表面３ａと裏面４ａとの間に、図６(Ａ)に示すように、スルーホール５、スルーホール導体６、および充填樹脂７を、前述した方法により複数形成する。尚、各スルーホール導体６は、その中間で配線層８，９と接続する。また、コア基板Ｋの表面３ａおよび裏面４ａには、銅メッキ、フォトリソグラフィ技術、およびエッチングにより、所定パターンの配線層１０，１１が形成され、これには各スルーホール導体６を介して互いに導通する。
【００２８】
図６(Ａ)に示すように、裏面４ａおよび配線層１１に隣接してプリプレグ１２および銅箔１４を形成した一対のコア基板Ｋ，Ｋを、それらの銅箔１４同士を面接触させた状態で積層し且つ固定する。かかる積層状態で、前記同様にして、何れかのコア基板Ｋの表面３ａ上方に、前記同様にしてビルドアップ層ＢＵ、ソルダーレジスト層２８、およびハンダバンプ３０を形成する。また、他方のコア基板にも、同様にしてビルドアップ層ＢＵなどを形成する。
次に、図６(Ｂ)に示すように、個別に分離したコア基板Ｋにおいて、その銅箔１４をエッチングにより除去した後、露出したプリプレグ１２に前記同様のレーザを照射して、開口部１３を形成する。かかる開口部１３の底面に露出する配線１１ｃは、ＮｉおよびＡｕメッキが被覆されて、マザーボードなどのプリント基板と接続するための接続端子(ランド)となる。
これにより、図６(Ｂ)に示すような配線基板１ｃが得られる。
【００２９】
以上のような配線基板１ｃの製造方法においても、平坦なビルドアップ層ＢＵを形成できると供に、プリプレグ１２をソルダーレジスト層として流用できるため、製造工数を少なくすることができる。しかも、コア基板Ｋには、配線層８，９が内設されているため、配線の高密度化にも対応することも容易である。
尚、前記配線１１ｃには、ハンダを介して前記導体ピンｐを接続したり、ハンダボールを接続しても良い。あるいは、図４(Ｂ)に示したように、前記銅箔１４を６０％以上残して、開口部１３および配線１１ｃを形成しても良い。更には、図５(Ａ)〜(Ｃ)に示したように、所定パターンの銅箔１４ａ、開口部１３、金属メッキ層１５、およびロウ材１７を形成しても良い。
【００３０】
本発明は以上において説明した形態に限定されるものではない。
前記金属箔には、純アルミニウム系のアルミニウム箔を用いても良い。
また、前記コア基板２やコア基板Ｋの絶縁層２の材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、ビスマレイミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂、エポキシ樹脂、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性などを有するガラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂系の複合材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることも可能である。
【００３１】
あるいは、前記コア基板２やコア基板Ｋの絶縁層２〜４などの材質をセラミックとすることもできる。かかるセラミックには、アルミナ、珪酸、ガラスセラミック、窒化アルミニウムなどが含まれ、更には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成セラミックを用いることもできる。セラミックからなる前記コア基板２やコア基板Ｋには、パンチングやレーザ加工によりスルーホール５が穿孔され、それらの表面２ａ，３ａ上には、樹脂フィルムからなる絶縁層１６などがラミネートされると共に、前述したビルドアップ工程によりビルドアップ層ＢＵが形成される。
尚、前記コア基板Ｋの場合、上記セラミックからなる３枚のグリーンシートを用意し、これらのグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方にＷ、Ｍｏ、またはＣｕなどからなるメタライズインクで所定パターンの配線層を形成した後、これらのグリーンシートを積層し且つ焼成する。また、上記メタライズには、Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄなどの素材を用いても良い。
【００３２】
更に、前記絶縁層１６，２２などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
【００３３】
