KR20170015150A - 연삭 장치 - Google Patents

연삭 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170015150A
KR20170015150A KR1020160087998A KR20160087998A KR20170015150A KR 20170015150 A KR20170015150 A KR 20170015150A KR 1020160087998 A KR1020160087998 A KR 1020160087998A KR 20160087998 A KR20160087998 A KR 20160087998A KR 20170015150 A KR20170015150 A KR 20170015150A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grinding
current value
frequency power
ultrasonic
wafer
Prior art date
Application number
KR1020160087998A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102343159B1 (ko
Inventor
유키 이노우에
준수 우
신야 와타나베
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20170015150A publication Critical patent/KR20170015150A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102343159B1 publication Critical patent/KR102343159B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/449—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428 involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

(과제) 초음파를 전파하는 세정수를 분사하여 연삭 지석을 세정하는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼를 연삭하는 경우에, 연삭 지석의 연삭력을 유지한다.
(해결 수단) 연삭 장치 (1) 에 있어서, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단 (9) 과, 스핀들 모터 (72) 의 전류값을 측정하는 전류값 측정부 (14) 와, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 전류값에 따라 초음파 발진의 ON/OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단 (16) 을 포함하고, ON/OFF 수단 (16) 은, 연삭 수단 (7) 에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값에 대해 상한값과 하한값을 설정하고, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 초음파 세정수 공급 수단 (9) 에 구비되는 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 에 의해 전환하여 연삭하는 것으로 하였다.

Description

연삭 장치{GRINDING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼에 대해 연삭 지석을 맞닿게 하여 연삭할 수 있는 연삭 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼, 사파이어, SiC, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3), 유리 등의 각종 피가공물은, 연삭 장치에 의해 연삭되어 소정의 두께로 형성된 후에, 절삭 장치 등에 의해 분할되어 각각의 디바이스 등이 되고, 각종 전자 기기 등에 이용되고 있다. 이러한 연삭에 사용되는 연삭 장치는, 피가공물인 웨이퍼에 대해 회전하는 연삭 지석의 연삭면을 맞닿게 함으로써, 웨이퍼의 연삭을 실시할 수 있다. 여기서, 이러한 연삭을 실시하면, 연삭 지석의 연삭면에 연삭 부스러기 등에 의한 클로깅이나 글레이징이 발생됨으로써 연삭 지석의 연삭력이 저하된다. 그리고, 연삭 지석의 클로깅이나 글레이징은, 피가공물이 이른바 난연삭재인 경우에 특히 많이 발생한다. 난연삭재로는, 사파이어나 SiC 와 같은 경질재와, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3) 나 유리와 같은 연질재가 있다. 예를 들어, 연질재의 리튬탄탈레이트를, 많은 기공을 구비하는 비트리파이드 본드로 형성된 연삭 지석으로 연삭하면, 기공 내에 연삭 부스러기가 들어가 클로깅이나 글레이징이 발생한다. 그래서, 클로깅 등에 의한 연삭 지석의 연삭력의 저하를 방지하기 위해, 피가공물의 연삭 중에 연삭 지석의 연삭면에 드레서 보드를 꽉 눌러, 연삭과 동시에 연삭 지석의 연삭면을 드레스하는 방법이 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
그러나, 드레서 보드를 연삭 지석에 꽉 눌러 드레스를 실시하는 경우에는, 드레서 보드가 마모되기 때문에, 드레서 보드를 정기적으로 교환할 필요가 생긴다. 그래서, 드레서 보드를 사용하지 않고 연삭 지석의 연삭력을 유지하는 방법으로서, 피가공물의 연삭 중에 고압수나 2 유체 등으로 이루어지는 세정수를 연삭 지석의 연삭면에 대해 분사하여 세정하는 방법이 있고, 또한 초음파 노즐로부터 세정수에 초음파를 전파하여 세정수를 초음파 진동시킴으로써, 연삭 지석의 표면에 클로깅된 연삭 부스러기뿐만 아니라, 연삭 지석의 글레이징에 의해 지석 표면으로부터 지석 내부에까지 파고든 연삭 부스러기도 제거하여 연삭 지석의 연삭력을 유지하는 연삭 장치에 대해, 본 출원인은 특허 출원을 실시하였다 (예를 들어, 일본 특허출원 2014-084198호).
일본 공개특허공보 2011-189456호
그러나, 상기 일본 특허출원 2014-084198호에 기재되어 있는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼에 연삭 가공을 실시하는 경우에, 연삭 중에 초음파 발진부로부터 단순히 초음파를 계속 발진시켜 세정수에 초음파를 계속 전파하면, 연삭 지석의 연삭력이 저하된다는 현상이 확인되고 있다. 그래서, 초음파를 전파시킨 세정수를 연삭 지석의 연삭면에 대해 분사하여 연삭면을 세정하는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼를 연삭하는 경우에 있어서, 높은 연삭력을 유지함으로써, 웨이퍼를 복수 장 연속하여 효율적으로 연삭한다는 과제가 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼를 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 배치 형성한 연삭 휠을 회전 가능하게 장착하는 스핀들을 회전시키는 스핀들 모터를 갖는 연삭 수단과, 그 연삭 지석과 웨이퍼에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단을 구비하는 연삭 장치로서, 그 연삭수 공급 수단과는 별도로 그 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 그 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고, 그 초음파 세정수 공급 수단은, 그 세정수를 그 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 그 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하고, 그 ON/OFF 수단은, 그 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 상한값 하한값을 설정하고, 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 상한값까지 높아지면 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하지 않는 그 세정수를 그 연삭면에 공급하고, 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 하한값까지 낮아지면 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 공급하고, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 그 상한값과 그 하한값 사이에서 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭하는 연삭 장치이다.
본 발명에 관련된 연삭 장치는, 연삭수 공급 수단과는 별도로 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고, 초음파 세정수 공급 수단은, 세정수를 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하는 것으로 하고, ON/OFF 수단은, 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부가 측정하는 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값을 설정하고, 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 전류값 측정부가 측정하는 전류값이 상한값까지 높아지면 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 공급하고, 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 전류값 측정부가 측정하는 전류값이 하한값까지 낮아지면 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 공급하고, 전류값 측정부가 측정하는 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭할 수 있도록 하고 있다. 이와 같이, 연삭 가공 중에 있어서, 전류값 측정부에 의해 스핀들 모터의 전류값을 감시하고, 스핀들 모터의 전류값에 의해 ON/OFF 수단에 의해 초음파 발진부로부터의 초음파의 발진과 정지를 전환함으로써, 초음파 발진부로부터 발진된 초음파를 초음파 노즐로부터 분사된 세정수를 통하여 간헐적으로 연삭 지석의 연삭면에 대해 전파시켜 연삭면을 드레스함으로써, 연삭 지석의 연삭력을 일정한 레벨로 유지하는 것이 가능해지고, 복수 장의 웨이퍼를 연속하여 효율적으로 연삭하는 것이 가능해진다.
도 1 은 연삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2 는 유지 테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭 휠로 연삭하고 있는 상태를 나타내는 측면도이다.
도 3 은 ON/OFF 수단을 작동시키지 않고 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 실시하여 초음파를 계속 발진시키면서 연삭 가공을 실시한 비교예 1 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 4 는 ON/OFF 수단을 작동시키지 않고 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 실시하여 초음파 발진의 정지와 재개를 실시하여 연삭 가공을 실시한 비교예 2 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 5 는 ON/OFF 수단을 작동시켜 고주파 전원으로부터의 고주파의 공급을 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 전환하여 연삭 가공을 실시한 실시예 1 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 1 에 나타내는 연삭 장치 (1) 는, 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 를, 연삭 수단 (7) 에 의해 연삭하는 장치이다. 연삭 장치 (1) 의 베이스 (10) 상의 전방 (－Y 방향측) 은, 도시되지 않은 반송 수단에 의해 유지 테이블 (30) 에 대해 웨이퍼 (W) 의 착탈이 실시되는 영역인 착탈 영역 (A) 이 되어 있고, 베이스 (10) 상의 후방 (＋Y 방향측) 은, 연삭 수단 (7) 에 의해 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 의 연삭이 실시되는 영역인 연삭 영역 (B) 이 되어 있다.
연삭 영역 (B) 에는, 칼럼 (11) 이 세워 형성되어 있고, 칼럼 (11) 의 측면에는 연삭 이송 수단 (5) 이 배치 형성되어 있다. 연삭 이송 수단 (5) 은, 연직 방향 (Z 축 방향) 의 축심을 갖는 볼 나사 (50) 와, 볼 나사 (50) 에 평행하게 배치 형성된 1 쌍의 가이드 레일 (51) 과, 볼 나사 (50) 의 상단에 연결되어 볼 나사 (50) 를 회동 (回動) 시키는 모터 (52) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (50) 에 나사 결합되어 측부가 가이드 레일 (51) 에 슬라이딩 접촉하는 승강판 (53) 과, 승강판 (53) 에 연결되어 연삭 수단 (7) 을 유지하는 홀더 (54) 로 구성되고, 모터 (52) 가 볼 나사 (50) 를 회동시키면, 이에 수반하여 승강판 (53) 이 가이드 레일 (51) 에 가이드되어 Z 축 방향으로 왕복 이동하고, 홀더 (54) 에 유지된 연삭 수단 (7) 이 Z 축 방향으로 연삭 이송된다.
유지 테이블 (30) 은, 예를 들어, 그 외형이 원 형상이고, 포러스 부재 등으로 이루어지며 웨이퍼 (W) 를 흡착하는 흡착부 (300) 와, 흡착부 (300) 를 지지하는 프레임체 (301) 를 구비한다. 흡착부 (300) 는 도시되지 않은 흡인원에 연통되고, 흡인원이 흡인함으로써 만들어진 흡인력이, 흡착부 (300) 의 노출면이고 프레임체 (301) 의 상면과 면일하게 형성되어 있는 유지면 (300a) 에 전달됨으로써, 유지 테이블 (30) 은 유지면 (300a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다. 또, 유지 테이블 (30) 은, 유지 테이블 (30) 의 바닥면측에 배치 형성된 회전 수단 (31) (도 1 에는 도시 생략) 에 의해 구동되어 회전 가능하게 되어 있고, 또한, 유지 테이블 (30) 의 바닥면측에 배치 형성된 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해, 착탈 영역 (A) 과 연삭 영역 (B) 사이를 Y 축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.
연삭 수단 (7) 은, 축 방향이 연직 방향 (Z 축 방향) 인 스핀들 (70) 과, 스핀들 (70) 을 회전 가능하게 지지하는 스핀들 하우징 (71) 과, 스핀들 (70) 을 회전 구동시키는 스핀들 모터 (72) 와, 스핀들 (70) 의 하단에 접속된 원 형상의 마운트 (73) 와, 마운트 (73) 의 하면에 착탈 가능하게 접속된 연삭 휠 (74) 을 구비한다. 그리고, 연삭 휠 (74) 은, 휠 기대 (741) 와, 휠 기대 (741) 의 바닥면에 환상으로 배치 형성된 대략 직방체 형상의 복수의 연삭 지석 (740) 을 구비한다. 연삭 지석 (740) 은, 예를 들어, 결합재가 되는 유기공 타입의 비트리파이드 본드로 다이아몬드 지립 등이 고착되어 성형되어 있다. 또한, 연삭 지석 (740) 의 형상은, 환상으로 일체로 형성되어 있는 것이어도 되고, 연삭 지석 (740) 을 구성하는 결합재도, 비트리파이드 본드에 한정되지 않고 레진 본드 또는 메탈 본드 등이어도 된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 (70) 의 내부에는, 연삭수가 지나는 길이 되는 유로 (70a) 가, 스핀들 (70) 의 축 방향 (Z 축 방향) 에 관통하여 형성되어 있고, 유로 (70a) 는, 또한 마운트 (73) 를 지나, 휠 기대 (741) 에 형성된 유로 (70b) 에 연통되어 있다. 유로 (70b) 는, 휠 기대 (741) 의 내부에 있어서 스핀들 (70) 의 축 방향과 직교하는 방향으로, 휠 기대 (741) 의 둘레 방향에 일정한 간격을 두고 배치 형성되어 있고, 휠 기대 (741) 의 바닥면에 있어서 연삭 지석 (740) 을 향하여 연삭수를 분출할 수 있도록 개구되어 있다.
연삭수 공급 수단 (8) 은, 예를 들어, 수원이 되는 펌프 등으로 이루어지는 연삭수 공급원 (80) 과, 연삭수 공급원 (80) 에 접속되어 스핀들 (70) 내부의 유로 (70a) 와 연통되는 배관 (81) 으로 구성되어 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 모터 (72) 에는, 전류값 측정부 (14) 가 접속되어 있다. 전류값 측정부 (14) 는, 연삭 휠 (74) 에 의한 웨이퍼를 연삭할 때 발생하는 연삭 부하에 따라 변화하는 전류값, 즉, 연삭 휠 (74) 에 접속된 스핀들 (70) 의 회전 구동에 제공되는 스핀들 모터 (72) 의 전류값을 측정한다. 또, 전류값 측정부 (14) 에는, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단 (16) 이 접속되어 있다.
도 1 에 나타내는 초음파 세정수 공급 수단 (9) 은, 세정수를 주로 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사하는 분사구 (900) 와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부 (901) 를 구비하는 초음파 노즐 (90) 과, 초음파 발진부 (901) 에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원 (91) 을 구비한다. 초음파 노즐 (90) 의 배치 형성 위치는, 예를 들어, 연삭 영역 (B) 내에 있는 유지 테이블 (30) 에 인접하는 위치로, 또한 연삭 휠 (74) 의 하방에 있는 위치이며, 연삭 중인 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대해 초음파 노즐 (90) 의 선단인 분사구 (900) 가 대향하도록 배치 형성되어 있다. 또한, 초음파 노즐 (90) 은, 예를 들어, 도시되지 않은 Z 축 방향 이동 수단에 의해 Z 축 방향으로 이동 가능하게 배치 형성되어도 된다. 그리고, 초음파 노즐 (90) 에는, 펌프 등으로 구성되어 세정수를 공급하는 세정수 공급원 (92) 과 연통되는 배관 (920) 이 접속되어 있다.
