JP2005109188A - 回路基板、多層基板、回路基板の製造方法および多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 導体ポストの高さおよび面積、形状のばらつきが少なく、確実に層間接続を達成でき、かつ信頼性が高く、生産性のよい多層基板を提供すること。
【解決手段】 絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の面側に形成された導体回路と、他方の面側にエッチングにより形成された導体ポストとを有し、前記導体回路と前記導体ポストとは、フィルドビアで電気的に接続され、前記導体ポストは金属被覆層で覆われていることを特徴とする回路基板である。
【選択図】 図４

Description

本発明は、回路基板、多層基板、回路基板の製造方法および多層基板の製造方法に関し、特に、電子機器の部品として用いられる多層プリント配線板およびそれらを構成する回路基板並びにそれらの製造方法に関するものである。

近年の携帯端末をはじめとする電子機器の発展に伴い、高機能化、小型軽量化の要求がますます高まっており、これに伴って、プリント配線板も高密度配線化かつ高多層化の要求が高まってきている。特に、配線基板上の高密度部品実装の要求を満たすためには、配線上の制約を極力無くす構造が必要とされており、層間接続方法であるＩＶＨが重要なファクターとなっている。
従来のマスラミ積層における貫通スルーホール接続やビルドアップ積層におけるＩＶＨ接続では、ＩＶＨ上に配線パターンや、ＩＶＨが形成できないため、スタックドビア構造が可能なフィルドビアの要求が高まっている。

このようなスタックドビア構造をもつ多層積層には以下の方法が提唱されている。
（１）ＩＶＨ内を導体ペーストで充填し、その上に他の導体層を積層する。
（２）印刷等により導体ポストを形成し絶縁層を貫通させ、他の導体層と圧接する。
（３）ＩＶＨの内壁を導通接続および電気めっきした後、穴埋め材と呼ばれる絶縁材で充填し、更にその表層に導体層を形成する。
（４）基板の表層ごとＩＶＨを導通処理した後、全面を電解めっきし、基板表層とＩＶＨが均一になるよう穴埋めめっきする。
（５）導体層上に絶縁層またはレジスト層を形成しＩＶＨを形成後、電気めっきにより導体ポストを形成する。

このようなフィルドビアによる多層加工方法には以下の点で問題があった。
上記（１）は、有機不職布と呼ばれる特殊素材にＩＶＨを形成し、導電ペーストを充填後、一括積層により多層プリン度配線板を得る方法である（例えば特許文献１）。この方法では、ウエット処理を必要とせず、工数も少なく多層配線板を得ることができるが、ＩＶＨに導電ペーストを充填させるために、ＩＶＨの小径化が難しく、高密度化が困難である。

上記（２）は、導体層上に特殊な印刷法により鋭利な針状の金属ポストを形成し、熱圧により積層用絶縁樹脂を貫通させた後導体層に圧接させるビルドアップ法である（例えば特許文献２）。この方法では、ウエット処理を必要とせず、素材を比較的限定されない特徴がある。しかし、これも上記（１）同様に製法上ＩＶＨの小径化が難しく、高密度化が困難である。

上記（３）は、従来のマスラミ法やビルドアップ法の応用であり、絶縁材の穴埋めやその表層の導体層形成などの工程が増えてしまう問題がある。

上記（４）は、半導体パッケージ分野などで開発された回路形成法の応用である。ＩＶＨを含めた表層全面を導体化させた後、電気銅めっきによりＩＶＨ底のめっきの促進と、表層のめっきの抑制を同時におこない、表層のめっき高さまでＩＶＨ内をめっきで充填し、平坦化するフィルドビア法である。この方法は銅めっき液の負担が大きく、液ライフが短くかつ添加剤にシビアな管理が要求される。

