KR910015999A - 반도체 메모리장치 - Google Patents

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KR910015999A
KR910015999A KR1019900020094A KR900020094A KR910015999A KR 910015999 A KR910015999 A KR 910015999A KR 1019900020094 A KR1019900020094 A KR 1019900020094A KR 900020094 A KR900020094 A KR 900020094A KR 910015999 A KR910015999 A KR 910015999A
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요시오 후데아스
순고 이또우
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시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • GPHYSICS
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명이 한 실시예를 표시하는 비디오 RMA의 블럭도, 제4도는 제1도에 표시한 카운터부 및 모드디코더부의 회로도, 제7도는 제1도에 표시한 시리얼디코더부의 회로도, 제8도는 제1도에 표시한 센스앰프부, 시리얼 레지스터부 및 시리얼버스라인이 일부의 회로도.

Claims (1)

  1. 스토아된 데이터신호를 시리얼하게 출력할 수 있는 반도체 메모리장치이고, 데이터신호를 스토아하기 위한 복수의 메모리셀을 포함하는 메모리셀 어레이와, 외부적으로 부여되는 클럭신호에 응답하여 상기 메모리셀을 순차적으로 지정하기 위한 내부어드레스신호를 발생하는 어드레스발생수단과, 상기 어드레스 발생수단에 의하여 발생된 내부어드레스 신호에 응답하여 지정된 메모리셀에 스토아된 데이터신호를 판독하는 판독수단과, 상기 어드레스발생수단에 의하여 발생되는 어드레스값의 간격을 지정하는 간격지정신호를 외부로부터 받는 수단과, 부여된 간격지정신호에 응답하여 상기 어드레스 발생수단에 발생되는 어드레스값의 간격을 제어하는 간격제어수단과를 포함하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900020094A 1990-02-13 1990-12-07 반도체메모리장치 KR940000612B1 (ko)

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JP2032791A JPH03237680A (ja) 1990-02-13 1990-02-13 半導体メモリ装置

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DE4104095A1 (de) 1991-08-14
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