KR930024023A - 반도체 기억 장치 - Google Patents
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Abstract
반도체 메모리를 웨이퍼 상태 혹은 패키지에 봉합한 뒤의 상태에서 시단방식의 번인 테스트 모드에 설정하는 수순을 통상 액세스모드, 통상 번인모드 표준환 되어 있는 복수 비트 병렬 테스트모드의 설정 수순과 모순되는 일없이 짜넣고 번인 테스트 전용 패드를 생략한다.
DRAM회로(1)와 전원전압이 통상 작동시에 사용되는 값보다도 큰값 VCCIN으로 설정되고, 또 통상작동시에는 사용하지 않는 클록신호의 조합이 입력함으로써 반도체 메모리 회로가 소정의 테스트모드에 들어가도록 제어하는 테스트모드 제어회로(10)를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 관한 DRAM의 일부를 나타내는 회로도, 제2ㄷ는 제1도중의 번인 테스트 모드제어회로에 있어서의 내부노드의 VCC전압 의존성의 일예를 나타내는 특성도.
Claims (12)
- 반도체 메모리 회로(1)와; 전원전압이 통상 동작시에 사용되는 값보다도 큰값 VCCIN 이상으로 설정되고, 또한 통상 동작시에는 사용하지 않는 클록 신호의 신호의 조합이 입력함으로써 상기 반도체 메모리 회로가 소정의 전압 스트레스 모드에 들어가도록 제어하는 테스트모드 제어회로(10)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 메모리 회로는 다이내믹형 랜덤 액세스 메모리회로(1)이고, 상기 테스트모드 제어회로는 전원전압이 통상 동작시에 사용되는 값보다도 큰값 VCCIN 이상으로 설정되고, 또 라이트 인에이블(WE)신호 입력과 컬럼 어드레스 스트로브(CAS)신호 입력이 로우 어드레스 스트로브(RAS)신호 입력보다도 먼저 활성화함으로써 상기 메모리 회로가 소정의 테스트 모드에 들어가도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 메모리 회로는 다이내믹형 랜덤 액세스 메모리 회로이고, 상기 테스트모드 제어회로는 전원 전압이 통상 동작시에 사용되는 값보닫 큰값 VCCIN 이상으로 설정되고, 또 라이인에이블(WE) 신호 입력과 컬럼 어드레스 스트로브(CAS)신호 입력이 로우어드레스 스트로브(RAS)신호 입력 보다도 먼저 활성화하고 또 상기 RAS 신호 입력이 활성화할때에 어드레스 신호의 일부가 특정한 조합이 되도록 설정됨으로써 상기 메모리 회로가 소정의 테스트모드에 들어가도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 테스트모드 제어회로는 전원전압이 상기 값VCCIN보다도 약간 작고, 번인 시험시에 사용되는 값보다도 작은값 VCCIN 이하로 설정되는 것에 의하여 상기 소정의 테스트모드에서 빠져나가도로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 테스트모드 제어회로는 통상 동작시에는 사용하지 않는 클록 신호의 조합이 입력함으로써 활성화되고 전원전압이 통상 동작시에 사용되는 값보다 큰값 VCCIN 임을 검지하기 위한 제1의 전압비교회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 테스트모드 제어회로는 전원전압이 상기 값 VCCIN 보닫 약간 작고 번인 시험시에 사용되는 값보다도 작은 값 VCCIN이하로 설정되고 또한 리프레슈사이클의 클록이 입력됨으로써 상기 소정의 테스트모드에서 빠져나가도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 테스트모드 제어회로는 전원전압이 상기 값 VCCIN 보다도 약간 작고 번인 시험시에 사용되는 값보다 작은값 VCCIN이하로 설정되고 또는 RAS 온이 리프레슈사이클의 클록이 입력함으로써 상기 소정의 테스트 모드에 빠져나가도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제4항에 있어서, 상기 테스트모드 제어회로는 통상 동작시에는 사용하지 않는 클록 신호의 조합이 입력함으로써 활성화되고 전원전압이 통상 동작시에 사용되는 값보다도 큰값 VCCIN인 것을 검지하기 위한 제1의 전압비교회로와, 상기 반도체 메모리회로가 소정의 전압 스트레스 테스트 모드에 들어간 후에 활성화되고 전원전압이 상기 값 VCCIN 보다도 약간 작고, 통상 동작시에 사용되는 값보다도 작은 값 VCCIN인 것을 검지하기 위한 제2의 전압비교회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 테스트모드 제어회로는 상기 통상 동작시에는 사용하지 않는 클록신호의 조합이 입력한 것을 식별한 후 상기 반도체 메모리회로의 프리챠지 사이클이 개시된 이후에 상기 반도체 메모리회로가 소정의 전압 스트레스 테스트모드에 들어가도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 테스트모드 제어회로의 출력신호를 칩외부로 꺼내는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 메모리회로 혹은 다이내믹형 랜덤 액세스 메모리회로는 전원전압이 통상 동작시에 사용되는 값보다도 큰값 VCCIN 이상으로 설정되는 것에 의하여 상기 소정의 테스트모드와는 다른 전압스트레스 테스트 모드가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 메모리회로 혹은 다이내믹형 랜덤 액세스 메모리회로는 전원전압이 통상 동작시에 사용되는 값인 때에 클록신호의 소정의 조합이 입력함으로써 상기 소정의 테스트모드와는 상이하는 기능 테스트모드가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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