また、前記配線層１０などやスルーホール導体６などの材質は、前記Ｃｕ(銅)の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
更に、ビア導体は、前記フィルドビア導体１８などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【００３４】
【発明の効果】
以上に説明した本発明の配線基板の製造方法(請求項１)によれば、コア基板の裏面に形成した配線層をプリプレグにより保護でき、且つ一対のコア基板に形成した金属箔同士が面接触するため、これらを厚み方向に沿って積層しても互いに接着しない。この結果、各コア基板の表面上方に平坦なビルドアップ層ＢＵを確実に形成できる共に、その後に各コア基板を容易に分離できる。しかも、分離したコア基板に裏面に形成したプリプレグは、ソルダーレジスト層として活用できるため、コア基板の裏面に形成した配線層を露出させることで、配線基板の裏面側における接続端子(配線)を容易に形成できるので、配線基板の生産性を高めることも可能となる。
【００３５】
また、請求項２の配線基板の製造方法よれば、複数のコア基板を併有する多数個取りのパネルにおいて、かかるパネルの裏面における上記コア基板となる複数の製品エリアの全体に、プリプレグおよび金属箔が形成されるため、配線基板の生産性を更に高めることができる。
更に、請求項３の配線基板の製造方法よれば、プリプレグのみや、金属箔およびプリプレグの双方にレーザ加工することで、コア基板の裏面における配線層を所望の面積で容易に露出し、当該配線基板自体を搭載するマザーボードなどとの接続端子を、精度および効率良く形成することができる。
【００３６】
また、請求項４の配線基板の製造方法よれば、コア基板にビルドアップ層を形成した後でも、残った金属箔により、当該配線基板がビルドアップ層側に反る変形を防止できる。この結果、ビルドアップ層の平坦性を一層良好に保てるため、当該配線基板の信頼性を高めることができる。しかも、残った金属箔により、配線基板の第２主面(コア基板の裏面)側における耐水性や耐湿性を高められ、且つ周辺から発せられる高周波ノイズを遮蔽することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 (Ａ)〜(Ｄ)は本発明の製造方法における各工程を示す概略図。
【図２】 (Ａ)〜(Ｃ)は図１(Ｄ)に続く本発明の製造方法における各工程を示す概略図。
【図３】 (Ａ)，(Ｂ)は図２(Ｃ)に続く本発明の製造方法における各工程を示す概略図。
【図４】 (Ａ)，(Ｂ)は本発明の製造方法に得られた各配線基板を示す断面図。
【図５】 (Ａ)〜(Ｃ)は図３(Ｂ)続く製造方法における各工程またはこれにより得られた配線基板を示す断面図。
【図６】 (Ａ)，(Ｂ)は異なる形態の配線基板の製造工程またはこれにより得られた配線基板を示す断面図。
【符号の説明】
１，１ａ〜１ｃ……………配線基板
２，Ｋ………………………コア基板
２ａ，３ａ…………………表面
２ｂ，４ａ…………………裏面
１０，１１，２０，２６…配線層
１２…………………………プリプレグ
１３…………………………開口部
１４…………………………銅箔(金属箔)
１６，２２…………………絶縁層
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア基板の表面上方のみ(片面)にビルドアップ層を形成している配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を形成した配線基板の製造方法として、例えば特許文献１に示す方法が開示されている。
また、上記のような配線基板を、平坦なビルドアップ層で且つ効率良く製造する方法として、以下のものが提案されている。
即ち、予め表面および裏面に所定パターンの配線層を形成した２枚のコア基板を重ね合わせ、それらの外側面に絶縁樹脂付き銅箔を積層し且つプレスして積層体を形成し、かかる積層体の両面(表面)に樹脂絶縁層および配線層を有するビルドアップ配線層を形成する。その後、積層していたコア基板を互いに分離することにより、片面ビルドアップ配線基板をからなる多層プリント基板を２枚同時に製造する方法である。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２０４９４０号公報 (図１)
【０００４】
【発明が解決すべき課題】
しかしながら、上記の製造方法では、２枚のコア基板を重ね合わせ、それぞれの配線層自体を互いに接触させて積層するため、かかる配線層が損傷するおそれがある。しかも、ビルドアップ配線層を形成した後、上記積層体を分離した個別のコア基板において、ビルドアップ配線層と反対側のコア基板の表面(裏面)では、当初の配線層の上に更にソルダーレジスト層やランド形成用などの開口部を更に形成する工程が必要となるため、生産性を低下させる、という問題があった。
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面(片面)に平坦なビルドアップ層を形成できると共に、高い生産性をもって製造可能とする配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、予め表面および裏面に配線層を形成した一対のコア基板の裏面に、追ってソルダーレジスト層となるプリプレグおよび金属箔を貼り付けた状態で、上記一対のコア基板を積層し且つそれぞれの表面にビルドアップ層を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板の製造方法(請求項１)は、表面および裏面に配線層をそれぞれ有するコア基板における裏面の下方に、プリプレグおよび金属箔を形成する工程と、上記プリプレグおよび金属箔を形成した一対のコア基板を、それぞれの金属箔を面接触させて積層した状態で、上記一対のコア基板の表面上方に複数の絶縁層および複数の配線層を含むビルドアップ層をそれぞれ形成する工程と、上記ビルドアップ層を形成した一対のコア基板を分離した後、個別のコア基板における上記プリプレグに当該コア基板の裏面に形成した配線層を露出させる開口部を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【０００６】
これによれば、プリプレグにより各コア基板の裏面に形成した配線層を保護でき、且つ一対のコア基板に形成した金属箔同士が面接触するため、かかる一対のコア基板を厚み方向に沿って積層しても互いに接着するおそれがない。このため、各コア基板の表面上方に平坦なビルドアップ層を確実に形成できる共に、その後において、積層していた一対のコア基板を容易に分離できる。
しかも、分離した個々のコア基板に裏面に形成されたプリプレグは、かかる裏面側のソルダーレジスト層として活用できるため、コア基板の裏面に形成した配線層を露出させることにより、当該配線基板の裏面側における接続端子を容易に形成できるので、配線基板の生産性を高めることにも寄与することができる。
【０００７】
尚、上記コア基板には、樹脂またはセラミックの単一の絶縁層からなる形態の他、複数の絶縁層とその間に配置した配線層とを有する多層基板の形態も含まれる。また、上記プリプレグには、接着性、弾力性(柔軟性)、および絶縁性を有する熱硬化性樹脂などが含まれる。更に、上記金属箔には、銅箔の他、アルミニウム箔も含まれる。
付言すれば、本発明の配線基板の製造方法は、表面および裏面に配線層をそれぞれ有すると共に、かかる表面および裏面の間を貫通し且つ表面の配線層と裏面の配線層とを導通するスルーホール導体を有するコア基板における裏面の下方に、プリプレグおよび金属箔を形成する工程と、かかるプリプレグおよび金属箔を形成した一対のコア基板を、それぞれの金属箔を面接触させて積層した状態で、上記一対のコア基板の表面上方に複数の絶縁層および複数の配線層を含むビルドアップ層をそれぞれ形成する工程と、かかるビルドアップ層を形成を形成した一対のコア基板を分離した後、個別のコア基板における上記プリプレグに当該コア基板の裏面に形成した配線層を露出させる開口部を形成する工程と、を含む、とすることも可能である。
【０００８】
また、本発明には、前記一対のコア基板は、それぞれ平面方向に沿って追ってコア基板となる複数の製品エリアを有するパネルであり、かかる複数の製品エリアを跨って前記プリプレグおよび金属箔が形成されている、配線基板の製造方法(請求項２)も含まれる。これによれば、縦横の平面方向に沿って複数のコア基板を内包する多数個取りのパネルにおいて、かかるパネルの裏面における上記コア基板となる複数の製品エリアの全体に、プリプレグおよび金属箔が形成される。このため、配線基板の生産性を一層高めることができる。
【０００９】
更に、本発明には、前記プリプレグに開口部を形成する工程は、前記金属箔を除去した前記プリプレグ、または上記金属箔およびプリプレグに対し、それらの厚み方向に沿ってレーザ加工を施すことにより行われる、配線基板の製造方法(請求項３)も含まれる。これによれば、プリプレグのみや、金属箔およびプリプレグにおける任意の位置にレーザ加工することにより、コア基板の裏面における配線層を所望の面積で容易に露出させ、当該配線基板自体を搭載するマザーボードなどのプリント基板との接続端子を精度および効率良く形成することができる。
【００１０】
また、本発明には、前記プリプレグに開口部を形成する工程の後に残る金属箔の面積は、当初の面積の６０％以上である、配線基板の製造方法(請求項４)も含まれる。これによれば、コア基板の裏面側に当初の金属箔の６０％以上が残るため、かかるコア基板の表面上方にビルドアップ層を形成した後でも、上記金属箔によって、当該配線基板がビルドアップ層側に反る、即ちビルドアップ層の中央付近が凹む形態の変形を防止できる。この結果、ビルドアップ層の平坦性を更に良好に保てるため、当該配線基板の信頼性を高めることができる。
しかも、残った金属箔により、配線基板の第２主面側における耐水性や耐湿性を高められ、且つ周辺から発せられる高周波ノイズを遮蔽することもできる。
尚、残る金属箔の面積が当初の６０％未満になると、上述した反り防止の効果が不十分になる危険があるため、かかる範囲を除外したものであり、金属箔の好ましい残留面積(比)は、当初の８０％またはこれ以上である。
【００１１】
更に、本発明には、前記プリプレグに開口部を形成する工程の後に、かかる開口部の底面に露出する前記コア基板における裏面の配線層に導体ピンまたはハンダボールを接続する工程を更に有する、配線基板の製造方法を含めることも可能である。これによる場合、ピングリッドアレイ(ＰＧＡ)型やボールグリッドアレイ(ＢＧＡ)型の配線基板を容易に形成できる。尚、導体ピンには、銅系合金または鉄系合金(例えば、コバール)からなるピンが含まれる。
また、本発明には、前記プリプレグに開口部を形成する工程の後に、かかる開口部内および上記プリプレグの裏面下に跨る導体層を形成し、且つかかる導体層をフォトリソグラフィ技術により上記開口部付近のランドとして形成する、配線基板の製造方法を含めることも可能である。これによる場合、ランドグリッドアレイ(ＬＧＡ)型の配線基板を容易に形成できる。
【００１２】
更に、本発明には、前記導体層を形成する際に、予め前記プリプレグに形成された開口部の内面および底面とかかる開口部に隣接する上記プリプレグの裏面下とに跨って、断面ほぼハット形の金属メッキ層を形成する、配線基板の製造方法を含めることも可能である。これによる場合、上記金属メッキ層にハンダなどの低融点合金を容易に接合できるため、上記ハンダなどを介して、導体ピンやハンダボールを接合して、マザーボートなどとの導通を自在に行うことが可能となる。尚、上記金属メッキ層は、例えばＮｉメッキおよびＡｕメッキの順序で形成した２層構造のメッキ層が含まれる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１(Ａ)は、コア基板２の断面を示す。かかるコア基板２は、厚さ約８００μｍのガラス−エポキシ樹脂からなる単一の絶縁層であり、その表面２ａおよび裏面２ｂに厚さ約１６μｍの銅箔１０ａ，１１ａが予め貼り付けられている。
上記コア基板２の所定の位置にレーザを照射するか、細径のドリルにて穿孔する。その結果、図１(Ｂ)に示すように、コア基板２における表面２ａと裏面２ｂとの間を貫通し且つ内径が約１００μｍのスルーホール５が複数形成される。
【００１４】
次に、複数のスルーホール５を有するコア基板２の全面に対し、無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。尚、各スルーホール５の内壁には、予めＰｄを含むメッキ触媒を塗布しておく。また、上記スルーホール５の穿孔および銅メッキは、複数のコア基板２(製品単位)を含むパネル(多数個取りの基板)の状態で行っても良い。その結果、図１(Ｃ)に示すように、各スルーホール５の内壁表面に沿って厚みが約３０μｍのスルーホール導体６がそれぞれ形成される。また、銅箔１０ａ，１１ａは、厚めの銅メッキ層１０ｂ，１１ｂ(便宜上厚みは銅箔１０ａ，１１ａと同じとする)となる。
【００１５】
次いで、図１(Ｄ)に示すように、各スルーホール導体６の内側に、シリカフィラなどの無機フィラ入りのエポキシ系樹脂からなる充填樹脂７を充填する。尚、充填樹脂７に替え、多量の金属粉末を含む導電性樹脂または金属粉末を含む非導電性樹脂を用いても良い。更に、表面２ａおよび裏面２ｂの銅メッキ層１０ｂ，１１ｂの上に、全面銅メッキを行い充填樹脂７の表面に蓋メッキを行う。
そして、公知のフォトリソグラフィ技術により、所定のパターンを有する図示しないエッチングレジストを銅メッキ層１０ｂ，１１ｂの上に形成した後、かかるエッチングレジストのパターン間の隙間から露出する銅メッキ層１０ｂ，１１ｂをエッチング(公知のサブトラクティブ法)する。
【００１６】
その結果、図２(Ａ)に示すように、コア基板２の表面２ａおよび裏面２ｂに、上記レジストのパターンに倣った配線層１０，１１が形成される。かかる配線層１０，１１の厚みは約１５μｍであり、これらの配線層１０，１１は、スルーホール導体７を介して互いに導通している。
次に、図２(Ｂ)に示すように、コア基板２の裏面２ｂおよび配線層１１の下に、プリプレグ１２および銅箔(金属箔)１４を形成する。かかるプリプレグ１２は、接着性、弾力性、および絶縁性を有する厚さ数１０μｍの熱硬化性樹脂(例えばエポキシ、ビスマレイミド・トリアジン、フェノール、ポリイミド、ポリエステルなど)からなる。また、銅箔１４の厚みは、約２０μｍである。
【００１７】
尚、前記銅箔１４などを形成する工程は、複数のコア基板２を平面方向に沿って多数有する多数個取り用のパネルの裏面側において、各コア基板２となる複数の製品エリアに跨って、プリプレグ１２と銅箔１４とを順次形成しても良い。
次いで、図２(Ｃ)に示すように、プリプレグ１２および銅箔１４を裏面２ｂ側に形成した一対のコア基板２，２を、それらの銅箔１４同士を面接触させた状態で積層し且つ固定する。この際、積層した一対のコア基板２をそれぞれの厚み方向に沿って若干のプレスを行っても良い。
【００１８】
次に、図３(Ａ)に示すように、積層された何れかのコア基板２の表面２ａおよび配線層１０の上方に、絶縁層１６，２２および配線層２０，２６を交互に積層したビルドアップ層ＢＵを形成する。絶縁層１６などは、シリカフィラなどの無機フィラを含む厚さ約３０μｍのエポキシ系樹脂からなる。また、配線層２０などは、厚さ約１５μｍの銅メッキ層からなる。更に、絶縁層１６，２２には、配線層１０，２０，２６の相互間を接続するビア導体(フィルドビア)１８，２４が形成される。尚、ビルドアップ層ＢＵは、公知のビルドアップ工程(セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術など)により形成される。
また、残りのコア基板２の表面２ａの上方にも、上記と同様にしてビルドアップ層ＢＵを形成する。
【００１９】
次いで、各コア基板２における絶縁層２２および配線層２６の上に、厚さが約２５μｍのソルダーレジスト層(絶縁層)２８を形成する。
図３(Ａ)に示すように、配線層２６上の適所には、第１主面２９よりも高く突出するハンダバンプ(ＩＣ接続端子)３０を複数形成する。ハンダバンプ３０は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系など(本実施形態ではＳｎ−Ａｇ系)の低融点合金からなり、第１主面２９上に実装される図示しないＩＣチップなどの接続端子と個別に接続される。また、複数のハンダバンプ３０とＩＣチップなどの接続端子とは、アンダーフィル材により埋設され且つ保護される。尚、他方のコア基板２にも、上記と同じ工程が施される。また、以上のビルドアップ工程なども前記パネルの状態で行っても良い。
【００２０】
更に、図３(Ｂ)に示すように、銅箔１４，１４において面接触してビルドアップ層ＢＵを形成したコア基板２を、個別に分離する。この分離工程は、銅箔１４同士が高い離型性を有するため、極めて容易に行える。また、コア基板２の裏面２ｂの配線層１１は、プリプレグ１２により、前記積層工程およびビルドアップ工程の双方においても当初のパターンのまま保護されている。更に、プリプレグ１２は、コア基板２の裏面２ｂ側におけるソルダーレジスト層を形成する。
尚、前記ハンダバンプ３０の形成は、上述した分離工程の後に行っても良い。
【００２１】
これ以降の工程では、施す工程ごとにより異なる形態の配線基板が得られる。
例えば、図４(Ａ)に示すように、銅箔１４を公知のエッチングで除去した後、露出したプリプレグ１２における所定の位置に、図示で垂直方向に沿って、レーザを照射する。この結果、コア基板２の裏面２ｂに形成された配線層１１が露出する開口部１３が形成される。かかる開口部１３の底面に露出する配線１１ｃは、その表面に図示しないＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、マザーボードなどのプリント基板と接続するための接続端子(ランド)となる。これにより、図４(Ａ)に示すような配線基板１が得られる。
尚、図４(Ａ)中の中央に示すように、配線１１ｃには、ハンダｈを介して例えばコバール製の導体ピンｐが接続される。また、上記レーザには、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、あるいはエキシマレーザなどが用いられる。
