JP6216125B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6216125B2 JP6216125B2 JP2013024342A JP2013024342A JP6216125B2 JP 6216125 B2 JP6216125 B2 JP 6216125B2 JP 2013024342 A JP2013024342 A JP 2013024342A JP 2013024342 A JP2013024342 A JP 2013024342A JP 6216125 B2 JP6216125 B2 JP 6216125B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- light
- light emitting
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 179
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
一方、有機EL素子の発光輝度は電流に比例して大きくなることが知られており、高い輝度で発光させることが可能である。
なお、キャリア注入層(正孔注入層又は電子注入層)を共通とするシングル素子についても、これと同様にクロストーク現象の発生という課題がある。
<表示パネルの構成>
本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を図1に示す。図1(A)は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図であり、図1(B)は図1(A)の切断線A−BおよびC−Dにおける断面を含む構造の側面図である。
図1に例示する表示パネル400には、トップゲート型のトランジスタが適用されているがこれに限られず、ボトムゲート型のトランジスタも適用することができる。ソース側の駆動回路部403s、ゲート側の駆動回路部403g並びに副画素にはさまざまな構造のトランジスタを適用できる。また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。酸化物半導体の一例としては、少なくともインジウム(In)あるいは亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体を挙げることができ、InとZnを含む酸化物半導体が好ましい。また、これらの酸化物半導体が、ガリウム(Ga)またはスズ(Sn)から選ばれた一種または複数を含むと、特に好ましい。
本実施の形態で例示する表示パネル400は、第1の基板410、第2の基板440、およびシール材405で囲まれた空間431に、発光素子を封止する構造を備える(図1参照)。
表示部401に設けられた画素402の構成について、図2を参照して説明する。図2(A)は画素402の平面図であり、図2(B)は図2(A)の切断線E−Fにおける断面図であり、図2(C)は副画素402Bの等価回路図である。なお、図2(A)の平面図においては、画素402の構成要素の一部(例えば、カラーフィルタ441B〜441Rなど)を図面の煩雑を避けるために、省略してある。
副画素402B,402G,402Rそれぞれの周囲にはシールド電極419が設けられており、シールド電極419は副画素402B,402G,402Rそれぞれを囲むように格子状に配置されている。別言すれば、シールド電極419は、第1〜第3の下部電極421a〜421cそれぞれを囲むように形成されている(図2(A),(B)参照)。
表示部に設けられた画素452の構成について、図4(A)を参照して説明する。図4(A)は図2(A)の切断線E−Fに相当する断面図である。図4(A)に示された画素452、副画素452B,452G,452R、シールド電極429は、それぞれ図2(A)に示された画素402、副画素402B,402G,402R、シールド電極419に対応する。
なお、図4(A)において上記の画素の構成1と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
シールド電極429は、絶縁層417上に形成され、絶縁層416によって覆われ、第1〜第3の下部電極421a〜421cそれぞれと重ならない位置に形成されている。ここでいう「重ならない位置」とは、図2(A)に示すような平面として視た場合にシールド電極429が第1〜第3の下部電極421a〜421cそれぞれと重ならないことを意味する。
表示部に設けられた画素462の構成について、図4(B)を参照して説明する。図4(B)は図2(A)の切断線E−Fに相当する断面図である。図4(B)に示された画素462、副画素462B,462G,462R、シールド電極439は、それぞれ図2(A)に示された画素402、副画素402B,402G,402R、シールド電極419に対応する。
なお、図4(B)において上記の画素の構成1と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
シールド電極439は、絶縁層416下に形成され、絶縁層417によって覆われ、第1〜第3の下部電極421a〜421cそれぞれと重ならない位置に形成されている。
表示部に設けられた画素472の構成について、図5(A)を参照して説明する。
画素472は、図2に示すカラーフィルタに代えて、微小共振器を設けた例である。
なお、図5(A)において上記の画素の構成1と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
図5(A)において副画素間に設けられるシールド電極449は、第1〜第3の発光素子450B,450G,450Rそれぞれの第1〜第3の下部電極454a,454b,454cと同じ工程で作製される第1のシールド電極449aと、第3の発光素子450Rの光学調整層431Rと同じ工程で作製される第2のシールド電極449bとの積層構造を含む場合を例に示す。但し、本発明の実施の形態はこれに限られず、例えば、第1のシールド電極449aと、第1の発光素子450Bの光学調整層450Bと同じ工程で作製される電極層との積層構造としてもよいし、また第1のシールド電極449aと、第2の発光素子450Gの光学調整層450Gと同じ工程で作製される電極層との積層構造としてもよい。
表示部に設けられた画素482の構成について、図5(B)を参照して説明する。
図5(B)に示す画素482は、図5(A)の画素472の変形例であり、第2の基板440側にカラーフィルタ441B,441G,441Rと遮光性の膜442を設けた構成である。つまり、画素482は、カラーフィルタと微小共振器の双方を設けた例である。
なお、カラーフィルタ以外の構成は、図5(A)と同様であるため、詳細な説明は省略する。
82 第1の下部電極
83 第2の下部電極
84 第3の下部電極
85 第1の発光ユニット
86 中間層
87 第2の発光ユニット
88 対向ガラス基板
89 キャリア注入層
301 半導体層
302 ゲート電極
303 ソース電極
304 ドレイン電極
400 表示パネル
401 表示部
402 画素
402B 青色を呈する光を射出する副画素
402G 緑色を呈する光を射出する副画素
402R 赤を呈する光を射出する副画素
403g ゲート側の駆動回路部
403s ソース側の駆動回路部
405 シール材
408 引き回し配線
409 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
410 第1の基板
411 スイッチング用のトランジスタ
412 電流制御用のトランジスタ
413 nチャネル型トランジスタ
414 pチャネル型トランジスタ
416 絶縁層
417 絶縁層
418 隔壁
419 シールド電極
419a 端子部
420a 第1の発光素子
420b 第2の発光素子
420c 第3の発光素子
421a 第1の下部電極
421b 第2の下部電極
421c 第3の下部電極
422 上部電極
423 EL層(積層膜)
429 シールド電極
431 空間
431B,431G,431R 光学調整層
439 シールド電極
440 第2の基板
441B,441G,441R カラーフィルタ
442 遮光性の膜
449 シールド電極(第3の電極)
449a 第1のシールド電極
449b 第2のシールド電極
450B 第1の発光素子
450G 第2の発光素子
450R 第3の発光素子
452 画素
452B 青色を呈する光を射出する副画素
452G 緑色を呈する光を射出する副画素
452R 赤を呈する光を射出する副画素
454a 第1の下部電極
454b 第2の下部電極
454c 第3の下部電極
456 上部電極
462 画素
462B 青色を呈する光を射出する副画素
462G 緑色を呈する光を射出する副画素
462R 赤を呈する光を射出する副画素
472 画素
472B 青色を呈する光を射出する副画素
472G 緑色を呈する光を射出する副画素
472R 赤を呈する光を射出する副画素
482 画素
482B 青色を呈する光を射出する副画素
482G 緑色を呈する光を射出する副画素
482R 赤を呈する光を射出する副画素
510 第1の基板
511 スイッチング用のトランジスタ
512 電流制御用のトランジスタ
514 素子形成層
516 絶縁層
518 隔壁
523 EL層
531B 光学調整層
531G 光学調整層
531R 光学調整層
540 基板
549 シールド電極
549a 第1のシールド電極
549b 第2のシールド電極
550B 第1の発光素子
550G 第2の発光素子
550R 第3の発光素子
554a 第1の下部電極
554b 第2の下部電極
554c 第3の下部電極
556 上部電極
560、561 コンタクトホール
572 画素
572B 副画素
572G 副画素
572R 副画素
Claims (8)
- 絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第1の下部電極と、
前記絶縁層上に形成された第2の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記第1の下部電極と前記第2の下部電極の間に位置する隔壁と、
前記第1の下部電極、前記隔壁及び前記第2の下部電極の上に形成され、発光物質を含む発光層と、前記発光層よりも導電性の高い層とを、含む積層膜と、
前記積層膜上に形成された上部電極と、
前記隔壁下に形成され、前記第1の下部電極及び前記第2の下部電極それぞれと重ならない位置に形成され、前記隔壁によって前記積層膜と電気的に絶縁され、且つ前記第1の下部電極及び前記第2の下部電極それぞれを囲むように配置された第3の電極と、
を具備し、
前記第3の電極は、前記絶縁層上に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1において、
前記第3の電極は、前記第1の下部電極と同一層によって形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1において、
前記第1の下部電極と前記積層膜との間、及び前記第2の下部電極と前記積層膜との間の少なくとも一方に形成された光学調整層を有し、
前記第3の電極は、前記第1の下部電極と同一層によって形成された層と前記光学調整層と同一層によって形成された層の積層体であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第3の電極は電気的にフローティング状態であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第3の電極には、前記第1の下部電極と前記上部電極に挟持された前記発光層を発光させる場合に当該第1の下部電極と前記上部電極に印加される電圧のうち高電位側の電圧未満の電圧が印加されることを特徴とする発光装置。 - 請求項5において、
前記第3の電極には、前記第1の下部電極と前記上部電極に印加される電圧のうち低電位側の電圧と、前記発光層が発光を開始するしきい値電圧と、の合計電圧以下の電圧が印加されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記隔壁上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを有し、
前記カラーフィルタは、前記第1の下部電極と重なる第1の色と、前記第2の下部電極と重なる第2の色を有することを特徴とする発光装置。 - 絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された複数の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記複数の下部電極の相互間に位置し、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された隔壁と、
前記複数の下部電極及び前記隔壁の上に形成された、発光物質を含む発光層及び前記発光層よりも導電性の高い層を含む積層膜と、
前記積層膜上に形成された上部電極と、
前記隔壁下に形成され、前記複数の下部電極それぞれと重ならない位置に形成され、前記隔壁によって前記積層膜と電気的に絶縁され、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された第3の電極と、
を具備し、
前記第3の電極は、前記絶縁層上に形成されていることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013024342A JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2013-02-12 | 発光装置 |
US14/172,131 US9231042B2 (en) | 2013-02-12 | 2014-02-04 | Light-emitting device |
CN201410048462.0A CN103985733B (zh) | 2013-02-12 | 2014-02-12 | 发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013024342A JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2013-02-12 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014154426A JP2014154426A (ja) | 2014-08-25 |
JP6216125B2 true JP6216125B2 (ja) | 2017-10-18 |
Family
ID=51277637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013024342A Expired - Fee Related JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2013-02-12 | 発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9231042B2 (ja) |
JP (1) | JP6216125B2 (ja) |
CN (1) | CN103985733B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109742262B (zh) | 2014-08-08 | 2022-11-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、电子设备以及照明装置 |
KR20170117084A (ko) | 2015-02-18 | 2017-10-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 화합물, 발광 소자, 표시 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
CN104716167B (zh) * | 2015-04-13 | 2017-07-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 |
KR102429283B1 (ko) * | 2015-05-27 | 2022-08-05 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20170048635A (ko) * | 2015-10-26 | 2017-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
US9911937B2 (en) | 2016-05-12 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
JP7203499B2 (ja) * | 2018-03-07 | 2023-01-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN110164854B (zh) | 2018-07-25 | 2021-01-22 | 友达光电股份有限公司 | 照明装置 |
CN111081694B (zh) * | 2018-10-18 | 2022-03-22 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置、拼接电子设备与其操作方法 |
