CN106950805B - 对位装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本公开是关于一种对位装置及方法,用于实现基板和掩膜版的对位;该对位装置包括:第一闭合线圈,设置于所述基板的第一对位区域中;第一磁极以及第二磁极,位于所述掩膜版的第一预设区域的两侧并生成第一磁场;其中,所述第一磁极以及所述第二磁极均与所述第一预设区域有间隙;第一电流传感器,与所述第一闭合线圈连接。该对位装置可以提高对位精度。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种对位装置以及一种对位方法。
背景技术
在面板制备工艺中,较高的对位精度一直是技术的关键之一,特别是阵列工艺段的掩膜版工序。较高的基板对位精度,不但能够更好的保证曝光的精确度,而且可以很好的解决不同膜层之间的错位问题。
举例而言,在金属氧化物AMOLED(Active-matrix Organic Light EmittingDiode,主动矩阵有机发光二极体)工艺中,由于掩膜版工序较多,对位精度要求尤为严苛。
在一些常规的技术方案中,通常是通过在基板和掩膜版的待对位区域设置相应的标记,然后根据标记实现基板和掩膜版的对位,但是利用该对位方法进行对位效率低下而且对位的精确度也不高。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种对位装置以及一种对位方法,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
根据本公开的一个方面,提供一种对位装置,用于实现基板和掩膜版的对位,包括:
第一闭合线圈,设置于所述基板的第一对位区域中;
第一磁极以及第二磁极,位于所述掩膜版的第一预设区域的两侧并生成第一磁场;其中,所述第一磁极以及所述第二磁极均与所述第一预设区域有间隙;
第一电流传感器,与所述第一闭合线圈连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一电流传感器通过所述第一闭合线圈上配置的第一接线引脚与所述第一闭合线圈连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一闭合线圈与所述基板上的栅线同层设置并与所述栅线具有相同材质。
在本公开的一种示例性实施例中,所述对位装置还包括:
第二闭合线圈,设置于所述基板的第二对位区域中;
第三磁极以及第四磁极,位于所述掩膜版的第二预设区域的两侧并生成第二磁场;其中,所述第三磁极以及所述第四磁极均与所述第二预设区域有间隙;
第二电流传感器,与所述第二闭合线圈连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一磁极以及第二磁极均为电磁线圈。
根据本公开的一个方面,提供一种对位方法,用于实现基板和掩膜版的对位,所述基板的第一对位区域设置有第一闭合线圈;其中,所述对位方法包括:
利用第一磁极以及第二磁极生成第一磁场;其中,所述第一磁极以及第二磁极位于所述掩膜版的第一预设区域的两侧并且均与所述第一预设区域有间隙;
移动所述基板并测量所述第一闭合线圈穿过所述第一磁场产生的第一磁感应电流;
判断所述第一磁感应电流是否达到最大感应电流并在判断所述第一磁感应电流达到所述最大感应电流时,停止移动所述基板。
在本公开的一种示例性实施例中,测量所述第一闭合线圈产生的第一磁感应电流包括:
利用第一电流传感器测量所述第一闭合线圈产生的第一磁感应电流。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一磁感应电流随着所述第一磁场穿过所述第一闭合线圈的磁通量的增加而增加并在增加至临界值时开始减小。
在本公开的一种示例性实施例中,所述基板的第二对位区域设置有第二闭合线圈;其中,所述对位方法还包括:
利用第三磁极以及第四磁极生成第二磁场;其中,所述第三磁极以及第四磁极位于所述掩膜版的第二预设区域的两侧并且均与所述第二预设区域有间隙;
移动所述基板并测量所述第二闭合线圈穿过所述第二磁场产生的第二磁感应电流;
判断所述第二磁感应电流是否达到最大感应电流并在判断所述第一磁感应电流以及所述第二磁感应电流均达到最大感应电流时,停止移动所述基板。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一磁极以及第二磁极均为电磁线圈。
本公开一种对位装置及方法,可以利用第一磁极以及第二磁极生成第一磁场,使得第一闭合线圈在穿过第一磁场时产生第一磁感应电流并在第一磁感应电流达到最大感应电流时,实现基板以及掩膜版的对位;一方面,当第一磁感应电流达到最大感应电流时实现基板以及掩膜版的对位,由于第一闭合线圈达到最大感应电流的位置唯一,因而提高了对位的精确度;另一方面,利用电磁学原理完成对位,相对于光学对位来说不仅节省了对位时间,同时也提升了对位效率。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性示出一种对位装置工作原理图。
图2示意性示出一种闭合线圈分布示例图。
图3示意性示出一种对位示例图。
图4示意性示出另一种对位示例图。
图5示意性示出一种对位方法的流程图。
图6示意性示出另一种对位方法的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语,例如“高”“低”“顶”“底”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体,不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体,或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体,或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
本示例实施方式首先提供了一种对位装置,用于实现基板和掩膜版的对位。参考图1、图2以及图3所示,该对位装置包括:第一闭合线圈107、第一磁极102、第二磁极104以及第一电流传感器106。
在本示例实施方式中,第一闭合线圈107可以设置于基板110的第一对位区域109中;可以理解的是,也可以设置于其他对位区域中,本示例实施方式对此不作特殊限制;第一闭合线圈107可以与基板110上的栅线同层设置并与栅线具有相同材质,例如可以是铬、铬的合金或者钼钽合金,也可以是其他材质,例如可以是铝或者铝合金等等,本示例实施方式对此不作特殊限制;通过将第一闭合线圈与基板的栅线同层设置,可以通过一次光刻工艺形成第一闭合线圈以及栅线,因此简化了工艺流程。
在本示例实施方式中,第一磁极102以及第二磁极104均可以为电磁线圈,也可以为永磁体,本示例实施方式对此不做特殊限制。
在本示例实施方式中,第一磁极102以及第二磁极104可以对称的位于掩膜版任一预设区域的两侧;也可以不对称设置,本示例实施方式对此不做特殊限制;因此可以理解的是,第一磁极102以及第二磁极104与掩膜版的间隙可以相同也可以不同。此外,第一磁极102以及第二磁极104可以是固定在现有掩模***的支架上,也可以通过设置额外的支撑装置承载第一磁极102以及第二磁极104,本示例性实施例中对此不做特殊限定。
在本示例实施方式中,通过设置第二磁极104,可以与第一磁极102共同形成磁场,也可以对第一磁极102产生的磁场起到补充和调节的作用;因此可以理解的是,通过利用第一磁极102以及第二磁极104生成第一磁场,使得第一闭合线圈107在穿过第一磁场产生磁感应电流时,只存在唯一位置可以使得磁感应电流达到最大值,更进一步的提升了对位精度。
在本示例实施方式中,第一电流传感器106可以为电磁式电流互感器或者电子式电流互感器,也可以是分流器,本示例实施方式对此不做特殊限制。
在本示例实施方式中,第一电流传感器106可以通过第一闭合线圈107上设置的第一接线引脚108与第一闭合线圈107进行连接,也可以通过其他方式进行连接,本示例实施方式对此不作特殊限制。
上述对位装置中,一方面,当第一磁感应电流达到最大感应电流时实现基板以及掩膜版的对位,由于第一闭合线圈达到最大感应电流的位置唯一,因而提高了对位的精确度;另一方面,利用电磁学原理完成对位,相对于光学对位来说不仅节省了对位时间,同时也提升了对位效率。
本示例实施方式还提供了另一种对位装置,用于实现基板和掩膜版的对位。参考图1、图2以及图4所示,该对位装置还可以包括:第二闭合线圈、第三磁极、第四磁极以及第二电流传感器。
在本示例实施方式中,第二闭合线圈可以设置于基板110的第二对位区域111中;可以理解的,也可以设置于其他对位区域中,本示例实施方式对此不作特殊限制;第二闭合线圈可以与基板110上的栅线同层设置并与删线具有相同材质,例如可以是铬、铬的合金或者钼钽合金,也可以是其他材质,例如可以是铝或者铝合金等等,本示例实施方式对此不作特殊限制;通过将第一闭合线圈与基板的栅线同层设置,可以通过一次光刻工艺形成第一闭合线圈以及栅线,因此简化了工艺流程。
在本示例实施方式中,第三磁极以及第四磁极可以为电磁线圈,也可以为永磁体,本示例实施方式对此不做特殊限制。
在本示例实施方式中,第三磁极以及第四磁极可以对称的位于掩膜版任一预设区域的两侧;也可以不对称设置,本示例实施方式对此不做特殊限制;因此可以理解的是,第三磁极以及第四磁极与掩膜版的间隙可以相同也可以不同;进一步的,第三磁极以及第四磁极均可以为电磁线圈。类似的,第三磁极以及第四磁极可以是固定在现有掩模***的支架上,也可以通过设置额外的支撑装置承载第三磁极以及第四磁极,本示例性实施例中对此不做特殊限定。
在本示例实施方式中,第二电流传感器可以为电磁式电流互感器或者电子式电流互感器,也可以是分流器,本示例实施方式对此不做特殊限制。
在本示例实施方式中,第二电流传感器可以通过第二闭合线圈上设置的第二接线引脚与第二闭合线圈进行连接,也可以通过其他方式进行连接,本示例实施方式对此不作特殊限制。
下面,将结合对位方法对上述对位装置进行进一步解释。
本示例实施方式中首先提供了一种对位方法,用于实现基板和掩膜版的对位;其中,基板的对位区域设置有闭合线圈。参考图5所示,该对位对位方法可以包括步骤S510、步骤S520以及步骤S530。其中:
在步骤S510中,利用第一磁极以及第二磁极生成第一磁场;其中,所述第一磁极以及第二磁极位于所述掩膜版的第一预设区域的两侧并且均与所述第一预设区域有间隙。
在本示例实施方式中,参考图1所示,在掩膜版的第一预设区域的上下两侧分别配置第一磁极102以及第二磁极104,然后分别通过第一交流电103以及第二交流电105产生规则变化的第一磁场。其中,第一磁极102以及第二磁极104可以通过外部支架可移动的设置在第一预设区域的两侧,该外部支架可以固定设置也可以移动设置;并且,第一磁极102与第二磁极104与第一预设区域的间隙可以相同也可以不同;第一交流电103以及第二交流电105大小可以相同也可以不同;第一交流电103以及第二交流电105的电流方向可以反向设置,从而使则两者之间的磁感应线更适用于本公开。
在步骤S520中,移动所述基板并测量所述第一闭合线圈穿过所述第一磁场产生的第一磁感应电流。
在本示例实施方式中,参考图1以及图2所示,第一闭合线圈107位于基板110的第一对位区域109上;移动基板110,当第一闭合线圈107穿过上述第一磁场时,利用第一电流传感器106测量第一闭合线圈107穿过上述第一磁场时产生的第一磁感应电流;进一步的,为了使得第一电流传感器106与第一闭合线圈107连接方便,第一闭合线圈107上设置有第一接线引脚108;第一电流传感器106通过第一接线引脚108与第一闭合线圈107进行连接,并测量第一闭合线圈107穿过上述第一磁场时产生的第一磁感应电流。
在步骤S530中,判断所述第一磁感应电流是否达到最大感应电流并在判断所述第一磁感应电流达到所述最大感应电流时,停止移动所述基板。
在本示例实施方式中,参考图1以及图3所示,利用第一电流传感器106测量第一磁感应电流,并判断第一磁感应电流是否达到最大感应电流,详细而言:
当第一闭合线圈107穿过第一磁场时,随着第一闭合线圈107穿过第一磁场的面积的增加,所述第一磁场穿过所述第一闭合线圈的磁通量(下称第一磁通量)也开始增加,因此第一磁感应电流也随着增加;当第一磁感应电流增加到一个临界值(可以理解的是,当第一磁感应电流增加到该临界值时,则可以认为第一闭合线圈的位置处于第一磁场中可以使得磁感应电流达到最大值的唯一位置)时开始减少;当第一磁感应电流开始减小时,确定该临界值为最大磁感应电流。因此,可以理解的是,当第一磁感应电流开始减小时,证明第一闭合线圈107穿过第一磁场的面积开始减小(第一磁通量也开始减小);继续移动基板,当第一磁感应电流再次达到最大感应电流时,停止移动基板110,实现基板110的第一对位区域109与掩膜版第一预设区域的对位。
为了进一步提高掩膜版与基板的对位精度并防止基板在对位时发生倾斜,本示例实施方式还提供了另一种对位方法。参考图6所示,该对位方法还可以包括步骤S610、步骤S620以及步骤S630。其中:
在步骤S610中,利用第三磁极以及第四磁极生成第二磁场;其中,所述第三磁极以及第四磁极位于所述掩膜版的第二预设区域的两侧并且均与所述第二预设区域有间隙。
在本示例实施方式中,在掩膜版的第二预设区域的上下两侧分别设置第三磁极以及第四磁极,然后分别通过第三交流电以及第四交流电产生规则变化的第四磁场。其中,第三磁极以及第四磁极可以通过外部支架可移动的设置在第二预设区域的两侧,该外部支架可以固定设置也可以移动设置;并且,第三磁极与第四磁极与第二预设区域的间隙可以相同也可以不同;第三交流电以及第四交流电的大小可以相同也可以不同,第三交流电以及第四交流电的电流方向可以反向设置,从而使则两者之间的磁感应线更适用于本公开。
其中,参考图5所示,第三磁极与第四磁极可以分别设置在第一磁极与第二磁极的对角位置上;因此可以理解的是,第二磁场的位置相对于第一磁场来说,也是处于第一磁场的对角位置的。
需要说明的是,由于利用第三磁极与第四磁极产生第二磁场的原理图(图2)与利用第一磁极以与第二磁极产生第一磁场的原理图相同(与图2相同),此处不再赘述。
在步骤S620中,移动所述基板并测量所述第二闭合线圈穿过所述第二磁场产生的第二磁感应电流。
在本示例实施方式中,参考图1以及图4所示,第二闭合线圈位于基板110的第二对位区域111上;移动基板110,当第二闭合线圈穿过上述第二磁场时,利用第二电流传感器测量第二闭合线圈穿过上述第二磁场时产生的第二磁感应电流;进一步的,为了使得第二电流传感器与第二闭合线圈连接方便,第二闭合线圈上设置有第二接线引脚;第二电流传感器通过第二接线引脚与第二闭合线圈进行连接,并测量第二闭合线圈穿过上述第二磁场时产生的第二磁感应电流。
在步骤S630中,判断所述第二磁感应电流是否达到最大感应电流并在判断所述第一磁感应电流以及所述第二磁感应电流均达到最大感应电流时,停止移动所述基板。
在本示例实施方式中,参考图1以及图4所示,利用第二电流传感器测量第二磁感应电流,并判断第二磁感应电流是否达到最大感应电流,详细而言:
当第二闭合线圈穿过第二磁场时,随着第二闭合线圈穿过第二磁场的面积的增加,所述第二磁场穿过所述第二闭合线圈的磁通量(下称第二磁通量)也随着增加,因此第二磁感应电流也随着增加;当第二磁感应电流增加到一临界值(可以理解的是,当第二磁感应电流增加到该临界值时,则可以认为第二闭合线圈的位置处于第二磁场中可以使得磁感应电流达到最大值的唯一位置)时开始减少;当第二磁感应电流开始减小时,确定该临界值为最大磁感应电流。因此,可以理解的是,当第二磁感应电流开始减小时,证明第二闭合线圈穿过第二磁场的面积开始减小(第二磁通量也随着减小);继续移动基板110,当第二磁感应电流与上述第一磁感应电流同时达到最大感应电流时,停止移动基板110,实现基板110的第一对位区域109与掩膜版的第一预设区域以及第二对位区域111与掩膜版第二预设区域的同时对位。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一磁极以及第二磁极均为电磁线圈。
此外,尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤,或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的,可以省略某些步骤,将多个步骤合并为一个步骤执行,以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
应当注意,尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元,但是这种划分并非强制性的。实际上,根据本公开的实施方式,上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之,上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员易于理解,这里描述的示例实施方式可以通过软件实现,也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此,根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM,U盘,移动硬盘等)中或网络上,包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、移动终端、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (10)
1.一种对位装置,用于实现基板和掩膜版的对位,其特征在于,包括:
第一闭合线圈,设置于所述基板的第一对位区域中;
第一磁极以及第二磁极,位于所述掩膜版的第一预设区域的两侧并生成第一磁场;其中,所述第一磁极以及所述第二磁极均与所述第一预设区域有间隙;
第一电流传感器,与所述第一闭合线圈连接。
2.根据权利要求1所述的对位装置,其特征在于,所述第一电流传感器通过所述第一闭合线圈上配置的第一接线引脚与所述第一闭合线圈连接。
3.根据权利要求1所述的对位装置,其特征在于,所述第一闭合线圈与所述基板上的栅线同层设置并与所述栅线具有相同材质。
4.根据权利要求1所述的对位装置,其特征在于,所述对位装置还包括:
第二闭合线圈,设置于所述基板的第二对位区域中;
第三磁极以及第四磁极,位于所述掩膜版的第二预设区域的两侧并生成第二磁场;其中,所述第三磁极以及所述第四磁极均与所述第二预设区域有间隙
第二电流传感器,与所述第二闭合线圈连接。
5.根据权利要求1所述的对位装置,其特征在于,所述第一磁极以及第二磁极均为电磁线圈。
6.一种对位方法,用于实现基板和掩膜版的对位,其特征在于,所述基板的第一对位区域设置有第一闭合线圈;其中,所述对位方法包括:
利用第一磁极以及第二磁极生成第一磁场;其中,所述第一磁极以及第二磁极位于所述掩膜版的第一预设区域的两侧并且均与所述第一预设区域有间隙;
移动所述基板并测量所述第一闭合线圈穿过所述第一磁场产生的第一磁感应电流;
判断所述第一磁感应电流是否达到最大感应电流并在判断所述第一磁感应电流达到所述最大感应电流时,停止移动所述基板。
7.根据权利要求6所述的对位方法,其特征在于,测量所述第一闭合线圈产生的第一磁感应电流包括:
利用第一电流传感器测量所述第一闭合线圈产生的第一磁感应电流。
8.根据权利要求6所述的对位方法,其特征在于,所述第一磁感应电流随着所述第一磁场穿过所述第一闭合线圈的磁通量的增加而增加并在增加至临界值时开始减小。
9.根据权利要求6所述的对位方法,其特征在于,所述基板的第二对位区域设置有第二闭合线圈;其中,所述对位方法还包括:
利用第三磁极以及第四磁极生成第二磁场;其中,所述第三磁极以及第四磁极位于所述掩膜版的第二预设区域的两侧并且均与所述第二预设区域有间隙;
移动所述基板并测量所述第二闭合线圈穿过所述第二磁场产生的第二磁感应电流;
判断所述第二磁感应电流是否达到最大感应电流并在判断所述第一磁感应电流以及所述第二磁感应电流均达到最大感应电流时,停止移动所述基板。
10.根据权利要求6所述的对位方法,其特征在于,所述第一磁极以及第二磁极均为电磁线圈。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1991591A (zh) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN101098571A (zh) * | 2006-06-28 | 2008-01-02 | 尹正洙 | 电热地毯的温控器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002036373A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光造形装置 |
JP2003324028A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Jfe Steel Kk | 平面磁気素子の製造方法 |
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- 2017-04-19 CN CN201710258236.9A patent/CN106950805B/zh active Active
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CN101098571A (zh) * | 2006-06-28 | 2008-01-02 | 尹正洙 | 电热地毯的温控器 |
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