JP2000021725A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2000021725A JP2000021725A JP10185457A JP18545798A JP2000021725A JP 2000021725 A JP2000021725 A JP 2000021725A JP 10185457 A JP10185457 A JP 10185457A JP 18545798 A JP18545798 A JP 18545798A JP 2000021725 A JP2000021725 A JP 2000021725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- reticule
- heat
- photolithography process
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置のフォトリソ工程に用いるステッパ
ーに関すし、パターン形成を行うフォトリソ工程でウェ
ハの伸縮率の変動を抑える。 【解決手段】レチクル１０２に照射される露光照明光に
よりレチクル上で発生する熱の影響でレチクルの伸縮率
が変動するため、レチクル部温調機構１０４により露光
照明光によるレチクル上への熱の影響を打ち消す。ま
た、縮小光学系１０５を介してウェハ１０６上に照射さ
れた露光照明光の光エネルギーがウェハ上で熱の発生と
なり、この熱の影響でウェハの伸縮率が変化してしま
う。そこでウェハ１０６を吸着するウェハホルダ１０７
の部分にウェハ温調機構１１０を設ける。 【効果】パターン形成を行うフォトリソ工程でウェハの
伸縮率の変動を抑えることが達成でき、高精度なパター
ン形成が可能となった。
ーに関すし、パターン形成を行うフォトリソ工程でウェ
ハの伸縮率の変動を抑える。 【解決手段】レチクル１０２に照射される露光照明光に
よりレチクル上で発生する熱の影響でレチクルの伸縮率
が変動するため、レチクル部温調機構１０４により露光
照明光によるレチクル上への熱の影響を打ち消す。ま
た、縮小光学系１０５を介してウェハ１０６上に照射さ
れた露光照明光の光エネルギーがウェハ上で熱の発生と
なり、この熱の影響でウェハの伸縮率が変化してしま
う。そこでウェハ１０６を吸着するウェハホルダ１０７
の部分にウェハ温調機構１１０を設ける。 【効果】パターン形成を行うフォトリソ工程でウェハの
伸縮率の変動を抑えることが達成でき、高精度なパター
ン形成が可能となった。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置のフォト
リソ工程に用いるステッパーに関する。
リソ工程に用いるステッパーに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のパターン形成を行うための
フォトリソ工程に用いられるステッパーには、従来から
特開昭６３−１０４４２０号公報のように、図２に示す
ように周辺雰囲気から隔離されたレチクル装着部を温調
することにより、マスクあるいはウェハ上への露光した
チップの縮小率が変化しないようにすることが行われて
いる。
フォトリソ工程に用いられるステッパーには、従来から
特開昭６３−１０４４２０号公報のように、図２に示す
ように周辺雰囲気から隔離されたレチクル装着部を温調
することにより、マスクあるいはウェハ上への露光した
チップの縮小率が変化しないようにすることが行われて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のフォトリソ工程
で用いられるステッパーでは、特開昭６３−１０４４２
０号公報に示すようなレチクル装着部を温調する温調機
構を設けることにより、マスクあるいはウェハ上へ露光
したチップの縮小率が変化しないようにしていたが、こ
の場合にはレチクル装着部に対する露光用光源からの熱
の影響は低減できるが、図２に示す縮小光学系２０５を
介してウェハ上に照射される光によってウェハ上に熱が
発生しウェハの伸縮量が変化し、露光したチップの縮小
率が変動していた。現在、ステッパーにおいては露光光
源の照度向上、更にウェハサイズの大口径化に伴い前記
ウェハの伸縮量の変化が一段と大きくなっている。
で用いられるステッパーでは、特開昭６３−１０４４２
０号公報に示すようなレチクル装着部を温調する温調機
構を設けることにより、マスクあるいはウェハ上へ露光
したチップの縮小率が変化しないようにしていたが、こ
の場合にはレチクル装着部に対する露光用光源からの熱
の影響は低減できるが、図２に示す縮小光学系２０５を
介してウェハ上に照射される光によってウェハ上に熱が
発生しウェハの伸縮量が変化し、露光したチップの縮小
率が変動していた。現在、ステッパーにおいては露光光
源の照度向上、更にウェハサイズの大口径化に伴い前記
ウェハの伸縮量の変化が一段と大きくなっている。
【０００４】本発明の目的はステッパーにおいて露光に
おけるウェハ上への光エネルギーによりウェハ上に熱が
発生することによるウェハの伸縮率の変動を打ち消しフ
ォトリソ工程のパターン形成及びアライメントを精度よ
く行うことを実現することにある。
おけるウェハ上への光エネルギーによりウェハ上に熱が
発生することによるウェハの伸縮率の変動を打ち消しフ
ォトリソ工程のパターン形成及びアライメントを精度よ
く行うことを実現することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体製造装置は半導体装置の製造にお
けるパターン形成を行うためのフォトリソ工程で用いら
れるステッパー（縮小投影露光装置）において、ウェハ
（半導体基板）を吸着するウェハホルダ（ウェハチャッ
ク）に温調機構を有することを特徴とする。また、本発
明の半導体製造装置はウェハホルダの温調機構を用い
て、ウェハホルダ及び吸着するウェハをを一定温度に保
つことを特徴とする。
めに、本発明の半導体製造装置は半導体装置の製造にお
けるパターン形成を行うためのフォトリソ工程で用いら
れるステッパー（縮小投影露光装置）において、ウェハ
（半導体基板）を吸着するウェハホルダ（ウェハチャッ
ク）に温調機構を有することを特徴とする。また、本発
明の半導体製造装置はウェハホルダの温調機構を用い
て、ウェハホルダ及び吸着するウェハをを一定温度に保
つことを特徴とする。
【０００６】
【作用】以上説明した本発明の半導体製造装置によれ
ば、半導体装置の製造におけるパターン形成を行うため
のフォトリソ工程で用いられるステッパーにおいてウェ
ハを吸着するウェハホルダに温調機構を用いることによ
り、露光におけるウェハ上への光エネルギーによりウェ
ハ上に熱が発生することによるウェハの伸縮率の変動を
打ち消すことができ、マスク上のパターンを正確にウェ
ハに露光できる。これにより初回露光時にはマスク上の
パターンを正確に形成し、２回目以降の露光時にはより
精度の高いショット内のパターン合わせの精度が向上す
る。現在、ステッパーにおいては処理能力の向上を目的
とした露光光源の照度向上によりウェハ上への光エネル
ギーがパワーアップされウェハ上に発生する熱量が増大
し、ウェハの伸縮率の変動が増大している。更に半導体
装置の集積度の向上によりステッパーの露光範囲は拡大
する一方であり、これに伴いウェハサイズも大口径化の
一途をたどっているためウェハの伸縮率の変動要因が増
大しており露光時のウェハの伸縮率の変動を打ち消すこ
とが重要となり、半導体装置の収率向上、安定化につな
がる。
ば、半導体装置の製造におけるパターン形成を行うため
のフォトリソ工程で用いられるステッパーにおいてウェ
ハを吸着するウェハホルダに温調機構を用いることによ
り、露光におけるウェハ上への光エネルギーによりウェ
ハ上に熱が発生することによるウェハの伸縮率の変動を
打ち消すことができ、マスク上のパターンを正確にウェ
ハに露光できる。これにより初回露光時にはマスク上の
パターンを正確に形成し、２回目以降の露光時にはより
精度の高いショット内のパターン合わせの精度が向上す
る。現在、ステッパーにおいては処理能力の向上を目的
とした露光光源の照度向上によりウェハ上への光エネル
ギーがパワーアップされウェハ上に発生する熱量が増大
し、ウェハの伸縮率の変動が増大している。更に半導体
装置の集積度の向上によりステッパーの露光範囲は拡大
する一方であり、これに伴いウェハサイズも大口径化の
一途をたどっているためウェハの伸縮率の変動要因が増
大しており露光時のウェハの伸縮率の変動を打ち消すこ
とが重要となり、半導体装置の収率向上、安定化につな
がる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の半導体製造装置の一実施
例について図面を参照にして説明する。現在、半導体装
置の製造におけるパターン形成を行うためのフォトリソ
工程では主にステッパーが用いられている。図１におい
て１０１は露光用光源である超高圧水銀ランプ、エキシ
マレーザー等を示し、１０２はレチクルを示し、１０３
は１０２のレチクルを真空吸着し固定するレチクル装着
部を示す。
例について図面を参照にして説明する。現在、半導体装
置の製造におけるパターン形成を行うためのフォトリソ
工程では主にステッパーが用いられている。図１におい
て１０１は露光用光源である超高圧水銀ランプ、エキシ
マレーザー等を示し、１０２はレチクルを示し、１０３
は１０２のレチクルを真空吸着し固定するレチクル装着
部を示す。
【０００８】１０２のレチクルに照射される露光照明光
は、１０１の露光用光源から露光照明系のインプットレ
ンズ、フライアイレンズ、コンデンサレンズを介して１
０３のレチクル装着部上の１０２のレチクルに均一に照
射される。このとき１０２のレチクルに照射される露光
照明光によりレチクル上で発生する熱の影響でレチクル
の伸縮率が変動するため１０４に示すレチクル部温調機
構により露光照明光によるレチクル上への熱の影響を打
ち消す。次に１０２のレチクルに照射された露光照明光
は１０５に示す縮小光学系を介して１０７のウェハホル
ダに真空吸着された１０６のウェハに照射される。ここ
で１０５の縮小光学系を介して１０６のウェハ上に照射
された露光照明光の光エネルギーがウェハ上で熱の発生
となり、この熱の影響でウェハの伸縮率が変化してしま
う。そこで１０６のウェハを吸着する１０７のウェハホ
ルダの部分に１１０で示すウェハ温調機構を設ける。１
１０のウェハ温調機構は冷却機構とヒーターで構成され
冷却された流体をヒーターにより設定温度に一定に保た
れ１０７のウェハホルダの部分を循環させる。前述の温
調機構から循環される流体により１０７のウェハホルダ
は常に設定温度に一定に保たれる。更に１０７のウェハ
ホルダは熱伝導のよい材質を用いることにより１０６の
ウェハに照射される露光照明光によるウェハ上への熱の
影響を打ち消すことができ、ウェハの伸縮率の変動を抑
えることができる。
は、１０１の露光用光源から露光照明系のインプットレ
ンズ、フライアイレンズ、コンデンサレンズを介して１
０３のレチクル装着部上の１０２のレチクルに均一に照
射される。このとき１０２のレチクルに照射される露光
照明光によりレチクル上で発生する熱の影響でレチクル
の伸縮率が変動するため１０４に示すレチクル部温調機
構により露光照明光によるレチクル上への熱の影響を打
ち消す。次に１０２のレチクルに照射された露光照明光
は１０５に示す縮小光学系を介して１０７のウェハホル
ダに真空吸着された１０６のウェハに照射される。ここ
で１０５の縮小光学系を介して１０６のウェハ上に照射
された露光照明光の光エネルギーがウェハ上で熱の発生
となり、この熱の影響でウェハの伸縮率が変化してしま
う。そこで１０６のウェハを吸着する１０７のウェハホ
ルダの部分に１１０で示すウェハ温調機構を設ける。１
１０のウェハ温調機構は冷却機構とヒーターで構成され
冷却された流体をヒーターにより設定温度に一定に保た
れ１０７のウェハホルダの部分を循環させる。前述の温
調機構から循環される流体により１０７のウェハホルダ
は常に設定温度に一定に保たれる。更に１０７のウェハ
ホルダは熱伝導のよい材質を用いることにより１０６の
ウェハに照射される露光照明光によるウェハ上への熱の
影響を打ち消すことができ、ウェハの伸縮率の変動を抑
えることができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明した本発明の半導体製造装置に
よれば、半導体装置の製造におけるパターン形成を行う
ためのフォトリソ工程で用いられるステッパーにおいて
ウェハを吸着するウェハホルダに温調機構を用いること
により、露光におけるウェハ上への光エネルギーにより
ウェハ上に熱が発生することによるウェハの伸縮率の変
動を打ち消すことができ、マスク上のパターンを正確に
ウェハに露光できる。これにより初回露光時にはマスク
上のパターンを正確に形成し、２回目以降の露光時には
より精度の高いショット内のパターン合わせの精度が向
上する。現在、ステッパーにおいては処理能力の向上を
目的とした露光光源の照度向上によりウェハ上への光エ
ネルギーがパワーアップされウェハ上に発生する熱量が
増大し、ウェハの伸縮率の変動が増大している。更に半
導体装置の集積度の向上によりステッパーの露光範囲は
拡大する一方であり、これに伴いウェハサイズも大口径
化の一途をたどっているためウェハの伸縮率の変動要因
が増大しており露光時のウェハの伸縮率の変動を打ち消
すことが重要となり、半導体装置の収率向上、安定化に
つながる。
よれば、半導体装置の製造におけるパターン形成を行う
ためのフォトリソ工程で用いられるステッパーにおいて
ウェハを吸着するウェハホルダに温調機構を用いること
により、露光におけるウェハ上への光エネルギーにより
ウェハ上に熱が発生することによるウェハの伸縮率の変
動を打ち消すことができ、マスク上のパターンを正確に
ウェハに露光できる。これにより初回露光時にはマスク
上のパターンを正確に形成し、２回目以降の露光時には
より精度の高いショット内のパターン合わせの精度が向
上する。現在、ステッパーにおいては処理能力の向上を
目的とした露光光源の照度向上によりウェハ上への光エ
ネルギーがパワーアップされウェハ上に発生する熱量が
増大し、ウェハの伸縮率の変動が増大している。更に半
導体装置の集積度の向上によりステッパーの露光範囲は
拡大する一方であり、これに伴いウェハサイズも大口径
化の一途をたどっているためウェハの伸縮率の変動要因
が増大しており露光時のウェハの伸縮率の変動を打ち消
すことが重要となり、半導体装置の収率向上、安定化に
つながる。
【図１】本発明の半導体製造装置の一実施例を示す平面
図。
図。
【図２】従来の半導体製造装置の実施例を示す平面図。
１１０，２０１ 露光用光源 １０２，２０２ レチクル １０３，２０３ レチクル装着部 １０４，２０４ レチクル部温調機構 １０５，２０５ 縮小光学系 １０６，２０６ ウェハ １０７，２０７ ウェハホルダ １０８，２０８ Ｘ−Ｙステージ １０９，２０９ 防振台 １１０，２１０ ウェハ部温調機構
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置の製造におけるパターン形成を
行うためのフォトリソ工程で用いられるステッパー（縮
小投影露光装置）において、ウェハ（半導体基板）を吸
着するウェハホルダ（ウェハチャック）に温調機構を有
することを特徴とした半導体製造装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置において、
前記ウェハホルダの温調機構を用いて、ウェハホルダ及
び吸着するウェハを一定温度に保つことを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185457A JP2000021725A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185457A JP2000021725A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021725A true JP2000021725A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16171133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10185457A Withdrawn JP2000021725A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016186641A (ja) * | 2005-03-23 | 2016-10-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2019032568A (ja) * | 2005-12-30 | 2019-02-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP10185457A patent/JP2000021725A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016186641A (ja) * | 2005-03-23 | 2016-10-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2019032568A (ja) * | 2005-12-30 | 2019-02-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US10761433B2 (en) | 2005-12-30 | 2020-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11275316B2 (en) | 2005-12-30 | 2022-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP7072493B2 (ja) | 2005-12-30 | 2022-05-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US11669021B2 (en) | 2005-12-30 | 2023-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |