CN104120493A - 电阻炉合成单晶碳化硅制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明在电阻炉合成单晶碳化硅制备方法，而单晶碳化硅是属半导体技术领域中半导体芯片材料，广泛用于高科技术及国防工业上。单晶碳化硅合成有许多方法，常用单晶碳化硅合成方法是“升华法”，是在真空一般为10-30毫米汞柱的碳管炉内，靠装填碳管炉内sic炉料升华在内壁生长合成单晶碳化硅。现发明在电阻炉合成单晶碳化硅，严格控制温度在2600度，形成合成结晶空间，制备方法是“熔解法”，在电阻炉中埋入密闭石墨干坩埚，不受对流冲击影响，按配方比例配料sic晶种与粘结剂树脂溶液树脂干粉搅拌均匀，木模成型，电炉干燥加热固化放入石墨干坩内辅以录碳化硅及硅砂为填充料，在电阻炉合成单晶碳化硅，质量好，晶体大，投资少，效益高，特别适合中小型企业开发生产，经济及社会效益显著。
Description
技术领域：
本发明在电阻炉合成单晶碳化硅制备方法。而单晶碳化硅是属半导体技术领域中一种半导体芯片材料，广泛用于高科技及国防工业上。
技术背景：
单晶碳化硅合成有许多方法，常用单晶碳化硅合成方法是“升华法”：是在真空一般为10-30毫米汞柱的碳管炉内，靠装填于管内sic炉料升华，在内壁生长合成单晶碳化硅。
现本发明电阻炉合成单晶碳化硅制备方法是“熔解法”，其技术条件必须具备温度2600度之间，结晶合成，有形成单晶碳化硅晶体的空间，在此空间中，sic是过饱和浓度状态，形成空气温流，饱和溶态状，必须温度恒定，不受外界气流冲击处密封状态中。
发明内容：
本发明电阻炉合成单晶碳化硅严格控制温度在2600度形成结晶空间，制备方法是在电阻炉中埋入密闭石墨坩埚，不受对流冲击影响，按配方比例配送sic晶种与粘结剂树脂干粉搅拌均匀，木模成型，然后在电炉干燥箱加热固化放入石墨坩埚内，辅以录碳化硅及硅砂为填充材料，在电阻炉合成单晶碳化硅，质量好，晶体大，投资少，效益高，特别适合中小型企业开发生产，经济及社会效益显著。
Claims (1)
1.本发明在电阻炉合成单晶碳化硅制备方法，而单晶碳化硅是属半导体技术领域中一种半导体芯片材料，广泛用于高科技及国防工业；
电阻炉合成单晶碳化硅制备方法是“熔解法”其技术条件必须具备温度2600度之间，结晶合成，有形成单晶碳化硅晶体的空间，在此空间中，sic是过饱和浓度状态，形成空气温度对流，饱和溶态状，必须温度恒定，不受外界气流对流冲击处密封状态。
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|---|---|---|---|
| CN201310611768.8A CN104120493A (zh) | 2013-04-24 | 2013-11-26 | 电阻炉合成单晶碳化硅制备方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107201546A (zh) * | 2016-09-01 | 2017-09-26 | 梅咬清 | 电阻炉合成单晶碳化硅制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1544715A (zh) * | 2003-11-14 | 2004-11-10 | 中国科学院物理研究所 | 物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置 |
| CN102057084A (zh) * | 2008-07-04 | 2011-05-11 | 昭和电工株式会社 | 碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法 |
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2013
- 2013-11-26 CN CN201310611768.8A patent/CN104120493A/zh active Pending
Patent Citations (2)
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Addressee: Mei Yaoqing Document name: Notification to Make Rectification Addressee: Mei Yaoqing Document name: Notification to Make Formalities Rectification |
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Application publication date: 20141029 |
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