JP2023076059A - クリープフィード研削装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】クリープフィード研削において作業効率を低下させることなく研削砥石の底面のコンディション不良を解消する。【解決手段】チャックテーブルと、スピンドルを有し、円環状の基台の一面側に環状に配置された複数の研削砥石を含む研削ホイールがスピンドルの下端部側に装着され、スピンドルの回転時における複数の研削砥石の軌跡の外径が、チャックテーブルの外径より大きい、研削ユニットと、スピンドルの長手方向と直交する所定方向に沿って、チャックテーブルと研削ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、チャックテーブルと研削ユニットとを所定方向に沿って相対移動させたときのチャックテーブルの相対的な移動領域の外側に位置し、クリープフィード研削時に被加工物に接する各研削砥石の底面を、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正することで、底面の状態を調整する底面状態調整機構と、を備えるクリープフィード研削装置を提供する。【選択図】図1
Description
本発明は、下端部に研削ホイールが装着されたスピンドルを有する研削ユニットと、被加工物を吸引保持したチャックテーブルとを、スピンドルの長手方向に直交する方向に相対的に移動させながら、当該被加工物を研削ホイールで研削するクリープフィード研削装置に関する。
携帯電話などの電子機器には、IC(Integrated Circuit)等のデバイスを有するデバイスチップが搭載されるのが一般的である。デバイスチップを製造する際には、例えば、まず、シリコン等の半導体で形成されたウェーハの表面に複数の分割予定ライン(ストリート)を格子状に設定し、複数のストリートで区画された矩形状の各領域にデバイスを形成する。
次に、切削装置を用いて、各ストリートに沿ってウェーハを切断して、ウェーハをデバイスチップに個片化する。しかし、近年では、デバイスチップの小型化及び軽量化を目的として、ウェーハの表面側にデバイスを形成した後、ウェーハの裏面側を研削することで、デバイスチップの仕上げ厚さを薄くすることが行われる。
ウェーハの研削には、例えば、クリープフィード研削装置が用いられる(特許文献1参照)。クリープフィード研削装置は、被加工物を吸引保持する保持面を有する円板状のチャックテーブルを備える。保持面の上方には、研削ユニットが配置されている。
研削ユニットは、長手方向が保持面に対して略直交する様に配置された円柱状のスピンドルを有する。スピンドルの長手方向は、通常、クリープフィード研削装置のZ軸方向(例えば、鉛直方向)と略平行に配置される。スピンドルの下端部には、円板状のマウントを介して円環状の研削ホイールが装着されている。
研削ホイールは、円環状の基台を有する。基台の下面側には、複数の研削砥石が基台の周方向に沿って略等間隔に配置されている。スピンドルを回転駆動すると研削ホイールが回転し、研削砥石の下面の軌跡により、円環状の研削面が形成される。
クリープフィード研削を行う場合には、被加工物の表面側を保持面で吸引保持することで被加工物の裏面を上方に露出させると共に、研削面が被加工物の裏面よりも僅かに低い高さ位置となる様に、研削ユニットの高さを調整する。
この状態で、チャックテーブルをZ軸方向と直交するX軸方向に沿って移動させることで、ウェーハの裏面側にクリープフィード研削が施される。クリープフィード研削では、研削砥石の外周側面に対するX軸方向の負荷が、研削砥石の底面に対するZ軸方向の負荷に比べて、大きくなる傾向がある。
これに対して、研削ユニットの下方に配置されたチャックテーブルを回転させながら、研削ユニットをZ軸方向に沿って下方に加工送りするインフィード研削では、研削砥石の底面に対するZ軸方向の負荷が、研削砥石の外周側面に対するX軸方向の負荷に比べて大きくなる傾向がある。
クリープフィード研削では、研削時の負荷に応じて、研削砥石の底面側の消耗が、インフィード研削での研削砥石の底面側の消耗に比べて少ないので、研削砥石の底面において、目詰まり等のコンディション不良が発生しやすくなる。特に、樹脂製の基板に対してインフィード研削を施す場合には、底面側のコンディション不良が顕著に発生しやすい。
しかし、コンディション不良を解消するために、被加工物の研削工程とは別途に、研削砥石に対してドレッシングを施すドレッシング工程を行うと、クリープフィード研削における作業効率が低下する。
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、クリープフィード研削において、作業効率を低下させることなく、研削砥石の底面のコンディション不良を解消することを目的とする。
本発明の一態様によれば、クリープフィード研削装置であって、被加工物を吸引保持する保持面を有するチャックテーブルと、スピンドルを有し、円環状の基台と、該基台の一面側に環状に配置された複数の研削砥石と、を含む研削ホイールが、該スピンドルの下端部側に装着され、該スピンドルの回転時における該複数の研削砥石の軌跡の外径が、該チャックテーブルの外径より大きい、研削ユニットと、該スピンドルの長手方向と直交する所定方向に沿って、該チャックテーブルと該研削ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、該移動機構によって該チャックテーブルと該研削ユニットとを該所定方向に沿って相対移動させたときの該チャックテーブルの相対的な移動領域の外側に位置し、クリープフィード研削時に該被加工物に接する各研削砥石の底面を、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正することで、該底面の状態を調整する底面状態調整機構と、を備えるクリープフィード研削装置が提供される。
好ましくは、該底面状態調整機構は、第1ノズルを有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該第1ノズルから高圧水を該底面に噴射する。
また、好ましくは、該底面状態調整機構は、第2ノズルを有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該第2ノズルから砥粒を含む高圧水を該底面に噴射する。
また、好ましくは、該底面状態調整機構は、水とエアーとが混合された二流体を噴射する第3ノズルを有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該第3ノズルから該二流体を該底面に噴射する。
また、好ましくは、該底面状態調整機構は、ドレッシング部を有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該ドレッシング部を該底面に接触させる。
また、好ましくは、該底面状態調整機構は、ブラシを有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該ブラシを該底面に接触させる。
また、好ましくは、該底面状態調整機構は、レーザービーム照射ユニットの集光器を有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該集光器からレーザービームを該底面に照射する。
本発明の一態様に係るクリープフィード研削装置は、底面状態調整機構を備える。底面状態調整機構は、研削ユニットに対するチャックテーブルの相対的な移動領域の外側に配置されており、クリープフィード研削時に各研削砥石の底面を、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正することで、研削砥石の底面の状態を調整する。
例えば、底面状態調整機構は、被加工物のクリープフィード研削時に、チャックテーブルの外側に位置する研削砥石の底面側を、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正することで、底面側における目詰まり等のコンディション不良を解消する。これにより、クリープフィード研削において、作業効率を低下させることなく、研削砥石の底面のコンディション不良を解消できる。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、クリープフィード研削装置2の一例を示す一部断面側面図である。なお、図1のX軸方向及びY軸方向は、水平面上において互いに垂直であり、Z軸方向は、X軸方向及びY軸方向に垂直である。
クリープフィード研削装置2は、クリープフィード研削装置2を構成する各構成要素を支持又は収容する基台4を備える。基台4の上面側には、X軸方向に長手部を有する直方体状の凹部4aが形成されている。
凹部4aの内側には、円板状のチャックテーブル6が設けられている。チャックテーブル6は、セラミックスで形成された円板状の枠体8を有する。枠体8の上部には円板状の凹部8aが形成されている。
この凹部8aには、多孔質セラミックスで形成された円板状の多孔質板10が固定されている。枠体8の上面と、多孔質板10の上面とは、略面一であり、X及びY軸方向と略平行な保持面6aを構成する。
枠体8には、多孔質板10とエジェクタ等の吸引源(不図示)とを接続するための流路8bが形成されている。流路8bを通じて多孔質板10に負圧が伝達すると、保持面6aに配置された被加工物11(図2参照)は保持面6aで吸引保持される。
チャックテーブル6は、矩形板状のX軸方向移動板12で支持されている。X軸方向移動板12は、X軸方向に略平行に配置された一対のガイドレール(不図示)によりスライド可能に支持されている。X軸方向移動板12の下面には、ナット部14が設けられている。
ナット部14には、一対のガイドレールの間において、X軸方向に沿って配置されたねじ軸16が回転可能に連結されている。ねじ軸16の一端部には、ねじ軸16を回転させるためのモータ等の駆動源18が連結されている。
駆動源18でねじ軸16を回転させれば、チャックテーブル6は、ナット部14と共にX軸方向に沿って移動する。X軸方向移動板12、ナット部14、ねじ軸16、駆動源18等は、X軸方向移動機構(移動機構)20を構成する。
X軸方向移動機構20の後方(X軸方向の一方)には、凹部4aの開口よりも上方に突出する態様で、直方体状の支持構造22が設けられている。支持構造22は、基台4と一体的に形成されており、支持構造22の前方(X軸方向の他方)側面には、研削送りユニット24が設けられている。
研削送りユニット24は、支持構造22の前方側面に固定され、且つ、Z軸方向に沿って配置された一対のガイドレール26を備える。一対のガイドレール26の前方側には、有底円筒状の保持部材28が、Z軸方向にスライド可能に固定されている。
保持部材28の後方側には、ナット部30が設けられている。ナット部30には、一対のガイドレール26の間においてZ軸方向に沿って配置されたねじ軸32が回転可能に連結されている。
ねじ軸32の上端部には、ねじ軸32を回転させるためのモータ等の駆動源34が連結されている。駆動源34でねじ軸32を回転させると、保持部材28はZ軸方向に沿って移動する。
保持部材28には、研削ユニット36が設けられている。研削ユニット36は、保持部材28内に配置された円筒状のスピンドルハウジング38を有する。スピンドルハウジング38は、保持部材28の底壁で支持されている。
スピンドルハウジング38は、長手方向がZ軸方向(所定方向)に配置された円柱状のスピンドル40の一部を回転可能に収容している。スピンドル40の上端部には、モータ等の回転駆動源が設けられている。
スピンドル40の下端部は、保持部材28の底壁に形成された貫通開口を介して、保持部材28よりも下方に突出している。スピンドル40の下端部には、円板状のマウント42を介して、マウント42と略同径の外径を有する円環状の研削ホイール44が装着されている。
研削ホイール44は、アルミニウム合金等の金属で形成された円環状の基台46を有する。基台46の上面側は、ねじ等の固定部材(不図示)により、マウント42の下面側に固定されている。また、基台46の下面(一面)46a側には、基台46の周方向に沿って略等間隔に(即ち、環状に)、複数の研削砥石48が配置されている。
複数の研削砥石48の各々は、略ブロック形状を有し、ダイヤモンド又はcBN(cubic boron nitride)等で形成された砥粒と、金属、樹脂又はセラミックス等で形成され各砥粒を固定する結合材(ボンド材)と、を有する。
研削送りユニット24を動作させると、研削ユニット36とチャックテーブル6とがZ軸方向に沿って相対的に移動する。これにより、研削ユニット36(研削ホイール44や研削砥石48)の高さ位置を調整できる。
スピンドル40を回転させると、複数の研削砥石48の底面48dの軌跡により円環状の研削面48a(図3(A)参照)が形成される。なお、図3(A)では、研削面48aのZ軸方向の位置を示す。
図2は、クリープフィード研削の様子を示す上面図である。スピンドル40の回転時の複数の研削砥石48の軌跡の外径48b(即ち、研削面48aの外径48b)は、チャックテーブル6の外径6bよりも大きい。
例えば、外径48bは500mmであり、外径6bは300mmであるが、外径48bは、外径6bよりも60mm以上大きければよい。また、X‐Y平面視で、研削面48aの外径48bの中心48cと、チャックテーブル6の外径6bの中心6cとは、X軸方向に沿う1つの直線上に配置されている。
研削ホイール44(研削ユニット36)と、チャックテーブル6とを相対的にX軸方向(所定方向)に沿って研削ホイール44の直下まで移動させると、図2の破線で示す様に、チャックテーブル6は上面視で研削ホイール44の内周よりも内側に位置する。
第1の実施形態のクリープフィード研削装置2には、底面状態調整ユニット50が設けられている。底面状態調整ユニット50は、研削ユニット36に対するチャックテーブル6の相対的な移動領域B(図2参照)よりもY軸方向の外側に配置された第1ノズル(底面状態調整機構)52を有する。
第1ノズル52は、研削ユニット36に対する相対的な位置が固定されている。例えば、第1ノズル52は、基台4に対して固定され、研削面48aの直下の一箇所に配置されている。第1ノズル52と、第1ノズル52の直上に位置する研削砥石48との距離は、第1ノズル52から噴射される高圧水54の速度等に応じて、予め調整されている。
図3(A)に示す様に、第1ノズル52には、高圧水供給源56が接続されている。高圧水供給源56は、供給される純水を所定の圧力に昇圧するポンプ(不図示)等を有する。
第1ノズル52は、クリープフィード研削時に、0.1MPa以上(例えば、2MPa以上13MPa以下の所定値)に加圧された純水等の高圧水54を上方に向けて噴射することで、研削砥石48の底面48d(図3(A)参照)の状態を調整する。
被加工物11に対してクリープフィード研削を施すときには、まず、裏面11bが露出する様に(図2において実線で示された被加工物11を参照)、被加工物11の表面11a側を吸引保持する。
表面11a側にデバイスが形成されている場合には、デバイスを保護するために表面11a側に樹脂製の保護テープを貼り付けたうえでこの表面11a側を吸引保持する。吸引保持は、クリープフィード研削装置2の前方側に位置するチャックテーブル6の搬入搬出領域A1で行われる。
吸引保持後、スピンドル40を所定の回転数で回転させると共に、研削砥石48の底面48dが裏面11bと接する様に、研削送りユニット24で研削面48aの高さ位置を、保持面6aと裏面11bとの間に調整する(図3(A)参照)。
なお、スピンドル40の回転数は、外径48bに応じて適宜設定してよい。例えば、外径48bが500mmの場合は2000rpmとし、外径48bが300mmの場合は3200rpmとする。
研削面48aの高さ位置を調整した後、第1ノズル52から高圧水54の噴射を開始し、更に、チャックテーブル6の移動を開始することでクリープフィード研削を開始する。図3(A)は、クリープフィード研削開始時の被加工物11等の一部断面側面図である。
クリープフィード研削時には、X軸方向移動機構20によりチャックテーブル6を所定の移動速度(例えば、10mm/s)で、クリープフィード研削装置2の後方側の所定領域A2まで移動させる。
第1の実施形態において、所定領域A2は、研削ユニット36の直下に位置する。所定領域A2に移動したチャックテーブル6は、X‐Y平面視で研削面48aの内周よりも内側に位置する(図2参照)。
この様にして、研削砥石48の側面及び底面48dで裏面11b側が研削され、それぞれ円弧状の複数のソーマーク11c(図2参照)が加工送り方向に沿って形成される。図3(B)は、1パスでのクリープフィード研削後の被加工物11等の一部断面側面図である。
1パスとは、X‐Y平面視で研削ホイール44の外側に位置するチャックテーブル6が研削ホイール44の直下に位置するまで、チャックテーブル6と研削ユニット36とを相対的に所定方向に沿って移動させる1回の動作を意味する。
第1の実施形態では、チャックテーブル6が、X軸方向に沿って搬入搬出領域A1(図3(A)参照)から所定領域A2(図3(B)参照)に向かう方向で、研削ホイール44の外側からその直下まで1回移動することを1パスと称する。
第1の実施形態では、1パスでのクリープフィード研削時に、第1ノズル52から研削砥石48の底面48dに高圧水54を噴射することで、高圧水54で底面48dを、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正する。図4は、クリープフィード研削を示す斜視図である。
本実施形態では、クリープフィード研削時に、高圧水54を底面48dに噴射することで、研削砥石48の底面48d側において、目詰まりの原因となる研削屑の除去、研削砥石48の目立て、及び、研削砥石48の形状の修正の少なくともいずれかを行うことができる。これにより、クリープフィード研削時に底面48dにおけるコンディション不良を解消する。
それゆえ、クリープフィード研削において、作業効率を低下させることなく、底面48dのコンディション不良を解消できる。また、チャックテーブル6の相対的な移動領域Bの外側に第1ノズル52を配置することで、移動領域Bの外側のスペースを有効利用できる。
なお、被加工物11を目的の仕上げ厚さまで研削して薄化するために、2パス以上のクリープフィード研削を行ってもよい。2パス目のクリープフィード研削を行う際には、1パス目の移動で研削ユニット36の直下にチャックテーブル6が移動した後、研削砥石48が被加工物11に接触しない程度に研削ユニット36を一旦上昇させる。
そして、X‐Y平面視でチャックテーブル6が研削ホイール44と重ならない位置まで、チャックテーブル6を搬入搬出領域A1側へ移動させる。その後、X軸方向に沿って搬入搬出領域A1から所定領域A2に向かう方向で、チャックテーブル6を移動させることで、2パス目のクリープフィード研削を行う。
3パス目以降も同様に行うことができる。なお、クリープフィード研削中は、第1ノズル52からの高圧水54の噴射を継続するが、チャックテーブル6を搬入搬出領域A1側へ移動させている間は、高圧水54の噴射を停止する。
ところで、移動領域Bと干渉しない限り、研削面48aの直下の二箇所以上に第1ノズル52を配置してもよい。例えば、移動領域BよりもY軸方向の外側に位置する片側又は両側の二箇所以上に第1ノズル52を配置する。
特に、外径48bの中心48cを挟む様に二箇所に第1ノズル52を配置することで、スピンドル40の回転方向に関わらず、被加工物11との接触直後に加えて接触直前にも高圧水54で研削砥石48の底面48d側を、洗浄もしくは修正できる又は洗浄及び修正できる。それゆえ、スピンドル40の回転の自由度を確保できる。
次に、図5及び図6を参照して、第1の実施形態の第1変形例について説明する。図5は、第1変形例に係るクリープフィード研削装置2aの上面図であり、図6は、第1変形例に係るクリープフィード研削装置2aの斜視図である。
第1変形例のチャックテーブル6は、X軸方向移動機構20により動かされず、常に静止状態にある。これに対して、研削送りユニット24が固定された支持構造22は、X軸方向移動機構20と同様の移動機構によりX軸方向に移動可能である。
当該移動機構は、X軸方向移動板(不図示)を有しており、支持構造22は、このX軸方向移動板で支持されている。第1ノズル52は、保持部材28又はX軸方向移動板12に固定されているので、支持構造22と共にX軸方向に移動する。その他の点は、第1の実施形態と同じである。
第1変形例でも、クリープフィード研削時に、研削屑の除去、研削砥石48の目立て、及び、研削砥石48の形状の修正の少なくともいずれかを行うことができる。これにより、クリープフィード研削において、作業効率を低下させることなく、底面48dのコンディション不良を解消できる。
次に、第1の実施形態の第2変形例について説明する。図7は、第1の実施形態の第2変形例に係るクリープフィード研削装置2bの上面図である。第2変形例でも、チャックテーブル6は常に静止状態にあり、研削送りユニット24が固定された支持構造22がX軸方向に移動する。
しかし、第2変形例において、第1ノズル52は、その位置がチャックテーブル6の近傍に固定されておりX軸方向に移動しない。第2変形例の第1ノズル52は、X‐Y平面視で中心6c(図2参照)を通るY軸方向に平行な直線上のうち移動領域Bの外側において、チャックテーブル6に対する研削面48aの相対的な移動領域の直下に配置されている。
係る点が、第1変形例と異なるが、その他の点は、第1変形例と同じである。第2変形例でも、クリープフィード研削時に、研削屑の除去、研削砥石48の目立て、及び、研削砥石48の形状の修正の少なくともいずれかを行うことができる。
次に、第2の実施形態について説明する。図8は、第2の実施形態に係るクリープフィード研削装置62aの一部断面側面図である。第2の実施形態の底面状態調整ユニット50aは、研削ユニット36に対する相対的な位置が固定された第2ノズル(底面状態調整機構)52aを有する。
図8の第2ノズル52aは、基台4に対して固定されており、チャックテーブル6の相対的な移動領域Bの外側に位置する研削面48aの直下の一箇所に配置されている。第2ノズル52aは、砥粒54a1を含み、且つ、0.1MPa以上(例えば、2MPa以上13MPa以下の所定値)に加圧された純水等の高圧水54a2を上方に向けて噴射する。
なお、使用される砥粒54a1の平均粒径は、研削砥石48を構成する砥粒の平均粒径よりも小さい。第1ノズル52には、砥粒入り高圧水供給源56aが接続されている。
砥粒入り高圧水供給源56aは、砥粒54a1が混合された純水を貯留するタンク(不図示)、当該タンクから供給される砥粒54a1入りの純水を所定の圧力に昇圧するポンプ(不図示)等を有する。
第2の実施形態では、クリープフィード研削時に、第2ノズル52aから研削砥石48の底面48dに砥粒54a1を含む高圧水54を噴射することで、砥粒54a1入り高圧水54a2で底面48dを、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正する。
これにより、研削砥石48の底面48d側において、研削屑の除去、研削砥石48の目立て、及び、研削砥石48の形状の修正の少なくともいずれかを行うことができる。それゆえ、クリープフィード研削において、作業効率を低下させることなく、底面48dのコンディション不良を解消できる。
図8の第2ノズル52aは、研削面48aの直下の一箇所に配置されているが、チャックテーブル6の相対的な移動領域Bと干渉しない限り、研削面48aの直下の二箇所以上に第2ノズル52aを配置してもよい。また、移動領域BよりもY軸方向の外側に位置する片側又は両側の二箇所以上に第2ノズル52aを配置してもよい。
特に、外径48bの中心48cを挟む様に二箇所に第2ノズル52aを配置することで上述の様にスピンドル40の回転の自由度を確保できる。なお、クリープフィード研削装置62aにおいても、上述の第1又は第2変形例を適用してもよい。
次に、第3の実施形態について説明する。図9は、第3の実施形態に係るクリープフィード研削装置62bの一部断面側面図である。第3の実施形態の底面状態調整ユニット50bは、研削ユニット36に対する相対的な位置が固定された第3ノズル(底面状態調整機構)52bを有する。
図9の第3ノズル52bは、基台4に対して固定されており、移動領域Bの外側において、研削面48aの直下の一箇所に配置されている。第3ノズル52bからは、純水54b1とエアー54b2とが混合された二流体54bが上方に向けて噴射される。
例えば、0.8MPaに加圧された純水54b1と、0.3MPaに加圧されたエアー54b2とが、それぞれ独立に第3ノズル52bへ供給され、第3ノズル52b内で混合された後、二流体54bとして上方に噴射される。
第3ノズル52bには、純水54b1の導管と、エアー54b2の導管と、を介して二流体供給源56bが接続されている。二流体供給源56bは、加圧された純水54b1を供給するためのポンプ(不図示)と、純水54b1が貯留されたタンク(不図示)と、を有する純水供給源(不図示)を備える。
更に、二流体供給源56bは、加圧されたエアー54b2を供給するためのポンプ(不図示)と、エアー54b2が貯留されたタンク(不図示)と、を有するエアー供給源(不図示)を備える。
第3の実施形態では、クリープフィード研削時に、第3ノズル52bから研削砥石48の底面48dに二流体54bを噴射することにより、二流体54bで底面48dを、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正する。
例えば、二流体54bを底面48d側に噴射することで、研削砥石48の底面48d側において、研削屑の除去、研削砥石48の目立て、及び、研削砥石48の形状の修正の少なくともいずれかを行うことができる。それゆえ、作業効率を低下させることなく、底面48dのコンディション不良を解消できる。
図9の第3ノズル52bは、移動領域Bの外側において、研削面48aの直下の一箇所に配置されているが、研削面48aの直下の二箇所以上に第3ノズル52bを配置してもよい。また、移動領域BよりもY軸方向の外側に位置する片側又は両側の二箇所以上に第3ノズル52bを配置してもよい。
特に、外径48bの中心48cを挟む様に二箇所に第3ノズル52bを配置することで、上述の様にスピンドル40の回転の自由度を確保できる。なお、クリープフィード研削装置62bにおいても、上述の第1又は第2変形例を適用してもよい。
次に、第4の実施形態について説明する。図10は、第4の実施形態に係るクリープフィード研削装置62cの一部断面側面図である。第4の実施形態の底面状態調整ユニット50cは、研削ユニット36に対する相対的な位置が固定された円板状のドレッシング部(底面状態調整機構)52c1を有する。
ドレッシング部52c1は、円柱状のベース部材52c2で支持及び固定されている。ベース部材52c2は、ベース部材52c2をZ軸方向に沿って昇降させる昇降機構(不図示)を介して基台4に対して固定されている。また、ドレッシング部52c1は、移動領域Bの外側において、研削面48aの直下の一箇所に配置されている。
ドレッシング部52c1は、例えば、1cm以上5cm以下の直径と、1mm以上5mm以下の厚さと、を有する。ドレッシング部52c1は、ドレッシングボードと呼ばれることもある。なお、ドレッシング部52c1の直径は、研削砥石48のセグメント幅等に応じて適宜選択される。
また、ドレッシング部52c1は、ビトリファイドボンド等の結合材と、結合材で固定されたホワイトアランダム(WA)、グリーンカーボン(GC)等の砥粒と、を有する。
昇降機構は、クリープフィード研削の開始時に、ドレッシング部52c1の上面の高さ位置を研削面48aの高さ位置に合わせる様に、ドレッシング部52c1を上昇させ、メンテナンス等の非研削時には、底面48dに接触しない様にドレッシング部52c1を所定の下降位置に配置する。
昇降機構は、上昇位置及び下降位置の二つの位置にベース部材52c2を位置付けるエアシリンダ等の駆動ユニットに加えて、ドレッシング部52c1の消耗に応じてベース部材52c2の高さ位置を微調整するボールねじ式の移動ユニットを有してもよい。
第4の実施形態では、クリープフィード研削時に、ドレッシング部52c1を研削砥石48の底面48dに接触させることで、底面48dを洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正する。例えば、底面48d側において、研削屑の除去、研削砥石48の目立て、及び、研削砥石48の形状の修正の少なくともいずれかを行うことができる。
それゆえ、クリープフィード研削において、作業効率を低下させることなく、底面48dのコンディション不良を解消できる。なお、図10のドレッシング部52c1は、移動領域Bの外側において、研削面48aの直下の一箇所に配置されているが、研削面48aの直下の二箇所に配置されてもよい。
また、移動領域BよりもY軸方向の外側に位置する片側又は両側の二箇所以上にドレッシング部52c1を配置してもよい。これにより、一箇所にドレッシング部52c1を配置する場合に比べて、1つのドレッシング部52c1への負荷を低減できるので、ドレッシング部52c1の交換等の頻度を低減できる。
特に、外径48bの中心48cを挟む様に二箇所にドレッシング部52c1を配置することで、上述の様にスピンドル40の回転の自由度を確保できる。なお、クリープフィード研削装置62cにおいても、上述の第1又は第2変形例を適用してもよい。
次に、第5の実施形態について説明する。図11は、第5の実施形態に係るクリープフィード研削装置62dの一部断面側面図である。第5の実施形態の底面状態調整ユニット50dは、研削ユニット36に対する相対的な位置が固定されたブラシ(底面状態調整機構)52dを有する。
本実施形態のブラシ52dは、所謂、筒型ブラシであり、ポリアミド、ポリエステル等の樹脂で形成された毛材52d1と、毛材52d1の一端部を束ねた状態で固定する筒部52d2と、を有する。なお、ブラシ52dは、筒型ブラシに限定されず、他の形態のブラシであってもよい。
図11のブラシ52dは、基台4に対して固定されており、ブラシ52dは、移動領域Bの外側において、研削面48aの直下の一箇所に配置されている。ブラシ52dには、ブラシ52dをZ軸方向に沿って昇降させる昇降機構(不図示)が連結されている。
昇降機構は、クリープフィード研削の開始時に、毛材52d1の上端の位置を研削面48aの高さ位置に合わせる様に、ブラシ52dを上昇させ、メンテナンス等の非研削時には、毛材52d1が底面48dに接触しない様にブラシ52dを下降位置に配置する。
第5の実施形態では、クリープフィード研削時に、毛材52d1を研削砥石48の底面48dに接触させることにより、ブラシ52dで底面48dを、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正する。例えば、底面48d側において、研削屑の除去、研削砥石48の目立て、及び、研削砥石48の形状の修正の少なくともいずれかを行うことができる。
それゆえ、クリープフィード研削において、作業効率を低下させることなく、底面48dのコンディション不良を解消できる。ブラシ52dは、移動領域Bの外側において、研削面48aの直下の一箇所に配置されているが、研削面48aの直下の二箇所以上に配置されてもよい。
移動領域BよりもY軸方向の外側に位置する片側又は両側の二箇所以上にブラシ52dを配置してもよい。特に、外径48bの中心48cを挟む様に二箇所にブラシ52dを配置することで、上述の様にスピンドル40の回転の自由度を確保できる。なお、クリープフィード研削装置62dにおいても、上述の第1又は第2変形例を適用してもよい。
次に、第6の実施形態について説明する。図12は、第6の実施形態に係るクリープフィード研削装置62eの一部断面側面図である。第6の実施形態の底面状態調整ユニット50eは、レーザービーム照射ユニット52eを有する。
レーザービーム照射ユニット52eは、パルス状のレーザービームLを照射するレーザー発振器52e1を有する。レーザー発振器52e1は、レーザービームLのパルス幅、繰り返し周波数等のパルス特性を制御するためのパルスジェネレータ(不図示)を有する。
パルスジェネレータによりレーザーダイオードの発光を制御し、レーザーダイオードから出射された光を希土類ドープファイバ(例えば、Ybドープファイバ)で増幅することで、所定の波長(例えば、1030nm)を有するパルス状のレーザービームLを形成できる。
レーザー発振器52e1から出射されたレーザービームLは、ミラー52e2で反射された後、集光器(底面状態調整機構)52e3内に設けられたレンズ52e4を経て、研削砥石48の底面48dに集光される。
レンズ52e4は、例えば、シリンドリカルレンズであり、レーザービームLを底面48dに集光させる際に、レーザービームLを研削砥石48のセグメント幅(即ち、研削ホイール44の直径方向の寸法)に対応する所定の長さを有する線状に整形する。
集光器52e3は、研削ユニット36に対する相対的な位置が固定されており、線状に集光する様に整形されたレーザービームLは、例えば、研削ホイール44の半径方向において研削砥石48の底面48dを横断する様に、底面48d側に照射される。
レーザービームLを線状に集光させることで、球面レンズの様にレーザービームLを一点に集光させる場合に比べて、研削ホイール44の回転時に各研削砥石48の底面48d全体に略均等にレーザービームLを照射できる。
図12のレーザービーム照射ユニット52eは、基台4に対して固定されており、集光器52e3は、移動領域Bの外側において、研削面48aの直下の一箇所に配置されている。レーザービーム照射ユニット52eを用いたレーザー加工条件は、例えば、以下の様に設定する。
波長 :1030nm
繰り返し周波数:200kHz
パルス幅 :8ps
平均出力 :30W
繰り返し周波数:200kHz
パルス幅 :8ps
平均出力 :30W
第6の実施形態では、クリープフィード研削時に、集光器52e3から出射されるレーザービームLで底面48dを、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正する。具体的には、研削砥石48の結合材、研削屑等を溶融又は気化させたり、研削砥石48の砥粒にエネルギーを付与したりする。
これにより、底面48d側において、研削屑の除去、研削砥石48の目立て、及び、研削砥石48の形状の修正の少なくともいずれかを行うことができる。それゆえ、クリープフィード研削において、作業効率を低下させることなく、底面48dのコンディション不良を解消できる。
集光器52e3は、移動領域Bの外側において、研削面48aの直下の一箇所に配置されているが、研削面48aの直下の二箇所以上に配置されてもよい。また、移動領域BよりもY軸方向の外側に位置する片側又は両側の二箇所以上に集光器52e3を配置してもよい。
特に、外径48bの中心48cを挟む様に二箇所に集光器52e3を配置することで、上述の様にスピンドル40の回転の自由度を確保できる。なお、クリープフィード研削装置62eにおいても、上述の第1又は第2変形例を適用してもよい。
その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。チャックテーブル6は円板状ではなく矩形板状であってもよい。矩形板状の場合、保持面6aは略平坦な矩形状の面となる。
また、保持面6aで吸引保持される被加工物11は、円板状のウェーハに限定されない。被加工物11は、モールド樹脂等で形成された短冊状のストリップ基板であってもよい。複数のストリップ基板が保護テープを介してフレームリングで保持されたフレームユニットの状態で、各ストリップ基板に対してクリープフィード研削を行ってもよい。
ところで、底面状態調整ユニット50、50a、50b、50c、50d、50eのうち異なる2種類を組み合わせて用いてもよい。例えば、底面状態調整ユニット50及び50cを組み合わせる。
この場合、外径48bの中心48cを挟む位置関係にある二箇所のうち一箇所に第1ノズル52を配置し、残りのもう一箇所にドレッシング部52c1を配置する。これにより、第1ノズル52からの高圧水54と、ドレッシング部52c1とで、底面48d側を洗浄もしくは修正できる又は洗浄及び修正できる。
特に、高圧水54は、研削砥石48に付着した研削屑の除去に効果的であり、ドレッシング部52c1による研削砥石48のドレッシングは、研削砥石48の目立てや形状の修正に効果的である。
それゆえ、X‐Y平面視した場合に、被加工物11から研削砥石48が出る側の一箇所に第1ノズル52を配置し、被加工物11へ研削砥石48が入る側の他の一箇所にドレッシング部52c1を配置してよい。
また、底面状態調整ユニット50及び50dを組み合わせて、第1ノズル52からの高圧水54と、ブラシ52dとで、底面48d側を洗浄又は修正してもよく、洗浄及び修正してもよい。
同様に、底面状態調整ユニット50及び50eを組み合わせて、第1ノズル52からの高圧水54と、レーザービームLとで、底面48d側を洗浄又は修正してもよく、洗浄及び修正してもよい。
組み合わせは上述の2種類に限定されず、他の様々な組み合わせも可能である。なお、底面状態調整ユニット50、50a、50b、50c、50d、50eのうち異なる3種類以上を組み合わせて用いることもできる。
2、2a、2b、62a、62b、62c、62d、62e:クリープフィード研削装置
4:基台、4a:凹部
6:チャックテーブル、6a:保持面、6b:外径、6c:中心
8:枠体、8a:凹部、8b:流路、10:多孔質板、12:X軸方向移動板
11:被加工物、11a:表面、11b:裏面、11c:ソーマーク
14:ナット部、16:ねじ軸、18:駆動源、20:X軸方向移動機構(移動機構)
22:支持構造、24:研削送りユニット、26:ガイドレール、28:保持部材
30:ナット部、32:ねじ軸、34:駆動源
36:研削ユニット、38:スピンドルハウジング、40:スピンドル、42:マウント
44:研削ホイール、46:基台、46a:下面(一面)、48:研削砥石
48a:研削面、48b:外径、48c:中心、48d:底面
50、50a、50b、50c、50d、50e:底面状態調整ユニット
52:第1ノズル(底面状態調整機構)、54:高圧水、56:高圧水供給源
52a:第2ノズル(底面状態調整機構)
54a1:砥粒、54a2:高圧水、56a:砥粒入り高圧水供給源
52b:第3ノズル(底面状態調整機構)、54b:二流体
54b1:純水、54b2:エアー、56b:二流体供給源
52c1:ドレッシング部(底面状態調整機構)、52c2:ベース部材
52d:ブラシ(底面状態調整機構)、52d1:毛材、52d2:筒部
52e:レーザービーム照射ユニット、52e1:レーザー発振器、52e2:ミラー
52e3:集光器(底面状態調整機構)、52e4:レンズ
A1:搬入搬出領域、A2:所定領域、B:移動領域、L:レーザービーム
4:基台、4a:凹部
6:チャックテーブル、6a:保持面、6b:外径、6c:中心
8:枠体、8a:凹部、8b:流路、10:多孔質板、12:X軸方向移動板
11:被加工物、11a:表面、11b:裏面、11c:ソーマーク
14:ナット部、16:ねじ軸、18:駆動源、20:X軸方向移動機構(移動機構)
22:支持構造、24:研削送りユニット、26:ガイドレール、28:保持部材
30:ナット部、32:ねじ軸、34:駆動源
36:研削ユニット、38:スピンドルハウジング、40:スピンドル、42:マウント
44:研削ホイール、46:基台、46a:下面(一面)、48:研削砥石
48a:研削面、48b:外径、48c:中心、48d:底面
50、50a、50b、50c、50d、50e:底面状態調整ユニット
52:第1ノズル(底面状態調整機構)、54:高圧水、56:高圧水供給源
52a:第2ノズル(底面状態調整機構)
54a1:砥粒、54a2:高圧水、56a:砥粒入り高圧水供給源
52b:第3ノズル(底面状態調整機構)、54b:二流体
54b1:純水、54b2:エアー、56b:二流体供給源
52c1:ドレッシング部(底面状態調整機構)、52c2:ベース部材
52d:ブラシ(底面状態調整機構)、52d1:毛材、52d2:筒部
52e:レーザービーム照射ユニット、52e1:レーザー発振器、52e2:ミラー
52e3:集光器(底面状態調整機構)、52e4:レンズ
A1:搬入搬出領域、A2:所定領域、B:移動領域、L:レーザービーム
Claims (7)
- クリープフィード研削装置であって、
被加工物を吸引保持する保持面を有するチャックテーブルと、
スピンドルを有し、円環状の基台と、該基台の一面側に環状に配置された複数の研削砥石と、を含む研削ホイールが、該スピンドルの下端部側に装着され、該スピンドルの回転時における該複数の研削砥石の軌跡の外径が、該チャックテーブルの外径より大きい、研削ユニットと、
該スピンドルの長手方向と直交する所定方向に沿って、該チャックテーブルと該研削ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、
該移動機構によって該チャックテーブルと該研削ユニットとを該所定方向に沿って相対移動させたときの該チャックテーブルの相対的な移動領域の外側に位置し、クリープフィード研削時に該被加工物に接する各研削砥石の底面を、洗浄もしくは修正する又は洗浄及び修正することで、該底面の状態を調整する底面状態調整機構と、
を備えることを特徴とするクリープフィード研削装置。 - 該底面状態調整機構は、第1ノズルを有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該第1ノズルから高圧水を該底面に噴射することを特徴とする請求項1記載のクリープフィード研削装置。
- 該底面状態調整機構は、第2ノズルを有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該第2ノズルから砥粒を含む高圧水を該底面に噴射することを特徴とする請求項1記載のクリープフィード研削装置。
- 該底面状態調整機構は、水とエアーとが混合された二流体を噴射する第3ノズルを有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該第3ノズルから該二流体を該底面に噴射することを特徴とする請求項1記載のクリープフィード研削装置。
- 該底面状態調整機構は、ドレッシング部を有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該ドレッシング部を該底面に接触させることを特徴とする請求項1記載のクリープフィード研削装置。
- 該底面状態調整機構は、ブラシを有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該ブラシを該底面に接触させることを特徴とする請求項1記載のクリープフィード研削装置。
- 該底面状態調整機構は、レーザービーム照射ユニットの集光器を有し、該研削ユニットにより該被加工物に対してクリープフィード研削が行われる際に、該集光器からレーザービームを該底面に照射することを特徴とする請求項1記載のクリープフィード研削装置。
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