초음파 노즐 (90) 의 내부에 배치 형성되어 있는 초음파 발진부 (901) 에는, 초음파 발진부 (901) 에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원 (91) 이, 도전선 (910) 을 개재하여 접속되어 있다. 초음파 발진부 (901) 는, 고주파 전원 (91) 으로부터 소정의 고주파 전력이 공급되면, 초음파 발진부 (901) 에 구비되는 도시되지 않은 진동 소자가 고주파 전력을 기계 진동으로 변환함으로써 초음파를 발진시킨다. 그리고, 발진된 초음파는, 초음파 노즐 (90) 의 내부에 있어서, 세정수 공급원 (92) 으로부터 공급되어, 배관 (920) 을 통하여 초음파 노즐 (90) 의 내부에 보내진 세정수에 대해 전파된다. 초음파가 전파된 세정수 (L) 는, 분사구 (900) 로부터 예를 들어 ＋Z 방향을 향하여 분사되고, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 접촉한다.
이하에, 도 1 ∼ 5 를 사용하여, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 를 연삭 장치 (1) 에 의해 연속하여 복수 장 연삭하는 경우의, 연삭 장치 (1) 의 동작 및 연삭 방법에 대해 설명한다.
도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3) 로 형성되는 직경이 6 인치인 기판 상에 SAW 디바이스 등이 배치 형성된 웨이퍼이다. 예를 들어, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는 도시되지 않은 SAW 디바이스 등이 배치 형성되어 있고, 연삭 가공이 실시될 때에 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는 보호 테이프 (T) 가 첩착 (貼着) 되어 보호된 상태가 되고, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 이 연삭 휠 (74) 에 의해 연삭된다. 또한, 웨이퍼 (W) 의 형상 및 종류는, 리튬탄탈레이트로 형성되는 웨이퍼에 한정되지 않고, 연삭 지석 (740) 의 종류 등과의 관계에 의해 적절히 변경 가능하고, 유리와 같은 연질재로 형성되는 웨이퍼나, SiC 또는 사파이어와 같은 경질재로 형성되는 웨이퍼여도 된다.
웨이퍼 (W) 의 연삭에 있어서는, 먼저, 도 1 에 나타내는 착탈 영역 (A) 내 에 있어서, 도시되지 않은 반송 수단에 의해 보호 테이프 (T) 가 첩착된 웨이퍼 (W) 가 유지 테이블 (30) 상에 반송된다. 그리고, 웨이퍼 (W) 의 보호 테이프 (T) 측과 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300a) 을 대향시켜 위치 맞춤을 실시한 후, 웨이퍼 (W) 를 웨이퍼의 이면 (Wb) 이 상측이 되도록 유지면 (300a) 상에 대치한다. 그리고, 유지 테이블 (30) 에 접속된 도시되지 않은 흡인원에 의해 만들어지는 흡인력이 유지면 (300a) 에 전달됨으로써, 유지 테이블 (30) 이 유지면 (300a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다.
이어서, 웨이퍼 (W) 를 유지한 유지 테이블 (30) 이, 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해 착탈 영역 (A) 으로부터 연삭 영역 (B) 내의 연삭 수단 (7) 아래까지 ＋Y 방향으로 이동하고, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 과 웨이퍼 (W) 의 위치 맞춤이 이루어진다. 위치 맞춤은, 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심이 유지 테이블 (30) 의 회전 중심에 대해 소정의 거리만큼 ＋Y 방향으로 어긋나, 연삭 지석 (740) 의 회전 궤도가 유지 테이블 (30) 의 회전 중심을 지나도록 실시된다. 그리고, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 －Y 방향의 영역에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 대향하고 있는 상태가 된다. 또, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 ＋Y 방향의 영역에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 －Z 방향을 향하여 노출되고, 초음파 노즐 (90) 의 선단이 되는 분사구 (900) 와 대향하고 있는 상태가 된다.