JP7308659B2 (ja) * | 2019-05-27 | 2023-07-14 | キヤノン株式会社 | 表示装置、その製造方法および電気装置 |
KR20210017056A (ko) | 2019-08-06 | 2021-02-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR20210018105A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 화합물, 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR20210042202A (ko) * | 2019-10-08 | 2021-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111863929B (zh) * | 2020-08-28 | 2024-02-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6472557A (en) | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Seiko Instr & Electronics | Image sensor |
JP3520396B2 (ja) | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JP3580092B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US6592933B2 (en) | 1997-10-15 | 2003-07-15 | Toray Industries, Inc. | Process for manufacturing organic electroluminescent device |
CN100550472C (zh) | 1998-03-17 | 2009-10-14 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
JPH11339958A (ja) | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子の製造方法 |
KR100697413B1 (ko) | 1998-07-30 | 2007-03-19 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치, 영상 디스플레이 장치, 정보 처리 장치, 및 그 제조 방법 |
US6469439B2 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
TW459275B (en) | 1999-07-06 | 2001-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of fabricating the same |
JP3809758B2 (ja) | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
EP1096568A3 (en) | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
KR100720066B1 (ko) | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 |
JP2001148291A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
US6821827B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP4132528B2 (ja) | 2000-01-14 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6559594B2 (en) | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
TW484238B (en) | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
US20010030511A1 (en) | 2000-04-18 | 2001-10-18 | Shunpei Yamazaki | Display device |
TW522752B (en) | 2000-10-20 | 2003-03-01 | Toshiba Corp | Self-luminous display panel and method of manufacturing the same |
JP3695308B2 (ja) | 2000-10-27 | 2005-09-14 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2002208484A (ja) | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
US6720198B2 (en) | 2001-02-19 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US6992439B2 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element |
JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2003059671A (ja) | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
JP2003123969A (ja) | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法 |
US6852997B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US6815723B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
SG143063A1 (en) | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2003243171A (ja) | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP3481232B2 (ja) | 2002-03-05 | 2003-12-22 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7230271B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
JP4216008B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
US7094684B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7132801B2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-11-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Dual panel-type organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
US7792489B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
JP4664604B2 (ja) | 2004-02-18 | 2011-04-06 | Tdk株式会社 | 画像表示装置 |
US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
US8772783B2 (en) | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US8026531B2 (en) | 2005-03-22 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP5078267B2 (ja) | 2005-03-22 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2006317740A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その駆動方法および製造方法、ならびに電子機器 |
