JP3107743B2 - 電子放出性電極およびその製造方法、並びにそれを用いた冷陰極蛍光管およびプラズマディスプレイ - Google Patents

電子放出性電極およびその製造方法、並びにそれを用いた冷陰極蛍光管およびプラズマディスプレイ

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、強電界により電
子を放出する電子放出用電極およびその製造方法並びに
それを用いた蛍光管（例えば冷陰極蛍光管）に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】冷陰
極蛍光管などで用いられている、強電界により電子を放
出する電子放出用電極の材料としては、一般に、ニッケ
ル（Ｎｉ）などの金属が用いられている。しかしなが
ら、このような材料からなる電子放出用電極を備えた冷
陰極蛍光管では、例えば熱陰極蛍光管と比較して、放電
電圧が高く、消費電力が大きいという問題があった。一
方、最近では、放電電圧を低くすることのできる電子放
出用電極の材料として、電気伝導性を有するペロブスカ
イト型酸化物（例えば、Ｌａ1-xＳｒxＭｎＯ3、Ｌａ1-x
ＳｒxＣｏＯ3）が注目されている。しかしながら、この
ような材料からなる電子放出用電極を冷陰極蛍光管に適
用した場合、放電によるスパッタにより管内壁の汚れが
著しく、寿命がきわめて短いという問題があった。ま
た、高圧ナトリウムランプ用の電極の電子放射性物質と
して、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）膜を用いることが報
告されている。この電子放射性物質としてのＹ2Ｏ3膜を
製造する場合、市販の絶縁性のＹ2Ｏ3粉末をアルコール
などに懸濁させ、この懸濁液をコイルに塗布した後、加
熱処理を施して成膜させている。しかしながら、このＹ
2Ｏ3膜は成膜後であっても絶縁性を有しており、冷陰極
のような強電界で電子を放出する電極の材料としては不
適であった。また、上記加熱処理を水素雰囲気中で行っ
ても、Ｙ2Ｏ3膜の結晶格子を制御することが困難であ
り、酸素欠損のほとんどない絶縁性のＹ2Ｏ3膜しかでき
ず、強電界により電子が放出される電子放出用電極の製
造方法としては不適であった。さらに、このようなＹ2
Ｏ3膜は絶縁性であるので、上部にＹ2Ｏ3膜が設けられ
た電極基板と配線とを電気的に接続するための、電流を
流すスポット溶接が困難であった。この発明の一の課題
は、放電電圧を低くすることができる上、放電によるス
パッタを抑制することができるようにすることである。
この発明の他の課題は、強電界により電子を放出する良
好な特性の電子放出用電極を製造することである。
【０００３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
電子放出用電極において、結晶格子が単純立方格子、体
心立方格子のうちの少なくとも１つを含み、強電界によ
り電子を放出して放電を生じさせるためのＲ２Ｏ３型の
酸化物（Ｒは希土類元素のみで構成される原子または原
子団、Ｏは酸素）からなる電子放出膜を有するものであ
る。そして、請求項１記載の発明に係る電子放出用電極
は、上記特定の結晶格子を含むＲ2Ｏ3型の酸化物からな
る電子放出膜を有することによって放電電圧を低くする
ことができ、放電によるスパッタを抑制することを見い
出してなされたものである。請求項１１記載の発明に係
る電子放出用電極は、結晶格子が単純立方格子、体心立
方格子のうち、少なくとも１つを含み、強電界により電
子を放出して放電を生じさせるためのＲ２Ｏ３型の酸化
物（Ｒは希土類元素のみで構成される原子または原子
団、Ｏは酸素）からなる電子放出膜と、前記電子放出膜
の下面に設けられた前記Ｒからなる下地膜と、前記下地
膜の下面に設けられた導電性の基板と、を備えるもので
ある。請求項１１記載の発明では、上記特定の結晶格子
を含むＲ2Ｏ3型の酸化物からなる電子放出膜を有するこ
とによって放電電圧を低くすることができ、放電による
スパッタを抑制することができるとともに、導電性の基
板と配線とを電気的に接続するためのスポット溶接を行
うことができる。請求項１３記載の発明に係る電子放出
用電極の製造方法は、酸素あるいは酸素含有物を含み、
且つ前記酸素あるいは酸素含有物の含有率が１体積％以
下の水素雰囲気中で希土類膜を加熱し、前記希土類膜の
希土類の酸化物からなる電子放出膜を形成するようにし
たものである。請求項１３記載の発明では、酸素あるい
は酸素含有物を含み、且つ酸素あるいは酸素含有物の含
有率が１体積％以下の水素雰囲気中で希土類膜を加熱す
ることによって、放電電圧が低く、放電によるスパッタ
が抑制された電子放出用電極を形成することができる。
請求項１９記載の発明に係る冷陰極蛍光管は、結晶格子
が単純立方格子、体心立方格子のうちの少なくとも１つ
を含み、強電界により電子を放出して放電を生じさせる
ためのＲ２Ｏ３型の酸化物（Ｒは希土類元素のみで構成
される原子または原子団、Ｏは酸素）からなる電子放出
膜を有する電極を備えるようにしたものである。請求項
１９記載の発明では、上記特定の結晶格子のＲ２Ｏ３型
の酸化物からなる電子放出膜を有することによって低い
放電電圧で発光することができるので消費電力を抑える
ことができ、放電によるスパッタを抑制できるので発光
寿命を長くすることができる。請求項３１記載の発明に
係るプラズマディスプレイは、結晶格子が単純立方格
子、体心立方格子のうちの少なくとも１つを含み、強電
界により電子を放出するＲ２Ｏ３型の酸化物（Ｒは希土
類元素のみで構成される原子または原子団、Ｏは酸素）
からなる電子放出膜を有する電極を備えたものである。
【０００４】
【発明の実施の形態】図１はこの発明に係る電子放出用
電極の第１の製造工程を示したものである。この電子放
出用電極は、強電界により冷電子を放出する電極であっ
て、例えば冷陰極蛍光管や電界放射方式のＦＥＤ(Field
Emissive Display)に用いられるものである。この第１
の製造工程では、電極基板洗浄工程１、電子放出膜形成
用膜形成工程２、酸化工程３をこの順で行うことによ
り、結晶格子が単純立方格子、面心立方格子、体心立方
格子のうちの少なくとも１つであるＲ2Ｏ3-z（Ｒは希土
類元素のみで構成される原子または原子団、Ｏは酸素、
０≦ｚ≦１．０）によって形成された電子放出膜を有す
る電子放出用電極が製造される。次に、Ｒ2Ｏ3-zのＲが
イットリウム（Ｙ）である場合の電子放出用電極の構造
についてその製造方法と併せ説明する。
【０００５】まず、図１に示す電極基板洗浄工程１にお
いて、インコネル６０１（Ｎｉ−Ｃｒ系材料）やニッケ
ルなどからなる電極基板を洗浄する。次に、電子放出膜
形成用膜形成工程２において、電極基板の表面に、抵抗
加熱や電子ビームなどによる蒸着あるいはスパッタによ
り、イットリウム膜を膜厚１０００〜３００００Å程度
に成膜する。次に、酸化工程３において、水素雰囲気
（ただし、酸素が１体積％以下、望ましくは１０００ｐ
ｐｍ以下、さらに望ましくは１００ｐｐｍ以下存在す
る。また、水が水蒸気の形で１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程
度存在する。）中で常温から６００℃程度の温度まで１
００℃／１５分〜１００℃／５分の割合で昇温し、そし
て６００℃程度の温度で１５〜６０分間加熱する。この
酸化工程３は、３００〜１０００℃程度の範囲、望まし
くは５００〜７００℃程度の範囲で行えばよい。また、
昇温の割合は１００℃／２０分〜１００℃／５分であれ
ばよい。
【０００６】酸化工程３を経ると、イットリウム膜は酸
化されて酸化イットリウム膜となる。しかし、この場合
の酸化イットリウム膜は、絶縁性の酸化イットリウムと
異なり、後で説明するように、放電電圧の低い電極の電
子放出膜である酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3-z）となっ
た。ただし、ｚは０．００以上であって１．００以下の
数値である。これは、酸化イットリウム膜の結晶構造中
の酸素の欠損に起因するものである。
【０００７】ここで、電極基板上に成膜したイットリウ
ム膜が上記水素雰囲気中での加熱により酸化されている
ことの実験結果について説明する。まず、ニッケルから
なる電極基板上に電子ビーム蒸着によりイットリウム膜
を膜厚３０００Å程度に成膜し、次いで上記水素雰囲気
中において６００℃程度の温度で１５分間加熱したもの
を用意した。そして、この試料の表面をスパッタしなが
らオージェ電子分光法により、試料の深さ方向の分析を
行ったところ、図２に示す結果が得られた。この図２に
おいて、横軸はスパッタ時間を表わし、縦軸は分析元素
の割合を表わしている。この図２から明らかなように、
酸素（Ｏ）が内部まで浸透していることがわかり、酸化
イットリウム膜が膜厚方向に均一な組成比で形成されて
いることが確認された。
【０００８】次に、イットリウム膜を上記水素雰囲気中
で酸化すると、低電圧電子放出性の酸化イットリウム
（Ｙ2Ｏ3-z）膜となることについて考察する。ニッケル
からなる電極基板上に電子ビーム蒸着により成膜した膜
厚３０００Å程度のイットリウム膜を上記水素雰囲気中
で酸化させて（ただし、６００℃程度の温度で１５分間
加熱、以下同じ。）膜厚４５００Å程度の酸化イットリ
ウム膜を形成し、そのＸ線回折パターンを調べたとこ
ろ、図３に示す結果が得られた。また、ニッケルからな
る電極基板上に電子ビーム蒸着により成膜した膜厚４０
００Å程度のイットリウム膜を上記水素雰囲気中で酸化
させて膜厚６０００Å程度の酸化イットリウム膜を形成
し、そのＸ線回折パターンを調べたところ、図４に示す
結果が得られた。さらに、ニッケルからなる電極基板上
に電子ビーム蒸着により成膜した膜厚５０００Å程度の
イットリウム膜を上記水素雰囲気中で酸化させて膜厚７
５００Å程度の酸化イットリウム膜を形成し、そのＸ線
回折パターンを調べたところ、図５に示す結果が得られ
た。なお、以上のように、酸化イットリウム膜の膜厚は
酸化前のイットリウム膜の膜厚の１．５倍程度となる。
したがって、膜厚３００００Å程度のイットリウム膜を
酸化した場合には、膜厚４５０００Å程度の酸化イット
リウム膜となる。
【０００９】そして、図３の場合、格子定数が１０．６
０Åであり、したがって結晶格子は体心立方格子であ
り、以下このタイプをＡ型という。また、図５の場合、
格子定数が１４．８５Åであり、したがって結晶格子は
単純立方格子であり、以下このタイプをＢ型という。さ
らに、図４の場合、結晶格子は体心立方格子と単純立方
格子とが混在したものとなり、以下このタイプをＡＢ型
という。そして、Ａ型、Ｂ型、ＡＢ型の各酸化イットリ
ウム膜の上下方向の抵抗を調べたところ、いずれも数十
Ω以下と小さく、電気伝導性を有し、絶縁性の酸化イッ
トリウムと異なる物性を有していることになる。
【００１０】次に、石英基板上に電子ビーム蒸着により
成膜した膜厚３０００Å程度のイットリウム膜を上記水
素雰囲気中において６００℃程度の温度で１５分間加熱
して得られた酸化イットリウム膜と、石英基板上に電子
ビーム蒸着により成膜した膜厚３０００Å程度のイット
リウム膜を大気中において７００℃程度の温度で３０分
間加熱して得られた絶縁性の酸化イットリウム膜との光
学的特性を調べた。この場合、石英基板を用いるのは、
ニッケルなどからなる電極基板の場合、不透明で光学的
特性を調べることができないからである。そして、石英
基板も含めて光透過率と光反射率とを測定したところ、
上記水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜の場
合、図６に示す結果が得られ、大気中で酸化した絶縁性
の酸化イットリウム膜の場合、図７に示す結果が得られ
た。ここでいう光透過率とは、所定の光量の光に対して
試料を透過する光の光量の割合（％）のことである。光
反射率とは、所定の光量の光に対して表面が平滑なアル
ミニウム（Ａｌ）板の反射光量を１００とした場合に、
試料表面で反射される光量の相対割合（％）のことであ
る。
【００１１】そして、図７に示す大気中で酸化した酸化
イットリウム膜の場合には、光透過率が波長５００ｎｍ
〜２５００ｎｍの範囲において５０％以上である。これ
に対して、図６に示す上記水素雰囲気中で酸化した酸化
イットリウム膜の場合には、光透過率が波長５００ｎｍ
〜２５００ｎｍの範囲において２０％以下と小さい。ま
た、図７に示す大気中で酸化した酸化イットリウム膜の
場合には、光反射率が波長５００ｎｍ〜２５００ｎｍの
範囲において４０％以下である。これに対して、図６に
示す上記水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜の
場合には、光透過率が波長５００ｎｍ〜２５００ｎｍの
範囲において数％〜７５％の間で変化している。このよ
うに、上記水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜
と大気中で酸化した酸化イットリウムとでは、光学的特
性が大きく異なり、分子レベルでの配列や結晶格子など
に差異があると考えられる。
【００１２】次に、物質固有の光学的指標としての吸収
端について調べた。この吸収端とは、一般的には、Ｘ線
または光の連続吸収スペクトルにおいて、波長がこれ以
上長くなると吸収率が急激に減少するようになる部分ま
たはその端のことをいう。しかし、ここでは、光透過率
の計測機器の測定誤差範囲内の値になるところを吸収端
とした。そして、図８は上記水素雰囲気中で酸化した酸
化イットリウム膜における光エネルギーと光透過率との
関係を示し、図９は大気中で酸化した酸化イットリウム
膜における光エネルギーと光透過率との関係を示したも
のである。図９に示す大気中で酸化した酸化イットリウ
ム膜の場合には、吸収端が５．９ｅＶ程度である。これ
に対して、図８に示す上記水素雰囲気中で酸化した酸化
イットリウムの場合には、吸収端が５．５ｅＶ程度以下
もしくは４．５ｅＶ程度以下であり、大気中で酸化した
酸化イットリウムに比べて低エネルギー側にシフトして
いることがわかる。
【００１３】以上のことから、上記水素雰囲気中で酸化
した酸化イットリウム膜は、絶縁性の酸化イットリウム
膜と異なり、放電電圧の低い電子放出性の酸化イットリ
ウム（Ｙ2Ｏ3-z）膜となっていることが理解される。
【００１４】次に、以上のような構造の電子放出用電極
を備えた冷電子放出(cold emission)性の冷陰極管の放
電特性について調べた。この場合の冷陰極管としては、
管の内壁に蛍光材料が設けられていない点を除いて図１
０に概略的に示された冷陰極蛍光管と同様であり、外径
２．６ｍｍ、長さ６３．５ｍｍの円筒状のガラス管１１
内の両端部に一対の電子放出用電極１２をその離間距離
が４５ｍｍとなるようにして対向配置したものを用意し
た。また、電子放出用電極１２としては、Ａ型の酸化イ
ットリウム膜を有するＡ型電極およびＢ型の酸化イット
リウム膜を有するＢ型電極を用意するとともに、比較の
ために、ニッケル電極も用意した。電子放出用電極１
２、１２はそれぞれ配線１３に接続され、交流駆動する
ようになっている。そして、放電電圧を調べたところ、
Ａ型電極を備えた冷陰極管の場合には、ニッケル電極を
備えた冷陰極管よりも３０Ｖ程度低い結果が得られた。
Ｂ型電極を備えた冷陰極管の場合には、Ａ型電極を備え
た冷陰極管よりもさらに２０Ｖ程度低い結果が得られ
た。そこで、図１０に示すように、放電電圧が低い方の
Ｂ型電極を備えた管の内壁に蛍光材料が設けられた冷陰
極蛍光管とニッケル電極を備えた冷陰極蛍光管との発光
特性についてさらに調べたところ、次の表１に示す結果
が得られた。
【００１５】
【表１】 この表１から明らかなように、Ｂ型電極を備えた冷陰極
蛍光管では、ニッケル電極を備えた冷陰極蛍光管と比較
して、放電電圧が２３．５％程度低いにも拘らず、輝度
や光束が高く、効率が高いことがわかる。以上のことか
ら、上記水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜を
有する電子放出用電極では、放電電圧を低くすることが
できることが理解される。また、Ａ型電極およびＢ型電
極を備えた冷陰極蛍光管のいずれの場合も、管内壁の汚
れは見られず、放電によるスパッタが抑制されているこ
とが確認された。
【００１６】次に、円筒状のガラス管１１の内径を１２
ｍｍとし、直径１０ｍｍの円板状の一対の電子放出用電
極１２の離間距離を２２０ｍｍとした冷陰極管を用意
し、放電特性について調べたところ、図１１に示す結果
が得られた。この図１１から明らかなように、Ｙ2Ｏ3-z
電極を備えた冷陰極管では、２００時間の放電でも、Ｎ
ｉ電極を備えた冷陰極管と同様に、放電電圧が安定して
いることがわかる。また、Ｙ2Ｏ3-z電極を備えた冷陰極
管では、Ｎｉ電極を備えた冷陰極管と比較して、放電電
圧が１５〜２０％程度低いことがわかる。さらに、Ｙ2
Ｏ3-z電極を備えた冷陰極管の場合、管内壁の汚れは見
られず、放電によるスパッタが抑制されていることが確
認された。なお、１５ｍｍ径の冷陰極管では、放電寿命
として、１０００時間を超えたことが確認された。
【００１７】次に、図１２はこの発明に係る電子放出用
電極の第２の製造工程を示したものである。この第２の
製造工程では、電極基板洗浄工程２１、電子放出膜形成
用膜（非酸化膜）形成工程２２、酸化工程２３、脱水素
工程２４をこの順で行うことにより、結晶格子が単純立
方格子、面心立方格子、体心立方格子のうちの少なくと
も１つであるＲ2Ｏ3-z（Ｒは希土類元素のみで構成され
る原子または原子団、Ｏは酸素、０≦ｚ≦１．０）によ
って形成された電子放出膜を有する電子放出用電極が製
造される。次に、Ｒ2Ｏ3-zのＲがイットリウム（Ｙ）で
ある場合の電子放出用電極の構造についてその製造方法
と併せ説明する。
【００１８】まず、図１２に示す電極基板洗浄工程２１
において、インコネル６０１（Ｎｉ−Ｃｒ系材料）やニ
ッケルなどからなる電極基板を洗浄する。次に、電子放
出膜形成用膜（非酸化膜）形成工程２２において、電極
基板の表面に、抵抗加熱や電子ビームなどによる蒸着あ
るいはスパッタにより、イットリウム膜を膜厚１０００
〜３００００Å程度に成膜する。次に、酸化工程２３に
おいて、水素雰囲気（ただし、酸素が１体積％以下、望
ましくは１０００ｐｐｍ以下、さらに望ましくは１００
ｐｐｍ以下存在する。また、水が水蒸気の形で１ｐｐｍ
〜１００ｐｐｍ程度存在する。）中で常温から６００℃
程度の温度まで１００℃／１５分〜１００℃／５分の割
合で昇温し、そして６００℃程度の温度で１５〜６０分
間加熱する。すると、イットリウム膜は酸化されて酸化
イットリウム（Ｙ2Ｏ3-z）膜となる。次に、脱水素工程
２４において、１×１０-3Ｔｏｒｒ以下望ましくは１×
１０-6Ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気中で３５０℃以上望ま
しくは４５０〜８００℃程度で１５分間加熱し、酸化イ
ットリウム膜の脱水素処理を行う。
【００１９】ここで、脱水素工程２４を行う理由につい
て説明する。図１に示す第１の製造工程で得られた電子
放出用電極を備えた冷陰極蛍光管の場合、放電時間が１
００時間を越えると、発光色にやや青みを帯びるものが
あった。これは、酸化イットリウム膜中に存在する水素
に起因するものと考えられる。そこで、脱水素工程２４
は酸化イットリウム膜中に存在する水素を除去するため
に行うものである。なお、冷陰極蛍光管の製造工程で
は、管内を封止する前に、管内の水分などを除去するた
めに、減圧雰囲気中において４００℃程度の温度で加熱
処理を行っているので、この加熱処理のみでも酸化イッ
トリウム膜中に存在する水素をある程度除去するように
することができる。しかしながら、このようにした場
合、温度が４００℃程度とやや低いことに起因して、初
期放電時の再現性がやや劣る。そこで、上述したよう
に、脱水素工程２４における温度は４５０℃程度以上が
望ましい。
【００２０】次に、図１３はこの発明に係る電子放出用
電極の第３の製造工程を示したものである。この第３の
製造工程では、電極基板洗浄工程３１、電子放出膜形成
用膜（酸化膜）形成工程３２、酸化工程３３、脱水素工
程３４をこの順で行うことにより、結晶格子が体心立方
格子であるＲ2Ｏ3-z（Ｒは希土類元素のみで構成される
原子または原子団、Ｏは酸素、０≦ｚ≦１．０）によっ
て形成された電子放出膜を有する電子放出用電極が製造
される。次に、Ｒ2Ｏ3-zのＲがイットリウム（Ｙ）であ
る場合の電子放出用電極の構造についてその製造方法と
併せ説明する。
【００２１】まず、図１３に示す電極基板洗浄工程３１
において、インコネル６０１（Ｎｉ−Ｃｒ系材料）やニ
ッケルなどからなる電極基板を洗浄する。次に、電子放
出膜形成用膜（酸化膜）形成工程３２において、電極基
板の表面にイオンプレーティングによりアモルファス状
の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）膜を膜厚１０００〜５０
００Å程度に成膜する。次に、酸化工程３３において、
水素雰囲気（ただし、酸素が１体積％以下、望ましくは
１０００ｐｐｍ以下、さらに望ましくは１００ｐｐｍ以
下存在する。また、水が水蒸気の形で１ｐｐｍ〜１００
ｐｐｍ程度存在する。）中で常温から６００℃程度の温
度まで１００℃／１５分〜１００℃／５分の割合で昇温
し、そして６００℃程度の温度で１５〜６０分間加熱す
る。すると、アモルファス状の酸化イットリウム（Ｙ2
Ｏ3）膜は低電圧電子放出性の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ
3-z）膜となる。次に、脱水素工程３４において、１×
１０-3Ｔｏｒｒ以下望ましくは１×１０-6Ｔｏｒｒ以下
の減圧雰囲気中で３５０℃以上望ましくは４５０〜８０
０℃程度で１５分間加熱し、酸化イットリウム膜の脱水
素処理を行う。
【００２２】次に、図１４はこの発明に係る電子放出用
電極の第４の製造工程を示したものである。この第４の
製造工程では、電極基板洗浄工程４１、下地膜形成工程
４２、電子放出膜形成用膜（酸化膜）形成工程４３、酸
化工程４４、脱水素工程４５をこの順で行うことによ
り、結晶格子が単純立方格子、体心立方格子のうちの少
なくとも１つであるＲ2Ｏ3-z（Ｒは希土類元素のみで構
成される原子または原子団、Ｏは酸素、０≦ｚ≦１．
０）によって形成された電子放出膜を有する電子放出用
電極が製造される。次に、Ｒ2Ｏ3-zのＲがイットリウム
（Ｙ）である場合の電子放出用電極の構造についてその
製造方法と併せ説明する。
【００２３】まず、図１４に示す電極基板洗浄工程４１
において、インコネル６０１（Ｎｉ−Ｃｒ系材料）やニ
ッケルなどからなる電極基板を洗浄する。次に、下地膜
形成工程４２において、電極基板の表面に、抵抗加熱や
電子ビームなどによる蒸着あるいはスパッタにより、イ
ットリウム膜を膜厚２００００〜３００００Å程度に成
膜する。次に、電子放出膜形成用膜（酸化膜）形成工程
４３において、イットリウム膜の表面にイオンプレーテ
ィングによりアモルファス状の酸化イットリウム（Ｙ2
Ｏ3）膜を膜厚１０００〜１００００Å程度に成膜す
る。次に、酸化工程４４において、水素雰囲気（ただ
し、酸素が１体積％以下、望ましくは１０００ｐｐｍ以
下、さらに望ましくは１００ｐｐｍ以下存在する。ま
た、水が水蒸気の形で１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度存在
する。）中で常温から６００℃程度の温度まで１００℃
／１５分〜１００℃／５分の割合で昇温し、そして６０
０℃程度の温度で１５〜６０分間加熱する。すると、体
心立方格子または一部に単純立方格子を含む体心立方格
子の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3-z）膜が形成される。
【００２４】この場合、この状態における電子放出用電
極の構造は、図１５に示すように、電極基板５１の上面
に酸化されないイットリウム膜からなる下地膜５２が形
成され、この下地膜５２の上面に酸化イットリウム膜か
らなる電子放出膜５３が形成された構造となる。酸化さ
れないイットリウム膜からなる下地膜５２を形成するの
は、電極基板５１と電子放出膜５３との密着性を良くす
るためである。次に、脱水素工程４５において、１×１
０-3Ｔｏｒｒ以下望ましくは１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の
減圧雰囲気中で３５０℃以上望ましくは４５０〜８００
℃程度で１５分間加熱し、酸化イットリウム膜の脱水素
処理を行う。
【００２５】ところで、上記水素雰囲気中における酸素
や水などの酸素含有物の濃度を、市販の水素ボンベから
のガスを酸素や水などを吸収するフィルタを介して供給
することにより、異ならせたところ、酸化イットリウム
膜の結晶格子が異なった。次に、これについて説明す
る。上記水素雰囲気中における酸素や水などの酸素含有
物の濃度を数百ｐｐｍ以上としてイットリウム膜を酸化
した場合には、酸化イットリウム膜のＸ線回折パターン
として図１６および図１７に示すものあるいは図１８に
示すものが得られた。上記水素雰囲気中における酸素や
水などの酸素含有物の濃度を数十ｐｐｍ以上で数百ｐｐ
ｍ未満としてイットリウム膜を酸化した場合には、酸化
イットリウム膜のＸ線回折パターンとして図１９および
図２０に示すものが得られた。上記水素雰囲気中におけ
る酸素や水などの酸素含有物の濃度を１ｐｐｍ以上で数
十ｐｐｍ未満としてイットリウム膜を酸化した場合に
は、酸化イットリウム膜のＸ線回折パターンとして図２
１に示すものが得られた。上記水素雰囲気中における酸
素や水などの酸素含有物の濃度を１ｐｐｍ未満とした場
合には、酸化イットリウム膜のＸ線回折パターンとして
図２２および図２３に示すものが得られた。
【００２６】そして、図１６の場合には、格子定数が１
０．６０Åであり、したがって結晶格子は体心立方格子
であり、以下このタイプを上述の場合と同様にＡ型とい
う。このＡ型は、図１６の２７°〜３３°の範囲の詳細
を示す図１７に示すように、２９°近傍に１つのピーク
を有することからも確認される。図１９の場合には、格
子定数が１４．８５Åであり、したがって結晶格子は単
純立方格子であり、以下このタイプを上述の場合と同様
にＢ型という。このＢ型は、図１９に示す２７°〜３３
°の範囲の詳細を示す図２０に示すように、２９°近傍
と２９．６°近傍とに２つのピークを有することからも
確認される。図２２の場合には、格子定数が５．２１Å
であり、したがって結晶格子は面心立方格子であり、以
下このタイプをＣ型という。このＣ型は、図２２に示す
２７°〜３３°の範囲の詳細を示す図２３に示すよう
に、２９．６°近傍に１つのピークを有することからも
確認される。図１８の場合には、Ａ型を特徴づける２９
°近傍のピークの右側にショルダがあり、このショルダ
はＢ型の２９．６°近傍のピーク強度が弱くなったもの
であり、したがって結晶格子は体心立方格子と単純立方
格子とが混在したものであり、以下このタイプを上述の
場合と同様にＡＢ型という。図２１の場合には、Ｃ型を
特徴づける２９．６°近傍のピークの左側にショルダが
あり、このショルダはＢ型の２９°近傍のピーク強度が
弱くなったものであり、したがって結晶格子は単純立方
格子と面心立方格子とが混在したものであり、以下この
タイプをＢＣ型という。
【００２７】そして、Ｂ型、ＢＣ型、Ｃ型の電子放出用
電極を用いた冷陰極蛍光管の発光特性について調べた。
この場合の冷陰極蛍光管としては、図１０に概略的に示
すように、外径２．６ｍｍ、長さ６３．５ｍｍの円筒状
のガラス管１１内の両端部に一対の電子放出用電極１２
をその離間距離が４５ｍｍとなるようにして対向配置し
たものを用意した。また、比較のために、ニッケル電極
を用いた冷陰極蛍光管の発光特性について調べた。その
結果を次の表２に示す。
【００２８】
【表２】 この表２から明らかなように、Ｂ型、ＢＣ型、Ｃ型の電
極を備えた冷陰極蛍光管では、ニッケル電極を備えた冷
陰極蛍光管と比較して、放電電圧が低いにも拘らず、輝
度や光束が高く、効率が高いことがわかる。また、電気
伝導性は、いずれの場合も良好であった。また、Ｂ型、
ＢＣ型、Ｃ型の電極を備えた冷陰極蛍光管のいずれの場
合も、管内壁の汚れは見られず、放電によるスパッタが
抑制されていることが確認された。なお、表１、表２に
おいてＢ型酸化イットリウム膜を有する電子放出用電極
とニッケル電極との各値が異なっているが、これは分析
装置が異なっているためで、各特性の本質は変わらな
い。
【００２９】なお、上記説明では、酸化工程を上記水素
雰囲気中での加熱により行っているが、大気中、単なる
減圧雰囲気中あるいは酸素２１％のアルゴン（Ａｒ）雰
囲気中での加熱による実験も行った。すなわち、上記第
１〜第４の各製造工程の酸化工程において、大気中、６
×１０-5Ｔｏｒｒ程度あるいは１×１０-6Ｔｏｒｒ程度
の減圧雰囲気中あるいは酸素２１％のアルゴン雰囲気中
で常温から６００℃程度の温度まで１００℃／１５分〜
１００℃／５分の割合で昇温し、そして６００℃程度の
温度で１５〜６０分間加熱した。しかし、これらの場
合、上記水素雰囲気中での加熱の場合よりもやや劣る結
果が得られた。
【００３０】例えば、ニッケルからなる電極基板の表面
にイオンプレーティングによりアモルファス状の酸化イ
ットリウム（Ｙ2Ｏ3）膜を膜厚３０００Å程度に成膜
し、大気中において６００℃程度の温度で１５分間加熱
して得られた酸化イットリウム膜の場合、結晶格子が体
心立方格子（Ａ型）となった。また、ニッケルからなる
電極基板の表面に電子ビーム蒸着によりイットリウム膜
を膜厚３００００Å程度に成膜し、このイットリウム膜
の表面にイオンプレーティングによりアモルファス状の
酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）膜を膜厚３０００Å程度に
成膜し、大気中において６００℃程度の温度で１５分間
加熱して得られた酸化イットリウム膜の場合、結晶格子
が体心立方格子と単純立方格子とが混在したもの（ＡＢ
型）となった。
【００３１】そして、このＡ型およびＡＢ型の電子放出
用電極を備えた冷陰極蛍光管の発光特性について調べ
た。この場合の冷陰極蛍光管としては、図１０に概略的
に示すように、外径２．６ｍｍ、長さ６３．５ｍｍの円
筒状のガラス管１１内の両端部に一対の電子放出用電極
１２をその離間距離が４５ｍｍとなるようにして対向配
置したものを用意した。そして、その結果を次の表３に
示す。ただし、表３に示すニッケル電極については、上
記表２の場合と同じである。
【００３２】
【表３】 この表３から明らかなように、Ａ型電極およびＡＢ型電
極を備えた冷陰極蛍光管では、ニッケル電極を備えた冷
陰極蛍光管と比較して、放電電圧が低いにも拘らず、輝
度や光束が高く、効率が高いことがわかる。また、電気
伝導性は、Ａ型電極がやや劣るが、ＡＢ型電極は良好で
あった。さらに、Ａ型電極およびＡＢ型電極を備えた冷
陰極蛍光管のいずれの場合も、管内壁の汚れは見られ
ず、放電によるスパッタが抑制されていることが確認さ
れた。
【００３３】ところで、表３に示すＡ型電極およびＡＢ
型電極を備えた冷陰極蛍光管では、表２に示すＢ型電
極、ＢＣ型電極およびＣ型電極を備えた冷陰極蛍光管の
場合と比較して、放電電圧が高い。このことから、上記
水素雰囲気中での加熱は、大気中、単なる減圧雰囲気
中、酸素２１％のアルゴン雰囲気中での加熱よりも良い
結果が得られることが理解される。また、表３に示すＡ
Ｂ型電極を備えた冷陰極蛍光管では、同表３に示すＡ型
電極を備えた冷陰極蛍光管と比較して、放電電圧が低
い。このことから、表３に示すＡＢ型電極は同表３に示
すＡ型電極よりも良い結果が得られることが理解され
る。
【００３４】ここで、イットリウム膜の酸化速度につい
て調べたところ、図２４に示す結果が得られた。この図
２４において、横軸は加熱時間を表わし、縦軸は酸化イ
ットリウム膜の膜厚を表わしている。また、この図２４
において実線はニッケルからなる電極基板上に電子ビー
ム蒸着により成膜した膜厚３０００Å程度のイットリウ
ム膜を上記水素雰囲気中において６００℃程度の温度で
加熱した場合である。点線はニッケルからなる電極基板
上に電子ビーム蒸着により成膜した膜厚２７０００Å程
度のイットリウム膜上にイオンプレーティングによりア
モルファス状の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）膜を膜厚３
０００Å程度に成膜し、大気中において６００℃程度の
温度で加熱した場合である。一点鎖線はニッケルからな
る電極基板上に電子ビーム蒸着により成膜した膜厚２７
０００Å程度のイットリウム膜上にイオンプレーティン
グによりアモルファス状の酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）
膜を膜厚３０００Å程度に成膜し、酸素２１％のアルゴ
ン雰囲気中において６００℃程度の温度で加熱した場合
である。
【００３５】この図２４から明らかなように、実線で示
す上記水素雰囲気中での加熱の場合には、点線で示す大
気中での加熱の場合および一点鎖線で示す酸素２１％の
アルゴン雰囲気中での加熱の場合と比較して、イットリ
ウム膜の酸化速度がきわめて速いことがわかる。このこ
とから、上記水素雰囲気中で加熱すると、加熱処理時間
を短くすることができるということが理解される。
【００３６】次に、Ｒ2Ｏ3-zのＲがランタン（Ｌａ）で
ある場合の電子放出用電極の製造方法について説明す
る。Ｒがランタンであっても、上記第１〜第４の各製造
工程により製造することができる。一例として、図１に
示す第１の製造工程を参照しなが説明する。まず、電極
基板洗浄工程１において、インコネル６０１（Ｎｉ−Ｃ
ｒ系材料）やニッケルなどからなる電極基板を洗浄す
る。次に、電子放出膜形成用膜形成工程２において、電
極基板の表面に、抵抗加熱や電子ビームなどによる蒸着
あるいはスパッタにより、ランタン膜を膜厚３０００〜
６０００Å程度に成膜する。次に、酸化工程３におい
て、水素雰囲気（ただし、酸素が１体積％以下、望まし
くは１０００ｐｐｍ以下、さらに望ましくは１００ｐｐ
ｍ以下存在する。また、水が水蒸気の形で１ｐｐｍ〜１
００ｐｐｍ程度存在する。）中で常温から６００℃程度
の温度まで１００℃／１５分〜１００℃／５分の割合で
昇温し、そして６００℃程度の温度で１５〜６０分間加
熱する。すると、ランタン膜は酸化されて酸化ランタン
（Ｌａ2Ｏ3-z）膜となる。
【００３７】このようにして得られた電子放出用電極で
も、上記酸化イットリウム膜を有する電子放出用電極ほ
どではないが、ニッケル電極と比較して放電電圧が３０
〜４０Ｖ程度低い電圧値であった。ところで、酸化イッ
トリウム膜および酸化ランタン膜を有する電子放出用電
極の抵抗率はいずれも１０００Ω・ｃｍ以下であれば冷
陰極蛍光管として低い放電電圧で発光することが確認さ
れ、望ましくは１０Ω・ｃｍ以下であることが確認され
た。
【００３８】なお、電子放出用電極の電子放出膜の材料
としては、イットリウムやランタンのほかに、スカンジ
ウム（Ｓｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマ
リウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガトリニウム
（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄ
ｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリ
ウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム
（Ｌｕ）などの希土類元素を用いてもよく、またそのう
ちの複数種類を用いてもよい。また、上記水素雰囲気中
での加熱のほかに、水素・アルゴン系雰囲気中で加熱す
るようにしてもよい。さらに、上記実施形態では、電子
放出膜を金属からなる電極基板上に形成しているが、金
属からなる電極基板なしの電極構造とし、直接配線に接
続するようにしてもよい。
【００３９】また、上記実施形態では、図１０に示すよ
うに、円筒型の冷陰極蛍光管に適用した場合について説
明したが、これに限定されるものではない。例えば、図
２５に示すように、平板型の冷陰極蛍光管にも適用する
ことができる。この冷陰極蛍光管では、一対のガラス板
６１間に形成された密閉室内にアルゴンなどの不活性ガ
スが封入されている。一対のガラス板６１の各内面には
蛍光体（図示せず）が設けられている。密閉室内の両側
には短冊形状の一対の電子放出用電極６２が互いに対向
した状態で配置されている。電子放出用電極６２の電極
基板には端子６３が接続されている。そして、電子放出
用電極６２から放出された冷電子が起因して蛍光体を発
光させるようになっている。
【００４０】また、上記実施形態では、この発明を冷陰
極蛍光管に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではない。例えば、図２６に示すように、
ＦＥＤ(Field Emissive Display、電界放射ディスプレ
イ)の陰極にも適用することができる。このＦＥＤで
は、シリコン基板７１と前面ガラス基板７２との間に形
成された密閉室内を真空とされている。シリコン基板７
１の内面には突起状の電子放出用電極７３、絶縁層７
４、ゲート電極７５が設けられている。前面ガラス基板
７２の内面には陽極である透明電極７６、蛍光体７７が
設けられている。そして、電子放出用電極７３から放出
された電子が起因して蛍光体７７を発光させるようにな
っている。
【００４１】さらに、図２７に示すように、冷陰極放電
である直流型のＰＤＰ(Plasma Display Panel、プラズ
マディスプレイ)にも適用することができる。このＰＤ
Ｐでは、前面ガラス基板８１と後面ガラス基板８２との
間に障壁８３が設けられ、障壁８３の壁面に発光体８４
が設けられている。前面ガラス基板８１の内面には電子
放出用電極８５が設けられている。後面ガラス基板８２
の内面には陽極８６が設けられている。電子放出用電極
８５と陽極８６とはマトリックス状に配置されている。
そして、電子放出用電極８５から放出された電子が起因
して蛍光体８４を発光させるようになっている。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、低い放電電圧で電子を放出することができるので、
消費電力を小さくすることができ、また放電によるスパ
ッタを抑制することができるので、蛍光管に用いれば管
内壁の汚れによる寿命の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る電子放出用電極の第１の製造工
程を示す図。
【図２】イットリウム膜を水素雰囲気中で酸化した酸化
イットリウム膜の深さ方向の分析結果を示す図。
【図３】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜の
結晶格子が体心立方格子であった場合のＸ線回折図。
【図４】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜の
結晶格子が単純立方格子と体心立方格子とが混在したも
のであった場合のＸ線回折図。
【図５】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜の
結晶格子が体心立方格子であった場合のＸ線回折図。
【図６】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜の
光透過率と光反射率との測定結果を示す図。
【図７】大気中で酸化した酸化イットリウム膜の光透過
率と光反射率との測定結果を示す図。
【図８】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウムの光
エネルギーと光透過率との関係を示す図。
【図９】大気中で酸化した酸化イットリウムの光エネル
ギーと光透過率との関係を示す図。
【図１０】この発明を円筒型の冷陰極蛍光管に適用した
場合の概略構成を示す図。
【図１１】冷陰極蛍光管の電子放出用電極の材料の違い
による放電特性を示す図。
【図１２】この発明に係る電子放出用電極の第２の製造
工程を示す図。
【図１３】この発明に係る電子放出用電極の第３の製造
工程を示す図。
【図１４】この発明に係る電子放出用電極の第４の製造
工程を示す図。
【図１５】図１４の酸化工程後の状態における電子放出
用電極の構造を示す断面図、
【図１６】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜
の結晶格子が体心立方格子であった場合のＸ線回折図。
【図１７】図２４に示すＸ線回折パターンの一部の詳細
を示す図。
【図１８】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜
の結晶格子が単純立方格子と体心立方格子とが混在した
ものであった場合のＸ線回折図。
【図１９】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜
の結晶格子が単純立方格子となった場合のＸ線回折図。
【図２０】図１９に示すＸ線回折パターンの一部の詳細
を示す図。
【図２１】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜
の結晶格子が単純立方格子と面心立方格子とが混在した
ものであった場合のＸ線回折図。
【図２２】水素雰囲気中で酸化した酸化イットリウム膜
の結晶格子が面心立方格子であった場合のＸ線回折図。
【図２３】図２２に示すＸ線回折パターンの一部の詳細
を示す図。
【図２４】イットリウム膜の酸化速度を説明するために
示す図。
【図２５】この発明を平板型の冷陰極蛍光管に適用した
場合の概略構成を示す斜視図。
【図２６】この発明をＦＥＤに適用した場合の概略構成
を示す断面図。
【図２７】この発明を直流型のＰＤＰに適用した場合の
概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
１１ ガラス管 １２ 電子放出用電極 ５１ 電極基板 ５２ 下地膜 ５３ 電子放出膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−104430（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 1/30 H01J 31/12 H01J 61/06 H01J 17/06

Claims (31)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 結晶格子が単純立方格子、体心立方格子
    のうちの少なくとも１つを含み、強電界により電子を放
    出して放電を生じさせるためのＲ２Ｏ３型の酸化物（Ｒ
    は希土類元素のみで構成される原子または原子団、Ｏは
    酸素）からなる電子放出膜を有することを特徴とする電
    子放出用電極。
  2. 【請求項２】 前記電子放出膜は、その組成がＲ２Ｏ
    ３−ｚ（０≦Ｚ≦１．０）であることを特徴とする請求
    項１記載の電子放出用電極。
  3. 【請求項３】 前記電子放出膜は、その結晶格子が単純
    立方格子と体心立方格子とが混在していることを特徴と
    する請求項１または２記載の電子放出用電極。
  4. 【請求項４】 前記Ｒは希土類の１元素のみからなるこ
    とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子放
    出用電極。
  5. 【請求項５】 前記希土類の１元素はイットリウム
    （Ｙ）またはランタン（Ｌａ）であることを特徴とする
    請求項４記載の電子放出用電極。
  6. 【請求項６】 前記電子放出膜は電極の最表面に形成さ
    れていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記
    載の電子放出用電極。
  7. 【請求項７】 前記電子放出膜の下面に導電性の基板が
    設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
    かに記載の電子放出用電極。
  8. 【請求項８】 前記基板は、前記Ｒからなる層、ニッケ
    ル（Ｎｉ）からなる層、Ｎｉを含有する金属層のうち、
    少なくとも１つを有することを特徴とする請求項７記載
    の電子放出用電極。
  9. 【請求項９】 前記電子放出膜の膜厚は４５０００Å以
    下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記
    載の電子放出用電極。
  10. 【請求項１０】 前記電子放出膜の抵抗率は１０００Ω
    ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１〜９のいず
    れかに記載の電子放出用電極。
  11. 【請求項１１】 結晶格子が単純立方格子、体心立方格
    子のうち、少なくとも１つを含み、強電界により電子を
    放出して放電を生じさせるためのＲ２Ｏ３型の酸化物
    （Ｒは希土類元素のみで構成される原子または原子団、
    Ｏは酸素）からなる電子放出膜と、前記電子放出膜の下
    面に設けられた前記Ｒからなる下地膜と、前記下地膜の
    下面に設けられた導電性の基板と、を備えることを特徴
    とする電子放出用電極。
  12. 【請求項１２】 前記Ｒはイットリウム（Ｙ）またはラ
    ンタン（Ｌａ）であることを特徴とする請求項１１記載
    の電子放出用電極。
  13. 【請求項１３】 酸素あるいは酸素含有物を含み、且つ
    前記酸素あるいは酸素含有物の含有率が１体積％以下の
    水素雰囲気中で希土類膜を加熱し、前記希土類膜の希土
    類の酸化物からなる電子放出膜を形成することを特徴と
    する電子放出用電極の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記希土類膜は蒸着またはスパッタに
    より基板上に形成されることを特徴とする請求項１３記
    載の電子放出用電極の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記酸素含有物は水であることを特徴
    とする請求項１３または１４記載の電子放出用電極の製
    造方法。
  16. 【請求項１６】 前記希土類膜を水素雰囲気中で加熱し
    た後、脱水素処理を行うことを特徴とする請求項１３〜
    １５のいずれかに記載の電子放出用電極の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記脱水素処理は減圧下での加熱処理
    であることを特徴とする請求項１６記載の電子放出用電
    極の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記希土類膜はイットリウム（Ｙ）ま
    たはランタン（Ｌａ）であることを特徴とする請求項１
    ３〜１７のいずれかに記載の電子放出用電極の製造方
    法。
  19. 【請求項１９】 結晶格子が単純立方格子、体心立方格
    子のうちの少なくとも１つを含み、強電界により電子を
    放出して放電を生じさせるためのＲ２Ｏ３型の酸化物
    （Ｒは希土類元素のみで構成される原子または原子団、
    Ｏは酸素）からなる電子放出膜を有する電極を備えてい
    ることを特徴とする冷陰極蛍光管。
  20. 【請求項２０】 前記電子放出膜は、その結晶格子が単
    純立方格子と体心立方格子とが混在していることを特徴
    とする請求項１９記載の冷陰極蛍光管。
  21. 【請求項２１】 前記電子放出膜は、その組成がＲ２Ｏ
    ３−ｚ（０≦Ｚ≦１．０）であることを特徴とする請求
    項１９または２０記載の冷陰極蛍光管。
  22. 【請求項２２】 前記電極は円筒状の管内に配置されて
    いることを特徴とする請求項１９〜２１のいずれかに記
    載の冷陰極蛍光管。
  23. 【請求項２３】 前記電子放出膜の下面に導電性の基板
    が設けられていることを特徴とする請求項１９〜２２の
    いずれかに記載の冷陰極蛍光管。
  24. 【請求項２４】 前記基板は、前記Ｒからなる層、ニッ
    ケル（Ｎｉ）からなる層、ニッケル−クロム合金を含有
    する金属層のうち、少なくとも１つを有することを特徴
    とする請求項２３に記載の冷陰極蛍光管。
  25. 【請求項２５】 前記電子放出膜の膜厚は４５０００Å
    以下であることを特徴とする請求項１９〜２４のいずれ
    かに記載の冷陰極蛍光管。
  26. 【請求項２６】 前記電子放出膜の波長５００〜２５０
    ０ｎｍの範囲での最大光反射率は４０％以上であること
    を特徴とする請求項１９〜２５のいずれかに記載の冷陰
    極蛍光管。
  27. 【請求項２７】 前記電子放出膜の波長５００〜２５０
    ０ｎｍの範囲での光透過率は５０％以下であることを特
    徴とする請求項１９〜２６のいずれかに記載の冷陰極蛍
    光管。
  28. 【請求項２８】 前記電子放出膜の吸収端におけるエネ
    ルギーは５．５ｅＶ以下であることを特徴とする請求項
    １９〜２７のいずれかに記載の冷陰極蛍光管。
  29. 【請求項２９】 前記Ｒは希土類の１元素からなること
    を特徴とする請求項１９〜２８のいずれかに記載の冷陰
    極蛍光管。
  30. 【請求項３０】 前記希土類の１元素はイットリウム
    （Ｙ）またはランタン（Ｌａ）であることを特徴とする
    請求項２９記載の冷陰極蛍光管。
  31. 【請求項３１】 結晶格子が単純立方格子、体心立方格
    子のうちの少なくとも１つを含み、強電界により電子を
    放出するＲ２Ｏ３型の酸化物（Ｒは希土類元素のみで構
    成される原子または原子団、Ｏは酸素）からなる電子放
    出膜を有する電極を備えることを特徴とするプラズマデ
    ィスプレイ。
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US08/686,182 US5905334A (en) 1995-07-31 1996-07-23 Cold-cathode discharge device for emitting light
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US09/226,880 US5973449A (en) 1995-07-31 1999-01-07 Display device with specific electrode structure and composition
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7501764B2 (en) 2003-02-18 2009-03-10 Foundation For Advancement Of International Science Fluorescent lamp and method of manufacturing same

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29703990U1 (de) * 1997-03-05 1997-04-17 Thielen Marcus Dipl Phys Kalte Elektrode für Gasentladungen
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
US6033924A (en) * 1997-07-25 2000-03-07 Motorola, Inc. Method for fabricating a field emission device
US6091190A (en) * 1997-07-28 2000-07-18 Motorola, Inc. Field emission device
CN100517424C (zh) * 1997-08-21 2009-07-22 精工爱普生株式会社 显示装置
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
US6281626B1 (en) * 1998-03-24 2001-08-28 Casio Computer Co., Ltd. Cold emission electrode method of manufacturing the same and display device using the same
KR100327548B1 (ko) * 1999-07-12 2002-03-14 손상호 교류구동형 플라즈마 표시소자용 유전체 칼라필터 및 그 제조방법
US20030153233A1 (en) * 2001-01-29 2003-08-14 Yoshifumi Amano Front side glass substrate for display and display device
TWI286778B (en) * 2001-02-21 2007-09-11 Samsung Electronics Co Ltd Lamp, lamp assembly, liquid crystal display device using the same and method for assembling the liquid crystal display device
KR100749788B1 (ko) * 2001-03-12 2007-08-17 삼성전자주식회사 냉음극선관 램프 내부의 전자 흐름 제어 방법, 이를이용한 냉음극선관 방식 조명장치의 구동 방법, 이를구현하기 위한 냉음극선관 방식 조명장치 및 이를 적용한액정표시장치
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
SE523574C2 (sv) * 2001-12-11 2004-04-27 Lightlab Ab Anordning och metod för emission av ljus
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20050285501A1 (en) * 2002-07-01 2005-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Cathodoluminescent gas discharge display
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
JP4276005B2 (ja) * 2003-06-30 2009-06-10 株式会社 日立ディスプレイズ 冷陰極蛍光管及びこの冷陰極蛍光管を用いた液晶表示装置
SE0400156D0 (sv) * 2004-01-29 2004-01-29 Lightlab Ab An anode in a field emission light source and a field emission light source comprising the anode
US7595583B2 (en) * 2004-02-25 2009-09-29 Panasonic Corporation Cold-cathode fluorescent lamp and backlight unit
KR100647601B1 (ko) * 2004-04-09 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20050225245A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Seung-Beom Seo Plasma display panel
JP3935478B2 (ja) * 2004-06-17 2007-06-20 キヤノン株式会社 電子放出素子の製造方法およびそれを用いた電子源並びに画像表示装置の製造方法および該画像表示装置を用いた情報表示再生装置
KR20060104108A (ko) * 2005-03-29 2006-10-09 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 구동방법
KR100637245B1 (ko) * 2005-08-29 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 직류형 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법
KR100659100B1 (ko) * 2005-10-12 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치와 이의 제조 방법
KR20080073375A (ko) * 2005-10-26 2008-08-08 엔이씨 라이팅 가부시키가이샤 전극, 전극의 제조 방법, 및 냉음극 형광 램프
US7633226B2 (en) 2005-11-30 2009-12-15 General Electric Company Electrode materials for electric lamps and methods of manufacture thereof
JP4464951B2 (ja) * 2006-11-24 2010-05-19 住友電気工業株式会社 冷陰極蛍光ランプ用電極部材
WO2019026818A1 (ja) * 2017-07-31 2019-02-07 株式会社 東芝 部品および半導体製造装置
TWI714965B (zh) * 2018-02-15 2021-01-01 日商京瓷股份有限公司 電漿處理裝置用構件及具備其之電漿處理裝置
CN112908822B (zh) * 2019-12-04 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 形成耐等离子体涂层的方法、零部件和等离子体处理装置
JP2024001910A (ja) * 2022-06-23 2024-01-11 国立研究開発法人物質・材料研究機構 エミッタ、その製造方法、それを用いた電子銃、および、それを用いた電子機器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE199073C (ja) *
FR416923A (fr) * 1910-06-09 1910-11-02 Banque Du Radium Électrodes en terres rares pour tubes de geissler
GB182817A (en) * 1921-07-11 1923-08-09 Drahtlose Telegraphie Gmbh Improvements in the cathodes of electric discharge tubes
CH485320A (de) * 1968-01-30 1970-01-31 Remmele Wilfred Elektrische Flächenleuchte und Verfahren zu deren Herstellung
US3986074A (en) * 1972-02-28 1976-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Luminous radiation panel apparatus
JPS5367972A (en) * 1976-11-30 1978-06-16 Mitsubishi Electric Corp Electrode for elctric discharge lamp
JPS563960A (en) * 1979-06-22 1981-01-16 Mitsubishi Electric Corp Electrode for discharge lamp
JPS5641666A (en) * 1979-09-13 1981-04-18 Mitsubishi Electric Corp Electrode for discharge lamp
JPS6030065B2 (ja) * 1980-03-25 1985-07-13 三菱電機株式会社 金属蒸気放電灯
GB2079036A (en) * 1980-06-20 1982-01-13 Gen Electric Electron emitting coating in metal halide arc lamp
JPS5761238A (en) * 1980-09-30 1982-04-13 Mitsubishi Electric Corp Electron emission substance and production
DE3373591D1 (en) * 1982-12-30 1987-10-15 Philips Nv High-pressure sodium discharge lamp
JPS60264039A (ja) * 1984-06-11 1985-12-27 Nec Home Electronics Ltd 冷陰極放電灯
JPS61148760A (ja) * 1984-12-24 1986-07-07 Mitsubishi Electric Corp 平板状光源
JP2718144B2 (ja) * 1989-02-21 1998-02-25 松下電器産業株式会社 電界放出型冷陰極
US5111108A (en) * 1990-12-14 1992-05-05 Gte Products Corporation Vapor discharge device with electron emissive material
JPH07114107B2 (ja) * 1992-01-13 1995-12-06 岡谷電機産業株式会社 透明冷陰極及びその製造方法並びに冷陰極放電管
JP3252516B2 (ja) * 1993-02-10 2002-02-04 双葉電子工業株式会社 電界放出素子及びその製造方法
US5584739A (en) * 1993-02-10 1996-12-17 Futaba Denshi Kogyo K.K Field emission element and process for manufacturing same
DE4409832A1 (de) * 1993-04-02 1994-10-06 Okaya Electric Industry Co Anzeigevorrichtung vom Gasentladungstyp und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5495143A (en) * 1993-08-12 1996-02-27 Science Applications International Corporation Gas discharge device having a field emitter array with microscopic emitter elements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7501764B2 (en) 2003-02-18 2009-03-10 Foundation For Advancement Of International Science Fluorescent lamp and method of manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
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DE69608403T2 (de) 2000-09-14
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