JP2005175016A - 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005175016A JP2005175016A JP2003409446A JP2003409446A JP2005175016A JP 2005175016 A JP2005175016 A JP 2005175016A JP 2003409446 A JP2003409446 A JP 2003409446A JP 2003409446 A JP2003409446 A JP 2003409446A JP 2005175016 A JP2005175016 A JP 2005175016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- wafer
- chuck
- substrate holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/58—Baseboards, masking frames, or other holders for the sensitive material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】
液体に浸される基板12の裏面に接して基板を保持する基板保持装置5Cを、基板を引きつけるチャック手段5Dと、基板裏面とチャック手段との間への液体の入り込みを抑制する抑制手段17とを有するものとする。
【選択図】図1
Description
本発明の前提となる技術を図9〜図13を用いて説明する。
図9において、1は照明系ユニットで、露光光源(不図示)からの露光光を整形しレチクル(不図示)に対して照射する。2は露光パターン原版であるレチクルを搭載するレチクルステージで、搭載したレチクルを感光基板であるウエハ12(図10参照)に対して所定の縮小露光倍率比でスキャン動作させる。3は縮小投影レンズで、レチクルに形成された原版パターンをウエハ12に縮小投影する。4は露光装置本体、5はウエハステージで、露光装置本体4は、前記レチクルステージ2、投影レンズ3およびウエハステージ5を支持する。ウエハステージ5は、ウエハ12を露光位置に順次ステップ移動させるとともに、レチクルのスキャン動作時、それと同期してウエハ12をスキャン動作させる。
6はアライメントスコープで、ウエハ上のアライメントマークおよびステージ上のアライメント用基準マークを計測し、基準位置に対するウエハのアライメントおよびレチクルとウエハとの間のアライメントを行う際の計測を行う顕微鏡である。7はフォーカススコープで、ウエハ面形状および光軸方向フォーカス計測(光軸方向における基板表面位置の計測)を行う。
8はXバーミラーで、スライダ5BのX方向の位置をレーザ干渉計により計測するためのターゲットである。9はYバーミラーで、同じくスライダ5BのY方向の位置を計測するためのターゲットである。
なお、図9において、スライダ5Bの上のウエハチャック5Cおよびウエハの部分は、縮小投影レンズ3、フォーカススコープ5の光線およびウエハ12の関係が分かるように、断面で表している。
図9に戻って、13はウエハ12を供給回収するウエハ搬送ロボットである。14は液浸液タンクで、ここに液浸液を貯蔵し、液浸液滴下回収手段15を介して液浸液をウエハチャック5Cに対して供給あるいは回収する。
まず、図11(1)に示すように、ウエハステージ5に搬送されたウエハ12に対して、アライメント計測およびフォーカス計測を行うために、ウエハステージ5にてアライメント動作を行う。この状態では、ウエハ12と投影光学系3との間には液浸液は存在しない。液浸液があるとレジストと液浸液間の屈折率差が小さいことから計測が困難になるので、液浸液を滴下せずにアライメント計測およびフォーカス計測を行う。
次のウエハを、図11(7)に示すように、ウエハ搬送ロボット13によりウエハステージ5のウエハチャック5Cに搭載し、図11(8)に示すように、アライメントおよびフォーカス計測開始位置に移動して、上記図11(1)〜(6)の露光動作を繰り返す。
以上のように、ウエハに対して液浸露光を行う。
図12では、ウエハチャック5Cに設けられた真空チャック5Dによって、ウエハ12が真空吸着され保持固定されている。この状態で、真空チャック5Dの最外周部の円周面凸形状部(リング状凸部)5Pに、異物あるいはキズが発生した場合、リーク105Fが発生し、真空チャック5Dの溝中に液浸液16が流入し、真空エラーが発生すると同時に液浸液の液層液面の低下等の不具合が発生するおそれがあった。
図13では、ウエハチャック5Cに設けられた静電チャック5Eによって、ウエハ12が静電吸着され保持固定されている。このような静電チャック方式においても、静電チャック5Eへの上記液浸液の流入による電位リークや液浸液面低下等の不具合が発生するおそれがあった。
ここで、前記抑制手段は、例えば、前記裏面の縁に沿った前記裏面の内周部に当接するように設けられた弾性シール部材であるか、前記裏面の縁に沿った前記裏面の内周部に対向するように設けられたに差動排気手段であるか、または前記チャック手段の外周部に設けられたシール液溜りである。
前記抑制手段が、前記シール液溜りで構成される場合、前記抑制手段は、さらに、該シール液溜りを形成するための溝にシール液を供給する供給手段および/または該シール液溜りからシール液を排出する排出手段を含むことが好ましい。
さらに、本発明に係るデバイス製造方法は、上記本発明に係る露光装置を用いて基板にパターンを投影する露光工程を含むことを特徴とする。
[実施態様1] 原版面に形成されたパターンを基板に投影し、該投影光学系に対し原版と基板の両方、もしくは基板のみをステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを基板に繰り返し露光し、投影光学系と基板間の露光光透過空間の少なくとも一部を液体層である液浸液層を介して露光する液浸露光装置において、
基板を保持する保持部材に設けられる基板吸着手段と該液浸液層との間に、液浸液層から基板吸着面あるいは基板吸着手段への液浸液の移動進入あるいは漏れを略遮断するリーク抑制手段を設けたことを特徴とする露光装置。
液浸露光装置としては、ウエハが液浸液に没する方式(moving pool方式)およびウエハ上の部分領域を液浸領域として当該領域を移動させる方式(local fill方式)があるが、本発明はいずれの方式にも適用可能である。
前記抑制手段は、前記基板の裏面を概略囲うような環状に配置することが好ましい。すなわち、基板の外形に倣うように、円形状基板は円形の、矩形状基板は矩形の液浸液リーク抑制手段、例えば弾性シール部材を配置する。
前記抑制手段としては、前記基板保持部材が前記基板を保持した際、該基板の縁および/または該基板の裏面の縁に沿った縁より内側の部分(以下、内周部という)に環状に当接する弾性シール手段、前記基板保持部材の基板保持面に形成され、該基板保持部材が前記基板を保持した際、該基板の裏面の内周部に環状に位置する少なくとも1つの環状排気溝手段、および前記基板保持部材が前記基板を保持した際、前記液体とは混和しない第2の液体を、該基板の外周および/または該基板の裏面の内周部に環状に供給するシール液供給手段のいずれか1つ以上を用いることができる。
[実施態様3] 実施態様1または2に記載の露光装置において、前記抑制手段あるいは前記弾性シール部材は、基板保持部材に対して着脱自在に保持されていることを特徴とする露光装置。
[実施態様4] 実施態様1に記載の露光装置において、前記抑制手段は基板保持部材の基板保持面に形成された少なくとも1つ以上の円周状排気溝手段より成ることを特徴とする露光装置。該円周状排気溝手段は複数を用いて各円周状排気溝を差動排気する差動排気手段とすることが好ましい。
[実施態様5] 実施態様1に記載の露光装置において、前記抑制手段として基板保持部材から基板外周部近傍に略円周状に液体を供給する液体供給手段を設けたことを特徴とする露光装置。
[実施態様6] 実施態様5に記載の露光装置において、基板保持部材から基板外周部近傍に円周状に供給される液体は、液浸層を形成する液体に対して比重が大きいことを特徴とする露光装置。
[実施態様7] 実施態様5に記載の露光装置において、基板保持部材から基板外周部近傍に円周状に供給される液体は、基板保持部材に設けられた液体回収あるいは排水手段をもって回収あるいは排水されることを特徴とする露光装置。
[実施態様8] 実施態様1〜7のいずれかに記載の露光装置において、基板保持部材をステージ装置に着脱自在としたことを特徴とする露光装置。
[第1の実施例]
図1は、本発明の第1の実施例に係るウエハチャック(基板保持装置)の構成を示す。同図のウエハチャック5Cは、図12に示した背景技術に対し、ウエハチャックに着脱自在で、着装時、ウエハ12の裏面の縁に沿った当該裏面の内周部に当接するOリングシール17(弾性シール部材)を設けたものである。
本発明の第2の実施例を図3に示す。上記第1の実施例に示した弾性シール部材を用いる方法以外に、本実施例のように、ウエハチャック5Cのウエハ吸着面の縁に沿った当該裏面の内周部に、差動排気手段を設ける方法もある。
図3では、図3(3)に詳細を示すように、真空チャック5Dの最も外側の部分に、差動排気手段を円環状に設ける。差動排気手段としては、排気A(5F)、排気B(5G)、排気C(5H)の3系統をそれぞれ独立排気溝として設けている。
本発明の第3の実施例を図4に示す。上記第1の実施例に示した弾性シール部材を用いる方法以外に、本実施例のように、ウエハチャック5Cの外周部に、シール液溜りを設ける方法もある。
図4に示すように、真空チャック5Dの外周部に、シール液溜り溝5Kを円周状に設け、かつ該シール液溜り溝5Kにシール液を供給する手段を設ける。シール液5Jとしては、液浸液16に対して拡散し難くシール性のある材料が適している。よって、粘性が比較的高く比重の重い液体が適している。例として、フッ素系不活性冷媒、フッ素系オイル、およびゲル状高分子材料等の液体を挙げることができる。
第1〜第3の実施例では、液浸露光の際に、ウエハ全体を液浸液に浸す例を示したが、図5に示すように、液浸液タンク14から液浸液16を供給する際に、投影系レンズ3直下の露光エリアのみに液浸液16を供給する方式の液浸露光装置もある。この方式では、液浸液供給ノズル18から液浸液16を供給することにより、ウエハ12上面において縮小投影レンズ3の下の露光領域のみに液浸液16を満たす。液浸液16は液浸液供給ノズル18から連続的に供給され、液浸液回収ノズル19から連続的に回収される。
このように、ウエハの露光エリアのみに液浸液を供給する方式の液浸露光装置においても、上記第1〜第3の実施例に示した液浸液のシール構造を同様に実施することが可能である。特に、ウエハの外側のショット領域を露光する際にウエハの外に液浸液が漏れ落ちた際に有効である。
本発明の第5の実施例を図6に示す。本実施例は、ウエハチャック5Cの外周部にシール液溜りを設ける手段を、第3の実施例のようにウエハ全体を液浸液に浸す方式ではなく、第4の実施例のように投影系レンズ3直下の露光エリアのみに液浸液を供給する方式に適用した例を示すものである。
本実施例では、図6に示すように、真空チャック5Dの外周部に、シール液供給手段(シール液供給管を含む)およびシール液溜り溝5Kを円環状に設ける。さらに、シール液溜り溝5Kの外周部にシール液溜排出管溝5Lが同じく円環状に設けられている。シール液5Jはシール液溜り溝5Kに供給され、シール機能を果たしたシール液は、シール液溜排出管5Mにより排出される。その際、シール液5Jは、一定のシール面を維持するために、一定の流量で供給され、余分液が前記シール液溜排出溝5Lに排出され、さらに、シール液溜排出管5Mの外周に設けられたシール液溜排出管5Mにより排出される。
また、シール液を完全に除去する際には、シール液5Jの供給管とシール液溜排出管5Mの両方から吸引排出することが可能である。
次に上記説明した液浸露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図7は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
Claims (8)
- 液体に浸される基板の裏面に接して前記基板を保持する基板保持装置であって、
前記基板を引きつけるチャック手段と、
前記裏面と前記チャック手段との間への前記液体の入り込みを抑制する抑制手段と
を有することを特徴とする基板保持装置。 - 前記抑制手段は、前記裏面の縁に沿った前記裏面の内周部に当接するように設けられた弾性シール部材であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記抑制手段は、前記裏面の縁に沿った前記裏面の内周部に対向するように設けられた差動排気手段であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記抑制手段は、前記チャック手段の外周部に設けられたシール液溜りであることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記抑制手段は、前記シール液溜りを形成するための溝にシール液を供給する供給手段を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板保持装置。
- 前記抑制手段は、前記シール液溜りからシール液を排出する排出手段を含むことを特徴とする請求項5に記載の基板保持装置。
- 基板上の液体の層を介して前記基板にパターンを投影する露光装置であって、
請求項1〜6のいずれかに記載の基板保持装置と、
前記基板上に前記液体を供給する供給手段と
を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項7に記載の露光装置を用いて基板にパターンを投影する露光工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003409446A JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2003-12-08 | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
US11/002,900 US7379162B2 (en) | 2003-12-08 | 2004-12-03 | Substrate-holding technique |
US11/829,271 US7602476B2 (en) | 2003-12-08 | 2007-07-27 | Substrate-holding technique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003409446A JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2003-12-08 | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007147365A Division JP2007235175A (ja) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005175016A true JP2005175016A (ja) | 2005-06-30 |
Family
ID=34631808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003409446A Pending JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2003-12-08 | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7379162B2 (ja) |
JP (1) | JP2005175016A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310588A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2007066758A1 (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2007083592A1 (ja) * | 2006-01-17 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007201452A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法 |
JP2008118114A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ装置、及び液浸露光方法 |
JP2008118102A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ装置、液浸露光方法及び液浸露光装置 |
JP2009043879A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009047810A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | 光照射装置 |
JP2011091455A (ja) * | 2003-12-15 | 2011-05-06 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2012151493A (ja) * | 2003-07-28 | 2012-08-09 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2012518900A (ja) * | 2009-02-22 | 2012-08-16 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 基板支持構造体、クランプ調整ユニット及び、リソグラフィシステム |
KR20120135413A (ko) * | 2010-02-19 | 2012-12-13 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 기판 지지 구조물, 클램프 준비 유닛, 그리고 리소그래피 시스템 |
WO2013073186A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 国立大学法人金沢大学 | 密閉型afmセル |
JP2014140059A (ja) * | 2003-06-13 | 2014-07-31 | Nikon Corp | 基盤ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Families Citing this family (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG2010050110A (en) * | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20180054929A (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101419663B1 (ko) | 2003-06-19 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
US7528929B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005055296A1 (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品 |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
KR101111363B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2012-04-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법 |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG188899A1 (en) | 2004-09-17 | 2013-04-30 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7411657B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7256121B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Contact resistance reduction by new barrier stack process |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7196770B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7365827B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352440B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7491661B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, top coat material and substrate |
US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060147821A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) * | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101427056B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2014-08-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8692973B2 (en) * | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
CN101128775B (zh) | 2005-02-10 | 2012-07-25 | Asml荷兰有限公司 | 浸没液体、曝光装置及曝光方法 |
US7378025B2 (en) * | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7224431B2 (en) * | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
US7324185B2 (en) * | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684010B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
US7330238B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7291850B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317507B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7652746B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7751027B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7834974B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054445B2 (en) * | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411658B2 (en) * | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7656501B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1966652B1 (en) * | 2005-12-22 | 2011-06-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Immersion lithography apparatus and method of performing immersion lithography |
US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7839483B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8045134B2 (en) * | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
JP2007266504A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Canon Inc | 露光装置 |
US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
KR100809957B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2008-03-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 식각장치 |
US20080194113A1 (en) * | 2006-09-20 | 2008-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and apparatus for semiconductor etching including an electro static chuck |
US8045135B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7791709B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support and lithographic process |
US8416383B2 (en) * | 2006-12-13 | 2013-04-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8654305B2 (en) * | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US7866330B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7841352B2 (en) * | 2007-05-04 | 2010-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8514365B2 (en) * | 2007-06-01 | 2013-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9176393B2 (en) | 2008-05-28 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
NL2004807A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Netherlands Bv | Substrate table for a lithographic apparatus, litographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method. |
NL2005207A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
MX2012007581A (es) * | 2009-12-28 | 2012-07-30 | Pioneer Hi Bred Int | Genotipos restauradores de la fertilidad de sorgo y metodos de seleccion asistida por marcadores. |
US9159595B2 (en) * | 2010-02-09 | 2015-10-13 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Thin wafer carrier |
NL1038213C2 (en) * | 2010-03-04 | 2012-10-08 | Mapper Lithography Ip Bv | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
TWI404167B (zh) * | 2010-11-29 | 2013-08-01 | Ind Tech Res Inst | 吸附基板的裝置及其方法 |
JP2013125791A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Canon Inc | 保持装置、描画装置、および、物品の製造方法 |
NL2021663A (en) | 2017-10-12 | 2019-04-17 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder for use in a lithographic apparatus |
JP7344153B2 (ja) * | 2020-02-14 | 2023-09-13 | キオクシア株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61105841A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Seiko Epson Corp | 露光装置及び露光方法 |
JPH04147642A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空・静電チャック |
JPH04280619A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Canon Inc | ウエハ保持方法およびその保持装置 |
JPH05251544A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Fujitsu Ltd | 搬送装置 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH0758191A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Toshiba Corp | ウェハステージ装置 |
JPH08195428A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置 |
JPH08241919A (ja) * | 1996-02-13 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JPH08279549A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置 |
JPH0966429A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置および加工装置 |
JPH1092728A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Canon Inc | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
JPH10135316A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Sony Corp | 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH10340846A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH11104541A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH11197488A (ja) * | 1998-01-06 | 1999-07-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 密閉容器 |
JPH11214486A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Komatsu Ltd | 基板処理装置 |
JP2001130006A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-15 | Fuji Xerox Co Ltd | インクジェット記録ヘッドおよびそれを備えたインクジェット記録装置 |
JP2001185607A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Canon Inc | 基板吸着保持装置およびデバイス製造方法 |
JP2001272488A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | ステージ装置 |
JP2003218189A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Ebara Corp | ステージ装置 |
JP2003332213A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2005005707A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US6590355B1 (en) * | 1999-06-07 | 2003-07-08 | Nikon Corporation | Linear motor device, stage device, and exposure apparatus |
EP1077393A2 (en) * | 1999-08-19 | 2001-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus |
JP4490539B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハチャック及び半導体ウエハの検査方法 |
US7092231B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-08-15 | Asml Netherlands B.V. | Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
-
2003
- 2003-12-08 JP JP2003409446A patent/JP2005175016A/ja active Pending
-
2004
- 2004-12-03 US US11/002,900 patent/US7379162B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-27 US US11/829,271 patent/US7602476B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61105841A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Seiko Epson Corp | 露光装置及び露光方法 |
JPH04147642A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空・静電チャック |
JPH04280619A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Canon Inc | ウエハ保持方法およびその保持装置 |
JPH05251544A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Fujitsu Ltd | 搬送装置 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH0758191A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Toshiba Corp | ウェハステージ装置 |
JPH08195428A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置 |
JPH08279549A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置 |
JPH0966429A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置および加工装置 |
JPH08241919A (ja) * | 1996-02-13 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JPH1092728A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Canon Inc | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
JPH10135316A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Sony Corp | 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH10340846A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Nikon Corp | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH11104541A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH11197488A (ja) * | 1998-01-06 | 1999-07-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 密閉容器 |
JPH11214486A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Komatsu Ltd | 基板処理装置 |
JP2001130006A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-15 | Fuji Xerox Co Ltd | インクジェット記録ヘッドおよびそれを備えたインクジェット記録装置 |
JP2001185607A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Canon Inc | 基板吸着保持装置およびデバイス製造方法 |
JP2001272488A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | ステージ装置 |
JP2003218189A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Ebara Corp | ステージ装置 |
JP2003332213A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2005005707A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014140059A (ja) * | 2003-06-13 | 2014-07-31 | Nikon Corp | 基盤ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2012151493A (ja) * | 2003-07-28 | 2012-08-09 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2012142609A (ja) * | 2003-12-15 | 2012-07-26 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2019015984A (ja) * | 2003-12-15 | 2019-01-31 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
JP2017201429A (ja) * | 2003-12-15 | 2017-11-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US9798245B2 (en) | 2003-12-15 | 2017-10-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, and exposure method, with recovery device to recover liquid leaked from between substrate and member |
JP2015232730A (ja) * | 2003-12-15 | 2015-12-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2014103414A (ja) * | 2003-12-15 | 2014-06-05 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011091455A (ja) * | 2003-12-15 | 2011-05-06 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011146722A (ja) * | 2003-12-15 | 2011-07-28 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006310588A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR101539517B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2015-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR20150023915A (ko) * | 2005-12-08 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US8089615B2 (en) | 2005-12-08 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
WO2007066758A1 (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
KR101704310B1 (ko) | 2005-12-08 | 2017-02-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
TWI406321B (zh) * | 2005-12-08 | 2013-08-21 | 尼康股份有限公司 | A substrate holding device, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
KR101340138B1 (ko) | 2005-12-08 | 2013-12-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법 |
JP4968076B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2012-07-04 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2007083592A1 (ja) * | 2006-01-17 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007201452A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法 |
JP2008118114A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ装置、及び液浸露光方法 |
JP2008118102A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ装置、液浸露光方法及び液浸露光装置 |
JP4742077B2 (ja) * | 2006-11-03 | 2011-08-10 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | 液浸リソグラフィ装置、液浸露光方法及び液浸露光装置 |
JP2009043879A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009047810A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | 光照射装置 |
KR101568652B1 (ko) | 2009-02-22 | 2015-11-12 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 기판 지지 구조, 클램프 제조 유닛, 및 리소그래피 시스템 |
JP2012518900A (ja) * | 2009-02-22 | 2012-08-16 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 基板支持構造体、クランプ調整ユニット及び、リソグラフィシステム |
KR101686549B1 (ko) | 2010-02-19 | 2016-12-14 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 기판 지지 구조물, 클램프 준비 유닛, 그리고 리소그래피 시스템 |
KR20120135413A (ko) * | 2010-02-19 | 2012-12-13 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 기판 지지 구조물, 클램프 준비 유닛, 그리고 리소그래피 시스템 |
JPWO2013073186A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2015-04-02 | 国立大学法人金沢大学 | 密閉型afmセル |
US9110093B2 (en) | 2011-11-15 | 2015-08-18 | National University Corporation Kanazawa University | Sealed AFM cell |
WO2013073186A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 国立大学法人金沢大学 | 密閉型afmセル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080018036A1 (en) | 2008-01-24 |
US7602476B2 (en) | 2009-10-13 |
US7379162B2 (en) | 2008-05-27 |
US20050122505A1 (en) | 2005-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005175016A (ja) | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
KR101340138B1 (ko) | 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법 | |
JP4378136B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
TWI569105B (zh) | A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method | |
TWI578114B (zh) | A stage driving method and a stage apparatus, an exposure apparatus, and an element manufacturing method | |
WO2007136052A1 (ja) | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 | |
US20060192930A1 (en) | Exposure apparatus | |
TWI595324B (zh) | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 | |
WO2009116625A1 (ja) | クリーニング工具、クリーニング方法、及びデバイス製造方法 | |
JP5278034B2 (ja) | 基板保持装置、露光装置、露光方法、デバイス製造方法 | |
KR20120112615A (ko) | 액침 부재, 액침 부재의 제조 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
US8780323B2 (en) | Apparatus and method for recovering liquid droplets in immersion lithography | |
JP2016157148A (ja) | 露光装置、及び液体保持方法 | |
JP2007116073A (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2007235175A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2009267401A (ja) | 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2009260352A (ja) | 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2008140957A (ja) | 液浸露光装置 | |
JP2012009668A (ja) | チタン含有部材の製造方法、チタン含有部材、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2008140959A (ja) | 液浸露光装置 | |
JP5045008B2 (ja) | 液浸露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2009038301A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2009212132A (ja) | 基板、基板の処理方法及び処理装置、基板の処理システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2009044089A (ja) | 露光方法、デバイス製造方法、及びデバイス製造システム | |
TWI430040B (zh) | Analytical method, exposure method and component manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071128 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080319 |