JP4548253B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
EP1760776B1 (en) | 2005-08-31 | 2019-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate |
EP1770676B1 (en) | 2005-09-30 | 2017-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2007141821A (ja) | 2005-10-17 | 2007-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI460851B (zh) | 2005-10-17 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101324756B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2013-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그의 구동방법 |
US20070194321A1 (en) | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
JP2008234885A (ja) | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
US7834543B2 (en) | 2007-07-03 | 2010-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL display apparatus and method of manufacturing the same |
WO2009128553A1 (en) | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
WO2009128522A1 (en) | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
KR101310917B1 (ko) | 2008-07-17 | 2013-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
TWI607670B (zh) | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
CN102461334B (zh) * | 2009-06-11 | 2016-10-05 | 日本先锋公司 | 发光元件和显示装置 |
JP2012155953A (ja) | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Sony Corp | 有機el表示装置及び電子機器 |
KR102109009B1 (ko) | 2011-02-25 | 2020-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기 |
JP5919807B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-05-18 | ソニー株式会社 | 有機発光素子、有機発光素子の製造方法および表示装置 |
KR101920374B1 (ko) | 2011-04-27 | 2018-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법 |
KR101933952B1 (ko) * | 2011-07-01 | 2018-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치 |
KR101970675B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2019-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 조명 장치 |
JP2014095897A (ja) | 2012-10-12 | 2014-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP6204012B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6076683B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6155020B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6124584B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-02-12 JP JP2013024342A patent/JP6216125B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-04 US US14/172,131 patent/US9231042B2/en active Active
- 2014-02-12 CN CN201410048462.0A patent/CN103985733B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103985733B (zh) | 2018-08-21 |
US20140225140A1 (en) | 2014-08-14 |
JP2014154426A (ja) | 2014-08-25 |
CN103985733A (zh) | 2014-08-13 |
US9231042B2 (en) | 2016-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6216125B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6104649B2 (ja) | 発光装置 | |
US11538408B2 (en) | Organic light-emitting diode display | |
KR102248641B1 (ko) | 유기전계 발광소자 | |
US9728693B2 (en) | Light-emitting device comprising partition including overhang portion | |
US9343698B2 (en) | Organic EL display and electronic apparatus | |
US9087964B2 (en) | Light-emitting device | |
TWI413441B (zh) | 畫素結構及電致發光裝置 | |
US9231154B2 (en) | Light-emitting device | |
US11335734B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
KR102166341B1 (ko) | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
TWI614929B (zh) | 有機發光顯示器 | |
US9871086B2 (en) | Display device and method for manufacturing display device | |
US11903285B2 (en) | Display device and electronic device with peripheral connection to cathode electrode | |
JP2014235959A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 | |
US10319941B2 (en) | Electroluminescence device | |
JP7312697B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2019192467A (ja) | 有機el表示パネル | |
JP2016131071A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6216125 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |