JP2021103720A - エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法 - Google Patents
エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021103720A JP2021103720A JP2019233937A JP2019233937A JP2021103720A JP 2021103720 A JP2021103720 A JP 2021103720A JP 2019233937 A JP2019233937 A JP 2019233937A JP 2019233937 A JP2019233937 A JP 2019233937A JP 2021103720 A JP2021103720 A JP 2021103720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- epitaxial
- wafer
- epitaxial film
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 31
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 92
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 136
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- UWGIJJRGSGDBFJ-UHFFFAOYSA-N dichloromethylsilane Chemical compound [SiH3]C(Cl)Cl UWGIJJRGSGDBFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- -1 methane (CH 4 ) Chemical class 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWAWYEUJUWLESO-UHFFFAOYSA-N trichloromethylsilane Chemical compound [SiH3]C(Cl)(Cl)Cl DWAWYEUJUWLESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【課題】エピタキシャル膜成長におけるエピタキシャル膜成長用ウエハの成膜対象面とは反対側の面に付着し得るエピタキシャル膜と同じ組成の膜を容易に除去することができる、エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。【解決手段】成膜対象面を有する単結晶ウエハと、前記成膜対象面とは反対側の面に形成された、厚さが１μｍ〜５μｍの第１炭素膜と、を備える。【選択図】図１
Description
本発明は、エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法に関する。
炭化ケイ素は、ケイ素と炭素で構成される、化合物半導体材料である。炭化ケイ素は、絶縁破壊電界強度がケイ素の１０倍で、バンドギャップがケイ素の３倍であり、半導体材料として優れている。さらに、デバイスの作製に必要なｐ型、ｎ型の制御が広い範囲で可能であることなどから、ケイ素の限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されている。
このような用途に用いられる炭化ケイ素材料は、高純度、低欠陥、均一性等、高品質であることが要求される。そのため、炭化ケイ素材料は、昇華法等で作製した炭化ケイ素のバルク単結晶から加工した、炭化ケイ素単結晶ウエハを用いて、通常、この炭化ケイ素単結晶ウエハ上に化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）によって、炭化ケイ素半導体デバイスの活性領域となる、炭化ケイ素エピタキシャル膜を成長させることにより製造することができる。
炭化ケイ素エピタキシャル膜は、例えば１５００℃程度以上の高温で、プロパンガスとシランガス等の化学反応により形成される。炭化ケイ素エピタキシャル膜を形成するときに、炭化ケイ素エピタキシャル膜を形成するための炭化ケイ素単結晶ウエハ（エピタキシャル膜成長用ウエハ）を均熱化するため、このウエハを載置するサセプタが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、エピタキシャル膜成長用ウエハとサセプタとの間には、少なからず空間が存在することにより、エピタキシャル膜の原料ガスが入り込むことがある。これに起因して、炭化ケイ素のエピタキシャル膜を形成する場合、エピタキシャル膜成長用ウエハの裏面（成膜対象面とは反対側の、サセプタ側の面）にも炭化ケイ素膜（エピタキシャル膜と同じ組成の膜）が形成されることがある。また、サセプタ上にも膜が成長するため、サセプタ上に成長した膜がエピタキシャル膜成長用ウエハの裏面に転写する場合もある。
エピタキシャル膜成長用ウエハの裏面側にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が付着すると、裏面側の平坦性が損なわれるため、成膜後のエピタキシャル膜成長用ウエハを搬送するための真空吸着が困難となる。また、エピタキシャル膜成長用ウエハにエピタキシャル膜が成膜したエピタキシャルウエハの加工工程において、ウエハの基準面が得られないなどの問題につながり得る。そこで、しばしば、研削や研磨により、裏面側に付着した膜を除去する方法が用いられる。
しかしながら、このような研削や研磨加工を行うことは、生産コストが増加する要因となる。特に炭化ケイ素は非常に硬く加工性が悪いため、炭化ケイ素膜の研削加工、研磨加工は、加工に長時間を要し、費用が高額なため、炭化ケイ素半導体のコストを増加させる要因となっていた。
従って、本発明は、上記のような問題点に着目し、エピタキシャル膜成長におけるエピタキシャル膜成長用ウエハの成膜対象面とは反対側の面に付着し得るエピタキシャル膜と同じ組成の膜を容易に除去することができる、エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、エピタキシャルウエハの製造方法を提供することを目的とする。
本発明のエピタキシャル成長用ウエハは、成膜対象面を有する単結晶ウエハと、前記成膜対象面とは反対側の面に形成された、厚さが１μｍ〜５μｍの第１炭素膜と、を備える。
本発明のエピタキシャル成長用ウエハにおいて、前記単結晶ウエハの側面に形成された、厚さが１μｍ〜５μｍの第２炭素膜をさらに備えていてもよい。
本発明のエピタキシャル膜成長方法は、本発明のエピタキシャル膜成長用ウエハの前記成膜対象面に、化学的気相成長法によりエピタキシャル膜を成膜する成膜工程を含む。
本発明のエピタキシャル膜成長方法において、前記成膜工程は、炭化ケイ素エピタキシャル膜を成膜する工程であってもよい。
本発明の除去方法は、本発明のエピタキシャル膜成長方法により得られた、エピタキシャル膜成長用ウエハとエピタキシャル膜との積層体を加熱して、炭素膜を燃焼除去する除去工程を含む。
本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、本発明のエピタキシャル膜成長方法により、エピタキシャル膜成長用ウエハの前記成膜対象面にエピタキシャル膜を形成する成長工程と、本発明の除去方法により、前記炭素膜を除去する除去工程と、を備える。
本発明のエピタキシャル膜成長用ウエハであれば、エピタキシャル膜成長後に炭素膜を燃焼除去することで、成膜対象面とは反対側の炭素膜側に形成したエピタキシャル膜と同じ組成の膜を容易に除去することができる。
本発明のエピタキシャル膜成長方法であれば、本発明のエピタキシャル膜成長用ウエハを用いてエピタキシャル膜を成長させることにより、成膜対象面とは反対側の面にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が形成されたとしても、炭素膜を燃焼除去することで、炭素膜と共に容易に除去することができる。
本発明の除去方法であれば、酸化性ガス雰囲気下で加熱して、前記エピタキシャル膜成長用ウエハの成膜対象面とは反対側の面に形成された炭素膜を燃焼除去することにより、成膜対象面とは反対側の面にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が形成されたとしても、炭素膜と共に容易に除去することができる。
本発明のエピタキシャルウエハの製造方法であれば、本発明のエピタキシャル膜成長方法、除去方法を行うことにより、成膜対象面とは反対側の面にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が形成されたとしても、炭素膜と共に容易に除去することができ、また、平滑性の高いエピタキシャルウエハが得られる。このようにして得られたエピタキシャルウエハは、成膜対象面とは反対側の面にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が形成されておらず、搬送するための真空吸着や加工のための基準面の取得の際等の不具合を抑制して生産性を向上させることにより、生産コストを抑えることができる。
［エピタキシャル膜成長用ウエハ］
本発明の一実施形態にかかるエピタキシャル膜成長用ウエハについて、図面を参照して説明する。本実施形態のエピタキシャル膜成長用ウエハ１００は、図１（Ａ）に示すように、成膜対象面を有する単結晶ウエハ１１０と、成膜対象面１１０ａとは反対側の面１１０ｂに形成された厚さが１μｍ〜５μｍの第１炭素膜１２０と、を備える。なお、第１炭素膜１２０の厚さの違いがエピタキシャル膜の成膜に影響しないように、第１炭素膜１２０の厚さは均一であることが好ましい。エピタキシャル膜成長用ウエハ１００は、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャル膜、シリコン（Ｓｉ）エピタキシャル膜を成膜するときに好適に用いることができる。本発明者等は鋭意研究し、試行錯誤を重ねた結果、炭化ケイ素エピタキシャル膜成長用ウエハの成膜対象面とは反対側の面に炭素膜を形成して、成膜対象面に、化学的気相成長法によりエピタキシャル膜を堆積させた後に、酸化性ガス雰囲気下で炭素膜を燃焼除去すれば、それと同時に炭素膜側に付着または転写したエピタキシャル膜と同じ組成の膜（すなわち、炭化ケイ素膜やシリコン膜）を除去できることを見出すに至った。なお、以下の記載においては、炭化ケイ素エピタキシャル膜を成膜する場合を例示して説明する。
本発明の一実施形態にかかるエピタキシャル膜成長用ウエハについて、図面を参照して説明する。本実施形態のエピタキシャル膜成長用ウエハ１００は、図１（Ａ）に示すように、成膜対象面を有する単結晶ウエハ１１０と、成膜対象面１１０ａとは反対側の面１１０ｂに形成された厚さが１μｍ〜５μｍの第１炭素膜１２０と、を備える。なお、第１炭素膜１２０の厚さの違いがエピタキシャル膜の成膜に影響しないように、第１炭素膜１２０の厚さは均一であることが好ましい。エピタキシャル膜成長用ウエハ１００は、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャル膜、シリコン（Ｓｉ）エピタキシャル膜を成膜するときに好適に用いることができる。本発明者等は鋭意研究し、試行錯誤を重ねた結果、炭化ケイ素エピタキシャル膜成長用ウエハの成膜対象面とは反対側の面に炭素膜を形成して、成膜対象面に、化学的気相成長法によりエピタキシャル膜を堆積させた後に、酸化性ガス雰囲気下で炭素膜を燃焼除去すれば、それと同時に炭素膜側に付着または転写したエピタキシャル膜と同じ組成の膜（すなわち、炭化ケイ素膜やシリコン膜）を除去できることを見出すに至った。なお、以下の記載においては、炭化ケイ素エピタキシャル膜を成膜する場合を例示して説明する。
炭化ケイ素エピタキシャル膜用のエピタキシャル膜成長用ウエハである場合、単結晶ウエハ１１０は、昇華法等により作成した炭化ケイ素のバルク単結晶から加工して得た、４Ｈ−ＳｉＣ単結晶ウエハを用いることができる。また、単結晶ウエハの形状としては、例えば円形の平行平板状で、厚さ５μｍ〜１００μｍ程度の炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成膜させる場合、単結晶ウエハの厚さは、２５０μｍ〜７５０μｍ程度とすることができる。なお、シリコン（Ｓｉ）エピタキシャル膜用のエピタキシャル膜成長用ウエハの場合には、単結晶ウエハ１１０として、昇華法等により作成したシリコンのバルク単結晶から加工して得た、Ｓｉ単結晶ウエハを用いることができる。
第１炭素膜１２０は、単結晶ウエハ１１０の成膜対象面１１０ａとは反対側の面１１０ｂに、真空蒸着等により形成することができる。また、第１炭素膜１２０の厚さは、１μｍ〜５μｍとする。第１炭素膜１２０が薄すぎると、第１炭素膜１２０にピンホールが形成されることがあり、均質な第１炭素膜１２０が得られない可能性がある。また、第１炭素膜１２０が厚すぎると、炭化ケイ素膜と第１炭素膜１２０との熱膨張係数の差に起因して、第１炭素膜１２０の剥離や単結晶ウエハ１１０の変形が生じる可能性がある。
以上のような本実施形態のエピタキシャル成長用ウエハであれば、炭化ケイ素エピタキシャル膜成長後に加熱処理して、成膜対象面１１０ａとは反対側の面１１０ｂに形成された第１炭素膜１２０を燃焼除去することで、エピタキシャル膜の成長時に付着したり、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００を載置するサセプタに付着した膜が転写したりして、第１炭素膜１２０側に形成した炭化ケイ素膜（エピタキシャル膜と同じ組成の膜）を容易に除去することができる。
なお、本実施形態のエピタキシャル膜成長用ウエハ１００（図１（Ａ））は、単結晶ウエハ１１０の成膜対象面１１０ａとは反対側の面１１０ｂに第１炭素膜１２０が形成されていたが、図１（Ｂ）に示すように、エピタキシャル膜成長用ウエハは、単結晶ウエハ１１０の側面１１０ｃに形成された、厚さが１μｍ〜５μｍの第２炭素膜をさらに備えていてもよい。すなわち、図１（Ｂ）に示すエピタキシャル膜成長用ウエハ１００Ａは、単結晶ウエハ１１０と、１μｍ〜５μｍの厚さの炭素膜１２０Ａと、を備え、炭素膜１２０Ａは、成膜対象面１１０ａとは反対側の面１１０ｂに形成された第１炭素膜１２１と、単結晶ウエハ１１０の側面１１０ｃに形成された第２炭素膜１２２と、を有する。これにより、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００Ａを用いてエピタキシャル膜成長後に加熱処理すれば、成膜対象面１１０ａとは反対側の面１１０ｂに形成された炭化ケイ素膜と同時に、側面１１０ｃに形成された炭化ケイ素膜を除去することができる。
［エピタキシャルウエハの製造方法］
本発明の一実施形態にかかるエピタキシャルウエハの製造方法を説明する。本実施形態のエピタキシャルウエハの製造方法は、後述するエピタキシャル膜成長方法により、エピタキシャル膜成長用ウエハの成膜対象面にエピタキシャル膜を形成する成長工程と、後述する除去方法により、炭素膜を除去する除去工程と、を備える。本実施形態においては、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００をエピタキシャル膜成長用ウエハ１００に成膜して、炭化ケイ素エピタキシャルウエハ５００を製造する方法を例示して説明する。
本発明の一実施形態にかかるエピタキシャルウエハの製造方法を説明する。本実施形態のエピタキシャルウエハの製造方法は、後述するエピタキシャル膜成長方法により、エピタキシャル膜成長用ウエハの成膜対象面にエピタキシャル膜を形成する成長工程と、後述する除去方法により、炭素膜を除去する除去工程と、を備える。本実施形態においては、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００をエピタキシャル膜成長用ウエハ１００に成膜して、炭化ケイ素エピタキシャルウエハ５００を製造する方法を例示して説明する。
（エピタキシャル膜成長方法）
本発明の一実施形態にかかるエピタキシャル膜成長方法について、図面を参照して説明する。本実施形態のエピタキシャル膜成長方法は、前述したエピタキシャル膜成長用ウエハ１００、１００Ａの成膜対象面１１０ａに、化学的気相成長法によりエピタキシャル膜を成膜する、成膜工程を含むものである。本実施形態においては、図２、図３を用いて、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００に、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を形成する方法を例示して説明する。
本発明の一実施形態にかかるエピタキシャル膜成長方法について、図面を参照して説明する。本実施形態のエピタキシャル膜成長方法は、前述したエピタキシャル膜成長用ウエハ１００、１００Ａの成膜対象面１１０ａに、化学的気相成長法によりエピタキシャル膜を成膜する、成膜工程を含むものである。本実施形態においては、図２、図３を用いて、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００に、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を形成する方法を例示して説明する。
図２は、本実施形態のエピタキシャル膜成長方法において用いることができる成膜装置の一例である、成膜装置１０００を示す図である。なお、以下の説明は成膜方法の一例であり、問題のない範囲で、成膜装置の構成や、温度、圧力、ガス雰囲気等の各条件や、手順等を変更してもよい。
図２に示すように、成膜装置１０００は、化学的気相成長法により、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成膜させることができる。成膜装置１０００は、成膜装置１０００の外装となる筐体１０１０と、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成膜させる成膜室１０２０と、成膜室１０２０より排出された原料ガスやキャリアガスを後述のガス排出口１０４０へ導入する排出ガス導入室１０５０と、排出ガス導入室１０５０を覆うボックス１０６０と、ボックス１０６０の外部より成膜室１０２０内を加温する、カーボン製のヒーター１０７０と、成膜室１０２０の上部に設けられ、成膜室１０２０に原料ガスやキャリアガスを導入するガス導入口１０３０と、原料ガス等を成膜装置外に排出するガス排出口１０４０と、サセプタ１０９０を回転可能に支持する支柱１０８０と、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００を載置するサセプタ１０９０を有する。支柱１０８０は、サセプタ１０９０を保持する不図示の保持機構と、成膜のときにサセプタ１０９０を回転させる不図示の回転機構と、を有する。また、サセプタ１０９０は、平板上に形成された、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００の載置部１０９１と、載置部１０９１の外周縁から立設した壁部１０９２と、を有する。サセプタ１０９０が壁部１０９２を有することにより、サセプタ１０９０が回転したときにエピタキシャル膜成長用ウエハ１００が遠心力により外部へ飛び出ようとしても、抑制することができる。
まず、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００を、サセプタ１０９０の載置部１０９１に載置する（図２、図３（Ａ））。次に、減圧状態にして、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気下で、成膜の反応温度まで、ヒーター１０７０によりエピタキシャル膜成長用ウエハ１００を加熱する。成膜の反応温度（例えば、１６５０℃程度）まで達したら、不活性ガスの供給を止めて、成膜室１０２０内に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の成分を含む原料ガスやキャリアガスを供給する。このとき、サセプタ１０９０を図２の矢印Ａ方向に回転させながら、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成膜させる。
原料ガスとしては、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成膜させることができれば、特に限定されず、一般的に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の成膜に使用されるＳｉ系原料ガス、Ｃ系原料ガスを用いることができる。例えば、Ｓｉ系原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）を用いることができるほか、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）等のエッチング作用があるＣｌを含む塩素系Ｓｉ原料含有ガス（クロライド系原料）を用いることができる。また、例えば、シランに対してＨＣｌを添加したガスを用いてもよい。Ｃ系原料ガスとしては、例えば、メタン（ＣＨ４）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）等の炭化水素を用いることができる。上記のほか、トリクロロメチルシラン（ＣＨ３Ｃｌ３Ｓｉ）、トリクロロフェニルシラン（Ｃ６Ｈ５Ｃｌ３Ｓｉ）、ジクロロメチルシラン（ＣＨ４Ｃｌ２Ｓｉ）、ジクロロジメチルシラン（（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２）、クロロトリメチルシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ）等のＳｉとＣとを両方含むガスも、原料ガスとして用いることができる。
またこれらのガスと同時に、第３のガスとしてパージガスを供給してもよい。パージガスは、ＳｉやＣを含まないガスであり、Ｈ２を含むエッチング作用があるガスのほか、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガス（希ガス）を用いることもできる。また、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の導電型を制御する場合、不純物ドーピングガスを同時に供給することもできる。例えば、導電型をｎ型とする場合にはＮ２、ｐ型とする場合にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を用いることができる。
また、シリコン（Ｓｉ）エピタキシャル膜を成長させる場合には、単結晶ウエハとしてＳｉ単結晶ウエハを用いたエピタキシャル膜成長用ウエハを用いる。原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）やトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）等、シリコンエピタキシャル膜の成膜に一般的に用いられるガスを用いることができる。また、成膜温度は、例えば、１１００℃程度とすることができる。
炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成膜させる際には、上記のガスを適宜混合して供給する。また、所望の炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の性状に応じて、成膜の途中でガスの混合割合、供給量等の条件を変更してもよい。また、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成膜させる場合には、成膜対象であるエピタキシャル膜成長用ウエハ１００の結晶と同一方位の単結晶を成長させるために、１回の成膜で所望の膜厚になるまで膜を形成させるのではなく、複数回の成膜を行って、所望の膜厚を得てもよい。
エピタキシャル膜成長用ウエハ１００の表面や気相での化学反応により、図３（Ｂ）に示すように、加熱したエピタキシャル膜成長用ウエハ１００に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成膜させることができる。以上のエピタキシャル膜成長方法により、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００が成膜した積層体３００（図３（Ｂ））が得られる。なお、エピタキシャル膜成長後は、図３（Ｂ）に示すように、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００の成膜対象面１１０ａだけではなく、第１炭素膜１２０側の面の外周に沿って、炭化ケイ素膜２００ａが成膜していることがある。また、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００が載置されたサセプタ１０９０の載置部１０９１にも炭化ケイ素膜が成膜していることがあり、載置部１０９１に形成した炭化ケイ素膜が第１炭素膜１２０に転写することがある。なお、単結晶ウエハ１１０上ではエピタキシャル成長により炭化ケイ素エピタキシャル膜が成膜するものの、単結晶ウエハ１１０とは異なる場所（例えば、第１炭素膜１２０上等）ではエピタキシャル成長が起こらない場合があり、炭化ケイ素多結晶等の炭化ケイ素エピタキシャル膜とは異なるものが堆積している場合がある。
本実施形態のエピタキシャル膜成長方法であれば、前述した実施形態のエピタキシャル膜成長用ウエハ１００を用いて炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成長させることにより、成膜対象面１１０ａとは反対側の面（第１炭素膜１２０のサセプタ１０９０側の面）に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００と同じ組成の炭化ケイ素膜２００ａが形成されたとしても、第１炭素膜１２０を燃焼除去することで、第１炭素膜１２０と共に容易に除去することができる。
（除去方法）
本発明の一実施形態にかかる除去方法について、図面を参照して説明する。本実施形態の除去方法は、前述したエピタキシャル膜成長方法により得られた、エピタキシャル膜成長用ウエハとエピタキシャル膜との積層体を加熱して、炭素膜を燃焼除去する除去工程を含むものである。
本発明の一実施形態にかかる除去方法について、図面を参照して説明する。本実施形態の除去方法は、前述したエピタキシャル膜成長方法により得られた、エピタキシャル膜成長用ウエハとエピタキシャル膜との積層体を加熱して、炭素膜を燃焼除去する除去工程を含むものである。
具体的には、エピタキシャル膜成長方法により得られた、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００と炭化ケイ素エピタキシャル膜２００との積層体３００（図３（Ｂ））を、燃焼炉等の既存の設備を用いて、Ｏ２や空気等の酸化性ガス雰囲気下で数百度（例えば、５００℃以上）に加熱して、第１炭素膜１２０のみを燃焼させることにより行う。これにより第１炭素膜１２０を除去して、炭化ケイ素エピタキシャルウエハ５００（図３（Ｃ））を得ることができる。このとき、積層体３００において第１炭素膜１２０に炭化ケイ素膜２００ａが形成していたとしても、炭化ケイ素膜２００ａはごく薄いことから、第１炭素膜１２０が燃焼除去されるとともに剥がれ落ちて除去される。
なお、前述したエピタキシャル膜成長方法においては、サセプタ１０９０にエピタキシャル膜成長用ウエハ１００が載置されており、積層体３００において第１炭素膜１２０の全面が炭化ケイ素膜で覆われることは起こり難く、また、第１炭素膜１２０の全面が覆われたとしても、第１炭素膜１２０を覆う炭化ケイ素膜はごく薄いため、第１炭素膜１２０が除去されるとともに剥がれ落ちる。しかしながら、積層体３００において、第１炭素膜１２０が全く露出していない場合には、第１炭素膜１２０の燃焼除去効率を高めるために、積層体３００を加熱する前に、第１炭素膜１２０の少なくとも一部が露出するように研磨加工や切削加工等を施してもよい。
本実施形態の除去方法であれば、酸化性ガス雰囲気下で加熱して、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００の成膜対象面１１０ａとは反対側の面１１０ｂに形成された第１炭素膜１２０を燃焼除去することにより、成膜対象面１１０ａとは反対側の面（第１炭素膜１２０のサセプタ１０９０側の面）に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００と同じ組成の炭化ケイ素膜２００ａが形成されたとしても、第１炭素膜１２０と共に容易に除去することができる。
以上の成膜工程、除去工程により炭化ケイ素エピタキシャルウエハ５００（図３（Ｃ））が得られる。本実施形態のエピタキシャルウエハの製造方法であれば、本発明のエピタキシャル膜成長方法、除去方法を行うことにより、成膜対象面とは反対側の面にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が形成されたとしても、炭素膜と共に容易に除去することができ、また、平滑性の高いエピタキシャルウエハが得られる。このようにして得られたエピタキシャルウエハは、成膜対象面とは反対側の面にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が形成されておらず、エピタキシャルウエハを搬送するための真空吸着や加工のための基準面の取得の際等の不具合を抑制して生産性を向上させることにより、エピタキシャルウエハの生産コストを抑えることができる。
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的が達成できる他の工程等を含み、以下に示すような変形等も本発明に含まれる。なお、以下の変形例において、前述した実施形態と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
前述した実施形態のエピタキシャル膜成長方法においては、図２に示すように、成膜装置１０００にサセプタ１０９０を１つ設けたものについて例示したが、成膜装置１０００にサセプタを複数設けてもよい。サセプタを複数設ける場合、例えば、図４に示すように、複数個のサセプタ１０９０を設置（図５では４つ）できるステージ１１００を用いてもよい。図４に示すステージ１１００は、４つのサセプタ設置部１１１０と、サセプタ設置部１１１０に設置したサセプタ１０９０を矢印Ｄ方向に回転させる不図示のサセプタ回転機構と、を有する。サセプタ１０９０には、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００を載置する。また、ステージ１１００は、成膜装置１０００の支柱１０８０により支持されて、ステージ１１００が矢印Ｅ方向に回転するように構成されている。すなわち、サセプタ１０９０とステージ１１００は逆の方向に回転して自転公転することにより、炭化ケイ素膜の膜厚がより均一になる。また、ステージ１１００に複数のサセプタ１０９０を設置できることにより、一度に複数の積層体３００を得ることができる。なお、図５の矢印Ｄ、矢印Ｅで示したサセプタ１０９０とステージ１１００の回転の方向や、サセプタ１０９０とステージ１１００の回転数は適宜設定することができる。
また、前述したエピタキシャル膜成長方法においては、サセプタ１０９０を回転させて炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成長させる方法について例示したが、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の成長時にサセプタ１０９０を回転させてもよいし、回転させなくてもよい。サセプタ１０９０を回転させることにより、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の膜厚が均一性、ドーパント濃度の均一性の観点から、炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の成長時にサセプタ１０９０を回転させることが好ましい。
その他、本発明を実施するための最良の構成、方法等は、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に説明されているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。従って、上記に開示した形状、材質等を限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質等の限定の一部、もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
以下、本発明の実施例および比較例によって、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって何ら限定されることはない。
本実施例においては、前述した実施形態のエピタキシャル膜成長用ウエハ１００、エピタキシャルウエハの製造方法により、炭化ケイ素エピタキシャルウエハを製造した。
（実施例１）
昇華法で作製した６インチφサイズの厚さ３５０μｍの円形で平行平板上の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶ウエハの裏面（成膜対象面とは反対側の面）に、真空蒸着により、厚さ３μｍ±０．１ｍｍのほぼ均一な炭素膜を形成し、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００を作製した。
昇華法で作製した６インチφサイズの厚さ３５０μｍの円形で平行平板上の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶ウエハの裏面（成膜対象面とは反対側の面）に、真空蒸着により、厚さ３μｍ±０．１ｍｍのほぼ均一な炭素膜を形成し、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００を作製した。
次に、成膜工程を行った。成膜装置として、成膜装置１０００を用いた。サセプタにエピタキシャル膜成長用ウエハ１００を載置した。成膜室１０２０内を不図示の排気ポンプにより真空引きをした後、エピタキシャル成長用ウエハを１６５０℃まで加熱した。原料ガスとして、ＳｉＨ４、Ｃ３Ｈ８を用い、パージガスとしてＨ２、ＨＣｌを用い、不純物ドーピングガスとしてＮ２を用いた。成膜は、ＳｉＨ４：Ｃ３Ｈ８：Ｈ２：ＨＣｌ：Ｎ２＝０．２３０：０．１１０：９７．３６０：２．１００：０．００１の流量比率で上記ガスを混合して、成膜室１０２０内に合計で１８０ｓｌｍ、１５分間供給し、サセプタ１０９０を６００ｒｐｍで回転させながら、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００上に炭化ケイ素エピタキシャル膜２００を成長させた。このとき、炉内圧力は２５ｋＰａであった。
得られたエピタキシャル膜について、膜厚を測定した。膜厚の測定は５点とし、中心、円周端部、および中心と円周端部との間にあり、中心からの距離と円周端部からの距離が同じ地点について、斜入射型光学測定器により膜厚の測定を行った。なお、測定した膜厚からエピタキシャル膜成長用ウエハ１００の厚さを差し引いた数値を、炭化ケイ素エピタキシャル膜の膜厚とした。エピタキシャル成長で得られた炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の平均膜厚は１０μｍで、同一面内における膜厚のばらつきは３％以下であり、均質かつ低欠陥、高品質で、半導体材料として問題のない炭化ケイ素エピタキシャル膜を得ることができた。以上により成膜工程が終了した。また、エピタキシャル膜成長用ウエハ１００と炭化ケイ素エピタキシャル膜２００との積層体３００において、第１炭素膜１２０の外周に沿って、炭化ケイ素膜が形成されていた。
次に、除去工程を行った。エピタキシャル膜成長用ウエハ１００と炭化ケイ素エピタキシャル膜２００との積層体３００を燃焼炉内に固定して大気雰囲気下で、８００℃で、２４時間、加熱処理を行った。燃焼炉から取り出すと、炭素膜が消失しており、炭素膜に形成された炭化ケイ素膜を除去することができた。得られた炭化ケイ素エピタキシャルウエハにおいて、単結晶ウエハの成膜対象面とは反対側の面の平均表面粗さを測定したところ、平均表面粗さは１ｎｍ以下であり、平滑な炭化ケイ素エピタキシャルウエハが得られた。また、得られた炭化ケイ素エピタキシャルウエハにおいて、エピタキシャルウエハを搬送するための真空吸着や加工のための基準面の取得に支障はなく、不具合は生じなかった。
（比較例１）
比較例１として、４Ｈ−ＳｉＣ単結晶ウエハの裏面（成膜対象面とは反対側の面）に、炭素膜を形成しないものをエピタキシャル成長用ウエハとして用いるとともに、除去工程を行わないこと以外は、実施例１と同様にして炭化ケイ素エピタキシャルウエハを製造した。エピタキシャル成長で得られた炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の平均膜厚は１０μｍで、同一面内における膜厚のばらつきは３％以下であり、均質かつ低欠陥、高品質で、半導体材料として問題のない炭化ケイ素エピタキシャル膜を得ることができた。しかしながら、炭化ケイ素エピタキシャルウエハにおいて、単結晶ウエハの成膜対象面とは反対側の面にも炭化ケイ素膜が付着しており、平均表面粗さは１０ｎｍ以上であり、得られた炭化ケイ素エピタキシャルウエハは平滑性が低いことが示された。また、得られた炭化ケイ素エピタキシャルウエハにおいて、エピタキシャルウエハを搬送するための真空吸着や加工のための基準面の取得ができず、不具合が生じた。
比較例１として、４Ｈ−ＳｉＣ単結晶ウエハの裏面（成膜対象面とは反対側の面）に、炭素膜を形成しないものをエピタキシャル成長用ウエハとして用いるとともに、除去工程を行わないこと以外は、実施例１と同様にして炭化ケイ素エピタキシャルウエハを製造した。エピタキシャル成長で得られた炭化ケイ素エピタキシャル膜２００の平均膜厚は１０μｍで、同一面内における膜厚のばらつきは３％以下であり、均質かつ低欠陥、高品質で、半導体材料として問題のない炭化ケイ素エピタキシャル膜を得ることができた。しかしながら、炭化ケイ素エピタキシャルウエハにおいて、単結晶ウエハの成膜対象面とは反対側の面にも炭化ケイ素膜が付着しており、平均表面粗さは１０ｎｍ以上であり、得られた炭化ケイ素エピタキシャルウエハは平滑性が低いことが示された。また、得られた炭化ケイ素エピタキシャルウエハにおいて、エピタキシャルウエハを搬送するための真空吸着や加工のための基準面の取得ができず、不具合が生じた。
本発明の例示的態様である実施例１において、単結晶ウエハの成膜対象面とは反対側の面にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が形成されたとしても、炭素膜と共に容易に除去することができ、また、平滑性の高いエピタキシャルウエハが得られることが示された。また、このようにして得られたエピタキシャルウエハは、成膜対象面とは反対側の面にエピタキシャル膜と同じ組成の膜が形成されておらず、搬送するための真空吸着や加工のための基準面の取得の際等の不具合を抑制して生産性を向上させることにより、生産コストを抑えることができる。
１００、１００Ａ エピタキシャル成長用ウエハ
１１０ 単結晶ウエハ
１１０ａ 成膜対象面
１１０ｂ 成膜対象面とは反対側の面
１２０、１２１ 第１炭素膜
１２２ 第２炭素膜
２００ 炭化ケイ素エピタキシャル膜
３００ 積層体
５００ 炭化ケイ素エピタキシャルウエハ
１１０ 単結晶ウエハ
１１０ａ 成膜対象面
１１０ｂ 成膜対象面とは反対側の面
１２０、１２１ 第１炭素膜
１２２ 第２炭素膜
２００ 炭化ケイ素エピタキシャル膜
３００ 積層体
５００ 炭化ケイ素エピタキシャルウエハ
Claims (6)
- 成膜対象面を有する単結晶ウエハと、
前記成膜対象面とは反対側の面に形成された、厚さが１μｍ〜５μｍの第１炭素膜と、を備える、
エピタキシャル膜成長用ウエハ。 - 前記単結晶ウエハの側面に形成された、厚さが１μｍ〜５μｍの第２炭素膜をさらに備える、請求項１に記載のエピタキシャル膜成長用ウエハ。
- 請求項１または２に記載のエピタキシャル膜成長用ウエハの前記成膜対象面に、化学的気相成長法によりエピタキシャル膜を成膜する成膜工程を含む、エピタキシャル膜成長方法。
- 前記成膜工程は、炭化ケイ素エピタキシャル膜を成膜する工程である、請求項３に記載のエピタキシャル膜成長方法。
- 請求項３または４に記載のエピタキシャル膜成長方法により得られた、エピタキシャル膜成長用ウエハとエピタキシャル膜との積層体を加熱して、炭素膜を燃焼除去する除去工程を含む、除去方法。
- 請求項３または４に記載のエピタキシャル膜成長方法により、エピタキシャル膜成長用ウエハの前記成膜対象面にエピタキシャル膜を形成する成長工程と、
請求項５に記載の除去方法により、前記炭素膜を除去する除去工程と、を備える、エピタキシャルウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019233937A JP2021103720A (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019233937A JP2021103720A (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021103720A true JP2021103720A (ja) | 2021-07-15 |
Family
ID=76755712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019233937A Pending JP2021103720A (ja) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021103720A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003226600A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-12 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法 |
| JP2006135032A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物単結晶ウエハ、それを用いたｉｉｉ族窒化物半導体デバイスの製造方法およびそれにより得られた半導体デバイス |
| JP2009107905A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sumco Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2010013330A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
| JP2014220322A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| JP2015129066A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板 |
| JP2015160750A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法 |
-
2019
- 2019-12-25 JP JP2019233937A patent/JP2021103720A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003226600A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-12 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法 |
| JP2006135032A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物単結晶ウエハ、それを用いたｉｉｉ族窒化物半導体デバイスの製造方法およびそれにより得られた半導体デバイス |
| JP2009107905A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sumco Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2010013330A (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-21 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶成長用種結晶およびその製造方法並びに炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
| JP2014220322A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| JP2015129066A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板 |
| JP2015160750A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10494737B2 (en) | Apparatus for producing SiC epitaxial wafer and method for producing SiC epitaxial wafer | |
| US20160208414A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC EPITAXIAL WAFER | |
| US20120231615A1 (en) | Semiconductor thin-film manufacturing method, semiconductor thin-film manufacturing apparatus, susceptor, and susceptor holder | |
| WO2019044392A1 (ja) | 気相成長方法 | |
| JP7163756B2 (ja) | 積層体、積層体の製造方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
| JP4551106B2 (ja) | サセプタ | |
| JP7220845B2 (ja) | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 | |
| JP7255473B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
| JP7400337B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
| JP2021103720A (ja) | エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法 | |
| JP7294021B2 (ja) | 黒鉛製支持基板の表面処理方法、炭化珪素多結晶膜の成膜方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
| JP6335683B2 (ja) | ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置 | |
| JP7220844B2 (ja) | ＳｉＣ多結晶基板の製造方法 | |
| JP7273267B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
| JP7392526B2 (ja) | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 | |
| JP7413768B2 (ja) | 多結晶基板の製造方法 | |
| JP7247819B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
| JP7247749B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置 | |
| JP7371510B2 (ja) | 成膜方法および基板の製造方法 | |
| JP2022067843A (ja) | 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法 | |
| JP7338193B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
| JP7367497B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、および、炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
| WO2022013906A1 (ja) | ＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置及び製造方法 | |
| JP7279465B2 (ja) | 支持基板、支持基板の保持方法、及び、成膜方法 | |
| JP7322371B2 (ja) | 炭化珪素多結晶基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220825 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230420 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230509 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20231031 |