WO2010001709A1 - 炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法 - Google Patents

炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法 Download PDF

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single crystal
carbide single
seed crystal
crystal
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小柳　直樹
久雄 小古井
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昭和電工株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal and a manufacturing method thereof, and a silicon carbide single crystal and a manufacturing method thereof.
  • This application claims the priority based on Japanese Patent Application No. 2008-176255 for which it applied to Japan on July 4, 2008, and uses the content here.
  • Silicon carbide is a material with high thermal conductivity. In general, it is physically and chemically stable, has excellent heat resistance and mechanical strength, and has high radiation resistance. For this reason, silicon carbide is used as a material for rectifiers and switching elements with high breakdown voltage and low loss. Silicon carbide has a wide energy band gap (forbidden band width). In particular, 4H-type silicon carbide single crystal has a forbidden band width of about 3 eV at room temperature. Due to the above characteristics, silicon carbide can be used as a material for environment-resistant elements and radiation-resistant elements that can be used even at high temperatures.
  • a sublimation method is generally used in which a silicon carbide powder as a raw material is sublimated at a high temperature (see, for example, Patent Document 1).
  • the silicon carbide raw material powder is filled in an inert gas atmosphere, the crucible on which the seed crystal substrate made of silicon carbide is placed is decompressed, and the entire apparatus is heated to 1800-2400 ° C.
  • the temperature rises to Gas (sublimation chemical species) generated by decomposition and sublimation of the silicon carbide powder by heating reaches the substrate surface of the seed crystal held in the growth temperature range, and grows epitaxially as a single crystal.
  • Gas sublimation chemical species
  • the raw material silicon carbide is maintained at a high temperature exceeding 2000 ° C. to generate gases (sublimation chemical species) such as Si, Si 2 C, SiC 2 , and SiC, while the temperature in the crucible is higher than the temperature of the raw silicon carbide.
  • gases such as Si, Si 2 C, SiC 2 , and SiC
  • a seed crystal is arranged at a position where the temperature is as low as about 50 to 200 ° C. Thereby, these gases (sublimation chemical species) are deposited on the seed crystal made of silicon carbide to grow a silicon carbide single crystal.
  • a part of the seed crystal made of silicon carbide may be locally held at a high temperature of about 2000 ° C. or more, and the part is sublimated to generate sublimation gas, which is a cavity in the crystal such as a micropipe. May cause defects.
  • the seed crystal made of silicon carbide is usually attached to a member made of graphite or the like with an adhesive or the like. However, at a high temperature close to 2000 ° C., the adhesive between the graphite and the seed crystal is vaporized to cause impurity gas or the like. generate. In connection with this impurity gas, a sublimation gas is generated in the seed crystal, which may cause a cavity defect in the crystal such as a micropipe.
  • Patent Document 1 relates to a method for producing a single crystal and a seed crystal. By covering the surface other than the surface on which the single crystal grows with a carbon layer (protective film) or the like, the local temperature gradient is eased. In other words, it is disclosed that the quality of a grown crystal is improved by suppressing recrystallization.
  • Patent Document 1 also discloses that the protective film is formed of a metal film such as tantalum. However, when such a metal film is exposed to a high temperature environment between graphite and a seed crystal, the result is as follows.
  • Patent Document 1 discloses that the protective film is formed of a metal carbide (metal compound) such as tantalum.
  • metal carbide metal compound
  • the metal compound has a large thermal expansion difference from graphite, Then, the thermal stress resulting from this will generate
  • Patent Document 2 relates to a seed crystal for silicon carbide single crystal growth, a silicon carbide single crystal ingot, and a method for producing them, and an organic thin film having a thickness within a predetermined range is formed on the back surface of the seed crystal growth surface.
  • a protective film is obtained by carbonizing an organic thin film
  • the organic thin film is carbonized to decompose itself and decompose hydrocarbons such as methane and ethylene. Generates product gas.
  • This decomposition product gas makes the protective film porous and reduces gas barrier properties. Thereby, the effect which suppresses sublimation of a seed crystal falls.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and suppresses crystal defects generated from the interface between the seed crystal and graphite, and produces a high-quality silicon carbide single crystal with good reproducibility and low crystal defect density. It is an object to provide a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal.
  • the present inventors have found that when carbonizing a silicon carbide or hydrocarbon film (carbonization step), a decomposition product gas is generated by carbonization. As a result, it has been found that the carbon film becomes porous and the air permeability becomes high, thereby reducing the gas barrier property. Based on this, by using the carbonization process as described above, by forming a dense carbon film having a low air permeability on the back surface of the seed crystal directly on the surface of the silicon carbide substrate with high adhesion strength, The inventors came up with a configuration that suppresses the generation of crystal defects. That is, in order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration. That is,
  • Silicon carbide single crystal growth seed crystal attached to a graphite crucible lid filled with silicon carbide raw material powder, one surface of which is a growth surface on which a silicon carbide single crystal is grown by a sublimation method And a carbon film formed on the surface opposite to the growth surface of the seed crystal, and the film density of the carbon film is 1.2 to 3.3 g / cm 3.
  • a method for producing a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal comprising a carbon film forming step of forming a carbon film of 1.2 to 3.3 g / cm 3 .
  • (6) The method for producing a seed crystal for silicon carbide single crystal growth according to (5), wherein the carbon film is formed by any one of a sputtering method, an ion beam method, and a plasma CVD method.
  • a silicon carbide single crystal growth seed crystal according to any one of (1) to (4) is attached to a graphite crucible lid filled with silicon carbide raw material powder, and the graphite crucible is heated.
  • a method for producing a silicon carbide single crystal wherein the silicon carbide raw material powder is sublimated to grow a silicon carbide single crystal on a seed crystal for silicon carbide single crystal growth.
  • (11) A silicon carbide single crystal formed using the method for producing a silicon carbide single crystal according to (10), and having a micropipe density of 10 pieces / cm 2 or less.
  • a silicon carbide single crystal growth capable of producing a high-quality silicon carbide single crystal with a low reproducibility and a low crystal defect density by suppressing crystal defects generated from the interface between the seed crystal and graphite. Seed crystals can be provided.
  • the seed crystal for growing a silicon carbide single crystal of the present invention includes a seed crystal made of silicon carbide, one surface of which is a growth surface on which a silicon carbide single crystal is grown by a sublimation method, and a surface opposite to the growth surface of the seed crystal. Since the carbon film has a density of 1.2 to 3.3 g / cm 3 , the strength of the carbon film can be increased and a sufficiently hard film can be obtained. At the same time, the film can be made dense and excellent in gas barrier properties.
  • the carbon film is preferably an amorphous carbon film having excellent gas barrier properties and high adhesion to silicon carbide. There are amorphous carbon films called DLC (diamond-like carbon) and glassy carbon depending on the bonding state of carbon.
  • the method for producing a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal according to the present invention is a structure in which a carbon film is formed by any one of a sputtering method, an ion beam method, and a plasma CVD method.
  • a carbon film is formed by any one of a sputtering method, an ion beam method, and a plasma CVD method.
  • a method for producing a silicon carbide single crystal according to the present invention comprises attaching the seed crystal for growing a silicon carbide single crystal according to any one of claims 1 to 4 to a graphite crucible lid filled with a silicon carbide raw material powder, The graphite carbide crucible is heated to sublimate the silicon carbide raw material powder, and the silicon carbide single crystal is grown on the silicon carbide single crystal growth seed crystal. Therefore, it is excellent in uniformity, denseness, and gas barrier properties. Forms a carbon film with excellent silicon carbide and high adhesion, suppresses crystal defects generated from the interface between the seed crystal and graphite, and produces high-quality silicon carbide single crystals with good reproducibility and low crystal defect density be able to.
  • the method for producing a silicon carbide single crystal of the present invention is formed using the above-described method for producing a silicon carbide single crystal and has a micropipe density of 10 pieces / cm 2 or less.
  • High quality silicon carbide with excellent gas barrier properties and high adhesion to silicon carbide to suppress crystal defects generated from the interface between the seed crystal and graphite, with good reproducibility and low crystal defect density Single crystals can be produced.
  • FIG. 1 It is sectional drawing which shows an example of the crystal growth apparatus provided with the seed crystal for silicon carbide single crystal growth of this invention. It is the elements on larger scale of the part which attached the seed crystal for silicon carbide single crystal growth of this invention to the graphite crucible.
  • 2 is a cross-sectional photograph showing a boundary portion between a seed crystal and a silicon carbide single crystal, wherein (a) is a case where a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal of the present invention in which a carbon film is formed is used; ) Shows a case where a seed crystal made of silicon carbide that does not form a carbon film is used. It is a cross-sectional photograph at the time of using the seed crystal for silicon carbide single crystal growth of this invention which formed the carbon film.
  • FIG. 1 is a view for explaining an example of a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal according to an embodiment of the present invention, in which a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal according to an embodiment of the present invention is arranged. It is the cross-sectional schematic diagram which showed an example of the growth apparatus.
  • the crystal growth apparatus 100 is generally configured by disposing a graphite crucible 6 covered with a heat insulating material 2 inside a vacuum vessel 1, and includes a lid 22 and a main body 21.
  • a seed crystal 13 for growing a silicon carbide single crystal according to an embodiment of the present invention is joined to one surface 10a of the protruding portion 10 of the lid 22 of the graphite crucible 6.
  • a material of the vacuum vessel 1 it is preferable to use a material capable of maintaining a high vacuum, and examples thereof include quartz and stainless steel. Further, as the material for the graphite crucible 6 and the heat insulating material 2, it is preferable to use a material that is stable at high temperatures and generates little impurity gas, and examples thereof include a carbon material that has been subjected to a purification treatment with a halogen gas. .
  • the graphite crucible 6 includes a lid 22 and a main body portion 21, and includes a hollow portion 20 inside the main body portion 21.
  • a silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 is fixed to the upper part of cavity portion 20.
  • a sufficient amount of silicon carbide raw material powder 5 for filling a silicon carbide single crystal on crystal seed crystal 13 for silicon carbide single crystal growth is filled in the lower part of cavity 20.
  • Cavity portion 20 includes a sufficient amount of silicon carbide raw material 5 in the lower part of the interior, and secures a space necessary for crystal growth of the silicon carbide single crystal in the upper part of the interior. Therefore, the silicon carbide single crystal can be grown on the growth surface 4a of the silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 toward the inner bottom surface 20b by the sublimation method.
  • a heating coil 3 is wound around the vacuum vessel 1.
  • the vacuum container 1 is configured such that air is exhausted through a vacuum pump (not shown) connected to the discharge pipe 8 so that the inside of the vacuum container 1 can be decompressed.
  • an arbitrary gas can be supplied into the vacuum vessel 1 from the introduction pipe 7.
  • a high-purity argon (Ar) gas is supplied from the introduction pipe 7 to the inside of the vacuum vessel 1 and the reduced pressure state is set again, whereby a vacuum is obtained.
  • the inside of the container 1 can be in a reduced pressure state of an argon (Ar) atmosphere.
  • a heating coil 3 is installed outside the graphite crucible 6 so as to surround the graphite crucible 6.
  • the heating coil 3 is a high-frequency heating coil, and can generate a high frequency by passing an electric current to heat the vacuum vessel 1 to a temperature of, for example, 1900 ° C. or higher.
  • the graphite crucible 6 installed in the center of the interior of the vacuum vessel 1 is heated, and the silicon carbide raw material powder 5 in the graphite crucible 6 is heated to generate sublimation gas from the silicon carbide raw material powder 5.
  • a resistance heating type coil may be used.
  • a protrusion 10 is provided on one surface of the lid 22.
  • the protruding portion 10 is a columnar protruding portion protruding from the lid 22 toward the inner bottom surface 20 b side.
  • Protruding portion 10 has one surface 10a for disposing silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 on the inner bottom surface 20b side.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of the arrangement of the seed crystal for growing a silicon carbide single crystal according to the embodiment of the present invention.
  • seed crystal 13 for silicon carbide single crystal growth includes seed crystal 4 made of silicon carbide and carbon film 12, and one surface of seed crystal 4 made of silicon carbide grows a silicon carbide single crystal.
  • the carbon film 12 is formed on the surface 4b opposite to the growth surface.
  • the surface 12 b opposite to the seed crystal 4 made of silicon carbide of the carbon film 12 is a bonding surface 12 b that is bonded to the one surface 10 a of the protruding portion 10 made of a graphite member by the adhesive 11.
  • seed crystal 4 made of silicon carbide a single crystal made of silicon carbide (silicon carbide single crystal) is used.
  • silicon carbide single crystal a cylindrical silicon carbide single crystal made by the Atchison method, Rayleigh method, sublimation method or the like is cut into a disk shape with a thickness of about 0.3 to 2 mm in the short direction. The one obtained by polishing the cut surface is used.
  • the final finish of the seed crystal 4 for growing silicon carbide single crystal it is desirable to perform sacrificial oxidation, reactive ion etching, chemical mechanical polishing, etc. in order to remove polishing damage after this polishing. Further, thereafter, the surface of the seed crystal 4 made of silicon carbide is cleaned using an organic solvent, an acidic solution, an alkaline solution, or the like.
  • a carbon film 12 is formed on the bonding surface 4b of the seed crystal 4 made of silicon carbide.
  • the carbon film 12 is preferably an amorphous film. Thereby, it can be set as the film
  • the amorphous carbon film 12 include a glassy carbon or diamond-like carbon film. Either film is a carbon film having excellent uniformity, denseness, excellent gas barrier properties, and high adhesion to silicon carbide.
  • the film density of the carbon film is preferably 1.2 to 3.3 g / cm 3 and more preferably 1.8 to 2.5 g / cm 3 . Thereby, the strength of the carbon film can be increased and a sufficiently hard film can be obtained, and a dense and excellent gas barrier property can be obtained.
  • the film density of the carbon film is less than 1.2 g / cm 3 , the denseness is insufficient and the gas barrier property is also inferior.
  • the film density of the carbon film exceeds 3.3 g / cm 3 , the strength of the carbon film becomes insufficient. For example, when heated, there is a problem in that the silicon carbide crystal and the carbon film are easily separated. Is not preferable.
  • the film density of the carbon film 12 can be adjusted by adjusting the gas atmosphere pressure during film formation. Furthermore, the film density of the carbon film 12 can be measured using an X-ray reflectivity measurement method.
  • the film thickness of the carbon film 12 is not particularly limited as long as it can suppress sublimation of the seed crystal 4 made of silicon carbide, but is preferably 0.1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and preferably 0.1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. More preferred. If the film thickness of the carbon film 12 is too thin, it may not be possible to suppress sublimation of the seed crystal 4 made of silicon carbide. For example, when the film thickness of the carbon film 12 is less than 0.1 ⁇ m, it is difficult to obtain a uniform film over the entire other surface 4b of the seed crystal 4 made of silicon carbide. In some cases, the seed crystal 4 made of sublimates.
  • the film thickness of the carbon film 12 exceeds 100 ⁇ m, the film forming speed is slow, and thus the productivity is extremely deteriorated.
  • the film thickness of the carbon film 12 By limiting the film thickness of the carbon film 12 to 0.1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, it is possible to suppress the sublimation of the seed crystal 4 made of silicon carbide and to keep the strength and adhesion strength of the carbon film 12 more stably and high. it can.
  • the manufacturing method of the seed crystal for silicon carbide single crystal growth which is embodiment of this invention is demonstrated.
  • the film density is 1.2-3. 3 on the other surface 4b of the seed crystal 4 made of silicon carbide by physical vapor deposition or chemical vapor deposition.
  • the amorphous carbon film 12 is a hard film, it maintains high adhesion so that no peeling occurs between the seed crystal 4 made of silicon carbide and the carbon film 12 in a high temperature environment of about 2000 ° C. or more. In addition, it is necessary to increase the adhesion strength of the carbon film 12 to the seed crystal 4 made of silicon carbide to form the carbon film 12.
  • Examples of a method for forming such a carbon film 12 include physical vapor deposition (PVD) such as sputtering, ion beam, laser ablation, ion plating, and electron beam vapor deposition, and microwave CVD.
  • PVD physical vapor deposition
  • Chemical vapor deposition (CVD) such as RF plasma CVD, DC plasma CVD, and hot filament CVD can be used.
  • the sputtering method is more preferable because the surface treatment prior to fabrication by reverse sputtering for improving film quality, cost, and adhesion strength is easy to perform.
  • the sputtering method is suitable for forming the carbon film 12 made of glassy carbon.
  • an ion beam method or a plasma CVD method is suitable.
  • Reverse sputtering refers to sputtering by reversing the magnitude of the voltage applied to the target-side electrode and the substrate-side electrode in a normal sputtering method.
  • the inert gas ionized by the high voltage application can collide with a board
  • the reverse sputtering is preferably performed using an inert gas such as Ar (argon) gas to which hydrogen gas or oxygen gas is added.
  • an inert gas such as Ar (argon) gas
  • the reverse sputtering conditions are, for example, temperature; 90 to 120 ° C., Ar gas pressure (Ar gas atmosphere pressure); 0.5 Pa, Power; 40 to 60 kW.
  • the hydrogen gas or the oxygen gas has a concentration of 10% or more with respect to the inert gas.
  • the concentration is 10% or more with respect to Ar (argon) gas. If it is less than 10%, the effect of improving the adhesion between the carbon film 12 and the seed crystal 4 made of silicon carbide is small, and the effect of suppressing the generation of crystal defects cannot be exhibited.
  • the carbon film 12 having a film density of 1.2 to 3.3 g / cm 3 is formed on the other surface 4b of the seed crystal 4 made of silicon carbide.
  • the gas barrier property can be improved.
  • a method for manufacturing a silicon carbide single crystal according to an embodiment of the present invention includes a seed crystal attachment step and a crystal growth step.
  • the seed crystal attaching step is a graphite crucible comprising a silicon carbide single crystal growth seed crystal according to an embodiment of the present invention, a main body container having a cavity portion communicated with an opening portion, and a lid of the opening portion. It is the process of attaching to the said lid
  • An adhesive 11 is applied to the bonding surface 12b of the carbon film 12 formed on the surface 4b opposite to the growth surface of the seed crystal 4 made of silicon carbide, and is attached to the protruding portion 10 made of a graphite member.
  • a seed crystal 13 for crystal growth is attached to the lid 22.
  • the growth surface 4 a of the silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 faces the opening 22 so that the surface 5 b on the opening side of the silicon carbide raw material powder 5 faces the lid 22.
  • the (0001) Si plane or the (000-1) C plane is used as the growth plane 4a for crystal growth of the silicon carbide single crystal by the sublimation method.
  • the growth plane (crystal plane) 4a is about 30 ° from ⁇ 0001 ⁇ . There is no problem even if it is inclined to the surface.
  • the adhesive 11 As the adhesive 11, a known and generally used one can be used, and examples thereof include a phenolic resin.
  • the adhesive 11 is pyrolyzed and carbonized by heating during crystal growth to form a porous carbon layer. At this time, the sublimation gas generated on the back surface of the silicon carbide that is the seed crystal 4 escapes from the porous carbon layer, and various large and small cavities are formed from the back surface side of the seed crystal.
  • the carbon film 12 even if the adhesive 11 is changed to the porous carbon layer, the carbon film 12 having excellent gas barrier properties blocks the sublimation gas from the seed crystal, and the seed crystal 4 made of silicon carbide. There is no formation of cavities. Therefore, no intracavity defects such as micropipes are generated in the silicon carbide single crystal.
  • the crystal growth step uses the sublimation gas generated from the silicon carbide raw material powder by heating the graphite crucible after filling the cavity with the silicon carbide raw material powder and covering the opening with the lid. In this step, the silicon carbide single crystal is grown on the silicon carbide single crystal growth seed crystal.
  • the silicon carbide raw material powder 5 is filled on the inner bottom surface 20 b side of the cavity portion 20.
  • the surface 5b on the opening side of the silicon carbide raw material powder 5 faces the growth surface 4a of the seed crystal 13 for silicon carbide single crystal growth attached to the lid 22 when the main body 21 is covered with the lid 22.
  • the lid 22 to which the seed crystal 4 made of silicon carbide is attached is attached to the main body portion 21 so that the silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 is inserted into the cavity portion 20. Put the lid on.
  • the heat insulating material 2 is wound so as to cover the entire graphite crucible 6 including the lid 22 to which the silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 is attached and the main body portion 21 to which the lid 22 is attached. At this time, the holes 2c and 2d are formed so that the lower surface and a part of the upper surface of the graphite crucible 6 are exposed.
  • the heat insulating material 2 is for maintaining the graphite crucible 6 stably in a high temperature state, and for example, a carbon fiber material can be used. If the graphite crucible 6 can be stably maintained at a high temperature to the extent that it is necessary, the heat insulating material 2 may not be attached.
  • the graphite crucible 6 around which the heat insulating material 2 is wound is placed on the support rod 30 at the center inside the vacuum vessel 1.
  • the support bar 30 has a cylindrical shape, and the hole 30 c of the support bar 30 is aligned with the hole 2 c provided in the heat insulating material 2.
  • the temperature of the lower surface of the graphite crucible 6 is observed through the hole 30c of the support rod 30 and the lower hole 2c of the heat insulating material 2 by the radiation thermometer 9 arranged under the vacuum vessel 1. It can be configured.
  • the temperature of the upper surface of the graphite crucible 6 can be observed through another hole 2 d on the upper side of the heat insulating material 2 by another radiation thermometer 9 disposed on the vacuum vessel 1.
  • gas exchange inside the vacuum vessel 1 is performed.
  • a vacuum pump (not shown) connected to the discharge pipe 8
  • the air inside the vacuum vessel 1 is exhausted to a reduced pressure state of, for example, 4 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • a turbo molecular pump can be used as the vacuum pump.
  • high-purity Ar gas is sufficiently introduced into the vacuum vessel 1 from the introduction tube 7 to make the inside of the vacuum vessel 1 an environment of 9.3 ⁇ 10 4 Pa in an Ar atmosphere.
  • the vacuum vessel 1 is gradually heated by the heating coil 3 while the inside of the vacuum vessel 1 is maintained in an environment of 9.3 ⁇ 10 4 Pa in an Ar atmosphere, and the temperature inside the vacuum vessel 1 is set to room temperature. To about 1800 ° C. Thereafter, the temperature of the silicon carbide raw material powder 5 in the graphite crucible 6 is set to 2000 ° C. to 2400 ° C. which is a sublimation temperature, and crystal growth of the silicon carbide single crystal is started. In this state, for example, by holding for about 50 hours, a silicon carbide single crystal can be grown by gradually depositing a sublimation gas such as Si, Si 2 C, SiC 2 , or SiC on the growth surface 4a. .
  • a sublimation gas such as Si, Si 2 C, SiC 2 , or SiC
  • the temperature of the growth surface 4a of the silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 is adjusted to be 50 ° C. to 200 ° C. lower than the temperature of the silicon carbide raw material 5, that is, 1800 to 2350 ° C. Thereby, sublimation of seed crystal 4 made of silicon carbide can be suppressed.
  • Heating with a temperature gradient that raises the temperature below the upper portion of the graphite crucible 6 in this way is adjusted by adjusting the position, winding method, and number of turns of the heating coil 3.
  • the vacuum vessel 1 is cooled to room temperature, and the silicon carbide single crystal is taken out.
  • the silicon carbide single crystal is taken out.
  • intracavity defects such as micropipes and plate-like cavity defects such as micropipes generated from the interface between the seed crystal and graphite.
  • a high-quality silicon carbide single crystal having a low crystal defect density can be produced.
  • a silicon carbide single crystal having a micropipe density of 10 pieces / cm 2 or less can be produced.
  • a silicon carbide single crystal with controlled electrical conductivity can be formed by adding impurities such as nitrogen and aluminum as necessary.
  • a seed crystal 13 for growing a silicon carbide single crystal includes a seed crystal 4 made of silicon carbide having one surface as a growth surface 4a on which a silicon carbide single crystal is grown by a sublimation method, and growth of the seed crystal 4.
  • the carbon film 12 is formed on the surface 4b opposite to the surface, and the carbon film 12 has a film density of 1.2 to 3.3 g / cm 3.
  • the film can be a hard film, and can be a dense film having excellent gas barrier properties and high adhesion. Thereby, a crystal defect generated from the interface between the seed crystal and graphite can be suppressed, and a high-quality silicon carbide single crystal having a low crystal defect density can be manufactured with good reproducibility.
  • the seed crystal 13 for growing a silicon carbide single crystal according to the embodiment of the present invention has a configuration in which the carbon film 12 is an amorphous film. Therefore, the carbon film 12 is excellent in uniformity, dense, excellent in gas barrier properties, and adhesive. High film. Thereby, a crystal defect generated from the interface between the seed crystal and graphite can be suppressed, and a high-quality silicon carbide single crystal having a low crystal defect density can be manufactured with good reproducibility.
  • the silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 has a structure in which the thickness of the carbon film 12 is 0.1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, it can suppress sublimation of the seed crystal 4 made of silicon carbide. it can. Thereby, a crystal defect generated from the interface between the seed crystal and graphite can be suppressed, and a high-quality silicon carbide single crystal having a low crystal defect density can be manufactured with good reproducibility.
  • the silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 has a configuration in which the thickness of the carbon film 12 is 0.1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, it suppresses sublimation of the seed crystal 4 made of silicon carbide, The strength and adhesion strength of the carbon film 12 can be kept more stable and high. Thereby, a crystal defect generated from the interface between the seed crystal and graphite can be suppressed, and a high-quality silicon carbide single crystal having a low crystal defect density can be manufactured with good reproducibility.
  • a film density of 1.2 to 3.3 is formed on one surface 4b of the seed crystal 4 made of silicon carbide by physical vapor deposition or chemical vapor deposition. Since it has a carbon film forming step for forming a carbon film 12 of 3 g / cm 3, the carbon film 12 having excellent uniformity, denseness, gas barrier properties and high adhesion is formed, and the seed crystal and graphite are formed. Crystal defects generated from the interface can be suppressed, and a high-quality silicon carbide single crystal having a low crystal defect density can be manufactured with good reproducibility.
  • the method for producing the seed crystal 13 for growing a silicon carbide single crystal according to the embodiment of the present invention has a configuration in which the carbon film 12 is formed by any one of a sputtering method, an ion beam method, and a plasma CVD method.
  • a dense carbon film 12 having excellent gas barrier properties and high adhesion is formed to suppress crystal defects generated from the interface between the seed crystal and graphite, and a high quality silicon carbide single crystal with a low reproducibility and low crystal defect density. Crystals can be produced.
  • the manufacturing method of the seed crystal 13 for growing a silicon carbide single crystal according to the embodiment of the present invention is a structure in which reverse sputtering is performed before the sputtering method.
  • the method for manufacturing the seed crystal 13 for growing a silicon carbide single crystal according to the embodiment of the present invention has a configuration in which reverse sputtering is performed using an inert gas to which hydrogen gas or oxygen gas is added.
  • the carbon film 12 having excellent gas barrier properties and high adhesion is formed to suppress crystal defects generated from the interface between the seed crystal and graphite, and a high-quality silicon carbide single crystal with low reproducibility and low crystal defect density is formed. Can be manufactured.
  • the method for manufacturing the seed crystal 13 for growing a silicon carbide single crystal according to the embodiment of the present invention is configured so that the hydrogen gas or the oxygen gas has a concentration of 10% or more with respect to the inert gas.
  • the carbon film 12 is excellent, dense, excellent in gas barrier properties and high in adhesion, suppresses crystal defects generated from the interface between the seed crystal and graphite, has high reproducibility, and high quality carbonization with low crystal defect density.
  • a silicon single crystal can be produced.
  • the silicon carbide single crystal growth seed crystal 13 described above is attached to the lid 22 of the graphite crucible 6 filled with the silicon carbide raw material powder 5.
  • the graphite crucible 6 Since the graphite crucible 6 is heated to sublimate the silicon carbide raw material powder 5 and the silicon carbide single crystal is grown on the seed crystal 13 for silicon carbide single crystal growth, it is excellent in uniformity, dense, and gas barrier.
  • the carbon film 12 having excellent properties and high adhesion is formed to suppress a crystal defect generated from the interface between the seed crystal and graphite, and a high-quality silicon carbide single crystal having a low crystal defect density and a high reproducibility is manufactured. be able to.
  • the method for manufacturing a silicon carbide single crystal according to an embodiment of the present invention is formed using the above-described method for manufacturing a silicon carbide single crystal, and has a micropipe density of 10 pieces / cm 2 or less.
  • the carbon film 12 is excellent and dense, has excellent gas barrier properties and high adhesion, suppresses crystal defects generated from the interface between the seed crystal and graphite, and has high reproducibility and low crystal defect density.
  • a silicon carbide single crystal can be produced.
  • the present invention will be specifically described based on examples. However, the present invention is not limited only to these examples.
  • Example 1 First, a silicon carbide seed crystal substrate made of 4H-silicon carbide single crystal having a substrate area of about 1.5 cm 2 and a thickness of 0.3 mm was prepared, and this was added with a sulfuric acid-hydrogen peroxide mixed solution at 110 ° C. for 10 minutes. Washing with pure water for 5 minutes, washing with ammonia-hydrogen peroxide mixed solution for 10 minutes, washing with running ultrapure water for 5 minutes, washing with hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixed solution for 10 minutes, washing with running ultrapure water 5 And further washed with HF solution. Then, after oxidizing the surface at 1200 ° C., HF cleaning was performed again.
  • a carbon film was formed on the (000-1) plane of the seed crystal substrate to form a silicon carbide single crystal growth seed crystal.
  • a direct current discharge sputtering method was used as a method for forming the carbon film.
  • a film was formed by sputtering for 70 minutes under conditions of an input power of 1.25 kW, a target substrate distance of 110 mm, and a substrate temperature of 100 ° C. in an argon atmosphere of 5 Pa.
  • the film thickness of the carbon film was measured with a stylus type surface roughness meter (manufactured by ULVAC, Inc.), it was 0.5 ⁇ m. Moreover, it was 1.8 g / cm ⁇ 3 > when the film density was measured using the X-ray reflectivity method.
  • the seed crystal substrate seed crystal for silicon carbide single crystal growth
  • this carbon film was judged to be amorphous.
  • the main body of a graphite crucible having an inner diameter of 50 mm and a depth of 95 mm was filled with silicon carbide raw material powder (Showa Denko, # 240) to a depth of 60 mm.
  • silicon carbide raw material powder Showa Denko, # 240
  • the lid of the graphite crucible to which the silicon carbide single crystal growth seed crystal was attached using an adhesive was placed so as to close the opening of the main body of the graphite crucible.
  • the entire graphite crucible was wrapped with a carbon fiber heat insulating material.
  • a graphite crucible wrapped with a carbon fiber heat insulating material was set inside a vacuum vessel in a high-frequency heating furnace.
  • the inside of the vacuum vessel is depressurized to 4 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa and then filled with argon gas (inert gas) from the introduction tube to normal pressure. did. Thereafter, the pressure in the discharge tube is reduced to 4 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa again, the air inside the reaction vessel is exhausted, and the operation of filling the argon gas from the introduction tube is performed again, and the inside of the reaction vessel is filled with an argon gas atmosphere. It was set to 9.3 ⁇ 10 4 Pa.
  • FIG. 3A is a photomicrograph showing the cut surface, and shows a boundary portion between the seed crystal and the silicon carbide single crystal. As shown in FIG. 3A, almost no cavity defects occurred in the silicon carbide single crystal.
  • FIG. 3B is a photomicrograph showing the cut surface, and shows a boundary portion between the graphite lid, the seed crystal, and the silicon carbide single crystal. As shown in FIG. 3B, a large number of cavity defects were generated in the seed crystal, and a plurality of elongated cavity pipe defects such as micropipes were formed in the silicon carbide single crystal. These cavity defects and intracavity defects such as micropipes continued continuously and extended from the interface between the seed crystal and the graphite lid.
  • Example 1 and Comparative Example 1 are compared, and by providing the carbon film of the present invention at the interface between the seed crystal and graphite, cavity defects in the seed crystal are suppressed, and furthermore, the cavity in the silicon carbide single crystal It was confirmed that the shape defects can be suppressed.
  • Example 2 Silicon carbide single crystal having a carbon film formed on the (0001) plane, with the (000-1) plane of the 4H-silicon carbide single crystal having a thickness of 0.8 mm as the growth plane and the (0001) plane as the plane in contact with the graphite
  • a silicon carbide single crystal was formed in the same manner as in Example 1 except that the seed crystal for growth consisting of was used.
  • the obtained silicon carbide single crystal was cut in parallel to the growth direction, and the cut surface was observed with a microscope.
  • Example 3 A silicon carbide single crystal was formed in the same manner as in Example 1 except that 4H-silicon carbide single crystal was used as a seed crystal and reverse sputtering was performed in an Ar atmosphere and high-frequency power of 50 kW as a pretreatment for sputtering. The obtained silicon carbide single crystal was cut in parallel to the growth direction, and the cut surface was observed with a microscope. As shown in FIG. 4, almost no cavity defects occurred in the silicon carbide single crystal.
  • Example 4 Carbonization was performed in the same manner as in Example 1 except that a 4H-silicon carbide crystal was used as a seed crystal and the (0001) plane was used as a surface in contact with graphite, and a carbon film was formed on this plane using an ion beam method. A silicon single crystal was formed.
  • the carbon film was formed under the conditions that the raw material gas was methane, the atmospheric pressure was 1.3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, and the anode voltage was 100 V for 1 hour.
  • the film thickness of the carbon film was 0.4 ⁇ m.
  • the film density of the carbon film was measured using the X-ray reflectivity measurement method, the film density of the carbon film was 2.5 g / cm 3 .
  • the present invention relates to a seed crystal for silicon carbide single crystal growth and a method for producing the same, and a silicon carbide single crystal and a method for producing the same, and in particular, an optical device, a semiconductor device for high withstand voltage and high power, a high power power device, It may be used in industries that manufacture and use high-quality silicon carbide single crystals that can be used for high-temperature elements, radiation-resistant elements, high-frequency elements, and the like.
  • 1 Vacuum container, 2... Insulation material, 3 ... heating coil, 4 ... Seed crystal, 4a ... Growth surface, 5 ... silicon carbide raw material powder, 6 ... graphite crucible, 7 ... Introducing pipe, 8 ... discharge pipe, 9 ... Radiation thermometer, 10 ... protruding part, 11 ... Adhesive, 12 ... carbon film, 12b ... joint surface, 13 ... Seed crystal for silicon carbide single crystal growth, 20 ... hollow part, 20b ... inner bottom surface, 20a ... opening, 21 ... body part, 22 ... lid, 30 ... support rod, 30c ... hole.

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Abstract

　種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶成長用種結晶が提供される。そのような炭化珪素単結晶成長用種結晶として、炭化珪素原料粉末が充填された黒鉛製るつぼの蓋に取り付けられる炭化珪素単結晶成長用種結晶（１３）であって、一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面（４ａ）とされた炭化珪素からなる種結晶（４）と、前記種結晶（４）の前記成長面の反対側の面（４ｂ）に形成されたカーボン膜（１２）とからなり、前記カーボン膜（１２）の膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３である炭化珪素単結晶成長用種結晶（１３）を用いる。

Description

炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法
　本発明は、炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法に関するものである。
　本願は、２００８年７月４日に日本に出願された特願２００８－１７６２５５号に基づく優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　炭化珪素は、熱伝導度が高い材料である。また、一般に、物理的、化学的に安定であり、耐熱性および機械的強度に優れ、耐放射線性も高い。そのため、炭化珪素は、高耐圧低損失な整流素子やスイッチング素子の材料として利用されている。また、炭化珪素はエネルギーバンドギャップ（禁制帯幅）が広く、特に４Ｈ型の炭化珪素単結晶では室温で約３ｅＶの禁制帯幅を有する。以上の特性により、炭化珪素は、高温下でも使用可能な耐環境素子や耐放射線素子の材料などとして利用可能性がある。
　炭化珪素単結晶を製造する方法としては、通常、原料である炭化珪素粉末を高温下で昇華させる昇華法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
　昇華法による炭化珪素単結晶の製造方法においては、不活性ガス雰囲気中で炭化珪素原料粉末を充填し、炭化珪素からなる種結晶の基板を設置したるつぼを減圧し、装置全体を１８００～２４００℃に昇温する。加熱により炭化珪素粉末が分解、昇華することにより発生したガス（昇華化学種）は成長温度域に保持された種結晶の基板表面に到達し、単結晶としてエピタキシャルに成長する。
　この方法により、現在では直径３インチ程度のウェーハも市販されている。
　昇華法では、原料炭化珪素を２０００℃超の高温に保持してＳｉ、Ｓｉ２Ｃ、ＳｉＣ２、ＳｉＣなどのガス（昇華化学種）を発生させる一方、るつぼ内で原料炭化珪素の温度よりも５０℃から２００℃程度低温となる位置に種結晶を配置する。これにより、これらのガス（昇華化学種）が、炭化珪素からなる種結晶の上に堆積して、炭化珪素単結晶を成長させる。
　この時、炭化珪素からなる種結晶は一部が局所的に２０００℃程度以上の高温に保持される場合があり、その部分が昇華して昇華ガスを発生させ、これがマイクロパイプなどの結晶内空洞欠陥を発生させる場合がある。
　さらに、この炭化珪素からなる種結晶は、通常、黒鉛等からなる部材に接着剤などで取り付けられるが、２０００℃近い高温では、黒鉛と種結晶の間の接着剤が気化して不純物ガスなどを発生させる。この不純物ガスに関連して種結晶で昇華ガスが発生し、これがマイクロパイプなどの結晶内空洞欠陥を発生させる場合がある。
　このような種結晶の昇華による結晶欠陥の発生の抑制方法としては、たとえば、種結晶の裏面（黒鉛と種結晶の間）に保護膜を設けることにより、種結晶の界面側で昇華により発生された昇華ガスをガスバリヤして、種結晶の昇華を抑制して結晶欠陥の発生を抑制するという方法がある。
　特許文献１は、単結晶の製造方法及び種結晶に関するものであり、単結晶が成長する面以外の表面を炭素層（保護膜）などで被覆することにより、居所的な温度勾配を緩和するとともに、再結晶化を抑制して、成長結晶の品質を向上させることについて開示されている。
　しかし、特許文献１において主として推奨されているＳｉＣの炭化（炭化工程）により形成した炭素保護膜では、高温においてＳｉ系の揮発物が発生して炭素保護膜が多孔質になりやすく、種結晶の昇華を抑制するために必要十分なガスバリヤ性を得ることができない。そのため、黒鉛と種結晶の間の接触部分の気密性を保つことが難しく、種結晶の界面側で昇華による結晶欠陥が著しく発生する。
　また、特許文献１では、上記保護膜をタンタルなどの金属膜で形成することについても開示しているが、このような金属膜は、黒鉛と種結晶の間で高温環境に曝されると結果的に炭化物に変化することにより体積変化して、ひびが発生し、密着性に問題がある。そのため、金属膜のガスバリヤ性が低下して、種結晶の昇華を抑制する効果が低下する。
　さらに、特許文献１では、上記保護膜をタンタルなどの金属の炭化物（金属化合物）で形成することについても開示しているが、前記金属化合物は、黒鉛と熱膨張差が大きいので、高温環境下では、これに起因する熱応力が発生し、保護膜にひびが発生し、密着性に問題がある。そのため、保護膜のガスバリヤ性が低下して、種結晶の昇華を抑制する効果が低下する。
　また、特許文献２は、炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法に関するものであり、種結晶の成長面裏面に所定範囲内の厚さの有機薄膜を形成することで、構造結果の極めて少ない高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得ることについて開示されている。
　しかし、特許文献２に示されるように、有機薄膜を炭化処理して保護膜を得る場合には、有機薄膜を炭化することにより、それ自身が熱分解してメタンやエチレンといった炭化水素系の分解生成ガスを発生する。この分解生成ガスが前記保護膜を多孔質にして、ガスバリヤ性を低下させる。これにより、種結晶の昇華を抑制する効果が低下する。
特開平９－２６８０９６号公報 特開２００３－２２６６００号公報
　本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶成長用種結晶を提供することを目的とする。
　本発明者らは、種結晶の裏面に成膜するカーボン膜について鋭意検討を重ねた結果、炭化珪素あるいは炭化水素膜を炭化する際（炭化工程）には、炭化により分解生成ガスが発生することにより、カーボン膜が多孔質になり、通気率が高くなり、そのためガスバリヤ性を低下させるという知見を得た。
　これに基づき、前記のような炭化工程を用いることなく、種結晶の裏面に緻密で通気率の小さいカーボン膜を高い付着強度で炭化珪素基材表面に直接形成することにより、種結晶の昇華による結晶欠陥の発生を抑制する構成に想到した。
　つまり、上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
　すなわち、
（１）　炭化珪素原料粉末が充填された黒鉛製るつぼの蓋に取り付けられる炭化珪素単結晶成長用種結晶であって、一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面とされた炭化珪素からなる種結晶と、前記種結晶の前記成長面の反対側の面に形成されたカーボン膜とからなり、前記カーボン膜の膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶。
（２）　前記カーボン膜が非晶質膜であることを特徴とする（１）に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶。
（３）　前記カーボン膜の厚さが０．１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする（１）または（２）に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶。
（４）　前記カーボン膜の厚さが０．１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする（３）に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶。
（５）　請求項１～４のいずれかに記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法であって、炭化珪素からなる種結晶の一面に、物理蒸着法または化学蒸着法により膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３のカーボン膜を形成するカーボン膜形成工程を有することを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
（６）　前記カーボン膜を、スパッタ法、イオンビーム法又はプラズマＣＶＤ法のいずれかにより形成することを特徴とする（５）に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
（７）　前記スパッタ法の前に逆スパッタを行うことを特徴とする（６）に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
（８）　前記逆スパッタを、水素ガスまたは酸素ガスを添加した不活性ガスを用いて行うことを特徴とする（７）に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
（９）　前記水素ガスまたは前記酸素ガスが、前記不活性ガスに対して１０％以上の濃度であることを特徴とする（８）に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
（１０）　炭化珪素原料粉末が充填される黒鉛製るつぼの蓋に、（１）～（４）のいずれかに記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶を取り付け、前記黒鉛製るつぼを加熱して前記炭化珪素原料粉末を昇華させて、炭化珪素単結晶成長用種結晶上に炭化珪素単結晶の結晶成長を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
（１１）　（１０）に記載の炭化珪素単結晶の製造方法を用いて形成され、マイクロパイプ密度が１０個／ｃｍ２以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶。
　上記の構成によれば、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶成長用種結晶を提供することができる。
　本発明の炭化珪素単結晶成長用種結晶は、一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面とされた炭化珪素からなる種結晶と、前記種結晶の前記成長面の反対側の面に形成されたカーボン膜とからなり、前記カーボン膜の膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３である構成なので、カーボン膜の強度を高めて、十分に硬質な膜とすることができるとともに、緻密で、ガスバリヤ性に優れた膜とすることができる。カーボン膜は、ガスバリア性に優れ、かつ炭化珪素と密着性がたかい、非晶質カーボン膜であることが望ましい。非晶質カーボン膜は、炭素の結合状態により、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）と呼ばれるものや、グラッシーカーボンと呼ばれるものがあるが、いずれもその非晶質性により、優れたガスバリア性と炭化珪素との高い密着性を有する。その密度は、代表的には、ＤＬＣが１．２～３．３ｇ／ｃｍ３程度、グラッシーカーボンが１．２～３．３ｇ／ｃｍ３程度である。この緻密でガスバリア性が高く、かつ炭化珪素との密着性の高い保護膜を種結晶の裏面に設けることにより、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法は、カーボン膜を、スパッタ法、イオンビーム法又はプラズマＣＶＤ法のいずれかにより形成する構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れたカーボン膜を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素原料粉末が充填される黒鉛製るつぼの蓋に、請求項１～４のいずれかに記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶を取り付け、前記黒鉛製るつぼを加熱して前記炭化珪素原料粉末を昇華させて、炭化珪素単結晶成長用種結晶上に炭化珪素単結晶の結晶成長を行う構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ炭化珪素と密着性の高いカーボン膜を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の炭化珪素単結晶の製造方法は、先に記載の炭化珪素単結晶の製造方法を用いて形成され、マイクロパイプ密度が１０個／ｃｍ２以下である構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ炭化珪素と密着性の高いカーボン膜を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
本発明の炭化珪素単結晶成長用種結晶を備えた結晶成長装置の一例を示す断面図である。 本発明の炭化珪素単結晶成長用種結晶を黒鉛製るつぼに取り付けた部分の部分拡大図である。 種結晶と炭化珪素単結晶との境界部分を示す断面写真であって、（ａ）はカーボン膜を形成した本発明の炭化珪素単結晶成長用種結晶を用いた場合のものであり、（ｂ）はカーボン膜を形成しない炭化珪素からなる種結晶を用いた場合のものである。 カーボン膜を形成した本発明の炭化珪素単結晶成長用種結晶を用いた場合の断面写真である。
　以下、本発明を実施するための形態について説明する。
（実施形態１） 
　図１は、本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶の一例を説明するための図であって、本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶を配置した結晶成長装置の一例を示した断面模式図である。
　図１に示すように、結晶成長装置１００は、真空容器１の内部に、断熱材２に覆われた黒鉛製るつぼ６が配置されて概略構成されており、蓋２２と本体部２１とからなる黒鉛製るつぼ６の蓋２２の突出部１０の一面１０ａに本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３が接合されている。
　真空容器１の材料としては、高真空を保つことができる材料を用いることが好ましく、たとえば、石英、ステンレスなどを挙げることができる。
　また、黒鉛製るつぼ６および断熱材２の材料としては、高温で安定で不純物ガスの発生の少ない材料を用いることが好ましく、たとえば、ハロゲンガスによる精製処理を行った炭素材料などを挙げることができる。
　黒鉛製るつぼ６は、蓋２２と本体部２１とから構成されており、本体部２１内部に空洞部２０を備えている。空洞部２０の内部上部には、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３が固定されている。また、空洞部２０の内部下部には、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３上に炭化珪素単結晶を結晶成長させるのに十分な量の炭化珪素原料粉末５が充填されている。
　空洞部２０は、内部下部に十分な量の炭化珪素原料５を備えるとともに、炭化珪素単結晶を結晶成長させるのに必要な空間を内部上部に確保している。そのため、昇華法によって、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の成長面４ａの上に、内底面２０ｂ側に向けて炭化珪素単結晶を結晶成長させることができる。
　真空容器１の周囲には加熱用コイル３が巻かれている。これにより、真空容器１を加熱することができ、さらには、黒鉛製るつぼ６を加熱することができる構成とされている。
　真空容器１は排出管８に接続された真空ポンプ（図示略）を介して空気が排気され、真空容器１の内部を減圧することができる構成とされている。また、導入管７より任意のガスを真空容器１の内部に供給することができる構成とされている。
　たとえば、排出管８から内部の空気を排気して減圧状態とした後、高純度のアルゴン（Ａｒ）ガスを導入管７から真空容器１の内部に供給し、再び減圧状態とすることにより、真空容器１の内部をアルゴン（Ａｒ）雰囲気の減圧状態とすることができる。
　黒鉛製るつぼ６の外側には、黒鉛製るつぼ６を取り囲むように加熱コイル３が設置されている。この加熱コイル３は、高周波加熱コイルであり、電流を流すことにより高周波を発生させて、真空容器１を、たとえば、１９００℃以上の温度に加熱することができる。
これにより、真空容器１の内部中央に設置された黒鉛製るつぼ６を加熱して、黒鉛製るつぼ６内の炭化珪素原料粉末５を加熱して、炭化珪素原料粉末５から昇華ガスを発生させる。
　なお、加熱コイル３としては、抵抗加熱方式のコイルを用いても良い。
　図１に示すように、蓋２２の一面には、突出部１０が設けられている。本体部２１が蓋２２により蓋をされたとき、突出部１０は、蓋２２から内底面２０ｂ側へ向けて突出された円柱状の突出部分とされている。また、突出部１０は、内底面２０ｂ側に炭化珪素単結晶成長用種結晶１３を配置するための一面１０ａを有している。
　図２は、本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶の配置の一例を説明する断面模式図である。
　図２に示すように、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３は、炭化珪素からなる種結晶４とカーボン膜１２とからなり、炭化珪素からなる種結晶４の一面が炭化珪素単結晶を結晶成長させる成長面４ａとされており、成長面の反対側の面４ｂにはカーボン膜１２が形成されている。
　カーボン膜１２の炭化珪素からなる種結晶４と反対側の面１２ｂは、接着剤１１により黒鉛部材からなる突出部１０の一面１０ａに貼り付けられる接合面１２ｂとされている。
＜種結晶＞
　炭化珪素からなる種結晶４としては、炭化珪素からなる単結晶（炭化珪素単結晶）を用いる。この炭化珪素単結晶としては、アチソン法、レーリー法、昇華法などで作られた円柱状の炭化珪素単結晶を短手方向に、厚さ０．３～２ｍｍ程度で円板状に切断した後、切断面の研磨を行って成型したものを用いる。なお、炭化珪素単結晶成長用種結晶４の最終仕上げとして、この研磨の後に研磨ダメージを取り除くために、犠牲酸化、リアクティブイオンエッチング、化学機械研磨などを行う事が望ましい。さらに、その後、有機溶剤、酸性溶液またはアルカリ溶液などを用いて、炭化珪素からなる種結晶４の表面を清浄化する。
＜カーボン膜＞
　炭化珪素からなる種結晶４の接合面４ｂには、カーボン膜１２が形成されている。
　カーボン膜１２は、非晶質な膜であることが好ましい。これにより、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ炭化珪素と密着性の高い膜とすることができる。なお、カーボン膜１２のＸ線回折を測定することによりカーボン膜１２が非晶質であるか否かを判断することができる。
　非晶質なカーボン膜１２としては、たとえば、グラッシーカーボンまたはダイアモンドライクカーボンの膜を挙げることができる。どちらの膜でも、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ炭化珪素と密着性の高いカーボン膜となる。
　カーボン膜の膜密度としては、１．２～３．３ｇ／ｃｍ３が好ましく、１．８～２．５ｇ／ｃｍ３がより好ましい。これにより、カーボン膜の強度を高めて、十分に硬質な膜とすることができるとともに、緻密で、ガスバリヤ性に優れた膜とすることができる。カーボン膜の膜密度が１．２ｇ／ｃｍ３未満の場合には、緻密性が不足して、ガスバリヤ性も劣る。逆に、カーボン膜の膜密度が３．３ｇ／ｃｍ３を超える場合には、カーボン膜の強度が足りなくなり、たとえば、加熱した場合炭化珪素結晶とカーボン膜の剥離が起きやすくなる問題が発生し、好ましくない。
　なお、カーボン膜１２の膜密度は、成膜時のガス雰囲気圧力を調節することによって調整することができる。さらにまた、カーボン膜１２の膜密度は、Ｘ線反射率測定法を用いて測定することができる。
　カーボン膜１２の膜厚は、炭化珪素からなる種結晶４の昇華を抑制できる膜厚であれば得に限定されないが、０．１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。
　カーボン膜１２の膜厚が薄すぎる場合には、炭化珪素からなる種結晶４の昇華を抑制することができない場合が発生するので好ましくない。たとえば、カーボン膜１２の膜厚が０．１μｍ未満の場合には、炭化珪素からなる種結晶４の他面４ｂ全面で一様な膜を得ることが困難となり、膜厚の薄い部分から炭化珪素からなる種結晶４が昇華する場合が発生する。逆に、カーボン膜１２の膜厚が１００μｍを超える場合には、成膜速度が遅いので生産性が極端に悪化して好ましくない。カーボン膜１２の膜厚を０．１μｍ以上２０μｍ以下に制限することにより、炭化珪素からなる種結晶４の昇華を抑制するとともに、カーボン膜１２の強度及び付着強度をより安定的に高く保つことができる。
　次に、本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法について説明する。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法は、炭化珪素からなる種結晶４の他面４ｂに、物理蒸着法または化学蒸着法により膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３のカーボン膜を形成するカーボン膜形成工程を有する。
＜カーボン膜形成工程＞
　非晶質のカーボン膜１２は硬質の膜であるため、２０００℃程度以上の高温環境下で炭化珪素からなる種結晶４とカーボン膜１２との間で剥離が生じないよう密着性を高く保つために、炭化珪素からなる種結晶４に対するカーボン膜１２の付着強度を高めてカーボン膜１２を形成する必要がある。
　このようなカーボン膜１２の形成方法としては、スパッタ法、イオンビーム法、レーザーアブレーション法、イオンプレーティング法、電子線蒸着法などの物理蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）や、マイクロ波ＣＶＤ法、ＲＦプラズマＣＶＤ法、ＤＣプラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法などの化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）を用いることができる。
　膜の品質、コストの面及び付着強度を向上させるための逆スパッタによる作製前の表面処理を行い易いという点から、スパッタ法がより好ましい。
　特に、グラッシーカーボンからなるカーボン膜１２を形成する場合はスパッタ法が適している。また、ダイアモンドライクカーボンからなるカーボン膜１２を形成する場合はイオンビーム法やプラズマＣＶＤ法が適している。
＜逆スパッタ＞
　スパッタ法によりカーボン膜１２を形成する場合には、スパッタ法によりカーボン膜を形成する前に、逆スパッタを行うことが好ましい。
　逆スパッタとは、通常のスパッタリング法におけるターゲット側の電極と基板側の電極とに印加する電圧の大きさを逆にしてスパッタすることをいう。これにより、高電圧印加でイオン化された不活性ガスを基板に衝突させて、基板表面を洗浄したり、スパッタエッチングしたりすることができる。そのため、逆スパッタを行うことにより、種結晶４の表面の特性を変化させ、カーボン膜１２との密着性を高め、カーボン膜１２による炭化珪素からなる種結晶４の保護効果を安定的に保つことができる。
　逆スパッタは、水素ガスまたは酸素ガスを添加したＡｒ（アルゴン）ガスなどの不活性ガスを用いて行うことが好ましい。不活性ガスに水素または酸素ガスを添加して逆スパッタを行うと、カーボン膜１２と炭化珪素からなる種結晶４の密着性をより向上させることができ、結晶欠陥の発生の抑制効果を向上させることができる。
　逆スパッタの条件は、例えば、温度；９０～１２０℃、Ａｒガス圧（Ａｒガス雰囲気圧力）；０．５Ｐａ、Ｐｏｗｅｒ；４０～６０ｋＷとする。
　前記水素ガスまたは前記酸素ガスは、不活性ガスに対して１０％以上の濃度であることが好ましい。本実施形態においては、Ａｒ（アルゴン）ガスに対して、１０％以上の濃度とする。１０％未満の場合には、カーボン膜１２と炭化珪素からなる種結晶４の密着性を向上させる効果が小さく、結晶欠陥の発生の抑制効果を発現させることができない。
　以上の条件で、炭化珪素からなる種結晶４の他面４ｂに膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３のカーボン膜１２を形成することにより、カーボン膜１２を均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れたものとすることができる。
　次に、本発明の実施形態である炭化珪素単結晶の製造方法について説明する。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶の製造方法は、種結晶取付工程と、結晶成長工程と、を有する。
＜種結晶取付工程＞
　種結晶取付工程は、本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶を、開口部と連通された空洞部を備えた本体容器と、前記開口部の蓋と、からなる黒鉛製るつぼの前記蓋に取り付ける工程である。
　炭化珪素からなる種結晶４の成長面と反対側の面４ｂに形成されたカーボン膜１２の接合面１２ｂに接着剤１１を塗布して黒鉛部材からなる突出部１０に貼り付けて、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３を蓋２２に取り付ける。このとき、本体部２１に蓋２２をしたとき、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の成長面４ａが、炭化珪素原料粉末５の開口部側の面５ｂに対して対向するように蓋２２に取り付ける。なお、昇華法により炭化珪素単結晶を結晶成長させる成長面４ａとしては（０００１）Ｓｉ面あるいは（０００－１）Ｃ面を用いるが、成長面（結晶面）４ａを｛０００１｝から３０°程度まで傾いている面としても差し支えない。
　接着剤１１としては、公知の一般に用いられているものを用いることができ、たとえば、フェノール系樹脂などを挙げることができる。
　カーボン膜１２が設けられていない場合には、結晶成長時の加熱により接着剤１１が熱分解して炭素化されて多孔質カーボン層を形成する。この時、種結晶４である炭化珪素の裏面で発生した昇華ガスが多孔質カーボン層から抜けていき、種結晶裏面側から大小の様々な空洞が形成される。
　しかし、カーボン膜１２を設けた場合は、接着剤１１が多孔質カーボン層に変化してもガスバリヤ性に優れたカーボン膜１２によって種結晶からの昇華ガスが遮られ、炭化珪素からなる種結晶４に空洞を形成することはない。そのため、炭化珪素単結晶にマイクロパイプ等の結晶内空洞欠陥を発生させることもない。
＜結晶成長工程＞
　結晶成長工程は、前記空洞部に炭化珪素原料粉末を充填し、前記蓋で前記開口部の蓋をした後、前記黒鉛製るつぼを加熱して前記炭化珪素原料粉末から発生させた昇華ガスを用いて、炭化珪素単結晶成長用種結晶上に炭化珪素単結晶の結晶成長を行う工程である。
　まず、炭化珪素原料粉末５を空洞部２０の内底面２０ｂ側に充填する。このとき、炭化珪素原料粉末５の開口部側の面５ｂが、本体部２１に蓋２２をしたとき蓋２２に取り付けられた炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の成長面４ａに対して対向するようにする。
　次に、炭化珪素からなる種結晶４を取り付けた蓋２２を、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３が空洞部２０に挿入されるように、本体部２１に取り付けて、蓋２２で開口部２０ａの蓋をする。
　次に、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３を取り付けた蓋２２と、蓋２２が取り付けられた本体部２１とからなる黒鉛製るつぼ６全体を覆うように断熱材２を巻きつける。このとき、黒鉛製るつぼ６の下部表面および上部表面の一部が露出するように孔部２ｃ、２ｄを形成する。
　断熱材２は、黒鉛製るつぼ６を安定的に高温状態に維持するためのものであり、例えば、炭素繊維製の材料を用いることができる。黒鉛製るつぼ６を必要とする程度で安定的に高温状態に維持することができる場合には、断熱材２は取り付けなくてもよい。
　その後、断熱材２を巻き付けた黒鉛製るつぼ６を真空容器１の内部中央の支持棒３０上に設置する。
　支持棒３０は筒状とされており、この支持棒３０の孔部３０ｃを断熱材２に設けた孔部２ｃと合わせるようにする。これにより、真空容器１の下に配置された放射温度計９により、この支持棒３０の孔部３０ｃおよび断熱材２の下側の孔部２ｃを通して、黒鉛製るつぼ６の下部表面の温度を観測できる構成とされている。同様に、真空容器１の上に配置された別の放射温度計９により、断熱材２の上側の孔部２ｄを通して、黒鉛製るつぼ６の上部表面の温度を観測できる構成とされている。
　次に、真空容器１の内部のガス交換を行う。まず、排出管８に接続した真空ポンプ（図示略）を用いて、真空容器１の内部の空気を排気して、たとえば、４×１０－３Ｐａ以下の減圧状態とする。真空ポンプとしては、たとえば、ターボ分子ポンプなどを用いることができる。
　その後、導入管７から真空容器１の内部に高純度Ａｒガスを十分間導入して、真空容器１の内部をＡｒ雰囲気で９．３×１０４Ｐａという環境とする。
　次に、真空容器１の内部をＡｒ雰囲気で９．３×１０４Ｐａという環境に維持したまま、加熱コイル３により、真空容器１を徐々に加熱して、真空容器１の内部の温度を室温から１８００℃程度まで徐々に上げる。
　その後、黒鉛製るつぼ６内の炭化珪素原料粉末５の温度を昇華温度である２０００℃～２４００℃として、炭化珪素単結晶の結晶成長を開始する。この状態で、たとえば、５０時間程度保持することにより、Ｓｉ、Ｓｉ２Ｃ、ＳｉＣ２、ＳｉＣなどの昇華ガスを成長面４ａ上に徐々に堆積させて、炭化珪素単結晶を成長させることができる。
　なお、この時、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の成長面４ａの温度は、炭化珪素原料５の温度より５０℃～２００℃低い温度、すなわち、１８００～２３５０℃となるように調整する。これにより、炭化珪素からなる種結晶４の昇華を抑制させることができる。
　このように黒鉛製るつぼ６の上部より下部の温度を高くするような温度勾配をつけた加熱は、加熱コイル３の位置、巻き方および巻き数などを調節して調整する。
　その後、真空容器１を室温まで冷却して、炭化珪素単結晶を取り出す。これにより、通常、炭化珪素単結晶の結晶成長過程で、種結晶と黒鉛との界面から発生するマイクロパイプなどの結晶内空洞欠陥や板状空洞欠陥等の発生を抑制して、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。たとえば、マイクロパイプ密度が１０個／ｃｍ２以下である炭化珪素単結晶を製造することができる。
　なお、結晶成長時において、必要に応じて、窒素やアルミニウムといった不純物を加えることにより、電気伝導性を調節した炭化珪素単結晶を形成することもできる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３は、一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面４ａとされた炭化珪素からなる種結晶４と、種結晶４の成長面の反対側の面４ｂに形成されたカーボン膜１２とからなり、カーボン膜１２の膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３である構成なので、カーボン膜１２の強度を高めて、十分に硬質な膜とすることができるとともに、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高い膜とすることができる。これにより、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３は、カーボン膜１２が非晶質膜である構成なので、カーボン膜１２を、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高い膜とすることができる。これにより、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３は、カーボン膜１２の厚さが０．１μｍ以上１００μｍ以下である構成なので、炭化珪素からなる種結晶４の昇華を抑制することができる。これにより、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３は、カーボン膜１２の厚さが０．１μｍ以上２０μｍ以下である構成なので、炭化珪素からなる種結晶４の昇華を抑制するとともに、カーボン膜１２の強度及び付着強度をより安定的に高く保つことができる。これにより、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の製造方法は、炭化珪素からなる種結晶４の一面４ｂに、物理蒸着法または化学蒸着法により膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３のカーボン膜１２を形成するカーボン膜形成工程を有する構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高いカーボン膜１２を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の製造方法は、カーボン膜１２を、スパッタ法、イオンビーム法又はプラズマＣＶＤ法のいずれかにより形成する構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高いカーボン膜１２を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の製造方法は、スパッタ法の前に逆スパッタを行う構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高いカーボン膜１２を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の製造方法は、逆スパッタを、水素ガスまたは酸素ガスを添加した不活性ガスを用いて行う構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高いカーボン膜１２を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３の製造方法は、前記水素ガスまたは前記酸素ガスが、前記不活性ガスに対して１０％以上の濃度である構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高いカーボン膜１２を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素原料粉末５が充填される黒鉛製るつぼ６の蓋２２に、先に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶１３を取り付け、黒鉛製るつぼ６を加熱して炭化珪素原料粉末５を昇華させて、炭化珪素単結晶成長用種結晶１３上に炭化珪素単結晶の結晶成長を行う構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高いカーボン膜１２を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　本発明の実施形態である炭化珪素単結晶の製造方法は、先に記載の炭化珪素単結晶の製造方法を用いて形成され、マイクロパイプ密度が１０個／ｃｍ２以下である構成なので、均一性に優れ、緻密で、ガスバリヤ性に優れ密着性の高いカーボン膜１２を形成して、種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
　以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
　まず、基板面積約１．５ｃｍ２、厚さ０．３ｍｍの４Ｈ－炭化珪素単結晶からなる炭化珪素種結晶基板を用意し、これを硫酸－過酸化水素混合溶液で１１０℃、１０分、超純水による流水洗浄５分、アンモニア－過酸化水素混合溶液にて１０分、洗浄超純水による流水洗浄５分、塩酸－過酸化水素混合溶液にて１０分、洗浄超純水による流水洗浄５分、さらにＨＦ溶液にて洗浄した。その後、１２００℃で表面を酸化した後再度ＨＦ洗浄を行なった。
　次に、この種結晶基板の（０００－１）面にカーボン膜を成膜して、炭化珪素単結晶成長用種結晶を形成した。カーボン膜の成膜方法としては直流放電スパッタ法を用いた。アルゴン雰囲気で５Ｐａの環境下、投入電力量１．２５ｋＷ、ターゲット基板距離１１０ｍｍ　基板温度１００℃の条件で、７０分間スパッタすることにより成膜した。
　カーボン膜の膜厚を触針式表面粗さ計（アルバック社製）で測定したところ０．５μｍであった。また、Ｘ線反射率法を用いて膜密度を測定したところ１．８ｇ／ｃｍ３であった。さらにまた、カーボン膜のＸ線回折を試みたところ、結晶構造に起因するピークが明確には現れなかった。そのため、このカーボン膜は非晶質であると判断した。
　次に、このカーボン膜を形成した種結晶基板（炭化珪素単結晶成長用種結晶）を、接着剤を用いて黒鉛製るつぼの蓋の下面に貼り付けた。
　次に、内径５０ｍｍ、深さ９５ｍｍの黒鉛製るつぼの本体部に、炭化珪素原料粉末（昭和電工製、＃２４０）を深さ６０ｍｍになるように充填した。
　その後、炭化珪素単結晶成長用種結晶を接着剤を用いて取り付けた黒鉛製るつぼの蓋を黒鉛製るつぼの本体部の開口部に塞ぐように配置した。
　次に、この黒鉛製るつぼ全体を炭素繊維製断熱材で包んだ。そして、炭素繊維製断熱材で包んだ黒鉛製るつぼを高周波加熱炉内の真空容器の内部にセットした。
　高周波加熱炉内の真空容器に取り付けられた排出管から排気して、真空容器の内部を４×１０－３Ｐａに減圧後、導入管からアルゴンガス（不活性ガス）を充填して常圧とした。
　その後、再度、排出管から４×１０－３Ｐａまで減圧して反応容器の内部の空気を排気し、導入管からアルゴンガスを充填する操作を再度行って、反応容器の内部をアルゴンガス雰囲気で９．３×１０４Ｐａとした。
　次に、高周波コイルに電流を流すことにより、これを加熱して黒鉛製るつぼを昇温した。黒鉛製るつぼの上部の温度を２２００℃、下部の温度を２２５０～２３００℃とした。
　その後、排出管からアルゴンガスを排出して、７～４０×１０２Ｐａの減圧状態として炭化珪素単結晶の結晶成長を行った。この時の結晶成長速度は０．０５～０．５ｍｍ／ｈであった。
　その後、黒鉛製るつぼの温度を常温まで冷却した後、黒鉛製るつぼから炭化珪素単結晶を取り出した。
　得られた炭化珪素単結晶を成長方向に対して平行に切断し、その切断面を顕微鏡観察した。図３（ａ）はその切断面を示す顕微鏡写真であり、種結晶と炭化珪素単結晶との境界部分を示すものである。図３（ａ）に示すように、炭化珪素単結晶には空洞状欠陥がほとんど発生しなかった。
（比較例１）
　種結晶にカーボン膜を形成しないほかは実施例１と同様にして、炭化珪素単結晶を形成した。
　実施例１と同様に、得られた炭化珪素単結晶を成長方向に対して平行に切断し、その切断面を顕微鏡観察した。図３（ｂ）はその切断面を示す顕微鏡写真であり、黒鉛蓋と種結晶と炭化珪素単結晶との境界部分を示すものである。図３（ｂ）に示すように、種結晶には空洞状欠陥が数多く発生し、炭化珪素単結晶に複数の長く伸びたマイクロパイプなどの結晶内空洞欠陥を形成した。これらの空洞状欠陥およびマイクロパイプなどの結晶内空洞欠陥は、連続して続いており、種結晶と黒鉛蓋との界面から伸びていた。
　実施例１と比較例１とを比較して、種結晶と黒鉛と界面に本発明のカーボン膜を設けることにより、種結晶中の空洞状欠陥を抑制し、さらに、炭化珪素単結晶中の空洞状欠陥を抑制することができることを確認できた。
（実施例２）
　厚さ０．８ｍｍの４Ｈ－炭化珪素単結晶の（０００－１）面を成長面、（０００１）面を黒鉛と接する側の面として、（０００１）面にカーボン膜を形成した炭化珪素単結晶からなる成長用種結晶を用いたほかは実施例１と同様にして、炭化珪素単結晶を形成した。
　得られた炭化珪素単結晶を成長方向に対して平行に切断し、その切断面を顕微鏡観察した。実施例１と同様に、炭化珪素単結晶には空洞状欠陥がほとんど発生しなかった。
これにより、炭化珪素からなる種結晶の２つの面の極性が異なる場合でも、欠陥を抑制する効果が発揮できていることを確認した。
（実施例３）
　４Ｈ－炭化珪素単結晶を種結晶として用い、スパッタ前処理としてＡｒ雰囲気、高周波電力５０ｋＷで逆スパッタを行ったほかは、実施例１と同様にして、炭化珪素単結晶を形成した。
　得られた炭化珪素単結晶を成長方向に対して平行に切断し、その切断面を顕微鏡観察した。図４に示すように、炭化珪素単結晶には空洞状欠陥がほとんど発生しなかった。
（実施例４）
　４Ｈ－炭化珪素結晶を種結晶として用い、（０００１）面を黒鉛と接する側の面として、この面にイオンビーム法を用いてカーボン膜を成膜した他は実施例１と同様にして、炭化珪素単結晶を形成した。なお、カーボン膜の成膜条件は、原料ガスをメタン、雰囲気圧力を１．３ｘ１０－２Ｐａ、アノード電圧１００Ｖで１時間成膜とした。
　カーボン膜の膜厚は、０．４μｍであった。また、Ｘ線反射率測定法を用いてカーボン膜の膜密度を測定したところ、カーボン膜の膜密度は２．５ｇ／ｃｍ３であった。さらにまた、カーボン膜のＸ線回折を試みたところ、結晶構造に起因するピークが明確には現れなかった。そのため、このカーボン膜は非晶質であると判断した。
　得られた炭化珪素単結晶を成長方向に対して平行に切断し、その切断面を顕微鏡観察した。炭化珪素単結晶には空洞状欠陥がほとんど発生しなかった。
　本発明は、炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法に関するものであって、特に、光デバイス、高耐圧大電力用半導体素子、大電力パワーデバイス、耐高温素子、耐放射線素子、高周波素子等に使用可能な高品質な炭化珪素単結晶を製造・利用する産業において利用可能性がある。
　１…真空容器、
　２…断熱材、
　３…加熱コイル、
　４…種結晶、
　４ａ…成長面、
　５…炭化珪素原料粉末、
　６…黒鉛製るつぼ、
　７…導入管、
　８…排出管、
　９…放射温度計、
　１０…突出部、
　１１…接着剤、
　１２…カーボン膜、
　１２ｂ…接合面、
　１３…炭化珪素単結晶成長用種結晶、
　２０…空洞部、
　２０ｂ…内底面、
　２０ａ…開口部、
　２１…本体部、
　２２…蓋、
　３０…支持棒、
　３０ｃ…孔部。

Claims (11)

  1. 　炭化珪素原料粉末が充填された黒鉛製るつぼの蓋に取り付けられる炭化珪素単結晶成長用種結晶であって、
    　一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面とされた炭化珪素からなる種結晶と、前記種結晶の前記成長面の反対側の面に形成されたカーボン膜とからなり、前記カーボン膜の膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶。
  2. 　前記カーボン膜が非晶質膜であることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶。
  3. 　前記カーボン膜の厚さが０．１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶。
  4. 　前記カーボン膜の厚さが０．１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶。
  5. 　請求項１～４のいずれかに記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法であって、炭化珪素からなる種結晶の一面に、物理蒸着法または化学蒸着法により膜密度が１．２～３．３ｇ／ｃｍ３のカーボン膜を形成するカーボン膜形成工程を有することを特徴とする炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
  6. 　前記カーボン膜を、スパッタ法、イオンビーム法又はプラズマＣＶＤ法のいずれかにより形成することを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
  7. 　前記スパッタ法の前に逆スパッタを行うことを特徴とする請求項６に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
  8. 　前記逆スパッタを、水素ガスまたは酸素ガスを添加した不活性ガスを用いて行うことを特徴とする請求項７に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
  9. 　前記水素ガスまたは前記酸素ガスが、前記不活性ガスに対して１０％以上の濃度であることを特徴とする請求項８に記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法。
  10. 　炭化珪素原料粉末が充填される黒鉛製るつぼの蓋に、請求項１～４のいずれかに記載の炭化珪素単結晶成長用種結晶を取り付け、前記黒鉛製るつぼを加熱して前記炭化珪素原料粉末を昇華させて、前記炭化珪素単結晶成長用種結晶上に炭化珪素単結晶の結晶成長を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
  11. 　請求項１０に記載の炭化珪素単結晶の製造方法を用いて形成され、マイクロパイプ密度が１０個／ｃｍ２以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102021653A (zh) * 2010-12-30 2011-04-20 北京华进创威电子有限公司 一种用高密度料块生长碳化硅单晶的方法
KR101445846B1 (ko) * 2014-05-27 2014-10-01 주식회사 케이씨엔지니어링 공동주택 내선전기공사 조인트 컨넥터
JP5741444B2 (ja) * 2009-11-30 2015-07-01 住友電気工業株式会社 単結晶の製造方法

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011121815A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶の製造方法
JP2011190154A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 結晶の製造方法、結晶の製造装置および積層膜
US8927329B2 (en) * 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
KR20120128506A (ko) * 2011-05-17 2012-11-27 엘지이노텍 주식회사 종자정 부착 장치
KR20120131016A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 엘지이노텍 주식회사 잉곳 제조 장치
KR101897078B1 (ko) * 2011-06-01 2018-09-10 엘지이노텍 주식회사 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법
JP5954046B2 (ja) * 2012-08-21 2016-07-20 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法
CN103088411A (zh) * 2013-01-23 2013-05-08 保定科瑞晶体有限公司 一种用于碳化硅晶体生长的籽晶固定方法
CN103088426A (zh) * 2013-01-23 2013-05-08 保定科瑞晶体有限公司 一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法
CN104120493A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 梅咬清 电阻炉合成单晶碳化硅制备方法
JP6381229B2 (ja) * 2014-02-26 2018-08-29 三菱電機株式会社 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法
CN103978746B (zh) * 2014-05-06 2016-06-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种膜及其制备方法、显示面板及显示装置
US10724151B2 (en) * 2014-10-31 2020-07-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Device of manufacturing silicon carbide single crystal
CN104593865A (zh) * 2014-12-25 2015-05-06 廖奇泊 碳化硅垒晶层的制造方法
KR101660032B1 (ko) * 2015-04-08 2016-09-27 한국철도기술연구원 탄소 코팅이 적용된 탄소섬유층
CN108028267A (zh) * 2015-08-20 2018-05-11 恩特格里斯公司 碳化硅/石墨复合物与包括所述复合物的物件及组合件
KR200484921Y1 (ko) 2015-09-30 2017-11-08 이호준 조립식 탁자 겸용 의자
CN105420813A (zh) * 2015-12-22 2016-03-23 中国电子科技集团公司第二研究所 无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置
CN105463575B (zh) * 2016-01-15 2019-02-19 北京天科合达半导体股份有限公司 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法
CN106894089B (zh) * 2017-03-09 2018-03-09 中科钢研节能科技有限公司 碳化硅单晶的制备方法
CN107190322B (zh) * 2017-04-01 2019-06-11 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法
CN108048911A (zh) * 2017-12-20 2018-05-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体的方法
JP7258272B2 (ja) * 2018-09-06 2023-04-17 株式会社レゾナック 熱伝導率測定装置、加熱装置、熱伝導率測定方法、及び品質保証方法
CN111074338B (zh) * 2018-10-22 2022-09-20 赛尼克公司 具有保护膜的籽晶及其制备方法和附着方法、采用该籽晶的晶锭的制备方法
JP7170521B2 (ja) * 2018-12-05 2022-11-14 昭和電工株式会社 ＳｉＣ単結晶の評価用サンプル取得方法
CN109913943A (zh) * 2019-03-05 2019-06-21 扬州港信光电科技有限公司 一种SiC基板的制造方法
JP7352238B2 (ja) * 2019-04-03 2023-09-28 上原ネームプレート工業株式会社 樹脂部材及びその製造方法
TWI723415B (zh) * 2019-06-05 2021-04-01 環球晶圓股份有限公司 碳化矽晶體及碳化矽晶種片
CN110306239A (zh) * 2019-07-16 2019-10-08 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种碳化硅材质籽晶托
KR102268424B1 (ko) * 2019-10-22 2021-06-22 에스케이씨 주식회사 종자정 접착층, 이를 적용한 적층체의 제조방법 및 웨이퍼의 제조방법
JP7463699B2 (ja) * 2019-11-11 2024-04-09 株式会社レゾナック ＳｉＣシード及びＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法
JP2021103720A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 住友金属鉱山株式会社 エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法
KR102235858B1 (ko) * 2020-04-09 2021-04-02 에스케이씨 주식회사 탄화규소 잉곳의 제조방법 및 탄화규소 잉곳 제조용 시스템
CN111411395A (zh) * 2020-05-15 2020-07-14 南通大学 碳化硅晶体生长用石墨坩埚装置及其单晶生长方法
CN113897684B (zh) * 2020-06-22 2023-08-08 比亚迪股份有限公司 碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法
CN113897685B (zh) * 2020-06-22 2023-04-07 比亚迪股份有限公司 碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件
CN112593289A (zh) * 2021-01-29 2021-04-02 芯璨半导体科技(山东)有限公司 一种改进生长碳化硅单晶质量的装置及方法
CN115467016B (zh) * 2021-06-11 2023-11-07 中电化合物半导体有限公司 可释放碳化硅单晶生长应力的生长组件、设备及方法
CN113683964B (zh) * 2021-08-26 2023-03-24 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种碳化硅籽晶粘贴剂的制备方法
CN114059155B (zh) * 2021-11-19 2023-11-17 北京天科合达半导体股份有限公司 一种碳化硅晶体的制备方法
CN114384051A (zh) * 2021-12-17 2022-04-22 山东大学 一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法
CN114457425B (zh) * 2022-04-12 2022-08-23 杭州乾晶半导体有限公司 一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置
CN116334749B (zh) * 2023-04-18 2023-10-24 通威微电子有限公司 碳化硅籽晶粘接装置和方法
CN116837456B (zh) * 2023-07-17 2024-02-23 江苏超芯星半导体有限公司 籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6446221A (en) * 1987-08-14 1989-02-20 Hitachi Ltd Magnetic disk
JPH09268096A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 単結晶の製造方法及び種結晶
JPH11189433A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Asahi Glass Co Ltd 防汚性ガラス基板の製造方法
JP2002201097A (ja) * 2000-12-28 2002-07-16 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法
JP2003137694A (ja) * 2001-10-26 2003-05-14 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
JP2003226600A (ja) 2002-02-05 2003-08-12 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法
JP2008176255A (ja) 2007-01-18 2008-07-31 Seiji Kiyozumi ギターのスライド式スケール表

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5779169A (en) * 1980-11-06 1982-05-18 Sumitomo Electric Ind Ltd Physical vapor deposition method
JPS60174873A (ja) * 1984-02-20 1985-09-09 Hitachi Cable Ltd 蒸着用金属基板の前処理方法
US5944890A (en) * 1996-03-29 1999-08-31 Denso Corporation Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method
DE19644153A1 (de) * 1996-10-24 1998-04-30 Roland Dr Gesche Mehrstufiges Verfahren zum Plasmareinigen
FR2894990B1 (fr) * 2005-12-21 2008-02-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede
WO2003030224A2 (en) * 2001-07-25 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Barrier formation using novel sputter-deposition method
JP2003192488A (ja) * 2001-12-20 2003-07-09 Wacker Nsce Corp シリコン単結晶製造用種結晶及びシリコン単結晶の製造方法
JP4480349B2 (ja) * 2003-05-30 2010-06-16 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置
US7314521B2 (en) * 2004-10-04 2008-01-01 Cree, Inc. Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6446221A (en) * 1987-08-14 1989-02-20 Hitachi Ltd Magnetic disk
JPH09268096A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 単結晶の製造方法及び種結晶
JPH11189433A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Asahi Glass Co Ltd 防汚性ガラス基板の製造方法
JP2002201097A (ja) * 2000-12-28 2002-07-16 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法
JP2003137694A (ja) * 2001-10-26 2003-05-14 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
JP2003226600A (ja) 2002-02-05 2003-08-12 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法
JP2008176255A (ja) 2007-01-18 2008-07-31 Seiji Kiyozumi ギターのスライド式スケール表

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2309039A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5741444B2 (ja) * 2009-11-30 2015-07-01 住友電気工業株式会社 単結晶の製造方法
US9090992B2 (en) 2009-11-30 2015-07-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing single crystal
CN102021653A (zh) * 2010-12-30 2011-04-20 北京华进创威电子有限公司 一种用高密度料块生长碳化硅单晶的方法
KR101445846B1 (ko) * 2014-05-27 2014-10-01 주식회사 케이씨엔지니어링 공동주택 내선전기공사 조인트 컨넥터

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