KR20120128506A - 종자정 부착 장치 - Google Patents

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KR20120128506A
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손창현
김범섭
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 종자정 부착 장치는, 종자정 홀더를 고정하는 종자정 홀더 고정부; 상기 종자정 홀더에 압력을 가하는 가압부; 및 상기 종자정 홀더의 하부에 위치하고, 종자정을 고정하는 종자정 고정부를 포함한다.

Description

종자정 부착 장치{APPARATUS FOR ATTACHING SEED}
본 기재는 종자정 부착 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 전기, 전자 산업분야 및 기계부품 분야에 있어서의 소재의 중요도는 매우 높아 실제 최종 부품의 특성 및 성능지수를 결정하는 중요한 요인이 되고 있다.
대표적인 반도체 소자 재료로 사용된 Si은 섭씨 100도 이상의 온도에 취약해 잦은 오작동과 고장을 일으키기 때문에, 다양한 냉각장치를 필요로 한다. Si이 이러한 물리적 한계를 보이게 됨에 따라, 차세대 반도체 소자 재료로서 SiC, GaN, AlN 및 ZnO 등의 광대역 반도체 재료가 각광을 받고 있다.
여기서, GaN, AlN 및 ZnO 에 비해 SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있다. 특히, SiC 단결정 성장 기술이 현실적으로 가장 안정적으로 확보되어, 기판으로서 산업적 생산 기술이 가장 앞서있다.
상기 SiC 단결정은 종자정 성장 승화법(seeded growth sublimation)을 이용하여 제조되고 있다.
상기 종자정 성장 승화법은 원료를 도가니에 수납하고, 상기 원료의 상부에 종자정이 되는 SiC 단결정을 배치한다. 상기 원료와 상기 종자정 사이에 온도구배를 형성함으로써 상기 원료가 상기 종자정 측으로 확산되고 재결정화되어 단결정이 성장한다.
이러한 공정을 진행하기 위하여, 상기 단결정이 성장되는 종자정은 예를 들어 도가니 뚜껑과 같은 별도의 부재에 부착되는데, 종자정의 부착 상태에 따라 그 표면에 성장되는 단결정의 품질에 큰 영향을 미칠 수 있기 때문에 종자정의 부착 공정은 매우 중요하다. 또한 종자정의 배치 구조 상 단결정이 성장되는 종자정의 표면이 중력 방향을 향하도록 고정되는 경우에, 종자정의 자중과 부착 상태에 따라 종자정의 낙하 현상이 발생할 수 있다.
따라서 단결정 성장 공정에 앞서서, 종자정과 종자정이 부착되는 종자정 홀더가 안정적이고 견고하게 부착되는 것이 요구된다.
실시예는 종자정 홀더와 종자정을 안정적으로 부착시킬 수 있다.
실시예에 따른 종자정 부착 장치는, 종자정 홀더를 고정하는 종자정 홀더 고정부; 상기 종자정 홀더에 압력을 가하는 가압부; 및 상기 종자정 홀더의 하부에 위치하고, 종자정을 고정하는 종자정 고정부를 포함한다.
실시예에 따른 종자정 부착 장치는 가압부 및 종자정 고정부를 포함한다.
상기 가압부는 상기 종자정 홀더 및 상기 종자정에 균일한 압력을 전달할 수 있다. 상기 가압부의 높은 압축 강도로 인해 상기 종자정 홀더와 상기 종자정의 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 종자정 홀더 및 상기 종자정 사이에 기포를 제거하여 안정적이고 견고하게 부착될 수 있다. 이는 단결정 성장 시, 상기 종자정 홀더로부터 상기 종자정이 탈리되는 것을 방지할 수 있다, 이로써, 단결정 성장 시, 수율을 향상시킬 수 있다.
상기 종자정 고정부가 상기 종자정의 하부에 위치함으로써, 상기 종자정의 오염을 방지할 수 있다. 즉, 상기 종자정에 접착물질을 도포하고, 상기 종자정 홀더 상부에 위치하는 가압부가 압력을 가하면서 상기 종자정 홀더와 상기 종자정을 부착하는데, 이때, 상기 접착물질이 상기 종자정 홀더와 상기 종자정의 계면에서 소량 빠져나오게 된다. 본 실시예에서는 상기 종자정의 하부에 종자정 고정부가 위치하여, 상기 접착물질이 빠져나와 상기 종자정 표면으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 상기 종자정으로부터 성장한 단결정의 불순물을 최소화할 수 있다. 따라서, 고품질의 단결정을 성장할 수 있다.
이어서, 상기 종자정 고정부는 기공을 적어도 하나 이상 포함하고, 상기 기공의 간격이 서로 대응될 수 있다. 상기 기공이 대응되는 간격을 갖기 때문에, 상기 종자정에 균일한 온도가 가해질 수 있고, 냉각 시킬 때, 균일한 냉각이 이루어질 수 있다. 이로써, 열 충격에 인한 종자정의 균열을 방지할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 종자정 부착 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 종자정 부착 장치의 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 실시예에 따른 종자정 부착 장치로 제조된 종자정 홀더 및 종자정의 단면도이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 종자정 부착 장치의 단면도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 제1 실시예에 따른 종자정 부착 장치를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 종자정 부착 장치의 분해 사시도이다. 도 2는 실시예에 따른 종자정 부착 장치의 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4는 실시예에 따른 종자정 부착 장치로 제조된 종자정 홀더 및 종자정의 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 종자정 부착 장치(1)는, 가압부(100), 종자정 홀더 고정부(200), 종자정 고정부(300) 및 가열부(400)를 포함한다.
상기 가압부(100)는 종자정 홀더(10) 상부에 위치할 수 있다.
여기서, 상기 종자정 홀더(10)는 단결정 성장을 위한 종자정(20)을 고정시키는 장치이다. 상기 종자정 홀더(10)는 상기 종자정(20)을 고정한 상태에서 단결정 성장 장치 내부에 수용될 수 있다. 상기 종자정 홀더(10)는 고밀도의 흑연을 포함할 수 있다.
상기 가압부(100)는 상기 종자정 홀더(10)와 상기 종자정(20)을 부착하기 위해 압력을 가할 수 있다. 즉, 상기 가압부(100)는 상기 종자정 홀더(10) 상부의 모든 면적에 누르는 압력을 가할 수 있다.
이를 통해, 상기 가압부(100)는 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20)에 균일한 압력을 전달할 수 있다. 상기 가압부(100)의 높은 압축 강도로 인해 상기 종자정 홀더(10)와 상기 종자정(20)의 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20) 사이에 기포를 제거하여 안정적이고 견고하게 부착될 수 있다. 이는 단결정 성장 시, 상기 종자정 홀더(10)로부터 상기 종자정(20)이 탈리되는 것을 방지할 수 있다, 이로써, 단결정 성장 시, 수율을 향상시킬 수 있다.
상기 가압부(100)는 스테인레스강을 포함할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 가압부(100)는 상기 종자정 홀더(10)에 압력을 가할 수 있는 강도를 가진 다양한 물질을 포함할 수 있다.
이어서, 상기 종자정 홀더 고정부(200)는 상기 가압부(100) 및 상기 종자정 홀더(10)를 수용할 수 있다. 따라서, 상기 종자정 홀더 고정부(200)는 일정한 깊이를 가질 수 있다.
상기 종자정 홀더 고정부(200)는 상기 종자정 홀더(10)를 고정할 수 있다. 따라서, 상기 종자정 홀더 고정부(200)는 상기 종자정 홀더(10)가 걸쳐질 수 있도록, 걸림부를 포함할 수 있다.
상기 종자정 홀더 고정부(200)는 상기 종자정 홀더(10)와 종자정(20)을 부착시킬 때, 상기 종자정 홀더(10)와 상기 종자정(20)의 위치가 어긋나는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 종자정 홀더(10)와 상기 종자정(20)이 대응되도록 위치를 고정시킬 수 있다.
상기 종자정 홀더 고정부(200)는 스테인레스강을 포함할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 종자정 홀더 고정부(200)는 상기 종자정 홀더(10)에 압력을 가할 수 있는 강도를 가진 다양한 물질을 포함할 수 있다.
이어서, 상기 종자정 고정부(300)는 상기 종자정 홀더 고정부(200)의 하부에 위치한다. 즉, 상기 종자정 고정부(300)는 상기 종자정 홀더(10)의 하부에 위치한다.
상기 종자정 고정부(300)는 상기 종자정(20)을 안착시키는 홈(310)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 종자정 고정부(300)는 상기 종자정(20)을 안착시킴으로써 고정할 수 있다. 특히, 상기 종자정(20)에서 단결정이 성장하는 표면이 상기 종자정 고정부(300)의 홈(310)에 안착될 수 있다. 따라서, 상기 단결정이 성장하는 표면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
상기 홈(310)의 깊이(T)는 상기 종자정(20)의 두께(t)보다 작게 형성될 수 있다. 이를 통해, 상기 종자정(20)이 상기 종자정 고정부(300)에 안착 될 때, 상기 종자정(20)이 상기 종자정 고정부(300)로부터 돌출될 수 있다. 즉, 상기 종자정(20)의 상면이 상기 종자정 고정부(300)로부터 돌출될 수 있다. 이로써, 상기 종자정 홀더(10)와 상기 종자정(20)을 용이하게 부착할 수 있다. 또한, 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20)을 부착한 후, 상기 종자정 고정부(300)로부터 용이하게 탈착할 수 있다.
상기 홈(310)의 직경(D)은 상기 종자정(20)의 직경(d)과 대응될 수 있다. 따라서, 상기 종자정 홀더(10)를 부착시킬 때, 상기 종자정(20)이 안정적으로 고정될 수 있다.
상기 홈(310)의 직경(D)은 상기 종자정(20)의 직경(d)에 맞게 다양하게 제조될 수 있다.
상기 종자정 고정부(300)가 상기 종자정(20)의 하부에 위치함으로써, 상기 종자정(20)의 오염을 방지할 수 있다. 즉, 상기 종자정(20)에 접착물질(30)을 도포하고, 상기 종자정 홀더(10) 상부에 위치하는 가압부(100)가 압력을 가하면서 상기 종자정 홀더(10)와 상기 종자정(20)을 부착하는데, 이때, 상기 접착물질(30)이 상기 종자정 홀더(10)와 상기 종자정(20)의 계면에서 소량 빠져나오게 된다. 본 실시예에서는 상기 종자정(20)의 하부에 종자정 고정부(300)가 위치하여, 상기 접착물질(30)이 빠져나와 상기 종자정(20) 표면으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 상기 종자정(20)으로부터 성장한 단결정의 불순물을 최소화할 수 있다. 따라서, 고품질의 단결정을 성장할 수 있다.
상기 종자정 고정부(300)는 기공(320)을 포함한다. 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20) 부착 후, 상기 기공(320)을 통해 열이 방출되어 냉각될 수 있다.
이어서, 상기 기공(320)이 적어도 하나 이상 포함되고, 상기 기공(320)의 간격이 서로 대응될 수 있다. 상기 기공(320)이 대응되는 간격을 갖기 때문에, 상기 종자정(20)에 균일한 온도가 가해질 수 있고, 냉각 시킬 때, 균일한 냉각이 이루어질 수 있다. 이로써, 열 충격에 인한 종자정(20)의 균열을 방지할 수 있다.
상기 기공(320)의 크기는 100 um 내지 1 mm 가 될 수 있다. 상기 기공(320)의 크기가 100 um 미만일 경우, 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20) 부착 후, 냉각이 제대로 이루어지지 않을 수 있다. 또한, 상기 기공(320)의 크기가 1 mm 초과할 경우, 상기 종자정 홀더(10)를 부착할 때, 위에서 누르는 압력을 견디지 못할 수 있다. 즉, 상기 기공(320)으로 인해, 상기 종자정(20)을 지지하기 어려울 수 있다.
상기 종자정 고정부(300)는 흑연을 포함할 수 있다. 흑연은, 열전도도가 높아 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20) 부착 시, 상기 종자정(20)에 효과적으로 열을 전달할 수 있다. 또한, 상기 종자정(20)에 균일한 온도전달이 가능하다.
상기 가열부(400)는 상기 종자정 고정부(300)의 하부에 위치할 수 있다. 상기 가열부(400)는 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20)을 부착하기 위한 접착물질(30)을 녹여 부착시킬 수 있다. 따라서, 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20) 부착 시, 상기 종자정 고정부(300)에 열을 가할 수 있다. 상기 가열부(400)는 일례로, 핫 플레이트(hot plate)일 수 있다.
이하, 상술한 종자정 부착 장치(1)를 이용하는 종자정 부착 방법에 대해 설명한다.
상기 종자정 홀더 고정부(200)에 상기 종자정 홀더(10)를 수용시킨다. 상기 종자정 고정부(300)에는 상기 종자정(20)을 안착시킨다. 상기 종자정(20)의 표면에 접착물질(30)을 도포하고, 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20)이 대응되도록 위치시킨다. 상기 종자정 홀더(10)의 상부에 가압부(100)를 위치시키고, 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20)에 압력을 가한다. 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20)을 부착시킨 후, 상기 가열부(400)를 구동시켜 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20)의 계면의 접착물질(30)을 탄화시킬 수 있다. 그 후, 상기 가열부(400)의 구동을 중지시키고, 상기 가압부(100)에 의해 상기 종자정 홀더(10) 및 상기 종자정(20)에 하중이 가해진 채로 약 3시간 동안 냉각시킬 수 있다. 상기 냉각이 완료되면 상기 종자정 홀더 고정부(200) 및 가압부(100)를 분리할 수 있다. 이후, 부착이 완료된 종자정 홀더(10) 및 종자정(20)을 상기 종자정 고정부(300)로부터 분리할 수 있다. 상기 부착이 완료된 종자정 홀더(10) 및 종자정(20)은 단결정 성장 도가니에 수용되어, 단결정을 성장시킬 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여, 제2 실시예에 따른 종자정 부착 장치에 대해 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 제1 실시예와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 5는 제2 실시예에 따른 종자정 부착 장치(2)의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 종자정 고정부(300)를 이루는 물질이 메쉬(mesh) 형태로 존재할 수 있다.
따라서, 상기 메쉬로 인해 기공(320)이 존재할 수 있다. 또한, 상기 메쉬로 인해 상기 기공(320)이 균일하게 위치할 수 있다. 이로써, 상기 종자정(20)에 균일한 온도를 가할 수 있고, 냉각시킬 때, 균일한 냉각이 이루어질 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 종자정 홀더를 고정하는 종자정 홀더 고정부;
    상기 종자정 홀더에 압력을 가하는 가압부; 및
    상기 종자정 홀더의 하부에 위치하고, 종자정을 고정하는 종자정 고정부를 포함하는 종자정 부착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 종자정 고정부는 기공을 포함하는 종자정 부착 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기공이 적어도 하나 이상 포함되고, 상기 기공의 간격이 서로 대응되는 종자정 부착 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기공의 크기는 100 um 내지 1 mm 인 종자정 부착 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 종자정 고정부는 흑연을 포함하는 종자정 부착 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 흑연은 메쉬(mesh) 형태로 존재하는 종자정 부착 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 종자정 고정부는 상기 종자정을 안착시키는 홈을 포함하는 종자정 부착 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 홈의 깊이는 상기 종자정의 두께보다 작은 종자정 부착 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 홈의 직경은 상기 종자정의 직경과 대응되는 종자정 부착 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 종자정 고정부의 하부에 가열부를 더 포함하는 종자정 부착 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101419471B1 (ko) * 2012-12-28 2014-07-16 재단법인 포항산업과학연구원 종자정 받침대 부착 방법 및 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4866005A (en) * 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
TW370580B (en) * 1997-09-22 1999-09-21 Super Silicon Crystal Res Monocrystal pulling device
US6406539B1 (en) * 1999-04-28 2002-06-18 Showa Denko K.K, Process for producing silicon carbide single crystal and production apparatus therefor
JP3959952B2 (ja) * 2000-11-10 2007-08-15 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
DE602004001802T3 (de) * 2003-04-24 2012-01-26 Norstel Ab Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Dampfphasenabscheidung
JP4470690B2 (ja) * 2004-10-29 2010-06-02 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶、炭化珪素基板および炭化珪素単結晶の製造方法
US7497906B2 (en) * 2006-03-08 2009-03-03 Bridgestone Corporation Seed crystal fixing apparatus and a method for fixing the seed crystal
JP5250321B2 (ja) * 2008-07-04 2013-07-31 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法並びに炭化珪素単結晶の製造方法
KR20120135735A (ko) * 2011-06-07 2012-12-17 엘지이노텍 주식회사 잉곳 제조 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101419471B1 (ko) * 2012-12-28 2014-07-16 재단법인 포항산업과학연구원 종자정 받침대 부착 방법 및 종자정 받침대를 이용한 단결정 성장 방법

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