DE10360454B4 - Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit:
– einem Substrat (100);
– einer Gateleitung (101) auf dem Substrat (100);
– einer die Gateleitung (101) über dem Substrat (100) schneidenden Datenleitung (115);
– einem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) nahe der Schnittstelle zwischen der Gateleitung (101) und der Datenleitung (115);
– einem Treiber-Dünnschichttransistorsystem mit mehreren Unter-TFTs (TD1, TD2, TD3 und TD4), die über eine Gatebasis (104) parallel mit dem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) verbunden sind;
– einer Spannungsleitung (128), die die Gateleitung (101) über dem Substrat (100) schneidet und elektrisch mit den mehreren Unter-TFTs (TD1, TD2, TD3 und TD4) verbunden ist;
– einer ersten opaken Elektrode (134) über dem Treiber-Dünnschichttransistorsystem in Kontakt mit den mehreren Unter-TFTs (TD1, TD2, TD3 und TD4), die das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) vollständig bedeckt;
– einer organischen Elektrolumineszenzschicht (136) auf der ersten opaken Elektrode (134), wobei die organische Elektrolumineszenzschicht (136) das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2,...

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, genauer gesagt, eine organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix.
  • ERÖRTERUNG DER EINSCHLÄGIGEN TECHNIK
  • Eine organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung verfügt über eine Kathodenelektrode zum Injizieren von Elektronen, eine Anodenelektrode zum Injizieren von Löchern und eine organische Elektrolumineszenzschicht zwischen den zwei Elektroden. Eine organische Elektrolumineszenzdiode verfügt über eine Mehrschichtstruktur organischer Dünnfilme zwischen der Anodenelektrode und der Kathodenelektrode. Wenn der organischen Elektrolumineszenzdiode ein Durchlassstrom zugeführt wird, kombinieren Elektron-Loch-Paare (häufig als Exzitonen bezeichnet) als Ergebnis eines pn-Übergangs zwischen der Löcher injizierenden Anodenelektrode und der Elektronen injizierenden Kathodenelektrode in der organischen Elektrolumineszenzschicht. Die Elektron-Loch-Paare verfügen im kombinierten Zustand über geringere Energie als im getrennten Zustand. Die sich ergebende Energielücke zwischen den kombinierten und getrennten Elektron-Loch-Paaren wird durch ein organisches Elektrolumineszenzelement in Licht gewandelt. Anders gesagt, emittiert die organische Elektrolumineszenz schicht auf einen zugeführten Strom hin Energie, wie sie zur Rekombination von Elektronen und Löchern erzeugt wird.
  • Als Ergebnis der oben beschriebenen Prinzipien benötigt eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung keine zusätzliche Lichtquelle wie eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. Darüber hinaus ist eine Elektrolumineszenzvorrichtung dünn, leicht und sehr energieeffizient. Im Ergebnis zeigt eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung hervorragende Vorteile, wenn sie Bilder anzeigt, wie niedrigen Energieverbrauch, hohe Helligkeit und kurze Ansprechzeit. Wegen dieser vorteilhaften Eigenschaften werden organische Elektrolumineszenzvorrichtungen als vielversprechende Kandidaten für verschiedene Verbraucherelektronikgeräte der nächsten Generation angesehen, wie Mobilkommunikationsgeräte, CNS (Car Navigation System), PDAs (persönliche digitale Assistenten), Camcorder und Palm-PCs. Auch kann eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung billiger als eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung hergestellt werden, da die Herstellung derartiger organischer Elektrolumineszenzvorrichtungen ein relativ einfacher Prozess ist.
  • Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen können entweder mit einer Anordnung mit passiver Matrix oder einer Anordnung mit aktiver Matrix hergestellt werden. Der Typ mit passiver Matrix zeigt einen einfachen Aufbau und Herstellprozess jedoch höheren Energieverbrauch als der Typ mit aktiver Matrix. Ferner kann, da die Anzeigegröße organischer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen mit passiver Matrix durch ihren Aufbau begrenzt ist, dieser Typ nicht einfach bei großen Vorrichtungen angewandt werden. Darüber hinaus nimmt das Öffnungsverhältnis des Typs mit passiver Matrix ab, wenn die Busleitungen zunehmen. Demgegenüber zeigen organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen mit aktiver Matrix eine höhere Anzeigequalität bei höherer Leuchtstärke als solche vom Typ mit passiver Matrix.
  • Die 1 ist eine schematische Schnittansicht zum Veranschaulichen einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer Anordnung aus dem Stand der Technik. Wie es in der 1 dargestellt ist, verfügt eine organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung 10 über ein erstes und ein zweites Substrat 12 und 28, die durch ein Dichtmittel 26 aneinander befestigt sind. Auf dem ersten Substrat 12 ist eine Vielzahl von Dünnschichttransistoren (TFTs) T und Arrayabschnitten 14 ausgebildet. Jeder der TFTs T entspricht einem jeweiligen Pixelbereich T. Auf dem Arrayabschnitt 14 sind eine erste Elektrode (d. h. eine Anodenelektrode) 16, eine organische Leuchtschicht 18 und eine zweite Elektrode (d. h. eine Kathodenelektrode) 20 sequenziell ausgebildet. Dabei emittiert die organische Leuchtschicht 18 in jedem Pixel die Farbe Rot (R), Grün (G) oder Blau (B). Insbesondere sind, um Farbbilder anzuzeigen, organische Farbleuchtmuster jeweils in jedem Pixel P angeordnet.
  • Wie es außerdem in der 1 dargestellt ist, verfügt das zweite Substrat 28, das durch das Dichtmittel am ersten Substrat 12 befestigt ist, an seiner Rückseite über ein Feuchtigkeits-Absorptionsmittel 22. Das Feuchtigkeits-Absorptionsmittel absorbiert Feuchtigkeit, wie sie im Zellenzwischenraum zwischen dem ersten und zweiten Substrat 12 und 28 existieren kann. Wenn das Feuchtigkeits-Absorptionsmittel 22 im zweiten Substrat 28 angebracht wird, wird ein Teil des zweiten Substrats 28 geätzt, um eine Vertiefung auszubilden. Danach wird in dieser Vertiefung ein pulverförmiges Feuchtigkeits-Absorptionsmittel 22 angebracht, und anschließend wird auf das zweite Substrat 28 ein Abdichtband 25 gelegt, um das pulverförmige Feuchtigkeits-Absorptionsmittel 22 in der Vertiefung zu fixieren.
  • Die 2 ist ein Ersatzschaltbild zum Veranschaulichen eines Pixels der organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Anordnung aus dem Stand der Technik. Wie es in der 2 dargestellt ist, ist eine Gateleitung GL in einer Querrichtung angeordnet, und eine Datenleitung DL ist in einer Längsrichtung im Wesentlichen rechtwinklig zur Gateleitung GL angeordnet. An einer Kreuzungsstelle zwischen den Gateleitungen GL und den Datenleitungen DL ist ein Schalt-Dünnschichttransistor (Schalt-TFT) TS angeordnet, und ein Treiber-Dünnschichttransistor (Treiber-TFT) TD ist so angeordnet, dass er elektrisch mit dem Schalt-Dünnschichttransistor TS verbunden ist. Der Treiber-TFT TD ist elektrisch mit einer organischen Elektrolumineszenzdiode E verbunden. Zwischen einer Spannungsleitung PL und einem Drain S6 des Schalt-TFT TS ist ein Speicherkondensator CST angeordnet. Der Speicherkondensator CST ist auch mit einem Gate D2 des Treiber-TFT TD verbunden. Mit der Datenleitung DL ist eine Source S4 des Schalt-TFT TS verbunden, und eine Source D4 des Treiber-TFT TD ist mit der Spannungsleitung PL verbunden. Die organische Elektrolumineszenzdiode E verfügt über eine erste Elektrode, eine organische Leuchtschicht und eine zweite Elektrode, wie es für die 1 beschrieben wurde. Die erste Elektrode der organischen Elektrolumineszenzdiode E steht elektrisch mit einem Drain D6 des Treiber-TFT TD in Kontakt, die organische Leuchtschicht ist auf der ersten Elektrode angeordnet, und die zweite Elektrode ist auf der organischen Leuchtschicht angeordnet.
  • Nun wird eine Betriebsweise der organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung unter Bezugnahme auf die 2 kurz erläutert. Wenn an das Gate S2 des Schalt-TFT TS von der Gateleitung GL ein Gatesignal angelegt wird, wird ein über die Datenleitung DL fließendes Datenstromsignal durch den Schalt-TFT TS in ein Spannungssignal gewandelt, das an das Gate D2 des Treiber-TFT TD anzulegen ist. Danach wird der Treiber-TFT TD betrieben, und er bestimmt die Stärke des Stroms, der durch die organische Elektrolumineszenzdiode E fließt. Im Ergebnis kann die organische Elektrolumineszenzdiode E eine Grauskala zwischen schwarz und weiß anzeigen.
  • Das Spannungssignal wird auch an den Speicherkondensator CT angelegt, so dass in diesem eine Ladung gespeichert wird. Die im Speicherkondensator CST gespeicherte Ladung hält die Spannung des Spannungssignals am Gate S2 des Treiber-TFT TD aufrecht. So ist zwar der Schalt-TFT TS ausgeschaltet, jedoch bleibt die Stärke des zur organischen Elektrolumineszenzdiode E fließenden Stroms konstant, bis das nächste Spannungssignal angelegt wird.
  • Indessen können der Schalt-TFT TS und der Treiber-TFT TD jeweils eine Schicht aus polykristallinem oder aus amorphen Silicium enthalten. Wenn die TFTs TS und TD eine Schicht aus amorphem Silicium enthalten, ist ihre Herstellung einfacher als solche von TFTs TS und TD, die eine Schicht aus polykristallinem Silicium enthalten.
  • Die 3 ist eine schematische Draufsicht einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix vom nach unten emittierenden Typ gemäß der einschlägigen Technik. Wie es in der 3 dargestellt ist, verfügt das organische, Licht emittierende Diodenbauteil mit aktiver Matrix über z. B. Dünnschichttransistoren vom umgekehrt geschichteten Typ.
  • Eine Gateleitung 36 schneidet eine Datenleitung 49 und eine Spannungsleitung 42, die voneinander beabstandet sind. Zwischen der Gateleitung 36 und der beabstandeten Datenleitung 49 und der Spannungsversorgungsleitung 62 ist ein Pixelbereich definiert. Ein Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) TS ist benachbart zur Stelle angeordnet, an der sich die Gateleitung 36 und die Datenleitung 49 schneiden. Angrenzend an die Spannungsleitung 62 ist im Pixelbereich ein Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) TD angeordnet. Der Treiber-TFT TD ist größer als der Schalt-TFT TS, und daher belegt der Treiber-TFT einen relativ großen Raum des Pixelbereichs.
  • Der Schalt-TFT TS verfügt über eine sich ausgehend von der Gateleitung 36 erstreckende Schalt-Gateelektrode 32, eine sich ausgehend von der Datenleitung 49 erstreckende Schalt-Sourceelektrode 48, eine von dieser beabstandete Schalt-Drainelektrode 50 und eine schaltende, aktive Schicht 56a über der Schalt-Gateelektrode 32. Die schaltende, aktive Schicht 56a besteht aus amorphem Silicium und sie zeigt Inselform.
  • Der Treiber-TFT TD ist mit dem Schalt-TFT TS und der Spannungsleitung 62 verbunden. Der Treiber-TFT TD verfügt über eine Treiber-Gateelektrode 34, eine Treiber-Sourceelektrode 52, eine Treiber-Drainelektrode 54 und eine aktive Treiberschicht 58a. Die Treiber-Gateelektrode 34 ist mit der Schalt-Drainelektrode 50 verbunden, und sie ist entlang der Seite der Spannungsleitung 62 langgestreckt. Die aktive Treiberschicht 58a besteht aus amorphem Silicium, und sie verfügt über die Form einer langen Insel. Außerdem ist die aktive Treiberschicht 58a entlang der Seite der Spannungsleitung 62 langgestreckt, während sie auch mit der Treiber-Gateelektrode 34 überlappt. Die Treiber-Sourceelektrode 52 und -Drainelektrode 54 überlappen mit Seitenabschnitten der Treiber-Gateelektrode 34. Die aktive Treiberschicht 58a mit Inselform ist über der Treiber-Gateelektrode 34 zwischen der Treiber-Sourceelektrode 52 und der Treiber-Drainelektrode 54 angeordnet.
  • Wie es ebenfalls in der 3 dargestellt ist, verfügt die Spannungsleitung 62 über einen Vorsprung, der sich zur Treiber-Sourceelektrode 50 hin erstreckt und über den Vorsprung elektrisch mit dieser verbunden ist. Eine erste Elektrode 66 der organischen Elektrolumineszenzdiode ist im Pixelbereich angeordnet und mit der Treiber-Drainelektrode 54 verbunden.
  • Der Treiber-Dünnschichttransistor TD muss über die Fähigkeit verfügen, die organische Elektrolumineszenzdiode zu betreiben und anzusteuern. Demgemäß sollte ein Kanal des Treiber-Dünnschichttransistors TD eine große Kanalbreite W und eine kurze Kanallänge L aufweisen, so dass das Verhältnis der Breite W zur Länge L ausreichend groß ist. Demgemäß kann der Treiber-Dünnschichttransistor TD der organischen Elektrolumineszenzdiode einen ausreichenden Strom liefern, um sie zu betreiben und anzusteuern.
  • Die 4 und 5 sind Schnittansichten entlang Linien IV-IV und V-V in der 3 zum Veranschaulichen des Schalt-Dünnschichttransistors bzw. des Treiber-Dünnschichttransistors.
  • In den 4 und 5 sind die Schalt-Gateelektrode 32 und die Treiber-Gateelektrode 34 auf einem Substrat 30 angeordnet. Obwohl es in den 4 und 5 nicht dargestellt ist, jedoch in der 3 dargestellt ist, ist die Gateleitung 36 ebenfalls auf dem Substrat 30 ausgebildet. Wie bereits beschrieben, ist die Treiber-Gateelektrode 34 größer als die Schalt-Gateelektrode 32, und sie belegt einen größeren Anteil des Pixelbereichs. Auf dem Substrat ist eine Gateisolierschicht 38 so ausgebildet, dass sie die Treiber- und Schalt-Gateelektrode 32 und 34 und die Gateleitung 36 bedeckt. Die Gateisolierschicht 38 verfügt über ein Kontaktloch, das das untere Ende der Treiber-Gateelektrode 34 freilegt. Eine Schalt-Halbleiterschicht 56 und eine Treiber-Halbleiterschicht 58 sind jeweils auf der Gateisolierschicht 38 über der Schalt-Gateelektrode 32 bzw. über der Treiber-Gateelek trode 34 angeordnet. Die Schalt-Halbleiterschicht 56 verfügt über eine schaltende aktive Schicht 56a aus reinem amorphem Silicium und eine schaltende ohmsche Kontaktschicht 56b aus dotiertem amorphem Silicium. Die Treiber-Halbleiterschicht 56 verfügt über eine aktive Treiberschicht 58a aus reinem amorphem Silicium und eine ohmsche Treiber-Kontaktschicht 58b aus dotiertem amorphem Silicium. Wie es in der 3 dargestellt ist, ist die Treiber-Halbleiterschicht 58 größer als die Schalt-Halbleiterschicht 56. Die Schalt-Sourceelektrode 48 und die Schalt-Drainelektrode 50 sind beabstandet voneinander ausgebildet, und sie stehen mit der ohmschen Schalt-Kontaktschicht 56b in Kontakt, und die Treiber-Sourceelektrode 52 und die Treiber-Drainelektrode 54 sind beabstandet voneinander im Kontakt mit der ohmschen Treiber-Kontaktschicht 58b ausgebildet. Die Schalt-Drainelektrode 50 steht auch elektrisch mit der Treiber-Gateelektrode 34 in Kontakt. Die Datenleitung 49 ist ebenfalls auf der Gateisolierschicht 38 ausgebildet, und sie ist so angeordnet, dass sie die Gateleitung 36 rechtwinklig schneidet, wie es in den 3 und 4 dargestellt ist. Damit sind der Schalt-Dünnschichttransistor TS und der Treiber-Dünnschichttransistor TD vollständig.
  • Auf dem gesamten Substrat 30 ist eine erste Passivierungsschicht 60 so ausgebildet, dass sie den Schalt-Dünnschichttransistor TS und den Treiber-Dünnschichttransistor TD bedeckt. Die erste Passivierungsschicht 60 verfügt über ein Kontaktloch, das die Treiber-Sourceelektrode 52 freilegt. Dann ist die Spannungsleitung 62 auf der ersten Passivierungsschicht 60 ausgebildet, und sie steht durch das Kontaktloch hindurch mit der Treiber-Sourceelektrode 52 in Kontakt, wie es in der 5 dargestellt ist. Die Spannungsleitung 62 ist von der Datenleitung 49 beabstandet, und sie schneidet. die Gateleitung 36 rechtwinklig, wie es in der 3 dargestellt ist, um dadurch mit der Gateleitung 36 und der Datenleitung 49 den Pixelbereich zu bilden. Auf dem gesamten Substrat 30 ist eine zweite Passivierungsschicht 64 so ausgebildet, dass sie die Spannungsleitung 62 bedeckt. Die erste und die zweite Passivierungsschicht 60 und 64 verfügen über ein Kontaktloch, so dass durch dieses hindurch ein Teil der Treiber-Sourceelektrode 54 freigelegt ist. Die erste Elektrode 66 der organischen Elektrolumineszenzdiode ist auf der zweiten Passivierungsschicht 64 ausgebildet, und sie steht elektrisch mit der Treiber-Drainelektrode 54 in Kontakt. Die erste Elektrode 66 ist im Pixelbereich angeordnet, wie es in der 3 dargestellt ist.
  • Bei der in den 3–5 dargestellten einschlägigen Technik verfügt die aktive Treiberschicht 58a über eine grosse Kanalbreite und eine kurze Kanallänge, so dass der Treiber-Dünnschichttransistor TD einen grossen Anteil des Pixelbereichs belegt. Daher ist das Öffnungsverhältnis der organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung vom nach unten emittierenden Typ verringert. Ferner können, da durch den Treiber-Dünnschichttransistor TD ein grosser Strom fliesst, in ihm Strombelastungen hervorgerufen werden, wodurch er beschädigt wird. Insbesondere dann, wenn dauernd eine Gleichvorspannung an den Treiber-Dünnschichttransistor TD angelegt wird, werden seine elektrischen Eigenschaften beeinträchtigt, und schliesslich funktionert er fehlerhaft. Demgemäss kann ein organisches Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix mit dem oben genannten Treiber-Dünnschichttransistor einen Restbildeffekt zeigen, der eine schlechte Bildqualität verursacht. Ausserdem tritt in einem Pixel ein Punkteffekt auf, wenn durch die elektrischen Belastungen der Treiber-Dünnschichttransistor beeinträchtigt wird und fehlerhaft arbeitet.
  • EP 1 193 676 A2 beschreibt eine nach unten emittierende organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, wobei eine transparente, mit Treibertransistoren verbundene Elektrode und eine organische Lichtemissionsschicht nur im Bereich zwischen den Treibertransistoren ausgebildet sind.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Demgemäss ist die Erfindung auf ein organisches Elektrolumineszenzdisplay (GELD) und ein Verfahren zum Herstellen eines GELD gerichtet, das eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen der einschlägigen Technik im Wesentlichen vermeidet.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein GELD mit aktiver Matrix mit einer Anordnung des Treiber-Dünnschichttransistors in einem Pixel mit verringerten elektrischen Strombelastungen zu schaffen.
  • Es ist eine andere Aufgabe der Erfindung, ein GELD mit verbesserter Bildauflösung und hohem Öffnungsverhältnis zu schaffen.
  • Die Aufgaben werden durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst.
  • Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt. Die Aufgaben und andere Vorteile der Erfindung werden durch die Struktur realisiert und erzielt, wie sie speziell in der schriftlichen Beschreibung und den zugehörigen Ansprüchen dargelegt ist.
  • Es ist zu beachten, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und dazu vorgesehen sind, für eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung zu sorgen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der Erfindung zu sorgen, und die in diese Beschreibung eingeschlossen sind und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung, und sie dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien derselben zu erläutern. In den Zeichnungen ist Folgendes dargestellt:
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht zum Veranschaulichen einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrich tung mit aktiver Matrix entsprechend einer Anordnung gemäß einer einschlägigen Technik;
  • 2 ist ein Ersatzschaltbild zum Veranschaulichen eines Pixels der organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung entsprechend einer Anordnung gemäß einer einschlägigen Technik;
  • 3 ist eine schematische Draufsicht einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix vom nach unten emittierenden Typ gemäß der einschlägigen Technik;
  • 4 und 5 sind Schnittansichten entlang Linien IV-IV bzw. V-V in der 3 zum Veranschaulichen des Schalt-Dünnschichttransistors bzw. des Treiber-Dünnschichttransistors;
  • 6 ist eine schematische Draufsicht einer erfindungsgemäßen organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix;
  • 7A–7E sind Schnittansichten entlang einer Linie VII-VII in der 6, und sie veranschaulichen einen beispielhaften Herstellprozess für die organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer beispielhaften Anordnung der Erfindung; und
  • 8 ist eine Schnittansicht einer organischen Doppeltafel-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Anordnung der Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nun wird detailliert auf die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, zu denen in den beigefügten Zeichnungen Beispiele veranschaulicht sind. Wo immer möglich, sind in allen Zeichnungen ähnliche Bezugszahlen dazu verwendet, dieselben oder ähnliche Teile zu kennzeichnen.
  • Die 6 ist eine schematische Draufsicht eines Pixels einer beispielhaften erfindungsgemäßen organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. Die organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix der 6 ist vom nach oben emittierenden Typ, abweichend von der einschlägigen Technik gemäß der 3. Eine Gateleitung 101 schneidet eine Datenleitung 115 und eine Spannungsleitung 128, die voneinander beabstandet sind. Zwischen der Gateleitung 101 und der Datenleitung 115 und der Spannungsversorgungsleitung 128, die voneinander beabstandet sind, ist ein Pixelbereich gebildet. Angrenzend an die Stelle, an der die Gateleitung 101 und die Datenleitung 115 einander schneiden, ist ein Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) TS angeordnet. Im Pixelbereich zwischen der Datenleitung 115 und der Spannungsleitung 128 ist ein Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) TD angeordnet. Der Treiber-TFT TD ist bei dieser Anordnung ein Transistorsystem mit mehreren Unter-TFTs, z. B. einem ersten bis vierten Unter-TFT.
  • Der Schalt-TFT TS verfügt über eine sich ausgehend von der Gateleitung 101 erstreckende Schalt-Gateelektrode 102, eine sich ausgehend von der Datenleitung 115 erstreckende Schalt-Sourceelektrode 116, eine von dieser beabstandete Schalt-Drainelektrode 118 und eine schaltende aktive Schicht 108 über der Schalt-Gateelektrode 102. Die schaltende aktive Schicht 108 besteht aus amorphen Silicium, und sie verfügt über Inselform. Die Schalt-Drainelektrode 118 verfügt über eine Verbindung mit einer Treiber-Gatebasis 104, die sich parallel zur Datenleitung 115 erstreckt und dazu verwendet wird, Gateelektroden der mehreren Unter-TFTs des Treiber-TFT TD zu verbinden.
  • Der Treiber-TFT TD verfügt über z. B. einen ersten bis vierten Unter-TFT TD1, TD2, TD3 und TD4, die parallel miteinander verbunden sind. Der erste bis vierte Unter-TFT TD1, TD2, TD3 und TD4 verfügen über Gateelektroden 104a, 104b, 104c bzw. 104d, die sich rechtwinklig ausgehend von der Treiber-Gatebasis 104 erstrecken. Der erste bis vierte Unter-TFT TD1, TD2, TD3 und TD4 verfügen über eine aktive Schicht 112a, 112b, 112c bzw. 112d, von denen eine jeweilige über einer jeweiligen der Gateelektroden 104a, 104b, 104c bzw. 104d angeordnet ist. Außerdem verfügen der erste bis vierte Unter-TFT TD1, TD2, TD3 und TD4 über Sourceelektroden 120a, 120b, 120c und 120d sowie Drainelektroden 122a, 122b, 122c und 122d. Die erste Sourceelektrode 120a ist über die Gateelektrode 104a hinweg von der ersten Drainelektrode 122a beabstandet, die zweite Sourceelektrode 120b ist über die zweite Gateelektrode 104b hinweg von der zweiten Drainelektrode 122b beabstandet, die dritte Sourceelektrode 120c ist über die dritte Gateelektrode 104c hinweg von der dritten Drainelektrode 122c beabstandet, und die vierte Sourceelektrode 120d ist über die vierte Gateelektrode 104d hinweg von der Drainelektrode 122d beabstandet. Die erste Drainelektrode 122a und die zweite Drainelektrode 122b sind als einteiliger Körper ausgebildet, die zweite Sourceelektrode 120b und die dritte Sourceelektrode 120c sind als einteiliger Körper ausgebildet, und die dritte Drainelektrode 122c und die vierte Drainelektrode 122d sind als einteiliger Körper ausgebildet. Ausgehend von der Spannungsleitung 128 erstrecken sich eine erste bis dritte Spannungselektrode 128a, 128b und 128c über den Treiber-TFT TD. Die erste Spannungselektrode 128a überlappt mit der ersten Sourceelektrode 120a und steht mit ihr in Kontakt, die zweite Spannungselektrode 128b überlappt mit dem einteiligen Körper der zweiten und dritten Sourceelektrode 120b und 120c und steht mit diesem in Kontakt, und die dritte Spannungselektrode 128c überlappt mit der vierten Sourceelektrode 120d und steht mit dieser in Kontakt. In der Mitte des einteiligen Körpers der ersten und zweiten Drainelektrode 122a und 122b sowie in der Mitte des einteiligen Körpers der dritten und der vierten Drainelektrode 122c und 122d sind ein erstes und ein zweites Drainkontaktloch 132a und 132b ausgebildet. Auf diese Weise sind der erste bis vierte TFT TD1, TD2, TD3 und TD4, die parallel miteinander verbunden sind, fertiggestellt. Obwohl die 6 vier Unter-TFTs zeigt, kann die Anzahl derselben erhöht (oder verringert) sein, wenn die oben genannte Konfiguration verwendet wird. Indessen steht, was jedoch in der 6 nicht dargestellt ist, eine erste Elektrode der organischen Elektrolumineszenzdiode elektrisch dadurch mit den Drainelektroden 122a, 122b, 122c und 122d in Verbindung, dass sie diese durch das erste und das zweite Drainkontaktloch 132a und 132b kontaktiert.
  • Bei der Struktur und Konfiguration, wie sie unter Bezugnahme auf die 6 beschrieben wurde, verfügt der Treiber-TFT TD über die parallel geschalteten Unter-TFTs TD1, TD2, TD3 und TD4, so dass er Belastungen durch einen übermäßig fließenden elektrischen Strom lindert und verteilt. Ferner kann der Treiber-TFT TD selbst dann sicher arbeiten, wenn einer der Unter-TFTs beschädigt ist, da mehrere Unter-TFTs vorhanden sind und zum Ansteuern der organischen Elektrolumineszenzdiode verwendet werden.
  • Die 7A–7E sind Schnittansichten entlang einer Linie VII-VII in der 6, und sie veranschaulichen einen beispielhaften Herstellprozess für die organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix entsprechend einer beispielhaften Anordnung der Erfindung.
  • Gemäß der 7A wird ein Substrat 100 mit einem Schaltbereich TS, einem Treiberbereich TD und einem Pixelbereich P bereitgestellt. Danach wird eine erste Metallschicht auf dem Substrat 100 abgeschieden. Die erste Metallschicht kann aus Aluminium (Al), Wolfram (W), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Aluminiumneodym (AlNd) oder Legierungen hiervon hergestellt werden. Die erste Metallschicht wird dann strukturiert, um eine Gateleitung (Bezugszahl 101 in der 6), eine Schalt-Gateelektrode 102, eine Gatebasis 104 und eine erste bis vierte Treiber-Gateelektrode 104a–104d auszubilden. Die Schalt-Gateelektrode 102 erstreckt sich ausgehend von der Gateleitung, und sie ist im Schaltbereich TS angeordnet, während sich die erste bis vierte Treiber-Gateelektrode 104a–104d ausgehend von der Gatebasis 104 erstrecken und sie im Treiberbereich TD angeordnet sind. Die Gatebasis 104 ist rechtwinklig zur Gateleitung verlängert und im Pixelbereich angeordnet, wie es in der 6 dargestellt ist. Außerdem verbindet die Gatebasis 104 die erste bis vierte Treiber-Gateelektrode 104a–104d an ihren Enden.
  • Nachdem die erste Metallschicht strukturiert wurde, wird die Gateisolierschicht 106 auf der gesamten sich ergebenden Fläche des Substrats 100 hergestellt, um die Gateleitung, die Schalt-Gateelektrode 102, die Gatebasis 104 und die erste bis vierte Treiber-Gateelektrode 104a–104d zu bedecken. Die Gateisolierschicht 106 besteht vorzugsweise aus einem anorganischen Material, z. B. Siliciumnitrid (SiNx) oder Siliciumoxid (SiO2). Dann wird die Gateisolierschicht 106 strukturiert, um ein Gatekontaktloch 107 zu erhalten, das ein Ende der Gatebasis 104 freilegt.
  • Gemäß der 7B werden eine Schicht aus reinem amorphem Silicium (a-Si:H) und eine Schicht aus dotiertem amorphem Silicium (n+a-Si:H) sequenziell auf der Gateisolierschicht 106 hergestellt und dann strukturiert, um dadurch aktive Schichten 108 und 112a–112d sowie ohmsche Kontaktschichten 110 und 114a–114d auf der Gateisolierschicht 106 auszubil den. Selbstverständlich können andere geeignete Materialien verwendet werden. Jedoch bestehen die aktiven Schichten im Allgemeinen aus reinem amorphem Silicium, und sie verfügen über eine schaltende aktive Schicht 108 und eine erste bis vierte aktive Treiberschicht 112a–112d. Die ohmschen Kontaktschichten bestehen im Allgemeinen aus dotiertem amorphem Silicium, und sie verfügen über eine aktive Treiberschicht 110 und eine erste bis vierte aktive Treiberschicht 114a–114d. Die schaltenden aktiven Schichten 108 und 110 entsprechen der Schalt-Gateelektrode 102, die erste aktive Treiberschicht 112a und die ohmsche Kontaktschicht 114a der ersten Treiber-Gateelektrode 104a, die zweite aktive Treiberschicht 112b und die ohmsche Kontaktschicht 114b der zweiten Treiber-Gateelektrode 104b, die dritte aktive Treiberschicht 112c und die ohmsche Kontaktschicht 114c der dritten Treiber-Gateelektrode 104c, und die vierte aktive Treiberschicht 112d und die ohmsche Kontaktschicht 114d der vierten Treiber-Gateelektrode 104d.
  • Danach wird auf der gesamten sich ergebenden Fläche der Gateisolierschicht 106 eine zweite Metallschicht so hergestellt, dass sie die aktiven Schichten 108 und 112a–112d und die ohmschen Kontaktschichten 110 und 114a–114d bedeckt, und dann wird sie strukturiert, um Sourceelektroden 116 und 120a–120d sowie Drainelektroden 118 und 122a–122d auszubilden. Jede der Sourceelektroden 116 und 120a–120d ist von der entsprechenden Drainelektrode beabstandet. Die Schalt-Sourceelektrode 116 und -Drainelektrode 118 sind auf der ohmschen Schalt-Kontaktschicht 110 ausgebildet, und die Schalt-Drainelektrode 118 steht durch das Gatekontaktloch 107 hindurch mit der Gatebasis 104 in Kontakt. Die erste bis vierte Treiber-Sourceelektrode 120a–120d sowie Drainelektrode 122a–122d sind jeweils auf der ersten bis vierten ohmschen Treiber-Kontaktschicht 114a–114d ausgebildet. Bei der hier veranschaulichten beispielhaften Anord nung der Erfindung verfügt die erste Treiber-Drainelektrode 122a über einen einteiligen Körper mit der zweiten Treiber-Drainelektrode 122b. Die zweite Treiber-Sourceelektrode 120b verfügt über einen einteiligen Körper mit der dritten Treiber-Sourceelektrode 120c. Die dritte Treiber-Drainelektrode 122c verfügt über einen einteiligen Körper mit der vierten Treiber-Drainelektrode 122d. Obwohl in der 7B nur vier Treiber-Sourceelektroden und -Gateelektroden dargestellt sind, sind auf diese Weise mehr (oder weniger) als vier möglich. Außerdem kann jede der Treiber-Sourceelektroden und -Gateelektroden gesondert hergestellt werden.
  • Nachdem die Source- und Drainelektroden auf die oben beschrieben Weise hergestellt wurden, werden Teile der ohmschen Kontaktschichten 110 und 114a–114d, die zwischen den Source- und Drainelektroden freiliegen, entfernt, um dadurch auf den darunterliegenden aktiven Schichten 108 und 112a–112d einen Kanal auszubilden. Demgemäß ist ein Treiber-TFT TD mit parallel geschalteten Unter-TFTs fertiggestellt, und es ist ein Schalt-TFT TS fertiggestellt, der über die Gatebasis 104 eine elektrische Verbindung mit dem Treiber-TFT TD aufweist.
  • Nun wird gemäß der 7C auf der gesamten Oberfläche des Substrats 100 eine erste Passivierungsschicht 124 hergestellt, um die Sourceelektroden 116 und 120a–120d und die Drainelektroden 118 und 122a–122d zu bedecken. Dann wird die erste Passivierungsschicht 124 strukturiert, um Teile der Treiber-Sourceelektroden 120a–120d freizulegen. Ein erstes Sourcekontaktloch legt die erste Treiber-Sourceelektrode 120a frei, ein zweites Sourcekontaktloch legt einen mittleren Abschnitt zwischen der zweiten Treiber-Sourceelektrode 120b und der dritten Treiber-Sourceelektrode 120c frei. Danach wird auf der gesamten ersten Passivierungsschicht eine dritte Metallschicht hergestellt und dann strukturiert, um eine Spannungsleitung (Bezugszahl 128 in der 6) sowie eine erste bis dritte Spannungselektrode 128a–128c auszubilden. Wie es in der 6 dargestellt ist, erstrecken sich die Spannungselektroden 128a–128c ausgehend von der Spannungsleitung über den Treiber-Sourceelektroden 120a–120d. Die erste Spannungselektrode 128a steht durch das erste Sourcekontaktloch hindurch mit der ersten Treiber-Sourceelektrode 120a in Verbindung, und die zweite Spannungselektrode 128b steht durch das zweite Sourcekontaktloch hindurch mit der zweiten und dritten Treiber-Sourceelektrode 120b und 120c in Verbindung. Auch steht die dritte Spannungselektrode 128c durch das dritte Sourcekontaktloch hindurch mit der vierten Treiber-Sourceelektrode 120d in Verbindung.
  • Gemäß der 7D wird auf der ersten Passivierungsschicht 124 eine zweite Passivierungsschicht 130 so hergestellt, dass sie die Spannungsleitung 128 und die Spannungselektroden 128a–128d bedeckt. Dann werden die erste und die zweite Passivierungsschicht 124 und 130 gleichzeitig strukturiert, um ein erstes und ein zweites Drainkontaktloch 132a und 132b auszubilden. Das erste Drainkontaktloch 132a legt einen mittleren Abschnitt zwischen der ersten und der zweiten Treiber-Drainelektrode 122a und 122b frei, und das zweite Drainkontaktloch 132b legt einen mittleren Abschnitt zwischen der ersten und vierten Treiber-Drainelektrode 122c und 122d frei. Die zweite Passivierungsschicht 130 kann aus einem organischen Material wie Benzocyclobuten (BCB) oder Acrylharz bestehen. Nach diesen Schritten ist das in der 7D dargestellte Substrat mit den Dünnschichttransistoren zur Verwendung bei einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung hergestellt.
  • Die 7E zeigt einen Schritt zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzdiode auf dem Substrat mit den Dünn schichttransistoren. Auf dem gesamten Substrat 100 wird ein leitendes Material mit niedriger Arbeitsfunktion, wie Aluminium (Al), Magnesium (Mg), Kalzium (Ca) oder Lithiumfluorid/Aluminium (LiF/Al) abgeschieden, um dadurch eine erste Elektrode 134 (d. h. eine Kathodenelektrode) herzustellen. Die erste Elektrode 134 wird so hergestellt, dass sie im Pixelbereich P angeordnet ist und durch das erste und zweite Drainkontaktloch 132a und 132b mit der ersten bis vierten Treiber-Drainelektrode 122a–122d in Kontakt steht. Danach wird eine organische Elektrolumineszenzschicht 136 auf der ersten Elektrode 134 hergestellt. Obwohl die organische Elektrolumineszenzschicht 136 in der 7E als Einzelschicht dargestellt ist, kann sie mehrschichtig sein. Wenn die organische Elektrolumineszenzschicht 136 eine Mehrfachschicht ist, kann sie über eine Elektroneninjektionsschicht, eine Emissionsschicht und eine Löcherinjektionsschicht in sequenzieller Ordnung ausgehend von der ersten Elektrode 134 verfügen. Auf der organischen Elektrolumineszenzschicht 136 wird eine zweite Elektrode 138 mit hoher Arbeitsfunktion, wie aus Indiumzinnoxid (ITO), hergestellt. Die zweite Elektrode 138 ist transparent, und sie wirkt als Anodenelektrode, so dass die in der 7E dargestellte organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung vom Typ mit Emission nach oben wird. Da die gemäß den 7A–7E hergestellte organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung vom nach oben emittierenden Typ ist, wird Licht entlang der Richtung entgegengesetzt zum Substrat, wo die Leitungen und TFTs angeordnet sind, emittiert, wodurch die Anzeigefläche erhöht wird und das Design der TFTs vereinfacht wird.
  • Die 8 ist eine Schnittansicht einer organischen Doppeltafel-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Anordnung der Erfindung. Hierbei verfügt die organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung 99 über zwei Substrate, auf denen die Dünnschichttransistoren bzw. die organische Elektrolumineszenzdiode angeordnet sind.
  • In der 8 verfügen ein erstes und ein zweites Substrat 100 und 200, die voneinander beabstandet sind und übereinander zugewandte Innenseiten verfügen, über eine Vielzahl von Pixelbereichen P. Auf der Innenseite des ersten Substrats 100 ist eine Arrayschicht mit Schalt- und Treiber-Dünnschichttransistoren (TFTs) T in jedem Pixelbereich ausgebildet. Auf der Arrayschicht ist in jedem Pixelbereich ein mit dem TFT T verbundenes Verbindungsmuster 400 ausgebildet. Das Verbindungsmuster 400 kann aus einem leitenden Material oder mehreren Schichten bestehen, einschließlich einem isolierenden Material mit einer oder mehreren Schichten aus leitendem Material, mit ausreichender Dicke zur Verbindung. Es kann eine zusätzliche Verbindungselektrode dazu verwendet werden, das Verbindungsmuster 400 und den TFT T zu verbinden. Der TFT T verfügt über den unter Bezugnahme auf die 6 sowie 7A–7E beschriebenen erfindungsgemäßen Treiber-TFT. Das Verbindungsmuster 400 ist mit den Treiber-Drainelektroden des Treiber-TFT mit den mehreren Unter-TFTs verbunden.
  • Auf der Innenseite des zweiten Substrats 200 wird eine erste Elektrode 202 hergestellt. Auf dieser ersten Elektrode 202 wird eine organische Elektrolumineszenz(EL)schicht 204 mit Emissionsschichten 208a für Rot (R), Grün (G) und Blau (B), die in jedem Pixelbereich abwechselnd angeordnet sind, hergestellt. Auf der organischen EL-Schicht 208 wird in jedem Pixelbereich P eine zweite Elektrode 210 hergestellt. Die organische EL-Schicht 208 kann als Einzelschicht oder Mehrfachschicht hergestellt werden. Im Fall mehrerer Schichten kann die organische EL-Schicht 208 über eine erste Ladungsträger-Transportschicht 208b auf der ersten Elektrode 202, eine jeweilige Emissionsschicht 208a für Rot (R), Grün (G) und Blau (B) auf der ersten Ladungsträger-Transportschicht 208b und eine zweite Ladungsträger-Transportschicht 208c auf jeder der Emissionsschichten 208a verfügen. Wenn z. B. die erste und die zweite Elektrode 202 und 210 einer Anode bzw. einer Kathode entsprechen, entspricht die erste Ladungsträger-Transportschicht 208b einer Löcherinjektionsschicht und einer Löchertransportschicht, und die zweite Ladungsträger-Transportschicht 208c entspricht einer Elektronentransportschicht und einer Elektroneninjektionsschicht. Die erste und die zweite Elektrode 202 und 210 sowie die dazwischen angeordnete organische EL-Schicht 160 bilden eine organische EL-Diode.
  • Das erste und das zweite Substrat 100 und 200 sind an ihrem Umfang mit einem Dichtmittel 300 aneinander befestigt. Die Oberseite des Verbindungsmusters 400 kontaktiert die Unterseite der zweiten Elektrode 210, so dass durch das Verbindungsmuster 400 ein Strom des Treiber-TFT TD in die zweite Elektrode 210 fließt. Eine organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, wie sie unter Bezugnahme auf die 8 beschrieben wurde, ist vom Doppeltafeltyp, bei dem eine Arrayschicht und eine organische EL-Diode auf jeweiligen Substraten ausgebildet sind und bei dem ein Verbindungsmuster 400 die Arrayschicht elektrisch mit der organischen EL-Diode verbindet, die eine organische Elektrolumineszenzdiode ist. Die TFTs T der 8 können durch den anhand der 7A–7E beschriebenen Prozess hergestellt werden und an der Struktur der TFTs und dem Verfahren zum Verbinden der Arrayschicht und der organischen EL-Diode können verschiedene Modifizierungen und Variationen vorgenommen werden. Darüber hinaus kann, da die organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der 8 vom nach oben emittierenden Typ ist, die Dünnschichttransistoren T leicht so konzipiert werden, dass hohe Auflösung und ein hohes Öffnungsverhältnis erzielt werden.
  • Demgemäß zeigt die Erfindung eine Anzahl von Vorteilen. Da z. B. der Treiber-TFT eine große Kanalbreite und eine kurze Kanallänge aufweist, kann der Treiber-Dünnschichttransistor effizient arbeiten und die organische Elektrolumineszenzdiode ansteuern. Ferner fließt zwar viel Strom durch den Treiber-Dünnschichttransistor, jedoch werden Strombelastungen im Treiber-TFT verhindert, da er über parallel verbundene Unter-TFTs verfügt. Daher wird der Treiber-TFT nicht beschädigt. Ferner bleibt der Treiber-TFT selbst dann betreibbar, wenn einer der Unter-TFTs beschädigt ist und fehlerhaft funktioniert, da die Unter-TFTs parallel verbunden sind. Da die organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung vom nach oben emittierenden Typ ist, kann ein erhöhtes Öffnungsverhältnis erzielt werden. Demgemäß kann die erfindungsgemäße organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung hohe Auflösung und hervorragende Anzeigequalität zeigen.

Claims (60)

  1. Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit: – einem Substrat (100); – einer Gateleitung (101) auf dem Substrat (100); – einer die Gateleitung (101) über dem Substrat (100) schneidenden Datenleitung (115); – einem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) nahe der Schnittstelle zwischen der Gateleitung (101) und der Datenleitung (115); – einem Treiber-Dünnschichttransistorsystem mit mehreren Unter-TFTs (TD1, TD2, TD3 und TD4), die über eine Gatebasis (104) parallel mit dem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) verbunden sind; – einer Spannungsleitung (128), die die Gateleitung (101) über dem Substrat (100) schneidet und elektrisch mit den mehreren Unter-TFTs (TD1, TD2, TD3 und TD4) verbunden ist; – einer ersten opaken Elektrode (134) über dem Treiber-Dünnschichttransistorsystem in Kontakt mit den mehreren Unter-TFTs (TD1, TD2, TD3 und TD4), die das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) vollständig bedeckt; – einer organischen Elektrolumineszenzschicht (136) auf der ersten opaken Elektrode (134), wobei die organische Elektrolumineszenzschicht (136) das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) bedeckt; und – einer zweiten Elektrode (138) aus transparentem Material auf der organischen Elektrolumineszenzschicht (136).
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der der Schalt-Dünnschichttransistor (TS) eine sich ausgehend von der Gateleitung (101) erstreckende Schalt-Gateelektrode (102), eine sich ausgehend von der Datenleitung (115) erstreckende Schalt-Sourceelektrode (116), eine von der Schalt-Sourceelektrode (116) beabstandete Schalt-Drainelektrode (118) und eine schaltende aktive Schicht (108) zwischen der Schalt-Gateelektrode (102) und der Schalt-Sourceelektrode (116) sowie -Drainelektrode (118) aufweist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der die Schalt-Drainelektrode (118) des Schalt-Dünnschichttransistors (TS) mit der Gatebasis (104) verbunden ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) einen ersten bis vierten Unter-TFT mit einer ersten bis vierten Treiber-Gateelektrode (104a–d), einer ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d), einer ersten bis vierten Treiber-Drainelektrode (122a–122d) und einer ersten bis vierten aktiven Schicht (112a–112d) aufweist.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, bei der die erste bis vierte Treiber-Gateelektrode (104a–104d) mit der Gatebasis (104) verbunden sind, um das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) elektrisch mit dem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) zu verbinden.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 4, bei der die erste Treiber-Drainelektrode (122a) und die zweite Treiber-Drainelektrode (122b) einen einteiligen Körper bilden.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die erste opake Elektrode (134) mit der Mitte des einteiligen Körpers der ersten und zweiten Treiber-Drainelektrode (122a, 122b) in Kontakt steht.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 4, bei der die zweite Treiber-Sourceelektrode (120b) und die dritte Treiber-Sourceelektrode (120c) einen einteiligen Körper bilden.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 4, bei der die dritte Treiber-Drainelektrode (122c) und die vierte Treiber-Drainelektrode (122d) einen einteiligen Körper bilden.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, bei der die erste opake Elektrode (134) mit der Mitte des einteiligen Körpers der dritten und vierten Treiber-Drainelektrode (122c, 122d) in Kontakt steht.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 4, bei der jede der ersten bis vierten Treiber-Drainelektrode (122a–122d) von jeder der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) beabstandet ist.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 8, ferner mit Spannungselektroden (128a, 128b, 128c), die sich von der Spannungsleitung (128) über der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) erstrecken und elektrisch mit der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) verbunden sind.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12, bei der eine erste der Spannungselektroden (128a) mit der ersten Treiber-Sourceelektrode (120a) in Kontakt steht, eine zweite der Spannungselektroden (128b) mit der Mitte des einteiligen Körpers der zweiten und dritten Treiber-Sourceelektrode (120b, 120c) in Kontakt steht und eine dritte der Spannungselektroden (128c) mit der vierten Treiber-Sourceelektrode (120d) in Kontakt steht.
  14. Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit Pixeln mit jeweils einem Pixelbereich (P), einem Schaltbereich (TS) und einem Treiberbereich (TD), umfassend: – Herstellen einer ersten Metallschicht auf einem Substrat (100); – Strukturieren der ersten Metallschicht zum Ausbilden einer Gateleitung (101), einer Schalt-Gateelektrode (102) im Schaltbereich (TS) einer Gatebasis (104) im Pixelbereich (P) und mehrerer Treiber-Gateelektroden (104a–104d) im Treiberbereich (TD); – Herstellen einer ersten Isolierschicht (106) auf dem Substrat (100) zum Bedecken der Gateleitung (101), der Schalt-Gateelektrode (102), der Gatebasis (104) und der mehreren Treiber-Gateelektroden (104a–104d); – Herstellen einer schaltenden aktiven Schicht (108) auf der ersten Isolierschicht (106) über der Schalt-Gateelektrode (102) sowie mehrerer aktiver Treiberschichten (112a–112d) auf der ersten Isolierschicht (106) über den mehreren Treiber-Gateelektroden (104a–104d); – Herstellen einer zweiten Metallschicht über der schaltenden aktiven Schicht (108) und den aktiven Treiberschichten (112a–112d); – Strukturieren der zweiten Metallschicht zum Ausbilden einer Schalt-Sourceelektrode (116), einer Schalt-Drainelektrode (118), mehrerer Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) und mehrerer Treiber-Drainelektroden (122a–122d), um dadurch einen Schalt-Dünnschichttransistor (TS) und ein Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) auszubilden, wobei das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) über mehrere Unter-TFTs mit einer entsprechenden Treiber-Gateelektrode (104a–104d), einer entsprechenden aktiven Treiberschicht (112a–112d), einer entsprechenden Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) und einer entsprechenden Treiber-Drainelektrode (122a–122d) verfügt; – Herstellen einer zweiten Isolierschicht (124) über der Schalt-Sourceelektrode (116) und -Drainelektrode (118) und den mehreren Treiber-Drainelektroden (122a–122d), wobei die zweite Isolierschicht (124) Sourcekontaktlöcher aufweist, die Abschnitte der mehreren Treiber-Sour ceelektroden (120a–120d) freilegen; – Herstellen einer Spannungsleitung (128) auf der zweiten Isolierschicht (124), wobei diese Spannungsleitung (128) mit der Gate- und der Datenleitung (101, 115) den Pixelbereich (P) definiert und sie durch die Sourcekontaktlöcher mit den mehreren Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) verbunden ist; – Herstellen einer dritten Isolierschicht (130) auf der zweiten Isolierschicht (124) zum Bedecken der Spannungsleitung (128), wobei diese dritte Isolierschicht (130) über Drainkontaktlöcher (132a, 132b) verfügt, die die mehreren Treiber-Drainelektroden (122a–122d) freilegen; – Herstellen einer ersten opaken Elektrode (134) auf der dritten Isolierschicht (130) innerhalb des Pixelbereichs (P), wobei diese erste opake Elektrode (134) das Treiber-Dünnschichttransistorensystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) vollständig bedeckt und über die Drainkontaktlöcher (132a–132b) mit den mehreren Treiber-Drainelektroden (122a–122d) in Kontakt steht; – Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzschicht (136) auf der ersten opaken Elektrode (134), wobei die organische Elektrolumineszenzschicht (136) das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) bedeckt; und – Herstellen einer zweiten Elektrode (138) aus transparentem Material auf der organischen Elektrolumineszenzschicht (136).
  15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem die Gateleitung (101) in einer ersten Richtung angeordnet wird, sich die Schalt-Gateelektrode (102) ausgehend von der Gateleitung (101) erstreckt, die Gatebasis (104) in einer zweiten Richtung rechtwinklig zur Gateleitung (101) angeordnet wird und sich die mehreren Treiber-Gateelektroden (104a–104d) ausgehend von der Gatebasis (104) erstrecken.
  16. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem beim Herstellen der ersten Isolierschicht (106) ein Gatekontaktloch (107) gebildet wird, das ein Ende der Gatebasis (104) freilegt, und bei dem die Schalt-Drainelektrode (118) durch das Gatekontaktloch (107) hin mit der Gatebasis (104) kontaktiert wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem beim Herstellen der schaltenden aktiven Schicht (108) eine schaltende ohmsche Kontaktschicht (110) auf der schaltenden aktiven Schicht (108) hergestellt wird und die Schalt-Sourceelektrode (116) und die Schalt-Drainelektrode (118) voneinander beabstandet werden und mit der schaltenden ohmschen Kontaktschicht (110) kontaktiert werden.
  18. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem beim Herstellen der mehreren aktiven Treiberschichten (112a–112d) mehrere ohmsche Treiberkontaktschichten (114a–114d) auf den mehreren aktiven Treiberschichten (112a–112d) hergestellt werden, jede der mehreren Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) und Treiber-Drainelektroden (122a–122d) mit den mehreren ohmschen Kontaktschichten (114a–114d) kontaktiert werden und jede der mehreren Treiber-Drainelektroden (122a–122d) von jeder der mehreren Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) beabstandet ist.
  19. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) über einen ersten bis vierten Unter-TFT mit einer ersten bis vierten Treiber-Gateelektrode (104a–104d), einer ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d), einer ersten bis vierten Treiber-Drainelektrode (122a–122d) und einer ersten bis vierten aktiven Schicht (112a–112d) verfügt.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem die erste bis vierte Treiber-Gateelektrode (104a–104d) mit der Gatebasis (104) verbunden werden, um das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) elektrisch mit dem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) zu verbinden.
  21. Verfahren nach Anspruch 19, bei der die erste Treiber-Dreinelektrode (122a) und die zweite Treiber-Dreinelektrode (122b) einen einteiligen Körper bilden.
  22. Verfahren nach Anspruch 21, bei der die erste opake Elektrode (134) mit der Mitte des einteiligen Körpers der ersten und zweiten Treiber-Drainelektrode (122a, 122b) in Kontakt steht.
  23. Verfahren nach Anspruch 19, bei der die zweite Treiber-Sourceelektrode (120b) und die dritte Treiber-Sourceelektrode (120c) einen einteiligen Körper bilden.
  24. Verfahren nach Anspruch 19, bei der die dritte Treiber-Dreinelektrode (122c) und die vierte Treiber-Dreinelektrode (122d) einen einteiligen Körper bilden.
  25. Verfahren nach Anspruch 24, bei der die erste opake Elektrode (134) mit der Mitte des einteiligen Körpers der dritten und vierten Treiber-Drainelektrode (122c, 122d) in Kontakt steht.
  26. Verfahren nach Anspruch 19, bei der jede der ersten bis vierten Treiber-Drainelektroden (122a–122d) von jeder der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) beabstandet ist.
  27. Verfahren nach Anspruch 23, bei dem beim Herstellen der Spannungsleitung (128) Spannungselektroden (128a, 128b, 128c) hergestellt werden, die sich von der Spannungsleitung (128) über die erste bis vierte Treiber-Sourceelektrode (120a–120) zu einer elektrichen Verbindung mit der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) erstrecken.
  28. Verfahren nach Anspruch 27, bei dem eine erste Spannungselektrode (128a) die erste Treiber-Sourceelektrode (120a) kontaktiert, eine zweite Spannungselektrode (128b) die Mitte des einteiligen Körpers der zweiten und dritten Treiber-Sourceelektrode (120b, 120c) kontaktiert und eine dritte Spannungselektrode (128c) die vierte Treiber-Sourceelektrode (120d) kontaktiert.
  29. Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit: – einem ersten Substrat (100); – einer Gateleitung (101) auf dem ersten Substrat (100); – einer die Gateleitung (101) über dem ersten Substrat (100) schneidenden Datenleitung (115); – einem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) nahe der Schnittstelle zwischen der Gateleitung (101) und der Datenleitung (115); – einem Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) mit mehreren Unter-TFTs, die über eine Gatebasis (104) parallel mit dem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) verbunden sind; – einer Spannungsleitung (128), die die Gateleitung (101) über dem erstem Substrat (100) schneidet und elektrisch mit den mehreren Unter-TFTs verbunden ist; – einer ersten Elektrode (202) aus transparentem Material auf einem zweiten Substrat (200); – einer organischen Elektrolumineszenzschicht (208) auf der ersten Elektrode (202), wobei die organische Elektrolumineszenzschicht (208) das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) bedeckt; – einer zweiten opaken Elektrode (210) auf der organischen Elektrolumineszenzschicht (208) über dem Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) in Kontakt mit den mehreren Unter-TFTs, wobei die zweite opake Elektrode (210) das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) vollständig bedeckt; und – einem Verbindungsmuster (400) zwischen dem ersten und zweiten Substrat (100, 200), das das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) elektrisch mit der zweiten opaken Elektrode (210) verbindet.
  30. Vorrichtung nach Anspruch 29, bei der die organische Elektrolumineszenzschicht (208) eine erste Ladungsträger-Transportschicht (208b), eine organische Emissionsschicht (208a) und eine zweite Ladungsträger-Transportschicht (208c) aufweist.
  31. Vorrichtung nach Anspruch 29, bei der der Schalt-Dünnschichttransistor (TS) über eine sich ausgehend von der Gateleitung (101) erstreckende Schalt-Gateelektrode (102), eine sich ausgehend von der Datenleitung (115) erstreckende Schalt-Sourceelektrode (116), eine von der Schalt-Sourceelektrode (116) beabstandete Schalt-Drainelektrode (118) und eine schaltende aktive Schicht (108) zwischen der Schalt-Gateelektrode (102) und der Schalt-Sourceelektrode (116) sowie -Drainelektrode (118) verfügt.
  32. Vorrichtung nach Anspruch 31, bei der die Schalt-Drainelektrode (118) des Schalt-Dünnschichttransistors (TS) mit der Gatebasis (104) verbunden ist.
  33. Vorrichtung nach Anspruch 29, bei der das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD) über einen ersten bis vierten Unter-TFT (TD1, TD2, TD3 und TD4) mit einer ersten bis vierten Treiber-Gateelektrode (104a, 104b, 104c, 104d), einer ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a, 120b, 120c, 120d), einer ersten bis vierten Treiber-Drainelektrode (122a, 122b, 122c, 122d) und einer ersten bis vierten aktiven Schicht (112a, 112b, 112c, 112d) verfügt.
  34. Vorrichtung nach Anspruch 33, bei der die erste bis vierte Treiber-Gateelektrode (104a, 104b, 104c, 104d) mit der Gatebasis (104) verbunden ist, um das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD1, TD2, TD3 und TD4) elektrisch mit dem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) zu verbinden.
  35. Vorrichtung nach Anspruch 33, bei der die erste Treiber-Drainelektrode (122a) und die zweite Treiber-Drainelektrode (122b) einen einteiligen Körper bilden.
  36. Vorrichtung nach Anspruch 35, bei der die zweite opake Elektrode (210) mit der Mitte des einteiligen Körpers der ersten und zweiten Treiber-Drainelektrode (122a, 122b) in Kontakt steht.
  37. Vorrichtung nach Anspruch 33, bei der die zweite Treiber-Sourceelektrode (120b) und die dritte Treiber-Sourceelektrode (120c) einen einteiligen Körper bilden.
  38. Vorrichtung nach Anspruch 33, bei der die dritte Treiber-Drainelektrode (122c) und die vierte Treiber-Drainelektrode (122d) einen einteiligen Körper bilden.
  39. Vorrichtung nach Anspruch 38, bei der die zweite opake Elektrode (210) mit der Mitte des einteiligen Körpers der dritten und vierten Treiber-Drainelektrode (122c, 122d) in Kontakt steht.
  40. Vorrichtung nach Anspruch 33, bei der jede der ersten bis vierten Treiber-Drainelektroden (122a, 122b, 122c, 122d) von jeder der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektroden (120a, 120b, 120c, 120d) beabstandet ist.
  41. Vorrichtung nach Anspruch 37, ferner mit Spannungselektroden (128a, 128b, 128c), die sich von der Spannungsleitung (128) über die erste bis vierte Treiber-Sourceelektrode (120a, 120b, 120c, 120d) erstrecken und elektrisch mit der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a, 120b, 120c, 120d) verbunden sind.
  42. Vorrichtung nach Anspruch 41, bei der eine erste der Spannungselektroden (128a) mit der ersten Treiber-Sourceelektrode (120a) in Kontakt steht, eine zweite der Spannungselektroden (128b) mit der Mitte des einteiligen Körpers der zweiten und dritten Treiber-Sourceelektrode (120b, 120c) in Kontakt steht und eine dritte der Spannungselektroden (128c) mit der vierten Treiber-Sourceelektrode (120d) in Kontakt steht.
  43. Verfahren zum Herstellen einer organischen Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit Pixeln mit jeweils einem Pixelbereich (P), einem Schaltbereich (TS) und einem Treiberbereich (TD), umfassend: – Herstellen einer ersten Metallschicht auf einem ersten Substrat (100); – Strukturieren der ersten Metallschicht zum Ausbilden einer Gateleitung (101), einer Schalt-Gateelektrode (102) im Schaltbereich (TS), einer Gatebasis (104) im Pixelbereich (P) und mehreren Treiber-Gateelektroden (104a–104d) im Treiberbereich (TD); – Herstellen einer ersten Isolierschicht (106) auf dem ersten Substrat (100) zum Bedecken der Gateleitung (101), der Schalt-Gateelektrode (102), der Gatebasis (104) und der mehreren Treiber-Gateelektroden (104a–104d); – Herstellen einer schaltenden aktiven Schicht (108) auf der ersten Isolierschicht (106) über der Schalt-Gateelektrode (102) sowie mehrerer aktiver Treiberschichten (112a–112d) auf der ersten Isolierschicht (106) über den mehreren Treiber-Gateelektroden (104a–104d); – Herstellen einer zweiten Metallschicht über der schaltenden aktiven Schicht (108) und den aktiven Treiberschichten (112a–112d); – Strukturieren der zweiten Metallschicht zum Ausbilden einer Schalt-Sourceelektrode (116), einer Schalt-Drainelektrode (118), mehrerer Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) und mehrerer Treiber-Drainelektroden (122a–122d), um dadurch einen Schalt-Dünnschichttransistor (TS) und ein Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD) auszubilden, wobei das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD) über mehrere Unter-TFTs (TD1, TD2, TD3 und TD4) mit einer entsprechenden Treiber-Gateelektrode (104a–104d), einer entsprechenden aktiven Treiberschicht (112a–112d), einer entsprechenden Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) und einer entsprechenden Treiber-Drainelektrode (122a–122d) verfügt; – Herstellen einer zweiten Isolierschicht (124) über der Schalt-Sourceelektrode (116) und -Drainelektrode (118) und den mehreren Treiber-Drainelektroden (122a–122d), wobei die zweite Isolierschicht (124) Sourcekontaktlöcher aufweist, die Abschnitte der mehreren Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) freilegen; – Herstellen einer Spannungsleitung (128) auf der zweiten Isolierschicht (124), wobei diese Spannungsleitung (128) mit der Gate- und der Datenleitung (101, 115) den Pixelbereich (P) definiert und sie durch die Sourcekontaktlöcher mit den mehreren Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) verbunden ist; – Herstellen einer dritten Isolierschicht (130) auf der zweiten Isolierschicht (124) zum Bedecken der Spannungsleitung (128), wobei diese dritte Isolierschicht über Drainkontaktlöcher (132a–132d) verfügt, die die mehreren Treiber-Drainelektroden (122a–122d) freilegen; – Herstellen eines Verbindungsmusters (400) auf der dritten Isolierschicht innerhalb des Pixelbereichs (P), wobei dieses Verbindungsmuster (400) die mehreren Treiber-Drainelektroden (122a–122d) über die Drainkontaktlöcher (132a–132d) kontaktiert; und – Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzdiode auf einem zweiten Substrat (200), wobei das Verbindungsmuster (400) das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD) elektrisch mit der organischen Elektrolumineszenzdiode verbindet und die organische Elektrolumineszenzdiode das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD) bedeckt, und wobei die organische Elektrolumineszenzdiode eine opake, zum Treiber-Dünnschichttransistorensystem (TD) gewandte Elektrode (210) aufweist, und das Treiber-Dünnschichttransistorensystem (TD) vollständig bedeckt.
  44. Verfahren nach Anspruch 43, bei dem beim Herstellen einer organischen Elektrolumineszenzdiode eine zweite Elektrode (202) auf dem zweiten Substrat (200) hergestellt wird, eine organische Elektrolumineszenzschicht (208) auf der zweiten Elektrode (202) hergestellt wird und die opake Elektrode (210) auf der organischen Elektrolumineszenzschicht (208) innerhalb des Pixelbereichs (P) hergestellt wird.
  45. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die organische Elektrolumineszenzschicht (208) eine erste Ladungsträger-Transportschicht (208b), eine organische Emissionsschicht (208a) und eine zweite Ladungsträger-Transportschicht (208c) aufweist.
  46. Verfahren nach Anspruch 43, bei dem die Gateleitung (101) in einer ersten Richtung angeordnet wird, sich die Schalt-Gateelektrode (102) ausgehend von der Gateleitung (101) erstreckt, die Gatebasis (104) in einer zweiten Richtung rechtwinklig zur Gateleitung (101) angeordnet wird und sich die mehreren Treiber-Gateelektroden (104a–104d) ausgehend von der Gatebasis (104) erstrecken.
  47. Verfahren nach Anspruch 43, bei dem beim Herstellen der ersten Isolierschicht (106) ein Gatekontaktloch gebildet wird, das ein Ende der Gatebasis (104) freilegt, und bei dem die Schalt-Drainelektrode (118) durch das Gatekontaktloch hin mit der Gatebasis (104) kontaktiert wird.
  48. Verfahren nach Anspruch 43, bei dem beim Herstellen der schaltenden aktiven Schicht (108) eine schaltende ohmsche Kontaktschicht (110) auf der schaltenden aktiven Schicht (108) hergestellt wird und die Schalt-Sourceelektrode (116) und die Schalt-Drainelektrode (118) voneinander beabstandet werden und mit der schaltenden ohmschen Kontaktschicht (110) kontaktiert werden.
  49. Verfahren nach Anspruch 43, bei dem beim Herstellen der mehreren aktiven Treiberschichten (112a–112d) mehrere ohmsche Treiberkontaktschichten (114a–114d) auf den mehreren aktiven Treiberschichten (112a–112d) hergestellt werden, jede der mehreren Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) und Treiber-Drainelektroden (122a–122d) mit den mehreren ohmschen Treiber-Kontaktschichten (114a–114d) kontaktiert werden und jede der mehreren Treiber-Drainelektroden (122a–122d) von jeder der mehreren Treiber-Sourceelektroden (120a–120d) beabstandet ist.
  50. Verfahren nach Anspruch 43, bei dem die Drainkontaktlöcher (132a–d) sowohl die zweite als auch die dritte Isolierschicht (124, 130) durchdringen.
  51. Verfahren nach Anspruch 44, bei dem das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD) über einen ersten bis vierten Unter-TFT (TD1, TD2, TD3 und TD4) mit einer ersten bis vierten Treiber-Gateelektrode (104a–104d), einer ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d), einer ersten bis vierten Treiber-Drainelektrode (122a–122d) und einer ersten bis vierten aktiven Schicht (112a–112d) verfügt.
  52. Verfahren nach Anspruch 51, bei dem die erste bis vierte Treiber-Gateelektrode (104a–104d) mit der Gatebasis (104) verbunden wird, um das Treiber-Dünnschichttransistorsystem (TD) elektrisch mit dem Schalt-Dünnschichttransistor (TS) zu verbinden.
  53. Verfahren nach Anspruch 51, bei der die erste Treiber-Drainelektrode (122a) und die zweite Treiber-Drainelektrode (122b) einen einteiligen Körper bilden.
  54. Verfahren nach Anspruch 53, bei der die opake Elektrode (210) mit der Mitte des einteiligen Körpers der ersten und zweiten Treiber-Drain Elektrode (122a, 122b) in Kontakt steht.
  55. Verfahren nach Anspruch 51, bei der die zweite Treiber-Sourceelektrode (120b) und die dritte Treiber-Sourceelektrode (120c) einen einteiligen Körper bilden.
  56. Verfahren nach Anspruch 51, bei der die dritte Treiber-Drainelektrode (122c) und die vierte Treiber-Drainelektrode (122d) einen einteiligen Körper bilden.
  57. Verfahren nach Anspruch 56, bei der die opake Elektrode (210) mit der Mitte des einteiligen Körpers der ersten und zweiten Treiber-Drain-Elektrode (122a, 122b) in Kontakt steht.
  58. Verfahren nach Anspruch 51, bei der jede der ersten bis vierten Treiber-Drainelektrode (122a–122d) von jeder der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) beabstandet ist.
  59. Verfahren nach Anspruch 55, bei dem beim Herstellen der Spannungsleitung (128) Spannungselektroden (128a–128c) hergestellt werden, die sich von der Spannungsleitung (128) über der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) zu einer elektrischen Verbindung mit der ersten bis vierten Treiber-Sourceelektrode (120a–120d) erstrecken.
  60. Verfahren nach Anspruch 59, bei dem eine erste Spannungselektrode (128a) die erste Treiber-Sourceelektrode (120a) kontaktiert, eine zweite Spannungselektrode (128b) die Mitte des einteiligen Körpers der zweiten und dritten Treiber-Sourceelektrode (120b, c) kontaktiert und eine dritte Spannungselektrode (128c) die vierte Treiber-Sourceelektrode (120d) kontaktiert.
DE10360454A 2002-12-31 2003-12-22 Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und Verfahren zu deren Herstellung Expired - Lifetime DE10360454B4 (de)

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