上記４つの加工方法は主にビルドアップ法に用いられ、層が多くなるほど工程が増えてしまい工数、管理面で問題がある。

上記（５）は、導体層上にレジスト層をラミネートしＩＶＨを形成する。あるいはプリント配線板の支持基材となるの絶縁層にＩＶＨを形成した後、電気めっきによりＩＶＨ内を導体で充填し、導体ポストを形成する。
これらの導体ポストを他の配線板の導体層と、はんだ接合させることにより積層する方法（例えば特許文献３）である。この方法はめっきによる小径化と高信頼性化、および一括積層による工程の合理化により、近年注目されている方法である。しかし、電気めっきによる導体ポストの形成は電流分布の影響を受けやすく、ポスト高さの精度が要求される高密度実装基板の場合、より低電流でめっきする必要があり、数十μｍに及ぶ導体ポスト形成には長時間処理が必要となるため生産性に問題があった。さらに、めっきにより析出した導体ポストは、表面の平滑さやめっき粗さの問題や、ポスト形状の制約の問題もあった。
特開平８−３１６５９８号公報 特開平８−１９５５６０号公報 特開平１０−２８８９２４号公報

本発明は、上記の問題を解決させるため、製造工程が容易で確実に層間接続を達成でき、かつ信頼性の高い外層配線板の積層が可能な回路基板、多層基板、回路基板の製造方法および多層基板の製造方法を提供するものである。

このような目的は、下記（１）〜（１９）に記載の本発明により達成される。
（１）絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の面側に形成された導体回路と、他方の面側にエッチングにより形成された導体ポストとを有し、前記導体回路と前記導体ポストとは、フィルドビアで電気的に接続され、前記導体ポストは金属被覆層で覆われていることを特徴とする回路基板。
（２）前記金属被覆層は、金、銀、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム、銅からなる群より選択される少なくとも一種の金属又は該金属を含む合金で構成される上記（１）に記載の回路基板。
（３）前記絶縁基材の片面または両面に、フラックス機能を有する接着層を設けたことを特徴とする上記（１）または（２）に記載の回路基板。
（４）上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板を含む複数の回路基板を積層してなることを特徴とする多層基板。
（５）絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板とを含む複数の回路基板を積層してなることを特徴とする多層基板。
（６）絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板が接合されており、前記導体ポストを介して各回路基板の導体回路の所定部位が電気的に接続されていることを特徴とする多層基板。
（７）絶縁基材の両面にそれぞれ導体回路となる金属層が形成された前記絶縁基材に貫通穴を形成し、該貫通穴内にて前記金属層同士を導通させるフィルドビアを形成する工程と、一方の面側の金属層をエッチングして導体ポストを形成する工程と、他方の面側の金属層をエッチングして導体回路を形成する工程と、前記導体ポストを覆う表面被覆層を形成する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
（８）前記絶縁層の片面または両面に、フラックス機能を有する接着層を形成する工程を有する上記（７）に記載の回路基板の製造方法
（９）複数の上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板を所定の順序で重ね、これらを熱圧着して積層、一体化することを特徴とする多層基板の製造方法。
（１０）絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、少なくとも１つの上記（１）または（３）に記載の回路基板とを所定の順序で重ね、これらを熱圧着して積層、一体化することを特徴とする多層基板の製造方法。
（１１）複数の上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板を配置し、これらを熱圧着して積層、一体化し、各回路基板の導体回路の所定部位が前記導体ポストを介して電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層基板の製造方法。
（１２）絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、少なくとも１つの上記（１）または（３）に記載の回路基板を配置し、これらを熱圧着して積層、一体化し、各回路基板の導体回路の所定部位が前記導体ポストを介して電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層基板の製造方法。
（１３）上記（７）または（８）に記載の方法により製造された複数の回路基板を所定の順序で重ね、これらを熱圧着して積層、一体化することを特徴とする多層基板の製造方法。
（１４）絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、上記（７）または（８）に記載の方法により製造された少なくとも１つの回路基板とを所定の順序で重ね、これらを熱圧着して積層、一体化することを特徴とする多層基板の製造方法。
（１５）上記（７）または（８）に記載の方法により製造された複数の回路基板を配置し、これらを熱圧着して積層、一体化し、各回路基板の導体回路の所定部位が前記導体ポストを介して電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層基板の製造方法。
（１６）絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、上記（７）または（８）に記載の方法により製造された複数の回路基板を配置し、これらを熱圧着して積層、一体化し、各回路基板の導体回路の所定部位が前記導体ポストを介して電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層基板の製造方法。
（１７）前記熱圧着は、前記金属被覆層が溶融する第１の温度で行った後、それより低い第２の温度でおこなう上記（９）ないし（１６）のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
（１８）前記第２の温度は、接着剤が硬化するのに適した温度である上記（１７）に記載の多層基板の製造方法。
（１９）上記（９）ないし（１８）のいずれかに記載の多層基板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層基板。

本発明により、高さおよび面積のばらつきがより少ない微小ポストを成形することができ、一括積層時の接続信頼性がより高く、歩留がよく、安価な多層プリント配線板を提供することができる。

以下、本発明の実施形態について、詳細に説明するが、本発明はこれに何ら限定されるものではない。

図１〜４は、本発明を多層回路基板およびその製造方法に適用した場合の実施形態を示す断面図である。図４（ｂ）は、４層の多層回路基板４２０を示す断面図である。導体層の層数は６層となるが、２層は接続用の層で、４層が導体回路となる。
本発明の多層回路基板の製造方法として、４層回路基板の一例を説明する。ステップＡ（図１）として、本発明の回路基板である外層用の接続用導体ポスト付き回路基板１２０を製造する。また、ステップＢ（図２）として、本発明の回路基板である内層用の接続用導体ポスト付き回路基板２２０を製造する。また、ステップＣ（図３）として、外層用の両面回路基板３２０を製造する。ステップＤ（図４）として、両面回路基板３２０に回路基板１２０、２２０を積層し、多層回路基板４２０を製造する。以上、４ステップに分けることができる。ステップＡ、Ｂ、Ｃの順序は、特に限定されないが、例えば、ステップＡ、Ｂ、Ｃの順序で行い、その後、ステップＤを行うことができる。

５層以上の積層の場合、前記ステップＡで作製した回路基板１２０を最外層の回路基板として用いる。回路基板１２０側から数えて第２層以降から両面回路基板３２０間までは、ステップＢ（図２）で得られる内層用の回路基板２２０を所望の層数、積層すればよい。
以下、各ステップについて説明する。

（１−１）ステップＡ
ステップＡでは、外層用の接続用導体ポスト付き回路基板１２０を製造する（図１参照）。まず、例えばポリイミド、エポキシ樹脂などの樹脂を硬化させた絶縁基材１０２の両面に銅箔１０１が付いた両面積層板１１０を用意する（図１（ａ））。この際、絶縁基材１０２と銅箔１０１との間には、導体接続の妨げとなるスミアの発生を防ぐため、銅箔１０１と絶縁基材１０２を貼り合わせるための接着剤層は存在しない方が好ましいが、接着剤を用いて貼りあわせたものでもよい。

絶縁基材１０２にブランドビアホール１０６を形成し（図１（ｂ））、銅めっきを施し、フィルドビアめっき１０６１を形成する。
次いで、ブラインドビアホールのボトム面にあたる銅箔側をエッチングにより銅ポスト１０８を形成する。このとき得られる銅ポストは銅箔をエッチングしたものであるため高さが一定であり、またポスト表面の平滑性、粗さが安定している。さらにポスト形状も円柱、四角柱など、フォトマスクで自由に調節することができる。

さらに、銅ポスト１０８上にはんだ接合用の金属被覆層１０８１をめっき法、はんだ溶融法、ペースト印刷法などを用いて形成する。この場合の金属層は錫、鉛、銀、銅、亜鉛、ニッケル、ビスマス、アンチモン、インジウム、金の中から選ばれた少なくとも１種類以上の金属で構成される、はんだである。例えば錫系、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系等があるが、はんだの金属組合せや組成に限定されず、最適なものを選択すればよい。

金属被覆層１０８１の厚さは、特に限定されないが、好ましくは７〜１８μｍであり、より好ましくは１０〜１５μｍである。
また、はんだ接合時にこの金属層と銅箔層間で金属拡散によるボイドの発生を防止する目的で、下地処理としてニッケルめっきを１〜２μｍ行なっても良い。

次に、導体ポスト１０７の反対面の銅箔をエッチングして導体回路１０３を形成する。このとき、導体回路は銅箔以外の導体の析出がないため、より細線で高密度の対応が容易にできる。

さらに、この導体回路１０３に対し、表面被覆１０４を施す(図１(ｇ))。この表面被覆１０４の形成は、例えば絶縁性樹脂材料に接着剤を塗布したオーバーレイフィルムを貼付するか、または、インクを直接絶縁基材１０２に印刷する方法などがあるが、図１に示す構成では、表面被覆１０４は、インクを直接印刷したものを示す。なお、この表面被覆１０４は、導体回路１０３の一部を残して被覆するのが好ましい。すなわち、表面被覆１０４上に、部品などを実装するために開口部１０９を形成してもよい。またその際、必要に応じて、メッキなどの表面処理を施してもよい。

次に、導体ポスト面１０７に、フラックス機能付き接着剤１１１を形成する。ここで用いるフラックス機能付き接着剤１１１は、金属表面の清浄化機能、例えば、金属表面に存在する酸化膜の除去機能や、酸化膜の還元機能を有した接着剤であり、第１の好ましい接着剤の構成としては、フェノール性水酸基を有するフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などの樹脂（Ａ）と、前記樹脂の硬化剤（Ｂ）を含むものである。硬化剤としては、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族などの骨格をベースとしてエポキシ化されたエポキシ樹脂やイソシアネート化合物が挙げられる

第２の好ましい接着剤の構成としては、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族などの骨格をベースとしてエポキシ化されたエポキシ樹脂（Ｃ）と、イミダゾール環を有し、かつ前記エポキシ樹脂の硬化剤（Ｄ）を含むものである。イミダゾール環を有する硬化剤としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、ビス（２−エチル−４−メチル−イミダゾール）などが挙げられる。

この接着剤のこの接着剤層１１１の形成方法は特に限定されず、例えば、印刷法により絶縁基材１０２にフラックス機能付き接着剤を塗布する方法、その他転写法などがあるが、シート状の接着剤を絶縁基材１０２にラミネートする方法が簡便であり好ましい。

最後に、図１(ｇ)で得られたものを、所望のサイズに応じて切断し、外層用の接続用導体ポスト付き回路基板１２０を得る（図１（ｈ））。

（１−２）ステップB
ステップBでは、内層用の接続用導体ポスト付き回路基板２２０を製造する（図２参照）。まず、例えばポリイミド、エポキシ樹脂などの樹脂を硬化させた絶縁基材２０２の両面に銅箔２０１が付いた両面積層板２１０を用意する（図２（ａ））。この際、絶縁基材２０２と銅箔２０１との間には、導体接続の妨げとなるスミアの発生を防ぐため、銅箔２０１と絶縁基材２０２を貼り合わせるための接着剤層は存在しない方が好ましいが、接着剤を用いて貼りあわせたものでもよい。

絶縁基材２０２にブランドビアホール２０６を形成し（図２（ｂ））、銅めっきを施し、フィルドビアめっき２０６１を形成する。
次いで、ブラインドビアホールのボトム面にあたる銅箔側をエッチングにより導体ポスト２０８を形成する。このとき得られる効果は、前記ステップＡで述べたものと同様である。

さらに、導体ポスト２０８上にはんだ接合用の金属被覆層２０８１をめっき法、はんだ溶融法、ペースト印刷法などを用いて形成する。金属被覆層２０８１を構成する金属材料、金属被覆層の好ましい厚さについては、前記ステップＡで述べたものと同様である。

次に、導体ポスト２０７の反対面の銅箔をエッチングして導体回路２０３および導体ポスト１０７を受けることが出来るパッド２０５を形成する。このとき、導体回路は銅箔以外の導体の析出がないため、より細線で高密度の対応が容易にできる。

次に、導体ポスト面２０７に、フラックス機能付き接着剤２１１を形成する。ここで用いられるフラックス機能付き接着剤や接着剤層の形成方法等の詳細については、前述した通りである。

最後に、図２(ｇ)で得られたものを、所望のサイズに切断し、内層用の接続用導体ポスト付き回路基板２２０を得る（図２（ｈ））。

（１−３）ステップＣ
ステップＣでは、外層用の両面回路基板３２０を製造する（図３参照）。まず、例えばポリイミド、エポキシ樹脂などの樹脂を硬化させた絶縁基材３０２の両面に銅箔３０１が付いた両面積層板３１０を用意する（図３（ａ））。この際、絶縁基材３０２と銅箔３０１との間には、導体接続の妨げとなるスミアの発生を防ぐため、銅箔３０１と絶縁基材３０２を貼り合わせるための接着剤層は存在しない方が好ましいが、接着剤を用いて貼りあわせたものでもよい。

絶縁基材３０２にブランドビアホール３０６を形成し（図３（ｂ））、銅めっきを施し、フィルドビアめっき３０６１を形成する（図３（ｃ））。
次いで、エッチングにより導体回路３０３および導体ポスト２０７を受けることが出来るパッド３０５を形成する（図３（ｄ））。

さらに、導体ポスト２０７を受けることが出来るパッド３０５の反対面に対し、表面被覆３０４を施す(図１(ｆ))。この表面被覆３０４の形成は、例えば絶縁性樹脂材料に接着剤を塗布したオーバーレイフィルムを貼付するか、または、インクを直接絶縁基材３０２に印刷する方法などがあるが、図３に示す構成では、表面被覆３０４は、インクを直接印刷したものを示す。なお、この表面被覆３０４は、導体回路３０３の一部を残して被覆するのが好ましい。すなわち、表面被覆３０４上に、部品などを実装するために開口部３０９を形成してもよい。またその際、必要に応じて、メッキなどの表面処理を施してもよい。

積層前に、外層両面回路基板３２０を個片に裁断しても問題はない。個片に裁断された両面回路基板３２０を用いる場合には、不良品を使用せず、良品のみを積層することができるため最終製品の歩留向上が可能であるという利点がある。前記回路基板１２０、２２０についても同様である。

（１−４）ステップＤ
ステップＤでは、多層回路基板４２０を製造する（図４参照）。

まず、個片の外層両面回路基板３２０に内層回路基板２２０をレイアップし、さらにその外側に外層回路基板１２０をレイアップする（図４（ａ））。その際の位置合わせは、例えば、各層の導体回路に予め形成されている位置決めマーク（図示せず）を画像認識装置により読み取り、位置合わせする方法、位置合わせ用のピンで位置合わせする方法を用いることができる。

次に、重ねられた外層両面回路基板３２０、内層回路基板２２０および外層回路基板１２０を積層、一体化する。このような多層化は、熱圧着、すなわち加熱下で圧着しつつ行う。その具体的方法は、次の通りである。

半田接合が可能な温度（金属被覆層が溶融する第１の温度）に加熱して、導体ポスト１０７が、フラックス機能付き接着剤層１１１を介して、導体ポスト１０７の金属被覆層１０８１と内層フレキシブル回路基板２２０のパッド部分２０５と、そして導体ポスト２０７が、フラックス機能付き接着剤層２１１を介して、導体ポスト２０７の金属被覆層２０８１と、外層両面基板３２０のパッド部分３０５とがそれぞれ溶融接合するまで熱圧着し、次いで、前記より低い温度（半田が溶融しない温度でかつ接着剤が硬化するのに適した第２の温度）で再加熱してフラックス機能付き接着剤層１１１、２１１を硬化させ、層間を接着させることにより、外層両面基板３２０、内層回路基板２２０および外層回路基板１２０を積層、一体化する(図３(ｂ))。このように、熱圧着の工程において、温度差を設けて行う（前半を高温、後半を低温で加熱する）ことにより、半田を十分に溶融して接合不良を防止するとともに、かかる半田溶融接合がなされた後は直ちにフラックス機能付き接着剤層を硬化させて各層の接合部、特に溶融接合部を固定化するので、導通不良等を生じることなく、信頼性の高い多層配線板が得られるという優れた効果を発揮する。

各層を積層する方法としては、例えば、真空プレスまたは熱ラミネートとベーキングを併用する方法等を用いることができる。

なお、前記第１の温度は、好ましくは１７０〜２７０℃、より好ましくは１８５〜２６０℃とされ、前記第２の温度は、好ましくは１２０〜２００℃、より好ましくは１５０〜１９０℃とすることができる。

以上により、外層両面回路基板３２０，内層回路基板２２０および外層回路基板１２０が積層された多層回路基板４２０が得られる。

以上図１〜図４を用いて、回路層数が４層の構成について説明したが、本発明には外層回路基板１２０と外層両面回路基板３２０をレイアップした３層の構成や、外層回路基板を最外層の回路基板として用い、外層回路基板側から数えて第２層以降から外層両面回路基板間までに、内層用の回路基板を所望の層数、積層した５層以上の多層回路基板も含まれる。

