JP2005175016A - 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents

基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005175016A
JP2005175016A JP2003409446A JP2003409446A JP2005175016A JP 2005175016 A JP2005175016 A JP 2005175016A JP 2003409446 A JP2003409446 A JP 2003409446A JP 2003409446 A JP2003409446 A JP 2003409446A JP 2005175016 A JP2005175016 A JP 2005175016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
wafer
chuck
substrate holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003409446A
Other languages
English (en)
Inventor
Giichi Miyajima
義一 宮島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2003409446A priority Critical patent/JP2005175016A/ja
Priority to US11/002,900 priority patent/US7379162B2/en
Publication of JP2005175016A publication Critical patent/JP2005175016A/ja
Priority to US11/829,271 priority patent/US7602476B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52Details
    • G03B27/58Baseboards, masking frames, or other holders for the sensitive material
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】 液浸液の基板裏面への入り込みを抑制した基板保持技術を提供する。
【解決手段】
液体に浸される基板12の裏面に接して基板を保持する基板保持装置5Cを、基板を引きつけるチャック手段5Dと、基板裏面とチャック手段との間への液体の入り込みを抑制する抑制手段17とを有するものとする。
【選択図】図1

Description

本発明は、LSI等の微細なパターンを有するデバイスを製造するための露光装置、特に、原版のパターンを感光基板上に液体層を介して投影する液浸式露光装置等に適用される基板保持技術に関する。
液浸式の露光装置は、従来の光源と投影光学系とを用いて、より高い解像力、またはより大きな焦点深度を実現することが可能な露光装置である。なお、液浸式露光装置として、特許文献1および2が知られている。
本発明の前提となる技術を図9〜図13を用いて説明する。
図9において、1は照明系ユニットで、露光光源(不図示)からの露光光を整形しレチクル(不図示)に対して照射する。2は露光パターン原版であるレチクルを搭載するレチクルステージで、搭載したレチクルを感光基板であるウエハ12(図10参照)に対して所定の縮小露光倍率比でスキャン動作させる。3は縮小投影レンズで、レチクルに形成された原版パターンをウエハ12に縮小投影する。4は露光装置本体、5はウエハステージで、露光装置本体4は、前記レチクルステージ2、投影レンズ3およびウエハステージ5を支持する。ウエハステージ5は、ウエハ12を露光位置に順次ステップ移動させるとともに、レチクルのスキャン動作時、それと同期してウエハ12をスキャン動作させる。
図10を参照して、ウエハステージ5は、ステージ定盤5D、ウエハチャック5Cおよびスライダ5Bを備える。ウエハチャック5Cは、ウエハを支持固定すると同時に液浸液を保持する形状になっており、スライダ5Bに搭載されている。なお、ウエハチャック5Cは、ウエハを支持固定した状態で搬送可能であり、かつスライダ5Bに対して着脱自在に搭載されるものであってもよい。
6はアライメントスコープで、ウエハ上のアライメントマークおよびステージ上のアライメント用基準マークを計測し、基準位置に対するウエハのアライメントおよびレチクルとウエハとの間のアライメントを行う際の計測を行う顕微鏡である。7はフォーカススコープで、ウエハ面形状および光軸方向フォーカス計測(光軸方向における基板表面位置の計測)を行う。
8はXバーミラーで、スライダ5BのX方向の位置をレーザ干渉計により計測するためのターゲットである。9はYバーミラーで、同じくスライダ5BのY方向の位置を計測するためのターゲットである。
スライダ5Bの上面には、ステージ基準マーク10および照度センサ11が設けられている。基準マーク10には、ステージアライメント計測用のターゲットが設けられている。照度センサ11は、露光光の照度を露光前にキャリブレーション計測し、露光量を補正するために用いられる。12は縮小投影レンズを介してレチクル基板に描かれたレチクルパターンが投影転写される、単結晶シリコン基板にレジストが塗られたウエハである。
なお、図9において、スライダ5Bの上のウエハチャック5Cおよびウエハの部分は、縮小投影レンズ3、フォーカススコープ5の光線およびウエハ12の関係が分かるように、断面で表している。
図9に戻って、13はウエハ12を供給回収するウエハ搬送ロボットである。14は液浸液タンクで、ここに液浸液を貯蔵し、液浸液滴下回収手段15を介して液浸液をウエハチャック5Cに対して供給あるいは回収する。
以上の構成で、液浸露光を行う際のウエハ処理の流れを図11に示す。
まず、図11(1)に示すように、ウエハステージ5に搬送されたウエハ12に対して、アライメント計測およびフォーカス計測を行うために、ウエハステージ5にてアライメント動作を行う。この状態では、ウエハ12と投影光学系3との間には液浸液は存在しない。液浸液があるとレジストと液浸液間の屈折率差が小さいことから計測が困難になるので、液浸液を滴下せずにアライメント計測およびフォーカス計測を行う。
次に、図11(2)に示すように、アライメント動作が終了した後、ウエハステージ5により、ウエハ12を液浸液滴下回収手段15の直下位置まで移動する。移動終了後、液浸液滴下回収手段15に、液浸液タンク14より屈折率が1以上の液浸液を供給し、ウエハチャック5Cに液浸液を滴下することにより、ウエハ12表面上に液浸液を一定の厚みをもって満たす。このように、空気に比べて屈折率の大きな液体で、投影光学系の縮小投影レンズ3とウエハ12との間の空間を満たすことにより、見かけ上の投影光学系のNAが拡大し、解像度が向上する効果が得られる。
次に、図11(3)に示すように、液浸液を満たした状態で、ウエハ12を露光ポジションまで移動し、次に図11(4)に示すように、ステップアンドリピートまたはステップアンドスキャン露光動作を行う。露光が終了した後は、図11(5)に示すように、ウエハ搬送ロボット13の回収位置までステージ(スライダ5B)を移動させ、ウエハを回収する。回収動作後、図11(6)に示すように、回収ウエハを露光装置外に取り出し、次工程に進める。
次のウエハを、図11(7)に示すように、ウエハ搬送ロボット13によりウエハステージ5のウエハチャック5Cに搭載し、図11(8)に示すように、アライメントおよびフォーカス計測開始位置に移動して、上記図11(1)〜(6)の露光動作を繰り返す。
以上のように、ウエハに対して液浸露光を行う。
図12および図13は、図9および図10に示したウエハチャック5Cの詳細を示す。図12および図13を用いて、液浸液がウエハ裏面とウエハ吸着手段との間にリークする様子を説明する。
図12では、ウエハチャック5Cに設けられた真空チャック5Dによって、ウエハ12が真空吸着され保持固定されている。この状態で、真空チャック5Dの最外周部の円周面凸形状部(リング状凸部)5Pに、異物あるいはキズが発生した場合、リーク105Fが発生し、真空チャック5Dの溝中に液浸液16が流入し、真空エラーが発生すると同時に液浸液の液層液面の低下等の不具合が発生するおそれがあった。
図13では、ウエハチャック5Cに設けられた静電チャック5Eによって、ウエハ12が静電吸着され保持固定されている。このような静電チャック方式においても、静電チャック5Eへの上記液浸液の流入による電位リークや液浸液面低下等の不具合が発生するおそれがあった。
特開平6−124873号公報 特開平6−168866号公報
本発明は、上記背景技術に鑑み、液浸液の基板裏面への入り込みを抑制した基板保持技術を提供することを課題とする。
上記の課題を解決するため本発明に係る基板保持装置は、液体に浸される基板の裏面に接して前記基板を保持する基板保持装置であって、前記基板を引きつけるチャック手段と、前記裏面と前記チャック手段との間への前記液体の入り込みを抑制する抑制手段とを有することを特徴とする。
ここで、前記抑制手段は、例えば、前記裏面の縁に沿った前記裏面の内周部に当接するように設けられた弾性シール部材であるか、前記裏面の縁に沿った前記裏面の内周部に対向するように設けられたに差動排気手段であるか、または前記チャック手段の外周部に設けられたシール液溜りである。
前記抑制手段が、前記シール液溜りで構成される場合、前記抑制手段は、さらに、該シール液溜りを形成するための溝にシール液を供給する供給手段および/または該シール液溜りからシール液を排出する排出手段を含むことが好ましい。
また、本発明に係る露光装置は、基板上の液体の層を介して前記基板にパターンを投影する露光装置であって、上記本発明に係る基板保持装置と、前記基板上に前記液体を供給する供給手段とを有することを特徴とする。
さらに、本発明に係るデバイス製造方法は、上記本発明に係る露光装置を用いて基板にパターンを投影する露光工程を含むことを特徴とする。
本発明によれば、液浸液の基板裏面への入り込みを抑制した基板保持技術を提供することができる。
以下、本発明の実施態様を説明する。
[実施態様1] 原版面に形成されたパターンを基板に投影し、該投影光学系に対し原版と基板の両方、もしくは基板のみをステージ装置により相対的に移動させることにより、原版のパターンを基板に繰り返し露光し、投影光学系と基板間の露光光透過空間の少なくとも一部を液体層である液浸液層を介して露光する液浸露光装置において、
基板を保持する保持部材に設けられる基板吸着手段と該液浸液層との間に、液浸液層から基板吸着面あるいは基板吸着手段への液浸液の移動進入あるいは漏れを略遮断するリーク抑制手段を設けたことを特徴とする露光装置。
液浸露光装置としては、ウエハが液浸液に没する方式(moving pool方式)およびウエハ上の部分領域を液浸領域として当該領域を移動させる方式(local fill方式)があるが、本発明はいずれの方式にも適用可能である。
前記抑制手段は、前記基板の裏面を概略囲うような環状に配置することが好ましい。すなわち、基板の外形に倣うように、円形状基板は円形の、矩形状基板は矩形の液浸液リーク抑制手段、例えば弾性シール部材を配置する。
前記抑制手段としては、前記基板保持部材が前記基板を保持した際、該基板の縁および/または該基板の裏面の縁に沿った縁より内側の部分(以下、内周部という)に環状に当接する弾性シール手段、前記基板保持部材の基板保持面に形成され、該基板保持部材が前記基板を保持した際、該基板の裏面の内周部に環状に位置する少なくとも1つの環状排気溝手段、および前記基板保持部材が前記基板を保持した際、前記液体とは混和しない第2の液体を、該基板の外周および/または該基板の裏面の内周部に環状に供給するシール液供給手段のいずれか1つ以上を用いることができる。
[実施態様2] 実施態様1に記載の露光装置において、前記抑制手段は基板と当接する弾性シール部材であることを特徴とする露光装置。
