KR840003893A - 다이나믹형 mos 랜덤 액세스 메모리 - Google Patents

다이나믹형 mos 랜덤 액세스 메모리 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

다이나믹형 MOS 랜덤 액세스 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 실시예를 도시한 D-RAM의 부록크 도면

Claims (9)

  1. 주기적인 재생이 필요한 메모리 셀 및 프리챠지 상태가 되고, 그후에 동작 상태로 되는 내부 회로가 있고, 외부단자에 공급되는 어드레스 ㆍ스트로우브 신호에 응답하여 액세스 되는 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리는, 상기 어드레스 스트로우브 신호가 공급될 수 없게되어 있는 것을 검출하는 것에 의해서 재생펄스를 발생하는 펄스 발생회로와, 상기 재생 펄스를 카운트하는 것으로서, 재생 어드레스 데이터를 형성하는 어드레스 카운터를 비치하고 있고, 이로 인하여 상기 어드레스 카운터에 의해서 지시된 메모리셀의 재생 타이밍이 상기 재생 펄스에 의해서 결정된다.
  2. 청구범위 1의 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리는 더욱 상기 어드레스 스트로우부 신호가 공급될 수 없게 되었을 때에 상기 내부회로를 프리챠지 상태로 하기 위한 프리챠지 펄스를 발생하고, 또한 상기 어드레스 스트로우부 신호가 공급되었을 때에 상기 내부회로를 동작상대로 하기 위한 제어펄스를 발생하는 다이나믹 펄스 발생회로를 비치하고 있는 다이나믹형 MOS 랜덤 액세스 메모리.
  3. 청구범위 2의 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리에 있어서, 상기 펄스 발생회로는, 상기 어드레스 스트로우부 신호가 공급할 수 없게된 것을 검출하는 제1회로와, 상기 제1회로의 검출출력에 의해서 기동되어 이때에 상기 재생펄스를 발생하는 제2회로의 다이나믹형 MOS 랜덤 액세스 메모리.
  4. 청구범위 3의 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리에 있어서 상기 제2회로는 상기 제1회로의 검출 출력에 의해서 그의 기동과 정지가 제어되는 제어발진 회로로 되고, 이에 의하여 상기 재생펄스는 상기 어드레스 스트로우부 신호가 공급되지 않은 기간에 있어서 주기적으로 발생된다.
  5. 청구범위 4의 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리에 있어서, 상기 제1회로는 실질적으로 적분회로로 된 지연회로를 함유하고 있으며, 이에 의해서 상기 재생펄스는 상기 어드레스 스트로우부 신호가 공급될 수 없게 되어을 때에 개시될 수 있게 할 정도의 상기 내부 회로의 프라챠지 동작이 완료되고 나서 부터 발생된다.
  6. 청구범위 5의 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리에 있어서 상기 제어 발진회로로 부터 출력되는 하나의 재생펄스와 이에 따라서, 출력되는 하나의 재생 펄스와의 사이의 기간은 상기 내부 회로의 플리챠지에 필요로 하는 기간보다도 길어진다.
  7. 청구범위 2의 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리에 있어서, 상기 펄스 발생회로는 실질적으로 적분회로로 된 지연회로를 함유하고 있으며, 이에 의하여 상기 재생펄스는 상기 어드레스 스트로우부 신호가 공급될 수 없게 되었을 때에 개시될 수 있게할 정도의 상기 내부 회로의 프리챠지 동작이 완료된 후에 발생된다.
  8. 청구범위 2의 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리에 있어서, 상기 펄스 발생회로는 실질적으로 상기 어드레스 스트우로부 신호에 의하여 동작 제어가 이루어지는 제어 발진회로로 구성되어진다.
  9. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830000793A 1982-03-10 1983-02-26 Mos 집적회로로 구성된 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리 KR910002028B1 (ko)

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