TWI396053B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影裝置及製造一元件之方法。
微影裝置係一種將所要圖案應用至基板上(通常至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此情況下，圖案化元件(或者稱作光罩或主光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。此圖案可經轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或若干晶粒之部分)上。圖案之轉印通常係經由成像於已提供於基板上輻射敏感材料(光阻劑)層上。一般而言，單一基板將含有經接連圖案化之鄰近目標部分之網狀物。已知的微影裝置包括所謂的步進機及所謂的掃描器，在步進機中藉由同時將整個圖案曝光於目標部分上而照射每一目標部分，在掃描器中，藉由在一給定方向("掃描"方向)上經由輻射束掃描圖案而平行或反平行於此方向同步地掃描基板而照射每一目標部分。亦可藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
已有提出將微影投影裝置中之基板浸入於具有較高折射率之一沉浸液體(例如，水)中，以填充在該投影透鏡之最後光學構件與該基板之間的空間。此方法之重點在於可以確保較小特徵的成像，因為曝光輻射在該液體中會比在空氣或在一真空中具有較短的波長。(該液體之此功效亦可被視為增加系統之有效NA以及增加焦距)。亦有提出其他 的沉浸液體，包括具有固態微粒(例如，石英)懸浮於其中之水。
然而，將基板或基板與基板平台沉浸在一液體池中(例如，參考美國專利第4,509,852號，此專利以全文併入方式援引為本案之參考)係表示該液體的一大部分在一掃描曝光期間必須要被加速。這可能需要額外或更多的動力馬達，且在液體中之擾流可能會導致不當及不可預測的影響。
亦有提出應用一液體供應系統而僅在該基板之一局部區域及在該投影系統之最後光學構件與該基板之間來提供該液體(該基板通常具有比該投影系統之最後光學構件還要大的表面積)。針對此配置而已被提出之方式係揭示在例如PCT專利申請案WO 99/49504號，該專利以全文併入之方式援引為本案之參考。如附圖中之圖2及3所示，液體係由至少一入口IN被供應在該基板上，且較佳沿著該基板相對該最後構件之運動方向來施加，且在已通過該投影系統下方之後藉由至少一出口OUT來將該液體移除。亦即，當基板沿-X方向於該構件下方被掃描時，該液體被供應於該構件之+X側且在-X側被移除。圖2概要顯示該配置，其中液體經由入口IN被供應且在構件之另一側藉由出口OUT被移除，其中該出口被連接至一低壓力源。如圖2所示，該液體被沿著該基板相對該最後構件之運動方向來供應，然而這並不一定要如此。定位在最後構件周圍之入口及出口的各種不同方位及數量皆可行，其中一例顯示在圖3中， 其中一入口及在另一側之一出口的四個組合以一規律樣式被提供於該最後構件的周圍。
另一種具有一局部液體供應系統之沉浸式微影術方案係顯示在圖4中。液體係藉由位在該投影系統PL之每一側邊上的兩個凹溝入口IN來供應且藉由被配置在該等入口IN之徑向朝外處的複數個離散的出口OUT來移除。該等入口IN及出口OUT係配置在一板體中，在該板體中央處具有一開孔且投影束可以經由此開孔來投影。液體係藉由位在該投影系統PL之一側邊上的一凹溝入口IN來供應且藉由位在該投影系統PL之另一側邊上的複數個離散的出口OUT來移除，造成一液體薄膜流動於該投影系統PL及該基板W之間。入口IN及出口OUT之組合的使用選擇可取決於該基板W之運動方向(入口IN及出口OUT的另一組合則不作用)。
已被提出之另一沉浸式微影術方案係提供該液體供應系統具有一屏蔽構件，其沿著介於該投影系統之最後構件與基板平台間之空間的邊界的至少一部分延伸。該屏蔽構件相對於該投影系統在XY平面上係實質上靜止不動，但在Z方向上(在光學中心軸之方向上)可以具有某些相對運動。在該屏蔽構件與基板之表面之間係形成一密封。在一實施例中，該密封係一種非接觸式密封，諸如氣封。此一系統被揭示美國專利申請案公告第2004-0207824號中，其全部內容以併入方式作為參考。
在歐洲專利申請案公告第1420300號及美國專利申請案公告第2004-0136494號中係揭示一雙重或雙平台沉浸式微 影術裝置之想法，此兩專利案之全部內容以併入方式作為參考。此一裝置具有兩個基板平台以支承該基板。在沒有沉浸液體之一第一位置處以一基板平台來進行平整測量，且在存在有沉浸液體之一第二位置處以一基板平台來進行曝光。或者，該裝置可僅具有一移動於該第一及第二位置之間的基板平台。
該基板W可藉由移動將該基板支持於其上之該基板台WT而在XY平面中來位移。因此，該基板台WT及該基板W之相對位置可以藉由參考安裝在該基板台WT之橫側邊上的一或多個鏡面來予以測定。例如，可以設置一或多個干涉儀來測量自該等鏡面之表面上的若干點至一基準框中之對應點或軸線之一實質上垂直距離。該基板台WT之變形可能會造成這些鏡面變形，因此會破壞該基板W相對於該投影系統PS移動及/或定位之精確度，而這對於欲被形成該基板W上之一圖案的品質可能會造成負面的影響。
舉例來說，有需要提供一種系統，其增進可使一基板藉之以相對於例如該投影系統來定位的精確度。
依照本發明之一態樣，其係提供一種微影裝置，包含：一基板台，其被配置成用以支持一基板；一投影系統，其被組態成用以投影一經調變的輻射束於一基板上；一液體供應系統，其被組態成用以在曝光期間提供一液體於一介於該投影系統及一基板之間的區域中；一蓋板，其實體上與該基板台隔開且在曝光期間被定位在該基板之徑向外 側，且被組態成用以提供一面向該投影系統之表面，該表面係實質上與該基板相鄰且齊平；以及一基板台溫度穩定器件，其被組態成藉由控制該蓋板之一部分的溫度來減少該基板台之一部分與一對應的目標溫度的溫度偏差。
依照本發明之另一態樣，其係提供一種元件製造方法，包含：將一經調變的輻射束通過一液體而投影在一被固持在一基板台上之基板上；及藉由控制一蓋板之一部分的溫度來減少該基板台之一部分與一對應的目標溫度的溫度偏差，該蓋板與該基板台實體上隔開，且在該經調變的輻射束之投影期間被定位在該基板之徑向外側且具有一實質上相鄰且齊平於該基板之表面。
依照本發明之另一態樣，其係提供一種微影裝置，包含：一基板台，其被配置成用以支持一基板；一投影系統，其被組態成用以投影一經調變的輻射束於一基板上；一液體供應系統，其被組態成用以在曝光期間提供一液體於一介於該投影系統及一基板之間的區域中；一蓋板，其實體上與該基板台隔開且在曝光期間被定位在該基板之徑向外側，且被組態成用以提供一面向該投影系統之表面，該表面係實質上與該基板相鄰且齊平；以及一熱絕緣體，其經配置以降低在該蓋板與該基板台之間的熱轉移，俾藉由該蓋板來提供該基板台之熱屏蔽。
依照本發明之另一態樣，其係提供一種元件製造方法，包含：將一經調變的輻射束通過一液體而投影在一被固持在一基板台上之基板上；及熱絕緣一蓋板以降低在該蓋板 與該基板台之間的熱轉移且藉此藉由該蓋板來熱屏蔽該基板台，該蓋板與該基板台實體上隔開，且在該經調變的輻射束之投影期間被定位在該基板之徑向外側且具有一實質上相鄰且齊平於該基板之表面。
依照本發明之另一態樣，其係提供一種微影裝置，包含：一基板台，其被配置成用以支持一基板；一投影系統，其被組態成用以投影一經調變的輻射束於一基板上；一測量系統，其被組態成用以測定該基板台之一部分的位置；一基板台變形測定元件，其被配置成用以提供有關該基板台之一變形的資料；以及一基板位置控制器，其被組態成藉由參考由該測量系統所測量之該基板台之一部分的該位置與由該基板台變形測定元件所提供之有關該基板台之一變形的資料來控制該基板相對於該投影系統的位置。
依照本發明之另一態樣，其係提供一種元件製造方法，包含：將一經調變的輻射束投影在一藉由一基板台所固持的基板上；測定該基板台之一部分的位置；及藉由參考該基板台之該部分之該經測定的位置以及關於該基板台之一變形的資料來控制該基板相對於一用以投影該經調變的輻射束之投影系統的位置。
依照本發明另一態樣，其係提供一種映像位在一微影裝置中之一基板台反射器之表面輪廓的方法，包含：提供一安裝在一被組態成用以支持一基板之基板台之一第一橫側面上的第一實質上平坦狀反射器，該第一反射器具有一平行於一第一軸線的法線；提供一安裝在該基板台之一第二 橫側面上的第二實質上平坦狀反射器，該第二反射器具有一平行於一第二軸線之法線，其中該第二軸線未平行於該第一軸線；及將該基板台平行於該第一軸線來移動且同時測量一自該第二反射器之一表面至一位在一基準框中之基準點的垂直距離。
依照本發明之另一態樣，其係提供一種元件製造方法，包含：藉由將一基板台平行於一第一軸線來移動且同時在一實質上平行於一第二軸線之方向上測量一自一反射器之一表面至一基準點的距離來映像該基板台之該反射器之一表面輪廓，該第二軸線係實質上垂直於該第一軸線；將一經調變的輻射束投影在一基板上；及將該基板相對於一用以投影該經調變的輻射束之投影系統來移動，以曝光該基板之不同的目標區域，該移動係藉由參考該基板之一位置來予以控制，而該位置係藉由參考該基板台反射器距一基準點之間距的測量值以及該基板台反射器之該表面輪廓而測定。
圖1概要描繪一根據本發明之一實施例之微影裝置。
一照明系統(照明器)IL，其被組態成用以調節一輻射束B(例如UV輻射或DUV輻射)；一支持結構(例如光罩台)MT，其被建構成用以支持一圖案化元件(例如光罩)MA且被連接至一第一***PM，該第一***被組態成用以根據特定參數精確定位該圖案化元件； 一基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持一基板(例如經光阻劑塗覆之晶圓)W且被連接至一第二***PW，該第二***被組態成用以根據特定參數精確定位該基板；及一投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其被組態成用以將一藉由圖案化元件MA賦予給該輻射束B之圖案投影至該基板W之一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
該照明系統可包括用於導向、整形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
該支持結構支持以一取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(例如圖案化元件是否保持於真空環境中)之方式固持圖案化元件。該支持結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。該支持結構可為(例如)根據需要可被固定或可移動之框架或台。該支持結構可確保圖案化元件在(例如)相對於投影系統之所要位置上。本文中對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用可視為與更一般術語"圖案化元件"同義。
如本文中所使用之術語"圖案化元件"應廣泛解釋為係指可用於在一輻射束之橫截面中賦予該輻射束一圖案以便在基板之一目標部分中產生一圖案的任何元件。應注意，賦予輻射束之圖案可不完全對應基板之目標部分中之所要圖案，例如，在該圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵的情況下。賦予輻射束之圖案通常將對應於在目標部分中產生 之元件中之特定功能層，諸如積體電路。
圖案化元件可為透射元件或反射元件。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩係微影中所熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣排列，該等小鏡面之每一者可經個別傾斜以便反射在不同方向中之入射輻射束。傾斜之鏡面在由該鏡面矩陣反射之輻射束中賦予一圖案。
如本文中所使用之術語"投影系統"應廣泛解釋為涵蓋任何類型之投影系統，其包括適合於所使用之曝光輻射或適合於其他因素(諸如浸液之使用或真空之使用)的折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。本文中對術語"投影透鏡"之任何使用可視為為與更一般術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，該裝置為透射型(例如使用透射光罩)。或者，裝置可為反射型(例如，使用如上所指之類型之可程式規劃鏡面陣列，或使用反射光罩)。
該微影裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在該等"多個平臺"機器中，可並列使用額外台，或可在一或多個臺上執行準備步驟同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL接收來自一輻射源SO之輻射束。輻射源及微影裝置可為分離的實體，例如當輻射源為準分子雷射時。在該等狀況下，不應將輻射源視為構成微影裝置 之一部分，且借助於一包含(例如)合適的導向鏡面及/或一射束放大器之射束傳送系統BD，將輻射束自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，輻射源可為微影裝置之一整體部分，例如當輻射源為水銀燈泡時。視需要可將輻射源SO及照明器IL連同射束傳送系統BD稱作一輻射系統。
照明器IL可包含一用於調整輻射束之角度強度分佈之調整器AM。通常可調整照明器之光瞳平面中的強度分佈之至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含諸如一積光器IN及一聚光器CO之各種其他組件。照明器可用於調節輻射束，以在其橫截面中具有所要的均一性及強度分佈。
輻射束B入射於經固持於支持結構(例如光罩台MT)上之圖案化元件(例如光罩MA)上，且由圖案化元件加以圖案化。輻射束B在已穿過光罩MA之後通過投影系統PL，投影系統PS將射束聚焦於基板W之目標部分C上。借助於第二***PW及位置感應器IF(例如干涉量測元件、線性編碼器或電容式感應器)，可精確地移動基板台WT(例如)以便將不同的目標部分C定位於輻射束B之路徑中。類似地，第一***PM及另一位置感應器(在圖1中未明確描繪)可用於(例如)在自光罩庫以機械方式取得光罩MA之後或在掃瞄期間相對於輻射束B之路徑精確定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一***PM之部分的一長衝程模組(粗定位)及一短衝程模組(精定位)來實現支持結構MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之部分的一長衝 程模組及一短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進機(與掃瞄器相反)之狀況下，支持結構MT可僅連接至一短衝程致動器或可被固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來使光罩MA與基板W對準。雖然所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其可定位於目標部分之間的空間中(此等標記稱為切割道對準標記)。類似地，在其中在光罩MA上提供一個以上晶粒之情形下，光罩對準標記可定位於該等晶粒之間。
所描繪之裝置可用於以下模式之至少一者中：
1.在步進模式中，保持支持結構MT及基板台WT基本上固定，同時將賦予給輻射束之整個圖案同時投影至一目標部分C上(亦即單次靜態曝光)。接著在X及/或Y方向中移動基板台WT，以使得可曝光一不同的目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之尺寸。
2.在掃描模式中，同步掃描該支持結構MT及基板台WT，同時將一賦予給輻射束之圖案投影至一目標部分C上(意即單次靜態曝光)。可藉由投影系統PS之放大(縮小)及影像反轉特徵來判定基板台WT相對於支持結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中目標部分之寬度(在非掃描方向中)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向中)。
3.在另一模式中，保持支持結構MT基本上固定，其固持一可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT同時 將一賦予給輻射束之圖案投影至一目標部分C上。在此模式中，通常使用脈衝輻射源，且根據需要在基板台WT之每一運動之後或在掃描期間的連續輻射脈衝之間中更新該可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用例如上述類型之可程式規劃鏡面陣列之可程式化圖案化元件之無光罩微影術。
亦可使用關於上述使用模式之組合及/或變體或者完全不同的使用模式。
圖5概要顯示藉由一基板固持件2及基板台WT所支持之基板W。該基板台WT可相對於該投影系統PS來移動以曝光該基板W之不同的目標區域。通常需要該基板W之精確定位。例如，在一元件欲由數個微影方式製成之層體所形成的例子中，每一層體應與另一層體具有一精確的空間對應性。此對應性之程度係取決於該基板W在該等層體之每一層體的圖案化期間是否有良好定位。
可例如使用一反饋或伺服迴圈並配合用於實體地移動該基板台WT之構件以及用於測量其位置之構件來達成精確的位移。該基板W藉由在最短可行時間內且最好在未具有過調量的情況下逐步地降低介於一測量位置與該目標位置之間的差異而朝向一目標位置移動。
在該基板W相對於該基板台WT而被固定(或者具有一已知的空間關係)的情況下，相較於嘗試直接測量愈來愈小且愈來愈薄的該基板W之位置，這可以更方便地測量在該基板台WT上之一或多個點的位置且藉此來推論該基板W 之位置。
此一手段的精確度係至少部分地取決於該基板W之位置可自該基板台WT之測量而推論出來的精準度。詳言之，在該基板台WT於曝光期間已變形的情況下(例如，這可能會因為該基板台WT及/或與該基板台WT機械性接觸的組件的溫度偏差而發生)，此手段可能會變得困難。
溫度偏差可能會因為來自於例如微影輻射的加熱而增加。或者或額外地，尤其在沉浸式系統中，液體(通常為沉浸液體)自該基板W之表面及周圍區域的蒸發可能會導致冷卻。此情況可能會因為併入用以控制該基板W之溫度或其他重要構件之補償系統而變得複雜。例如，可供應一基板加熱器以抵消由於沉浸液體之蒸發所造成的冷卻。雖然該加熱器係經設計以將該基板W保持在一較為恆定的溫度，然而其可能會在其他組件中(諸如該基板台WT)造成較大的溫度梯度及/或偏差。
圖5顯示一配置，其中該基板位置可經由該基板台WT之測量來予以間接地測量出來。在所示的實例中，該基板W係藉由位在一基板固持件2上之凸部或"節瘤"5所支持，該基板固持件本身被組態成用以經由節瘤3而靠置在該基板台WT上。
設置一或多個蓋板60以允許一用以至少部分地拘限一沉浸液體之液體拘束結構68(例如參考圖11，為了圖式簡潔之緣故，該液體拘束結構68未圖示在圖5及8至10中)順利地通過該基板W之表面。在此一組態中，該蓋板60被定位 在該基板W之徑向外側，俾當該基板W相對於該投影系統PS而被掃描時可以提供用於該液體拘束結構68操作之足夠大的平坦表面。該蓋板60亦可拆除地安裝在節瘤3上，以提供用於不同尺寸之基板的靈活性。
一或多個鏡面6安裝該基板台WT之橫側面上且其係藉由這些鏡面來測定該基板台WT之位置。例如，可以使用一或多個干涉儀，其係基於自這些鏡面反射之輻射來進行操作。該干涉儀可利用反射的輻射來推論該鏡面之表面距一基準框之特定點有多遠，其中該基準框係相對於該干涉儀之偵測部分而予以固定。為了測定該基板台WT沿著不同軸線之位置，可以設置複數個鏡面以及對應的干涉儀。例如，可以設置兩個面向於正交方向之平坦鏡面。該鏡面可固定至該基板台WT或者可以與該基板台WT一體成形。
該基板台WT之變形會造成被安裝於其上之該鏡面之形狀的變形。圖6概要描示圖5所示之配置的俯視圖，且其中顯示可能會發生此變形之一種方式。在左側的圖中，中央圓圈代表該基板W及位在其下方的基板固持件2(在圖中無法看見)。周圍的正方形係該基板台WT以及安裝在其橫側面上之實質上呈完全平坦的鏡面6。右側的圖顯示(以誇大的方式)在該基板台WT上之該基板固持件2之熱引致變形(在圖5中箭頭10)。該基板固持件2之加熱會造成其自原始形狀(細線)膨脹成一熱膨脹形狀(粗線；在圖6中之箭頭8)。該加熱亦可藉由一基板加熱器4來造成(例如，該加熱器可具有複數個通道來傳導一熱交換流體)，該加熱器被 組態成或許可以抵消沉浸液體蒸發而在該基板W上造成的冷卻效果。替代地或額外地，此加熱亦可因微影輻射本身而產生。
膨脹的基板固持件2(其可藉由例如在該兩組件之間保持一低壓力而被相當穩固地固持於該基板台WT上)可能會引發徑向力而造成在該基板台WT之本體中的變形(在圖5中之箭頭12)。此變形接著可能會造成該等鏡面6之一對應變形，如圖6之右邊示意圖所示(粗線；箭頭14)。
該基板台WT及基板固持件2之其中一者或兩者可由具有極小熱膨脹係數之材料所形成。然而，此等材料可能會相當昂貴且可能無法獲得相當廣泛範圍的物理屬性，這可能會使該等材料較不適用於其他的方面。例如，磨損抗性對於該基板固持件2係一重要屬性，但具有良好磨損抗性及接近零的熱膨脹係數的材料可能無法取得及/或不具經濟效益。
雖然在圖5及6中所示之該基板台WT變形係源自於該基板固持件2之膨脹，但變形亦可因為該基板台WT本身之加熱或冷卻所造成。例如，沉浸液體之蒸發可能會造成某些程度的熱收縮。該基板台WT在某些部分可能膨脹且在其他部分可能收縮而造成比圖6所示者更為複雜的變形，其中圖6係呈現一基於該基板固持件2之一致性膨脹的變形。
該等鏡面6之變形可能會造成該基板W之控制的誤差。例如，若未採取校正手段，則當該鏡面之一朝外鼓脹的部分被定位在鄰近於該偵測干涉儀時，該干涉儀可能會輸出 一表示該基板台WT整體比其實際情況更為靠近的信號，但實際上僅是該鏡面之一局部的部分較為靠近而已。當此信號輸入至該反饋迴圈時，這可能會造成對該基板W之位置的錯誤補償。
圖7概要地顯示一實施例，其中該蓋板60被配置成用以提供一抵抗該基板台WT之可能的加熱及/或冷卻源的熱屏蔽。這可以藉由在該蓋板60及該基板台WT之間提供熱絕緣來達成。以此方式，在該蓋板60之溫度中的變化(例如因為沉浸液體之蒸發或輻射性加熱)並不會造成明顯的熱轉移至位在該蓋板60下方的該基板台WT。在所示的實例中，該熱絕緣係採取特殊節瘤21之形式。藉由減小其截面尺寸及/或藉由使用例如低熱傳導係數之材料，這些節瘤21便可經安排而具有較小的熱傳導率。在該基板台WT及蓋板60之間的輻射性熱交換可藉由在這些組件之其中一者或兩者上施加反射性塗層來予以降低。
圖8概要地顯示依照本發明之一實施例的微影裝置之部分，其包含一被組態成用以將該基板台WT之一部分及/或與該基板台WT形成機械性及/或熱接觸之組件的溫度保持在目標溫度之一特定範圍(或若干範圍)內之基板台溫度穩定器件。此範圍將取決於該基板台WT(以及上述相關的組件)對於溫度變化所要的精確度以及靈敏度(例如，其熱膨脹係數、機械結構及/或所設置的任何散熱配置)。不同的範圍及/或目標溫度可依照一預期的熱輸入或輸出而用於該基板台WT之不同部分。例如，在該基板台WT較易感受 熱膨脹或預期較不會曝露至熱輸入/輸出之區域中最好具有較嚴格的容許度。額外地或替代地，針對該基板台WT之不同部分可以採用複數個不同目標溫度，其中可以在該基板台WT中適當保持一經控制的非相同的溫度分佈輪廓。
穩定該基板台WT及/或相關組件之溫度可以降低其熱膨脹及/或收縮的程度，且藉此可降低該基板台WT之總變形量。這接著可以減少對諸如鏡面6(未圖示在圖8中)之基板台WT位置測量元件之操作的破壞，且藉此可以增進該基板W相對於該投影系統PS定位的精確度，進而可以例如降低重疊誤差。
依照本實施例之該溫度穩定器件係藉由控制一或多個蓋板60之溫度來運作。這可以藉由根據在該基板台WT之溫度分佈輪廓或平均溫度中之一經測量的偏差來主動地控制該蓋板60之溫度分佈輪廓(包括空間固定性或空間差異性溫度分佈)來達成。或者，該溫度穩定器件可以僅藉由控制隔絕的蓋板之溫度而不參考該基板台WT之溫度分佈輪廓的測量來進行較被動地操作。依照後者的手段，該蓋板60之溫度可經控制而保持在一實質上固定的溫度(或者，換句話說係將該蓋板之溫度保持在一針對該蓋板60之目標溫度的範圍內)。不直接參考該基板台WT之溫度來控制該蓋板60之溫度係能以一種對該基板台裝置造成最小破壞的方式來實現。
該蓋板60被動地及/或主動地(參見上文)的溫度控制可有 效地"屏蔽"該基板台WT避開數個最重要的熱輸入及/或輸出源。例如，會造成冷卻之該沉浸液體之蒸發的大部分比例會發生在該蓋板60之表面上。同樣地，來自於曝露至該基板台WT上方之區域的組件之輻射性加熱將傾向於先照射在該蓋板60上。直接針對這些因素之一或多個來予以補償之該蓋板60之溫度控制係表示對該基板台WT之溫度的最後影響會被降低。
在該蓋板溫度藉由參考所測得之該基板台WT之溫度來予以控制的情況下，該蓋板溫度控制亦可至少部分地針對抵達該基板台WT而不先通過該蓋板60之加熱及/或冷卻(例如，來自於安裝在該基板固持件2中之基板溫度補償裝置及/或來自於該輻射束之輻射性加熱)來予以補償。
依照圖8之配置之該蓋板60的溫度控制可以藉由一嵌設在該蓋板60中或上之通道網路20及一被配置成用以控制在該通道網路20中流動之一熱交換流體的溫度及/或壓力(及連帶的流動速率)的控制器30來達成，俾將該基板台WT之一部分(及/或相關組件，諸如基板固持件2及蓋板60)的溫度保持在一對應的目標溫度的範圍中(每一目標溫度"對應"於欲予以控制之該基板台WT(及/或相關組件)之該等部分之一或多個。該熱交換流體可例如為乾淨的水。該溫度及/或壓力可例如藉由參考校正經驗值、一預期之功率輸入/輸出至該基板台WT的數學模組、與該變形相關之組件的溫度之實際測量(參考下文)及/或該流體之實際測量來予以控制。
通道20之系統可組態成視需要而兼用以加熱該蓋板60及冷卻該蓋板60，藉此使該基板台溫度具有靈活性控制。替代地或額外地，該通道20可被組態成用以加熱該蓋板60之一部分且同時冷卻另一部分。這在橫越該蓋板60及/或基板台WT(及/或其他相關組件)之溫度偏差跨越該熱交換流體的溫度時便可以達成。或者，可以設置一系統以對該通道20之系統的一部分來供應具有一組屬性(例如，較高溫度)之熱交換流體，而同時對通道20之系統的另一部分來提供具有不同組屬性(例如，較低溫度)的熱交換流體。以此方式，該通道之系統可用以穩定該蓋板60及/或基板台WT(及/或其他相關組件)中之溫度偏差的較廣範圍。
替代地及/或額外地，該基板台溫度穩定器件可設置一或多個電子加熱器26及一控制器40，如圖9概要圖示。該一或多個電子加熱器26可如圖示嵌設在該蓋板60中，或者可附接至該蓋板60之一表面(在該蓋板上方、其下方或在兩側面上)。
一電子加熱器係易於控制且具有最少的額外硬體。其輸出可以很快來調整，提供加強的控制及快速的反應。
依照一實施例，在圖9中所示之該加熱構件26可包含一材料，該材料在該目標溫度之範圍中會經歷一溫度引致的相態轉變，該相態轉變造成該材料自其會產生一低於該相變溫度之較高加熱輸出的狀態轉換至其會產生一高於該相變溫度之較低加熱輸出之狀態。例如，可以選擇一種會經歷一磁序轉變之材料，諸如鐵磁性磁體及逆鐵磁性磁體或 一鐵氧性磁體。替代地或額外地，亦可以選擇一種會經歷一結構性相態轉變的材料。
該材料可經選擇而使得該材料之電阻率會隨著該材料被加熱超過該相變溫度而突然增加。若該控制器40被組態成用以保持一固定電壓，則在該材料中被消耗的電功率將會因為電阻率的突然增加而突然降低，這會導致不需要複雜的控制迴路及大量的溫度感測器及加熱器便可穩定該基板台WT之溫度，即使在該溫度隨著位置而劇烈變化時亦然。在該溫度太低(亦即，低於相變溫度及目標溫度)的情況下，該加熱輸出將自動地變得較高，且在該溫度太高的情況下(亦即，高於該相變溫度及目標溫度)，則加熱輸出將自動地變得較低。
依照類比原理之一替代或額外的手段係概要地顯示在圖10中。在此圖式中，一或多個加熱構件26被設置成可以藉由一或多個由控制器50所控制的電磁鐵28所致動。該一或多個加熱構件26包含一會經歷一相態轉變的材料，該相態轉變會造成該材料至一低於該相變溫度之磁滯狀態轉變至一高於該相變溫度之非磁性的磁滯狀態(亦即，一呈現沒有或最少量磁滯性的狀態)。該控制器50及一或多個電磁鐵28被組態成用以供應一可變化磁場至該一或多個加熱構件26，這將會造成只要該一或多個加熱構件低於該相變溫度，則該一或多個加熱構件會因為磁滯性而提供該基板台WT加熱。例如，一鐵磁性材料可用以作為該磁滯性材料。再次地，此配置將可造成不需要複雜的控制迴路及大 量的溫度感測器及加熱器便可穩定該該蓋板60及/或基板台WT(及/或其他相關組件)之隨位置劇烈改變的溫度偏差。
一或多個溫度感測器22可設置成固定至該基板台WT及/或蓋板60、嵌設在該基板台WT及/或蓋板60中(如圖8、9及10所示)，或者被定位成相鄰於該基板台WT及/或蓋板60(例如，紅外線感測器)。一或多個溫度感測器亦可設置在其他組件中或上，該等組件係與該基板台WT形成熱接觸及/或機械性接觸。該一或多個溫度感測器提供有關於該基板台WT蓋板60及/或相關組件之溫度資訊，該等控制器30、40及/或50可使用此資訊來改變該一或多個加熱/冷卻構件20/26之加熱/冷卻輸出，以將該基板台WT之一部分及/或蓋板60(及/或其他相關組件)之溫度保持在一或多個對應的目標溫度的範圍內。例如，一反饋迴圈可設置成用以調整該一或多個加熱/冷卻構件20/26之輸出，以減少在該(等)溫度感測器之該(等)讀數與一或多個目標溫度之間的差異。
圖11概要地顯示一實施例，其中該基板W被支持在一定位於該基板W及該基板台WT之間的基板固持件2。此配置在該基板固持件2中並未包含任何的加熱或冷卻構件。這表示該基板固持件2可被製成較不龐大及複雜，這可以降低製造成本。材料之更小的體積亦可減少當該基板固持件2膨脹或收縮時所造成的問題，因為這些膨脹或收縮會因為所採用之較小的材料量而呈比例地變得更小/更弱。有 關於該基板固持件2之熱屬性(例如，熱膨脹係數)的設計限制亦可因此被放寬而提供較大的自由度來使此組件之其他物理或成本屬性最佳化。
該基板W、基板固持件2、基板台WT及/或蓋板60之加強的熱控制係可藉由在該基板W及該基板固持件2、該基板固持件2及該基板台WT及/或該蓋板60與該基板台WT之間提供一高熱傳導率通路來達成。依照一實施例，這可以藉由將一導熱性耦合媒體66併入於該基板W、蓋板60及/或基板台WT來達成。在圖示之實例中，此耦合媒體係一液體且被設置在該基板固持件2及蓋板60下方的區域中，且藉由一或多個插塞64來予以容置。此液體在該基板固持件2及該基板台WT之間提供一較大的接觸表面而不會折損與採用作為主支持機構之節瘤有關的靈活性。一具有高熱傳導係數之液體係特別有效。
替代地或額外地，亦可採用一氣態的耦合媒體。例如，在該基板台WT與該蓋板60及/或基板固持件2之間的區域係被保持在低壓力狀態下(亦即，充份地低於大氣壓力的壓力)，且可降低該低壓力值以在充份地穩定牢固該基板固持件2(或蓋板60)與提供某些氣體來增進該基板固持件2(或蓋板60)熱耦合至該基板台WT之間達成一平衡。替代地或額外地，可在該基板固持件2及/或蓋板60的下方建立具有不同氣體壓力的區域，其中一低壓力區域係用以牢固該(等)組件而一高壓力區域則用以增進熱耦合。舉例來說，亦可使用乾淨的空氣來作為氣體耦合媒體。
依照一替代性機構，在該等節瘤3，5及該基板W、基板固持件2蓋板60及/或基板台WT之間亦可提供一非流體耦合媒體。例如，可以採用極柔軟且為良好熱導體之銦箔片。
在該基板W及/或基板固持件2與該基板台WT及/或蓋板60之間的改良熱通路可確保用來穩定該基板台WT之溫度的手段亦可用來穩定該基板W及基板固持件2之溫度。這表示例如該基板固持件2之熱膨脹/收縮較不會造成該基板台WT之變形，而這提供了作為該基板固持件2之適當材料的選擇上具有更大的範圍。例如，可以使用一具有高耐磨性的SiSiC基板固持件2。
圖12概要顯示一實施例，其包含一用以測定該基板台WT之一部分相對於一基準框92的位置之測量系統，該基準框可例如相對於該投影系統PS及/或微影裝置而被剛性固定。該裝置亦包含一基板台變形測定元件86，其經配置以產生有關該基板台WT之一變形的資料，該變形係例如來自於因不當的溫度偏差所產生的熱收縮及/或膨脹。該基板W藉由一基板台位移元件90而相對於該投影系統PS位移(例如，經掃描)，該基板台位移元件係在一基板位置控制器84的控制下來運作。
該基板位置控制器84決定如何參考自該測量系統及該基板台變形測定元件86所輸入之資料來將該基板W沿著一適當軌跡移動。該測量系統在該基板台WT之一經測量部分的位置上提供一規律性更新，其中該基板位置控制器84被 組態成可藉此來推導出該基板W之位置。若該基板台WT維持一固定的幾何形狀，則此操作可更為直接地來進行，因為在藉由該測量系統所測量之該基板台WT之該部分的位置與該基板之位置之間可以保持一對應的固定關係。然而，若該基板台WT之幾何形狀改變，則此關係可能會改變，這可能導致該基板W之定位發生誤差。依照本實施例，可以藉由利用基板台變形測定元件86之輸出來更新在該基板台WT之經測量部分之位置與該基板位置之間的關係以反映基板台變形而減少或避免此誤差。此手段亦可提供基板定位的改良，且因此例如增進重疊性能，而不需要實質的額外硬體，諸如在該基板台WT及/或其直接的實體結果中用以嘗試降低一溫度不規律性之相關的硬體。
依照一實施例，該測量系統包含安裝在該基板台WT之橫側面上的複數個平面反射器82。可設置一或多個干涉儀來測量該鏡面之表面的位置。該一或多個干涉儀各包含一輻射源81及一輻射偵測器83與一用以比較發射之輻射與接收之輻射之系統，該系統係用以測定介於在任一時間輻射入射之該鏡面之表面及一相對於與該干涉儀相關聯之基準框92的固定點之間的間隙。藉由將該鏡面之方位配置成朝向例如正交方向，便可以測定該基板台WT之一部分沿著正交軸線之位置。
該基板台WT之變形會造成這些鏡面略呈彎曲。該基板台變形測定元件86提供有關此曲率或"鏡面輪廓"有關於資訊，俾可藉此來校正之。
可達成此目的之一種方式係藉由測量該鏡面82及/或基板台WT之曲率。這能以一種校正運作來完成，該校正運作係量測該基板台WT在一個或複數個典型曝光操作工序期間變形的程度。這些校正運作之結果可儲存在一記憶體元件88中，該記憶體元件可以藉由變形測定元件86來即時取得，以提供具有適當校正的基板台位置控制器。
替代地或額外地，該測量系統針對形成在該基板台WT中之該等鏡面82之每一者可提供複數個干涉儀(例如，包括成對配置的輻射源及偵測器)，如圖13所示。在此配置中的每一干涉儀係可以測量在任一時間自一鏡面之表面的不同部分相對於該基準框92的距離，且可藉此極有效率地測量該基板台WT之輪廓。此配置可以快速地推導出有關該基板台WT在曝光期間之預期變形的校正資料，或者可用以提供即時資料至該基板台變形測量元件86。額外地或替代地，該基板台位置控制器84可被組態成用以取得針對該等鏡面之每一者之該等干涉儀的每一者的讀數的平均值，藉此相較於僅採用一單一干涉儀的例子(在該對應鏡面並非為完全平坦的情況中)，其可獲得該基板台WT之一橫側面的位置之更精確的測量。
替代地或額外地，該基板台變形測定元件86可被組態成藉由一預測模型來測定一預期的基板台變形。舉例來說，此模型可基於該基板W、基板固持件2、基板台WT及/或與這些組件之任意一或多個形成熱及/或機械性接觸之任何組件的熱及機械屬性，以及來自於該微影輻射之預期的功 率輸入或輸出及/或一沉浸液體自該基板W及/或蓋板60之表面的蒸發。此模型之參數可以藉由參考校正測量來予以調整。該預期的功率輸入或輸出可從與一特定想要之劑量模式相關的能量流分析導出，或者可以從校正測量導出。在該基板台WT之變形被預期肇因於一壓抵該基板台WT之熱膨脹的基板固持件2的情況下，一基於該基板固持件2之一均勻膨脹的簡化模型便可產生作用。
一基板台定位鏡面82之表面輪廓亦可藉由一映像方法來予以測定。例如，在兩個額定的平面反射器82被設置在該基板台WT之不同的非平行橫側面且針對該等鏡面之每一者設置一單一干涉儀的例子中，該等鏡面82之第一個鏡面的表面輪廓可藉由將該基板台WT平行於一正交於該等鏡面82之一第二個鏡面來移動且同時測量自該干涉儀至該第一鏡面之該表面的垂直距離如何變化來予以映像。接著可以重複此程序，但將該基板台WT平行於一垂直於該第一鏡面82來移動，以映像該第二鏡面的輪廓。
雖然在本文中可特別涉及微影裝置在IC之製造中的使用，但應瞭解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等之製造。熟習此項技術者將瞭解，在替代應用之情況下，本文中術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用可認為分別與更一般術語"基板"或"目標部分"同義。本文中所涉及之基板可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將光阻劑層應用於基板且顯影經曝 光之光阻劑之工具)、度量工具及/或檢測工具中進行處理。在適用的情況下，本文之揭示內容可應用於該等或其他基板處理工具。另外，基板可經處理一次以上(例如)以便產生多層IC，因此本文中使用之術語基板亦可指已含有多個已處理層之基板。
如本文中所使用之術語"輻射"及"射束"涵蓋所有類型之電磁輻射，其包括紫外(UV)輻射(例如，具有365、248、193、157或126 nm之波長。
若情況允許，則術語"透鏡"可指包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件的各種類型之光學組件之任一者或其組合。
雖然以上已描述本發明之特殊實施例，但應瞭解，可以不同於所描述的方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取以下形式：一含有描述如上所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列之電腦程式，或一具有儲存於其中之該電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。
本發明之一或多個實施例可應用於任何沉浸式微影裝置，尤其(但非唯一)係上述類型的微影裝置，且不論該沉浸液體係以浸池的方式或僅在該基板之一局部表面區域上來提供。在本文中所述的液體供應系統應予以廣義解釋。在某些實施例中，其可以係可提供一液體至一介於該投影系統及該基板及/或基板台之間的空間的一機構或者結構組合。其可包含一或多個結構、一或多個液體入口、一或 多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或提供液體至該空間之一或多個液體出口的組合。在一實施例中，該空間之一表面可以係該基板及/或基板台之一部分，或者該空間之一表面可以完全地覆蓋該基板及/或基板台之一表面，或者該空間可以封圍該基板及/或基板台。該液體供應系統可視情況而進一步包括一或多個構件來控制該液體之位置、數量、品質、形狀、流量或任何其他特徵。
就其基本形式而言，上文所述之該基板台WT亦係普遍習知的"鏡面組"。就其基本形式而言，上文所述之該基板固持件2亦係普遍習知的"節瘤板"。
以上描述係作為說明性的，而非限制性的。因此，熟習此項技術者將明白，在不脫離以下陳述之請求項之範疇的情況下可對所描述之本發明進行修改。
2‧‧‧基板固持件
3‧‧‧節瘤
4‧‧‧基板加熱器
5‧‧‧節瘤
6‧‧‧鏡面
7‧‧‧反饋迴圈
8‧‧‧箭頭
10‧‧‧箭頭
12‧‧‧箭頭
14‧‧‧箭頭
20‧‧‧通道
21‧‧‧節瘤
22‧‧‧溫度感測器
26‧‧‧電子加熱器
28‧‧‧電磁鐵
30‧‧‧控制器
40‧‧‧控制器
50‧‧‧控制器
60‧‧‧蓋板
64‧‧‧插塞
66‧‧‧導熱性耦合媒體
68‧‧‧液體拘束結構
81‧‧‧輻射源
82‧‧‧平面反射器
83‧‧‧輻射偵測器
84‧‧‧基板位置控制器
86‧‧‧基板台變形測定元件
88‧‧‧記憶體元件
90‧‧‧基板台位移元件
92‧‧‧基準框
AM‧‧‧調整器
B‧‧‧幅射束
BD‧‧‧射束傳送系統
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感應器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
M1 ‧‧‧光罩對準標記
M2 ‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧光罩台
P1 ‧‧‧基板對準標記
P2 ‧‧‧基板對準標記
PS‧‧‧投影系統
PM‧‧‧第一***
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧幅射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
本發明之實施例係參考附圖而僅作為示例性方式說明如上，在該等圖式中對應的參考符號係表示對應的部件，且其中：圖1描繪依照本發明之一實施例的微影裝置；圖2及3描繪一用於一微影投影裝置中之液體供應系統；圖4描繪用於一微影投影裝置中之另一液體供應系統；圖5描繪一安裝在一基板固持件上之基板及可移動的基板台；圖6描繪由於一基板固持件之熱膨脹而對一基板台所造成之影響； 圖7描繪依照本發明之一實施例在一蓋板與該基板台之間的熱絕緣；圖8描繪依照本發明之一實施例的基板台溫度穩定器件，其具有一通道網路；圖9描繪依照本發明之一實施例的基板台溫度穩定器件，其具有一電子加熱器及一控制器；圖10描繪依照本發明之一實施例的基板台溫度穩定器件，其具有被組態成用以由一變化磁場所致動的加熱構件；圖11描繪依照本發明之一實施例之一併入一導熱性耦合媒體的基板台總成；圖12描繪依照本發明之一實施例之一位置測量系統及一基板台變形測量元件；及圖13描繪依照本發明之一實施例的測量系統，該測量系統針對每一鏡面係包含複數個干涉儀。
AM‧‧‧調整器
B‧‧‧幅射束
BD‧‧‧射束傳送系統
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感應器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
M1 ‧‧‧光罩對準標記
M2 ‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧光罩台
P1 ‧‧‧基板對準標記
P2 ‧‧‧基板對準標記
PS‧‧‧投影系統
PM‧‧‧第一***
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧幅射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (17)

  1. 一種微影裝置，其包含：一基板台，經配置以支持一基板；一投影系統，其經組態以投影一經調變的輻射束於一基板上；一液體供應系統，其經組態以在曝光期間提供一液體於一介於該投影系統及一基板之間的區域中；一蓋板，其實體上與該基板台隔開且在曝光期間被定位在該基板之徑向外側，且經組態以提供一面向該投影系統之表面，該表面係實質上與該基板相鄰且齊平，該蓋板在曝光期間藉由自該投影系統之輻射及/或自該液體供應系統之液體係為可接觸的；以及一基板台溫度穩定器件，其經組態以藉由控制該蓋板之一部分的溫度來減少該基板台之一部分與一對應的目標溫度的溫度偏差。
  2. 如請求項1之裝置，其中該溫度穩定器件包含一經組態以輸入熱量至該蓋板之一部分的加熱構件、一經組態以自該蓋板之一部分提取熱量的冷卻構件或者同時包含該加熱構件及該冷卻構件。
  3. 如請求項1之裝置，其中該溫度穩定器件包含一嵌設在該蓋板中之通道網路及一被配置成用以控制在該通道網路中之一熱交換流體之溫度、壓力或兩者之控制器，以減少該基板台之一部分與一對應的目標溫度之溫度偏差。
  4. 如請求項1之裝置，其中該溫度穩定器件包含一加熱構件及一被配置成用以控制自該加熱構件輸出之熱量的控制器，以減少該基板台之一部分與一對應的目標溫度的溫度偏差。
  5. 如請求項4之裝置，其中該加熱構件包含一材料，該材料在一目標溫度之範圍中會經歷一溫度引致的相態轉變，該相態轉變造成該材料自其會產生一低於該相變溫度之較高加熱輸出的一狀態轉換至其會產生一高於該相變溫度之較低加熱輸出之一狀態。
  6. 如請求項5之裝置，其中該基板台溫度穩定器件經配置以將一電流通入該經歷一相態轉變的材料，該相態轉變會因此造成該加熱構件材料自低於該相變溫度之一較低電阻率的狀態轉變成高於該相變溫度之一較高電阻率的狀態。
  7. 如請求項5之裝置，其中該基板台溫度穩定器件經配置以將一變化磁場施加至該經歷一相態轉變的材料，該相態轉變會因此造成該加熱構件材料自低於該相變溫度之一磁滯狀態轉變成高於該相變溫度之一非磁性磁滯狀態。
  8. 如請求項1至7任一項之裝置，其進一步包含一經組態以測量該基板台之一部分、該蓋板或兩者之溫度的溫度感測器，且其中該基板台溫度穩定器件經組態以利用一來自於該溫度感測器之溫度讀數來減少該基板台之一部分與一對應的目標溫度的溫度偏差。
  9. 如請求項1至7任一項之裝置，其進一步包含一被定位在該基板台與該基板之間且經配置以支持該基板之基板固持件。
  10. 如請求項9之裝置，其中一導熱性耦合媒體經配置而被設置在該基板台與該蓋板、該基板固持件或兩者之間。
  11. 如請求項10之裝置，其中該導熱性耦合媒體係一流體、銦或兩者。
  12. 如請求項9之裝置，其中該基板固持件係由一包含SiSiC之材料所形成。
  13. 一種元件製造方法，其包含：將一經調變的輻射束通過一液體而投影在一被固持在一基板台上之基板上；及藉由控制一蓋板之一部分的溫度來減少該基板台之一部分與一對應的目標溫度的溫度偏差，該蓋板與該基板台實體上隔開，且在該經調變的輻射束之投影期間被定位在該基板之徑向外側且具有一實質上相鄰且齊平於該基板之表面，該蓋板在曝光期間藉由自該投影系統之輻射及/或自該液體供應系統之液體係為可接觸的。
  14. 一種微影裝置，其包含：一基板台，其經配置以支持一基板；一投影系統，其經組態以投影一經調變的輻射束於一基板上；一液體供應系統，其經組態以在曝光期間提供一液體於一介於該投影系統及一基板之間的區域中； 一蓋板，其實體上與該基板台隔開且在曝光期間被定位在該基板之徑向外側，且經組態以提供一面向該投影系統之表面，該表面係實質上與該基板相鄰且齊平，該蓋板在曝光期間藉由自該投影系統之輻射及/或自該液體供應系統之液體係為可接觸的；以及一熱絕緣體，其經配置以降低在該蓋板與該基板台之間的熱轉移，俾藉由該蓋板來提供該基板台之熱屏蔽。
  15. 如請求項14之裝置，其中該熱絕緣體包含低熱傳導率節瘤，且該蓋板係安裝在該等節瘤上。
  16. 如請求項15之裝置，其中該低傳導率節瘤經配置而具有低熱傳導係數、與該蓋板具有最小接觸面積、與該基板台具有最小接觸面積或上述之任意組合。
  17. 一種元件製造方法，其包含：將一經調變的輻射束通過一液體而投影在一被固持在一基板台上之基板上；及熱絕緣一蓋板以降低在該蓋板與該基板台之間的熱轉移且藉此藉由該蓋板來熱屏蔽該基板台，該蓋板與該基板台實體上隔開，且在該經調變的輻射束之投影期間被定位在該基板之徑向外側且具有一實質上相鄰且齊平於該基板之表面，該蓋板在曝光期間藉由自該投影系統之輻射及/或自該液體供應系統之液體係為可接觸的。
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