[実施態様3] 実施態様1または2に記載の露光装置において、前記抑制手段あるいは前記弾性シール部材は、基板保持部材に対して着脱自在に保持されていることを特徴とする露光装置。
[実施態様4] 実施態様1に記載の露光装置において、前記抑制手段は基板保持部材の基板保持面に形成された少なくとも1つ以上の円周状排気溝手段より成ることを特徴とする露光装置。該円周状排気溝手段は複数を用いて各円周状排気溝を差動排気する差動排気手段とすることが好ましい。
[実施態様5] 実施態様1に記載の露光装置において、前記抑制手段として基板保持部材から基板外周部近傍に略円周状に液体を供給する液体供給手段を設けたことを特徴とする露光装置。
[実施態様6] 実施態様5に記載の露光装置において、基板保持部材から基板外周部近傍に円周状に供給される液体は、液浸層を形成する液体に対して比重が大きいことを特徴とする露光装置。
[実施態様7] 実施態様5に記載の露光装置において、基板保持部材から基板外周部近傍に円周状に供給される液体は、基板保持部材に設けられた液体回収あるいは排水手段をもって回収あるいは排水されることを特徴とする露光装置。
[実施態様8] 実施態様1〜7のいずれかに記載の露光装置において、基板保持部材をステージ装置に着脱自在としたことを特徴とする露光装置。
以上のように、基板吸着保持手段と基板間に弾性シール手段あるいは差動排気手段あるいはシール液供給手段等の液浸液リーク抑制手段を設けることにより、液浸液の基板吸着保持手段への液浸液のリーク進入、漏れを防ぐことができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
[第1の実施例]
図1は、本発明の第1の実施例に係るウエハチャック(基板保持装置)の構成を示す。同図のウエハチャック5Cは、図12に示した背景技術に対し、ウエハチャックに着脱自在で、着装時、ウエハ12の裏面の縁に沿った当該裏面の内周部に当接するOリングシール17(弾性シール部材)を設けたものである。
図1を参照して、液浸液のウエハ吸着手段へのリークを防止する構成およびその作用を説明する。図1では、ウエハチャック5Cに設けられた真空チャック5Dによって、ウエハ12が真空吸着され保持固定されている。ここで、真空チャック5Dの最も外側にある円周面凸形状部(リング状凸部)5PにOリングシール17を設けている。このOリングシール17を設けることにより、ウエハチャック5Cの表面および/またはウエハ12裏面に異物が付着しあるいはキズが発生した場合でも、背景技術に示したようなリーク105Fが発生せず、真空チャック5Dの溝中に液浸液16が流入したり、真空エラーが発生したりすることを防ぐことができる。その結果、液浸液の液層液面の低下等の不具合も防止することができる。
図2は、図13に示す静電チャック5Eを用いた背景技術に対し、第1の実施例のOリングシール17を適用した例を示す。このような静電チャック方式においても、上述したようなOリングシールを用いた基板裏面への液浸液の流入防止によって、電位リークや液浸液面低下等の液浸液リークに伴う問題の発生を防ぐことができる。
本実施例では、さらに、弾性シール手段のリークを気圧、排気量等に基づいて検知する手段を設け、当該リークを検知した場合に、液浸液を滴下せずにウエハまたはウエハを保持したチャックを露光ステージまたは露光装置等から排出するようにしてもよい。また、液浸液滴下開始後に弾性シール手段のリークを検知する手段と、ウエハチャックの内部を乾燥させる手段とを設け、当該リークを検知した場合に、当該乾燥手段により、ウエハチャックの内部を乾燥させるようにしてもよい。
[第2の実施例]
本発明の第2の実施例を図3に示す。上記第1の実施例に示した弾性シール部材を用いる方法以外に、本実施例のように、ウエハチャック5Cのウエハ吸着面の縁に沿った当該裏面の内周部に、差動排気手段を設ける方法もある。
図3では、図3(3)に詳細を示すように、真空チャック5Dの最も外側の部分に、差動排気手段を円環状に設ける。差動排気手段としては、排気A(5F)、排気B(5G)、排気C(5H)の3系統をそれぞれ独立排気溝として設けている。
本実施例によれば、ウエハチャック5Cの表面とウエハ12裏面に異物が付着あるいはキズが発生した場合でも、排気A(5F)を大気圧力、排気B(5G)を低真空圧力(中間的圧力)、排気C(5H)を真空チャック圧力とし、すなわち、複数の差動排気溝を用いて外側へ向って排気圧力を徐々に上げてゆくことで、途中でのリークを排気により無くすことができ、真空チャック部への液浸液のリークおよび真空不良の発生を防ぐことができる。結果として、背景技術に示したようなリーク105Fが発生せず、真空チャック5Dの溝中に液浸液が流入したり、真空エラーが発生したりすることを防ぐことができる。また、液浸液の液層液面の低下等の不具合を防止することができる。
本実施例は、図3(2)に示すように、静電チャック5Eを用いた静電チャック方式のウエハ吸着手段(ウエハチャック)においても、真空チャック5Dを用いた場合と同様に、差動排気手段を設ければ、基板裏面への液浸液の流入防止により、液浸液リークに伴う問題の発生を防ぐことができる。
[第3の実施例]
本発明の第3の実施例を図4に示す。上記第1の実施例に示した弾性シール部材を用いる方法以外に、本実施例のように、ウエハチャック5Cの外周部に、シール液溜りを設ける方法もある。
図4に示すように、真空チャック5Dの外周部に、シール液溜り溝5Kを円周状に設け、かつ該シール液溜り溝5Kにシール液を供給する手段を設ける。シール液5Jとしては、液浸液16に対して拡散し難くシール性のある材料が適している。よって、粘性が比較的高く比重の重い液体が適している。例として、フッ素系不活性冷媒、フッ素系オイル、およびゲル状高分子材料等の液体を挙げることができる。
本実施例は、図4(2)に示すように、ウエハ吸着手段として静電チャック5Eを用いる静電チャック方式のウエハチャックにおいても、真空チャック5Dを用いた場合と同様に、シール液溜り溝およびシール液供給手段を設ければ、基板裏面への液浸液の流入防止により、液浸液リークに伴う問題の発生を防ぐことができる。
[第4の実施例]
第1〜第3の実施例では、液浸露光の際に、ウエハ全体を液浸液に浸す例を示したが、図5に示すように、液浸液タンク14から液浸液16を供給する際に、投影系レンズ3直下の露光エリアのみに液浸液16を供給する方式の液浸露光装置もある。この方式では、液浸液供給ノズル18から液浸液16を供給することにより、ウエハ12上面において縮小投影レンズ3の下の露光領域のみに液浸液16を満たす。液浸液16は液浸液供給ノズル18から連続的に供給され、液浸液回収ノズル19から連続的に回収される。
このように、ウエハの露光エリアのみに液浸液を供給する方式の液浸露光装置においても、上記第1〜第3の実施例に示した液浸液のシール構造を同様に実施することが可能である。特に、ウエハの外側のショット領域を露光する際にウエハの外に液浸液が漏れ落ちた際に有効である。
[第5の実施例]
本発明の第5の実施例を図6に示す。本実施例は、ウエハチャック5Cの外周部にシール液溜りを設ける手段を、第3の実施例のようにウエハ全体を液浸液に浸す方式ではなく、第4の実施例のように投影系レンズ3直下の露光エリアのみに液浸液を供給する方式に適用した例を示すものである。
本実施例では、図6に示すように、真空チャック5Dの外周部に、シール液供給手段(シール液供給管を含む)およびシール液溜り溝5Kを円環状に設ける。さらに、シール液溜り溝5Kの外周部にシール液溜排出管溝5Lが同じく円環状に設けられている。シール液5Jはシール液溜り溝5Kに供給され、シール機能を果たしたシール液は、シール液溜排出管5Mにより排出される。その際、シール液5Jは、一定のシール面を維持するために、一定の流量で供給され、余分液が前記シール液溜排出溝5Lに排出され、さらに、シール液溜排出管5Mの外周に設けられたシール液溜排出管5Mにより排出される。
また、シール液を完全に除去する際には、シール液5Jの供給管とシール液溜排出管5Mの両方から吸引排出することが可能である。
上記第1〜第5の実施例に示すように、基板吸着保持手段(ウエハチャック)と基板裏面との間に、弾性シール手段、差動排気手段あるいはシール液溜りを設けることにより、液浸液の基板裏面への入り込みを抑制した基板保持技術を提供することができる。よって、吸着保持手段への液浸液のリークを防ぎ、結果として基板吸着エラー、静電チャック電位リークによるチャックエラー、または液浸液不足エラー等の装置エラーの発生を抑え、信頼性と生産性の高い液浸露光装置を実現することができる。
[第6の実施例]
次に上記説明した液浸露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図7は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図8は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
本発明の第1の実施例に係る液浸液シール手段を真空チャックを有するウエハチャック適用した場合の断面構成を示す図である。 図1の液浸液シール手段を静電チャックを有するウエハチャック適用した場合の断面構成を示す図である。 本発明の第2の実施例に係る液浸液シール手段を適用したウエハチャックの断面構成図である。 本発明の第3の実施例に係る液浸液シール手段を適用したウエハチャックの断面構成図である。 本発明の第4の実施例に係るローカルフィル方式の液浸露光装置の全体構成図である。 本発明の第5の実施例に係る液浸液シール手段を適用したウエハチャックの断面構成図である。 デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。 図7におけるウエハプロセスを説明する図である。 従来例であり、本発明の適用対象でもあるムービングプール方式の液浸露光装置の全体構成図である。 図9の装置におけるウエハステージ部分の斜視説明図である。 図9の装置における露光動作説明図である。 図9の装置に用いられるウエハチャックの一従来例の断面構成図である。 図9の装置に用いられるウエハチャックの他の従来例の断面構成図である。
符号の説明
1:照明系ユニット、2:レチクルステージ、3:縮小投影レンズ、4:露光装置本体、5:露光ステージ(ウエハステージ)、5B:スライダ、5C:ウエハチャック、5D:真空チャック、5E:静電チャック、5F:排気A、5G:排気B、5H:排気C、5J:シール液、5K:シール液溜り溝、5L:シール液溜排出溝、5M:シール液溜排出管、5P:円周面凸形状部、6:アライメントスコープ、7:フォーカススコープ、8:Xバーミラー、9:Yバーミラー、10:基準マーク、11:照度センサ、12:ウエハ、13:ウエハ搬送ロボット、14:液浸液タンク、15:液浸液滴下回収手段、16:液浸液、17:Oリングシール、18:液浸液供給ノズル、19:液浸液回収ノズル、105F:リーク。

Claims (8)

  1. 液体に浸される基板の裏面に接して前記基板を保持する基板保持装置であって、
    前記基板を引きつけるチャック手段と、
    前記裏面と前記チャック手段との間への前記液体の入り込みを抑制する抑制手段と
    を有することを特徴とする基板保持装置。
  2. 前記抑制手段は、前記裏面の縁に沿った前記裏面の内周部に当接するように設けられた弾性シール部材であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
  3. 前記抑制手段は、前記裏面の縁に沿った前記裏面の内周部に対向するように設けられた差動排気手段であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
  4. 前記抑制手段は、前記チャック手段の外周部に設けられたシール液溜りであることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
  5. 前記抑制手段は、前記シール液溜りを形成するための溝にシール液を供給する供給手段を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板保持装置。
  6. 前記抑制手段は、前記シール液溜りからシール液を排出する排出手段を含むことを特徴とする請求項5に記載の基板保持装置。
  7. 基板上の液体の層を介して前記基板にパターンを投影する露光装置であって、
    請求項1〜6のいずれかに記載の基板保持装置と、
    前記基板上に前記液体を供給する供給手段と
    を有することを特徴とする露光装置。
  8. 請求項7に記載の露光装置を用いて基板にパターンを投影する露光工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
JP2003409446A 2003-12-08 2003-12-08 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 Pending JP2005175016A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003409446A JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2003-12-08 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
US11/002,900 US7379162B2 (en) 2003-12-08 2004-12-03 Substrate-holding technique
US11/829,271 US7602476B2 (en) 2003-12-08 2007-07-27 Substrate-holding technique

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003409446A JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2003-12-08 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007147365A Division JP2007235175A (ja) 2007-06-01 2007-06-01 露光装置およびデバイス製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005175016A true JP2005175016A (ja) 2005-06-30

Family

ID=34631808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003409446A Pending JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2003-12-08 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7379162B2 (ja)
JP (1) JP2005175016A (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006310588A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2007066758A1 (ja) * 2005-12-08 2007-06-14 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2007083592A1 (ja) * 2006-01-17 2007-07-26 Nikon Corporation 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2007201452A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法
JP2008118114A (ja) * 2006-11-03 2008-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 液浸リソグラフィ装置、及び液浸露光方法
JP2008118102A (ja) * 2006-11-03 2008-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 液浸リソグラフィ装置、液浸露光方法及び液浸露光装置
JP2009043879A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2009047810A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Ulvac Japan Ltd 光照射装置
JP2011091455A (ja) * 2003-12-15 2011-05-06 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2012151493A (ja) * 2003-07-28 2012-08-09 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2012518900A (ja) * 2009-02-22 2012-08-16 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. 基板支持構造体、クランプ調整ユニット及び、リソグラフィシステム
KR20120135413A (ko) * 2010-02-19 2012-12-13 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 기판 지지 구조물, 클램프 준비 유닛, 그리고 리소그래피 시스템
WO2013073186A1 (ja) * 2011-11-15 2013-05-23 国立大学法人金沢大学 密閉型afmセル
JP2014140059A (ja) * 2003-06-13 2014-07-31 Nikon Corp 基盤ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) * 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20180054929A (ko) 2003-04-11 2018-05-24 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101419663B1 (ko) 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
US7528929B2 (en) * 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005055296A1 (ja) 2003-12-03 2005-06-16 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
KR101111363B1 (ko) * 2003-12-15 2012-04-12 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG188899A1 (en) 2004-09-17 2013-04-30 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) * 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060147821A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) * 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101427056B1 (ko) * 2005-01-31 2014-08-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN101128775B (zh) 2005-02-10 2012-07-25 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
US7378025B2 (en) * 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) * 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) * 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) * 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1966652B1 (en) * 2005-12-22 2011-06-29 Freescale Semiconductor, Inc. Immersion lithography apparatus and method of performing immersion lithography
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) * 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) * 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
JP2007266504A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Canon Inc 露光装置
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
KR100809957B1 (ko) * 2006-09-20 2008-03-07 삼성전자주식회사 반도체 식각장치
US20080194113A1 (en) * 2006-09-20 2008-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods and apparatus for semiconductor etching including an electro static chuck
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8416383B2 (en) * 2006-12-13 2013-04-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7841352B2 (en) * 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8514365B2 (en) * 2007-06-01 2013-08-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
NL2004807A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Substrate table for a lithographic apparatus, litographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method.
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
MX2012007581A (es) * 2009-12-28 2012-07-30 Pioneer Hi Bred Int Genotipos restauradores de la fertilidad de sorgo y metodos de seleccion asistida por marcadores.
US9159595B2 (en) * 2010-02-09 2015-10-13 Suss Microtec Lithography Gmbh Thin wafer carrier
NL1038213C2 (en) * 2010-03-04 2012-10-08 Mapper Lithography Ip Bv Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
TWI404167B (zh) * 2010-11-29 2013-08-01 Ind Tech Res Inst 吸附基板的裝置及其方法
JP2013125791A (ja) * 2011-12-13 2013-06-24 Canon Inc 保持装置、描画装置、および、物品の製造方法
NL2021663A (en) 2017-10-12 2019-04-17 Asml Netherlands Bv Substrate holder for use in a lithographic apparatus
JP7344153B2 (ja) * 2020-02-14 2023-09-13 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61105841A (ja) * 1984-10-29 1986-05-23 Seiko Epson Corp 露光装置及び露光方法
JPH04147642A (ja) * 1990-10-09 1992-05-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空・静電チャック
JPH04280619A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH05251544A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Fujitsu Ltd 搬送装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH0758191A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Toshiba Corp ウェハステージ装置
JPH08195428A (ja) * 1994-11-18 1996-07-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置
JPH08241919A (ja) * 1996-02-13 1996-09-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JPH08279549A (ja) * 1995-04-07 1996-10-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置
JPH0966429A (ja) * 1995-06-19 1997-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置および加工装置
JPH1092728A (ja) * 1996-09-11 1998-04-10 Canon Inc 基板保持装置およびこれを用いた露光装置
JPH10135316A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Sony Corp 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH11104541A (ja) * 1997-10-08 1999-04-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11197488A (ja) * 1998-01-06 1999-07-27 Dainippon Printing Co Ltd 密閉容器
JPH11214486A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Komatsu Ltd 基板処理装置
JP2001130006A (ja) * 1999-11-04 2001-05-15 Fuji Xerox Co Ltd インクジェット記録ヘッドおよびそれを備えたインクジェット記録装置
JP2001185607A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Canon Inc 基板吸着保持装置およびデバイス製造方法
JP2001272488A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Toshiba Corp ステージ装置
JP2003218189A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Ebara Corp ステージ装置
JP2003332213A (ja) * 2002-05-14 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2005005707A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US6590355B1 (en) * 1999-06-07 2003-07-08 Nikon Corporation Linear motor device, stage device, and exposure apparatus
EP1077393A2 (en) * 1999-08-19 2001-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
JP4490539B2 (ja) * 2000-02-15 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 ウエハチャック及び半導体ウエハの検査方法
US7092231B2 (en) * 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法

Patent Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61105841A (ja) * 1984-10-29 1986-05-23 Seiko Epson Corp 露光装置及び露光方法
JPH04147642A (ja) * 1990-10-09 1992-05-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空・静電チャック
JPH04280619A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH05251544A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Fujitsu Ltd 搬送装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH0758191A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Toshiba Corp ウェハステージ装置
JPH08195428A (ja) * 1994-11-18 1996-07-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置
JPH08279549A (ja) * 1995-04-07 1996-10-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置
JPH0966429A (ja) * 1995-06-19 1997-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置および加工装置
JPH08241919A (ja) * 1996-02-13 1996-09-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JPH1092728A (ja) * 1996-09-11 1998-04-10 Canon Inc 基板保持装置およびこれを用いた露光装置
JPH10135316A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Sony Corp 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH11104541A (ja) * 1997-10-08 1999-04-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11197488A (ja) * 1998-01-06 1999-07-27 Dainippon Printing Co Ltd 密閉容器
JPH11214486A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Komatsu Ltd 基板処理装置
JP2001130006A (ja) * 1999-11-04 2001-05-15 Fuji Xerox Co Ltd インクジェット記録ヘッドおよびそれを備えたインクジェット記録装置
JP2001185607A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Canon Inc 基板吸着保持装置およびデバイス製造方法
JP2001272488A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Toshiba Corp ステージ装置
JP2003218189A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Ebara Corp ステージ装置
JP2003332213A (ja) * 2002-05-14 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2005005707A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014140059A (ja) * 2003-06-13 2014-07-31 Nikon Corp 基盤ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2012151493A (ja) * 2003-07-28 2012-08-09 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2012142609A (ja) * 2003-12-15 2012-07-26 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2019015984A (ja) * 2003-12-15 2019-01-31 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JP2017201429A (ja) * 2003-12-15 2017-11-09 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US9798245B2 (en) 2003-12-15 2017-10-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, and exposure method, with recovery device to recover liquid leaked from between substrate and member
JP2015232730A (ja) * 2003-12-15 2015-12-24 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2014103414A (ja) * 2003-12-15 2014-06-05 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2011091455A (ja) * 2003-12-15 2011-05-06 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2011146722A (ja) * 2003-12-15 2011-07-28 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006310588A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101539517B1 (ko) * 2005-12-08 2015-07-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR20150023915A (ko) * 2005-12-08 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US8089615B2 (en) 2005-12-08 2012-01-03 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
WO2007066758A1 (ja) * 2005-12-08 2007-06-14 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR101704310B1 (ko) 2005-12-08 2017-02-07 가부시키가이샤 니콘 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI406321B (zh) * 2005-12-08 2013-08-21 尼康股份有限公司 A substrate holding device, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
KR101340138B1 (ko) 2005-12-08 2013-12-10 가부시키가이샤 니콘 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법
JP4968076B2 (ja) * 2005-12-08 2012-07-04 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2007083592A1 (ja) * 2006-01-17 2007-07-26 Nikon Corporation 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2007201452A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法
JP2008118114A (ja) * 2006-11-03 2008-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 液浸リソグラフィ装置、及び液浸露光方法
JP2008118102A (ja) * 2006-11-03 2008-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 液浸リソグラフィ装置、液浸露光方法及び液浸露光装置
JP4742077B2 (ja) * 2006-11-03 2011-08-10 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 液浸リソグラフィ装置、液浸露光方法及び液浸露光装置
JP2009043879A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2009047810A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Ulvac Japan Ltd 光照射装置
KR101568652B1 (ko) 2009-02-22 2015-11-12 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 기판 지지 구조, 클램프 제조 유닛, 및 리소그래피 시스템
JP2012518900A (ja) * 2009-02-22 2012-08-16 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. 基板支持構造体、クランプ調整ユニット及び、リソグラフィシステム
KR101686549B1 (ko) 2010-02-19 2016-12-14 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 기판 지지 구조물, 클램프 준비 유닛, 그리고 리소그래피 시스템
KR20120135413A (ko) * 2010-02-19 2012-12-13 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 기판 지지 구조물, 클램프 준비 유닛, 그리고 리소그래피 시스템
JPWO2013073186A1 (ja) * 2011-11-15 2015-04-02 国立大学法人金沢大学 密閉型afmセル
US9110093B2 (en) 2011-11-15 2015-08-18 National University Corporation Kanazawa University Sealed AFM cell
WO2013073186A1 (ja) * 2011-11-15 2013-05-23 国立大学法人金沢大学 密閉型afmセル

Also Published As

Publication number Publication date
US20080018036A1 (en) 2008-01-24
US7602476B2 (en) 2009-10-13
US7379162B2 (en) 2008-05-27
US20050122505A1 (en) 2005-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005175016A (ja) 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
KR101340138B1 (ko) 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법
JP4378136B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
TWI569105B (zh) A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method
TWI578114B (zh) A stage driving method and a stage apparatus, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
WO2007136052A1 (ja) 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
US20060192930A1 (en) Exposure apparatus
TWI595324B (zh) 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
WO2009116625A1 (ja) クリーニング工具、クリーニング方法、及びデバイス製造方法
JP5278034B2 (ja) 基板保持装置、露光装置、露光方法、デバイス製造方法
KR20120112615A (ko) 액침 부재, 액침 부재의 제조 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US8780323B2 (en) Apparatus and method for recovering liquid droplets in immersion lithography
JP2016157148A (ja) 露光装置、及び液体保持方法
JP2007116073A (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2007235175A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2009267401A (ja) 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法
JP2009260352A (ja) 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法
JP2008140957A (ja) 液浸露光装置
JP2012009668A (ja) チタン含有部材の製造方法、チタン含有部材、露光装置及びデバイス製造方法
JP2008140959A (ja) 液浸露光装置
JP5045008B2 (ja) 液浸露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009038301A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009212132A (ja) 基板、基板の処理方法及び処理装置、基板の処理システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2009044089A (ja) 露光方法、デバイス製造方法、及びデバイス製造システム
TWI430040B (zh) Analytical method, exposure method and component manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070601

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071128

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080319