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TECHNISCHES
GEBIET
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung mit aktiver
Matrix, die Lichtemissionselemente, wie EL (Elektrolumineszenz-)
Elemente, die Licht emittieren, wenn ein Antriebsstrom durch einen organischen
Halbleiter fließt,
oder LED (Leuchtdioden-) Elemente, und Dünnfilmtransistoren (in der
Folge als "TFT" bezeichnet), die
den Lichtemissionsbetrieb dieses Lichtemissionselements steuern,
verwendet. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine
Anordnungsoptimierungstechnik zur Verbesserung deren Anzeigeeigenschaften.
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STAND DER
TECHNIK
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Anzeigevorrichtungen
mit aktiver Matrix, die Lichtemissionselemente mit Stromsteuerung
verwenden, wie EL-Elemente oder LED-Elemente, wurden bereits vorgeschlagen.
Da jedes der Lichtemissionselemente, die in dieser Art von Anzeigevorrichtung
verwendet werden, im Gegensatz zu einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
selbst Licht emittieren kann, ist kein Gegenlicht erforderlich,
und es gibt Vorteile, da die Abhängigkeit
vom Betrachtungswinkel gering ist.
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Die
Europäische
Patentschrift Nr. 0717446A2 mit dem Titel "TFT EL display panel using organic electroluminescent
media" offenbart
eine flache Feldanzeige, die Dünnfilmtransistor-Elektrolumineszenz-
(TFT-EL) Pixel verwendet. Ein Adressierschema, das zwei TFTs und
einen Speicherkondensator enthält,
wird verwendet, um dem EL-Pixel auf dem Feld zu ermöglichen
bei einer relativen Einschaltdauer von annähernd 100% zu arbeiten.
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Die
Europäische
Patentanmeldung Nr. 9829803.9 mit dem Titel "Display Device" offenbart eine Anzeigevorrichtung,
in eine parasitäre
Kapazität,
die den Datenleitungen und Antriebs schaltungen zugeordnet ist, unter
Verwendung einer Bankschicht verhindert wird, deren primärer Zweck
darin besteht, Flächen
auf einem Substrat zu definieren, in welchen ein organischer Halbleiterfilm
gebildet wird.
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Die
Europäische
Patentanmeldung Nr. 9837856.7 mit dem Titel "Active Matrix Display Device" offenbart eine Anzeigevorrichtung
mit aktiver Matrix, in der eine parasitäre Kapazität oder dergleichen unterdrückt wird,
indem ein dicker Isolierfilm um einen organischen Halbleiterfilm
gebildet wird, und eine Trennung oder dergleichen in der Gegenelektrode
nicht auftritt, die auf der oberen Schicht des Isolierfilms gebildet
ist. Beide obengenannten Anmeldungen sind gleichzeitig mit der vorliegenden
Anmeldung anhängig.
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22 zeigt
ein Beispiel einer solchen Anzeigevorrichtung, ein Blockdiagramm
einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die organische Dünnfilm-EL-Elemente
vom Ladungsinjektionstyp verwendet. In einer Anzeigevorrichtung 1A,
die in dieser Figur dargestellt ist, sind auf einem transparenten
Substrat eine Vielzahl von Abtastleitungen "gate",
eine Vielzahl von Datenleitungen "sig",
die sich in eine Richtung erstrecken, die die Verlaufsrichtung der
Abtastleitungen (gate) schneidet, eine Vielzahl von allgemeinen
Stromversorgungsleitungen (com) parallel zu diesen Datenleitungen
(sig), und Pixel (7), die den Schnittpunkten der Datenleitungen "sig" und der Abtastleitungen "gate" entsprechen, gebildet.
In Bezug auf die Datenleitungen "sig" ist eine datenseitige
Treiberschaltung 3 gebildet, die ein Schieberegister, einen
Pegelverschieber, einen Video-Eingang und einen analoger Schalter
umfasst. In Bezug auf die Abtastleitungen ist eine abtastseitige
Treiberschaltung 4 gebildet, die ein Schieberegister und
einen Pegelverschieber umfasst. Außerdem ist jedes der Pixel 7 mit einem
ersten TFT 20, in dem ein Abtastsignal zu seiner Torelektrode über die
Abtastleitungen geleitet wird, einem Haltekondensator "cap" zum Halten eines
Bildsignals, das von den Datenleitungen "sig" über diesen
ersten TFT 20 zugeleitet wird, einem zweiten TFT 30,
in dem ein Bildsignal, das von diesem Haltekondensator "cap" gehalten wird, zu
seiner Torelektrode geleitet wird, und Lichtemissionselementen 40 gebildet,
zu welchen ein Antriebsstrom von den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, wenn
diese über
den zweiten TFT 30 an die allgemeinen Stromversorgungsleitungen
elektrisch angeschlossen sind.
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Wie
in 23(A) und 23(B) dargestellt,
sind insbesondere in allen Pixeln 7 der erste TFT 20 und der
zweite TFT 30 unter Verwendung von zwei inselförmigen Halbleiterfilmen
gebildet, eine Relais-Elektrode 35 ist elektrisch an die
Source- und Drain-Bereiche des zweiten TFT 30 durch ein
Kontaktloch eines ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 angeschlossen,
und eine Pixelelektrode 41 ist elektrisch an die Relais-Elektrode 35 durch
ein Kontaktloch eines zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52 angeschlossen.
An der Seite der oberen Schichten dieser Pixelelektrode 41 sind
eine positive Löcherinjektionsschicht 42,
ein organischer Halbleiterfilm 43 und eine Gegenelektrode "op" in mehrschichtig
angeordnet. Hier ist die Gegenelektrode "op" über eine
Vielzahl von Pixeln 7 derart gebildet, dass sie sich über die Datenleitungen "sig" und dergleichen
erstreckt. Ferner sind die allgemeinen Stromversorgungsleitungen com
elektrisch an die Source- und Drain-Bereiche des zweiten TFT 30 durch
das Kontaktloch angeschlossen.
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Im
Gegensatz dazu ist in dem ersten TFT 20 eine Potenzialhalteelektrode "st", die elektrisch
an die Source- und Drain-Bereiche angeschlossen ist, elektrisch
an einen verlängerten
Abschnitt 310 einer Torelektrode 31 angeschlossen.
An der Seite der unteren Schichten liegt ein Halbleiterfilm 400 diesem verlängertem
Abschnitt 310 durch einen Torisolierfilm 50 gegenüber, und
da dieser Halbleiterfilm 400 durch eingefügte Störstellen
leitend gemacht wird, bildet dieser Halbleiterfilm 400 gemeinsam
mit dem verlängerten
Abschnitt 310 und dem Torisolierfilm 50 den Haltekondensator "cap". Hier ist die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" elektrisch an den Halbleiterfilm 400 durch
das Kontaktloch des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 angeschlossen.
Da der Haltekondensator "cap" ein Bildsignal hält, das von
den Datenleitungen "sig" über den ersten TFT 20 zugeleitet
wird, wird daher die Torelektrode 31 des zweiten TFT 30 bei
einem Potenzial gehalten, das dem Bildsignal entspricht, selbst
wenn der erste TFT 20 abgeschaltet wird. Da der Antriebsstrom
weiter von den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" zu dem Lichtemissionselement 40 fließt, emittiert
daher das Lichtemissionselement 40 weiterhin Licht.
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Im
Vergleich zu der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
jedoch besteht in der Anzeigevorrichtung 1A das Problem,
dass die Anzeigequalität
nicht verbessert werden kann, da die Pixel 7 um ein Maß, das dem
Bedarf des zweiten TFT 30 und der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entspricht, schmäler sind.
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Daher
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anzeigevorrichtung
bereitzustellen, die die Anzeigequalität verbessern kann, indem die
Lichtemissionsfläche
von Pixeln durch Verbesserung der Anordnung von Pixeln und der allge
meinen Stromversorgungsleitungen, die auf einem Substrat gebildet
sind, vergrößert wird.
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OFFENBARUNG
DER ERFINDUNG
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Zur
Lösung
der zuvor beschriebenen Probleme stellt die vorliegende Erfindung
eine Anzeigevorrichtung bereit, umfassend auf einem Substrat: eine Vielzahl
von Abtastleitungen; eine Vielzahl von Datenleitungen, die sich
in eine Richtung erstrecken, die die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen
schneidet; eine Vielzahl von allgemeinen Stromversorgungsleitungen
parallel zu den Datenleitungen; und Pixel, die in einer Matrix durch
die Datenleitungen und die Abtastleitungen gebildet sind, wobei
jedes der Pixel umfasst: einen ersten Dünnfilmtransistor, in dem ein
Abtastsignal über
die Abtastleitungen zu seiner ersten Torelektrode geleitet wird;
einen Haltekondensator zum Halten eines Bildsignals, das von den
Datenleitungen über
den ersten Dünnfilmtransistor
zugeleitet wird; und einen zweiten Dünnfilmtransistor, in dem das
Bildsignal, das von dem Haltekondensator gehalten wird, zu seiner
zweiten Torelektrode geleitet wird; und ein Lichtemissionselement
mit einem organischen Halbleiterfilm, das Licht durch einen Antriebsstrom
emittiert, der, wenn die Pixelelektrode elektrisch an die allgemeine
Stromversorgungsleitung angeschlossen ist, über den zweiten Dünnfilmtransistor
in einem Abschnitt zwischen den Schichten der Pixelelektroden, die
für jedes
der Pixel ausgebildet sind, und der Gegenelektroden, die den Pixelelektrode
gegenüberliegen,
zwischen einer Pixelelektrode und einer Gegenelektrode fließt; wobei
Pixel, in welchen der Antriebsstrom durch den Abschnitt zwischen
den Pixeln und den allgemeinen Stromversorgungsleitungen geleitet
wird, an beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitungen
angeordnet sind, und die Datenleitungen auf einer Seite gegenüber den
allgemeinen Stromversorgungsleitungen in Bezug auf die Pixel verlaufen.
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Da
in der vorliegenden Erfindung insbesondere eine Datenleitung, eine
daran angeschlossene Gruppe von Pixeln, eine allgemeine Stromversorgungsleitung,
eine daran angeschlossene Gruppe von Pixeln, und eine Datenleitung
zum Zuleiten eines Pixelsignals zu der Gruppe von Pixeln als eine
Einheit angenommen werden und diese in die Verlaufsrichtung von
Abtastleitungen wiederholt wird, werden Pixel für zwei Reihen durch eine allgemeine
Stromversorgungsleitung angetrieben. Daher kann der Bildungsbereich
von allgemeinen Stromversorgungsleitungen schmäler gestaltet werden als in
einem Fall, in dem eine allgemeine Stromversorgungsleitung für jede Gruppe
von Pixeln für
eine Reihe gebildet ist, und die Lichtemissionsfläche der
Pixel kann entsprechend erweitert werden. Daher ist es möglich, die
Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern.
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Wenn
die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, ist bevorzugt, dass
zum Beispiel in einem Abschnitt zwischen zwei Pixeln, die derart
angeordnet sind, dass die gemeinsame Stromversorgungsleitung dazwischen
liegt, der erste Dünnfilmtransistor, der
zweite Dünnfilmtransistor
und die Lichtemissionselemente in linearer Symmetrie um die gemeinsamen
Stromversorgungsleitungen angeordnet sind.
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In
der vorliegenden Erfindung ist auch bevorzugt, dass der mittige
Abstand der Bildungsbereiche der organischen Halbleiterfilme gleich
jedem Intervall zwischen benachbarten Pixeln entlang der Verlaufsrichtung
der Abtastleitungen ist. Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet
ist, ist es zweckdienlich, ein Material für einen organischen Halbleiterfilm
von einem Tintenstrahlkopf abzugeben und einen organischen Halbleiterfilm
zu bilden. Das heißt,
da der mittige Abstand der Bildungsbereiche der organischen Halbleiterfilme
gleich ist, kann das Material für
einen organischen Halbleiterfilm vom Tintenstrahlkopf in gleichmäßigen Intervallen
abgegeben werden. Dies vereinfacht den Bewegungssteuermechanismus
des Tintenstrahlkopfs und die Positionsgenauigkeit wird verbessert.
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Ferner
ist bevorzugt, dass der Bildungsbereich des organischen Halbleiterfilms
von einer Bankschicht umgeben ist, die aus einem Isolierfilm gebildet
ist, der dicker als der organische Halbleiterfilm ist, und die Bankschicht
derart gebildet ist, dass sie die Datenleitungen und die allgemeinen
Stromversorgungsleitungen bei derselben Breitendimension bedeckt.
Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, kann der organische
Halbleiterfilm in einem vorbestimmten Bereich gebildet werden, da
die Bankschicht die Extrusion des organischen Halbleiterfilms in
seine Peripherie verhindert, wenn der organische Halbleiterfilm
durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet wird. Da die Bankschicht
die Datenleitungen und die allgemeine Stromversorgungsleitung bei derselben
Breitendimension bedeckt, ist dies ferner geeignet, den mittigen
Abstand der Bildungsbereiche des organischen Halbleiterfilms bei
jedem Intervall der benachbarten Pixeln entlang der Verlaufsrichtung der
Abtastleitungen gleich zu machen. Hier sind die Gegenelektroden
zumindest auf annähernd
der gesamten Oberfläche
der Pixelfläche
oder über
eine breite Fläche
in Streifenform gebildet und befinden sich in einem gegenüberliegenden
Zustand zu den Datenleitungen. Wenn sie in diesem Zustand gehalten
werden, parasitiert daher eine große Kapazität die Datenleitungen. Da jedoch
in der vorliegenden Erfindung eine Bankschicht zwischen den Datenleitungen
und Gegenelektroden liegt, ist es möglich, eine Parasitierung der
Kapazität,
die in einem Abschnitt neben den Gegenelektroden gebildet wird,
in die Datenleitungen zu verhindern. Da die Last in der datenseitigen
Treiberschaltung verringert werden kann, kann infolgedessen der
Energieverbrauch verringert oder ein Anzeigebetrieb mit höherer Geschwindigkeit
erreicht werden.
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In
der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass eine Verdrahtungsschicht
an einer Position gebildet ist, die einem Abschnitt zwischen zwei
Datenleitungen entspricht, die auf einer Seite gegenüber der
allgemeinen Stromversorgungsleitung in Bezug auf die Pixel verlaufen.
Wenn zwei Datenleitungen parallel zueinander liegen, besteht ein
Risiko, dass. eine Kreuzkopplung zwischen diesen Datenleitungen eintreten
kann. Da jedoch in der vorliegenden Erfindung eine andere Verdrahtungsschicht,
die sich von diesen unterscheidet, zwischen zwei Datenleitungen verläuft, kann
die Kreuzkopplung verhindert werden, indem einfach eine solche Verdrahtungsschicht
zumindest in einer horizontalen Abtastperiode des Bildes bei einem
unveränderlichen
Potenzial gehalten wird.
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In
diesem Fall ist zwischen zwei benachbarten Datenleitungen der Vielzahl
von Datenleitungen bevorzugt, dass das Abtasten eines Bildsignals
bei gleicher Zeitsteuerung ausgeführt wird. Wenn die Konstruktion
auf diese Weise gebildet wird, ist es möglich, ein Auftreten einer
Kreuzkopplung zwischen diesen Datenleitungen zuverlässiger zu
verhindern, da Potenzialschwankungen während der Abtastung gleichzeitig
in einem Abschnitt zwischen zwei Datenleitungen erfolgen.
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In
der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass sich nahezu dieselbe
Anzahl von zwei Arten von Pixeln, in welchen die Lichtemissionselemente
von einem Antriebsstrom angetrieben werden, dessen Polarität umgekehrt
ist, unter der Vielzahl von Pixeln befindet, in welchen der Antriebsstrom
in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und den allgemeinen Stromversorgungsleitungen
geleitet wird.
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Wenn
die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, löscht der
Antriebsstrom, der von der allgemeinen Stromversorgungsleitung zu
den Pixeln fließt,
den Antriebsstrom, der von den Pixeln zu der allgemeinen Stromversorgungsleitung
fließt,
wodurch eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeine
Stromversorgungsleitung fließt, erforderlich
ist. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen entsprechend schmäler gestaltet sein
können,
ist es daher möglich,
die Anzeigefläche in
Bezug auf das Außenfeld
zu erweitern. Es ist auch möglich,
Luminanzschwankungen zu beseitigen, die aufgrund einer Differenz
zwischen Antriebsströmen auftreten.
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Zum
Beispiel ist die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms
in jedem Pixel in die Ver laufsrichtung der Datenleitungen dieselbe
ist, und dass in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen die Polarität des Antriebsstroms
in jedem Pixel für
jedes Pixel oder jedes zweite Pixel umgekehrt ist. Die Konstruktion
kann auch derart sein, dass die Polarität des Antriebsstroms in jedem
Pixel in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen dieselbe ist,
und dass in die Verlaufsrichtung der Datenleitungen die Polarität des Antriebsstroms
in jedem Pixel für
jedes Pixel oder jedes zweite Pixel umgekehrt ist. Von diesen Konstruktionen
kann in Fall der Konstruktion, in der die Polarität des Antriebsstroms
alle zwei Pixel umgekehrt ist, für
die Pixel, durch welche der Antriebsstrom derselben Polarität fließt, eine
Gegenelektrode zwischen benachbarten Pixeln gemeinsam verwendet
werden, wodurch die Anzahl von Schlitzen der Gegenelektrode verringert
werden kann. Das heißt,
die Polaritätsumkehr
kann ausgeführt
werden, ohne den Widerstandswert der Gegenelektroden zu erhöhen, durch
die ein großer
Strom fließt.
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Ferner
kann die Konstruktion derart gebildet sein, dass die Polarität des Antriebsstroms
in jedem Pixel für
jedes Pixel sowohl in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen als
auch in die Verlaufsrichtung der Datenleitungen umgekehrt ist.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist
eine Darstellung, die schematisch eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden
Erfindung und den Bildungsbereich einer darin gebildeten Bankschicht
zeigt.
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2 ist
ein Blockdiagramm, das die Grundkonstruktion der Anzeigevorrichtung
der vorliegenden Erfindung zeigt.
-
3 ist
eine Draufsicht, in der Pixel der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung vergrößert sind.
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4 ist
eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' von 3.
-
5 ist
eine Schnittansicht entlang der Linie B-B' von 3.
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6(A) ist eine Schnittansicht entlang der Linie
C-C' von 3;
und 6(B) ist eine Schnittansicht der
Konstruktion, in der der Bildungsbereich einer Bankschicht nicht
verlängert
ist, bis er eine Relais-Elektrode bedeckt.
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7 ist
eine Graphik, die die I-V-Eigenschaften eines Lichtemissionselements
zeigt, das in der in 1 dargestellten Anzeigevorrichtung
verwendet wird.
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8 enthält Schrittschnittansichten,
die ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigen.
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9 ist
ein Blockdiagramm, das ein Beispiel einer Verbesserung der in 1 dargestellten Anzeigevorrichtung.
zeigt.
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10(A) ist eine Schnittansicht, die eine Blindverdrahtungsschicht
zeigt, die in der in 9 dargestellten Anzeigevorrichtung
ausgebildet ist; und 10(B) ist eine
Draufsicht auf diese.
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11 ist
ein Blockdiagramm, das eine Modifizierung der in 3 dargestellten
Anzeigevorrichtung zeigt.
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12(A) ist eine Draufsicht, in der ein
Pixel, das in der in 11 dargestellten Anzeigevorrichtung
gebildet ist, vergrößert ist; 12(B) ist eine Schnittansicht davon.
-
13 ist
ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm, das die Konstruktion von zwei Pixeln zeigt,
in welchen der Antriebsstrom umgekehrt ist, die in einer Anzeigevorrichtung
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung gebildet sind.
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14 ist
ein Wellenformdiagramm jedes Signals zum Antreiben eines der zwei
in 13 dargestellten Pixel.
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15 ist
ein Wellenformdiagramm jedes Signals zum Antreiben des anderen der
zwei in 13 dargestellten Pixel.
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16 ist
eine Schnittansicht, die die Konstruktion von Lichtemissionselementen
zeigt, die in den zwei in 13 dargestellten
Pixeln ausgebildet sind.
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17 enthält Darstellungen,
die die Anordnung von Pixeln in der in 13 dargestellten
Anzeigevorrichtung zeigen.
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18 ist
eine Darstellung, die die Anordnung von Pixeln in einer Anzeigevorrichtung
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
-
19 ist
eine Darstellung, die die Anordnung von Pixeln in einer Anzeigevorrichtung
gemäß einer
vierten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
-
20 ist
eine Darstellung, die die Anordnung von Pixeln in einer Anzeigevorrichtung
gemäß einer
fünften
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
-
21 ist
eine Darstellung, die die Anordnung von Pixeln in einer Anzeigevorrichtung
gemäß einer
sechsten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
-
22 ist
ein Blockdiagramm einer herkömmlichen
Anzeigevorrichtung.
-
23(A) ist eine Draufsicht, in der ein
Pixel, das in der in 22 dargestellten Anzeigevorrichtung
gebildet ist, vergrößert ist; 23(B) ist eine Schnittansicht davon.
-
- 1
- Anzeigevorrichtung
- 2
- Anzeigeabschnitt
- 3
- Datenseitige
Treiberschaltung
- 4
- Abtastseitige
Treiberschaltung
- 5
- Prüfschaltung
- 6
- Anschlusselement
- 7,
7A, 7B
- Pixel
- 10
- Transparentes
Substrat
- 20
- Erster
TFT
- 21
- Torelektrode
des ersten TFT
- 30
- Zweiter
TFT
- 31
- Torelektrode
des zweiten TFT
- 40,
40A, 40B
- Lichtemissionselemente
- 41
- Pixelelektrode
- 42
- Positive
Löcherinjektionsschicht
- 43
- Organischer
Halbleiter
- 45
- Dünne lithiumhaltige
-
- Aluminiumelektrode
- 46
- ITO-Filmschicht
- 50
- Torisolierfilm
- 51
- Erster
Zwischenschicht-Isolierfilm
- 52
- Zweiter
Zwischenschicht-Isolierfilm
- DA
- Blindverdrahtungsschicht
- bank
- Bankschicht
- cap
- Haltekondensator
- cline
- Kapazitätsleitung
- com
- allgemeine
Stromversorgungsleitung
- gate,
gateA, gateB
- Abtastleitungen
- op,
opA, opB
- Gegenelektroden
- sig,
sigA, sigB
- Datenleitungen
- st,
stA, stB
- Potenzialhalteelektroden
-
BESTE AUSFÜHRUNGSFORM
DER ERFINDUNG
-
De
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden in der Folge unter Bezugnahme
auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
-
[Erste Ausführungsform]
-
(Gesamtkonstruktion des
Substrats mit aktiver Matrix)
-
1 ist
ein Blockdiagramm, das schematisch die gesamte Anordnung einer Anzeigevorrichtung
zeigt. 2 ist ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm einer darin ausgebildeten aktiven Matrix.
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Wie
in dieser Figur dargestellt, ist in einer Anzeigevorrichtung 1 dieser
Ausführungsform
der mittlere Abschnitt eines transparenten Substrats 10,
das deren Grundkörper
ist, zu einem Anzeigeabschnitt 2 ausgebildet. An beiden
Endseiten der Datenleitungen "sig" des peripheren Abschnitts
des transparenten Substrats 10 sind eine datenseitige Treiberschaltung 3 zum
Ausgeben eines Bildsignals und eine Prüfschaltung 5 gebildet,
und an beiden Endseiten der Abtastleitungen "gate" ist
eine abtastseitige Treiberschaltung 4 zum Ausgeben eines
Abtastsignals gebildet. In diesen Treiberschaltungen 3 und 4 ist
ein komplementärer
TFT durch einen n-Typ-TFT und einen p-Typ-TFT gebildet. Dieser komplementäre TFT bildet
ein Schieberegister, einen Pegelverschieber, einen Analogschalter,
usw.. Auf dem transparenten Substrat 10 ist ein Anschlusselement 6,
das eine Gruppe von Anschlüssen
zum Eingeben eines Bildsignals, verschiedener Potenziale und eines
Pulssignals ist, in dem peripheren Bereich zu der Außenseite von
der datenseitigen Treiberschaltung 3 gebildet.
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(Anordnung der allgemeinen
Stromversorgungsleitungen und Pixel)
-
In
der Anzeigevorrichtung 1 sind ähnlich wie bei einem Substrat
mit aktiver Matrix einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
auf dem transparenten Substrat 10 eine Vielzahl von Abtastleitungen "gate" und eine Vielzahl
von von Datenleitungen "sig,
die sich in eine Richtung erstrecken, die die Verlaufsrichtung der
Abtastleitungen "gate" schneidet, ausgebildet.
Wie in 2 dargestellt, bilden diese Datenleitungen "sig" und Abtastleitungen "gate" die Pixel 7, die
in einer Matrix (ebildet sind.
-
Jedes
dieser Pixel 7 ist mit einem ersten TFT 20 gebildet,
in dem ein Abtastsignal zu seiner Torelektrode 21 (ersten
Torelektrode) über
die Abtastleitungen "gate" geleitet wird. Einer
von den Source- und Drain-Bereichen des zweiten TFT 20 ist
elektrisch an die Datenleitung "sig" angeschlossen und der
andere ist elektrisch an eine Potenzialhalteelektrode "st" angeschlossen. In
Bezug auf die Abtastleitungen "gate" sind Kapazitätsleitungen "cline" parallel angeordnet,
wobei ein Haltekondensator "cap" zwischen der Kapazitätsleitung "cline" und der Potenzialhalteelektrode "st" gebildet ist. Wenn
daher der erste TFT 20 durch das Abtastsignal gewählt und
eingeschaltet wird, wird das Bildsignal von der Datenleitung "sig" über den ersten TFT 20 in
den Haltekondensator "cap" geschrieben.
-
Eine
Torelektrode 31 (zweite Torelektrode) des zweiten TFT 30 ist
elektrisch an . die Potenzialhalteelektrode "st" angeschlossen.
Einer von den Source- und Drain-Bereichen des zweiten TFT 30 ist elektrisch
an die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" angeschlossen
und der andere ist elektrisch an eine der Elektroden (Pixelelektrode,
die später
beschrieben wird) eines Lichtemissionselements 40 angeschlossen.
Die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" werden
bei einem unveränderlichen
Potenzial gehalten. Wenn daher der zweite TFT 30 eingeschaltet
wird, fließt
der Strom in der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" über diesen TFT zu dem Lichtemissionselement 40,
wodurch das. Lichtemissionselement 40 veranlasst wird,
Licht zu emittieren.
-
In
dieser Ausführungsform
sind an beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" eine Vielzahl von
Pixeln 7 angeordnet, zu welchen Antriebsstrom durch die
allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" geleitet
wird, und. zwei Datenleitungen "sig" verlaufen auf einer
Seite, die den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" in Bezug auf diese
Pixel 7 gegenüberliegt.
Das heißt, eine
Datenleitung "sig", eine daran angeschlossene Gruppe
von Pixeln, eine allgemeine Stromversorgungsleitung "com, eine daran angeschlossene Gruppe
von Pixeln, und eine Datenleitung "sig" zum Zuleiten
eines Pixelsignals zu der Gruppe von Pixeln, werden als eine Einheit
angenommen, und diese wird in die Verlaufsrichtung von Abtastleitungen "gate" wiederholt, und
eine allgemeine Stromversorgungsleitung "com" wird
zum Zuleiten eines Antriebsstroms zu den Pixeln 7 für zwei Reihen
verwendet. Daher sind in dieser Ausführungsform in einem Abschnitt zwischen
zwei Pixeln 7, die derart angeordnet sind, dass die allgemeinen
Stromversorgungsleitungen "com" dazwischen liegen,
der erste TFT 20, der zweite TFT 30 und die Lichtemissionselemente 40 in
linearer Symmetrie um die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" angeordnet, wodurch
die elektrische Verbindung zwischen diesen Elementen und jeder Verdrahtungsschicht
vereinfacht wird.
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Da
in dieser Ausführungsform,
wie zuvor beschrieben, Pixel für
zwei Reihen von einer allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" angetrieben werden,
im Vergleich zu einem Fall, in dem die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" für jede Gruppe
von Pixeln einer Reihe gebildet sind, ist die halbe Anzahl von allgemeinen
Anzeigevorrichtungen "com" notwendig, und der
Spalt, der zwischen den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" und den Datenleitungen "sig" entsteht, der in
demselben Abschnitt zwischen den Schichten gebildet ist, ist nicht
erforderlich. Da eine Fläche
für eine
Verdrahtung auf dem transparenten Substrat 10 schmäler gestaltet
werden kann, kann daher das Verhältnis
der Lichtemissionsfläche
in jedem Pixelbereich entsprechend vergrößert werden, wodurch die Anzeigeleistung,
wie Luminanz, Kontrastverhältnis,
und so weiter, verbessert werden kann.
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Da
die Konstruktion derart gebildet ist, dass die Pixel für zwei Reihen
auf diese Weise an eine allgemeine Anzeigevorrichtung "com" angeschlossen sind,
leiten die Datenleitungen "sig", die parallel in Gruppen
von zwei liegen, ein Bildsignal zu der Gruppe von Pixeln für jede Reihe
zuleiten.
-
(Struktur der Pixel)
-
Die
Struktur jedes Pixels 7 der Anzeigevorrichtung 1,
die wie zuvor beschrieben konstruiert ist, wird unter Bezugnahme
auf 3 bis 6(A) ausführlich beschrieben.
-
3 ist
eine Draufsicht, in der drei Pixel 7 der Vielzahl von Pixeln 7,
die in der Anzeigevorrichtung 1 dieser Ausführungsform
gebildet sind, vergrößert sind. 4, 5 und 6(A) sind eine Schnittansicht entlang der
Linie A-A' von 3,
eine Schnittansicht entlang der Linie B-B' von 3 und eine Schnittansicht
entlang der Linie C-C' von 3.
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Zunächst wird
an einer Position, die der Linie A-A' von 3 entspricht,
wie in 4 dargestellt, in, jedem der Pixel 7 auf
dem transparenten Substrat 10 ein inselförmiger Siliziumfilm 200 zur
Bildung des ersten TFT 20 gebildet, wobei ein Torisolierfilm 50 an dessen
Oberfläche
gebildet wird. Ferner wird eine Torelektrode 21 (ein Teil
der Abtastleitungen "gate") auf der Oberfläche des
Torisolierfilms 50 gebildet, und Source- und Drain-Bereiche 22 und 23 werden so
gebildet, dass sie in Bezug auf die Torelektrode 21 selbstausrichtend
sind. Eine erster Zwischenschicht-Isolierfilm 51 wird auf der
Oberfläche
des Torisolierfilms 50 gebildet, und die Datenleitungen "sig" und die Potenzialhalteelektroden "st" werden elektrisch
an die Source- und Drain-Bereiche 22 und 23 über Kontaktlöcher 61 beziehungsweise 62 angeschlossen,
die auf diesem Zwischenschicht-Isolierfilm gebildet sind.
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In
jedem Pixel 7 werden Kapazitätsleitungen "cline" in demselben Abschnitt
zwischen den Schichten der Abtastleitungen "gate" und
der Torelektroden 21 (zwischen dem Torisolierfilm 50 und
dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 51) derart gebildet,
dass sie parallel zu den Abtastleitungen "gate" liegen,
und ein verlängerter
Abschnitt "st1" der Potenzialhalteelektrode "st" überlappt diese Kapazitätsleitung "cline" über den ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 51.
Aus diesem Grund bilden die Kapazitätsleitung "cline" und der verlängerte Abschnitt "st1" der Potenzialhalteelektrode "st" einen Haltekondensator "cap", in dem der erste
Zwischenschicht-Isolierfilm 51 ein dielektrischer Film
ist. Ein zweiter Zwischenschicht-Isolierfilm 52 ist
auf der Oberfläche
der Potenzialhalteelektroden "st" und der Datenleitungen "sig" gebildet.
-
An
einer Position, die der Linie B-B' in 3 entspricht,
wie in 5 dargestellt, liegen zwei Datenleitungen "sig", die jedem Pixel 7 entsprechen,
parallel auf der Oberfläche
des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 und des zweiten
Zwischenschicht-Isolierfilms 52, die auf dem transparenten Substrat 10 gebildet
sind.
-
An
einer Position, die der Linie C-C' in 3 entspricht,
wie in 6(A) dargestellt, ist ein inselförmiger Siliziumfilm 300 zur
Bildung des zweiten TFT 30 auf dem transparenten Substrat 10 derart
gebildet, dass er sich über
zwei Pixel 7 erstreckt, zwischen welchen die allgemeine
Stromversorgungsleitung "com" liegt, wobei der
Torisolierfilm 50 auf dessen Oberfläche gebildet ist. Auf der Oberfläche des Torisolierfilms 50 ist
die Torelektrode 31 in jeweils in jedem der Pixel 7 derart
gebildet, dass die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" dazwischen liegen,
wobei Source- und Drain-Bereiche 32 und 33 so
gebildet sind, dass sie in dieser Torelektrode 31 selbstausrichtend
sind. Der erste Zwischenschicht-Isolierfilm 51 ist auf
der Oberfläche
des Torisolierfilms 50 gebildet, und die Relais-Elektrode 35 ist elektrisch
an einen Source- und Drain-Bereich 62 über ein Kontaktloch 63 angeschlossen,
dass in diesem Zwischenschicht-Isolierfilm gebildet ist. Im Gegensatz
dazu sind die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "co" elektrisch an einen
Abschnitt, der ein allgemeiner Source- und Drain-Bereich 33 in zwei
Pixel 7 im mittleren Abschnitt des Siliziumfilms 300 ist, über ein
Kontaktloch 64 des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 angeschlossen.
Ein zweiter Zwischenschicht-Isolierfilm 52 ist auf der
Oberfläche der
allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" und
der Relais-Elektrode 35 gebildet. Eine Pixelelektrode 41,
die aus einem ITO-Film gebildet ist, ist auf der Oberfläche des
zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52 gebildet. Diese
Pixelelektrode 41 ist elektrisch an die Relais-Elektrode 35 über ein
Kontaktloch 65 angeschlossen, das in dem zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 52 gebildet
ist, und ist an die Source- und Drain-Bereiche 32 des zweiten
TFT 30 über
diese Relais-Elektrode 35 elektrisch angeschlossen.
-
Hier
bildet die Pixelelektrode 41 eine der Elektroden des Lichtemissionselements 40.
Das heißt,
eine positive Löcherinjektionsschicht 42 und ein
organischer Halbleiterfilm 43 sind mehrschichtig auf der
Oberfläche
der Pixelelektrode 41 gebildet, und eine Gegenelektrode "op", die aus einem lithiumhaltigen
Metallfilm, wie Aluminium oder Kalzium, gebildet ist, ist auf der
Oberfläche
des organischen Halbleiterfilms 43 gebildet. Diese Gegenelektrode "op" ist eine gemeinsame
Elektrode, die zumindest auf einer Pixelfläche oder in Streifenform gebildet
ist, und bei einem unveränderlichen
Potenzial gehalten wird.
-
In
dem Lichtemissionselement 40, das wie zuvor beschrieben
konstruiert ist, wird eine Spannung durch Festlegen der Gegenelektrode "op" und der Pixelelektrode 41 als
positiven Pol beziehungsweise negativen Pol angelegt. Wie in 7 dargestellt,
steigt der Strom (Antriebsstrom), der durch den organischen Halbleiterfilm 43 strömt, in einem
Bereich, wo die angelegte Spannung eine Schwellenspannung überschreitet,
heftig an. Infolgedessen emittiert das Lichtemissionselement 40 Licht
als Elektrolumineszenz-Element
oder LED-Element. Das Licht von dem Lichtemissionselement 40 wird von
der Gegenelektrode "op" reflektiert, geht
durch die transparente Pixelelektrode 41 und das tränsparente
Substrat 10 und wird ausgegeben.
-
Ein
solcher Antriebsstrom, der zur Lichtemission verwendet wird, fließt durch
eine Strompfad, der aus der Gegenelektrode "op",
dem organischen Halbleiterfilm 43, der positiven Löcherinjektionsschicht 42,
der Pixelelektrode 41, dem zweiten TFT 30 und
den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" besteht.
Wenn der zweite TFT 30 abgeschaltet wird, fließt daher
der Antriebsstrom nicht. Wenn in der Anzeigevorrichtung 1 dieser
Ausführungsform der
erste TFT 20 eingeschaltet wird, da er von einem Abtastsignal
gewählt
wird, wird das Bildsignal von den Datenleitungen "sig" über den ersten TFT 20 in die
Haltekondensatoren "cap" geschrieben. Selbst wenn
daher der erste TFT 20 ausgeschaltet wird, wird die Torelektrode
des zweiten TFT 30 bei einem Potenzial entsprechend dem
Bild signal durch den Haltekondensator "cap" gehalten,
und daher bleibt der zweite TFT 30 in einem eingeschalteten
Zustand. Daher fließt
der Antriebsstrom weiter durch das Lichtemissionselement 40 und
diese Pixel wird in einem eingeschalteten Zustand gehalten. Dieser
Zustand wird aufrechterhalten, bis neue Bilddaten in den Haltekondensator "cap" geschrieben werden
und der zweite TFT 30 abgeschaltet wird.
-
(Verfahren zur Herstellung
der Anzeigevorrichtung)
-
In
einem Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung 1,
die wie zuvor beschrieben konstruiert ist, sind die Schritte bis
zur Herstellung des ersten TFT 20 und des zweiten TFT 30 auf
dem transparenten Substrat 10 annähernd dieselben wie die Schritte
zur Herstellung eines aktiven Matrixsubstrates der Anzeigevorrichtung 1 und
werden daher allgemein unter Bezugnahme auf 8 beschrieben.
-
8 enthält Schrittschnittansichten,
die schematisch den Prozess zur Bildung jeder Komponente der Anzeigevorrichtung 1 zeigen.
-
Insbesondere,
wie in 8(A) dargestellt wird unter
Verwendung von TEOS (Tetraethoxysilan), Sauerstoffgas und dergleichen
als Ausgangsmaterialgas ein Basisschutzfilm (nicht dargestellt)
aus einem Siliziumoxidfilm mit einer Dicke von etwa 2000 bis 5000 Ångström auf dem
transparenten Substrat 10 durch eine Plasma-CVD-Methode
gebildet. Danach wird die Temperatur des Substrats auf etwa 350°C eingestellt
und ein Halbleiterfilm 100 aus einem amorphen Siliziumfilm
mit einer Dicke von etwa 300 bis 700 Ångström auf der Oberfläche des
Basisschutzfilms durch eine Plasma-CVD-Methode gebildet. Danach wird ein
Kristallisierungsschritt, wie Laserglühen oder ein Festphasenwachstumsverfahren, auf
dem Halbleiterfilm 100 ausgeführt, der aus einem amorphen
Siliziumfilm gebildet ist, so dass der Halb leiterfilm 100 zu
einem Polysiliziumfilm kristallisiert wird. Bei der Laserglühmethode
wird zum Beispiel ein punktbildender Linienstrahl mit einer Hauptachse von
400 mm im Exzimerlaser verwendet, und seine Ausgangsstärke ist
zum Beispiel 200 mJ/cm2. Der Linienstrahl
wird derart geführt,
dass für
den Linienstrahl ein Teil, der 90% des Spitzenwertes der Laserstärke in dessen
Nebenachse entspricht, in jeder Fläche überlappt.
-
Anschließend wird
der Halbleiterfilm 100, wie in 8(B) dargestellt,
zu inselförmigen
Siliziumfilmen 200 und 300 strukturiert und ein
Torisolierfilm 50 aus einem Siliziumoxidfilm oder einem
Nitridfilm mit einer Dicke von etwa 600 bis 1500 Ångström wird auf der
Oberfläche
der Siliziumfilme 200 und 300 durch eine Plasma-CVD-Methode
unter Verwendung von TEOS (Tetraethoxysilan) oder Sauerstoffgas
als Ausgangsmaterialgas gebildet.
-
Wie
in 8(C) dargestellt, wird anschließend ein
leitender Film aus einem Metallfilm, wie Aluminium, Tantal, Molybdän, Titan
oder Wolfram, durch eine Sputtermethode gebildet, wonach er strukturiert wird,
um Torelektroden 21 und 31 als Teil der Abtastleitungen "gate" zu bilden. In diesem
Schritt werden auch die Kapazitätsleitungen "cline" gebildet. In der Figur
bezeichnet das Bezugszeichen 310 einen verlängerten
Abschnitt der Torelektrode 31.
-
In
diesem Zustand werden Phosphorionen oder -Borionen in hohen Konzentrationen
implantiert, um Source- und Drain-Bereiche 22, 23, 32 und 33 in selbstausrichtender
Weise in Bezug auf die Torelektroden 21 und 31 in
den Silizium-Dünnfilmen 200 und 300 zu
bilden. Die Abschnitte, wo keine Störstellen eingeführt werden,
werden zu den Kanalbereichen 27 und 37.
-
Wie
in 8(D) dargestellt, werden nach der Bildung
des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 anschließend Kontaktlöcher 61, 62, 63, 64 und 69 gebildet,
und eine Potenzialhalteelektrode "st",
die einen verlängerten
Abschnitt "st1" umfasst, der die
Datenleitungen "sig", die Kapazitätsleitungen "cline" und den verlängerten
Abschnitt 310 der Torelektrode 31 überlappt,
eine allgemeine Stromversorgungsleitung "com und die Relais-Elektrode 35 werden
gebildet. Infolgedessen ist die Potenzialhalteelektrode "st" an die Torelektrode 31 über ein
Kontaktloch 69 und den verlängerten Abschnitt 31 elektrisch
angeschlossen. Auf diese Weise werden der erste TFT 20 und
der zweite TFT 30 gebildet. Ferner wird der Haltekondensator "cap" durch die Kapazitätsleitung "cline" und den verlängerten
Abschnitt "st1" der Potenzialhalteelektrcde "st" gebildet.
-
Wie
in 8(E) dargestellt, wird anschließend der
zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 52 gebildet und in diesem
Zwischenschicht-Isolierfilm wird ein Kontaktloch 65 in
einem Abschnitt gebildet, der der Relais-Elektrode 35 entspricht.
Nach der Bildung des ITO-Films über
der gesamten Oberfläche
des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52 wird
der Film strukturiert, wodurch eine Pixelelektrode 41 gebildet wird,
die an die Source- und Drain-Bereiche 32 des zweiten TFT 30 über das
Kontaktloch 65 elektrisch angeschlossen ist.
-
Wie
in 8(F) dargestellt, wird nach der
Bildung einer schwarzen Resistschicht auf dem zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 52 dieser
Resist derart belassen, dass er eine Fläche umgibt, wo die positive Löcherinjektionsschicht 42 und
der organische Halbleiterfilm 43 des Lichtemissionselements 40 gebildet werden
sollten, indem eine Bankschicht "bank" gebildet wird. Hier
kann für
den organischen Halbleiterfilm 43 beliebiger Form in einem
Fall, in dem der Film unabhängig
für jedes
Pixel gebildet wird, oder in einem Fall, in dem der Film in Streifenform
entlang den Datenleitungen "sig" gebildet wird, ein
Herstellungsverfahren gemäß dieser
Ausführungsform
angewendet werden, indem einfach die Bankschicht "bank" in einer entsprechenden
Form gebildet wird.
-
Anschließend wird
ein flüssiges
Material (Vorläufer)
zur Bildung der positiven Löcherinjektionsschicht 42 von
einem Tintenstrahlkopf IJ in Bezug auf die innere Fläche der
Bankschicht "bank" abgegeben und die
positive Löcherinjektionsschicht 42 wird
in der inneren Fläche
der Bankschicht "bank" gebildet. Auf gleiche
Weise wird ein flüssiges
Material (Vorläufer)
zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 von dem
Tintenstrahlkopf IJ in Bezug auf die innere Fläche der Bankschicht "bank" abgegeben und der
organische Halbleiterfilm 43 wird in der inneren Fläche der
Bankschicht "bank" gebildet. Da die Bankschicht "bank" aus einem Resist
gebildet ist, ist sie hier wasserabstoßend. Da der Vorläufer des
organischen Halbleiterfilms 43 vorwiegend ein hydrophiles
Lösemittel
verwendet, ist hier die Beschichtungsfläche des organischen Halbleiterfilms 43 zuverlässig durch
die Bankschicht "bank" definiert und eine
Extrusion in benachbarte Pixel findet nicht statt.
-
Wenn
der organische Halbleiterfilm 43 und die positive Löcherinjektionsschicht 42 durch
ein Tintenstrahlverfahren auf diese Weise gebildet werden, wird
in dieser Ausführungsform
zur Verbesserung der Betriebseffizienz und der Injektionspositionsgenauigkeit,
wie in 3 dargestellt, der Abstand P der Mitten der Bildungsbereiche
der organischen Halbleiterfilme 43 für jedes Intervall benachbarter
Pixel 7 entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gate" gleich gemacht.
Da ein Material für
den organischen Halbleiterfilm 43 von dem Tintenstrahlkopf
IJ an Positionen in gleichen Abständen entlang der Verlaufsrichtung
der Abtastleitungen "gate" abgegeben werden
kann, wie durch den Pfeil Q angezeigt, besteht daher der Vorteil,
dass die Betriebseffizienz besser ist. Ferner wird der Bewegungssteuermechanismus des
Tintenstrahlkopfs IJ vereinfacht und die Implantationspositionsgenauigkeit
verbessert.
-
Wie
in 8(G) dargestellt, wird anschließend die
Gegenelektrode "op" auf der Oberfläche des
transparenten Substrats 10 gebildet. Hier werden die Gegenelektroden "op" zumindest über der gesamten
Oberfläche
der Pixelfläche
oder in Streifenform gebildet. Wenn die Gegenelektroden "op" in Streifenform
gebildet werden, wird ein Metallfilm, nachdem er über der
gesamten Oberfläche
des transparenten Substrats 10 gebildet wurde, in Streifenform
strukturiert.
-
Da
die Bankschicht "bank" aus einem Resist gebildet
ist, bleibt sie intakt, und wie in der Folge beschrieben wird, wird
die Schicht als schwarze Matrix BM und Isolierschicht zur Verringerung
einer parasitären
Kapazität
verwendet.
-
TFTs
werden auch in der. datenseitigen Treiberschaltungen 3 und
der abtastseitigen Treiberschaltung 4 gebildet, wie in 1 dargestellt.
Diese TFTs werden durch Verwendung aller oder eines Teils der Schritte
zur Bildung des TFT in den Pixeln 7 gebildet. Daher wird
der TFT, der eine Treiberschaltung bildet, auch in demselben Abschnitt
zwischen den Schichten gebildet, wie jenem der TFTs der Pixel 7.
-
Ferner
können
sowohl der erste TFT 20 als auch der zweite TFt 30 vom
n-Typ oder p-Typ sein, oder einer kann vom n-Typ und der andere
vom p-Typ sein. In jeder Kombination dieser Fälle können TFTs durch ein allgemein
bekanntes Verfahren gebildet werden und daher wird deren Beschreibung
unterlassen.
-
(Bildungsbereich der Bankschicht)
-
In
dieser Ausführungsform
wird in Bezug auf die Gesamtheit der peripheren Fläche des
transparenten Substrats 10, wie in 1 dargestellt,
die Bankschicht "bank" (der Bildungsbereich
ist schraffiert) gebildet. Daher sind sowohl die datenseitige Treiberschaltung 3 als
auch die abtastseitige Treiberschaltung 4 mit der Bankschicht "bank" bedeckt. Selbst
wenn sich die Gegenelektroden "op" in einem überlappenden
Zustand in Bezug auf den Bildungsbereich dieser Treiberschaltungen
befinden, liegt daher die Bankschicht "bank" zwischen
den Verdrahtungsschichten und den Gegenelektroden "op" der Treiberschaltungen.
Da die Parasitierung einer Kapazität in die Treiberschaltungen 2 und 3 verhindert werden
kann, kann somit die Last der Treiberschaltungen 2 und 3 verringert
werden, wodurch es möglich
wird, den Energieverbrauch zu senken oder eine höhere Geschwindigkeit des Anzeigevorgangs
zu erreichen.
-
Wie
in 3 bis 5 dargestellt, ist ferner in
dieser Ausführungsform
die Bankschicht "bank" so gebildet, dass
sie die Datenleitungen "sig" überlappt. Da die Bankschicht "bank" zwischen den Datenleitungen "sig" und den Gegenelektroden "op" liegt, kann daher
verhindert werden, dass die Kapazität die Datenleitungen "sig" parasitiert. Da
die Last der datenseitigen Treiberschaltung 3 verringert
werden kann, ist somit möglich,
den Energieverbrauch zu senken oder eine höhere Geschwindigkeit des Anzeigevorgangs
zu erreichen.
-
Im
Gegensatz zu den Datenleitungen "sig" fließt hier
ein großer
Strom zum Antreiben der Lichtemissionselemente 40 durch
die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com",
und der Antriebsstrom wird den Pixeln für zwei Reihen zugeleitet. Aus
diesem Grund wird die Leitungsbreite für die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" breiter als die Leitungsbreite
der Datenleitungen "sig" eingestellt und
der Widerstandswert pro Einheit Länge der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" wird kleiner als
der Widerstandswert pro Einheit Länge der Datenleitungen "sig" eingestellt. Selbst
wenn unter solchen Konstruktionsbedingungen in dieser Ausführungsform
die Bankschicht "bank" so gebildet ist, dass
sie die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" überlappt,
und der Bildungsbereich des organischen Halbleiterfilms 43 definiert
ist, wird die Breite der hier gebildeten Bankschicht "bank" mit derselben Breitendimension
wie jener der Bankschicht "bank" geformt, die zwei
Datenleitungen "sig" überlappt, wodurch eine Konstruktion
erhalten wird, die geeignet ist, den Abstand P der Mitten der Bildungsbereiche der
organischen Halbleiterfilme 43 für jedes Intervall zwischen
den benachbarten Pixeln 7 entlang der Verlaufsrichtung
der Abtastleitungen "gate" gleich zu machen.
-
Wie
in 3, 4, und 6(A) dargestellt, wird
ferner in dieser Ausführungsform
die Bankschicht "bank" auch in einem Bereich
gebildet, der den Bildungsbereich des ersten TFT 20 und
den Bildungsbereich des zweiten TFT 30 aus dem Bildungsbereich
der Pixelelektrode 41 überlappt.
Das heißt, wie
in 6(B) dargestellt, wenn die Bankschicht "bank" nicht in einem Bereich
gebildet wird, der die Relais-Elektrode 35 überlappt,
wird, selbst wenn Antriebsstrom zu einem Abschnitt fließt, der
an die Gegenelektrode "op" angrenzt, und der
organische Halbleiterfilm 43 Licht emittiert, dieses Licht
nicht ausgegeben, da es zwischen der Relais-Elektrode 35 und
der Gegenelektrode "op" liegt und nicht
zur Anzeige beiträgt.
Ein solcher Antriebsstrom, der in einem Abschnitt fließt, der
nicht zur Anzeige beiträgt, kann
vom Standpunkt der Anzeige als reaktiver Strom bezeichnet werden.
In dieser Ausführungsform
jedoch ist die Bankschicht "bank" in einem Abschnitt
gebildet, wo ein solcher reaktiver Strom so fließen sollte, dass der Fluss
des Antriebsstrom in diese verhindert wird, wodurch verhindert werden kann,
dass nutzloser Strom in die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt. Daher
kann die Breite der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler sein.
-
Wenn
die Bankschicht "bank" verbleibt, die durch
einen schwarzen Resist wie zuvor beschrieben gebildet wird, dient
die Bankschicht "bank" auch als schwarze
Matrix, wodurch die Anzeigequalität, wie Luminanz, Kontrastverhältnis, usw.
verbessert wird. Das heißt,
da in der Anzeigevorrichtung 1 gemäß dieser Ausführungsform
die Gegenelektroden "op" auf der gesamten
Oberfläche
des transparenten Substrats 10 oder in Streifenform über eine
breite Fläche desselben
gebildet sind, bewirkt Licht, das von den Gegenelektroden "op" reflektiert wird,
eine Abnahme des Kontrastverhältnisses.
Da in dieser Ausführungsform
jedoch die Bankschicht "bank" mit der Funktion der
Hemmung der parasitären
Kapazität
durch einen schwarzen Resist gebildet ist, dient die Bankschicht "bank", während sie
den Bildungsbereich des organischen Halbleiterfilms 43 definiert,
auch als schwarze Matrix und blockiert reflektiertes Licht von den
Gegenelektroden "op", wodurch der Vorteil
eines hohen Kontrastverhältnisses
erreicht wird. Da die Lichtemissionsfläche in selbstausrichtender
Weise durch die Verwendung der Bankschicht "bank" definiert
werden kann, ist ferner keine Ausrichtungstoleranz bei der Lichtemissionsfläche erforderlich,
die ein Problem darstellt, wenn die Bankschicht "bank" nicht
als schwarze Matrix verwendet wird und eine andere Metallschicht
als schwarze Matrix verwendet wird.
-
[Beispiel einer Verbesserung
der zuvor beschriebenen Ausführungsform]
-
In
der zuvor beschriebenen Ausführungsform
sind Pixel 7, zu welchen Antriebsstrom in einem Abschnitt
zwischen den Pixeln und den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, an jeder von
beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" angeordnet, und
zwei Datenleitungen "sig" verlaufen parallel
an einer Seite, die den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" in Bezug auf die
Pixel 7 gegenüberliegt.
Daher besteht ein Risiko, dass eine Kreuzkopplung zwischen den zwei
Datenleitungen "sig" eintreten könnte. Wie in 9, 10(A) und 10(B) dargestellt,
wird daher in dieser Ausführungsform
eine Blindverdrahtungsschicht DA an einer Position gebildet, die
einem Abschnitt zwischen den zwei Datenleitungen "sig" entspricht. Als
diese Blindverdrahtungsschicht DA kann zum Beispiel ein ITO-Film
DA1 verwendet werden, der gleichzeitig mit der Pixelelektrode 41 gebildet wird.
Als Blindverdrahtungsschicht DA kann ferner ein verlängerter
Abschnitt DA2 von den Kapazitätsleitungen "cline" zwischen zwei Datenleitungen "sig" gebildet werden.
Beide von diesen können
als Blindverdrahtungsschicht DA verwendet werden.
-
Wenn
die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, kann die obengenannte
Kreuzkopplung verhindert werden, da eine Verdrahtungsschicht DA, die
sich von der obengenannten unterscheidet, zwischen zwei parallelen
Datenleitungen "sig" verläuft, indem
einfach eine solche Verdrahtungsschicht DA (DA1, DA2) innerhalb
mindestens einer horizontalen Abtastperiode des Bildes bei einem
unveränderlichen
Potenzial gehalten wird. Das heißt, während die Filmdicke des ersten
Zwischenschicht-Isolierfilms 51 und des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52 annähernd 1 μm ist, ist
der Abstand zwischen zwei Datenleitungen "sig" etwa
2 μm oder
mehr. Daher wird im Vergleich zu der Kapazität, die zwischen jeder Datenleitung "sig" und der Blindverdrahtungsschicht
DA (DA1, DA2) gebildet wird, die Kapazität, die zwischen den zwei Datenleitungen "sig" gebildet wird, klein
genug, dass sie effektiv vernachlässigt werden kann. Da ein Signal
hoher Frequenz, das aus den Datenleitungen "sig" leckt,
in den Blindverdrahtungsschichten DA und DA2 absorbiert wird, kann
somit eine Kreuzkopplung zwischen den zwei Datenleitungen "sig" verhindert werden.
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Zwischen
zwei benachbarten Datenleitungen "sig" einer
Vielzahl von Datenleitungen "sig" ist ferner bevorzugt,
dass. die Abtastung eines Bildsignals bei der gleichen Zeitsteuerung.
vorgenommen wird. Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet ist,
ist es möglich,
da Potenzialschwankungen während
der Abtastung gleichzeitig zwischen zwei Datenleitungen "sig" auftreten, eine
Kreuzkopplung zwischen diesen zwei Datenleitungen "sig" zuverlässiger zu
verhindern.
-
[Anderes Konstruktionsbeispiel
eines Haltekondensators]
-
Obwohl
in der zuvor beschriebenen Ausführungsform
die Kapazitätsleitungen "cline" so gebildet sind,
dass sie einen Haltekondensator "cap" bilden, wie in der
Beschreibung der verwandten Technik dargelegt, kann der Haltekondensator "cap" unter Verwendung
eines Polysiliziumfilms zur Bildung eines TFT gebildet werden.
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Wie
in 11 dargestellt, kann der Haltekondensator "cap" auch zwischen der
allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" und
der Potenzialhalteelektrode "st" gebildet werden.
Wie in 12(A) und 12(B) dargestellt,
kann in diesem Fall der verlängerte
Abschnitt 310 der Torelektrode 31 zum elektrischen
Verbinden der Potenzialhalteelektrode "st" mit der
Torelektrode 31 zu der Seite der unteren Schichten der
allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" verlängert werden,
und der Haltekondensator "cap" kann unter Verwendung
des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51, der zwischen
diesem verlängerten
Abschnitt 310 und der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" liegt, als dielektrischer
Film gebildet werden.
-
[Zweite Ausführungsform]
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Obwohl
in der zuvor beschriebenen ersten Ausführungsform die Konstruktion
derart ist, dass die Lichtemissionselemente 90 von einem
Antriebsstrom derselben Polarität
in jedem Pixel 7 angetrieben werden, kann die Konstruktion
derart gebildet sein, wie in der Folge beschrieben ist, dass dieselbe
Anzahl von zwei Arten von Pixeln 7, in welchen die Lichtemissionselemente 40 von
einem Antriebsstrom angetrieben werden, dessen Polarität umgekehrt
ist, unter einer Vielzahl von Pixeln 7 sind, zu welchen
ein Antriebsstrom in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben
allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" geleitet
wird.
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Beispiele
für solche
Konstruktionen sind unter Bezugnahme auf 13 bis 17 beschrieben. 13 ist
ein Blockdiagramm einer Ausführungsform
von zwei Arten von Pixeln, in welchen die Lichtemissionselemente 40 von
einem Antriebsstrom angetrieben werden, dessen Polarität umgekehrt
ist. 14 und 15 sind
jeweils eine Darstellung eines Abtastsignals, eines Bildsignals,
des Potenzials der allgemeinen Stromversorgungsleitungen und eines
Potenzials einer Potenzialhalteelektrode, wenn das Lichtemissionselement 40 von
einem Antriebsstrom angetrieben wird, dessen Polarität umgekehrt ist.
-
Wenn
in dieser Ausführungsform
und den Ausführungsformen,
die später
beschrieben werden, wie in 13 dargestellt,
das Lichtemissionselement 40 von einem Antriebsstrom i
angetrieben wird, dessen Polarität
umgekehrt ist, ist in einem Pixel 7A, zu dem der Antriebsstrom
von den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, wie
durch. einen Pfeil E angezeigt, der erste TFT 20 vom n-Kanaltyp, und in
einem Pixel 7B, von dem Antriebsstrom zu den allgemeinen
Stromversorgungsleitungen "com" fließt, wie
durch einen Pfeil F dargestellt, ist der erste TFT 20 vom
p-Kanaltyp. Aus diesem Grund werden eine Abtastleitung "gateA" und eine Abtastleitung "gateB" in diesen zwei Arten
von Pixeln 7A beziehungsweise 7B gebildet. Während auch
in dieser Ausführungsform
der zweite TFT 30 des Pixel 7A vom p-Kanaltyp
ist, ist der zweite TFT 30 des Pixel 7B vom n-Kanaltyp, wobei der
erste TFT 20 und der zweite TFT 30 in jedem der
Pixel 7A und 7B so gebildet sind, dass sie vom
Umkehrleitungstyp sind. Für die
Bildsignale, die jeweils über
eine Datenleitung "sigA", entsprechend Pixel 7A,
und eine Datenleitung "sigB", entsprechend Pixel 7B,
zugeleitet werden, ist deren Polarität umgekehrt, wie später beschrieben wird.
-
Da
das Lichtemissionselement 40 in jedem der Pixel 7A und 7B von
dem Antriebsstrom i angetrieben wird, dessen Polarität umgekehrt
ist, wie später
beschrieben wird, muss ferner die Konstruktion derart gebildet sein,
dass das Potenzial der Gegenelektrode "op" auch
eine entgegengesetzte Polarität hat,
wenn das Potenzial der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" als Bezug genommen
wird. Daher ist die Gegenelektrode "op" derart
gebildet, dass die Pixel 7A und 7B, zu welchen
der Antriebsstrom i derselben Polarität fließt, miteinander verbunden sind
und ein vorbestimmtes Potenzial an jedes von ihnen angelegt wird.
-
Wie
in 14 und 15 dargestellt,
sind daher für
die Pixel 7A und 7B Wellenformen von Abtastsignalen,
die über
die Abtastleitungen "gateA" und "gateB" zugeleitet werden,
Wellenformen von Bildsignalen, die über die Datenleitungen "sigA" und "sigB" zugeleitet werden,
das Potenzial der Gegenelektrode "op",
die Potenziale der Potenzialhalteelektroden "stA" und "stB" jeweils unter Verwendung
des Potenzial der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" als Bezug dargestellt.
Zwischen den Pixeln 7A und 7B ist jedes Signal
so eingestellt, dass es eine entgegengesetzte Polarität sowohl
in. der eingeschalteten Periode als auch in der ausgeschalteten
Periode hat.
-
Wie
in 16(A) und 16(B) dargestellt,
sind auch Lichtemissionselemente 40A und 40B verschiedener
Konstruktionen in den Pixeln 7A beziehungsweise 7B gebildet.
Das heißt,
in dem Lichtemissionselement 40A, das in dem Pixel 7A gebildet ist,
sind von der Seite der unteren Schichten zu der Seite der oberen
Schichten die Pixelelektrode 41, die aus einem ITO-Film
gebildet ist, die positive Löcherinjektionsschicht 42,
der organische Halbleiterfilm 43 und die Gegenelektrode "opA" in mehrschichtig in dieser
Reihenfolge gebildet. Im Gegensatz dazu sind in dem Lichtemissionselement 40B,
das in dem Pixel 7B gebildet ist, von der Seite der unteren
Schichten zu der Seite der oberen Schichten die Pixelelektrode 41,
die aus einem ITO-Film
gebildet ist, eine lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45,
die so dünn
ist, dass sie Lichtdurchlässigkeitseigenschaften
aufweist, der organische Halbleiterfilm 43, die positive
Löcherinjektionsschicht 42,
eine ITO-Filmschicht 96 und eine Gegenelektrode "opB" in mehrschichtig
in dieser Reihenfolge gebildet. Selbst wenn ein Antriebsstrom entgegengesetzter
Polarität
durch die Lichtemissionselemente 40A beziehungsweise 40B fließt, sind daher
die Lichtemissionseigenschaften der Lichtemissionselemente 40A und 40B identisch,
da die Strukturen der Elektrodenschichten, mit welchen die positive
Löcherinjektionsschicht 42 und
der organische Halbleiterfilm 43 in direktem Kontakt stehen, dieselben
sind.
-
Wenn
solche zwei Arten von Lichtemissionselementen 40A oral 40B gebildet
werden, sind die Herstellungsschritte nicht komplex, selbst wenn
die oberen und unteren Positionen umgekehrt werden, da sowohl der
organische Halbleiterfilm 43 als auch die positive Löcherinjektionsschicht 42 im
Inneren der Bankschicht "bank" durch ein Tintenstrahlverfahren
gebildet sind. Ferner sind in dem Lichtemissionselement 40B im
Vergleich zu dem Lichtemissionselement 40A die lithiumhaltige
Aluminiumelektrode 45, die so dünn ist, dass sie Lichtdurchlässigkeitseigenschaften
aufweist, und die ITO-Filmschicht 46 hinzugefügt. Selbst
wenn die lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45 so strukturiert
ist, dass sie in demselben Bereich wie die Pixelelektrode 41 mehrschichtig
ist, entsteht dennoch kein Problem für die Anzeige, und selbst wenn
die ITO-Filmschicht 46 auch so strukturiert ist, dass sie
in demselben Bereich mehrschichtig ist wie die Gegenelektrode "opB", entsteht kein Problem
für die
Anzeige. Daher können
die lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45 und die Pixelelektrode 41 unabhängig voneinander
strukturiert werden, können aber
auch gemeinsam mit derselben Resistmaske strukturiert werden. Auf
gleiche Weise können
die ITO-Filmschicht 46 und die Gegenelektrode "opB" unabhängig voneinander
strukturiert werden, können aber
auch gemeinsam mit derselben Resistmaske strukturiert werden. Natürlich können die
lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45 und die ITO-Filmschicht 46 nur
in dem inneren Bereich der Bankschicht "bank" gebildet
werden.
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Nachdem
die Lichtemissionselemente 40A und 40B auf diese
Weise dazu befähigt
wurden, von einem Antriebsstrom angetrieben zu werden, dessen Polarität in jedem
der Pixel 7A und 7B umgekehrt ist, werden die
zwei Arten von Pixeln 7A und 7B wie in 17 dargestellt
angeordnet. In dieser Figur entspricht das Pixel mit dem Zeichen
(–) dem
Pixel 7A, das unter Bezugnahme auf 13, 14 und 16 beschrieben
wurde, und das Pixel mit dem Zeichen (+) entspricht dem Pixel 7B,
das unter Bezugnahme auf 13, 15 und 16 beschrieben
wurde. In 17 fehlt die Darstellung der
Abtastleitungen "gateA" und "gate" und der Datenleitungen "sigA" und "sigB".
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Wie
in 17 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform
die Polarität
des Antriebsstroms in jedem Pixel dieselbe entlang der Verlaufsrichtung
der Datenleitungen "sigA" und "sigB" und entlang der Verlaufsrichtung
der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" ist die Polarität des Antriebsstroms
in jedem Pixel für
jedes Pixel umgekehrt. Die Bildungsbereiche der Gegenelektroden "opA" und "opB", die jedem Pixel
entsprechen, sind jeweils durch eine Strichpunktlinie angegeben,
wobei jede der Gegenelektroden "opA" und "opB" so konstruiert ist,
dass sie die Pixel 7A und 7B verbindet, zu welchen
Antriebsstrom mit derselben Polarität fließt. Das heißt, die Gegenelektroden "opA" und "opB" sind in Streifenform
unabhängig
voneinander entlang der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" gebildet, und ein negatives
Potenzial und ein positives Potenzial, wenn das Potenzial der allgemeinen
Stromversorgungsleitung "com" als Bezug verwendet
wird, werden zu den Gegenelektroden "opA" beziehungsweise "opB" geleitet.
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Daher
fließen
zwischen jedem der Pixel 7A und 7B und der allgemeinen
Stromversorgungsleitung "com" Antriebsströme i in
eine Richtung, die durch Pfeile E beziehungsweise F in 13 dargestellt
sind. Da der Strom, der im Wesentlichen durch die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" fließt, durch
den Antriebsstrom i anderer Polarität gelöscht wird, ist aus diesem Grund
eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen
Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich.
Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend
schmäler
gebildet werden können,
ist es daher möglich;
das Verhältnis
der Lichtemissionsfläche
der Pixelfläche
in den Pixeln 7A und 7B zu vergrößern, und
die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern.
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[Dritte Ausführungsform]
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Angesichts
der Tatsache, dass Pixel derart angeordnet sind, dass der Antriebsstrom
bei entgegengesetzter Polarität
in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben. allgemeinen
Stromversorgungsleitung "com" fließt, kann
jedes Pixel wie in 18 angeordnet sein. Da in dieser
Ausführungsform
die Konstruktion jedes der Pixel 7A und 7B ähnlich jener
der zweiten Ausführungsform
ist, wird deren Beschreibung unterlassen, und in 18 und 19 bis 21 ist
zur Beschreibung jeder Ausführungsform,
die in der Folge beschrieben wird, ein Pixel, das dem Pixel 7A entspricht,
das unter Bezugnahme auf 13, 14 und 16 beschrieben ist,
mit dem Zeichen (–)
dargestellt, und ein Pixel, das dem Pixel 7B entspricht,
das unter Bezugnahme auf 13, 15 und 16 beschrieben
ist, mit dem Zeichen (+) dargestellt.
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Wie
in 18 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform
die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms
in jedem der Pixel 7A und 7B dieselbe entlang
der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" ist, und dass entlang
der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" die Polarität des Antriebsstroms in jedem der
Pixel 7A und 7B alle zwei Pixel umgekehrt ist.
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Auch
wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet ist, fließt der Antriebsstrom
i in eine Richtung, die durch Pfeile E und F in 13 angezeigt
ist, zwischen jedem der Pixel 7A und 7B und der
allgemeinen Stromversorgungsleitung "com".
Da der Strom, der im Wesentlichen durch die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" fließt, durch
den Antriebsstrom i anderer Polarität gelöscht wird, ist aus diesem Grund
eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen
Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich.
Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend
schmäler
gebildet werden können,
ist es daher möglich,
das Verhältnis
der Lichtemissionsfläche
der Pixelfläche
in den Pixeln 7A und 7B zu erhöhen, und die Anzeigeleistung,
wie Luminanz, Kontrastverhältnis
und so weiter, zu verbessern. Zusätzlich können in dieser Ausführungsform,
da die Polarität
des Antriebstroms alle zwei Pixel entlang der Verlaufsrichtung der
Abtastleitungen "gateA" und "gateB" für die Pixel
umgekehrt ist, die von dem Antriebsstrom derselben Polarität angetrieben
werden, die Gegenelektroden "opA" und "opB", die den benachbarten
Pixeln für
zwei Reihen gemein sind, in Streifenform gebildet werden. Daher
kann die Anzahl von Streifen der Gegenelektroden "opA" und "opB" um die Hälfte verringert
werden. Da der Widerstand der Gegenelektroden "opA" und "opB" im Vergleich zu
dem Streifen für
jedes Pixel gesenkt werden kann, kann ein Einfluss eines Spannungsabfalls
der Gegenelektroden "opA" und "opB" verringert werden.
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[Vierte Ausführungsform]
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Angesichts
der Tatsache, dass Pixel derart angeordnet sind, dass ein Antriebsstrom
bei entgegengesetzter Polarität
in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen
Stromversorgungsleitung "com" fließt, kann
jedes Pixel wie in 19 angeordnet sein.
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Wie
in 19 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform
die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms
in jedem der Pixel 7A und 7B dieselbe entlang
der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" ist, und dass entlang der Verlaufsrichtung
der Datenleitungen "sigA" und "sigB" die Polarität des Antriebsstroms
in jedem der Pixel 7A und 7B für jedes Pixel umgekehrt ist.
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Da
der Strom, der durch die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" fließt, wenn
die Konstruktion auf diese Weise, ähnlich wie in der zweiten Ausführungsform
oder der dritten Ausführungsform, gebildet
ist, durch den Antriebsstrom anderer Polarität gelöscht wird, ist eine geringere
Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich.
Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend
schmäler
gebildet werden können,
ist es daher möglich,
das Verhältnis
der Lichtemissionsfläche
der Pixelfläche
in den Pixeln 7A und 7B zu erhöhen, und die Anzeigeleistung,
wie Luminanz, Kontrastverhältnis
und so weiter, zu verbessern.
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[Fünfte Ausführungsform]
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Angesichts
der Tatsache, dass Pixel derart angeordnet sind, dass der Antriebsstrom
bei entgegengesetzter Polarität
in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen
Stromversorgungsleitung "com" fließt, kann
ferner jedes Pixel wie in 20 angeordnet
sein.
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Wie
in 20 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform
die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms
in jedem der Pixel 7A und 7B dieselbe entlang
der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" ist, und dass entlang der Verlaufsrichtung
der Datenleitungen "sigA" und "sigB" die Polarität des Antriebsstroms
in jedem der Pixel 7A und 7B alle zwei Pixel umgekehrt ist.
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Da
der Strom, der durch die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" fließt, wenn
die Konstruktion auf diese Weise, ähnlich wie in der dritten Ausführungsform,
gebildet ist, durch den Antriebsstrom anderer Polarität gelöscht wird,
ist eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen
Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich.
Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend
schmäler
gebildet werden können,
ist es daher möglich,
das Verhältnis
der Lichtemissionsfläche
der Pixelfläche
in den Pixeln 7A und 7B zu erhöhen, und die Anzeigeleistung,
wie Luminanz, Kontrastverhältnis
und so weiter, zu verbessern. Zusätzlich- können in dieser Ausführungsform, da
die Polarität
des Antriebsstroms alle zwei Pixel entlang der Verlaufsrichtung
der Datenleitungen "sigA" und "sigB" für die Pixel
umgekehrt ist, die von dem Antriebsstrom derselben Polarität angerieben werden,
die Gegenelektroden "opA" und "opB", die den benachbarten
Pixeln für
zwei Reihen gemein sind, in Streifenform gebildet werden. Daher
kann die Anzahl von Streifen der Gegenelektroden "opA" und "opB" um die Hälfte verringert
werden. Da der Widerstand der Gegenelektroden "opA" und "opB" im Vergleich zu
dem Streifen für
jedes Pixel gesenkt werden kann, kann ferner ein Einfluss eines
Spannungsabfalls der Gegenelektroden "opA" und "opB" verringert werden.
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[Sechste Ausführungsform]
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Angesichts
der Tatsache, dass Pixel derart angeordnet sind, dass der Antriebsstrom
bei entgegengesetzter Polarität
in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen
Stromversorgungsleitung "com" fließt, kann
ferner jedes Pixel wie in 21 angeordnet
sein.
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Wie
in 21 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform
die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms
in jedem der Pixel 7A und 7B für jedes Pixel sowohl entlang
der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" als auch entlang der Verlaufsrichtung
der Datenleitungen "sigA" und "sigB" umgekehrt ist.
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Da
auch der Antriebsstrom, der durch die allgemeine Stromversorgungsleitungen "com" fließt, wenn
die Konstruktion auf diese Weise, ähnlich wie in der zweiten bis
vierten Ausführungsform,
gebildet ist, durch den Antriebsstrom anderer Polarität gelöscht wird,
ist eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen
Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich.
Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler gebildet
werden können,
ist es daher möglich,
das Verhältnis
der Lichtemissionsfläche
in den Pixeln 7A und 7B zu erhöhen, und die Anzeigeleistung,
wie Luminanz, Kontrastverhältnis
und so weiter, zu verbessern.
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Wenn
die Pixel 7A und 7B auf diese Weise angeordnet
sind, können
die Gegenelektroden "opA" und "opB" in Streifenform
ihre Aufgabe nicht bewältigen.
Dennoch kann die Konstruktion derart gebildet werden, dass die Gegenelektroden "opA" und "opB" für jedes
der Pixel 7A beziehungsweise 7B gebildet sind,
und dass die Gegenelektroden "opA" und "opB" durch eine Verdrahtungsschicht
verbunden sind.
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INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
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Da,
wie bisher beschrieben wurde, in der Anzeigevorrichtung der vorliegenden
Erfindung Pixel, zu welchen ein Antriebsstrom in einem Abschnitt
zwischen den Pixeln und der allgemeinen Stromversorgungsleitung
geleitet wird, an beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitung
angeordnet sind, ist nur eine allgemeine Stromversorgungsleitung
für Pixel
für zwei
Reihen erforderlich. Da der Bildungsbereich der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" daher im Vergleich
zu dem Fall, in dem die allgemeine Stromversorgungsleitung für jede Gruppe
von Pixeln für
eine Reihe gebildet ist, schmäler
gestaltet werden kann, ist es möglich,
das Verhältnis
der Lichtemissionsfläche
in den Pixeln entsprechend zu erhöhen, und die Anzeigeleistung,
wie Luminanz, Kontrastverhältnis
und so weiter, zu verbessern.
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Wenn
zwei Arten von Pixeln, in welchen die Lichtemissionselemente von
einem Antriebsstrom angetrieben werden, dessen Polarität umgekehrt
ist, sich in der Vielzahl von Pixeln befinden, zu welchen der Antriebsstrom
in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen
Stromversorgungsleitung in einer allgemeinen Stromversorgungsleitung
geleitet wird, ist eine geringere Menge des Antriebsstroms notwendig,
der durch die allgemeine Stromversorgungsleitung fließt, da der
Antriebsstrom, der von der allgemeinen Stromversorgungsleitung zu
dem Lichtemissionselement fließt, den
Antriebsstrom löscht,
der in eine entgegengesetzte Richtung von dem Lichtemissionselement
zu der allgemeinen Stromversorgungsleitung fließt. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler gestaltet
werden können,
ist es daher möglich,
das Verhältnis
der Lichtemissionsfläche
in den Pixeln entsprechend zu erhöhen, und die Anzeigeleistung,
wie Luminanz, Kontrastverhältnis
und so weiter, zu verbessern.