【００２２】
また、図４(Ｂ)に示すように、銅箔１４およびプリプレグ１２おける所定の位置に対して、図示で垂直方向に沿って、レーザを照射することにて、配線層１１が露出する開口部１３を形成しても良い。かかる開口部１３の底面に露出する配線１１ｃは、ＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、前記同様の接続端子(ランド)となる。この結果、図４(Ｂ)に示すような配線基板１ａが得られる。
【００２３】
尚、上記レーザには、前述した何れかのレーザを用いるが、銅箔１４とプリプレグ１２とで、その出力を変更するなどの調整を行う。また、上記開口部１３を形成した後に残る銅箔１４は、当初の平面視における面積の少なくとも６０％以上、望ましくは８０％以上とする。これにより、配線基板１ａ全体がビルドアップ層ＢＵ側に反る変形を防止でき、ビルドアップ層ＢＵの平坦性を更に良好に保てるため、当該配線基板１ａの信頼性を高めることができる。しかも、残った銅箔１４により、配線基板１ａの第２主面(裏面２ｂ)側における耐水性などを高められ、且つ周辺の機器などから発生する高周波ノイズを遮蔽することもできる。
【００２４】
更に、図５(Ａ)に示すように、前記銅箔１４の下側に、所定パターンのエッチングレジスト(図示せず)を形成した後、当該レジストの間から露出する銅箔１４を上記パターンに倣ってエッチングして除去することにより、所定パターンの銅箔１４ａを形成する。次に、図５(Ｂ)に示すように、かかる銅箔１４ａの隙間からコア基板２の裏面２ｂに形成した配線層１１に達する開口部１３を、前記レーザの照射により形成する。次いで、図５(Ｃ)に示すように、開口部１３の内面および周囲の銅箔１４ａに、ＮｉメッキおよびＡｕメッキからなる断面ほぼハット形の金属メッキ層１５を形成した後、その下側にハンダなどからなるロウ材１７を形成する。この結果、図５(Ｃ)に示す配線基板１ｂが得られる。
尚、上記ロウ材１７には、図示しないハンダボールまたは前記導体ピンｐなどが接続されたり、あるいはマザーボード側の接続端子が直に接続される。
【００２５】
以上に説明した本発明の配線基板の製造方法によれば、プリプレグ１２により各コア基板２の裏面２ｂに形成した配線層１１を保護でき、且つ一対のコア基板２に形成した銅箔１４同士が面接触するため、これらのコア基板２を厚み方向に沿って積層しても互いに接着しない。この結果、各コア基板２の表面２ａ上方に平坦なビルドアップ層ＢＵを確実に形成できる共に、その後に一対のコア基板２を容易に分離できる。しかも、分離した個々のコア基板２に裏面２ｂに形成したプリプレグ１２は、かかる裏面２ｂ側のソルダーレジスト層として活用できる。この結果、コア基板２の裏面２ｂに形成した配線層１１を露出させることで、配線基板１，１ａ，１ｂの裏面２ｂ側における接続端子(配線)１１ｃなどを容易に形成できるため、配線基板の生産性を高めることも可能となる。
【００２６】
図６は、異なる形態の配線基板１ｃの製造方法に関する。尚、以下において、前記形態と共通する部分や要素には、前記と共通の符号を用いるものとする。
図６(Ａ)は、一対の多層基板のコア基板Ｋを互いに積層して固定した状態を示す。コア基板Ｋは、図６(Ａ)に示すように、絶縁層２と、その表面２ａおよび裏面２ｂ上に形成した配線層８，９と、これらの上に形成した絶縁層３，４とからなる多層基板である。絶縁層２は、平面視がほぼ正方形で且つ厚みが５００μｍ未満のガラスクロスまたはガラス繊維入りのエポキシ樹脂からなる。また、配線層８，９は、厚さ約１５μｍの銅メッキ層であり、絶縁層３，４は、ガラスフィラなどの無機フィラを含む厚さ数１０μｍのエポキシ系樹脂からなる。かかるコア基板Ｋの全体の厚みは、約６００〜８００μｍである。
【００２７】
コア基板Ｋは、絶縁層２の表面２ａおよび裏面２ｂに予め形成された銅箔を、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより所定パターンの配線層８，９とし、その上に樹脂フィルムを圧着して絶縁層３，４を形成することで得られる。
かかるコア基板Ｋの表面３ａと裏面４ａとの間に、図６(Ａ)に示すように、スルーホール５、スルーホール導体６、および充填樹脂７を、前述した方法により複数形成する。尚、各スルーホール導体６は、その中間で配線層８，９と接続する。また、コア基板Ｋの表面３ａおよび裏面４ａには、銅メッキ、フォトリソグラフィ技術、およびエッチングにより、所定パターンの配線層１０，１１が形成され、これには各スルーホール導体６を介して互いに導通する。
【００２８】
図６(Ａ)に示すように、裏面４ａおよび配線層１１に隣接してプリプレグ１２および銅箔１４を形成した一対のコア基板Ｋ，Ｋを、それらの銅箔１４同士を面接触させた状態で積層し且つ固定する。かかる積層状態で、前記同様にして、何れかのコア基板Ｋの表面３ａ上方に、前記同様にしてビルドアップ層ＢＵ、ソルダーレジスト層２８、およびハンダバンプ３０を形成する。また、他方のコア基板にも、同様にしてビルドアップ層ＢＵなどを形成する。
次に、図６(Ｂ)に示すように、個別に分離したコア基板Ｋにおいて、その銅箔１４をエッチングにより除去した後、露出したプリプレグ１２に前記同様のレーザを照射して、開口部１３を形成する。かかる開口部１３の底面に露出する配線１１ｃは、ＮｉおよびＡｕメッキが被覆されて、マザーボードなどのプリント基板と接続するための接続端子(ランド)となる。
これにより、図６(Ｂ)に示すような配線基板１ｃが得られる。
【００２９】
以上のような配線基板１ｃの製造方法においても、平坦なビルドアップ層ＢＵを形成できると供に、プリプレグ１２をソルダーレジスト層として流用できるため、製造工数を少なくすることができる。しかも、コア基板Ｋには、配線層８，９が内設されているため、配線の高密度化にも対応することも容易である。
尚、前記配線１１ｃには、ハンダを介して前記導体ピンｐを接続したり、ハンダボールを接続しても良い。あるいは、図４(Ｂ)に示したように、前記銅箔１４を６０％以上残して、開口部１３および配線１１ｃを形成しても良い。更には、図５(Ａ)〜(Ｃ)に示したように、所定パターンの銅箔１４ａ、開口部１３、金属メッキ層１５、およびロウ材１７を形成しても良い。
【００３０】
本発明は以上において説明した形態に限定されるものではない。
前記金属箔には、純アルミニウム系のアルミニウム箔を用いても良い。
また、前記コア基板２やコア基板Ｋの絶縁層２の材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、ビスマレイミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂、エポキシ樹脂、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性などを有するガラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂系の複合材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることも可能である。
【００３１】
あるいは、前記コア基板２やコア基板Ｋの絶縁層２〜４などの材質をセラミックとすることもできる。かかるセラミックには、アルミナ、珪酸、ガラスセラミック、窒化アルミニウムなどが含まれ、更には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成セラミックを用いることもできる。セラミックからなる前記コア基板２やコア基板Ｋには、パンチングやレーザ加工によりスルーホール５が穿孔され、それらの表面２ａ，３ａ上には、樹脂フィルムからなる絶縁層１６などがラミネートされると共に、前述したビルドアップ工程によりビルドアップ層ＢＵが形成される。
尚、前記コア基板Ｋの場合、上記セラミックからなる３枚のグリーンシートを用意し、これらのグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方にＷ、Ｍｏ、またはＣｕなどからなるメタライズインクで所定パターンの配線層を形成した後、これらのグリーンシートを積層し且つ焼成する。また、上記メタライズには、Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄなどの素材を用いても良い。
【００３２】
更に、前記絶縁層１６，２２などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
【００３３】
また、前記配線層１０などやスルーホール導体６などの材質は、前記Ｃｕ(銅)の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは、これら金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
更に、ビア導体は、前記フィルドビア導体１８などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【００３４】
【発明の効果】
以上に説明した本発明の配線基板の製造方法(請求項１)によれば、コア基板の裏面に形成した配線層をプリプレグにより保護でき、且つ一対のコア基板に形成した金属箔同士が面接触するため、これらを厚み方向に沿って積層しても互いに接着しない。この結果、各コア基板の表面上方に平坦なビルドアップ層ＢＵを確実に形成できる共に、その後に各コア基板を容易に分離できる。しかも、分離したコア基板に裏面に形成したプリプレグは、ソルダーレジスト層として活用できるため、コア基板の裏面に形成した配線層を露出させることで、配線基板の裏面側における接続端子(配線)を容易に形成できるので、配線基板の生産性を高めることも可能となる。
【００３５】
また、請求項２の配線基板の製造方法よれば、複数のコア基板を併有する多数個取りのパネルにおいて、かかるパネルの裏面における上記コア基板となる複数の製品エリアの全体に、プリプレグおよび金属箔が形成されるため、配線基板の生産性を更に高めることができる。
更に、請求項３の配線基板の製造方法よれば、プリプレグのみや、金属箔およびプリプレグの双方にレーザ加工することで、コア基板の裏面における配線層を所望の面積で容易に露出し、当該配線基板自体を搭載するマザーボードなどとの接続端子を、精度および効率良く形成することができる。
【００３６】
また、請求項４の配線基板の製造方法よれば、コア基板にビルドアップ層を形成した後でも、残った金属箔により、当該配線基板がビルドアップ層側に反る変形を防止できる。この結果、ビルドアップ層の平坦性を一層良好に保てるため、当該配線基板の信頼性を高めることができる。しかも、残った金属箔により、配線基板の第２主面(コア基板の裏面)側における耐水性や耐湿性を高められ、且つ周辺から発せられる高周波ノイズを遮蔽することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 (Ａ)〜(Ｄ)は本発明の製造方法における各工程を示す概略図。
【図２】 (Ａ)〜(Ｃ)は図１(Ｄ)に続く本発明の製造方法における各工程を示す概略図。
【図３】 (Ａ)，(Ｂ)は図２(Ｃ)に続く本発明の製造方法における各工程を示す概略図。
【図４】 (Ａ)，(Ｂ)は本発明の製造方法に得られた各配線基板を示す断面図。
【図５】 (Ａ)〜(Ｃ)は図３(Ｂ)続く製造方法における各工程またはこれにより得られた配線基板を示す断面図。
【図６】 (Ａ)，(Ｂ)は異なる形態の配線基板の製造工程またはこれにより得られた配線基板を示す断面図。
【符号の説明】
１，１ａ〜１ｃ……………配線基板
２，Ｋ………………………コア基板
２ａ，３ａ…………………表面
２ｂ，４ａ…………………裏面
１０，１１，２０，２６…配線層
１２…………………………プリプレグ
１３…………………………開口部
１４…………………………銅箔(金属箔)
１６，２２…………………絶縁層
Claims (4)
- 表面および裏面に配線層をそれぞれ有するコア基板における裏面の下方に、プリプレグおよび金属箔を形成する工程と、
上記プリプレグおよび金属箔を形成した一対のコア基板を、それぞれの金属箔を面接触させて積層した状態で、上記一対のコア基板の表面上方に複数の絶縁層および複数の配線層を含むビルドアップ層をそれぞれ形成する工程と、
上記ビルドアップ層を形成した一対のコア基板を分離した後、個別のコア基板における上記プリプレグに当該コア基板の裏面に形成した配線層を露出させる開口部を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記一対のコア基板は、それぞれ平面方向に沿って追ってコア基板となる複数の製品エリアを有するパネルであり、かかる複数の製品エリアを跨って前記プリプレグおよび金属箔が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。 - 前記プリプレグに開口部を形成する工程は、前記金属箔を除去した前記プリプレグ、または上記金属箔およびプリプレグに対し、それらの厚み方向に沿ってレーザ加工を施すことにより行われる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。 - 前記プリプレグに開口部を形成する工程の後に残る金属箔の面積は、当初の面積の６０％以上である、
ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
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