（実施例１）
[内層用の両面プリント配線板を作製]
銅箔厚み１２μｍ、エポキシ樹脂厚み６０μｍからなる両面銅張積層板に、保護フィルムとしてドライフィルムフォトレジストを片側にラミネートする。この状態でＵＶレーザーによりドライフィルムフォトレジスト、片面銅箔、エポキシ樹脂を除去しφ５０μｍのＩＶＨを形成する。このとき積層用の位置決め穴も合わせて形成しておく。さらにこのＩＶＨは低圧のプラズマをもちいてドライデスミアをおこなう。続いてもう一方の銅箔面をめっき治具により給電かつシーリングし電気銅めっきによりＩＶＨのボトムから銅めっきを約７０μｍ析出させる。次にドライフィルムフォトレジストを水酸化ナトリウムにより除去したあと、あらためてドライフィルムフォトレジストを両面にラミネートし、露光、現像、エッチングにより両面プリント配線板を作製する。

[外層用の導体ポスト付き両面プリント配線板の作製]
同じく銅箔厚み１２μｍ、エポキシ樹脂厚み６０μｍからなる両面銅張積層板に、保護フィルムとしてドライフィルムフォトレジストを片側にラミネートする。この状態でＵＶレーザーによりドライフィルムレジスト、片面銅箔、エポキシ樹脂を除去しφ５０μｍのＩＶＨを形成する。このとき積層用の位置決め穴も合わせて形成しておく。さらにこのＩＶＨは低圧のプラズマをもちいてドライデスミアをおこなう。続いてもう一方の銅箔面をめっき治具により給電かつシーリングし電気銅めっきによりＩＶＨのボトムから銅めっきを約７０μｍ析出させる。次にドライフィルムフォトレジストを水酸化ナトリウムにより除去したあと、あらためてドライフィルムフォトレジストを両面にラミネートし、レーザー加工をおこなっていない銅箔面を、露光、現像、エッチングにより導体ポストを形成する。つづいて、導体ポストの裏面の導体層をめっき治具で給電かつシーリングし、導体ポスト上に錫−銀からなる鉛フリーはんだめっきを１０〜１５μｍ程度形成する。
次に、ドライフィルムフォトレジストを両面にラミネートし、導体ポストと反対面の導体層に露光、現像、エッチングにより配線パターンを形成する。最後に導体ポスト面全面にフラックス機能付き接着剤層をラミネートする。これらを層数分用意する。

[多層プリント配線板の作製]
内層用両面プリント配線板をコア層とし、外装用の導体ポスト付き両面プリント配線板を位置合わせ用のピンを使ってレイアップする。その後、真空式加圧ラミネーターで１３０℃、０.２ＭＰａ、３０秒で仮接着した後、３００℃、０．０５ＭＰａで３分間プレスし、導体ポストの表面の鉛フリーはんだを溶融させ、フラックス機能付き接着剤層を介して重なり合うプリント配線板の配線パターンと金属接合を形成する。さらに、１８０℃で１時間ベーキングし接着剤層を硬化させ積層される。最後に最外層をソルダーレジストで被覆し、実装用の端子部をめっきなどにより表面処理をおこない多層プリント配線板を得る。
（実施例２）

内層用両面プリント配線板が両面フレキシブル配線板であり、レイアップ後のプレス条件が、真空式加圧ラミネーターで１００℃、０.１ＭＰａ、３０秒で仮接着した後、３００℃、０．００２ＭＰａで３分間プレスである以外は、実施例１と同様の方法で得られるフレックスリジット配線板
（実施例３）

内層用および外層用両面プリント配線板が両面フレキシブル配線板であり、レイアップ後のプレス条件が、真空式加圧ラミネーターで１００℃、０.１ＭＰａ、３０秒で仮接着した後、３００℃、０．０００２ＭＰａで３分間プレスである以外は、実施例１と同様の方法で得られる多層フレキシブルプリント配線板

本発明は、電子機器の部品として用いられるプリントの製造方法に関するものである。

本発明の、外層回路基板とその製造方法を説明するための断面図である。 本発明の、内層回路基板とその製造方法を説明するための断面図である。 本発明の、外層両面回路基板とその製造方法を説明するための断面図である。 本発明の、多層回路基板とその製造方法を説明するための断面図である。

符号の説明

１０１、２０１、３０１：銅箔
１０２、２０２、３０２：絶縁基材
１０３、２０３、３０３：導体回路
１０４、３０４：表面被覆
１０６、２０６、３０３：ブラインドビアホール
１０６１、２０６１、３０３１：フィルドビアメッキ
１０７、２０７：導体ポスト
１０８、２０８：銅ポスト
１０８１、２０８１：金属被覆層
１０９、３０９：開口部
１１０、２１０、３１０：積層板
１１１、２１１：フラックス機能付き接着剤
１２０、２２０、３２０、４２０：回路基板、多層基板
２０５、３０５：導体ポストを受けるパッド

Claims (19)

1. 絶縁基材と、
   前記絶縁基材の一方の面側に形成された導体回路と、他方の面側にエッチングにより形成された導体ポストとを有し、前記導体回路と前記導体ポストとは、フィルドビアで電気的に接続され、前記導体ポストは金属被覆層で覆われていることを特徴とする回路基板。
2. 前記金属被覆層は、金、銀、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム、銅からなる群より選択される少なくとも一種の金属又は該金属を含む合金で構成される請求項１に記載の回路基板。
3. 前記絶縁基材の片面または両面に、フラックス機能を有する接着層を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板を含む複数の回路基板を積層してなることを特徴とする多層基板。
5. 絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板とを含む複数の回路基板を積層してなることを特徴とする多層基板。
6. 絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板が接合されており、前記導体ポストを介して各回路基板の導体回路の所定部位が電気的に接続されていることを特徴とする多層基板。
7. 絶縁基材の両面にそれぞれ導体回路となる金属層が形成された前記絶縁基材に貫通穴を形成し、該貫通穴内にて前記金属層同士を導通させるフィルドビアを形成する工程と、一方の面側の金属層をエッチングして導体ポストを形成する工程と、他方の面側の金属層をエッチングして導体回路を形成する工程と、前記導体ポストを覆う表面被覆層を形成する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
8. 前記絶縁層の片面または両面に、フラックス機能を有する接着層を形成する工程を有する請求項７に記載の回路基板の製造方法
9. 複数の請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板を所定の順序で重ね、これらを熱圧着して積層、一体化することを特徴とする多層基板の製造方法。
10. 絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、少なくとも１つの請求項１または３に記載の回路基板とを所定の順序で重ね、これらを熱圧着して積層、一体化することを特徴とする多層基板の製造方法。
11. 複数の請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板を配置し、これらを熱圧着して積層、一体化し、各回路基板の導体回路の所定部位が前記導体ポストを介して電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層基板の製造方法。
12. 絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、少なくとも１つの請求項１または３に記載の回路基板を配置し、これらを熱圧着して積層、一体化し、各回路基板の導体回路の所定部位が前記導体ポストを介して電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層基板の製造方法。
13. 請求項７または８に記載の方法により製造された複数の回路基板を所定の順序で重ね、これらを熱圧着して積層、一体化することを特徴とする多層基板の製造方法。
14. 絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、請求項７または８に記載の方法により製造された少なくとも１つの回路基板とを所定の順序で重ね、これらを熱圧着して積層、一体化することを特徴とする多層基板の製造方法。
15. 請求項７または８に記載の方法により製造された複数の回路基板を配置し、これらを熱圧着して積層、一体化し、各回路基板の導体回路の所定部位が前記導体ポストを介して電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層基板の製造方法。
16. 絶縁基材と、前記絶縁基材の両面にそれぞれ形成された導体回路を有する回路基板と、請求項７または８に記載の方法により製造された複数の回路基板を配置し、これらを熱圧着して積層、一体化し、各回路基板の導体回路の所定部位が前記導体ポストを介して電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層基板の製造方法。
17. 前記熱圧着は、前記金属被覆層が溶融する第１の温度で行った後、それより低い第２の温度でおこなう請求項９ないし１６のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
18. 前記第２の温度は、接着剤が硬化するのに適した温度である請求項１７に記載の多層基板の製造方法。
19. 請求項９ないし１８のいずれかに記載の多層基板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層基板。

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