JPH088146B2 - カラーｅｌディスプレイ装置とその製造方法 - Google Patents
カラーｅｌディスプレイ装置とその製造方法Info
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- JPH088146B2 JPH088146B2 JP63216523A JP21652388A JPH088146B2 JP H088146 B2 JPH088146 B2 JP H088146B2 JP 63216523 A JP63216523 A JP 63216523A JP 21652388 A JP21652388 A JP 21652388A JP H088146 B2 JPH088146 B2 JP H088146B2
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- Japan
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- color
- filter
- light
- display device
- light emitting
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄型カラーELディスプレイ装置に関するも
のであり、とりわけ発光輝度が高く、色純度が優れた三
原色のカラー表示可能なELディスプレイ装置に関する。
のであり、とりわけ発光輝度が高く、色純度が優れた三
原色のカラー表示可能なELディスプレイ装置に関する。
従来の技術 近年、コンピュータ端末などに用いるフラットディス
プレイ装置として、薄型ELディスプレイ装置が盛んに研
究されている。その中でもカラーELディスプレイ装置の
開発は、将来のディスプレイとしての位置付けを左右す
るため、現在最も多くの力が注がれている。
プレイ装置として、薄型ELディスプレイ装置が盛んに研
究されている。その中でもカラーELディスプレイ装置の
開発は、将来のディスプレイとしての位置付けを左右す
るため、現在最も多くの力が注がれている。
カラーフィルタを用いる方式のカラーELディスプレイ
についてすでに提案されている。しかしながら、いくつ
かの課題が残されている。そのひとつが、有機カラーフ
ィルタを用いるとEL光の輝度が40％程度減衰することで
ある。一方、EL光の透過率が少なくも90％以上になると
いう長所を持った有機フィルタは膜厚が厚く、その上に
EL層を積層するときにはフィルタと基板との段差が大き
すぎて断線などの製造上の問題が発生した。
についてすでに提案されている。しかしながら、いくつ
かの課題が残されている。そのひとつが、有機カラーフ
ィルタを用いるとEL光の輝度が40％程度減衰することで
ある。一方、EL光の透過率が少なくも90％以上になると
いう長所を持った有機フィルタは膜厚が厚く、その上に
EL層を積層するときにはフィルタと基板との段差が大き
すぎて断線などの製造上の問題が発生した。
カラーELディスプレイ装置の構成としては、赤色光と
してはサマリウムを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層
やユーロピウムを発光不純物とする硫化カルシウム蛍光
体層からの発光を用い、緑色光としてはテルビウムを発
光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層やセリウムを発光不純
物とする硫化カルシウム蛍光体層からの発光を用い、青
色光としてはセリウムを発光不純物とする硫化ストロン
チウム蛍光体層からの発光を用いて三原色発光がなされ
ている。（特開昭61−260594号公報参照） 発明が解決しようとする課題 従来の無機フィルタを用いてその上にEL層を積層する
構成のカラーELディスプレイはフィルタの厚さが厚すぎ
て安定に製造することができない。
してはサマリウムを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層
やユーロピウムを発光不純物とする硫化カルシウム蛍光
体層からの発光を用い、緑色光としてはテルビウムを発
光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層やセリウムを発光不純
物とする硫化カルシウム蛍光体層からの発光を用い、青
色光としてはセリウムを発光不純物とする硫化ストロン
チウム蛍光体層からの発光を用いて三原色発光がなされ
ている。（特開昭61−260594号公報参照） 発明が解決しようとする課題 従来の無機フィルタを用いてその上にEL層を積層する
構成のカラーELディスプレイはフィルタの厚さが厚すぎ
て安定に製造することができない。
また従来の技術、たとえば赤色、緑色、および青色用
として、それぞれユーロピウム添加硫化カルシウム、テ
ルビウム添加硫化亜鉛、およびセリウム添加硫化ストロ
ンチウムを用いてカラーELディスプレイ装置を形成した
場合、青色の色純度や三原色の発光輝度のバランスが最
適でなく、色再現性が不十分であり、高品位のカラーEL
ディスプレイ装置を実現できなかった。本発明の目的は
前記問題点を解決した従来に比べて格段に高輝度で色再
現性が広く、表示品位の優れたカラーELディスプレイ装
置を構成するための薄膜構成と、フィルターの組み合わ
せを提供することである。
として、それぞれユーロピウム添加硫化カルシウム、テ
ルビウム添加硫化亜鉛、およびセリウム添加硫化ストロ
ンチウムを用いてカラーELディスプレイ装置を形成した
場合、青色の色純度や三原色の発光輝度のバランスが最
適でなく、色再現性が不十分であり、高品位のカラーEL
ディスプレイ装置を実現できなかった。本発明の目的は
前記問題点を解決した従来に比べて格段に高輝度で色再
現性が広く、表示品位の優れたカラーELディスプレイ装
置を構成するための薄膜構成と、フィルターの組み合わ
せを提供することである。
課題を解決するための手段 透光性の基板上に複数種類の色フィルタを選択的に設
け、前記色フィルタ上あるいは色フィルタ上および色フ
ィルタの間隙に複数種類のEL発光層を設け、前記EL発光
層の間隙に誘電体層を設けた上部に背面電極を設け、か
つ前記色フイルタとEL発光層とを対応させる。
け、前記色フィルタ上あるいは色フィルタ上および色フ
ィルタの間隙に複数種類のEL発光層を設け、前記EL発光
層の間隙に誘電体層を設けた上部に背面電極を設け、か
つ前記色フイルタとEL発光層とを対応させる。
作用 上記の構成によれば、EL発光層と色フィルタの組み合
わせにより、高輝度で色再現性が広いカラーELディスプ
レイ装置を実現することができ、しかも、EL発光層の間
隙に設けた誘電体層により、フィルタと基板との段差に
起因する断線を防止することができる。
わせにより、高輝度で色再現性が広いカラーELディスプ
レイ装置を実現することができ、しかも、EL発光層の間
隙に設けた誘電体層により、フィルタと基板との段差に
起因する断線を防止することができる。
実施例 ２価マンガンイオンを発光不純物とする硫化亜鉛蛍光
体は、発光効率が２〜8lm/Wときわめて高く、発光スペ
クトルは590nmを中心波長とするブロードな発光である
ため、適当なフィルターを用いることにより、色純度、
輝度の赤色を実現できる。３価テルビウムイオンを発光
不純物とする硫化亜鉛蛍光体の発光は、490nmを中心波
長とする青色成分、550nm付近の緑色成分、および590n
n、620nm付近の波長成分からなり、その中でも550nm付
近の発光が最も強く色純度の優れた緑色発光を示す。ま
た発光効率も高いためフィルターを用いることにより、
さらに純度の高い緑色を実現できる。３価セリウムイオ
ンを発光不純物とする硫化ストロンチウムの発光は480n
mを中心波長とする緑青色のブロードな発光であるた
め、適当なフィルターを用いることにより、色純度の高
い青色を実現できる。
体は、発光効率が２〜8lm/Wときわめて高く、発光スペ
クトルは590nmを中心波長とするブロードな発光である
ため、適当なフィルターを用いることにより、色純度、
輝度の赤色を実現できる。３価テルビウムイオンを発光
不純物とする硫化亜鉛蛍光体の発光は、490nmを中心波
長とする青色成分、550nm付近の緑色成分、および590n
n、620nm付近の波長成分からなり、その中でも550nm付
近の発光が最も強く色純度の優れた緑色発光を示す。ま
た発光効率も高いためフィルターを用いることにより、
さらに純度の高い緑色を実現できる。３価セリウムイオ
ンを発光不純物とする硫化ストロンチウムの発光は480n
mを中心波長とする緑青色のブロードな発光であるた
め、適当なフィルターを用いることにより、色純度の高
い青色を実現できる。
本発明は、蛍光体とフィルターを組み合わせる構成を
可能にするため、以下のような構成を用いる。
可能にするため、以下のような構成を用いる。
図に本発明のカラーELディスプレイ装置の一実施例を
説明するための断面図を示す。ガラス基板１上に選択的
にカラーフィルタ２を形成する。この実施例では緑色用
のフィルタは形成せずに赤色用のフィルタ2Aと青色用の
フィルタ2Cとを形成した。
説明するための断面図を示す。ガラス基板１上に選択的
にカラーフィルタ２を形成する。この実施例では緑色用
のフィルタは形成せずに赤色用のフィルタ2Aと青色用の
フィルタ2Cとを形成した。
これらのカラーフィルタ２を形成したのちに、膜３か
ら膜８を形成する工程および形成されたEL発光層５のア
ニール処理のときにフィルタが変質したりフィルタ膜に
クラックが入らないことなどのために、耐熱性のあるフ
ィルタが要求される。従って現在の技術レベルでは有機
フィルタは使えない。
ら膜８を形成する工程および形成されたEL発光層５のア
ニール処理のときにフィルタが変質したりフィルタ膜に
クラックが入らないことなどのために、耐熱性のあるフ
ィルタが要求される。従って現在の技術レベルでは有機
フィルタは使えない。
光透過率などの分光特性およ耐熱性を考慮すれば好ま
しい材料の一つが無機干渉フィタである。例えば、屈折
率が2.20のTiO2、屈折率が1.47のSiO2、屈折率が1.62の
Al2O3薄膜を、電子ビーム蒸着法を用いて交互に積層し
たものである。
しい材料の一つが無機干渉フィタである。例えば、屈折
率が2.20のTiO2、屈折率が1.47のSiO2、屈折率が1.62の
Al2O3薄膜を、電子ビーム蒸着法を用いて交互に積層し
たものである。
しかしながら、例えば緑色用フィルタを形成する場合
（図示せず）、厚さ75nmのTiO2と厚さ113nmのSiO2を19
層積層する必要が生ずる。このときトータルの厚さは約
1.8μｍにもなってしまう。透過特性をより急峻にする
ためには積層数を増加させる必要がある。そのためこの
フィルタ上に薄膜を積層する場合段差部分では膜厚が薄
くなったり切れたりする。マトリクスタイプのELディス
プレイを構成する透明電極３と背面８とは必ず交差する
ことが必要になるが上に述べた理由で背面電極８がフィ
ルタの段差部分で断線してしまう。
（図示せず）、厚さ75nmのTiO2と厚さ113nmのSiO2を19
層積層する必要が生ずる。このときトータルの厚さは約
1.8μｍにもなってしまう。透過特性をより急峻にする
ためには積層数を増加させる必要がある。そのためこの
フィルタ上に薄膜を積層する場合段差部分では膜厚が薄
くなったり切れたりする。マトリクスタイプのELディス
プレイを構成する透明電極３と背面８とは必ず交差する
ことが必要になるが上に述べた理由で背面電極８がフィ
ルタの段差部分で断線してしまう。
この問題を解決するために、EL発光層の間隙部分に誘
電体層７を形成し段差を少なくすることが必要不可欠で
ある。図にも示したように2Aと2Cの厚さは同じにできな
いことが多い。透明電極３はスパッタリング法により形
成された厚さ200nmの錫添加参加インジウム（ITO）薄膜
である。ITO薄膜をホトリソグラフィ技術を用いて加工
することによりストライプ状の透明電極３を形成した。
その上に、酸素を10％含むアルゴン雰囲気中でSrTiO3セ
ラミックターゲットを高周波スパッタリングすることに
より、厚さ500nmの下部誘電体薄膜４を形成した。
電体層７を形成し段差を少なくすることが必要不可欠で
ある。図にも示したように2Aと2Cの厚さは同じにできな
いことが多い。透明電極３はスパッタリング法により形
成された厚さ200nmの錫添加参加インジウム（ITO）薄膜
である。ITO薄膜をホトリソグラフィ技術を用いて加工
することによりストライプ状の透明電極３を形成した。
その上に、酸素を10％含むアルゴン雰囲気中でSrTiO3セ
ラミックターゲットを高周波スパッタリングすることに
より、厚さ500nmの下部誘電体薄膜４を形成した。
下部誘電体薄膜４の上には、１×10-2Torrの圧力で硫
化水素を５％含むアルゴン雰囲気中、250℃の基板温度
で、フッ化テルビウム（TbF3）を１モル％含むZnS焼結
体をターゲットとして高周波スパッタリングすることに
より、厚さ500nmのZnS:Tb,Fから成る蛍光体膜を成膜し
た。その後フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ
状の緑色用発光層5Bを形成し、真空中500℃で１時間熱
処理を行った。その上に電子ビーム加熱真空蒸着法によ
り、厚さ600nmのZnS:Mnから成る蛍光体膜を成膜し、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状の赤色用発
光層5Aを形成し、その後真空中500℃で１時間熱処理を
行った。さらにその上に電子ビーム加熱真空蒸着法によ
り、厚さ600nmのSrS:Ce,Fから成る蛍光体膜を成膜し、
フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状の青色用
発光層5Cを形成し、その後真空中500℃で１時間熱処理
を行った。
化水素を５％含むアルゴン雰囲気中、250℃の基板温度
で、フッ化テルビウム（TbF3）を１モル％含むZnS焼結
体をターゲットとして高周波スパッタリングすることに
より、厚さ500nmのZnS:Tb,Fから成る蛍光体膜を成膜し
た。その後フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ
状の緑色用発光層5Bを形成し、真空中500℃で１時間熱
処理を行った。その上に電子ビーム加熱真空蒸着法によ
り、厚さ600nmのZnS:Mnから成る蛍光体膜を成膜し、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状の赤色用発
光層5Aを形成し、その後真空中500℃で１時間熱処理を
行った。さらにその上に電子ビーム加熱真空蒸着法によ
り、厚さ600nmのSrS:Ce,Fから成る蛍光体膜を成膜し、
フォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状の青色用
発光層5Cを形成し、その後真空中500℃で１時間熱処理
を行った。
発光層5A,5B,5C上に電子ビーム蒸着法により厚さ200n
mの酸化イットリウム（Y2O3）からなる上部誘電体薄膜
６、EL発光層５の間隙に設けた誘電体層７および厚さ20
0nmのAlからなるストライプ状の背面電極８を順次形成
した。
mの酸化イットリウム（Y2O3）からなる上部誘電体薄膜
６、EL発光層５の間隙に設けた誘電体層７および厚さ20
0nmのAlからなるストライプ状の背面電極８を順次形成
した。
ガラス製の透光性基板１の一方の面には、600nmより
短い波長の光を遮断するストライプ状の赤色用フィルタ
ー2Aと青色光のみを透過させるストライプ状バンドパス
フィルター2Cが形成されている。ストライプ状の赤色用
フィルター2Aと青色フィルター2Cはそれぞれストライプ
状の赤色用発光層5Aと青色用発光層5Cに対応するように
配置した。
短い波長の光を遮断するストライプ状の赤色用フィルタ
ー2Aと青色光のみを透過させるストライプ状バンドパス
フィルター2Cが形成されている。ストライプ状の赤色用
フィルター2Aと青色フィルター2Cはそれぞれストライプ
状の赤色用発光層5Aと青色用発光層5Cに対応するように
配置した。
本発明のカラーELディスプレイ装置のストライプ状の
背面電極８とストライプ状の透明電極３との間に交流電
圧を印加することにより、これらの電極の交差部分の発
光層を発光させることができ、透光性基板１透過させる
ことにより赤色、緑色、青色の三原色を用いて、カラー
画像を表示することができた。実施例では青色用フィル
ターとして、青色光のみを透過させるバンドパスフィル
ターを用いたが、長波長カットフィルターを用いても同
様の効果が得られた。また緑色性にたいしてはフィルタ
ーを用いなかったが、適当なバンドパスフィルターを用
いることにより、より優れた色再現性を実現できた。
背面電極８とストライプ状の透明電極３との間に交流電
圧を印加することにより、これらの電極の交差部分の発
光層を発光させることができ、透光性基板１透過させる
ことにより赤色、緑色、青色の三原色を用いて、カラー
画像を表示することができた。実施例では青色用フィル
ターとして、青色光のみを透過させるバンドパスフィル
ターを用いたが、長波長カットフィルターを用いても同
様の効果が得られた。また緑色性にたいしてはフィルタ
ーを用いなかったが、適当なバンドパスフィルターを用
いることにより、より優れた色再現性を実現できた。
本発明の第２の実施例について以下に述べる。
カラーフィルタ２として第１の実施例に用いた光の干
渉効果を用いたフィルターの替わりに半導体の基礎吸収
端を用いた無機フィルタを用いることができる。例え
ば、膜厚0.8μｍ程度以上のZnxCd1-xS膜あるいはZnxCd
1-xSySe1-y膜の組成比を制御することにより半値波長の
制御を行うことができる。例えば、抵抗加熱蒸着法によ
り形成したZnxCd1-xS膜の組成比ｘを0.02〜0.08まで変
化させたときフィルタの半値波長が493〜503nmの範囲で
変化させることができた。
渉効果を用いたフィルターの替わりに半導体の基礎吸収
端を用いた無機フィルタを用いることができる。例え
ば、膜厚0.8μｍ程度以上のZnxCd1-xS膜あるいはZnxCd
1-xSySe1-y膜の組成比を制御することにより半値波長の
制御を行うことができる。例えば、抵抗加熱蒸着法によ
り形成したZnxCd1-xS膜の組成比ｘを0.02〜0.08まで変
化させたときフィルタの半値波長が493〜503nmの範囲で
変化させることができた。
以下に本発明のELディスプレイ装置の製造方法につい
て述べる。
て述べる。
カラーフィルタ2Aおよび2Cのパターニングは反応性ス
パッタエッチングによって行う。この様なカラーフィル
タに関する技術は、例えば電子通信学会研究委員会資料
（ED−445、IPD42−16;頁37〜41;1979）、およびナショ
ナル テクニカル レポート（National Technical Rep
ort）,Vol.28;頁127〜136;1982）において知らされてい
る。このドライエッチングを有効に行わせるためにはエ
ッチングストッパ層としてガラス基板１とカラーフィル
タ２との間にAl2O3薄膜を設ける。（図示せず） カラーフィルタ2Aを選択的に設けたのちに基板全面に
Al2O3薄膜を設け（図示せず）、2Aの場合と同様にして
カラーフィルタ2Cを選択的に設ける。このときのAl2O3
薄膜はカラーフィルタ2Aを保護するためのものである。
パッタエッチングによって行う。この様なカラーフィル
タに関する技術は、例えば電子通信学会研究委員会資料
（ED−445、IPD42−16;頁37〜41;1979）、およびナショ
ナル テクニカル レポート（National Technical Rep
ort）,Vol.28;頁127〜136;1982）において知らされてい
る。このドライエッチングを有効に行わせるためにはエ
ッチングストッパ層としてガラス基板１とカラーフィル
タ２との間にAl2O3薄膜を設ける。（図示せず） カラーフィルタ2Aを選択的に設けたのちに基板全面に
Al2O3薄膜を設け（図示せず）、2Aの場合と同様にして
カラーフィルタ2Cを選択的に設ける。このときのAl2O3
薄膜はカラーフィルタ2Aを保護するためのものである。
誘電体層７はポリイミド系高分子材料、好ましくは感
光性ポリイミド材料を用いて形成される。ポリイミド系
高分子材料を層間絶縁膜として用いる多層線技術は既に
開発されている。例えば電子材料（頁58〜65;1985年７
月号）号および電子通信学会論文誌（Vol.J68−Ｃ、頁1
060〜1065;1985年）において詳細に述べられている。図
において上部誘電体薄膜６まで形成した後、回転塗布法
により全面に１〜２μｍ程度の膜厚の感光性のポリイミ
ド系樹脂（例えば、感光性ポリイミド：シーメンス製、
UR−3100:東レ製、感光性ポリイミド：日立−日立化成
製）の層を形成する（図示せず）。この後露光、現像を
行いEL発光層5A,5B,5Cの上の部分を選択的に除去する
（図において背面電極８が形成されるまえの状態に相当
する）。現像はジメチルアセトアミドを主成分とする現
像液（例えば、東レ社製DV−140）を用い、超音波印加
浸漬法で行った。現像後イソプロプロピルアルコールで
リンスを行い、乾燥した。本発明においては上部誘電体
薄膜６あるいは上部誘電体薄膜６がないときにはEL発光
層5A、5B、5Cが誘電体層７をエッチングするときのスト
ッパ層となる。したがってEL発光層5A,5B,5Cの上部のポ
リイミド系樹脂層を確実に除去することができる。ポリ
イミド系樹脂層の除去はＮ−メチル−２−ピリドンやO2
ガスプラズマによっても除去することができる。反応性
イオンエッチングを用いるとスルーホールのテーパ角の
制御がやりやすくする。したがって、図に示したように
透明電極３と背面電極との間の距離を同一に保つことが
できる。この材料の特長は下地の乙凹凸に左右されずに
容易に平坦化でき、しかも厚膜化しやすいことである。
また残留応力も膜厚に無関係に小さく、さらには背面電
極であるAlの線膨張係数とも非常に近いという大きな長
所がある。本発明の特徴は感光性を持たないポリイミド
系樹脂層（例えば、PIQ:日立化成製、PYRALIN PL−254
5およびPI−2555:デュポン製）を用いても失われること
はないが、図のパターンを形成する場合にポリイミド系
樹脂層の上に感光性樹脂層を新たに設ける必要があるこ
とはいうまでもない。（例えば特開昭60−182134号公報
参照） 誘電体層７を無機絶縁膜とポリイミド樹脂層との積層
膜にした場合には本発明の効果は発揮される。また、背
面電極８を超伝導材料によって構成するならばAl電極面
での外光反射がなくなり、電気抵抗値も低下するので実
用的な価値が大きい。
光性ポリイミド材料を用いて形成される。ポリイミド系
高分子材料を層間絶縁膜として用いる多層線技術は既に
開発されている。例えば電子材料（頁58〜65;1985年７
月号）号および電子通信学会論文誌（Vol.J68−Ｃ、頁1
060〜1065;1985年）において詳細に述べられている。図
において上部誘電体薄膜６まで形成した後、回転塗布法
により全面に１〜２μｍ程度の膜厚の感光性のポリイミ
ド系樹脂（例えば、感光性ポリイミド：シーメンス製、
UR−3100:東レ製、感光性ポリイミド：日立−日立化成
製）の層を形成する（図示せず）。この後露光、現像を
行いEL発光層5A,5B,5Cの上の部分を選択的に除去する
（図において背面電極８が形成されるまえの状態に相当
する）。現像はジメチルアセトアミドを主成分とする現
像液（例えば、東レ社製DV−140）を用い、超音波印加
浸漬法で行った。現像後イソプロプロピルアルコールで
リンスを行い、乾燥した。本発明においては上部誘電体
薄膜６あるいは上部誘電体薄膜６がないときにはEL発光
層5A、5B、5Cが誘電体層７をエッチングするときのスト
ッパ層となる。したがってEL発光層5A,5B,5Cの上部のポ
リイミド系樹脂層を確実に除去することができる。ポリ
イミド系樹脂層の除去はＮ−メチル−２−ピリドンやO2
ガスプラズマによっても除去することができる。反応性
イオンエッチングを用いるとスルーホールのテーパ角の
制御がやりやすくする。したがって、図に示したように
透明電極３と背面電極との間の距離を同一に保つことが
できる。この材料の特長は下地の乙凹凸に左右されずに
容易に平坦化でき、しかも厚膜化しやすいことである。
また残留応力も膜厚に無関係に小さく、さらには背面電
極であるAlの線膨張係数とも非常に近いという大きな長
所がある。本発明の特徴は感光性を持たないポリイミド
系樹脂層（例えば、PIQ:日立化成製、PYRALIN PL−254
5およびPI−2555:デュポン製）を用いても失われること
はないが、図のパターンを形成する場合にポリイミド系
樹脂層の上に感光性樹脂層を新たに設ける必要があるこ
とはいうまでもない。（例えば特開昭60−182134号公報
参照） 誘電体層７を無機絶縁膜とポリイミド樹脂層との積層
膜にした場合には本発明の効果は発揮される。また、背
面電極８を超伝導材料によって構成するならばAl電極面
での外光反射がなくなり、電気抵抗値も低下するので実
用的な価値が大きい。
発明の効果 本発明によれば、色再現性に優れた、高輝度の高品位
のカラーELディスプレイ装置を提供することができ実用
的価値は大きい。
のカラーELディスプレイ装置を提供することができ実用
的価値は大きい。
図は本発明の１実施例を説明するためのカラーELディス
プレイ装置の断面図を示す。 １……ガラス基板、２……カラーフィルタ、３……透明
電極、４……下部誘電体薄膜、５……EL発光層、６……
上部誘電体薄膜、７……誘電体層、８……背面電極。
プレイ装置の断面図を示す。 １……ガラス基板、２……カラーフィルタ、３……透明
電極、４……下部誘電体薄膜、５……EL発光層、６……
上部誘電体薄膜、７……誘電体層、８……背面電極。
Claims (4)
- 【請求項１】透光性の基板上に複数種類の色フィルタを
選択的に設け、前記色フィルタ上あるいは色フィルタ上
および色フィルタの間隙に複数種類のEL発光層を設け、
前記EL発光層の間隙に誘電体層を設けた上部に背面電極
を設け、かつ前記色フィルタとEL発光層とを対応させた
ことを特徴とするカラーELディスプレイ装置。 - 【請求項２】色フィルタが光の干渉効果を利用した多層
膜あるいは半導体の基礎吸収端を利用した膜であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のカラーELデ
ィスプレイ装置。 - 【請求項３】赤色光として、透光性基板上に形成された
赤色用フィルターを透過した、２価マンガンイオンを発
光不純物とする硫化亜鉛蛍光体層からの発光を用い、緑
色光として、３価テルビウムイオンを発光不純物とする
硫化亜鉛蛍光体層、あるいは緑色用フィルターを透過し
た、３価テルビウムイオンを蛍光不純物とする硫化亜鉛
蛍光体層からの発光を用い、青色光として、青色フィル
ターを透過した、３価セリウムイオンを発光不純物とす
る硫化ストロンチウム蛍光体層からの発光を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のカラーELデ
ィスプレイ装置。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項に記載のカラーELデ
ィスプレイ装置を製造する方法であって、誘電体層を、
ポリイミド系高分子材料を用いてホトリソグラフィ技術
により作成することを特徴とするカラーELディスプレイ
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63216523A JPH088146B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | カラーｅｌディスプレイ装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63216523A JPH088146B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | カラーｅｌディスプレイ装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266867A JPH0266867A (ja) | 1990-03-06 |
| JPH088146B2 true JPH088146B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=16689765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63216523A Expired - Lifetime JPH088146B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | カラーｅｌディスプレイ装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088146B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3520396B2 (ja) | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
| KR100707779B1 (ko) | 1997-08-21 | 2007-04-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스형 표시장치 |
| JP3580092B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63216523A patent/JPH088146B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0266867A (ja) | 1990-03-06 |
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