연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 과 웨이퍼 (W) 의 위치 맞춤이 실시된 후, 스핀들 모터 (72) 에 의해 스핀들 (70) 이 회전 구동되는 것에 수반하여 연삭 휠 (74) 이 회전한다. 또, 연삭 수단 (7) 이 연삭 이송 수단 (5) (도 2 에는 도시 생략) 에 의해 －Z 방향으로 보내져, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 이 －Z 방향으로 강하되어 가고, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 －Y 방향의 영역에서 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 맞닿음으로써 연삭 가공이 실시된다. 또한, 연삭 중에는, 회전 수단 (31) 이 유지 테이블 (30) 을 회전시키는 것에 수반하여, 유지면 (300a) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 도 회전하므로, 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 전체면의 연삭 가공을 실시한다. 또, 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 맞닿을 때, 연삭수 공급 수단 (8) 이, 연삭수를 스핀들 (70) 중의 유로 (70a) 를 통해 연삭 지석 (740) 과 웨이퍼 (W) 의 접촉 부위에 대해 공급하여, 연삭 지석 (740) 과 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 접촉 부위를 냉각시킨다.
또한, 연삭 중에 있어서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 고주파 전원 (91) 으로부터 초음파 발진부 (901) 에 대해 소정의 고주파 전력이 공급되어 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파가 발진됨과 함께, 세정수 공급원 (92) 으로부터 초음파 노즐 (90) 에 대해 세정수가 공급됨으로써, 세정수에 초음파가 전파되어, 초음파 노즐 (90) 의 분사구 (900) 로부터 분사되는 세정액 (L) 이 초음파 진동을 수반하는 것이 된다. 이 초음파 진동은, 세정액 (L) 의 분사 방향의 소정 범위 (예를 들어, 분사구 (900) 에서 ＋Z 방향을 향하여 폭 10 ㎜ 정도의 범위) 내에서 발생한다. 이 소정 범위의 중간 영역에 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 위치하도록, 초음파 노즐 (90) 의 연직 방향 (Z 축 방향) 의 위치가 결정되고, 이로써, 연삭면 (740a) 이 하강해도 연삭 중에 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 ＋Y 방향의 영역에 있어서 연삭면 (740a) 이 세정액 (L) 에 의해 세정되어 드레스된다.
상기 연삭 가공은, 예를 들어, 이하의 조건으로 실시한다.
웨이퍼 (W) 의 연삭량 : 15 ㎛
스핀들 (70) 의 회전수 : 1000 rpm
유지 테이블 (30) 의 회전수 : 300 rpm
연삭 이송 수단 (5) 의 연삭 이송 속도 : 0.3 ㎛/초
초음파 발진부 (901) 의 진동 주파수 : 500 ㎑
상기 조건으로 1 장의 웨이퍼 (W) 를 소정의 연삭량만큼 연삭하고, 1 장의 웨이퍼 (W) 의 연삭을 완료시킨 후, 도 1 에 나타내는 연삭 이송 수단 (5) 에 의해 연삭 수단 (7) 을 ＋Z 방향으로 이동시켜 연삭 가공이 완료된 웨이퍼 (W) 로부터 이간시키고, 또한 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해 유지 테이블 (30) 을－Y 방향으로 이동시켜 착탈 영역 (A) 의 원래의 위치로 되돌린다. 착탈 영역 (A) 의 원래의 위치까지 돌아온 유지 테이블 (30) 상에 재치 (載置) 되어 있는 연삭 가공이 실시된 웨이퍼 (W) 를, 도시되지 않은 반송 수단이 유지 테이블 (30) 로부터 도시되지 않은 웨이퍼 카세트에 반송하여 수납한다. 이어서, 도시되지 않은 반송 수단이, 연삭 가공 전의 다른 새로운 1 장의 웨이퍼 (W) 를 유지 테이블 (30) 에 반송하고, 상기와 동일하게 연삭 가공을 실시해 간다.
(비교예 1)
비교예 1 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에, 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시키지 않고 , 예를 들어, 연삭 휠 (74) 에 의해 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파의 발진을 개시하고, 그 후에도 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 끊임없이 세정수 (L) 에 계속 전파하고, 추가로 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 계속해서 연삭하였다.
여기서, 연삭 가공 중에, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 클로깅되거나 글레이징되거나 함으로써 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 저하되면, 연삭 가공 중 에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 으로부터의 저항이 증대되고, 그에 수반하여 스핀들 모터 (72) 의 전류값도 상승해 간다. 그리고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 개시한 후, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에 초음파 발진부 (901)로부터 끊임없이 세정수 (L) 에 초음파를 계속 전파하여 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 의 세정을 계속하면, 연삭 휠 (74) 의 회전력을 만들어 내어 전류값 측정부 (14) 에 의해 측정되는 스핀들 모터 (72) 의 전류값은, 도 3 에 나타내는 그래프에 보이는 바와 같이 상승해 간다. 즉, 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 저하되는 현상이 확인되고, 그 이후에는, 초음파를 계속 발진시키고 있는 한에 있어서는, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하강하는 경우가 없는 것이 확인되었다. 따라서, 비교예 1 에 있어서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 유지할 수 없어, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 데에는 부적격이 된다. 또한, 도 3 에 나타내는 그래프에서는, 세로축에 있어서는, 웨이퍼 (W) 를 도시되지 않은 반송 수단으로 교환할 때의 연삭 휠 (74) 의 공전에 의한 전류값의 저하는 나타내고 있지 않고, 또, 가로축에 있어서는, 연삭 지석 (740) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연삭한 후, 세정액 (L) 에 계속해서 초음파가 전파되어 연삭면 (740a) 이 세정되어 드레스된 후를 나타내고 있다.
(비교예 2)
비교예 2 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에, 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시키지 않고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 실시하지 않는 것으로 하였다. 먼저, 비교예 1 에 있어서의 경우와 동일하게, 연삭 휠 (74) 에 의해 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파의 발진을 개시하고, 그 후에도 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 끊임없이 세정수 (L) 에 계속 전파하고, 추가로 웨이퍼 (W) 의 연삭을 복수 장 계속해서 실시한다.
그리고 웨이퍼 (W) 의 연삭을 계속해서 실시해 가고, 비교예 1 에서 확인할 수 있었던 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승하는 현상이 일어난 후에, 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시키고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 정지시킨다. 그러자, 도 4 에 나타내는 그래프에 보이는 바와 같이, 다시 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하강하는, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 상승하는 현상이 확인되었다.
그러나, 그 후, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 정지시킨 상태에서 추가로 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 계속 연삭하면, 다시 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승하는, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 하강해 가는 현상이 확인되었다. 그리고, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승한 후에, 다시 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 재개하고, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 발진시켜 세정수 (L) 에 초음파를 전파시켜도, 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 하강하지 않고 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 상승하지 않는 것이 확인되었다. 따라서, 비교예 2 에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 유지할 수 없어, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 데에는 부적격이 된다. 또한, 도 4 에 나타내는 그래프에서는, 세로축에 있어서는, 웨이퍼 (W) 를 도시되지 않은 반송 수단으로 교환할 때의 연삭 휠 (74) 의 공전에 의한 전류값의 저하는 나타내지 않고, 또, 가로축에 있어서는, 세정액 (L) 에 계속해서 초음파가 전파되어 연삭면 (740a) 이 세정되어 드레스되면서 연삭 지석 (740) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연삭한 후를 나타내고 있다.
(실시예 1)
실시예 1 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜 연삭을 실시하는 경우에 대해 설명한다.
먼저, ON/OFF 수단 (16) 에는, 연삭 수단 (7) 에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값을 미리 설정해 둔다.
스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값은, 예를 들어, 상기 비교예 2 에 있어서 확인할 수 있었던 초음파의 발진을 정지시킨 후의 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 최저값보다는 적어도 높은 전류값이고, 당해 최저값보다 1 A 정도 높은 전류값이면 바람직하다. 본 실시예 1 에 있어서는, 예를 들어, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값을 8.5 A 로 설정한다.
한편, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값은, 예를 들어, 9 A 로 설정한다. 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값은, 예를 들어, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값을 기초로 결정되고, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값보다 1 A 정도 큰 범위에서 결정하면 바람직하다. 또한, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값 및 하한값은, 본 실시예 1 에 한정되는 것이 아니고, 웨이퍼 (W) 의 형상 및 종류 그리고 연삭 지석 (740) 의 종류 등에 따라 적절히 변경 가능해진다.
이하에, 미리 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값을 9 A 로 하고, 또한 전류값의 하한값을 8.5 A 로 하여 설정한 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜, 연삭 수단 (7) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 연삭해 가는 경우에 대해, 도 5 의 그래프를 사용하여 설명한다. 도 5 에는 도시하고 있지 않지만, 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 고주파 전원 (91) 으로부터 고주파 전력을 초음파 발진부 (901) 에 공급하여 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파가 전파되어 초음파 진동을 수반하는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사하면서 연삭해 간다. 그렇게 하면, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대한 세정수 (L) 의 공급에 의해, 초음파 진동이 연삭면 (740a) 에 전파되어, 연삭 지석 (740) 을 형성하는 비트리파이드 본드의 기공 중에 들어간 연삭 부스러기가 기공 중으로부터 긁어져 나온다. 그 때문에, 연삭 지석 (740) 의 연삭 저항이 저하되어 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 하강해 가고, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력은 높아져 간다. 그러나, 그 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 계속 발진시키면, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 상승해 간다.
그리고, 예를 들어, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값인 9 A 까지 높아진 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 작동하여 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시킨다. 그렇게 하면, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진이 정지되고, 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 가 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급된다.
ON/OFF 수단 (16) 에 의해 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사시키면서 연삭해 가면, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하한값인 8.5 A 까지 낮아진다. 이 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 재개하여 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 재개하고, 초음파가 전파되는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급한다.
이렇게 하여 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대한 세정수 (L) 를 개재한 초음파의 전파가 재개되면, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 다시 상승해 간다. 그리고, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값인 9 A 까지 높아진 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시키고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진이 정지된다. 그렇게 하면, 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 가 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급된다. 이와 같이, ON/OFF 수단 (16) 은, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값과 하한값 사이의 값을 취하도록 초음파의 발진을 제어하면서 연삭을 속행한다.
또한, 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 이 전환할 때에는, ON/OFF 의 전환과 동시에, 웨이퍼 (W) 의 교환도 실시하면 바람직하다. 즉, 예를 들어, 1 장의 웨이퍼 (W) 에 대해 항상 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON (또는 OFF) 으로 한 상태에서, 소정의 연삭량을 연삭하여 연삭 가공을 실시하면 바람직하다.
이와 같이, 연삭 장치 (1) 는, 실시예 1 에 있어서 나타내는 바와 같이, ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜, 연삭 가공 중에 있어서, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 에 의해 전환하고, 간헐적으로 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 발진시켜 세정수 (L) 에 초음파를 전파시킴으로써, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 일정 범위로 유지하는 것이 가능해져, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 것이 가능해진다.
1 : 연삭 장치
10 : 베이스
11 : 칼럼
14 : 전류값 측정부
16 : ON/OFF 수단
30 : 유지 테이블
300 : 흡착부
300a : 유지면
301 : 프레임체
31 : 회전 수단
5 : 연삭 이송 수단
50 : 볼 나사
51 : 가이드 레일
52 : 모터
53 : 승강판
54 : 홀더
7 : 연삭 수단
70 : 스핀들
70a : 유로
70b : 유로
72 : 스핀들 모터
73 : 마운트
74 : 연삭 휠
740 : 연삭 지석
740a : 연삭면
741 : 휠 기대
8 : 연삭수 공급 수단
80 : 연삭수 공급원
81 : 배관
9 : 초음파 세정수 공급 수단
90 : 초음파 노즐
900 : 분사구
901 : 초음파 발진부
91 : 고주파 전원
910 : 도전선
92 : 세정수 공급원
920 : 배관
W : 웨이퍼
Wa : 웨이퍼의 표면
Wb : 웨이퍼의 이면
T : 보호 테이프
A : 착탈 영역
B : 연삭 영역

Claims (1)

  1. 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼를 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 배치 형성한 연삭 휠을 회전 가능하게 장착하는 스핀들을 회전시키는 스핀들 모터를 갖는 연삭 수단과, 그 연삭 지석과 웨이퍼에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단을 구비하는 연삭 장치로서,
    그 연삭수 공급 수단과는 별도로 그 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 그 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고,
    그 초음파 세정수 공급 수단은, 그 세정수를 그 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 그 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하고,
    그 ON/OFF 수단은, 그 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 상한값과 하한값을 설정하고,
    그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 상한값까지 높아지면 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 공급하고,
    그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 하한값까지 낮아지면 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 공급하고,
    그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 그 상한값과 그 하한값 사이에서 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭하는, 연삭 장치.
KR1020160087998A 2015-07-30 2016-07-12 연삭 장치 KR102343159B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-150535 2015-07-30
JP2015150535A JP6489973B2 (ja) 2015-07-30 2015-07-30 研削装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170015150A true KR20170015150A (ko) 2017-02-08
KR102343159B1 KR102343159B1 (ko) 2021-12-23

Family

ID=57985696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160087998A KR102343159B1 (ko) 2015-07-30 2016-07-12 연삭 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6489973B2 (ko)
KR (1) KR102343159B1 (ko)
CN (1) CN106392886B (ko)
TW (1) TWI694896B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7012454B2 (ja) * 2017-04-27 2022-01-28 株式会社岡本工作機械製作所 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法
JP6506797B2 (ja) * 2017-06-09 2019-04-24 Ｔｏｗａ株式会社 研削装置および研削方法
JP7045212B2 (ja) * 2018-02-08 2022-03-31 株式会社ディスコ 研削装置
JP7032217B2 (ja) * 2018-04-05 2022-03-08 株式会社ディスコ 研磨装置
JP7299773B2 (ja) * 2019-07-09 2023-06-28 株式会社ディスコ 研削装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025653A (ja) * 1983-07-20 1985-02-08 Hitachi Ltd 研削砥石のドレツシング方法
JPH0557610A (ja) * 1991-08-27 1993-03-09 Toshiba Mach Co Ltd 研削加工方法
JP2001096461A (ja) * 1999-09-29 2001-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 研削砥石の目立て方法及び目立て装置
JP2009279710A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Olympus Corp 芯取加工方法および芯取加工装置
JP2011189456A (ja) 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp 研削装置及び研削方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0577161A (ja) * 1991-03-13 1993-03-30 Mitsubishi Materials Corp 研削盤のドレツシング装置
JP3305732B2 (ja) * 1991-05-28 2002-07-24 日立ビアメカニクス株式会社 平面研削盤の制御方法
EP0576937B1 (en) * 1992-06-19 1996-11-20 Rikagaku Kenkyusho Apparatus for mirror surface grinding
JP2000117630A (ja) * 1998-10-12 2000-04-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置のドレッシング工具及びそのドレッシング工具を用いたウェーハ面取り装置のドレッシング機構
JP2001113455A (ja) * 1999-10-14 2001-04-24 Sony Corp 化学的機械研磨装置及び方法
JP2001328069A (ja) * 2000-05-24 2001-11-27 Ebara Corp 研磨装置のドレッサー洗浄方法及び装置
TW492065B (en) * 2001-07-20 2002-06-21 United Microelectronics Corp Structure of polishing pad conditioner and method of use
JPWO2003071592A1 (ja) * 2002-02-20 2005-06-16 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法および装置
EP2418677B1 (en) * 2004-11-01 2016-12-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2006281341A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研削装置
TW200734120A (en) * 2005-12-06 2007-09-16 Disco Corp Polishing grindstone and method for producing same
JP5254539B2 (ja) * 2006-08-09 2013-08-07 株式会社ディスコ ウエーハ研削装置
JP2009094326A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法
WO2010140595A1 (ja) * 2009-06-04 2010-12-09 旭硝子株式会社 板状体の研磨方法
JP5550940B2 (ja) * 2010-02-23 2014-07-16 株式会社ディスコ 搬送機構
US8920214B2 (en) * 2011-07-12 2014-12-30 Chien-Min Sung Dual dressing system for CMP pads and associated methods
JP5856433B2 (ja) * 2011-10-21 2016-02-09 株式会社ディスコ サファイア基板の研削方法
JP2013123792A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び研削装置
JP6239354B2 (ja) * 2012-12-04 2017-11-29 不二越機械工業株式会社 ウェーハ研磨装置
JP6166974B2 (ja) * 2013-07-22 2017-07-19 株式会社ディスコ 研削装置
CN103921213B (zh) * 2014-03-14 2017-01-04 河南理工大学 多点超声波振动cbn砂轮修整装置
CN104440559A (zh) * 2014-11-24 2015-03-25 河南理工大学 一种超硬磨料砂轮超声激光复合修整装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025653A (ja) * 1983-07-20 1985-02-08 Hitachi Ltd 研削砥石のドレツシング方法
JPH0557610A (ja) * 1991-08-27 1993-03-09 Toshiba Mach Co Ltd 研削加工方法
JP2001096461A (ja) * 1999-09-29 2001-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 研削砥石の目立て方法及び目立て装置
JP2009279710A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Olympus Corp 芯取加工方法および芯取加工装置
JP2011189456A (ja) 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp 研削装置及び研削方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102343159B1 (ko) 2021-12-23
JP2017030071A (ja) 2017-02-09
TWI694896B (zh) 2020-06-01
CN106392886A (zh) 2017-02-15
TW201713460A (zh) 2017-04-16
CN106392886B (zh) 2020-03-17
JP6489973B2 (ja) 2019-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102343159B1 (ko) 연삭 장치
KR20150119806A (ko) 연삭 장치
JP5275016B2 (ja) 研削装置
JP6704714B2 (ja) 切削装置
JP2015193056A (ja) チャックテーブル、研削装置
US11980997B2 (en) Dressing apparatus and polishing apparatus
JP4280557B2 (ja) 洗浄装置および研磨装置
KR20200001979A (ko) 초음파수 분사 장치
JP2012024879A (ja) バイト工具を備えた加工装置
JP2001237204A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000015622A (ja) 外周刃切断加工法および加工装置
WO2001043178A1 (fr) Dispositif distribuant du produit de polissage et dispositif de polissage
JP2023076059A (ja) クリープフィード研削装置
CN111438085B (zh) 清洗机构
JP2022157038A (ja) 加工装置
JP2022187203A (ja) 研削装置、及び研削砥石のドレス方法
JP4909575B2 (ja) 洗浄方法，洗浄装置
JP2004342985A (ja) 研磨装置および研磨パッドのドレッシング方法
JP2011146568A (ja) ウエーハの割れ検出方法及び検出装置
JP2020113670A (ja) 洗浄ユニット
JP7444633B2 (ja) 加工装置
JP2023077114A (ja) 研削装置
JP2022139548A (ja) 加工装置
JP2002178245A (ja) 両頭平面研削装置および板状ワークの平面研削方法
JP2023028360A (ja) 加工装置、及びチャックテーブルの保持面の洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant