CN114384051A - 一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法 - Google Patents

一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114384051A
CN114384051A CN202111551300.5A CN202111551300A CN114384051A CN 114384051 A CN114384051 A CN 114384051A CN 202111551300 A CN202111551300 A CN 202111551300A CN 114384051 A CN114384051 A CN 114384051A
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
silicon carbide
carbide wafer
wafer
dislocation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111551300.5A
Other languages
English (en)
Inventor
彭燕
于金英
杨祥龙
胡小波
徐现刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong University
Original Assignee
Shandong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong University filed Critical Shandong University
Priority to CN202111551300.5A priority Critical patent/CN114384051A/zh
Publication of CN114384051A publication Critical patent/CN114384051A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6402—Atomic fluorescence; Laser induced fluorescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/44—Sample treatment involving radiation, e.g. heat
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N21/6456—Spatial resolved fluorescence measurements; Imaging
    • G01N21/6458—Fluorescence microscopy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本申请提供了一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，所述方法包括将碳化硅晶片置于刻蚀腔中，使用微波等离子体刻蚀碳化硅晶片的碳面；刻蚀至预设时间后，将所述碳化硅晶片从刻蚀腔中取出，用去离子水和酒精超声清洗；根据所述碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面，确定缺陷类型。该方法通过刻蚀C面形成刻蚀坑，根据刻蚀坑的形貌和截面信息可以准确辨认微管及不同类型的位错；同时，对于衬底材料可以和Si面位错情况进行对比，从而直接观察位错在生长过程中的行为；对于外延材料可以和外延表面对比位错情况，进而研究位错的增值和转化机理。

Description

一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法
技术领域
本申请涉及半导体单晶材料测试表征领域，尤其涉及一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中 缺陷的方法。
背景技术
作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、载流子饱和 迁移速度高、临界击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异的物理化学特性，基于这些 特性，SiC材料被认为是高频、大功率、耐高温和抗辐射电子器件的理想材料，以其制造的 器件在智能电网、轨道交通、电动汽车、雷达通讯等众多领域有着广泛的应用。
随着SiC单晶质量的逐步提高，小角晶界、微管等缺陷密度逐渐减少，但目前商用衬底 中仍或多或少的存在一些微管，在SiC晶片的应力双折射图像中，单个微管呈现出蝴蝶斑或 彗星状的应力像，微管在外延生长过程中延伸到外延层，是SiC功率器件中危害性最大的一 种缺陷，微管会导致器件反向偏压失效，直至击穿。虽然可以利用外延生长技术的改进使微 管闭合，但闭合后的微管仍会转变为位错或产生微坑等不同的形貌缺陷，衬底中检测微管的 双折射法不再适用于外延片。因此，需要探究一种可以方便观察微管从衬底到外延层延伸或 扩展的方法。
另外，基于物理气相传输的生长方法，生长出的SiC晶体仍具有较高的位错密度(～104cm-2)，使其实际电学性能大大降低，从而限制了SiC材料在电子器件领域的进一步应用。比如在高位错密度上制作的晶体三极管具有较大的漏电流，且不同类型的位错对器件性 能也有着不同的影响，衬底中的螺位错会在贯穿到外延层中或转化为Frank SFs，而外延层中 的Shockley SFs会在基平面位错转变成刃位错的转变点以下位置形成，从而严重影响SiC功 率器件的性能，导致器件参数退化。因此，如何快速有效的辨别位错缺陷类型对SiC材料与 器件的发展具有重要意义。
对于碳化硅单晶缺陷检测，常见的测量方法包括X射线衍射、X射线形貌术、透射电镜、 湿法腐蚀(包括传统的溶液腐蚀、电化学腐蚀和采用融化的盐类缺陷选择化学腐蚀)等等。 其中制样简单、方便快捷的熔融KOH腐蚀法最为常用。将SiC晶片放入熔融的KOH中进行刻蚀，在位错存在的地方形成择优刻蚀。根据刻蚀坑的尺寸和形状对位错类型进行辨别。尺寸较大的六边形腐蚀坑对应螺位错(TSD)，尺寸较小的六边形腐蚀坑对应刃位错(TED)， 小尺寸的贝壳形腐蚀坑对应基平面位错(BPD)，腐蚀坑的形状和尺寸均受腐蚀条件的影响，但高掺杂的N型SiC在湿法刻蚀后刻蚀坑呈圆形，无法辨别位错种类。针对该问题，现有技术中有将四氟化碳/氩气作为刻蚀气体对SiC进行等离子体刻蚀，从而满足了高掺杂的N型SiC的位错检测。但以上方法均从Si面观察的位错，这样衬底Si面结构的完整性就被破坏，样品无法继续使用，需要重新进行研磨、抛光等工艺处理。而探究位错从衬底到外延层中的转变时，同样需要进行腐蚀→观察→研磨→抛光的重复性工艺，耗时非常长。若可以从碳面观察位错，便可以直观地看到衬底碳面和外延层Si面刻蚀坑的对应关系，从而研究位错转化 机理，对探究位错与失效器件的关联性至关重要。
因此，需要探究一种从碳面可以同时观察碳化硅单晶中微管和位错缺陷的方法。
发明内容
为解决上述问题，本申请实施例提供了一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法。
本申请实施例提供的在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，主要包括如下步骤：
将碳化硅晶片置于刻蚀腔中，使用微波等离子体刻蚀碳化硅晶片的碳面；
刻蚀完成后，将所述碳化硅晶片从刻蚀腔中取出，用去离子水和酒精超声清洗；
根据碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面，确定缺陷类型。
本申请实施例提供的方法具有如下有益效果：
1、本发明通过刻蚀C面形成刻蚀坑，根据刻蚀坑的形貌和截面信息可以准确辨认微管 及不同类型的位错。
2、本发明通过刻蚀C面观察微管，可以对比外延层表面的形貌缺陷，探究微管在外延 过程中的延伸和扩展情况。
3、本发明通过刻蚀C面观察位错，对于衬底材料可以和Si面位错情况进行对比，从而 直接观察位错在生长过程中的行为；对于外延材料可以和外延表面对于位错情况，进而研究 位错的增值和转化机理。
4、本发明不使用熔融的强碱作为腐蚀剂，对人体危害性小。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实施例的实施例， 并与说明书一起用于解释本实施例的原理。
为了更清楚地说明本实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述 中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出 创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的微波等离子体化学气相沉刻蚀装置的示意图；
图2为非掺4H-SiC衬底中三类位错形成刻蚀坑的形貌、截面及尺寸信息图；
图3为N型4H-SiC衬底中三类位错形成刻蚀坑的形貌、截面及尺寸信息；
图4为本申请实施例提供的微管的刻蚀形貌图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时， 除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述 的实施方式并不代表与本实施例相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求 书中所详述的、本实施例的一些方面相一致的装置和方法的例子。
本实施例利用实施例中所用刻蚀装置为微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)生长炉。图 1为本申请实施例提供的微波等离子体化学气相沉刻蚀装置的示意图，如图1所示，碳化硅 晶片2的碳面朝上放在钼片1上，形成的等离子体3覆盖在碳化硅晶片2表面。刻蚀坑的形 貌和截面信息可借助激光共聚焦显微镜获得，当然也可以是其它设备。本实施例的碳化硅晶 片是采用物理气相传输法生长所得，晶型为4H-SiC。本申请实施例提供的在碳面辨别碳化硅 单晶缺陷的方法主要包括如下步骤：
S101:将碳化硅晶片置于刻蚀腔中，使用微波等离子体刻蚀碳化硅晶片的碳面。
本实施例中的碳化硅晶片如果是衬底片，需要对晶体进行切割、研磨、抛光等工艺加工 成晶片，表面达到镜面的要求，清洗后备用；如果是外延片可直接使用；如果是表面有器件 则需将背面金属电极去除。
本实施例中的刻蚀气体为氢等离子体或者氢氧等离子体，样品碳面朝上放在钼片上，设 备为微波等离子体化学气相沉积生长炉，通入刻蚀气体后，在微波的激励下产生等离子体， 覆盖在样品碳面，通过设置微波功率调整等离子体的温度
S102:刻蚀完成后，将所述碳化硅晶片从刻蚀腔中取出，用去离子水和酒精超声清洗。
不同掺杂类型的SiC单晶需要探索最佳的刻蚀条件。在最佳条件下刻蚀后的样品碳面缺 陷腐蚀坑形状清晰、尺寸适中、缺陷完全显露且没有出现交叠。
S103:根据碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面，确定缺陷类型。
基于上述方法，下面将针对不同类型的晶片进行分类介绍。
实施例1
针对非掺4H-SiC衬底碳面刻蚀位错研究。
将4H-SiC衬底碳面向上刻蚀，刻蚀气体可以为氢氧等离子体，氢气流量200-400sccm， 氧气流量2-4sccm，刻蚀温度1000-1200℃，刻蚀时间1.5-2.5h。
本实施例中，氢气流量300sccm，氧气流量3sccm，刻蚀温度1100℃，刻蚀时间2h刻蚀 完成后，借助LEXT OLS4000 3D激光共聚焦显微镜观察刻蚀坑的形貌、截面及尺寸信息，可 将刻蚀坑分为三类，如图2所示，结合刻蚀机理和位错理论分析，尺寸最大，截面为梨型，底部尖锐的刻蚀坑为混合位错(TMD)；尺寸次之，截面为三角形的刻蚀坑对应TSD；尺寸最小，截面为弧形的对应TED。
实施例2
针对N型4H-SiC衬底碳面刻蚀位错研究。刻蚀气体可以为氢等离子体，氢气流量200-400sccm，氧气流量2-4sccm，刻蚀温度1000-1200℃，刻蚀时间1.5-2.5h。
将掺N的4H-SiC样品碳面向上刻蚀，本实施例中设置氢气流量300sccm，刻蚀温度1100℃，刻蚀时间2h。刻蚀完成后，借助LEXT OLS4000 3D激光共聚焦显微镜观察刻蚀坑的形貌、截面及尺寸信息，可将刻蚀坑分为三类，如图3所示，结合刻蚀机理和位错理论分析，形貌为六边形，宽高比最小，截面为三角形刻蚀坑为TSD；形貌椭圆形，宽高比最大，截面 为三角形的刻蚀坑对应TED；形貌和宽高比均在二者之间，截面为梯锥型的刻蚀坑对应TMD。值得注意的是，三类刻蚀坑底端均不在中心，这是由衬底偏4°角导致。
实施例3
针对N型4H-SiC衬底碳面刻蚀微管研究
刻蚀条件与实施例2相同。如图4所示，可以明显观察到一个尺寸约在30μm左右、中心无底的刻蚀坑，对应微管。说明本实施例的刻蚀方法在合适的条件下可以将微管和位错进 行有效区分。
本实施例通过刻蚀碳面形成刻蚀坑，根据刻蚀坑的形貌和截面信息可以准确辨认微管及 不同类型的位错。通过刻蚀碳面观察微管，可以对比外延层表面的形貌缺陷，探究微管在外 延过程中的延伸和扩展情况。通过刻蚀碳面观察位错，对于衬底材料可以和Si面位错情况进 行对比，从而直接观察位错在生长过程中的行为；对于外延材料可以和外延表面对于位错情 况，进而研究位错的增值和转化机理。本实施例不使用熔融的强碱作为腐蚀剂，对人体危害 性小。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相 参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。本领域技术人员在考虑说 明书及实践这里申请的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请 的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原 理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视 为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以 在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (6)

1.一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
将碳化硅晶片置于刻蚀腔中，使用微波等离子体刻蚀碳化硅晶片的碳面；
刻蚀至预设时间后，将所述碳化硅晶片从刻蚀腔中取出，用去离子水和酒精超声清洗；
根据所述碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面，确定缺陷类型。
2.根据权利要求1所述的在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，其特征在于，所述微波等离子体为微波氢等离子体或者微波氢氧等离子体。
3.根据权利要求1所述的在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，其特征在于，所述预设刻蚀时间根据刻蚀后的碳面缺陷腐蚀坑形状清晰、缺陷完全显露且没有出现交叠的条件确定。
4.根据权利要求1所述的晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，其特征在于，所述碳化硅晶片为非掺4H-SiC衬底，其中，所述微波等离子体为氢氧等离子体，氢气流量200～400sccm，氧气流量2～4sccm，刻蚀温度1000～1200℃，刻蚀时间1.5～2.5h。
5.根据权利要求1所述的在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，其特征在于，所述碳化硅晶片为N型4H-SiC衬底，其中，所述微波等离子体为氢等离子体，氢气流量200～400sccm，刻蚀温度1000～1200℃，刻蚀时间1.5～2.5h。
6.根据权利要求1所述的在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，其特征在于，根据所述碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面，确定缺陷类型，包括：
利用3D激光共聚焦显微镜，观察所述碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面；
根据所述刻蚀坑的形貌和截面，确定缺陷类型。
CN202111551300.5A 2021-12-17 2021-12-17 一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法 Pending CN114384051A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111551300.5A CN114384051A (zh) 2021-12-17 2021-12-17 一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111551300.5A CN114384051A (zh) 2021-12-17 2021-12-17 一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114384051A true CN114384051A (zh) 2022-04-22

Family

ID=81197776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111551300.5A Pending CN114384051A (zh) 2021-12-17 2021-12-17 一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114384051A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1522465A (zh) * 2001-03-30 2004-08-18 兰姆研究公司 碳化硅的等离子体刻蚀
CN102057084A (zh) * 2008-07-04 2011-05-11 昭和电工株式会社 碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法
US20120142173A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Denso Corporation Manufacturing method of silicon carbide single crystal
CN102569055A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀
CN103715069A (zh) * 2013-12-02 2014-04-09 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种减少碳化硅外延薄膜中缺陷的方法
CN108169228A (zh) * 2017-11-28 2018-06-15 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法
CN111366589A (zh) * 2020-03-20 2020-07-03 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 一种碳化硅单晶位错检测方法
CN113777354A (zh) * 2021-08-10 2021-12-10 山东大学 一种单晶金刚石衬底中的缺陷检测方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1522465A (zh) * 2001-03-30 2004-08-18 兰姆研究公司 碳化硅的等离子体刻蚀
CN102057084A (zh) * 2008-07-04 2011-05-11 昭和电工株式会社 碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法
US20120142173A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Denso Corporation Manufacturing method of silicon carbide single crystal
CN102569055A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀
CN103715069A (zh) * 2013-12-02 2014-04-09 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种减少碳化硅外延薄膜中缺陷的方法
CN108169228A (zh) * 2017-11-28 2018-06-15 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法
CN111366589A (zh) * 2020-03-20 2020-07-03 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 一种碳化硅单晶位错检测方法
CN113777354A (zh) * 2021-08-10 2021-12-10 山东大学 一种单晶金刚石衬底中的缺陷检测方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108028186B (zh) SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置
US9777403B2 (en) Single-crystal silicon carbide and single-crystal silicon carbide wafer
CN102656297B (zh) SiC外延晶片及其制造方法
JP4939777B2 (ja) 低オフアクシスＳｉＣウエハ上のＳｉＣのホモエピタキシャル成長
JP5268354B2 (ja) 低減されたニンジン状欠陥を有する単結晶エピタキシャル炭化珪素層構造およびその製造方法
KR101539927B1 (ko) ＳｉＣ 상의 고전압 전력 반도체 소자
Zhao Surface defects in 4H-SiC homoepitaxial layers
CN103590101B (zh) 一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法
JP7211456B2 (ja) 炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置
EP3253909B1 (en) Furnace for seeded sublimation of wide band gap crystals
Chaussende et al. Silicon carbide
Frewin et al. A comprehensive study of hydrogen etching on the major SiC polytypes and crystal orientations
JP2019208077A (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハおよび半導体装置
CN114384051A (zh) 一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法
CN111868310B (zh) 碳化硅单晶的制造方法
Kim et al. On-axis Si-face 4H-SiC epitaxial growth with enhanced polytype stability by controlling micro-steps during the H 2 etching process
Wang et al. Ohmic and Schottky contacts of hydrogenated and oxygenated boron-doped single-crystal diamond with hill-like polycrystalline grains
CN111542651B (zh) 碳化硅单晶的制造方法
JP2011023502A (ja) 炭化珪素半導体素子及びその製造方法並びに炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法
Sudoh et al. BPD-TED Conversion in the SiC Substrate after High-Temperature Si-VE
EP4064326A1 (en) Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing same
JP2020126985A (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP2008235767A (ja) 半導体素子及びその製造方法
Hatayama et al. Evaluation of Crystallinity in 4H–SiC {0001} Epilayers Thermally Etched by Chlorine and Oxygen System
Kojima et al. Investigation of Low Off-Angled 4H-SiC Epitaxial Wafers for Power Device Applications

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20220422

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication